JP4940264B2 - 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態による不揮発性半導体記憶装置を図1および図2に示す。本実施形態の不揮発性半導体記憶装置は、MONOS型(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor)構造のメモリセルを有するNAND型のMONOSフラッシュメモリである。本実施形態においては、メモリセルが微細化されても隣接メモリセル間の干渉が大きくならないように、各メモリセルがシリコン酸化膜などの誘電率が低いほうが好ましい絶縁膜で分離された平面型セル構造が用いられる。
次に、第1実施形態の変形を説明する。第1実施形態ではα相すなわちコランダム構造のアルミナを得るために元素を選択し、最適な元素の例としてGaを示した。一方でこれらα相アルミナ中に深いトラップを形成させると、リーク電流が深いトラップによって捕捉され、減少することが期待でき、フラッシュメモリ特性の向上につながると期待される。このような深いトラップを形成するに適し、しかもα相アルミナ構造を得るような元素として、2価の状態が安定となりうるFe、Co、Ni、Beが挙げられる。中でもBeは2価が安定であり、この観点からは好ましい。ただし猛烈な毒性への十分な対策が必要なので産業上高コストである。そういった観点も考慮すると、他の元素の中ではCoの2価が最も安定なので好ましいと考えられる。
次に、本発明の第2実施形態による不揮発性半導体記憶装置を説明する。
例えば、Al2O3膜34の下層である電荷蓄積膜13が結晶性の粒を含んでいる場合、以降のプロセスに加わる熱処理によって不純物がトンネル絶縁膜12まで拡散してしまうことが懸念され、したがってこのような例では図12(a)、12(b)に示すような電荷蓄積膜13中に不純物ピークがあるようなプロファイルや、図10(a)、10(b)に示すように電荷蓄積膜13への不純物染み出しが大きいプロファイルは適さず、むしろ電荷蓄積膜13との界面のごく近傍の不純物濃度を減らすようなプロファイルである図11(a)、11(b)に示すような状態が好ましい。電荷蓄積膜13内の不純物拡散がさほど激しくない場合、図12(a)、12(b)に示すような場合は用いることができないが、図9(a)、(b)、図10(a)、10(b)、図11(a)、11(b)に示すような場合は可能と考えられる。
次に、本発明の第3実施形態による不揮発性半導体記憶装置を説明する。本実施形態の不揮発性半導体記憶装置は、第1実施形態で説明したと同様に、シリコン基板2上にトンネル絶縁膜12、電荷蓄積膜13を形成後、膜厚0.5nmのCr2O3膜35を成膜する。成膜手法は例えばCVD法、PVD法などいずれを用いても良い。その後、Cr2O3膜35上に、230℃以上の温度で膜厚8nmのAl2O3膜36を成膜する(図21参照)。このような成膜手法を用いると、Cr2O3膜35がテンプレートとなり、α相アルミナを低温で成膜することが可能になるといった大きな利点がある。このようなテンプレートとして適する物質は、他にTi2O3膜、Fe2O3膜、Ga2O3膜、Co2O3膜、Ni2O3膜、Mn2O3膜などが挙げられる。以降は、第1実施形態で説明した工程を行い、NAND型のMONOSフラッシュメモリを形成する。
次に、本発明の第4実施形態による不揮発性半導体記憶装置を説明する。本実施形態の不揮発性半導体記憶装置は、以下のようにして形成される。
次に、本発明の第5実施形態による不揮発性半導体記憶装置を説明する。本実施形態の不揮発性半導体記憶装置は以下のように形成される。
3 トレンチ
4a ソース領域
4b ドレイン領域
5 チャネル
6 素子分離絶縁膜
10 ゲート
12 トンネル絶縁膜
13 電荷蓄積膜
14a 遷移アルミナ膜
15a α相アルミナ膜
16 制御ゲート電極膜
17 ワード線(導電膜)
18 溝
22 シリコン酸化膜
24 層間絶縁膜
Claims (10)
- 半導体基板に離間して設けられたソース・ドレイン領域と、
前記ソース領域と前記ドレイン領域の間の前記半導体基板上に設けられたトンネル絶縁膜と、
前記トンネル絶縁膜上に設けられ、電荷をトラップする電荷蓄積膜と、
前記電荷蓄積膜上に設けられた制御ゲート電極と、
前記電荷蓄積膜と前記制御ゲート電極との間に設けられ、前記電荷蓄積膜側に設けられた遷移アルミナ層および前記制御ゲート電極側に設けられたα相アルミナ層を有するアルミナ膜と、
を含むメモリセルを備え、
前記遷移アルミナ層は、Pr、La、Ce、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y、Sc、In、Hf、Zr、Ti、Pb、Sn、Si、Ta、Nb、V、W、Mo、Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Zn、Bi、Sb、As、N、Te、Se、S、Os、Ir、Pt、Ru、Rh、Pd、Ag、Cuのいずれか一種類以上の元素を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記電荷蓄積膜と前記遷移アルミナ層との間に、Cr、Ti、Fe、Ga、Co、Ni、Mnのいずれか一種類以上の元素を含む酸化物の膜が存在していることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記電荷蓄積膜は、不純物元素が添加されていないアルミナ膜であることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記電荷蓄積膜と前記遷移アルミナ層との間に、不純物元素が添加されていないアルミナ層が存在することを特徴とする請求項1または2記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記トンネル絶縁膜は不純物元素が添加されていないアルミナ膜であり、前記電荷蓄積膜は遷移アルミナであることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記α相アルミナ層は、Ga、Co、Ni、Fe、Cr、Mn、Beのいずれか一種類以上の元素を含むことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記α相アルミナ層は、不純物元素が添加されていないアルミナ層であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記遷移アルミナ層は、θ相、δ相、γ相のいずれかの遷移アルミナ構造を有していることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 半導体基板上にトンネル絶縁膜を形成する工程と、
前記トンネル絶縁膜上に電荷をトラップする電荷蓄積膜を形成する工程と、
前記電荷蓄積膜上に、アルミナ膜を形成する工程と、
前記アルミナ膜中の前記電荷蓄積膜側の領域に、63pm以上の八配位イオン半径を持つ第1の不純物元素を添加する工程と、
950℃以上1100℃以下の熱処理を行い、前記アルミナ膜中の前記電荷蓄積膜側に遷移アルミナ層を形成するとともに前記アルミナ膜中の前記電荷蓄積膜と反対側にα相アルミナ層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 前記熱処理を行う前に、前記アルミナ膜中の前記電荷蓄積膜と反対側の領域に、53pmを超え63pm未満の八配位イオン半径を持つ第2の不純物元素を添加する工程を備えたことを特徴とする請求項9記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
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