JP4942971B2 - 発光装置の駆動方法 - Google Patents

Description

本発明は発光素子を有する表示装置（発光装置）において、正確な階調表示を行うための構成、及びその駆動方法に関する。

従来の発光装置には、図９に示すように、信号線８１４から入力されるビデオ信号によりオン又はオフが制御されるスイッチング素子８１０、発光素子８１３を駆動するためのトランジスタ８１１、トランジスタ８１１のゲート・ソース間電圧を保持するため、電源線８１５とトランジスタ８１１のゲート電極との間に設けられた容量素子８１２を有する画素構成が提案されている（特許文献１参照）。
特開２００１−３４３９３３号公報

特許文献１に記載の発光素子の等価回路を図９に示す。図９に示すように、発光素子はダイオード８１６と容量（Ｃ_EL）との並列回路で表すことができる。

ここで、発光素子８１３に供給される電流の電流値が変動したときの動作を説明する。まず、発光素子８１３に定常的に電流値Ｉ₀の電流が流れていたとする。次に、発光素子８１３に流れる電流の電流値がＩ₀からＩ₁に増加したとき、その直後ダイオード８１６に流れる電流の電流値はＩ₁とならない。これは、電流値の増加分が、ダイオード８１６に流れる電流の電流値の増加分と、容量（Ｃ_EL）に流れ込む電流の電流値との合計になるからである。そのため容量（Ｃ_EL）への充電が全て完了したときに、ダイオード８１６に流れる電流の電流値がＩ₁に等しくなる。

また、発光素子８１３に定常的に電流値Ｉ₀の電流が流れており、電流値がＩ₀からＩ₂に減少したときを考えると、このとき、ダイオード８１６に流れる電流の電流値と容量（Ｃ_EL）から放電される電流の電流値との合計がＩ₂となり、容量（Ｃ_EL）からの放電が終了したときにダイオード８１６に流れる電流の電流値がＩ₂に等しくなる。このような場合、ダイオード８１６に流れる定常的な電流の電流値が変化するまでの時間は、発光素子８１３のアノード電極と、カソード電極と間の電位の変動が終了するまでの時間と等しく、そして容量（Ｃ_EL）の大きさが大きいほど時間を要し、また、電流値の変動が大きいほど時間を要する。

また図９に示す画素回路では、発光素子８１３の両電極間の容量（Ｃ_EL）に加えて、駆動用トランジスタ８１１のゲート電極とドレイン電極との間のオーバーラップ容量（Ｃ_gd）、さらにレイアウトによってゲート電極とアノード電極の重なり等に起因する寄生容量（Ｃｐ）が存在する。

このとき、スイッチング素子８１０がオンとなり、トランジスタ８１１のゲートに入力される階調信号に応じた電流が発光素子８１３に供給され、アノード電位が変動する。しかし、発光素子８１３の容量（Ｃ_EL）が大きく、発光素子８１３に供給される電流の電流値の変動が大きいときには、容量（Ｃ_EL）への充放電が終了しアノード電極の電位の変動が終了するまでに長い時間を要してしまう。そのため、スイッチング素子８１０がオンとなっている間にアノード電極の電位の変動が終了しない場合がある。

そして、図９においてスイッチング素子８１０がオフとなった後で、発光素子８１３のアノード電極の電位が変動（変動値△Ｖ_A）したとすると、寄生容量（Ｃｐ）、オーバーラ
ップ容量（Ｃ_gd）、及び保持容量（Ｃ_S）８１２による容量結合により、トランジスタ８１１のゲート電極の電位は変動する。この、変動値△Ｖ_Bは
△Ｖ_B＝（Ｃ_p＋Ｃ_gd）／（Ｃ_p＋Ｃ_gd＋Ｃ_s）×△Ｖ_A と表される。

上記のように、階調信号が各画素へ入力された後に、トランジスタ８１１のゲート電極の電位が変動してしまった場合には、発光素子８１３に供給する電流の電流値が変動してしまい、正しい階調表示を得ることができないという問題がある。特に、黒表示を行うときに、発光素子に電流が流れてしまうことがあり、きれいな黒表示を行うことが難しくなってしまう。

そこで本発明は、正確な階調表示をおこなうことができる発光装置、及びその駆動方法を提供することを課題とする。

上記課題を鑑み、本発明は、表示のための信号を所定のタイミング期間内で、複数回書き込む、又は書き込み動作期間を長くすることを特徴とする。その結果、発光素子の陽極の電位が安定した後にゲート電圧が決定するため、正確な階調表示を行うことができる。

具体的な本発明の形態は、１フレーム期間を複数のサブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ２、・・・ＳＦｎ（ｎは自然数）に分割し、サブフレーム期間ＳＦｎは、それぞれ書き込み動作期間Ｔａを有し、少なくとも１つのサブフレーム期間において、消去信号を入力する期間Ｔｅを複数回設けたタイミングチャートを有することを特徴とする発光装置であり、当該タイミングチャートを適用した発光装置の駆動方法である。

本発明の別形態は、１フレーム期間を複数のサブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ２、・・・ＳＦｎ（ｎは自然数）に分割し、サブフレーム期間ＳＦｎは、それぞれ書き込み動作期間Ｔａを有し、少なくとも１つのサブフレーム期間において、書き込み動作期間Ｔａを複数回設けたタイミングチャートを有することを特徴とする発光装置であり、当該タイミングチャートを適用した発光装置の駆動方法である。

