JP4938018B2 - セラミック基板の製造方法、および、セラミック基板 - Google Patents

Description

本発明は、セラミック基板の製造方法および該方法により製造されるセラミック基板に関する。特に、ビアホールおよびこれと電気的に接続する表面配線パターンを有し、該表面配線パターンの位置を精度よく制御することができるセラミック基板の製造方法および位置精度が高い表面配線パターンを有するビアホール付きセラミック基板に関する。

ビアホールを有するセラミック基板の製造方法としては、コファイア法（ｃｏ−ｆｉｒｉｎｇ、同時焼成法）とポストファイア法（ｐｏｓｔ−ｆｉｒｉｎｇ、逐次焼成法）とが知られている。コファイア法を用いてのビア付き基板の作製方法とは、グリーンシートと呼ばれる未焼成のセラミック基板前駆体に貫通孔を形成し、該貫通孔に金属ペーストを充填して、セラミック基板前駆体を作製し、これを焼成する方法である。この方法では、グリーンシートおよびビアホール中の導電ペーストの焼成は同時に行われる。

ポストファイア法とは焼成したセラミック基板に金属ペーストやセラミックペーストを塗布した後、ペーストを焼結された基板と共に焼成する方法であり、ポストファイア法を用いてビア付き基板を作製する手法としては、グリーンシートを焼成して得られたセラミック焼結体基板にレーザー加工や機械加工などにより穿孔し、貫通孔を形成して、該貫通孔に導電ペーストを充填して、セラミック基板前駆体を作製し、これを焼成する。この方法ではグリーンシートの焼成およびビアホール中の導電ペーストの焼成は逐次的に行われる。

例えば、特許文献１には、コファイア法による窒化アルミニウム基板の製造方法が記載されている。
特開平１１−１３５９０６号公報

ポストファイア法においては、レーザー等によって焼結体基板を穿孔しているため、穴位置精度が高い反面、焼結体基板が厚い場合は、レーザーの性質により穿孔された該焼結体基板の表面と裏面とでは、穴の大きさが異なるという問題があった。また、ビア中の金属ペーストを後焼成する場合に、ペーストが収縮してビアの表面が窪んでしまったり、金属ペーストが後焼成時に穿孔内壁部に接合し、ビアの中心部分に貫通孔が生じてしまったり、あるいは、窪みを防止するためにあらかじめ多めにペーストを充填した場合は、ビアの表面が突出してしまい研磨処理が必要であったり、という問題があった。また、ポストファイア法は、焼結した基板を穿孔しなければならないため、コファイア法に比べて、穿孔工程数が多い、あるいは大きな穴、板厚が厚い基板への穿孔が難しいなど、工業的には不利な方法であった。

また、コファイア法においては、焼成時にグリーンシートが不均一に収縮し易く、例えば、正方形のグリーンシートを焼結した場合には、僅かではあるが、各辺の中央部分が内側に反るように収縮が起こり基板は星型に変形する。よって、１枚のグリーンシート母材に同一のセラミック基板を複数個まとめて形成する場合には、該母材におけるセラミック基板の位置によって、ビアホール位置が変化してしまうという問題があった。

電子部品を搭載するための基板では、搭載される部品が小さくなることに伴い、表面配線パターンの更なる高精度化、高精細化が要求されている。例えば、半導体レーザー素子のように微小で高い位置精度での搭載が要求される場合には、素子搭載部となる配線パターンにも厳しい位置精度や表面平滑性が要求される。したがって、表面配線パターンとビアホールとの接続箇所についても、その位置を高精度に制御し、電気的接続を確実にすることが要求されている。

そこで、本発明は、コファイア法を採用したセラミック基板の製造方法であって、表面配線パターンとビアホールとの接続箇所の位置を高精度に制御することができ、セラミック基板上に形成される高精度な配線パターンに対応することができる、セラミック基板の製造方法を提供することを課題とする。

本発明者らは、上記の課題について鋭意検討した結果、ビアホールを有するコファイア基板上に、所定の孔又は開口部を有する絶縁層をポストファイア法により形成することによって、上記の課題を解決することができることを見出し、以下の本発明を完成するに至った。

第１の本発明は、ビアホール（３０）、および該ビアホールと電気的に接続する表面配線パターン（５２、５４，５６、または７０）を有するセラミック基板（２００Ｃ、２００Ｄ、又は２００Ｅ）を製造するために使用されるセラミック基板（２００Ａ）を製造する方法であって、ビアホール（３０）を有するセラミック焼結体基板（１０）を準備する工程、該セラミック焼結体基板（１０）上に、底面がビアホール（３０）の露出端面の少なくとも一部で構成される孔又は開口部（２４）を有するセラミック焼結体層（２０）をポストファイア法により形成する工程を含むセラミック基板の製造方法である。

第２の本発明は、ビアホール（３０）、および該ビアホールと電気的に接続する表面配線パターン（５２、５４，５６、または７０）を有するセラミック基板（２００Ｃ、２００Ｄ、又は２００Ｅ）を製造する方法であって、ビアホール（３０）を有するセラミック焼結体基板（１０）を準備する工程、該セラミック焼結体基板（１０）上に、底面がビアホール（３０）の露出端面の少なくとも一部で構成される孔又は開口部（２４）を有するセラミック焼結体層を（２０）ポストファイア法により形成する工程、孔又は開口部（２４）の内部に、セラミック焼結体層（２０）の表面とビアホール（３０）とを電気的に接合する導体部（４０）を形成する工程、およびセラミック焼結体層（２０）の表面に、該導体部（４０）と電気的に接合する表面配線パターン（５２、５４，５６、または７０）を形成する工程を含むセラミック基板の製造方法である。なお、第１および第２の本発明において、「底面がビアホール（３０）の露出端面の少なくとも一部で構成される」とは、ビアホール（３０）の表面と孔又は開口部（２４）の底面とが、セラミック基板を平面視した場合に、少なくとも一部において重複部分を有していることをいう。

上記第２の発明において、ビアホール（３０）を有するセラミック焼結体基板（１０）を準備する工程は、セラミックグリーンシート（１２）の所定の位置に穿孔し、金属ペースト（３２）を充填して、第１前駆体（１００）を形成し、該第１前駆体を焼成してビアホール（３０）を有する第２前駆体（１１０）を形成する工程を含むことができる。なお、第２前駆体（１１０）と、ビアホール（３０）を有するセラミック焼結体基板（１０）とは同義である。また、セラミック焼結体層（２０）をポストファイア法により形成する工程は、ビアホール（３０）を有するセラミック焼結体基板（１０）上に、底面がビアホール（３０）の露出端面の少なくとも一部で構成される孔又は開口部（２４）を有するセラミックペースト層（２２）を形成し、該セラミックペースト層（２２）を焼成する工程を含むことができる。

