JP4926887B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate.
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。 2. Description of the Related Art Conventionally, a substrate processing apparatus has been used to perform various processes on a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display device, and a glass substrate for an optical disk.
処理液を用いて基板の処理を行う基板処理装置がある。その基板処理装置には、処理液を貯留するための貯留槽および処理液の温度を調整する温調機構が設けられる（例えば特許文献１）。基板に処理を行う際には、貯留槽に貯留される処理液が温調機構を通して処理部に導かれ、処理部において基板に処理液が供給される。基板の処理に用いられた処理液は、廃棄または回収される。 There is a substrate processing apparatus for processing a substrate using a processing liquid. The substrate processing apparatus is provided with a storage tank for storing the processing liquid and a temperature control mechanism for adjusting the temperature of the processing liquid (for example, Patent Document 1). When processing the substrate, the processing liquid stored in the storage tank is guided to the processing unit through the temperature control mechanism, and the processing liquid is supplied to the substrate in the processing unit. The processing liquid used for processing the substrate is discarded or collected.
貯留槽に貯留される処理液の量が少なくなると、貯留槽に処理液が補充される。その場合、処理液の特性を確実に維持するために、貯留槽に残留する処理液を全て廃棄した後、新たな処理液が貯留槽に供給される。その際に、基板の処理が一時的に中断するダウンタイムが発生する。それにより、スループットが低下する。 When the amount of processing liquid stored in the storage tank decreases, the processing liquid is replenished to the storage tank. In that case, in order to reliably maintain the characteristics of the processing liquid, after all the processing liquid remaining in the storage tank is discarded, a new processing liquid is supplied to the storage tank. At that time, a downtime occurs in which the substrate processing is temporarily interrupted. Thereby, the throughput decreases.
このようなダウンタイムの発生を防止するために、貯留槽を２つ設け、処理部への貯留槽の接続を交互に切り替えることが行われる。この場合、一方の貯留槽から処理部へ処理液を供給する期間中に、他方の貯留槽に処理液を補充することにより、スループットの低下を防止することができる。
通常、処理液の温度を基板の処理に適した値に調整するためには、一定の時間を要する。そのため、例えば処理部に接続されていない側の貯留槽内の処理液を温調機構を通して循環させる。この場合、その貯留槽が処理部に接続された際に確実に適正な温度の処理液を基板に供給することができる。 Usually, it takes a certain time to adjust the temperature of the processing liquid to a value suitable for the processing of the substrate. Therefore, for example, the processing liquid in the storage tank on the side not connected to the processing unit is circulated through the temperature control mechanism. In this case, when the storage tank is connected to the processing unit, it is possible to reliably supply a processing liquid having an appropriate temperature to the substrate.
しかしながら、この場合には、一方の貯留槽の温度を維持するための温調機構と、他方の貯留槽の温度を維持するための温調機構とを別個に設ける必要がある。そのため、２つの温調機構を駆動するためのエネルギー（例えば電力）が必要となり、コストが増大する。 However, in this case, it is necessary to separately provide a temperature control mechanism for maintaining the temperature of one storage tank and a temperature control mechanism for maintaining the temperature of the other storage tank. Therefore, energy (for example, electric power) for driving the two temperature control mechanisms is required, and the cost increases.
本発明の目的は、低コストで貯留槽内の処理液の温度を調整することが可能な基板処理装置を提供することである。 The objective of this invention is providing the substrate processing apparatus which can adjust the temperature of the process liquid in a storage tank at low cost.