本発明の別形態は、１フレーム期間に、デジタル信号からなる映像信号及び消去信号を入力して階調表示を行う発光装置の駆動方法であって、消去信号を入力する期間は、映像信号を入力する期間より長く設けたタイミングチャートを有することを特徴とする発光装置で有り、当該タイミングチャートを適用した発光装置の駆動方法である。

具体的な駆動方法の一形態は、１フレーム期間をｎ個（ｎは自然数）に分割されたサブフレーム期間において、ｎ個のサブフレーム期間のうち期間では、画素部に映像信号を入力した後、複数回の消去信号を入力する方法である。

別形態の駆動方法は、１フレーム期間をｎ個（ｎは自然数）に分割されたサブフレーム期間において、ｎ個のサブフレーム期間のうち期間では、画素部に映像信号を入力した後、映像信号を入力する期間より長い期間をかけて消去信号を入力する方法である。

本発明のタイミングチャートは、発光装置の記憶素子に書き込まれている。

このような発光装置の画素構成は、信号線にソース電極又はドレイン電極が接続され、走査線にゲート電極が接続されたスイッチング用トランジスタと、スイッチング用トランジスタに、ゲート電極が接続された駆動用トランジスタと、駆動用トランジスタのソース電極又はドレイン電極に接続された発光素子とを有する。

また画素構成は、加えて、駆動用トランジスタのゲートとソース間の電圧（以下、ゲート・ソース間電圧と記す）に相当する電荷を放電するための消去用トランジスタを有してもよい。

また画素構成は、さらに加えて、駆動用トランジスタに直列に接続され、ゲート電位が固定されたトランジスタを有してもよい。

本発明の駆動方法により、正確な階調表示を行うことができる発光装置を提供することができる。

以下に、本発明の実施の形態と実施例を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態と実施例を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、所定の信号を複数回書き込む場合の駆動方法について説明する。

図１（Ａ）には、デジタル階調表示（デジタル階調方式）において、消去信号を２回入力する場合の動作を示す。まず、所定のタイミングで、表示のために書き込むデジタル信号（映像信号）が入力され、所定時間経過後、１回目の消去信号が入力される。このとき、容量（Ｃ_EL）や寄生容量（Ｃｐ）が存在すると、１回目の消去信号だけでは、駆動用トランジスタのゲート電極の電位（ゲート電位）が、相対的にゼロとならないため、オフ動作ができなくなる。このままでは、正確な階調表示を行うことが難しく、階調ずれが生じてしまう。そこで、本発明では、所定時間経過後、再び消去信号を入力、つまり２回目の消去信号を入力する。すると、再度ゲート電位を相対的にゼロとすることができ、オフ動作を行うことができる。その結果、階調ずれが低減され、正確な階調表示を行うことができる。

なお図１（Ａ）では、消去信号を２回入力する場合を示したが、３回以上入力しても構わない。また消去信号ではなく、同じ映像信号を２回、又はそれ以上入力してもよい。

図１（Ｂ）には、アナログ階調表示（アナログ階調方式）において、表示のために書き込むアナログ信号（階調信号）を２回書き込む場合における、駆動用トランジスタのゲート電位、発光素子へ流れる電流を示す。また点線は、従来通り階調信号を１回書き込む場合の状態を示す。

まず、１回目の階調信号（ＳＷ）を入力する。すると、駆動用トランジスタのゲート電位は、所定値となる。このとき、容量（Ｃ_EL）が存在すると、ゲート電位が徐々に低下してしまう。その結果と、寄生容量（Ｃｐ）の影響により、発光素子に流れる電流が所定値に維持されず、徐々に上昇してしまう。このままでは、点線で示すように、発光素子に流れる電流が高いままとなり、階調ずれが生じてしまう。そこで、本発明では、所定時間経過後、再び階調信号を入力、つまり２回目の階調信号を入力する。すると、駆動用トランジスタのゲート電位は、所定値に戻り、発光素子に流れる電流も所定値となる。

なお２回目の階調信号を入力するときには、発光素子の陽極の電位は、ある程度安定しているため、その後のゲート電位の変動は少なく、発光素子へ流れる電流の上昇も少ない。

図１（Ｂ）では、階調信号を２回入力する場合を説明したが、これに限定されず、階調信号を２回以上入力してもよい。

以上のように、消去信号や階調信号等の所定の信号を複数回入力する駆動方法により、正確な階調表示を行う発光装置を提供することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、デジタル階調表示において、映像信号を入力する期間及び、複数回の消去信号を入力する期間を有する場合のタイミングチャートを説明する。

１フレーム期間をｎ個のサブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ２、・・・ＳＦｎ（ｎは自然数）に分割することができるが、図２（Ａ）には、１フレーム期間を３つのサブフレーム期間（ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３）に分割し、６階調を表示する場合のタイミングチャートであって、サブフレーム期間ＳＦ３で消去信号を２回入力する例を示す。なお図２（Ｂ）は、ｉ行目の走査線に着目したときのタイミングチャートを示す。

各サブフレーム期間（ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３）はそれぞれ、映像信号が入力される、書き込み動作期間（Ｔａ１、Ｔａ２、Ｔａ３）（書き込み信号入力期間ともいう）を有し、さらに書き込まれた映像信号に基づく発光が行われる発光期間（Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｓ３）を有する。各発光期間の長さは、Ｔｓ１：Ｔｓ２：Ｔｓ３＝２²：２¹：２⁰を満たすように設定される。

