JP4963795B2 - Power-down short circuit for display device - Google Patents

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Description

本発明は、パワーダウンショート回路に関し、例えば液晶装置(LCD)等において、表示装置への電源供給が断たれたときに、異常な表示が行われるのを防ぐためのパワーダウンショート回路に関する。   The present invention relates to a power-down short circuit, and more particularly to a power-down short circuit for preventing abnormal display when a power supply to a display device is cut off in a liquid crystal device (LCD) or the like.

近年のLCDは一般にチャージポンプを用いた内蔵の電源回路を有し、これにより、例えば3Vと言う、比較的低いロジック系電源電圧から、例えば12Vと言う比較的高い電圧を生成している。この高電圧を分圧して種々の値の電圧が生成され、分圧により生成された電圧が、液晶パネルの個々の画素に印加され、これにより画像データに応じた階調の明度或いは濃度を表現している。LCDの電源がオン、オフされると、画像データが不安定となる。そこで、内蔵の電源回路において、予め定められたシーケンスの動作が行われ、これにより意図しない高電圧が液晶パネルに印加されないようにしている。   In recent years, LCDs generally have a built-in power supply circuit using a charge pump, thereby generating a relatively high voltage such as 12V from a relatively low logic system power supply voltage such as 3V. Voltages of various values are generated by dividing this high voltage, and the voltage generated by the voltage division is applied to each pixel of the liquid crystal panel, thereby expressing the brightness or density of the gradation according to the image data. is doing. When the power of the LCD is turned on and off, the image data becomes unstable. Therefore, a predetermined sequence of operation is performed in the built-in power supply circuit, thereby preventing an unintended high voltage from being applied to the liquid crystal panel.

しかし、停電が起きたり、遮断器が動作したり、電池の電圧が規定値以下に低下したりすると、予め定めた電源オン又は電源オフのシーケンスが実行されないことがある。このような場合、チャージポンプ回路内のキャパシタが高電圧を保持しており、これが表示パネルに印加され、異常な表示が行われることがある。この異常な表示は、自然放電により電荷がなくなるまで続く。電源供給が断たれた後に高電圧が印加され続けると、液晶を劣化させる原因ともなる。   However, when a power failure occurs, a circuit breaker operates, or the battery voltage drops below a specified value, a predetermined power-on or power-off sequence may not be executed. In such a case, the capacitor in the charge pump circuit holds a high voltage, which is applied to the display panel, and abnormal display may be performed. This abnormal display continues until there is no charge due to spontaneous discharge. If a high voltage is continuously applied after the power supply is cut off, it may cause deterioration of the liquid crystal.

そこで、内蔵の電源回路は、主電源VCCが停止したときに、チャージポンプを放電させる回路を含んでいる。図1は、特許文献1に記載された、そのような回路の一例を示す。   Therefore, the built-in power supply circuit includes a circuit that discharges the charge pump when the main power supply VCC is stopped. FIG. 1 shows an example of such a circuit described in Patent Document 1.

特開2003−295841号公報JP 2003-295841 A

この回路は、それぞれセグメントドライバ512−1及びコモンドライバ512−2から出力される、LCD駆動電圧V1及びV5を保持するキャパシタ531、535を放電させるものであり、電荷放出回路560と、電圧検出回路570と、電圧引き抜き回路580とを有する。   This circuit discharges capacitors 531 and 535 that hold the LCD drive voltages V1 and V5 output from the segment driver 512-1 and the common driver 512-2, respectively, and includes a charge discharge circuit 560 and a voltage detection circuit. 570 and a voltage extracting circuit 580.

電圧検出回路570は、グランド(GND)と、抵抗571を介して主電源電圧VCCを受けるノードN1との間に接続されたキャパシタ574を有する。キャパシタ574の役割は、電源が停止した後も暫くの間ノードN1をVCCレベルに近い値に維持することである。電圧検出回路570はまた、インバータ600を有する。このインバータ600は、グランドとノードN1の間に接続されたものであり、PMOSトランジスタ572と、NMOSトランジスタ573とを含む。これらのPMOSトランジスタ572及びNMOSトランジスタ573のゲートには、主電源電圧VCCが供給されている。   Voltage detection circuit 570 has a capacitor 574 connected between ground (GND) and node N1 receiving main power supply voltage VCC via resistor 571. The role of the capacitor 574 is to maintain the node N1 at a value close to the VCC level for a while after the power supply is stopped. The voltage detection circuit 570 also includes an inverter 600. Inverter 600 is connected between ground and node N 1 and includes a PMOS transistor 572 and an NMOS transistor 573. The main power supply voltage VCC is supplied to the gates of the PMOS transistor 572 and the NMOS transistor 573.

電圧引き抜き回路580は、抵抗581と、NMOSトランジスタ582とを有する。抵抗581とNMOSトランジスタ582は、電源VCCとグランドの間に直列接続されている。電荷放出回路560は、NMOSトランジスタ561及び565を有する。これらのソースは、グランドに接続され、ドレインはキャパシタ531及び535に接続されている。に接続されている。NMOSトランジスタ582、561及び565のゲートは、インバータ600の出力を受けるように接続されている。   The voltage extracting circuit 580 includes a resistor 581 and an NMOS transistor 582. The resistor 581 and the NMOS transistor 582 are connected in series between the power supply VCC and the ground. The charge discharge circuit 560 includes NMOS transistors 561 and 565. These sources are connected to the ground, and the drains are connected to capacitors 531 and 535. It is connected to the. The gates of the NMOS transistors 582, 561 and 565 are connected to receive the output of the inverter 600.

この回路において、主電源がオンであり、VCCがNMOSトランジスタ573の閾値電圧よりも高いときは、インバータ600の出力は低レベル(グランドレベル)であり、従って、NMOSトランジスタ561及び565はオフしている。   In this circuit, when the main power supply is on and VCC is higher than the threshold voltage of the NMOS transistor 573, the output of the inverter 600 is at a low level (ground level). Therefore, the NMOS transistors 561 and 565 are turned off. Yes.