（１）本発明に係る基板処理装置は、所定の温度調整手段によって所定温度に維持されるとともに第１貯留槽に貯留された処理液を用いて基板に処理を行う基板処理装置であって、第１貯留槽とは別に予備の処理液を貯留する第２貯留槽と、第２貯留槽から処理液を導出するための第２貯留槽用導出経路と、第２貯留槽用導出経路の端部に接続され、第２貯留槽用導出経路からの処理液を第２貯留槽に戻す第２貯留槽用冷却経路と、第２貯留槽用冷却経路の途中部に介装され、第２貯留槽用冷却経路を流れる処理液を冷却するための第２貯留槽用冷却手段と、第２貯留槽用導出経路と第２貯留槽用冷却経路との接続部に接続され、第１貯留槽内を通過するように処理液を導くとともに、第１貯留槽内を通過した処理液を第２貯留槽に戻す第２貯留槽用保温経路と、第２貯留槽用導出経路、第２貯留槽用冷却経路、および第２貯留槽用保温経路の接続部に設けられ、第２貯留槽用導出経路を流れる処理液を第２貯留槽用冷却経路および第２貯留槽用保温経路のいずれか一方に選択的に導く第２貯留槽用切替手段とを備えるものである。 (1) A substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate processing apparatus for processing a substrate using a processing liquid that is maintained at a predetermined temperature by a predetermined temperature adjusting means and stored in a first storage tank. Separately from the first storage tank, a second storage tank for storing a spare processing liquid, a second storage tank lead-out path for drawing the processing liquid from the second storage tank, and an end of the second storage tank lead-out path A second storage tank cooling path for returning the processing liquid from the second storage tank lead-out path to the second storage tank, and a second storage tank cooling path interposed between the second storage tank cooling path and the second storage tank. The second storage tank cooling means for cooling the processing liquid flowing through the tank cooling path, and a connection portion between the second storage tank lead-out path and the second storage tank cooling path are connected to the inside of the first storage tank. The processing liquid is guided so as to pass through the second storage tank, and the processing liquid that has passed through the first storage tank is returned to the second storage tank. A treatment liquid that flows through the second storage tank lead-out path is provided at a connecting portion of the retention tank heat retention path, the second storage tank lead-out path, the second storage tank cooling path, and the second storage tank heat-hold path. And a second storage tank switching means that selectively leads to either the second storage tank cooling path or the second storage tank heat retention path.
その基板処理装置においては、第１貯留槽に貯留された処理液を用いて基板に処理が行われる。第１貯留槽内の処理液は所定の温度調整手段によって基板の処理に適した所定温度に維持される。第２貯留槽には、予備の処理液が貯留される。 In the substrate processing apparatus, the substrate is processed using the processing liquid stored in the first storage tank. The processing liquid in the first storage tank is maintained at a predetermined temperature suitable for substrate processing by a predetermined temperature adjusting means. A reserve processing liquid is stored in the second storage tank.
第２貯留槽内の処理液の温度が所定温度よりも高い場合、第２貯留槽内の処理液は第２貯留槽用導出経路を通して第２貯留槽用冷却経路に導かれる。第２貯留槽用冷却経路において、第２貯留槽用冷却手段により処理液が冷却される。冷却された処理液は第２貯留槽に戻される。これにより、第２貯留槽内の処理液の温度が徐々に低下する。 When the temperature of the processing liquid in the second storage tank is higher than a predetermined temperature, the processing liquid in the second storage tank is guided to the second storage tank cooling path through the second storage tank lead-out path. In the second storage tank cooling path, the processing liquid is cooled by the second storage tank cooling means. The cooled processing liquid is returned to the second storage tank. Thereby, the temperature of the process liquid in a 2nd storage tank falls gradually.
第２貯留槽内の処理液の温度が所定温度まで低下すると、第２貯留槽内の処理液が第２貯留槽用導出経路を通して第２貯留槽用保温経路に導かれる。第２貯留槽用保温経路を流れる処理液は、第１貯留槽内を通過することによって所定温度に保温される。保温された状態の処理液が第２貯留槽に戻される。これにより、第２貯留槽内の処理液の温度が所定温度よりも低くなることが防止される。 When the temperature of the processing liquid in the second storage tank decreases to a predetermined temperature, the processing liquid in the second storage tank is guided to the second storage tank heat retaining path through the second storage tank lead-out path. The processing liquid flowing through the second storage tank heat retention path is kept at a predetermined temperature by passing through the first storage tank. The heat-treated processing liquid is returned to the second storage tank. Thereby, it is prevented that the temperature of the process liquid in a 2nd storage tank becomes lower than predetermined temperature.
このように、第２貯留槽内の処理液の冷却および保温を行うことにより、精密な温調機器を用いることなく簡単な構成で第２貯留槽内の処理液の温度を所定温度に調整することができる。したがって、処理液の温度を調整するためのコストを低減することができる。 In this way, by cooling and keeping the temperature of the processing liquid in the second storage tank, the temperature of the processing liquid in the second storage tank is adjusted to a predetermined temperature with a simple configuration without using a precise temperature control device. be able to. Therefore, the cost for adjusting the temperature of the processing liquid can be reduced.