もっとも短いサブフレーム期間ＳＦ３には、２回の消去信号を入力する期間Ｔｅ３（１）、Ｔｅ３（２）が設けられている。２回の消去信号を入力する期間Ｔｅ３（１）、Ｔｅ３（２）を設けることにより、容量（Ｃ_EL）の存在があっても、駆動用トランジスタのゲート電位を正確に決めることができる。その結果、きれいな階調表示を行うことができる。

このようなタイミングチャートは、発光装置に設けられた記憶素子であるＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＰＲＯＭ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリ等に記録されている。

なおサブフレーム期間ＳＦ３で消去信号を入力すると、次のフレームのサブフレーム期間ＳＦ１の書き込み信号をすぐに入力することができ、デューティー比を高めることができる。

駆動用トランジスタのゲート・ソース間電圧に相当する電荷を放電するための消去用トランジスタを有する画素回路を用いることで、本実施の形態の駆動方法を実現できる。例えば、以下に示す図５（Ｂ）の画素回路を用いることができる。

なお本実施の形態では、サブフレーム期間ＳＦ３に、２回の消去信号を入力する期間を設ける場合を説明したが、これに限定されない。例えば、３回以上の消去信号を入力する期間を設けてもよいし、サブフレーム期間ＳＦ３以外に設けてもよい。また同じ書き込み信号を複数回入力するために書き込み動作期間を複数設けてもよい。すなわち本発明は、容量（Ｃ_EL）の存在によって正確な階調表示を行うことが難しいとき、それを解消するために所定の信号を複数回入力するために、入力期間を複数設けることを特徴とする。

（実施の形態３）
本実施の形態では、デジタル階調表示において、書き込み動作期間（書き込み信号入力期間ともいう）を複数回設ける場合のタイミングチャートを説明する。

１フレーム期間を複数のサブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ２、・・・ＳＦｎ（ｎは自然数）に分割することができるが、図３（Ａ）には、１フレーム期間を３つのサブフレーム期間（ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３）に分割し、６階調を表示する場合のタイミングチャートであって、加えて逆方向電圧を印加する期間を有する例を示す。なお図３（Ｂ）は、ｉ行目の走査線に着目したときのタイミングチャートを示す。

各サブフレーム期間（ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３）はそれぞれ、書き込み動作期間（Ｔａ１（Ｗ）、Ｔａ２（Ｗ）、Ｔａ３（Ｗ））を有し、さらに書き込まれた信号に基づく発光が行われる発光期間（Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｓ３）を有する。各発光期間の長さは、Ｔｓ１：Ｔｓ２：Ｔｓ３＝２²：２¹：２⁰を満たすように設定される。加えて最も短いサブフレーム期間ＳＦ３は、消去信号入力期間（Ｔａ３（Ｅ））が設けられる。消去信号入力期間では、書き込まれた信号が消去される。

例えば、もっとも長いサブフレーム期間ＳＦ１に書き込み動作期間Ｔａ１を２回設ける（それぞれＴａ１（１）、Ｔａ１（２）と表記する）。Ｔａ１（１）、Ｔａ１（２）はそれぞれ、映像信号を入力する期間Ｔａ１（Ｗ）（１）、Ｔａ１（Ｗ）（２）、が設けられている。１回目の書き込み動作期間Ｔａ１（１）では、映像信号を書き込み（Ｔａ１（Ｗ）（１）に相当）、２回目の書き込み動作期間Ｔａ１（２）でも映像信号を書き込む（Ｔａ１（Ｗ）（２）に相当）ことができる。このようにして、映像信号を複数回にわたって書き込むことができる。その結果、容量（Ｃ_EL）の存在があっても、駆動用トランジスタのゲート電位を正確に制御することができる。

このようなタイミングチャートは、発光装置に設けられた記憶素子であるＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＰＲＯＭ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリ等に記録されている。

駆動用トランジスタのゲート・ソース間電圧に相当する電荷を放電するための消去用トランジスタがなくとも、本実施の形態の駆動方法を実現することができる。消去用トランジスタが不要なので、画素部の開口率を向上できる。例えば、以下に示す図５（Ａ）の画素回路を画素部に用いることができる。但し書き込み動作期間Ｔａ（Ｗ）と、消去信号を入力する期間Ｔａ（Ｅ）とを設けるための駆動回路が必要となる。

逆方向電圧を印加する期間（FRB）は、逆方向電圧を発光素子へ印加する（RB）。また、逆方向電圧印加期間の前には、消去信号入力期間（Ｔａ（Ｅ））が設けられている。消去信号入力期間は、消去信号入力期間直前のサブフレーム期間、本実施の形態ではSF3で書き込まれたデータを、順に消去する動作が行われる。なぜなら、逆方向電圧は発光素子へ一斉に印加するため、データが残っていると、逆方向電圧を印加するときに発光する素子がある恐れがあるからである。このような逆方向電圧を発光素子へ印加することにより、発光素子の不良状態を改善し、信頼性を向上させることができる。特に発光素子は、異物の付着や、陽極又は陰極にある微細な突起によるピンホール、電界発光層の不均一性を起因として、陽極と陰極がショートする初期不良が生じることがある。このような初期不良が発生すると、信号に応じた発光及び非発光が行われず、電流のほとんどがショートした部分に流れてしまう。その結果、画像の表示が良好に行われないという問題が発生する。また、この不良は任意の画素に生じる恐れがある。