主電源が断たれると、VCCがグランドレベルに向けて低下するが、キャパシタ574に蓄積された電荷のため、ノードN1は通常のVCCレベル(例えば3V)の近辺に維持される。このため、PMOSトランジスタ572がオンし、インバータ600の出力が高レベルとなる。従って、NMOSトランジスタ561及び565がオンとなり、キャパシタ531及び535の放電を開始する。NMOSトランジスタ582もオンなるため、主電源は放電され、VCCは急速に低下する。高電圧V1及びV2は、十分に早く低下して、LCDパネルに異常な表示がなされるのを防ぎ、液晶の劣化を防ぐ。   When the main power supply is cut off, VCC decreases toward the ground level, but the node N1 is maintained in the vicinity of the normal VCC level (for example, 3 V) due to the charge accumulated in the capacitor 574. For this reason, the PMOS transistor 572 is turned on, and the output of the inverter 600 becomes a high level. Accordingly, the NMOS transistors 561 and 565 are turned on, and discharging of the capacitors 531 and 535 is started. Since the NMOS transistor 582 is also turned on, the main power supply is discharged and VCC drops rapidly. The high voltages V1 and V2 decrease sufficiently quickly to prevent abnormal display on the LCD panel and to prevent deterioration of the liquid crystal.

図1に示された従来の回路の問題は、キャパシタ531及び535が放電されるとき、放電用トランジスタ561及び565のゲートの電位も低下し、急速に低下しているVCCレベルに近づくことである。この結果、駆動電圧V1及びV5がグランドレベルに達する前に放電用トランジスタがオフとなる可能性がある。駆動電圧の最終的レベルは、図1に示された抵抗、キャパシタ、及びトランジスタのパラメータに依存する。しかし、もしも放電用トランジスタの閾値電圧が高ければ(その方が、サブスレッショールド漏れ電流を防ぐ観点からは、望ましい)、放電用トランジスタがオフとなったときに、駆動電圧は約1V程度となる。この結果、表示に望ましくないぼんやりとした像の表示が続く。   The problem with the conventional circuit shown in FIG. 1 is that when capacitors 531 and 535 are discharged, the potentials at the gates of discharge transistors 561 and 565 also decrease, approaching the rapidly decreasing VCC level. . As a result, the discharge transistor may be turned off before the drive voltages V1 and V5 reach the ground level. The final level of the drive voltage depends on the resistance, capacitor, and transistor parameters shown in FIG. However, if the threshold voltage of the discharging transistor is high (which is desirable from the viewpoint of preventing the subthreshold leakage current), the driving voltage is about 1 V when the discharging transistor is turned off. Become. As a result, the display of a blurred image which is undesirable for display continues.

本発明は、主電源が急に停止したときにも、主電源を昇圧することにより発生された表示用の電圧を確実に放電させるパワーダウンショート回路を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a power-down short circuit that reliably discharges a display voltage generated by boosting the main power supply even when the main power supply suddenly stops.

本発明のパワーダウンショート回路は、
主電源電圧を伝える主電源線と、
前記主電源電圧よりも低いグランド電圧を伝えるグランド電源線と、
前記主電源電圧を昇圧して表示電圧を発生し、表示電源線に表示電圧を出力する表示電圧生成部とを有する表示装置のためのパワーダウンショート回路であって、
前記主電源線に接続され、前記主電源電圧が所定のレベルよりも高いときに第1の状態を有し、前記主電源電圧が前記所定のレベルよりも低いときに第2の状態を有する電源停止信号を発生する電源変動検出部と、
制御端子を有し、前記制御端子に印加される電圧に応じて、前記表示電源線をグランド電源線に接続する短絡部と、
前記電源停止信号が前記第1の状態のときに前記短絡部の前記制御端子を、グランド電源線に接続し、前記電源停止信号が前記第2の状態のときに前記短絡部の前記制御端子を、ダイオードを介して前記表示電源線に導通させる制御部とを備え、
前記制御部が、
前記電源停止信号が前記第1の状態から前記第2の状態に変化したときにパルスを発生するパルス発生部と、
前記パルス発生部から前記パルスを受ける制御端子と、前記表示電源線及び前記短絡部の前記制御端子に接続された電流端子とを有する第1のトランジスタと、
前記電源停止信号により制御され、前記グランド電源線及び前記短絡部の前記制御端子に接続された電流端子を有する第2のトランジスタとを備え、
さらに、
前記制御部と前記短絡部の前記制御端子の間に接続された抵抗と、
前記グランド電源線と、前記短絡部の前記制御端子の間に接続されたキャパシタと
を有することを特徴とする
The power down short circuit of the present invention is
A main power line for transmitting the main power voltage;
A ground power line for transmitting a ground voltage lower than the main power voltage;
A power down short circuit for a display device having a display voltage generation unit that boosts the main power supply voltage to generate a display voltage and outputs the display voltage to a display power supply line,
A power supply connected to the main power supply line and having a first state when the main power supply voltage is higher than a predetermined level and having a second state when the main power supply voltage is lower than the predetermined level A power fluctuation detector that generates a stop signal;
A short-circuit portion having a control terminal and connecting the display power supply line to a ground power supply line in accordance with a voltage applied to the control terminal;
The control terminal of the short-circuit portion is connected to a ground power line when the power stop signal is in the first state, and the control terminal of the short-circuit portion is connected to the ground power line when the power stop signal is in the second state. A control unit that conducts to the display power supply line through a diode,
The control unit is
A pulse generator for generating a pulse when the power stop signal changes from the first state to the second state;
A first transistor having a control terminal for receiving the pulse from the pulse generation unit, and a current terminal connected to the display power supply line and the control terminal of the short-circuit unit;
A second transistor controlled by the power supply stop signal and having a current terminal connected to the ground power supply line and the control terminal of the short-circuit portion;
further,
A resistor connected between the control unit and the control terminal of the short-circuit unit;
A capacitor connected between the ground power line and the control terminal of the short-circuit portion;
It is characterized by having .

電源が断たれ、主電源電圧が低下すると、短絡部がオンとなり、表示電源線をグランドに放電する。表示電源線の電圧が低下すると、短絡部の制御端子の電圧も低下する。しかし、ダイオードにおける電圧降下のため、制御端子の電圧は、表示電圧よりも高い値に維持され、短絡部がオンの状態に維持される。この状態は、主電源電圧が低下する速度に拘らず、表示電圧が短絡部のオン‐オフ閾値レベルよりも十分低い値になるまで維持される。 When the power supply is cut off and the main power supply voltage is lowered, the short circuit portion is turned on, and the display power supply line is discharged to the ground. When the voltage of the display power supply line decreases, the voltage of the control terminal of the short circuit portion also decreases. However, due to the voltage drop in the diode, the voltage at the control terminal is maintained at a value higher than the display voltage, and the short circuit portion is maintained in the ON state. This state is maintained until the display voltage becomes a value sufficiently lower than the on-off threshold level of the short-circuit portion, regardless of the speed at which the main power supply voltage decreases.