（２）基板処理装置は、第２貯留槽用導出経路または第２貯留槽用冷却経路の途中部に介装され、第２貯留槽用導出経路または第２貯留槽用冷却経路を流れる処理液の温度を計測する温度計測手段と、温度計測手段により計測された処理液の温度に基づいて第２貯留槽用切替手段を制御する制御部とをさらに備え、制御部は、温度計測手段により計測された処理液の温度が所定温度よりも高い場合に、第２貯留槽用導出経路を流れる処理液を第２貯留槽用冷却経路に導くように第２貯留槽用切替手段を制御し、温度計測手段により計測された処理液の温度が所定温度以下の場合に、第２貯留槽用導出経路を流れる処理液を第２貯留槽用保温経路に導くように第２貯留槽用切替手段を制御してもよい。 (2) The substrate processing apparatus is interposed in the middle of the second storage tank outlet path or the second storage tank cooling path, and flows through the second storage tank outlet path or the second storage tank cooling path. And a control unit for controlling the second storage tank switching unit based on the temperature of the processing liquid measured by the temperature measurement unit, and the control unit is measured by the temperature measurement unit. When the temperature of the treated liquid is higher than a predetermined temperature, the second storage tank switching means is controlled to guide the processing liquid flowing through the second storage tank lead-out path to the second storage tank cooling path, and the temperature When the temperature of the processing liquid measured by the measuring means is equal to or lower than a predetermined temperature, the second storage tank switching means is controlled to guide the processing liquid flowing through the second storage tank lead-out path to the second storage tank heat retention path. May be.
この場合、第２貯留槽内の処理液の冷却と保温とが自動的に切り替えられる。また、第２貯留槽内の処理液が第２貯留槽用冷却手段によって所定温度まで冷却された場合に第２貯留槽用保温経路に導かれるため、第２貯留槽用保温経路を流れる処理液から第１貯留槽内の処理液へ熱が与えられることが防止される。その結果、第１貯留槽内の処理液の温度が不安定になることが防止される。 In this case, cooling and heat retention of the processing liquid in the second storage tank are automatically switched. In addition, when the processing liquid in the second storage tank is cooled to a predetermined temperature by the second storage tank cooling means, the processing liquid is guided to the second storage tank heat retention path, so that the processing liquid flowing through the second storage tank heat retention path From being heated to the treatment liquid in the first storage tank. As a result, the temperature of the processing liquid in the first storage tank is prevented from becoming unstable.
（３）基板処理装置は、第１貯留槽から処理液を導出するための第１貯留槽用導出経路と、第１貯留槽用導出経路の端部に接続され、第１貯留槽用導出経路からの処理液を第１貯留槽に戻す第１貯留槽用冷却経路と、第１貯留槽用冷却経路の途中部に介装され、第１貯留槽用冷却経路を流れる処理液を冷却するための第１貯留槽用冷却手段と、第１貯留槽用導出経路と第１貯留槽用冷却経路との接続部に接続され、第２貯留槽内を通過するように処理液を導くとともに、第２貯留槽内を通過した処理液を第１貯留槽に戻す第１貯留槽用保温経路と、第１貯留槽用導出経路、第１貯留槽用冷却経路、および第１貯留槽用保温経路の接続部に設けられ、第１貯留槽用導出経路を流れる処理液を第１貯留槽用冷却経路および第１貯留槽用保温経路のいずれか一方に選択的に導く第１貯留槽用切替手段と、第１貯留槽に貯留された処理液が温度調整手段によって所定の温度に維持されるとともに基板に処理に用いられる第１の状態と、第２貯留槽に貯留された処理液が温度調整手段によって所定の温度に維持されるとともに基板に処理に用いられる第２の状態とを切り替える制御部とをさらに備えてもよい。 (3) The substrate processing apparatus is connected to the first storage tank derivation path for deriving the processing liquid from the first storage tank and the end of the first storage tank derivation path, and the first storage tank derivation path. The first storage tank cooling path for returning the processing liquid from the first storage tank to the first storage tank and the processing liquid flowing in the first storage tank cooling path that is interposed in the middle of the first storage tank cooling path The first storage tank cooling means, the first storage tank lead-out path, and the first storage tank cooling path are connected to a connecting portion, and the processing liquid is guided so as to pass through the second storage tank. (2) a first storage tank heat retention path for returning the processing liquid that has passed through the storage tank to the first storage tank, a first storage tank lead-out path, a first storage tank cooling path, and a first storage tank heat retention path; The treatment liquid that is provided in the connecting portion and flows through the first storage tank lead-out path passes through the first storage tank cooling path and the first storage tank heat retention path. The first storage tank switching means that selectively leads to one of the shifts, and the first state in which the processing liquid stored in the first storage tank is maintained at a predetermined temperature by the temperature adjustment means and used for processing on the substrate And a control unit that switches the processing liquid stored in the second storage tank to a second state used for processing on the substrate while being maintained at a predetermined temperature by the temperature adjusting means.