セラミックグリーンシート（１２）の所定の位置に穿孔して金属ペースト（３２）を充填し、これを焼成して、コファイア法によってセラミック焼結体基板（上記の第２前駆体（１１０）に対応する。）を作製した場合、焼成時に基板が収縮するためビアホール（３０）の位置がずれてしまう。第１および第２の本発明は、このようなコファイア法により作製したセラミック焼結体基板（１０）の表面において、底面がビアホール（３０）の露出端面の少なくとも一部で構成される孔又は開口部（２４）を有するセラミックペースト層（２２）を形成し焼成して、ポストファイア法によって、セラミック焼結体層（２０）を形成する。上記孔又は開口部（２４）は、ビアホール（３０）の直上に設けられる必要はなく、その底面の一部がビアホール（３０）の端面で構成させていればよいのであるから、孔又は開口部（２４）の径に応じた許容範囲内でその穴の位置を自由に調整することができる。そして、孔又は開口部（２４）の位置を、表面配線パターン（５２、５４，５６、または７０）とビアホール（３０）との接合個所として予定していた個所に設け、該孔又は開口部（２４）の内部に、セラミック焼結体層（２０）の表面に延出し、ビアホール（３０）と電気的に接合する導体部（４０）を形成し、該導体部（４０）と表面配線パターン（５２、５４，５６、または７０）とを接合させることによって、ビアホール（３０）と表面配線パターン（５２、５４，５６、または７０）とを確実に電気的に接合させることができる。すなわち、コファイア法の焼成時における収縮によりずれてしまったビアホール（３０）の位置を是正することができ、微細配線パターンに対応可能なセラミック基板を製造することができる。

第２の本発明において、セラミックグリーンシート（１２）およびセラミックペースト層（２２）を形成するセラミックは、窒化アルミニウムであることが好ましい。窒化アルミニウムは、熱伝導性がよい材料である。このため、基板を構成するセラミックとして窒化アルミニウムを用いることによって、基板上に素子を搭載した場合に、素子から放出される熱を外部に効率的に放出することができる。

第２の本発明において、導体部（４０）の形成とセラミック焼結体層（２０）の形成とを同時に行うことができる。例えば、セラミック焼結体層（２０）をポストファイア法により形成する工程において、孔又は開口部（２４）に金属ペーストを充填して、金属ペースト層を形成し、セラミックペースト層（２２）を焼成すると同時に該金属ペースト層を焼成することにより、導体部（４０）の形成とセラミック焼結体層（２０）の形成とを同時に行うことができる。このような方法を採用することにより、表面配線パターンを形成する前の表面が平坦な基板を得ることができる。用途によってはセラミック基板の表面が平坦であることが要求される場合があり、本方法を採用することによりこのような要求に応えることができる。

また、上記方法においては、セラミックペースト層（２２）の形成と金属ペースト層の形成を交互に繰り返して行うと共に、第１層のセラミックペースト層（２２Ａ）の第一孔又は第一開口部（２４Ａ）の口径をビアホール（３０）の口径以上として該第一孔又は第一開口部（２４Ａ）の底面にビアホール（３０）の端面の全面が含まれるようにし、さらに、第１層（２２Ａ）より上に新たに形成させるセラミックペースト層（２２Ｂ、２２Ｃ・・・）の上方孔又は上方開口部（２４Ｂ、２４Ｃ・・・）の口径を、その直下の層に存在する金属ペースト層の口径よりも小さくして、該金属ペースト層の露出面によって上方孔又は上方開口部（２４Ｂ、２４Ｃ・・・）の底面の全面が構成されるようにすることもできる。こうすることにより、孔又は開口部（２４）の位置調整の許容範囲を広げることが可能となり、収縮によりビアホール（３０）の位置が大きくずれてしまった場合にも対応可能となる。また、電気抵抗を低くしてビアホール（３０）と表面配線パターン（５２、５４，５６、または７０）とを確実に電気的に接合できるようになる。

また、第２の発明においては、導体部（４０）の形成と表面配線パターン（５２、５４，５６、または７０）の形成とを同時に行うこともできる。例えば、薄膜法により孔又は開口部（２４）の底面および側面、並びにセラミック焼結体層（２０）の表面に（表面配線パターンとなる）金属膜を一度に形成した場合には、孔又は開口部（２４）の底面および側面に形成された金属膜が導体部となる。

さらに、第２の発明においては、導体部（４０）の形成と、セラミック焼結体層（２０）の形成と、表面配線パターン（５２、５４，５６、または７０）の形成とを同時に行うこともできる。この場合には、孔又は開口部（２４）を有するセラミックペースト層（２２）を形成した後に、該孔又は開口部（２４）に金属ペーストを充填し、さらに金属ペーストにより配線パターンとなるパターン印刷をし、同時にこれらを焼成すればよい。

第２の本発明のセラミック基板の製造方法において、表面配線パターン（５２、５４、５６、または７０）を形成する方法としては、金属ペーストを印刷、焼成して、その表面にメッキを施して形成する方法｛図３の（ｂ）、（ｄ）参照｝、あるいは、薄膜法により表面配線パターンとなるメタライズ層を形成する方法｛図３の（ｅ）参照｝、のいずれかが好適に採用される。

第３の本発明は、コファイア法により形成されたビアホール（３０）を有するセラミック焼結体基板（１０）、および、ポストファイア法により該セラミック焼結体基板（１０）上に形成されたセラミック焼結体層（２０）を備えたセラミック基板であって、セラミック焼結体層（２０）が、底面がビアホール（３０）の露出端面の少なくとも一部で構成される孔又は開口部（２４）を有するセラミック基板（２００Ａ）である。この基板は、ビアホール（３０）、および該ビアホール（３０）と電気的に接続する表面配線パターン（５２、５４、５６、または７０）を有するセラミック基板を製造するために使用されるセラミック基板として有用である。

第４の本発明は、コファイア法により形成されたビアホール（３０）を有するセラミック焼結体基板（１０）、ポストファイア法により該セラミック焼結体基板（１０）上に形成されたセラミック焼結体層（２０）、および該セラミック焼結体層（２０）に形成された、ビアホール（３０）と電気的に接合する表面配線パターン（５２、５４，５６、または７０）を備えたセラミック基板であって、セラミック焼結体層（２０）には底面がビアホール（３０）の露出端面の少なくとも一部で構成される孔又は開口部（２４）が形成されており、該孔又は開口部（２４）の内部にはビアホール（３０）と表面配線パターン（５２、５４，５６、または７０）とを電気的に接合する導体部（４０）が形成されているセラミック基板（２００Ｃ、２００Ｄ、又は２００Ｅ）である。