本発明によれば、主電源が急に停止したときにも、主電源を昇圧することにより発生された表示用の電圧を確実に放電させることができる。   According to the present invention, even when the main power supply suddenly stops, the display voltage generated by boosting the main power supply can be reliably discharged.

本発明の実施の形態につき、添付の図面を参照して説明する。添付の図面において、同一の符号は同一又は類似の素子を示す。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the accompanying drawings, the same reference numerals indicate the same or similar elements.

実施の形態1.
図2に示すように、実施の形態1のパワーダウンショート回路は、電源変動検出部10と、インバータ20と、制御部30と、遅延部40と、短絡部50とを有する。電源変動検出部10は、主電源電圧VDD(例えば、3V)を伝える主電源線1に接続されている。主電源電圧VDDはLCDを駆動する論理回路(図示しない)にも供給される。電源変動検出部10とパワーダウンショート回路の他の部分は、表示電圧生成部を構成するチャージポンプ70によって生成された液晶駆動電圧VLCD(例えば12V)を伝える表示電源線2と、基準電圧即ちグランド電圧VSS(0V)を伝えるグランド電源線4にも接続されている。
Embodiment 1 FIG.
As shown in FIG. 2, the power down short circuit according to the first embodiment includes a power supply fluctuation detection unit 10, an inverter 20, a control unit 30, a delay unit 40, and a short circuit unit 50. The power supply fluctuation detection unit 10 is connected to the main power supply line 1 that transmits the main power supply voltage VDD (for example, 3 V). The main power supply voltage VDD is also supplied to a logic circuit (not shown) that drives the LCD. The other part of the power fluctuation detection unit 10 and the power down short circuit is a display power line 2 for transmitting a liquid crystal driving voltage VLCD (for example, 12V) generated by the charge pump 70 constituting the display voltage generation unit, and a reference voltage or ground. It is also connected to the ground power supply line 4 that transmits the voltage VSS (0 V).

電源変動検出部10は、抵抗11と、NMOSトランジスタ12と、キャパシタ13とを有し、VDDレベルの急速な低下を検出する。抵抗11の一端は、表示電源線2に接続され、他端はノードNAに接続されている。NMOSトランジスタ12は、ドレインがノードNAに接続され、ソースがグランド電源線4に接続され、ゲート(制御端子)が主電源線1に接続されている。キャパシタ13が、ノードNAとグランド電源線4の間に接続され、雑音抑制素子として作用する。   The power supply fluctuation detection unit 10 includes a resistor 11, an NMOS transistor 12, and a capacitor 13, and detects a rapid drop in the VDD level. One end of the resistor 11 is connected to the display power supply line 2 and the other end is connected to the node NA. The NMOS transistor 12 has a drain connected to the node NA, a source connected to the ground power supply line 4, and a gate (control terminal) connected to the main power supply line 1. Capacitor 13 is connected between node NA and ground power supply line 4 and functions as a noise suppression element.

インバータ20は、PMOSトランジスタ21とNMOSトランジスタ22とを有し、電源変動検出部10内のノードNAから出力電圧(電源停止信号)を、入力信号として受ける。PMOSトランジスタ21は、NMOSトランジスタ22よりも大きなトランスコンダクタンス(相互コンダクタンス)を有するように設計され、これにより、インバータ20のスイッチングポイント(閾値)が電源線電圧(VLCD/2)の1/2よりも大きくなるようにしてある。抵抗11の抵抗値が十分に大きく、これにより、通常の動作でNMOSトランジスタ12がオン状態になっている時に電源変動検出部10の出力レベルがインバータ20のスイッチングポイントよりも十分に低くなるようにしてあり、これにより雑音による誤動作を少なくしている。   The inverter 20 includes a PMOS transistor 21 and an NMOS transistor 22 and receives an output voltage (power supply stop signal) as an input signal from a node NA in the power supply fluctuation detection unit 10. The PMOS transistor 21 is designed to have a larger transconductance (transconductance) than the NMOS transistor 22, so that the switching point (threshold value) of the inverter 20 is more than 1/2 of the power supply line voltage (VLCD / 2). It is supposed to grow. The resistance value of the resistor 11 is sufficiently large, so that the output level of the power supply fluctuation detector 10 is sufficiently lower than the switching point of the inverter 20 when the NMOS transistor 12 is in an on state in normal operation. As a result, malfunction due to noise is reduced.

制御部30は、ノードNBでインバータ20の出力を受け、ノードNCから制御信号を出力する。ノードNBの入力が高レベルのとき、ノードNCの出力は低レベルである。ノードNBの入力が高レベルから低レベルに変わると、ノードNCは、所定の期間高レベルに駆動され、その後、高インピーダンス状態となる。   Control unit 30 receives the output of inverter 20 at node NB and outputs a control signal from node NC. When the input of node NB is high, the output of node NC is low. When the input of the node NB changes from a high level to a low level, the node NC is driven to a high level for a predetermined period and then enters a high impedance state.

制御部30は、インバータ31と、遅延(DLY)部32と、二入力否定論理積ゲート(NANDゲート)33と、PMOSトランジスタ34と、NMOSトランジスタ35と、寄生ダイオード36とを有する。インバータ31は、ノードNBの信号を反転する。遅延部32は、ノードNBの信号を所定時間遅延させる。NANDゲート33は、インバータ31から反転信号と、遅延部32から遅延信号を受ける。PMOSトランジスタ34は、ゲート(制御端子)がNANDゲート33の出力端子に接続され、ソース(第1の電流端子)が表示電源線2に接続され、ドレイン(第2の電流端子)がノードNCに接続されている。NMOSトランジスタ35は、ドレイン(第1の電流端子)がノードNCに接続され、ソース(第2の電流端子)がグランド電源線4に接続され、ゲート(制御端子)がノードNBに接続されており、従って、インバータ20の出力により制御される。  The control unit 30 includes an inverter 31, a delay (DLY) unit 32, a two-input NAND gate (NAND gate) 33, a PMOS transistor 34, an NMOS transistor 35, and a parasitic diode 36. Inverter 31 inverts the signal at node NB. The delay unit 32 delays the signal of the node NB for a predetermined time. NAND gate 33 receives an inverted signal from inverter 31 and a delayed signal from delay unit 32. The PMOS transistor 34 has a gate (control terminal) connected to the output terminal of the NAND gate 33, a source (first current terminal) connected to the display power supply line 2, and a drain (second current terminal) connected to the node NC. It is connected. The NMOS transistor 35 has a drain (first current terminal) connected to the node NC, a source (second current terminal) connected to the ground power supply line 4, and a gate (control terminal) connected to the node NB. Therefore, it is controlled by the output of the inverter 20.