この場合、第１の状態では、第１貯留槽に貯留された処理液が基板の処理に用いられる。第１貯留槽内の処理液は所定の温度調整手段によって基板の処理に適した所定温度に維持される。第２貯留槽内の処理液は、第２貯留槽用冷却経路を通して第２貯留槽用冷却手段により冷却され、第２貯留槽用保温経路を通して保温される。 In this case, in the first state, the processing liquid stored in the first storage tank is used for processing the substrate. The processing liquid in the first storage tank is maintained at a predetermined temperature suitable for substrate processing by a predetermined temperature adjusting means. The processing liquid in the second storage tank is cooled by the second storage tank cooling means through the second storage tank cooling path, and is kept warm through the second storage tank heat retention path.
第２の状態では、第２貯留槽に貯留された処理液が基板の処理に用いられる。第２貯留槽内の処理液は所定の温度調整手段によって基板の処理に適した所定温度に維持される。第１貯留槽内の処理液は、第１貯留槽用冷却経路を通して第１貯留槽用冷却手段により冷却され、第１貯留槽用保温経路を通して保温される。 In the second state, the processing liquid stored in the second storage tank is used for processing the substrate. The processing liquid in the second storage tank is maintained at a predetermined temperature suitable for substrate processing by a predetermined temperature adjusting means. The processing liquid in the first storage tank is cooled by the first storage tank cooling means through the first storage tank cooling path, and is kept warm through the first storage tank heat retention path.
これにより、第１の状態で第２貯留槽に処理液を補充することができ、第２の状態で第１貯留槽に処理液を補充することができる。それにより、処理液の補充時におけるダウンタイムの発生を防止することができる。また、補充時に処理液の温度が高くなっても、低コストで補充後の処理液の温度を調整することができる。 Thereby, a process liquid can be replenished to a 2nd storage tank in a 1st state, and a process liquid can be replenished to a 1st storage tank in a 2nd state. Thereby, it is possible to prevent the occurrence of downtime at the time of replenishment of the processing liquid. Further, even if the temperature of the treatment liquid becomes high at the time of replenishment, the temperature of the treatment liquid after the replenishment can be adjusted at a low cost.
（４）第２貯留槽用導出経路および第２貯留槽用冷却経路のうち少なくとも第２貯留槽用冷却経路の一部と第１貯留槽用導出経路および第１貯留槽用冷却経路のうち少なくとも第１貯留槽用冷却経路の一部とは共通経路により構成され、第２貯留槽用冷却手段および第１貯留槽用冷却手段は、共通経路の途中部に介装された共通の冷却手段により構成され、基板処理装置は、共通経路の途中部に介装され、共通経路を流れる処理液の温度を計測する温度計測手段をさらに備え、制御部は、第１の状態において、温度計測手段により計測された処理液の温度が所定温度よりも高い場合に、第２貯留槽用導出経路を流れる処理液を第２貯留槽用冷却経路に導くように第２貯留槽用切替手段を制御し、温度計測手段により計測された処理液の温度が所定温度以下の場合に、第２貯留槽用導出経路を流れる処理液を第２貯留槽用保温経路に導くように第２貯留槽用切替手段を制御し、第２の状態において、温度計測手段により計測された処理液の温度が所定温度よりも高い場合に、第１貯留槽用導出経路を流れる処理液を第１貯留槽用冷却経路に導くように第１貯留槽用切替手段を制御し、温度計測手段により計測された処理液の温度が所定温度以下の場合に、第１貯留槽用導出経路を流れる処理液を第１貯留槽用保温経路に導くように第１貯留槽用切替手段を制御してもよい。 (4) At least a part of the second storage tank cooling path among the second storage tank lead-out path and the second storage tank cooling path and at least one of the first storage tank lead-out path and the first storage tank cooling path. A part of the cooling path for the first storage tank is constituted by a common path, and the cooling means for the second storage tank and the cooling means for the first storage tank are constituted by a common cooling means interposed in the middle part of the common path. The substrate processing apparatus is further provided with a temperature measuring unit interposed in the middle of the common path and measuring the temperature of the processing liquid flowing through the common path, and the control unit is configured by the temperature measuring unit in the first state. When the measured temperature of the processing liquid is higher than a predetermined temperature, the second storage tank switching means is controlled so as to guide the processing liquid flowing through the second storage tank lead-out path to the second storage tank cooling path, The temperature of the processing solution measured by the temperature measuring means When the temperature is equal to or lower than the constant temperature, the second storage tank switching means is controlled so as to guide the processing liquid flowing through the second storage tank lead-out path to the second storage tank heat retention path, and in the second state, the temperature measurement means When the temperature of the processing liquid measured by the above is higher than a predetermined temperature, the first storage tank switching means is controlled so as to guide the processing liquid flowing through the first storage tank lead-out path to the first storage tank cooling path. When the temperature of the processing liquid measured by the temperature measuring means is equal to or lower than a predetermined temperature, the first storage tank switching means is configured to guide the processing liquid flowing through the first storage tank lead-out path to the first storage tank heat retention path. May be controlled.