セラミックグリーンシート（１２）の所定の位置に穿孔して金属ペースト（３２）を充填し、これを焼成して、コファイア法によってセラミック焼結体基板（上記の第２前駆体（１１０）に対応する。）を作製した場合、焼成時に基板が不均一に収縮するためビアホール（３０）の位置がずれてしまう。第１および第２の本発明は、このようなコファイア法により作製したセラミック焼結体基板の表面において、底面がビアホール（３０）の露出端面の少なくとも一部で構成される孔又は開口部（２４）を有するセラミックペースト層（２２）を形成し焼成して、ポストファイア法によって、セラミック焼結体層（２０）を形成する。上記孔又は開口部（２４）は、ビアホール（３０）の直上に設けられる必要はなく、その底面の一部がビアホール（３０）の端面で構成させていればよいのであるから、孔又は開口部（２４）の径に応じた許容範囲内でその孔又は開口部（２４）の位置を自由に調整することができる。そして、孔又は開口部（２４）の位置を、表面配線パターン（５２、５４，５６、または７０）とビアホール（３０）との接合個所として予定していた個所に設け、該孔又は開口部（２４）の内部に、セラミック焼結体層（２０）の表面に延出し、ビアホール（３０）と電気的に接合する導体部（４０）を形成し、該導体部（４０）と表面配線パターン（５２、５４，５６、または７０）とを接合させることによって、ビアホールと表面配線パターンとを確実に電気的に接合させることができる。すなわち、コファイア法の焼成時における不均一な収縮によりずれてしまったビアホール（３０）の位置を是正することができ、微細配線パターンに対応可能なセラミック基板を製造することができる。

本発明の基本概念を示す説明図である。 本発明のセラミック基板の製造方法の各工程の概要を示す説明図である。 本発明のセラミック基板の製造方法の配線パターンの形成工程を示す説明図である。 実施例において形成した配線パターンの平面図である。 本発明のセラミック基板の製造方法の一実施形態の概要を示す説明図である。

符号の説明

１０ セラミック焼結体基板
１２ セラミックグリーンシート
２０ セラミック焼結体層
２２ セラミックペースト層
２４ 孔又は開口部
３０ ビアホール
３２ 金属ペースト
４０ 導体部
７０ 導体部上の表面配線パターン
７２ 外側の配線パターン
１００ 第１前駆体
１１０ 第２前駆体
２００Ａ〜Ｅ セラミック基板

以下本発明を図面に示す実施形態に基づき説明する。
まず、図１に基づいて、本発明のセラミック基板の製造方法の概要について説明する。
図１（ａ）は、セラミックグリーンシート１２の所定の位置に穿孔し、金属ペースト３２を充填した第１前駆体１００の平面図である。図示した形態のセラミックグリーンシート１２は、複数のセラミック基板を形成するための母材であり、図示の点線で切断されて、九つのセラミック基板とされる。図１（ａ）の工程においては、まず、それぞれのセラミック基板の中央部が穿孔され、金属ペーストが充填される。

この第１前駆体１００は、焼成されてビアホール３０を有するセラミック焼結体基板１０（第２前駆体１１０）とされる。該第２前駆体１１０の平面図を図１（ｂ）に示した。第１前駆体１００は、焼成により不均一に収縮する。例えば、図１（ｂ）に示したように、各辺の中央部分が内側に反るように収縮が起こり基板は星型に変形する。点線で切断されて形成される各セラミック基板においては、この変形により、ビアホール３０の位置が各セラミック基板の中央部からずれてしまっている。ビアホール３０の位置が所望の位置からずれてしまうと、基板上に精密配線パターンを形成する場合に、配線間のショートが生じたり、接触不良が生じたりしてしまうという問題があった。

このような点から、精密配線パターンを形成することが必要とされる配線基板においては、ビアホール３０の位置を精密に制御する必要がある。このような要求に応えるため、本発明のセラミック基板の製造方法においては、図１（ｃ）に示すように、所定の孔又は開口部２４を有するセラミック焼結体層２０を、基板の表面に形成する。所定の孔又は開口部２４は、本来ビアホール３０を形成したかった位置（表面配線パターンとビアホール３０との接合個所として予定していた位置）に形成されており、ビアホール３０と少なくとも一部において重なっていればよい。

孔又は開口部２４は、配線パターンとの接続箇所であり、孔又は開口部２４内に導体部４０となる金属層が形成されてから、その上に配線パターンが形成されたり、また、直接配線パターンが形成されたりする（この場合、孔又は開口部２４の内部に存在する配線パターンが導体部４０となり、孔又は開口部２４の外側の配線パターンが表面配線パターンとなる）。孔又は開口部２４とビアホール３０とが少なくとも一部において重なっているのであれば、大きな電気抵抗の問題は生じない。例えば、図１（ｃ）の右上、右下、左上、左下の孔又は開口部２４においては、一部においてビアホール３０と重なっているだけではあるが、電気抵抗の問題は特になく、配線パターンとの良好な接続を図ることができる。なお、電気抵抗をより小さくするためには、図５に示すように、孔又は開口部２４を表面（図示上方）に向かって連続的または段階的に縮径された構造とし、ビアホール３０の端面の全面が第一孔又は第一開口部２４Ａの底面に含まれるようにすればよい。

図５に示した製法においては、まず、第１層のセラミックペースト層２２Ａが形成される。該セラミックペースト層２２Ａには、ビアホール３０端面の全面が含まれるように第一孔又は第一開口部２４Ａが形成される。該第一孔又は第一開口部２４Ａには、金属ペースト層が形成される。そして、金属ペースト層が形成された第一孔又は第一開口部２４Ａを有するセラミックペースト層２２Ａ上に、セラミックペースト層２２Ｂが形成される。該セラミックペースト層２２Ｂには、前記金属ペースト層の口径よりも小さい上方孔又は上方開口部２４Ｂが形成される。なお、該上方孔又は上方開口部２４Ｂは、その底面の全面が前記金属ペースト層により構成されるようにして形成される。

なお、図５には、二層のセラミックペースト層２２Ａ、２２Ｂを形成した形態を示したが、二層以上の多層のセラミックペースト層（２２Ａ、２２Ｂ、・・・）を形成した形態であってもよい。また、その場合は、図示上方となるに従い、孔又は開口部（２４Ａ、２４Ｂ、・・・）の口径は縮径される。また、上方孔又は上方開口部（２４Ｂ、・・・）の底面の全面が、直下の層に存在する金属ペースト層の表面により構成される。