遅延部32としては、抵抗とキャパシタから成る遅延回路や、縦続接続された偶数段のゲートから成る回路が用いられる。インバータ31、遅延部32、及びNANDゲート33は、表示電源線2から、図示しない分岐電源線を介して、液晶駆動電圧VLCDを電源として受ける。寄生ダイオード36は、図3に示すように、PMOSトランジスタ34のp型のドレイン領域とn型の基板の間に形成された寄生素子である。n型の基板は表示電源線2に接続され、VLCD電位に保持されており、寄生ダイオード36は、図2に示されるように、PMOSトランジスタ34のドレインと表示電源線2の間に接続されたダイオードと等価である。 As the delay unit 32, a delay circuit composed of a resistor and a capacitor, or a circuit composed of even-numbered gates connected in cascade is used. The inverter 31, the delay unit 32, and the NAND gate 33 receive the liquid crystal drive voltage VLCD as a power source from the display power supply line 2 via a branch power supply line (not shown). As shown in FIG. 3 , the parasitic diode 36 is a parasitic element formed between the p-type drain region of the PMOS transistor 34 and the n-type substrate. The n-type substrate is connected to the display power supply line 2 and held at the VLCD potential, and the parasitic diode 36 is connected between the drain of the PMOS transistor 34 and the display power supply line 2 as shown in FIG. It is equivalent to a diode.

遅延部40は、ノードNCとノードNDの間に接続された抵抗41と、ノードNDとグランド電源線4の間に接続されたキャパシタ42とから成る積分回路である。ノードNCの信号は、ノードNDに伝達されるが、この伝達には、抵抗41及びキャパシタ42の抵抗値及び静電容量値によって決まる遅延を伴う。   The delay unit 40 is an integrating circuit including a resistor 41 connected between the node NC and the node ND and a capacitor 42 connected between the node ND and the ground power supply line 4. The signal of the node NC is transmitted to the node ND, and this transmission is accompanied by a delay determined by the resistance value and the capacitance value of the resistor 41 and the capacitor 42.

短絡部50は、NMOSトランジスタ51を含み、その電流端子(ドレイン及びソース)は、それぞれ表示電源線2及びグランド電源線4に接続され、ゲート(制御端子)は、ノードNDに接続されている。NMOSトランジスタ51は、ノードNDの信号に応じて、表示電源線2とグランド電源線4の間の電荷を放電する。NMOSトランジスタ51の代わりに、NMOS及びPMOSトランジスタが並列に接続されたアナログスイッチを短絡部51として用いても良い。   The short-circuit unit 50 includes an NMOS transistor 51, whose current terminals (drain and source) are connected to the display power supply line 2 and the ground power supply line 4, respectively, and whose gate (control terminal) is connected to the node ND. The NMOS transistor 51 discharges the electric charge between the display power supply line 2 and the ground power supply line 4 according to the signal of the node ND. Instead of the NMOS transistor 51, an analog switch in which an NMOS and a PMOS transistor are connected in parallel may be used as the short-circuit portion 51.

次に、図2に示す回路の動作を、図4の信号波形図を参照して説明する。   Next, the operation of the circuit shown in FIG. 2 will be described with reference to the signal waveform diagram of FIG.

主電源線1の主電源電圧VDDが所定のレベルよりも高いときは、NMOSトランジスタ12は、オン状態にあり、ノードNAの電圧レベルは低い。インバータ20は、ノードNBを高レベルに駆動し、PMOSトランジスタ34をオフ状態にし、NMOS35をオン状態にし、ノードNC及びNDの電圧レベルは低くされる。この結果、NMOSトランジスタ51はオフ状態であり、表示電源線2からグランド電源線4へ電荷を放電することはなく、表示電源線2は、チャージポンプ70で発生された液晶駆動電圧VLCDを、液晶パネルに供給する。   When the main power supply voltage VDD of the main power supply line 1 is higher than a predetermined level, the NMOS transistor 12 is in an on state and the voltage level of the node NA is low. The inverter 20 drives the node NB to a high level, turns off the PMOS transistor 34, turns on the NMOS 35, and lowers the voltage levels of the nodes NC and ND. As a result, the NMOS transistor 51 is in the OFF state, and the display power supply line 2 does not discharge the charge from the display power supply line 2 to the ground power supply line 4. Supply to the panel.

電源が停止し、電源電圧VDDが所定のレベルよりも低くなると、NMOSトランジスタ12はオフ状態となり、そのドレイン電圧(ノードNAの電源停止信号電圧レベル)は高レベルとなる。インバータ20はこの変化を検出し、ノードNBを低レベルに駆動する。   When the power supply is stopped and the power supply voltage VDD becomes lower than a predetermined level, the NMOS transistor 12 is turned off, and the drain voltage (the power supply stop signal voltage level of the node NA) becomes a high level. Inverter 20 detects this change and drives node NB to a low level.

制御部30において、ノードNBが低レベルになると、NMOSトランジスタ35はオフ状態となり、インバータ31の出力は高レベルとなる。遅延部32の出力は所定の時間高レベルに維持された後、低レベルとなる。この結果、NANDゲート33の出力(PMOSトランジスタ34のゲートに供給される)は、所定の時間低レベルとなり、その後高レベルに戻る。インバータ31、遅延部32及びNANDゲート33は、電源停止信号が低レベルから高レベルに変化したときに、低レベルのパルス(所定時間だけ低レベルとなるパルス)を発生するパルス発生器として機能する。   In the control unit 30, when the node NB becomes low level, the NMOS transistor 35 is turned off and the output of the inverter 31 becomes high level. The output of the delay unit 32 is maintained at a high level for a predetermined time and then becomes a low level. As a result, the output of the NAND gate 33 (supplied to the gate of the PMOS transistor 34) becomes low level for a predetermined time, and then returns to high level. The inverter 31, the delay unit 32, and the NAND gate 33 function as a pulse generator that generates a low-level pulse (a pulse that is low for a predetermined time) when the power stop signal changes from a low level to a high level. .