この場合、第１貯留槽用冷却経路および第２貯留槽用冷却経路に共通の冷却手段が用いられるとともに、共通の温度計測手段によって第１貯留槽および第２貯留槽から導かれる処理液の温度が計測される。それにより、構成が簡略化されるとともに部品点数が削減される。その結果、コストをさらに低減することができる。 In this case, a common cooling means is used for the cooling path for the first storage tank and the cooling path for the second storage tank, and the temperature of the processing liquid guided from the first storage tank and the second storage tank by the common temperature measurement means. Is measured. This simplifies the configuration and reduces the number of parts. As a result, the cost can be further reduced.
また、第１の状態において、第２貯留槽内の処理液が所定温度まで冷却された場合に第２貯留槽用保温経路に導かれるため、第２貯留槽用保温経路を流れる処理液から第１貯留槽内の処理液へ熱が与えられることが防止される。したがって、第１貯留槽内の処理液の温度が不安定になることが防止される。 Further, in the first state, when the processing liquid in the second storage tank is cooled to a predetermined temperature, it is led to the second storage tank heat retaining path, so that the processing liquid flowing through the second storage tank heat retaining path is Heat is prevented from being applied to the treatment liquid in one storage tank. Therefore, the temperature of the processing liquid in the first storage tank is prevented from becoming unstable.
同様に、第２の状態において、第１貯留槽内の処理液が所定温度まで冷却された場合に第１貯留槽用保温経路に導かれるため、第１貯留槽用保温経路を流れる処理液から第２貯留槽内の処理液へ熱が与えられることが防止される。したがって、第２貯留槽内の処理液の温度が不安定になることが防止される。 Similarly, in the second state, when the processing liquid in the first storage tank is cooled to a predetermined temperature, the processing liquid is guided to the first storage tank heat retention path. Heat is prevented from being applied to the treatment liquid in the second storage tank. Therefore, it becomes possible to prevent the temperature of the processing liquid in the second storage tank from becoming unstable.
（５）基板処理装置は、第１貯留槽に貯留された処理液を基板に導く第１貯留槽用処理経路と、第１貯留槽に貯留された処理液を第１貯留槽用導出経路および第１貯留槽用処理経路の一方に選択的に導く第１貯留槽用処理切替手段と、第２貯留槽に貯留された処理液を基板に導く第２貯留槽用処理経路と、第２貯留槽に貯留された処理液を第２貯留槽用導出経路および第２貯留槽用処理経路の一方に選択的に導く第２貯留槽用処理切替手段とをさらに備え、制御部は、第１貯留槽用処理切替手段および第２貯留槽用処理切替手段を制御することによって第１の状態と第２の状態とを切り替えてもよい。 (5) The substrate processing apparatus includes: a first storage tank processing path for guiding the processing liquid stored in the first storage tank to the substrate; a processing liquid stored in the first storage tank; First storage tank processing switching means that selectively leads to one of the first storage tank processing paths, a second storage tank processing path that guides the processing liquid stored in the second storage tank to the substrate, and a second storage And a second storage tank processing switching means that selectively guides the processing liquid stored in the tank to one of the second storage tank lead-out path and the second storage tank processing path. The first state and the second state may be switched by controlling the tank processing switching means and the second storage tank processing switching means.
この場合、第１貯留槽内の処理液が第１貯留槽用処理経路に導かれるとともに第２貯留槽内の処理液が第２貯留槽用導出経路に導かれることにより基板処理装置が第１の状態となる。また、第２貯留槽内の処理液が第２貯留槽用処理経路に導かれるとともに第１貯留槽内の処理液が第１貯留槽用導出経路に導かれることにより基板処理装置が第２の状態となる。したがって、第１の状態と第２の状態とを確実に切り替えることができる。 In this case, the processing liquid in the first storage tank is guided to the first storage tank processing path, and the processing liquid in the second storage tank is guided to the second storage tank lead-out path, whereby the substrate processing apparatus is the first. It becomes the state of. Further, the processing liquid in the second storage tank is guided to the second storage tank processing path, and the processing liquid in the first storage tank is guided to the first storage tank lead-out path, whereby the substrate processing apparatus is It becomes a state. Therefore, it is possible to reliably switch between the first state and the second state.