そこで本実施の形態のように、発光素子に逆方向電圧を印加すると、ショートした部分に局所的な電流が流れ、該ショートした部分が発熱し、酸化又は炭化させることができる。その結果、ショートした部分を絶縁化させることができ、その部分以外の領域に電流が流れ、発光素子として、正常に動作させることが可能となる。このように逆方向電圧を印加することにより、初期不良が生じても、その不良を解消することができる。なお、このような短絡部の絶縁化は、出荷前に行うとよい。

また、初期不良だけでなく、時間の経過に伴い、新たに陽極と陰極のショートが発生することがある。このような不良は、進行性不良とも呼ばれる。そこで本実施の形態のように、定期的に発光素子に逆方向電圧を印加することにより、進行性不良が生じても、その不良を解消することができ、正常に動作させることが可能となる。

また加えて、逆方向電圧を印加することによって、画像の焼き付きを防止することができる。画像の焼き付きとは、発光素子の劣化状態により生じるが、逆方向電圧を印加することにより、劣化状態を低減することができる。その結果、画像の焼き付きが防止できる。

この発光素子の劣化は、初期に大きく進むが、時間と共に劣化の進行度合いが小さくなってくる。すなわち、一旦劣化した発光素子は、さらなる経時劣化が生じにくくなってしまう。その結果、初期段階の劣化と、経時劣化が生じているものとが混在し、発光素子の劣化状態にバラツキが生じる。そのため、出荷前、又は画像を表示しないとき等に、すべての発光素子を発光させ、初期劣化が生じていない発光素子に劣化を生じさせることによって、劣化状態を平均化することができる。このような、全発光素子を発光させる構成を、発光装置にさらに設けてもよい。

なお逆方向電圧を印加する期間は、図３に限定されない。例えば、１フレーム期間の最初に設けてもよい。また、逆方向電圧を印加する期間は、必ずしも１フレーム期間毎に設ける必要はない。

以上のような逆方向電圧を印加する期間は、図２のタイミングチャートを用いる場合にも、設けることができる。

なお本実施の形態では、サブフレーム期間ＳＦ1に、２回の書き込み動作期間を設ける場合を説明したが、これに限定されない。例えば、２回以上の書き込み動作期間を設けてもよい。またその他のサブフレーム期間に、複数の書き込み動作期間を設けてもよい。すなわち本発明は、容量（Ｃ_EL）の存在によって正確な階調表示が行うことが難しいとき、それを解消するために、所定の信号を入力する期間を複数設けることを特徴とする。

図１３（Ａ）（Ｂ）には、消去信号を入力する期間Ｔａ（Ｅ）を複数、例えば２つ設ける場合のタイミングチャートを説明する。図１３（Ａ）には、１フレーム期間を３つのサブフレーム期間（ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３）に分割し、６階調を表示する場合のタイミングチャートであって、加えて逆方向電圧を印加する期間を有する例を示す。なお図１３（Ｂ）は、ｉ行目の走査線に着目したときのタイミングチャートを示す。

各サブフレーム期間（ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３）はそれぞれ、書き込み動作期間（Ｔａ１（Ｗ）、Ｔａ２（Ｗ）、Ｔａ３（Ｗ））を有し、さらに書き込まれた信号に基づく発光が行われる発光期間（Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｓ３）を有する。各発光期間の長さは、Ｔｓ１：Ｔｓ２：Ｔｓ３＝２²：２¹：２⁰を満たすように設定される。

もっとも短いサブフレーム期間ＳＦ３の書き込み動作期間Ｔａ３（Ｗ）では映像信号が入力され、２回の消去信号を入力する期間Ｔａ３（Ｅ）（２）、Ｔａ３（Ｅ）（３）では消去信号が入力される。その結果、容量（Ｃ_EL）の存在があっても、駆動用トランジスタのゲート電位を正確に制御することができる。

このようなタイミングチャートは、発光装置に設けられた記憶素子であるＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＰＲＯＭ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリ等に記録されている。

また図１３（Ａ）（Ｂ）では、図３（Ａ）（Ｂ）と同様に逆方向電圧を発光素子に印加する期間を設けているため、上述したように素子の劣化状態を低減することができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、所定の信号を入力する時間を長くする場合の駆動方法について説明する。

図４（Ａ）には、デジタル階調表示において、映像信号を入力する期間より、消去信号を入力する期間を長くする場合の動作を示す。消去信号を入力する期間を長くすることにより、映像信号入力後のゲート電位の変動を抑制し、また消去後の発光素子の微発光を低減することができる。その結果、正確な黒表示を行うことができる。勿論、映像信号を入力する期間を、消去信号を入力する期間より長くし、正確な映像を提供することもできうる。

図４（Ｂ）には、アナログ階調表示において、階調信号を入力する期間を長くする場合を示す。特に、低階調表示では発光素子へ流れる電流が小さいため、容量（Ｃ_EL）の存在が顕著となる。そのため、高階調表示より、低階調表示において、階調信号を入力する期間を長くするとよい。

なお階調信号を入力する期間は、フレーム周波数、画素数、同時に信号を書き込む列の数（以下、書き込み並列数と表記する）によって決定する。フレーム周波数と画素数は、表示性能に関係する部分であり、数値が大きいほど、階調信号を入力する期間は短くなる。

書き込み並列数は、ハードウェア構成に関係する部分であり、並列数が少ないほど、階調信号を入力する期間は短くなる。また線順次書き込み方式では、書き込み並列数は横画素数と等しい。

以上のように、高画質化による画素数の増加に伴い、階調信号を入力する期間は短くなる。

一方、発光素子の高効率化によって、該素子に流れる電流は小さくなるため、階調信号を入力する期間を長くすることが望まれる。

そこで、特に低階調表示において、階調信号を入力する期間を長くする。これは、フレーム周波数を低くすることにより達成できる。その結果、階調ずれが低下し、正確な階調表示を行うことができる。