従って、電源停止信号が高レベルになったとき、PMOSトランジスタ34は、所定の時間オン状態となり、その間にノードNCは表示電源線2に電気的に接続される。この間、キャパシタ42(ノードND)は、液晶駆動電圧VLCDに近い値に充電される。PMOSトランジスタ34は、その後オフ状態となり、ノードNCは高インピーダンス状態となり、表示電源線2に逆バイアスされた寄生ダイオード36を介してのみ接続された状態となる。   Therefore, when the power supply stop signal becomes high level, the PMOS transistor 34 is turned on for a predetermined time, during which the node NC is electrically connected to the display power supply line 2. During this time, the capacitor 42 (node ND) is charged to a value close to the liquid crystal drive voltage VLCD. The PMOS transistor 34 is then turned off, the node NC is in a high impedance state, and is connected only to the display power supply line 2 via the parasitic diode 36 that is reverse-biased.

ノードNDの電圧が高レベルとなると、NMOSトランジスタ51はオン状態となり、表示電源線2の液晶駆動電圧VLCDを、グランド電源線4に放電し始める。ノードNDは、元のVLCDレベルに近い値に充電されているので、表示電源線2の電位が落ち始めると、寄生ダイオード36は、順方向にバイアスされるようになり、ノードNDが抵抗41及び寄生ダイオード36を介して放電し始める。ノードNDの電位が表示電源線2の電位よりも、寄生ダイオード36の順方向電圧即ちオン電圧だけ大きくなったときに、ノードNDの放電が始まる。ノードNDの電位と表示電源線2の電位は、この関係を維持しながら、低下する。従って、ノードNDの電圧が、NMOSトランジスタ51の閾値電圧Vthにほぼ等しい値まで下がり、放電が終わったときに、表示電源線2の電圧は、Vth−Von(約0.1乃至0.5V)よりも低い値まで低下する。   When the voltage of the node ND becomes high level, the NMOS transistor 51 is turned on, and the liquid crystal driving voltage VLCD of the display power supply line 2 starts to be discharged to the ground power supply line 4. Since the node ND is charged to a value close to the original VLCD level, when the potential of the display power supply line 2 starts to drop, the parasitic diode 36 becomes forward-biased, and the node ND becomes the resistor 41 and It begins to discharge through the parasitic diode 36. When the potential of the node ND becomes higher than the potential of the display power supply line 2 by the forward voltage of the parasitic diode 36, that is, the ON voltage, the discharge of the node ND starts. The potential of the node ND and the potential of the display power supply line 2 decrease while maintaining this relationship. Therefore, when the voltage of the node ND is lowered to a value substantially equal to the threshold voltage Vth of the NMOS transistor 51 and the discharge is finished, the voltage of the display power supply line 2 is Vth−Von (about 0.1 to 0.5 V). To a lower value.

実施の形態1のパワーダウンショート回路は、表示電源線2を、図1の従来の回路よりも、低い値まで放電させることができ、最終的に放電されたVLCDレベルが放電トランジスタの閾値電圧よりも十分に(少なくともVonだけ)低い値にする。   The power down short circuit of the first embodiment can discharge the display power supply line 2 to a lower value than the conventional circuit of FIG. 1, and the finally discharged VLCD level is higher than the threshold voltage of the discharge transistor. Is sufficiently low (at least by Von).

実施の形態1の変形例として、インバータ20が通常のインバータスイッチングポイント(VLCD/2)を有し、インバータ20のトランジスタ21及び22のトランスコンダクタンスがより高いスイッチングポイントを有するように調整されないようにすることもできる。実施の形態1の他の変形例として、制御部30の回路構成を種々に変更することができる。   As a modification of the first embodiment, the inverter 20 has a normal inverter switching point (VLCD / 2) so that the transconductance of the transistors 21 and 22 of the inverter 20 is not adjusted to have a higher switching point. You can also. As another modification of the first embodiment, the circuit configuration of the control unit 30 can be variously changed.

実施の形態2.
図5に示される実施の形態2のパワーダウンショート回路は、電源変動検出部10Aと、縦続接続された一対のインバータ20A及び61と、ダイオード62と、NMOSトランジスタ51と、表示電圧生成部即ちチャージポンプ70とを有する。チャージポンプ70は、VDD電源電圧(例えば3V)を昇圧して、液晶駆動電圧VLCD(例えば12V)を発生する。液晶駆動電圧VLCDは、表示電源線2に供給される。チャージポンプ70はまた、VDDとVLCDの間の値を有する昇圧された電圧VX2(例えば6V)を発生し、これを中間電源線3に供給する。
実施の形態2では、インバータ61が、電源停止信号が低レベル状態のときに短絡部の制御端子を、グランド電源線に接続し、電源停止信号が高レベル状態のときに短絡部の制御端子を、ダイオード(36、62)を介して表示電源線(2)に接続する制御部として機能する。
Embodiment 2. FIG.
The power-down short circuit according to the second embodiment shown in FIG. 5 includes a power fluctuation detector 10A, a pair of cascaded inverters 20A and 61, a diode 62, an NMOS transistor 51, a display voltage generator, that is, a charge. And a pump 70. The charge pump 70 boosts the VDD power supply voltage (for example, 3V) to generate a liquid crystal drive voltage VLCD (for example, 12V). The liquid crystal driving voltage VLCD is supplied to the display power supply line 2. The charge pump 70 also generates a boosted voltage VX2 (for example, 6V) having a value between VDD and VLCD and supplies it to the intermediate power supply line 3.
In the second embodiment, the inverter 61 connects the control terminal of the short circuit portion to the ground power supply line when the power supply stop signal is in the low level state, and the control terminal of the short circuit portion when the power supply stop signal is in the high level state. , to function as a control unit that connects to a diode (36, 62) via the display power supply line (2).

例えば、チャージポンプ70が3段構成のものであり、VDD入力を順次昇圧して、2×VDD、3×VDD、4×VDD(=VLCD)を生成するものであれば、第1段の出力(2×VDD)を、VX2として利用することができる。   For example, if the charge pump 70 has a three-stage configuration and sequentially boosts the VDD input to generate 2 × VDD, 3 × VDD, 4 × VDD (= VLCD), the output of the first stage (2 × VDD) can be used as VX2.