（６）基板処理装置は、第１貯留槽における処理液の貯留量が第１の値以下になったことを検出する第１貯留槽用検出手段と、第２貯留槽における処理液の貯留量が第２の値以下になったことを検出する第２貯留槽用検出手段とをさらに備え、制御部は、第１貯留槽用検出手段の検出に応答して第１の状態を第２の状態に切り替え、第２貯留槽用検出手段の検出に応答して第２の状態を第１の状態に切り替えるように、第１貯留槽用処理切替手段および第２貯留槽用処理切替手段を制御してもよい。 (6) The substrate processing apparatus includes a first storage tank detecting unit that detects that the storage amount of the processing liquid in the first storage tank is equal to or less than the first value, and the storage amount of the processing liquid in the second storage tank. And a second storage tank detecting means for detecting that the first value is equal to or lower than the second value, and the control unit changes the first state in response to the detection by the first storage tank detection means. The first storage tank processing switching means and the second storage tank processing switching means are controlled so as to switch to the state and switch the second state to the first state in response to the detection of the second storage tank detection means. May be.
この場合、第１貯留槽内の処理液の残量が少なくなったときに自動的に第１貯留槽に代えて第２貯留槽内の処理液を基板に導くことができ、第２貯留槽内の処理液の残量が少なくなったときに自動的に第２貯留槽に代えて第１貯留槽内の処理液を基板に導くことができる。それにより、処理液の補充時におけるダウンタイムの発生を確実に防止することができるとともに、適切なタイミングで第１貯留槽および第２貯留槽に処理液を補充することができる。 In this case, when the remaining amount of the processing liquid in the first storage tank decreases, the processing liquid in the second storage tank can be automatically guided to the substrate instead of the first storage tank, and the second storage tank The processing liquid in the first storage tank can be automatically guided to the substrate instead of the second storage tank when the remaining amount of the processing liquid in the storage tank decreases. Accordingly, it is possible to reliably prevent the occurrence of downtime at the time of replenishment of the processing liquid, and it is possible to replenish the processing liquid to the first storage tank and the second storage tank at an appropriate timing.
（７）基板処理装置は、第１貯留槽用検出手段の検出に応答して第１貯留槽内の処理液を排出する第１貯留槽用排出手段と、第１貯留槽内の処理液の排出後に第１貯留槽に処理液を供給する第１貯留槽用供給手段と、第２貯留量検出手段の検出に応答して第２貯留槽内の処理液を排出する第２貯留槽用排出手段と、第２貯留槽内の処理液の排出後に第２貯留槽に処理液を供給する第２貯留槽用供給手段とをさらに備えてもよい。 (7) The substrate processing apparatus includes a first storage tank discharge means for discharging the processing liquid in the first storage tank in response to detection by the first storage tank detection means, and a treatment liquid in the first storage tank. First storage tank supply means for supplying the processing liquid to the first storage tank after discharge, and second storage tank discharge for discharging the processing liquid in the second storage tank in response to detection by the second storage amount detection means You may further provide a means and the supply means for 2nd storage tanks which supply a process liquid to a 2nd storage tank after discharge | emissioning the process liquid in a 2nd storage tank.
この場合、第１貯留槽内の処理液の残量が少なくなったときに、自動的に第１貯留槽内に残留する処理液を一旦排出し、その後、新たに第１貯留槽に処理液を供給することができる。同様に、第２貯留槽内の処理液の残量が少なくなったときに、自動的に第２貯留槽内に残留する処理液を一旦排出し、その後、新たに第２貯留槽に処理液を供給することができる。それにより、処理液の特性を劣化させることなく効率良く処理液を第１貯留槽および第２貯留槽に補充することができる。 In this case, when the remaining amount of the processing liquid in the first storage tank decreases, the processing liquid remaining in the first storage tank is automatically discharged once, and then the processing liquid is newly added to the first storage tank. Can be supplied. Similarly, when the remaining amount of the processing liquid in the second storage tank decreases, the processing liquid remaining in the second storage tank is automatically discharged once, and then the processing liquid is newly added to the second storage tank. Can be supplied. Thereby, the processing liquid can be efficiently replenished to the first storage tank and the second storage tank without deteriorating the characteristics of the processing liquid.
本発明によれば、精密な温調機器を用いることなく簡単な構成で貯留槽内の処理液の温度を所定温度に調整することができる。したがって、処理液の温度を調整するためのコストを低減することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the temperature of the process liquid in a storage tank can be adjusted to predetermined temperature with a simple structure, without using a precise temperature control apparatus. Therefore, the cost for adjusting the temperature of the processing liquid can be reduced.
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。 In the following description, a substrate refers to a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a PDP (plasma display panel), a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, and the like.