図１（ｃ）において形成したセラミック焼結体層２０は、すでに焼成したセラミック焼結体基板１０上にセラミックペーストを塗布して焼成するというポストファイア法により形成される。このため、焼成の際の収縮が抑制されており、所望の位置に孔又は開口部２４を形成することができる。このように、本発明の製造方法によると、所望の位置に形成した孔又は開口部２４とビアホール３０とを少なくとも一部において接触させ、該孔又は開口部２４内部に形成した導体部４０を介して表面配線パターン（５２、５４、５６、または、７０）と電気的に接続することによって、ずれてしまったビアホール３０の位置を本来の位置に是正して、微細配線パターンに対応可能なセラミック基板を製造することができる。

＜セラミック基板の製造方法＞
図２に本発明のセラミック基板の製造方法の各工程の概要を表した模式図を示す。本発明のセラミック基板の製造方法は、ビアホール３０を有するセラミック焼結体基板１０（第２前駆体１１０）上に、ポストファイア法により配線パターンとの接続箇所に孔又開口部２４を有するセラミック焼結体層２０を形成する工程を備えて構成される。より具体的には、ビアホール３０を有するセラミック焼結体基板１０（第２前駆体１１０）を形成する工程（図２（ａ）、（ｂ））、および、セラミック焼結体層２０を形成する工程（図２（ｃ）、（ｄ））を備えて構成される。以下、各工程に分けて説明する。

（第２前駆体１１０の形成工程）
まず、セラミックグリーンシート１２の所定の位置に穿孔して貫通孔を形成し、該貫通孔に金属ペースト３２を充填して、第１前駆体１００を作製する。セラミックグリーンシート１２は、セラミック原料粉末、および、必要に応じて、焼結助剤、有機バインダー等が含まれていてもよい原料を、ドクターブレード法等によりシート状に成形して得られる。セラミック原料粉末としては、公知のセラミック材料を特に限定なく使用することができる。例えば、（ｉ）酸化アルミニウム系セラミック、酸化ケイ素系セラミック、酸化カルシウム系セラミック、酸化マグネシウム系セラミック等の酸化物系セラミック；（ｉｉ）窒化アルミニウム系セラミック、窒化ケイ素系セラミック、窒化ホウ素系セラミック等の窒化物系セラミック；（ｉｉｉ）酸化ベリリウム、炭化ケイ素、ムライト、ホウケイ酸ガラス等を使用することができる。中でも、（ｉｉ）窒化物系セラミックが、そのグリーンシートを焼成した際の変形が激しくビアホールの位置の変化が激しいことから、本発明の効果が顕著であるため好ましく、特に窒化アルミニウム系セラミックが、熱伝導率が高いため好ましく使用することができる。

焼結助剤としては、セラミック原料粉末の種類に応じて常用される焼結助剤が特に限定なく使用できる。有機バインダーとしては、ポリビニルブチラール、エチルセルロース類やアクリル樹脂類が使用され、グリーンシートの成形性が良好になるという理由からポリｎ−ブチルメタクリレート、ポリビニルブチラールが特に好適に使用される。セラミック原料粉末として、熱伝導率の点から好ましい、窒化アルミニウム系セラミックを使用した場合は、焼結助剤として、例えば酸化イットリウムや酸化カルシウムを含有させてグリーンシートを形成することが好ましい。

セラミック基板の大きさは、用途に応じて適宜決定され、例えば、サブマウント基板であれば、厚さが０．１ｍｍ〜２ｍｍ、好ましくは０．２ｍｍ〜１ｍｍであって、長さ、幅が１ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。サブマウント基板を作製する場合は、図１に示したように、例えば、外径が１０ｍｍ〜１００ｍｍ、通常は５０ｍｍ程度の母材基板を作製して、後で切断することにより複数個をまとめて製造することが好ましい。セラミックグリーンシート１２は、焼成の際に１５％〜２３％程度収縮することを考慮に入れて、その大きさを調整すればよい。

セラミックグリーンシート１２への穿孔の方法は、特に限定されず、例えば、金型打ち抜き法やパンチングマシンによる方法により行うことができる。貫通孔の大きさは、特に限定されないが、概ね、０．０５ｍｍ〜１．０ｍｍである。外径が１０ｍｍ〜１００ｍｍの母材基板においては、そのグリーンシートを焼成した際の収縮・変形に起因したビアホールの本来の位置からのずれ量は、通常０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ程度であるため、このずれ量を考慮すると、上記貫通孔の大きさは０．１７ｍｍ〜０．６ｍｍとすることが特に好ましい。

貫通孔に充填する金属ペースト３２としては、金属粉末、有機バインダー、有機溶媒、分散剤、可塑剤等の成分からなる公知の金属ペーストが特に制限なく使用可能である。また、金属ペーストには、上記のセラミックグリーンシート１２に含まれるものと同種のセラミック粉末が含有されていることが好ましい。セラミックグリーンシート１２および金属ペースト３２に同種のセラミック粉末が含有されていると、焼結後の両者の密着性が向上する。金属ペースト３２に含まれる金属粉末としては、例えば、タングステン、モリブデン、金、銀、銅等の金属粉末が挙げられ、中でも、本発明の製造方法においては、セラミックグリーンシート１２および貫通孔内の金属ペースト３２を同時に焼成するというコファイア法を採用するため、焼成の際の高温に対する耐熱性があるタングステンおよびモリブデン等の高融点金属の粉末を用いることが特に好ましい。

金属ペースト３２に含まれる有機バインダーとしては、公知のものが特に制限なく使用可能である。例えば、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル等のアクリル樹脂、メチルセルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ニトロセルロース、セルロースアセテートブチレート等のセルロース系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル等のビニル基含有樹脂、ポリオレフィン等の炭化水素樹脂、ポリエチレンオキサイド等の含酸素樹脂等を一種または二種以上混合して使用することができる。

金属ペースト３２に含まれる有機溶媒としては、公知のものが特に制限なく使用可能である。例えば、トルエン、酢酸エチル、テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート、テキサノール等を使用することができ、金属ペースト３２に含まれる有機バインダーを溶解しやすい溶媒を選択することがより好ましい。

金属ペーストに含まれる分散剤としては、公知のものが特に制限なく使用可能である。例えば、リン酸エステル系、ポリカルボン酸系等の分散剤を使用することができる。金属ペーストに含まれる可塑剤としては、公知のものが特に制限なく使用可能である。例えばフタル酸ジオクチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、アジピン酸ジオクチルなどを使用することができる。