電源変動検出部10A及びインバータ20Aは、それぞれ図2の電源変動検出部10及びインバータ20Aと同じ構成を有する。但し、電源変動検出部10A及びインバータ20Aは、中間電源線3から電源供給を受け、(液晶駆動電圧VLCDではなく)中間昇圧電圧VX2によって動作する。インバータ20Aの出力を反転するインバータ61もまた、中間昇圧電圧VX2で動作し、NMOSトランジスタ51のゲートを駆動する。NMOSトランジスタ51は、ドレイン及びソースがそれぞれ表示電源線2及びグランド電源線4に接続されており、オン状態になったとき、表示電源線2からの電荷をグランド電源線4に放電させる。   The power fluctuation detection unit 10A and the inverter 20A have the same configurations as the power fluctuation detection unit 10 and the inverter 20A in FIG. 2, respectively. However, the power fluctuation detection unit 10A and the inverter 20A are supplied with power from the intermediate power line 3 and operate with the intermediate boost voltage VX2 (not the liquid crystal drive voltage VLCD). The inverter 61 that inverts the output of the inverter 20A also operates at the intermediate boosted voltage VX2, and drives the gate of the NMOS transistor 51. The NMOS transistor 51 has a drain and a source connected to the display power supply line 2 and the ground power supply line 4, respectively, and discharges the charge from the display power supply line 2 to the ground power supply line 4 when turned on.

ダイオード62は、アノードが中間電源線3に接続され、カソードが表示電源線2に接続される。ダイオード62は、別個の素子として設けることもできるが、本実施の形態では、チャージポンプ70内に寄生素子として存在するものを用いている。例えば、ダイオード62は、中間電圧VX2が出力されるノードと、液晶駆動電圧VLCDが出力されるノードの間に接続されたアナログスイッチ内のPMOSトランジスタのドレイン領域と基板(表示電源線2に接続されている)によって形成された寄生ダイオードであっても良い。   The diode 62 has an anode connected to the intermediate power supply line 3 and a cathode connected to the display power supply line 2. The diode 62 can be provided as a separate element, but in the present embodiment, a diode 62 that exists as a parasitic element in the charge pump 70 is used. For example, the diode 62 is connected to the drain region of the PMOS transistor and the substrate (connected to the display power line 2) between the node from which the intermediate voltage VX2 is output and the node from which the liquid crystal driving voltage VLCD is output. Or a parasitic diode formed by (1).

次に、図5の回路の動作を、図6の信号波形図を参照して説明する。   Next, the operation of the circuit of FIG. 5 will be described with reference to the signal waveform diagram of FIG.

主電源線1の供給電圧VDDが所定のレベルよりも高いときは、NMOSトランジスタ12はオン状態にあり、ノードNAの電圧は低レベルであり、インバータ20Aの出力が高レベルであり、インバータ61の出力は低レベルである。その結果、NMOSトランジスタ51はオフ状態であり、表示電源線2とグランド電源線4の間で電荷の放電が行われず、チャージポンプ70により発生された液晶駆動電圧VLCDは、表示電源線2上で維持され、そこから液晶パネルに供給される。   When the supply voltage VDD of the main power supply line 1 is higher than a predetermined level, the NMOS transistor 12 is in the on state, the voltage at the node NA is low, the output of the inverter 20A is high, and the inverter 61 The output is low. As a result, the NMOS transistor 51 is in an off state, and no charge is discharged between the display power supply line 2 and the ground power supply line 4, and the liquid crystal drive voltage VLCD generated by the charge pump 70 is generated on the display power supply line 2. It is maintained and supplied from there to the liquid crystal panel.

電源が停止し、電源電圧VDDが所定のレベルよりも低くなると、NMOSトランジスタ12はオフ状態となり、ドレイン電圧(ノードNAの電源停止信号)は高レベルとなる。インバータ20Aは、電源停止信号におけるこの変化を検出し、低論理レベル(VSS)を出力する(出力の論理レベルを低レベルにする)。これにより、インバータ61が駆動され、その出力(ノードNE)が高レベル(VX2)となる。   When the power supply is stopped and the power supply voltage VDD becomes lower than a predetermined level, the NMOS transistor 12 is turned off, and the drain voltage (power supply stop signal at the node NA) becomes a high level. The inverter 20A detects this change in the power supply stop signal and outputs a low logic level (VSS) (makes the output logic level low). As a result, the inverter 61 is driven and its output (node NE) becomes high level (VX2).

ノードNEの電圧レベルが高レベルになると、NMOSトランジスタ51はオン状態となり、表示電源線2の液晶駆動電圧VLCDをグランド電源線4へ放電し始める。最初、VLCDがVX2よりも高いので、ダイオード62は逆バイアスされており、中間電源線3は、昇圧された電圧VX2を(変化させることなく)保持する。   When the voltage level of the node NE becomes high, the NMOS transistor 51 is turned on, and the liquid crystal driving voltage VLCD of the display power supply line 2 starts to be discharged to the ground power supply line 4. Initially, since VLCD is higher than VX2, the diode 62 is reverse-biased, and the intermediate power supply line 3 holds the boosted voltage VX2 (without change).

表示電源線2上の電圧レベルが、昇圧された電圧VX2よりも低くなると、ダイオード62が順方向にバイアスされる。中間電源線3は、ダイオード62及びNMOSトランジスタ51を介してグランド電源線4に放電し始め、図6に示すようにVX2及びVLCDがともに低下する。VX2は、VLCDよりも、少なくともダイオード62のオン電圧Vonだけ高い値に維持される。ノードNEの電圧レベル(NMOSトランジスタ51のゲート電圧)は、NMOSトランジスタ51のドレイン電圧よりも高い値に維持され、実施の形態1と同様、液晶駆動電圧VLCDがグランドレベルVSSに近い値に低下するのを可能にする。中間電源線3が十分にゆっくりと放電すれば、NMOSトランジスタ51は、表示電源線2が略完全に放電するまで、オン状態に保たれ、これにより、図6に示すように、VLCDが実際にVSSレベルに達することを可能にする。   When the voltage level on the display power supply line 2 becomes lower than the boosted voltage VX2, the diode 62 is biased in the forward direction. The intermediate power supply line 3 starts to discharge to the ground power supply line 4 through the diode 62 and the NMOS transistor 51, and both VX2 and VLCD are lowered as shown in FIG. VX2 is maintained at a value higher than the VLCD by at least the ON voltage Von of the diode 62. The voltage level of the node NE (the gate voltage of the NMOS transistor 51) is maintained at a value higher than the drain voltage of the NMOS transistor 51, and the liquid crystal drive voltage VLCD drops to a value close to the ground level VSS as in the first embodiment. Make it possible. If the intermediate power supply line 3 is discharged sufficiently slowly, the NMOS transistor 51 is kept on until the display power supply line 2 is almost completely discharged. As a result, as shown in FIG. Allows to reach VSS level.