（１）基板処理装置の構成
図１は、本実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、互いに隣接するインデクサＩＤおよび処理部ＰＲを有する。インデクサＩＤにおいては、処理部ＰＲの一端に隣接するように、水平方向の第１の軸Ｓａに沿って延びる基板搬送路１９０が形成されている。基板搬送路１９０の側辺に沿って、キャリア載置部１Ｓが設けられている。キャリア載置部１Ｓには、複数の基板Ｗを収納する４つのキャリア１が載置される。
(1) Configuration of Substrate Processing Apparatus FIG. 1 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, the
基板搬送路１９０内には、４つのキャリア１と処理部ＰＲとの間で基板Ｗを搬送するインデクサロボットＩＲが設けられている。インデクサロボットＩＲは、基板搬送路１９０内で第1の軸Ｓａに沿って移動可能に構成されている。
In the
インデクサＩＤの一部には、制御部４が配置されている。制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、基板処理装置１００の各構成要素を制御する。
A control unit 4 is arranged in a part of the indexer ID. The control unit 4 includes a computer including a CPU (Central Processing Unit) and controls each component of the
処理部ＰＲの中央部には、基板搬送ロボットＣＲが設けられている。基板搬送ロボットＣＲを取り囲むように洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈおよび受け渡し部３が設けられている。洗浄処理ユニット５ａ〜５ｄは洗浄処理ユニット５ｅ〜５ｈ上に積層されており、洗浄処理ユニット５ａ，５ｂ，５ｅ，５ｆと洗浄処理ユニット５ｄ，５ｃ，５ｈ，５ｇとは基板搬送ロボットＣＲを挟んでそれぞれ対向している。
A substrate transport robot CR is provided at the center of the processing unit PR.
処理部ＰＲの四隅には、流体ボックス部２ａ〜２ｄが設けられている。流体ボックス部２ａ〜２ｄの各々は、洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈへの処理液の供給および洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈからの処理液の廃棄等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調整器等の流体関連機器を収納する。また、処理部ＰＲに隣接するように、タンク収容部ＴＲが設けられている。タンク収容部ＴＲには、処理液を貯留する処理液タンクが収容されている。処理液タンクの詳細については後述する。
洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈは、流体ボックス部２ａ〜２ｄから供給される処理液を用いて基板Ｗの処理を行う。本実施の形態では、過酸化水素水、フッ酸、硫酸および純水を混合して生成されるＨＳＭ（フッ酸、過酸化水素、および硫酸の混合水溶液）を処理液として用いる。
The
受け渡し部３は、上記第１の軸Ｓａに直交する水平方向の第２の軸Ｓｂに沿って延びるように配置されている。受け渡し部３は、搬送レール３ａおよびシャトル搬送機構３ｂを含む。搬送レール３ａは、第２の軸Ｓｂに沿って延びている。シャトル搬送機構３ｂは、基板Ｗを保持しつつ搬送レール３ａ上を往復移動し、インデクサロボットＩＲと基板搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。
The
このような構成において、インデクサロボットＩＲは、キャリア１から処理前の基板Ｗを取り出してシャトル搬送機構３ｂに渡す。また、処理後の基板Ｗをシャトル搬送機構３ｂから受け取ってキャリア１に戻す。
In such a configuration, the indexer robot IR takes out the unprocessed substrate W from the
シャトル搬送機構３ｂは、インデクサロボットＩＲから受け取った処理前の基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲに渡す。また、処理後の基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってインデクサロボットＩＲに渡す。
The
基板搬送ロボットＣＲは、シャトル搬送機構３ｂから受け取った基板Ｗを処理部５ａ〜５ｈの１つに搬入する。また、処理後の基板Ｗを処理部５ａ〜５ｈの１つから搬出してシャトル搬送機構３ｂに渡す。
The substrate transport robot CR carries the substrate W received from the
（２）基板処理装置の配管系統
次に、基板処理装置１００の配管系統について説明する。図２は、基板処理装置１００の配管系統を示す模式図である。
(2) Piping system of substrate processing apparatus Next, a piping system of the
図２に示すように、基板処理装置１００は、処理液タンクＴＡ，ＴＢを備える。処理液タンクＴＡ，ＴＢは、図１のタンク収容部ＴＲに収容されている。
As shown in FIG. 2, the
処理液タンクＴＡには、過酸化水素水が供給管５１を通して供給され、フッ酸が供給管５２を通して供給され、硫酸が供給管５３を通して供給され、純水が供給管５４を通して供給される。処理液タンクＴＡ内で過酸化水素水、フッ酸、硫酸および純水が混合され、処理液としてＨＳＭが生成される。生成された処理液は処理液タンクＴＡに貯留される。供給管５１，５２，５３，５４には、バルブＶ３１，Ｖ３２，Ｖ３３，Ｖ３４がそれぞれ介挿されている。
Hydrogen peroxide solution is supplied to the treatment liquid tank TA through the
また、処理液タンクＴＡには、貯留量センサＳＥ１ａ，ＳＥ１ｂが設けられている。貯留量センサＳＥ１ａは、処理液タンクＴＡ内の処理液の貯留量が予め定められた上限値以上であることを検出する。貯留量センサＳＥ１ｂは、処理液タンクＴＡ内の処理液の貯留量が予め定められた下限値以下であることを検出する。 The treatment liquid tank TA is provided with storage amount sensors SE1a and SE1b. The storage amount sensor SE1a detects that the storage amount of the processing liquid in the processing liquid tank TA is greater than or equal to a predetermined upper limit value. The storage amount sensor SE1b detects that the storage amount of the processing liquid in the processing liquid tank TA is equal to or less than a predetermined lower limit value.