以上のように、所定の信号を入力する時間を長くする駆動方法により、正確な階調表示を行う発光装置を提供することができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、デジタル階調表示において、所定の信号を入力する時間を長くする場合のタイミングチャートについて説明する。

所定の信号を入力する時間を長くする場合も、図２に示したように、１つのフレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割されたタイミングチャートや、図３に示したように、逆方向印加電圧を印加する場合のタイミングチャート等を用いることができる。

例えば、図１１に示したタイミングチャートのように、サブフレーム期間ＳＦ３の消去信号を入力する期間Ｔｅ３（１）を１回とし、その期間を長くすればよい。また例えば、図１２に示したタイミングチャートのように、サブフレーム期間ＳＦ３での、書き込み動作期間Ｔａ３と、消去信号を入力する期間Ｔａ３（Ｅ）を長くすればよい。

このようなタイミングチャートは、発光装置に設けられた記憶素子であるＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＰＲＯＭ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリ等に記録されている。

なお本実施の形態のタイミングチャートのその他の構成は、図２、図３と同様とすることができるため、説明を省略する。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の発光装置が有する画素の等価回路図について、図５を用いて説明する。

図５（Ａ）は、画素の等価回路図の一例を示したものであり、信号線６１１４、電源線６１１５、走査線６１１６、発光素子６１１３、スイッチング用トランジスタ６１１０、該発光素子を制御する駆動用トランジスタ６１１１、容量素子６１１２を有する。信号線６１１４には信号線駆動回路によってビデオ信号が入力され、該ビデオ信号により、スイッチング用トランジスタ６１１０のオン又はオフが制御される。スイッチング用トランジスタ６１１０は、走査線６１１６に入力される選択信号に従って、駆動用トランジスタ６１１１のゲートへの、該ビデオ信号の電位の供給を制御することができる。駆動用トランジスタ６１１１は、該ビデオ信号の電位に従って、発光素子６１１３への電流の供給を制御することができる。容量素子６１１２は、駆動用トランジスタ６１１１のゲート・ソース間の電圧を保持することができる。なお、図５（Ａ）では、容量素子６１１２を図示したが、トランジスタ６１１１のゲート容量や他の寄生容量で賄うことが可能な場合には、設けなくてもよい。

図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示した画素に、消去用トランジスタ６１１８と走査線６１１９を新たに設けた画素の等価回路図である。消去用トランジスタ６１１８により、駆動用トランジスタ６１１１のゲートとソースを同電位とし、強制的に発光素子６１１３に電流が流れない状態を作ることができるため、全ての画素にビデオ信号が入力される期間よりも、サブフレーム期間の長さを短くすることができる。その結果、デューティー比を高めることができる。

図５（Ｃ）は、図５（Ｂ）に示した画素に、新たにトランジスタ６１２５と、配線６１２６を設けた画素の等価回路図である。トランジスタ６１２５は、そのゲートの電位が、配線６１２６によって固定されている。そして、駆動用トランジスタ６１１１とトランジスタ６１２５は、電源線６１１５と発光素子６１１３との間に直列に接続されている。よって図５（Ｃ）では、トランジスタ６１２５により発光素子６１１３に供給される電流の値が制御され、駆動用トランジスタ６１１１により発光素子６１１３への該電流の供給の有無が制御できる。

なお、本発明の発光装置が有する画素回路は、本実施の形態で示した構成に限定されない。また本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、駆動用トランジスタがｐ型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の場合における、画素の断面構造について、図６を用いて説明する。なお本発明では、発光素子が有する陽極と陰極の２つの電極のうち、トランジスタによって電位を制御することができる一方の電極を第１の電極、他方の電極を第２の電極とする。そして図６では、第１の電極が陽極、第２の電極が陰極の場合について説明するが、第１の電極が陰極、第２の電極が陽極であってもよい。

図６（Ａ）に、ＴＦＴ６００１がｐ型で、発光素子６００３から発せられる光を第１の電極６００４側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図６（Ａ）では、発光素子６００３の第１の電極６００４と、ＴＦＴ６００１が電気的に接続されている。

ＴＦＴ６００１は層間絶縁膜６００７で覆われており、層間絶縁膜６００７上には開口部を有する隔壁６００８が形成されている。隔壁６００８の開口部において第１の電極６００４が一部露出しており、該開口部において第１の電極６００４、電界発光層６００５、第２の電極６００６が順に積層されている。

層間絶縁膜６００７は、有機樹脂膜、無機絶縁膜又はシロキサン系材料を出発材料として形成された、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む、絶縁膜（以下、シロキサン系絶縁膜と呼ぶ）を用いて形成することができる。なお、シロキサンとは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また層間絶縁膜６００７に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）と呼ばれる材料を用いていてもよい。

隔壁６００８は、有機樹脂膜、無機絶縁膜又はシロキサン系絶縁膜を用いて形成することができる。有機樹脂膜ならば、例えばアクリル、ポリイミド、ポリアミドなど、無機絶縁膜ならば酸化珪素、窒化酸化珪素などを用いることができる。特に感光性の有機樹脂膜を隔壁６００８に用い、第１の電極６００４上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することで、第１の電極６００４と第２の電極６００６とが接続してしまうのを防ぐことができる。