実施の形態2では、電源変動検出部10A及びインバータ20A、61が(表示電源線2ではなく)中間電源線3から電源供給を受け、放電過程の最後の段階において、中間電源線3が表示電源線2よりも高い電位に維持されるので、実施の形態2でも実施の形態1と同様の効果が得られる。しかも、実施の形態1で用いているより複雑な制御部及び遅延回路の代わりに簡単なインバータ61を設けるだけで良い。   In the second embodiment, the power fluctuation detector 10A and the inverters 20A and 61 are supplied with power from the intermediate power supply line 3 (not the display power supply line 2), and the intermediate power supply line 3 is connected to the display power supply at the final stage of the discharging process. Since the potential is maintained higher than that of the line 2, the same effect as in the first embodiment can be obtained in the second embodiment. In addition, a simple inverter 61 may be provided instead of the more complicated control unit and delay circuit used in the first embodiment.

実施の形態3.
図7に示される実施の形態3のパワーダウンショート回路は、図5の電源変動検出部10Aとは少し異なる電源変動検出部10Bを有する。電源変動検出部10Bは抵抗11とノードNAの間に接続されたPMOSトランジスタ14を有する。PMOSトランジスタ14のゲート(制御端子)は、主電源線1に接続されており、電源電圧VDDによって制御される。電源変動検出部10B内のNMOSトランジスタ12とキャパシタ13は図5におけるものと同じである。インバータ20A、61及びNMOSトランジスタ51も、図5におけるものと同じである。
Embodiment 3 FIG.
The power-down short circuit according to the third embodiment shown in FIG. 7 has a power fluctuation detector 10B that is slightly different from the power fluctuation detector 10A shown in FIG. The power fluctuation detector 10B includes a PMOS transistor 14 connected between the resistor 11 and the node NA. The gate (control terminal) of the PMOS transistor 14 is connected to the main power supply line 1 and is controlled by the power supply voltage VDD. The NMOS transistor 12 and the capacitor 13 in the power supply fluctuation detector 10B are the same as those in FIG. The inverters 20A and 61 and the NMOS transistor 51 are the same as those in FIG.

通常動作中において、電源電圧VDDが例えば3Vであれば、PMOSトランジスタ14はオフ状態か、或いはせいぜいかろうじてオンと言う状態であり、抵抗11を流れる電流は、抵抗11における電圧降下がVX2−VDD−Vthp(VthpはPMOSトランジスタ14の閾値電圧)に略等しくなるようなレベルのきわめて小さなものである。NMOSトランジスタ12は完全にオンであり、ノードNAの電圧がVSSレベルに保たれる。   During normal operation, if the power supply voltage VDD is 3 V, for example, the PMOS transistor 14 is in an off state or at most barely on, and the current flowing through the resistor 11 has a voltage drop across the resistor 11 of VX2-VDD−. It is a very small level that is substantially equal to Vthp (Vthp is the threshold voltage of the PMOS transistor 14). The NMOS transistor 12 is completely on, and the voltage at the node NA is kept at the VSS level.

電源が停止し、電源電圧VDDがグランドレベルに落ちると、NMOSトランジスタ12はオフ状態となり、PMOSトランジスタ14は完全にオンとなり、キャパシタ13(ノードNA)は抵抗11を介してVX2レベルに充電される。それ以降の動作は図5の回路と同じである。   When the power supply is stopped and the power supply voltage VDD falls to the ground level, the NMOS transistor 12 is turned off, the PMOS transistor 14 is completely turned on, and the capacitor 13 (node NA) is charged to the VX2 level via the resistor 11. . The subsequent operation is the same as that of the circuit of FIG.

上記のように、実施の形態2の効果に加え、実施の形態3のパワーダウンショート回路は、通常動作時の電力消費が少ないという利点がある。PMOSトランジスタ14が、その閾値電圧VthpがVX2−VDDよりも大きくなるように形成されれば、通常動作時における抵抗11を流れる電流をゼロにすることができ、通常動作時の電力消費を略ゼロにすることができる。   As described above, in addition to the effects of the second embodiment, the power-down short circuit of the third embodiment has an advantage that power consumption during normal operation is small. If the PMOS transistor 14 is formed so that its threshold voltage Vthp is larger than VX2-VDD, the current flowing through the resistor 11 during normal operation can be made zero, and the power consumption during normal operation is substantially zero. Can be.

実施の形態1の電源変動検出部10にも、図8に示すように同様のPMOSトランジスタ14を付加することにより、電力消費を少なくすることができる。   By adding the same PMOS transistor 14 to the power supply fluctuation detecting unit 10 of the first embodiment as shown in FIG. 8, power consumption can be reduced.

当業者には、本発明の範囲内で、更なる変形を加える得ることが理解できよう。   Those skilled in the art will appreciate that further variations may be made within the scope of the present invention.

LCD駆動電圧を放電するための従来の放電回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the conventional discharge circuit for discharging LCD drive voltage. 本発明の実施の形態1のパワーダウンショート回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the power down short circuit of Embodiment 1 of this invention. PMOSトランジスタの断面図である。It is sectional drawing of a PMOS transistor. 図2の回路の動作を示す信号波形図である。FIG. 3 is a signal waveform diagram showing an operation of the circuit of FIG. 2. 本発明の実施の形態2のパワーダウンショート回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the power down short circuit of Embodiment 2 of this invention. 図5の回路の動作を示す信号波形図である。FIG. 6 is a signal waveform diagram illustrating an operation of the circuit of FIG. 5. 本発明の実施の形態3のパワーダウンショート回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the power down short circuit of Embodiment 3 of this invention. 図2の回路の変形例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a modification of the circuit of FIG. 2.