金属ペースト３２をセラミックグリーンシート１２の貫通孔に充填する方法としては、公知の方法が特に制限なく採用される。例えば、印刷法、圧入法等が採用できるが、貫通孔の長さと直径の比（長さ／直径）が２．５より大きい場合は、圧入法の方が充填し易いため、圧入法が好適に使用される。

上記のようにして作製された第１前駆体１００は、焼成されて第２前駆体１１０とされる。なお、焼成の前に、必要に応じて脱脂が行われる。

脱脂は、酸素や空気等の酸化性ガス、あるいは水素等の還元性ガス、アルゴンや窒素等の不活性ガス、二酸化炭素およびこれらの混合ガスあるいは水蒸気を混合した加湿ガス雰囲気中で第１前駆体１００を熱処理することにより行われる。なお、高融点金属を酸化させないような条件であれば、これらのガスを適宜用いることが可能である。また、熱処理条件は、第１前駆体１００に含まれる有機成分の種類や量に応じて温度：２５０℃〜１２００℃、保持時間：１分〜１０００分の範囲から適宜選択すればよい。

脱脂処理に引き続き行われる焼成は、セラミックグリーンシート１２を形成するために使用したセラミック原料粉末の種類に応じて、通常採用される条件が適宜採用される。例えば、セラミック原料粉末が窒化アルミニウム系セラミックからなる場合には、１６００℃〜２０００℃、好ましくは、１７００℃〜１８５０℃の温度で、１時間〜２０時間、好ましくは、２時間〜１０時間の時間焼成すればよい。この焼成の際の雰囲気としては、窒素ガス等の非酸化性ガスの雰囲気下で、常圧で行えばよい。

以上のようにして、コファイア基板である第２前駆体１１０（ビアホール３０を有するセラミック焼結体基板１０）が製造される。コファイア法によって製造された第２前駆体１１０においては、グリーンシート１２が焼結時に不均一に収縮している。このため、形成されたビアホール３０の位置が所定の位置からずれてしまっている。本発明のセラミック基板２００Ａの製造方法においては、以下に示す工程により、所定の位置に孔又は開口部２４を形成することによって、このずれてしまったビアホール３０の位置を是正し、製造されるセラミック基板２００Ａを精密配線に対応できるものとする。

（セラミック焼結体層２０の形成工程）
上記において作製した第２前駆体１１０の少なくとも一方の面、つまり、精密な表面配線パターンを形成する面には、底面がビアホール３０の露出端面の少なくとも一部で構成される孔又は開口部２４を有するようにしてセラミックペースト層２２を形成して、該セラミックペースト層２２を焼成して、セラミック焼結体層２０を形成する。

セラミックペースト層２２の形成は、第２前駆体１１０上にセラミックペーストを塗布し、必要に応じて乾燥することで行われる。セラミックペーストとしては、セラミック粉末、焼結助剤、有機バインダー、有機溶媒、分散剤、可塑剤等の成分からなる公知のセラミックペーストが特に制限なく使用可能である。

セラミックペーストに含まれるセラミック粉末としては、公知のものが特に制限なく使用可能である。例えば、セラミックグリーンシート１２の説明で例示した各種セラミックの粉末を使用することができる。中でも当該セラミック粉末としては、セラミックグリーンシート１２を構成するセラミック粉末と同一のものを使用するのが、焼成後におけるセラミック焼結体基板１０とセラミック焼結体層２０との密着性の観点から好ましい。なお、互いに異なる種類のセラミックを使用してもその組合せによっては十分な接合強度を得ることができる。例えば、異なる種類のセラミックであっても、含まれる陽イオン成分（金属原子または半金属原子）の種類が同じである場合には、高い接合強度を得ることができる。例えば、セラミック焼結体基板１０が窒化アルミニウム焼結体基板である場合には、セラミックペーストに含まれるセラミック粉末としては、窒化アルミニウム粉末、酸化アルミニウム粉末、またはこれらの混合物を使用することができる。

セラミックペーストに含まれる焼結助剤としては、セラミック粉末の種類に応じて焼結助剤として使用されているものが特に制限なく使用可能である。例えば、セラミック粉末が窒化アルミニウム粉末である場合には、酸化イットリウム等の希土類元素酸化物、酸化カルシウム等のアルカリ土類金属酸化物等を使用することができる。

セラミックペーストに含まれる有機バインダーとしては、公知のものが特に制限なく使用可能である。例えば、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル等のアクリル樹脂、メチルセルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ニトロセルロース、セルロースアセテートブチレート等のセルロース系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル等のビニル基含有樹脂、ポリオレフィン等の炭化水素樹脂、ポリエチレンオキサイド等の含酸素樹脂等を一種または二種以上混合して使用することができる。

セラミックペーストに含まれる有機溶媒としては、公知のものが特に制限なく使用可能である。例えば、トルエン、酢酸エチル、テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート、テキサノール、アセトン等を使用することができる。

セラミックペーストに含まれる分散剤としては、公知のものが特に制限なく使用可能である。例えば、リン酸エステル系、ポリカルボン酸系等の分散剤を使用することができる。

セラミックペーストに含まれる可塑剤としては、公知のものが特に制限なく使用可能である。例えばフタル酸ジオクチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、アジピン酸ジオクチル等を使用することができる。

セラミックペーストにおける原料成分の配合比については特に限定されないが、セラミック粉末１００質量部に対して焼結助剤が０．１質量部〜１５質量部、有機バインダーが６質量部〜２０質量部、有機溶媒、可塑剤および分散剤からなる群より選ばれる少なくとも１種が１０質量部〜６０質量部であるのが好適である。

セラミックペーストの調製方法は各種成分を混合し、均一組成のペーストを得ることができる方法であれば特に限定されず、例えば三本ロールミル、プラネタリミキサー等公知の混練方法が採用できる。

本発明の製造方法では、このようにして調製されたセラミックペーストを第２前駆体１１０の少なくとも一方の面の所定の箇所に塗布する。少なくとも一方の面とは、製造するセラミック基板２００Ａにおいて、表面配線パターン（たとえば精密配線パターン）を形成する側の面をいう。セラミックペーストは、該少なくとも一方の面において、底面がビアホール３０の露出端面の少なくとも一部で構成される孔又は開口部２４を有するようにして塗布される。孔又は開口部２４が形成される位置は、その上に配線パターンが形成される箇所であり、もともとビアホール３０を形成しようとしていた位置（第２前駆体１１０を形成する際の焼成によりずれる前の位置）である。