第１の電極６００４は、光を透過する材料又は光を透過する程度の膜厚で形成し、なおかつ陽極として用いるのに適する材料で形成する。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などの透光性酸化物導電材料を第１の電極６００４に用いることが可能である。また酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（以下、ＩＴＳＯと記す）や、酸化珪素を含んだ酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したものを第１の電極６００４に用いてもよい。また上記透光性酸化物導電材料の他に、例えばＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ等の１つ又は複数からなる単層膜の他、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との三層構造等を第１の電極６００４に用いることもできる。ただし透光性酸化物導電材料以外の材料を用いる場合、光が透過する程度の膜厚（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）で第１の電極６００４を形成する。

また第２の電極６００６は、光を反射もしくは遮蔽する材料又は光を反射もしくは遮蔽する程度の膜厚で形成し、なおかつ仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などで形成することができる。具体的には、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、及びＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、及びこれらの化合物（ＣａＦ₂などのフッ化カルシウム、Ｃａ₃Ｎ₂などの窒化カルシウム）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いることができる。また電子注入層を設ける場合、Ａｌなどの導電層を用いることも可能である。

電界発光層６００５は、単数又は複数の層で構成されている。複数の層で構成されている場合、これらの層は、キャリア輸送特性の観点から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などに分類することができる。電界発光層６００５が発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれかを有している場合、第１の電極６００４から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に積層する。なお各層の境目は必ずしも明確である必要はなく、互いの層を構成している材料が一部混合し、界面が不明瞭になっている場合もある。各層には、有機系の材料、無機系の材料を用いることが可能である。有機系の材料として、高分子系、中分子系、低分子系のいずれの材料も用いることが可能である。なお中分子系の材料とは、構造単位の繰返しの数（重合度）が２から２０程度の低重合体に相当する。正孔注入層と正孔輸送層との区別は必ずしも厳密なものではなく、これらは正孔輸送性（正孔移動度）が特に重要な特性である意味において同じである。便宜上正孔注入層は陽極に接する側の層であり、正孔注入層に接する層を正孔輸送層と呼んで区別する。電子輸送層、電子注入層についても同様であり、陰極に接する層を電子注入層と呼び、電子注入層に接する層を電子輸送層と呼んでいる。発光層は電子輸送層を兼ねる場合もあり、発光性電子輸送層とも呼ばれる。

図６（Ａ）に示した画素の場合、発光素子６００３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように、第１の電極６００４側から取り出すことができる。

次に図６（Ｂ）に、ＴＦＴ６０１１がｐ型で、発光素子６０１３から発せられる光を第２の電極６０１６側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図６（Ｂ）では、発光素子６０１３の第１の電極６０１４と、ＴＦＴ６０１１が電気的に接続されている。また第１の電極６０１４上に電界発光層６０１５、第２の電極６０１６が順に積層されている。

第１の電極６０１４は、光を反射もしくは遮蔽する材料又は膜厚で形成し、なおかつ陽極として用いるのに適する材料で形成する。例えば、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ等の１つ又は複数からなる単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との三層構造等を第１の電極６０１４に用いることができる。

また第２の電極６０１６は、光を透過する材料又は光を透過する程度の膜厚で形成し、なおかつ仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などで形成することができる。具体的には、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、及びＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、及びこれらの化合物（ＣａＦ₂などのフッ化カルシウム、Ｃａ₃Ｎ₂などの窒化カルシウム）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いることができる。また電子注入層を設ける場合、Ａｌなどの導電層を用いることも可能である。そして第２の電極６０１６を、光が透過する程度の膜厚（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）で形成する。なお、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などの透光性酸化物導電材料を用いることも可能である。また酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（ＩＴＳＯ）や、酸化珪素を含んだ酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したものを用いてもよい。透光性酸化物導電材料を用いる場合、電界発光層６０１５に電子注入層を設けるのが望ましい。

電界発光層６０１５は、図６（Ａ）の電界発光層６００５と同様に形成することができる。

図６（Ｂ）に示した画素の場合、発光素子６０１３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第２の電極６０１６側から取り出すことができる。

次に図６（Ｃ）に、ＴＦＴ６０２１がｐ型で、発光素子６０２３から発せられる光を第１の電極６０２４側及び第２の電極６０２６側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図６（Ｃ）では、発光素子６０２３の第１の電極６０２４と、ＴＦＴ６０２１が電気的に接続されている。また第１の電極６０２４上に電界発光層６０２５、第２の電極６０２６が順に積層されている。

第１の電極６０２４は、図６（Ａ）の第１の電極６００４と同様に形成することができる。また第２の電極６０２６は、図６（Ｂ）の第２の電極６０１６と同様に形成することができる。電界発光層６０２５は、図６（Ａ）の電界発光層６００５と同様に形成することができる。

図６（Ｃ）に示した画素の場合、発光素子６０２３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第１の電極６０２４側及び第２の電極６０２６側から取り出すことができる。

本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態８）
本実施の形態では、発光素子への電流の供給を制御するトランジスタがｎ型ＴＦＴの場合における、画素の断面構造について、図７を用いて説明する。なお図７では、第１の電極が陰極、第２の電極が陽極の場合について説明するが、第１の電極が陽極、第２の電極が陰極であってもよい。

図７（Ａ）に、ＴＦＴ６０３１がｎ型で、発光素子６０３３から発せられる光を第１の電極６０３４側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図７（Ａ）では、発光素子６０３３の第１の電極６０３４と、ＴＦＴ６０３１が電気的に接続されている。また第１の電極６０３４上に電界発光層６０３５、第２の電極６０３６が順に積層されている。