符号の説明Explanation of symbols

1 主電源線、 2 表示電源線、 3 中間電源線、 4 グランド電源線、 10,10A,10B 電源変動検出部、 11 抵抗、 12,51 NMOSトランジスタ、 14 PMOSトランジスタ、 20,20A,61 インバータ、 30 制御部、 40 遅延部、 50 短絡部、 62 ダイオード、 70 チャージポンプ。   1 main power line, 2 display power line, 3 intermediate power line, 4 ground power line, 10, 10A, 10B power fluctuation detector, 11 resistor, 12, 51 NMOS transistor, 14 PMOS transistor, 20, 20A, 61 inverter, 30 control unit, 40 delay unit, 50 short circuit unit, 62 diode, 70 charge pump.

Claims (8)

主電源電圧を伝える主電源線と、
前記主電源電圧よりも低いグランド電圧を伝えるグランド電源線と、
前記主電源電圧を昇圧して表示電圧を発生し、表示電源線に表示電圧を出力する表示電圧生成部とを有する表示装置のためのパワーダウンショート回路であって、
前記主電源線に接続され、前記主電源電圧が所定のレベルよりも高いときに第1の状態を有し、前記主電源電圧が前記所定のレベルよりも低いときに第2の状態を有する電源停止信号を発生する電源変動検出部と、
制御端子を有し、前記制御端子に印加される電圧に応じて、前記表示電源線をグランド電源線に接続する短絡部と、
前記電源停止信号が前記第1の状態のときに前記短絡部の前記制御端子を、グランド電源線に接続し、前記電源停止信号が前記第2の状態のときに前記短絡部の前記制御端子を、ダイオードを介して前記表示電源線に導通させる制御部とを備え
前記制御部が、
前記電源停止信号が前記第1の状態から前記第2の状態に変化したときにパルスを発生するパルス発生部と、
前記パルス発生部から前記パルスを受ける制御端子と、前記表示電源線及び前記短絡部の前記制御端子に接続された電流端子とを有する第1のトランジスタと、
前記電源停止信号により制御され、前記グランド電源線及び前記短絡部の前記制御端子に接続された電流端子を有する第2のトランジスタとを備え
さらに、
前記制御部と前記短絡部の前記制御端子の間に接続された抵抗と、
前記グランド電源線と、前記短絡部の前記制御端子の間に接続されたキャパシタと
を有することを特徴とする
パワーダウンショート回路。
A main power line for transmitting the main power voltage;
A ground power line for transmitting a ground voltage lower than the main power voltage;
A power down short circuit for a display device having a display voltage generation unit that boosts the main power supply voltage to generate a display voltage and outputs the display voltage to a display power supply line,
A power supply connected to the main power supply line and having a first state when the main power supply voltage is higher than a predetermined level and having a second state when the main power supply voltage is lower than the predetermined level A power fluctuation detector that generates a stop signal;
A short-circuit portion having a control terminal and connecting the display power supply line to a ground power supply line in accordance with a voltage applied to the control terminal;
The control terminal of the short-circuit portion is connected to a ground power line when the power stop signal is in the first state, and the control terminal of the short-circuit portion is connected to the ground power line when the power stop signal is in the second state. A control unit that conducts to the display power supply line through a diode ,
The control unit is
A pulse generator for generating a pulse when the power stop signal changes from the first state to the second state;
A first transistor having a control terminal for receiving the pulse from the pulse generation unit, and a current terminal connected to the display power supply line and the control terminal of the short-circuit unit;
A second transistor controlled by the power supply stop signal and having a current terminal connected to the ground power supply line and the control terminal of the short-circuit portion ;
further,
A resistor connected between the control unit and the control terminal of the short-circuit unit;
A capacitor connected between the ground power line and the control terminal of the short-circuit portion;
A power-down short circuit comprising:
前記短絡部が、前記表示電源線に接続された第1の電流端子と、グランド電源線に接続された第2の電流端子と、前記制御端子を構成するゲートとを有するトランジスタを含むことを特徴とする請求項1に記載のパワーダウンショート回路。   The short-circuit part includes a transistor having a first current terminal connected to the display power supply line, a second current terminal connected to a ground power supply line, and a gate constituting the control terminal. The power down short circuit according to claim 1. 前記ダイオードが寄生ダイオードであることを特徴とする請求項に記載のパワーダウンショート回路。 The power-down short circuit according to claim 1 , wherein the diode is a parasitic diode. 前記制御部の前記第1のトランジスタがドレイン領域及び基板を有し、前記基板が前記表示電源線に接続されており、前記ダイオードが前記ドレイン領域及び前記基板で形成された寄生ダイオードから成ることを特徴とする請求項に記載のパワーダウンショート回路。 Having said first transistor drain region and the substrate of the control unit, the substrate is connected to the display power supply line, the previous SL diodes made from the drain region and the parasitic diode formed by the substrate The power down short circuit according to claim 1 . さらに、前記電源変動検出部と、前記制御部の間に接続されたインバータを有し、
前記インバータが、前記表示電源線及びグランド電源線から電源の供給を受けることを特徴とする請求項に記載のパワーダウンショート回路。
Furthermore, it has an inverter connected between the power fluctuation detection unit and the control unit,
2. The power down short circuit according to claim 1 , wherein the inverter is supplied with power from the display power line and the ground power line.
前記インバータが、前記グランド電圧よりも前記表示電圧により近いスイッチングポイントを有することを特徴とする請求項に記載のパワーダウンショート回路。 The power-down short circuit according to claim 5 , wherein the inverter has a switching point closer to the display voltage than the ground voltage. 前記電源変動検出部が、
ノードと、
前記ノード及び前記表示電源線に接続された抵抗と、
前記主電源線に接続された制御端子を有し、前記ノードと前記グランド電源線の間に接続された第1のトランジスタと、
前記ノードと前記グランド電源線の間に接続されたキャパシタと
を有することを特徴とする請求項に記載のパワーダウンショート回路。
The power fluctuation detection unit
Nodes,
A resistor connected to the node and the display power line;
A first transistor having a control terminal connected to the main power supply line and connected between the node and the ground power supply line;
The power-down short circuit according to claim 1 , further comprising a capacitor connected between the node and the ground power supply line.
前記電源変動検出部が、前記主電源線に接続された制御端子を有し、前記抵抗と前記ノードの間に接続された第2のトランジスタをさらに有し、
前記第2のトランジスタ及び前記第1のトランジスタが互いに
相補的な導電型を有することを特徴とする請求項に記載のパワーダウンショート回路。
The power fluctuation detector has a control terminal connected to the main power line, and further includes a second transistor connected between the resistor and the node;
8. The power-down short circuit according to claim 7 , wherein the second transistor and the first transistor have conductivity types complementary to each other.
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