このようなセラミックペーストの塗布は、例えば、スクリーン印刷やカレンダー印刷、パッド印刷等の公知の手法により行うことができる。また、フォトリソグラフィー法を採用して、孔又は開口部２４となる部分にフォトレジストによるマスクを形成して、それ以外の部分にセラミックペーストを塗布することにより行うことができる。形成されるセラミックペースト層２２の厚さは、特に限定されるものではないが、５μｍ〜１００μｍとすることが好ましく、ある程度の電圧でも絶縁性を保持しなければならない点から、特に１０μｍ〜５０μｍとすることが好ましい。これらの厚みは焼成前の厚みであり、焼成後、ペーストは３０％〜８０％程度縮み、焼結後のセラミックペースト層は通常１μｍ〜７０μｍであり、より一般的には３μｍ〜４０μｍとなる。窒化アルミニウムの場合、厚みが３０μｍ程度で５００Ｖの電圧を印加しても絶縁破壊がおきることなく、絶縁層の機能を十分に満足する。また、それほど高い電圧を印加しないような部品を搭載する場合には、１０μｍ程度の絶縁層でも十分に機能を果たす。このように搭載部品に要求される配線間の耐電圧によって最適な膜厚を選択すれば良い。

形成したセラミックペースト層２２は、焼成前に乾燥してもよい。この乾燥は、空気中で基板を４０℃〜１５０℃の温度で１分〜３０分程度保持することにより好適に行うことができる。セラミックペースト層２２の焼成は、上記した第２前駆体１１０を作製した際と同様の条件により行うことができる。焼成前に、必要に応じて、脱脂を行ってよい点も同様である。

以上のようにして、第２前駆体１１０上にセラミック焼結体層２０が形成される。セラミック焼結体層２０には、孔又は開口部２４が形成されている。該孔又は開口部２４は、本来ビアホール３０を形成したかった位置に形成されている。このようにして、上記のコファイア基板を作製した際に、位置がずれてしまったビアホール３０の上に孔又は開口部２４を形成し、該孔又は開口部２４内に形成された導体部４０を介して配線パターンと接続することによって、ずれてしまったビアホール３０の位置を是正することができる。

（孔又は開口部２４への金属ペーストの充填）
基板２００Ａの表面が平坦であることが要求される場合は、図２（ｅ）に示すように、孔又は開口部２４に金属ペーストを充填し、これを焼成して、導体部４０を形成したセラミック基板２００Ｂとすることできる。金属ペーストとしては、上記したビアホール３０の形成の際に使用したものと同様のものを使用することができる。

（配線パターン５２、５４、５６の形成）
配線パターン５２、５４、５６の形成工程の概要を図３に示した。図３（ａ）（ｂ）に示すように、孔又は開口部２４に導体部４０を形成し、この導体部４０を介して配線パターン５２を形成してもよいし、あるいは、図３（ｃ）（ｄ）、図３（ｃ）（ｅ）に示すように、孔又は開口部２４上に直接配線パターン５４、５６を形成してもよい。この場合、孔又は開口部２４の内部に存在する配線パターンが導体部４０となり、孔又は開口部２４の外側の配線パターンが表面配線パターンとなる。配線パターンの形成方法としては、金属ペーストを印刷、焼成して、表面にメッキを施す方法、あるいは、薄膜法により形成する方法を挙げることができる。

図３（ａ）（ｂ）および図３（ｃ）（ｄ）には、金属ペーストを印刷して配線パターンを形成する形態（２００Ｃ、２００Ｄ）を示した。金属ペーストとしては、上記したビアホール３０を形成するためのものと同様のものを使用することができる。金属ペーストを使用して配線パターンを形成した場合は、表面のはんだ濡れ性が悪く、ワイヤボンディング等をすることができないため、配線パターンの表面にニッケル、金等のめっきを施すことが好ましい。

図３（ｃ）（ｅ）には、薄膜法により配線パターンとなるメタライズ層５６を形成する形態（２００Ｅ）を示した。薄膜法としては、公知の方法が制限なく採用することができ、具体的には、スパッタ法、蒸着法、溶射法、スピンコートやディップ方式を使用したゾルゲルコーティング法などが好適に使用される。薄膜の材料としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ等の回路用の一般的な導体金属、ＴａＮ等の抵抗体、また、Ｐｂ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｇｅ等のはんだ、あるいは、ムライト組成膜のような金属酸化物薄膜（複合酸化物を含む）等を必要な層構成として使用することができる。

セラミック基板の場合、密着力を保持するという観点から、まず、下地にＴｉ、Ｐｄ、Ｔａなどの活性な金属を形成し、その上にＰｔ、Ｎｉ等はんだが完全に溶融しない所謂バリア層を形成し、必要に応じて、表面にＡｕやＡｕ−Ｓｎ等のはんだ層を形成するような構成が一般的である。

＜セラミック基板２００Ａ〜Ｅ＞
上記方法により製造した本発明のセラミック基板２００Ａ〜Ｅは、ビアホール３０を有するセラミック焼結体基板１０、および、底面が前記ビアホール３０の露出端面の少なくとも一部で構成される孔又は開口部２４を有するセラミック焼結体層２０を備えて構成される。

ビアホール３０を有するセラミック焼結体基板１０（第２前駆体１１０）は、グリーンシート１２の所定位置に貫通孔を形成し、これに金属ペーストを充填した第１前駆体１００をコファイア法により焼成して製造される。このため、焼成の際に不均一に収縮し、ビアホール３０の位置が、本来ビアホールを形成しようとしていた位置からずれてしまっている。また、セラミック焼結体層２０は、コファイア基板であるセラミック焼結体基板１０（第２前駆体１１０）の表面にセラミックペースト層２２を形成し、これを焼成するというポストファイア法によって形成される。このため、セラミック焼結体層２０の収縮は制限されているので、配線パターン５２、５４、５６との接続箇所となる孔又は開口部２４を所定の位置に形成することができる。また、孔又は開口部２４の底面がビアホール３０の端面の少なくとも一部で構成されていれば（孔又は開口部２４の底面とビアホール３０との端面が一部でも重複していれば）、電気抵抗を大きく増加させることなくビアホール３０と表面配線パターン５２、５４、５６とを電気的に接合できる。本発明のセラミック基板２００においては、このようにして、収縮によりずれてしまったビアホール３０の位置を是正して、表面に精密配線パターンを形成する場合にも対応することができる。

（実施例１）
窒化アルミニウム粉末１００質量部に、酸化イットリウム５．０質量部、テトラグリセリンモノオレート１．０質量部、トルエン５０質量部、ポリｎ−ブチルメタクリレート１３質量部、ジブチルフタレート４．２質量部、酢酸ブチル５．０質量部を加えて混合し、白色の泥漿を得た。次いで、得られた泥漿を用い、ドクターブレード法にグリーンシートを作製し、該グリーンシートを□６０ｍｍ（「６０ｍｍ×６０ｍｍ」の正方形の意である。）に切り出し、厚さ０．３５ｍｍのグリーンシート二枚を熱圧着させて、厚さ０．７ｍｍのグリーンシートを作製した。