第１の電極６０３４は、光を透過する材料又は光を透過する程度の膜厚で形成し、なおかつ仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などで形成することができる。具体的には、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、及びＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、及びこれらの化合物（ＣａＦ₂などのフッ化カルシウム、Ｃａ₃Ｎ₂などの窒化カルシウム）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いることができる。また電子注入層を設ける場合、Ａｌなどの導電層を用いることも可能である。そして第１の電極６０３４を、光が透過する程度の膜厚（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）で形成する。さらに、光が透過する程度の膜厚を有する上記導電層の上又は下に接するように、透光性酸化物導電材料を用いて透光性を有する導電層を形成し、第１の電極６０３４のシート抵抗を抑えるようにしてもよい。なお、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などの透光性酸化物導電材料を用いた導電層だけを第一の電極６０３４に用いることも可能である。また酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（ＩＴＳＯ）や、酸化珪素を含んだ酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したものを用いてもよい。透光性酸化物導電材料を用いる場合、電界発光層６０３５に電子注入層を設けるのが望ましい。

また第２の電極６０３６は、光を反射もしくは遮蔽する材料又は光を反射もしくは遮蔽する程度の膜厚で形成し、なおかつ陽極として用いるのに適する材料で形成する。例えば、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ等の１つ又は複数からなる単層膜の他、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との三層構造等を第２の電極６０３６に用いることができる。

電界発光層６０３５は、図６（Ａ）の電界発光層６００５と同様に形成することができる。ただし、電界発光層６０３５が発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれかを有している場合、第１の電極６０３４から、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層の順に積層する。

図７（Ａ）に示した画素の場合、発光素子６０３３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第１の電極６０３４側から取り出すことができる。

次に図７（Ｂ）に、ＴＦＴ６０４１がｎ型で、発光素子６０４３から発せられる光を第２の電極６０４６側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図７（Ｂ）では、発光素子６０４３の第１の電極６０４４と、ＴＦＴ６０４１が電気的に接続されている。また第１の電極６０４４上に電界発光層６０４５、第２の電極６０４６が順に積層されている。

第１の電極６０４４は、光を反射もしくは遮蔽する材料又は光を反射もしくは遮蔽する程度の膜厚で形成し、なおかつ仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などで形成することができる。具体的には、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、及びＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、及びこれらの化合物（ＣａＦ₂などのフッ化カルシウム、Ｃａ₃Ｎ₂などの窒化カルシウム）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いることができる。また電子注入層を設ける場合、Ａｌなどの導電層を用いることも可能である。

また第２の電極６０４６は、光を透過する材料又は膜厚で形成し、なおかつ陽極として用いるのに適する材料で形成する。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などの透光性酸化物導電材料を第２の電極６０４６に用いることが可能である。また酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（ＩＴＳＯ）や、酸化珪素を含んだ酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したものを第２の電極６０４６に用いてもよい。また上記透光性酸化物導電材料の他に、例えばＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ等の１つ又は複数からなる単層膜の他、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との三層構造等を第２の電極６０４６に用いることもできる。ただし透光性酸化物導電材料以外の材料を用いる場合、光が透過する程度の膜厚（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）で第２の電極６０４６を形成する。

電界発光層６０４５は、図７（Ａ）の電界発光層６０３５と同様に形成することができる。

図７（Ｂ）に示した画素の場合、発光素子６０４３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第２の電極６０４６側から取り出すことができる。

次に図７（Ｃ）に、ＴＦＴ６０５１がｎ型で、発光素子６０５３から発せられる光を第１の電極６０５４側及び第２の電極６０５６側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図７（Ｃ）では、発光素子６０５３の第１の電極６０５４と、ＴＦＴ６０５１が電気的に接続されている。また第１の電極６０５４上に電界発光層６０５５、第２の電極６０５６が順に積層されている。

第１の電極６０５４は、図７（Ａ）の第１の電極６０３４と同様に形成することができる。また第２の電極６０５６は、図７（Ｂ）の第２の電極６０４６と同様に形成することができる。電界発光層６０５５は、図７（Ａ）の電界発光層６０３５と同様に形成することができる。

図７（Ｃ）に示した画素の場合、発光素子６０５３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第１の電極６０５４側及び第２の電極６０５６側から取り出すことができる。

本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態９）
本発明の発光装置を用いた電子機器として、テレビジョン装置（テレビ、テレビジョン受信機）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、携帯電話装置（携帯電話機）、ＰＤＡ等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、モニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その具体例について、図８を参照して説明する。

図８（Ａ）に示す本発明の発光装置を用いた携帯情報端末は、本体９２０１、表示部９２０２等を含む。本発明により、正確な階調表示を行うことができる。

図８（Ｂ）に示す本発明の発光装置を用いたデジタルビデオカメラは、表示部９７０１、９７０２等を含む。本発明により、正確な階調表示を行うことができる。

図８（Ｃ）に示す本発明の発光装置を用いた携帯端末は、本体９１０１、表示部９１０２等を含む。本発明により、正確な階調表示を行うことができる。

図８（Ｄ）に示す本発明の発光装置を用いた携帯型のテレビジョン装置は、本体９３０１、表示部９３０２等を含む。本発明により、正確な階調表示を行うことができる。

図８（Ｅ）に示す本発明の発光装置を用いた携帯型のコンピュータは、本体９４０１、表示部９４０２等を含む。本発明により、正確な階調表示を行うことができる。

図８（Ｆ）に示す本発明の発光装置を用いたテレビジョン装置は、本体９５０１、表示部９５０２等を含む。本発明により、正確な階調表示を行うことができる。

以上のように、本発明の発光装置は、あらゆる電子機器に適用することができる。

（実施例）
本実施例では、発光素子の陽極の電圧（アノード電圧）を約８Ｖとし、１ｂｉｔ全白で発光行数を変化させたときの、発光素子の陰極の電流（カソード電流）を測定した。そして３２０行分の画素に書き込みを行う期間（書き込み動作期間）を１μｓ、５００ｎｓ、２５０ｎｓとし、それぞれの時間で消去信号を１回のみ入力した場合（点線）と、２回（２回目は２０行遅れで入力）入力した場合（実線）とで、カソード電流を比較した。