このグリーンシートにφ０．３５ｍｍのピンを用いて１．１８ｍｍ間隔で縦・横４８孔、計２３０４個の各貫通孔をパンチングマシンで加工して形成した。各貫通孔内に窒化アルミニウムを添加したタングステンペーストを、ペースト圧入機を用いて充填した。その後、窒化アルミニウムを添加したタングステンペーストが充填された貫通孔を有するグリーンシートを、水分を含む水素ガス雰囲気中で８５０℃、２時間加熱し、脱脂を行った。脱脂終了後、窒素雰囲気中で１８２０℃、５時間加熱して焼成を行い、タングステンビアを有する窒化アルミニウム焼結体基板を得た。該焼結基板の両面をラップ研磨機を用いて研磨して、厚み０．３５ｍｍのタングステンビアを有する窒化アルミニウム焼結体基板とした。

次いで、平均粒径１．５μｍの窒化アルミニウム粉末１００質量部、平均粒径０．５μｍの酸化イットリウム粉末５．０質量部、エチルセルロース７．７質量部、テルピネオール５４質量部、分散剤１．５質量部を混練し、２５℃における粘度が７０Ｐａ・ｓの窒化アルミニウムペーストを調製した。調製した窒化アルミニウムペーストを用いて、上記タングステンビアを有する窒化アルミニウム焼結体基板の片面にパターン印刷を行って、窒化アルミニウムペースト層を形成した。

なお、窒化アルミニウムペースト層の印刷パターンは、次のようにして決定した。すなわち、まず、別に形成した上記したものと同一のタングステンペーストが充填された貫通孔を有するグリーンシートを上記と同一の条件で脱脂（水分を含む水素ガス雰囲気中で８５０℃、２時間加熱）、焼成して（窒素雰囲気中で１８２０℃、５時間加熱）、これにより得られる焼結体基板の一辺の収縮率（８４．７％）を求めた。次にｘ軸およびｙ軸をグリーンシートの中心で直交するように仮想し（中心点が（０，０）となる）、グリーンシートの各ビアの中心の座標を求めた。その後、求められたｘ座標およびｙ座標のそれぞれに上記収縮率を掛けて、グリーンシートが等方的に均一収縮したと仮定したときに各ビア中心が位置する座標を求め、その位置にφ０．３の開口部（孔）が設けられるようなパターンとした。なお、窒化アルミニウムペースト層形成後に孔の内部を目視観察したところ、すべての孔において、下地のビアホールの端面の少なくとも一部が観察された。窒化アルミニウムペースト層の形成後、すべての孔にタングステンペースト（タングステンビアを有する窒化アルミニウム焼結体基板を作製するときに用いたものと同じもの）を充填した。このタングステンペースト層と窒化アルミニウムペースト層の高さは同じになるようにした。

その後、１００℃で５分間、空気中で乾燥を行い、窒化アルミニウムペースト層の膜厚を測定したところ、平均膜厚は１２μｍであった。このようにして得られた、片面に「タングステンペーストが充填された孔を有する窒化アルミニウムペースト層」を有する窒化アルミニウム焼結体基板を窒素雰囲気中で１７８０℃、４時間加熱して焼成を行い、内部がタングステン焼結体で満たされた孔を有する窒化アルミニウム焼結体層を有する窒化アルミニウム基板を得た。窒化アルミニウム焼結体層の平均膜厚は８μｍであった。

そして、窒化アルミニウム焼結体層の表面に図４に示すような配線パターンを以下のようにして形成した。なお、図４においては、説明のため配線パターンの一部を示している。実際は縦・横４８孔、計２３０４個の貫通孔すべての上にこのような配線パターンが形成されている。まず、得られた窒化アルミニウム基板の表面にスパッタ装置を用いて、Ｔｉ層、Ｐｔ層、Ａｕ層をそれぞれ０．０６μｍ、０．２μｍ、０．５μｍの膜厚で、基板の両面に順次成膜した。その後、孔を有する窒化アルミニウム焼結体層が形成されている面に、ポジ型のレジストをスピンコーターを用いて塗布しレジスト層を形成した。次いで、所定のマスクパターンを用いて、窒化アルミニウム焼結体層の各孔の外周に、溝幅０．０５ｍｍ、一辺０．５ｍｍの平面視で四角環状をしたレジスト欠乏溝を形成した。このレジスト欠乏溝が形成されたレジスト層を備えた基板に対してミリング処理を行った。そして、レジスト欠乏溝部分に露出しているＴｉ層／Ｐｔ層／Ａｕ層を除去した。その後、レジストをアセトンで剥離し、導体部上の表面配線パターン７０および外側の配線パターン７２からなる配線パターンが形成された、タングステンビアを有する窒化アルミニウム基板を得た。

該基板の電気特性を検査したところ、導体部上の表面配線パターン７０と、外側の配線パターン７２とは、２３０４箇所のすべてにおいて電気絶縁性（１０ＭΩ以上）が保持されていた。

（実施例２）
実施例１と同様にして、タングステンビアを有する窒化アルミニウム焼結体基板に、窒化アルミニウムペーストの塗布、タングステンペーストの充填、および乾燥をして、片面に「タングステンペーストが充填された孔を有する窒化アルミニウムペースト層」を有する窒化アルミニウム焼結体基板を作製した。

次いで、平均粒径２．２μｍのタングステン粉末１００質量部に対して、平均粒径１．５μｍの窒化アルミニウム粉末５．３質量部、エチルセルロース１．８質量部、テルピネオール１０質量部、分散剤０．８質量部を混練し、２５℃における粘度が１００Ｐａ・ｓのタングステンペーストを準備し、該タングステンペーストを、窒化アルミニウムペースト層を有する面に、実施例１におけるメタライズ層による配線パターンと同様のパターン（図４に示した配線パターン）で印刷し、次いで１００℃で５分間、空気中で乾燥を行った。また、裏面については全面にタングステンペーストを塗布した。

得られた基板を窒素雰囲気中で１７８０℃、４時間加熱して、配線パターンが形成された、タングステンビアを有する窒化アルミニウム基板を得た。

該基板の電気特性を検査したところ、導体部上の表面配線パターン７０と、外側の配線パターン７２とは、２３０４箇所のすべてにおいて電気絶縁性（１０ＭΩ以上）が保持されていた。

（実施例３）
実施例１と同様にして、タングステンビアを有する窒化アルミニウム焼結体基板に、窒化アルミニウムペーストの塗布、タングステンペーストの充填、および乾燥をして、片面に「タングステンペーストが充填された孔を有する窒化アルミニウムペースト層」を有する窒化アルミニウム焼結体基板を作製した。このとき、窒化アルミニウムペーストの塗布は、２回重ね塗りを行った。実施例１と同様の操作で乾燥後の窒化アルミニウムペースト層の平均膜厚は２０μｍであった。そして、得られた、片面に窒化アルミニウムペースト層を有する窒化アルミニウム焼結体基板を実施例１と同様に焼成・メタライズ付与を行い、配線パターンが形成された、タングステンビアを有する窒化アルミニウム基板を得た。

得られた基板の電気特性を検査したところ、導体部上の表面配線パターン７０と、外側の配線パターン７２とは、２３０４箇所のすべてにおいて電気絶縁性（１０ＭΩ以上）が保持されていた。

（比較例１）
実施例１において、窒化アルミニウム焼結体層を形成しないで、タングステンビアを有する窒化アルミニウム焼結体基板をそのまま用いて、その両面にＴｉ層／Ｐｔ層／Ａｕ層をメタライズして、実施例１と同様にして配線パターンを形成した。

得られた基板の電気特性を検査したところ、タングステンビア上のパターンと、外側の配線パターンとは、６６４箇所においてパターンが短絡していた。また、短絡の箇所は基板の外周部がほとんどであった。

以上、現時点において、もっとも、実践的であり、かつ、好ましいと思われる実施形態に関連して本発明を説明したが、本発明は、本願明細書中に開示された実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うセラミック基板の製造方法、セラミック基板もまた本発明の技術的範囲に包含されるものとして理解されなければならない。

電子部品を搭載するための基板では、搭載される部品が小さくなることに伴い、配線パターンの更なる高精度化、高精細化が要求されている。したがって、配線パターンとビアホールとの接続箇所についても、その位置を高精度に制御し、電気的接続を確実にすることが要求されている。本発明のセラミック基板の製造方法、および、セラミック基板は、このような要求に応えることができるものである。

Claims (12)

1. ビアホール、および該ビアホールと電気的に接続する表面配線パターンを有するセラミック基板を製造するために使用されるセラミック基板を製造する方法であって、ビアホールを有するセラミック焼結体基板を準備する工程、該セラミック焼結体基板上に、底面が前記ビアホールの露出端面の少なくとも一部で構成される孔又は開口部を有するセラミック焼結体層をポストファイア法により形成する工程を含むセラミック基板の製造方法。
2. ビアホール、および該ビアホールと電気的に接続する表面配線パターンを有するセラミック基板を製造する方法であって、ビアホールを有するセラミック焼結体基板を準備する工程、該セラミック焼結体基板上に、底面が前記ビアホールの露出端面の少なくとも一部で構成される孔又は開口部を有するセラミック焼結体層をポストファイア法により形成する工程、前記孔又は開口部の内部に、前記セラミック焼結体層の表面と前記ビアホールとを電気的に接合する導体部を形成する工程、および、前記セラミック焼結体層の表面に、前記導体部と電気的に接合する表面配線パターンを形成する工程を含むセラミック基板の製造方法。
3. ビアホールを有するセラミック焼結体基板を準備する工程が、セラミックグリーンシートの所定の位置に穿孔し、金属ペーストを充填して、第１前駆体を形成し、該第１前駆体を焼成してビアホールを有する第２前駆体を形成する工程を含み、セラミック焼結体層をポストファイア法により形成する工程が、ビアホールを有するセラミック焼結体基板上に、底面が前記ビアホールの露出端面の少なくとも一部で構成される孔又は開口部を有するセラミックペースト層を形成し、該セラミックペースト層を焼成する工程を含む、請求の範囲第２項に記載の方法。
4. 前記セラミックグリーンシートおよび前記セラミックペースト層を形成するセラミックが、窒化アルミニウムである、請求の範囲第３項に記載の方法。
5. 前記導体部の形成と前記セラミック焼結体層の形成とを同時に行う、請求の範囲第２項〜第４項のいずれかに記載の方法。
6. セラミック焼結体層をポストファイア法により形成する工程において、前記孔又は開口部に金属ペーストを充填して金属ペースト層を形成し、前記セラミックペースト層を焼成すると同時に該金属ペースト層を焼成することにより、前記導体部の形成と前記セラミック焼結体層の形成とを同時に行う、請求の範囲第５項に記載の方法。
7. セラミックペースト層の形成と金属ペースト層の形成を交互に繰り返して行うと共に、第１層のセラミックペースト層の第一孔又は第一開口部の口径を前記ビアホールの口径以上として該第一孔又は第一開口部の底面に前記ビアホールの端面の全面が含まれるようにし、さらに、第１層より上に新たに形成させるセラミックペースト層の上方孔又は上方開口部の口径を、その直下の層に存在する金属ペースト層の口径よりも小さくして、該金属ペースト層の表面によって前記上方孔又は上方開口部の底面の全面が構成されるようにする、請求の範囲第６項に記載の方法。
8. 前記導体部の形成と前記表面配線パターンの形成とを同時に行う、請求の範囲第２項〜第４項のいずれかに記載の方法。
9. 前記導体部の形成と、前記セラミック焼結体層の形成と、前記表面配線パターンの形成とを同時に行う、請求の範囲第２項〜第４項のいずれかに記載の方法。
10. 前記表面配線パターンを形成する工程が、金属ペーストを印刷、焼成して、その表面にメッキを施して形成する工程、あるいは、薄膜法により配線パターンとなるメタライズ層を形成する工程、のいずれかである、請求の範囲第２項〜第９項のいずれかに記載の方法。
11. コファイア法により形成されたビアホールを有するセラミック焼結体基板、および、ポストファイア法により該セラミック焼結体基板上に形成されたセラミック焼結体層を備えたセラミック基板であって、
    前記セラミック焼結体層が、底面が前記ビアホールの露出端面の少なくとも一部で構成される孔又は開口部を有するセラミック基板。
12. コファイア法により形成されたビアホールを有するセラミック焼結体基板、ポストファイア法により該セラミック焼結体基板上に形成されたセラミック焼結体層、および該セラミック焼結体層に形成された、前記ビアホールと電気的に接合する表面配線パターンを備えたセラミック基板であって、
    前記セラミック焼結体層には底面が前記ビアホールの露出端面の少なくとも一部で構成される孔又は開口部が形成されており、該孔又は開口部の内部には前記ビアホールと前記表面配線パターンとを電気的に接合する導体部が形成されているセラミック基板。

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