図１０には、発光行数（３２０行分）をＸ軸、カソード電流をＹ軸として結果を示す。発光行数とカソード電流は、比例関係になることが理想的であるが、消去信号を１回のみ入力する場合、点線で示すように、書き込み動作期間が短くなるにつれて、発光行数が少ないときのカソード電流が多くなる。これは、低階調表示が正確に行われていないことを表している。一方、消去信号を２回入力する場合、実線で示すように、理想的な比例関係に近くなることがわかる。

以上から、消去信号の入力が少ない、つまり消去信号を入力する期間が短い場合、容量（Ｃ_EL）の存在により、駆動用トランジスタのゲート・ソース間の電圧を保持している容量を変動させてしまい、特に書き込み動作期間が短いとその影響が顕著になると考えられる。また発光行数が少ないところでも、その影響が顕著になると考えられる。そのため、書き込み動作期間が短くなるにつれ、消去信号を２回以上入力する駆動方法が望まれる。

本発明の駆動方法を示した図である 本発明のタイミングチャートを示した図である 本発明のタイミングチャートを示した図である 本発明の駆動方法を示した図である 本発明の画素回路を示した図である 本発明の画素構成を示した断面図である 本発明の画素構成を示した断面図である 本発明の電子機器を示した図である 発光装置の画素構成を示した図である 本発明の実験結果を示したグラフである 本発明のタイミングチャートを示した図である 本発明のタイミングチャートを示した図である 本発明のタイミングチャートを示した図である

Claims (2)

1. 信号線にソース又はドレインの一方が電気的に接続され、走査線にゲートが電気的に接続された第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に、ゲートが電気的に接続された第２のトランジスタと、
   前記第２のトランジスタのゲートに、ソース又はドレインの一方が電気的に接続され、かつ前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に、ソース又はドレインの他方が電気的に接続された第３のトランジスタと、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された発光素子とを有する発光装置の駆動方法であって、
   １フレーム期間をｎ個（ｎは自然数）に分割されたサブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ２、・・・、ＳＦｎを有し、
   前記サブフレーム期間ＳＦ１は映像信号が入力される書き込み期間Ｔａ１と、発光期間Ｔｓ１とを順に有し、
   前記サブフレーム期間ＳＦ２は映像信号が入力される書き込み期間Ｔａ２と、発光期間Ｔｓ２とを順に有し、
   前記サブフレーム期間ＳＦｎは映像信号が入力される書き込み期間Ｔａｎと、発光期間Ｔｓｎとを順に有し、
   前記発光期間Ｔｓ１、Ｔｓ２、・・・、Ｔｓｎは順に短くなり、
   前記サブフレーム期間ＳＦｎは、前記発光期間Ｔｓｎの後に消去信号を入力する消去期間Ｔｅを有し、
   前記消去期間Ｔｅは第１の消去期間Ｔｅ（１）と、第２の消去期間Ｔｅ（２）とを有し、
   前記第１の消去期間Ｔｅ（１）及び前記第２の消去期間Ｔｅ（２）において、前記第３のトランジスタがオンとなることを特徴とする発光装置の駆動方法。
2. 信号線にソース又はドレインの一方が電気的に接続され、走査線にゲートが電気的に接続された第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に、ゲートが電気的に接続された第２のトランジスタと、
   前記第２のトランジスタのゲートに、ソース又はドレインの一方が電気的に接続され、かつ前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に、ソース又はドレインの他方が電気的に接続された第３のトランジスタと、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された発光素子とを有する発光装置の駆動方法であって、
   １フレーム期間をｎ個（ｎは自然数）に分割されたサブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ２、・・・、ＳＦｎを有し、
   前記サブフレーム期間ＳＦ１はデジタル映像信号が入力される書き込み期間Ｔａ１と、発光期間Ｔｓ１とを順に有し、
   前記サブフレーム期間ＳＦ２はデジタル映像信号が入力される書き込み期間Ｔａ２と、発光期間Ｔｓ２とを順に有し、
   前記サブフレーム期間ＳＦｎはデジタル映像信号が入力される書き込み期間Ｔａｎと、発光期間Ｔｓｎとを順に有し、
   前記発光期間Ｔｓ１、Ｔｓ２、・・・、Ｔｓｎは順に短くなり、
   前記サブフレーム期間ＳＦｎは、前記発光期間Ｔｓｎの後に消去信号を入力する消去期間Ｔｅを有し、
   前記消去期間Ｔｅは第１の消去期間Ｔｅ（１）と、第２の消去期間Ｔｅ（２）とを有し、
   前記第１の消去期間Ｔｅ（１）及び前記第２の消去期間Ｔｅ（２）において、前記第３のトランジスタがオンとなることを特徴とする発光装置の駆動方法。

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