処理液タンクＴＢには、過酸化水素水が供給管５５を通して供給され、フッ酸が供給管５６を通して供給され、硫酸が供給管５７を通して供給され、純水が供給管５８を通して供給される。処理液タンクＴＢ内で過酸化水素水、フッ酸、硫酸および純水が混合され、処理液としてＨＳＭが生成される。生成された処理液は処理液タンクＴＢに貯留される。供給管５５，５６，５７，５８には、バルブＶ３５，Ｖ３６，Ｖ３７，Ｖ３８がそれぞれ介挿されている。
Hydrogen peroxide solution is supplied to the treatment liquid tank TB through the
また、処理液タンクＴＢには、貯留量センサＳＥ２ａ，ＳＥ２ｂが設けられている。貯留量センサＳＥ２ａは、処理液タンクＴＢ内の処理液の貯留量が上限値以上であることを検出する。貯留量センサＳＥ２ｂは、処理液タンクＴＢ内の処理液の貯留量が下限値以下であることを検出する。以下の説明において、過酸化水素水、フッ酸、硫酸および純水を原液と呼ぶ。 The processing liquid tank TB is provided with storage amount sensors SE2a and SE2b. The storage amount sensor SE2a detects that the storage amount of the processing liquid in the processing liquid tank TB is greater than or equal to the upper limit value. The storage amount sensor SE2b detects that the storage amount of the processing liquid in the processing liquid tank TB is equal to or lower than the lower limit value. In the following description, hydrogen peroxide solution, hydrofluoric acid, sulfuric acid, and pure water are referred to as a stock solution.
処理液タンクＴＡ内には、配管１１の一端が延びている。処理液タンクＴＢ内には、配管１２の一端が延びている。配管１１，１２の他端は、配管１３の一端に接続されている。配管１１にはバルブＶ１が介挿され、配管１２にはバルブＶ２が介挿されている。
One end of the
配管１３には、下流に向かって順にポンプＰ１および熱交換器Ｓ１が介挿されている。熱交換器Ｓ１は、例えばペルチェ素子を含み、配管１３を通る処理液の温度を調整する。熱交換器Ｓ１には、配管３１，３２が接続されている。配管３１を通して熱交換器Ｓ１に冷却媒体（例えば純水）が供給されることにより、熱交換器Ｓ１の温度の上昇が抑制される。使用された冷却媒体は、配管３２を通して後述の簡易式熱交換器Ｓ２に導かれる。
A pump P1 and a heat exchanger S1 are inserted in the
配管１３の他端は、配管１４，１５，１６に分岐している。配管１４は洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈに延びている。配管１５，１６は、処理液タンクＴＡ，ＴＢにそれぞれ延びている。配管１４にはバルブＶ３が介挿され、配管１５にはバルブＶ４が介挿され、配管１６にはバルブＶ５が介挿されている。
The other end of the
処理液タンクＴＡの底部には、配管１７の一端が接続されている。処理液タンクＴＢの底部には、配管１８の一端が接続されている。配管１７，１８の他端は、配管１９の一端に接続されている。配管１７にはバルブＶ６が介挿され、配管１８にはバルブＶ７が介挿されている。配管１９には、ポンプＰ２が介挿されている。配管１９の他端は、配管２１，２２，２３に分岐している。
One end of a
配管２１には、バルブＶ８が介挿されている。バルブＶ８の下流における配管２１の部分は、処理液タンクＴＡ内を通過して処理液タンクＴＢに延びている。配管２２には、バルブＶ９が介挿されている。バルブＶ９の下流における配管２２の部分は、処理液タンクＴＢ内を通過して処理液タンクＴＡに延びている。
A valve V8 is inserted in the
配管２３には、下流に向かって順にバルブＶ１０および簡易式熱交換器Ｓ２が介挿されている。簡易式熱交換器Ｓ２には、上記の熱交換器Ｓ１から延びる配管３２および配管３３が接続されている。
A valve V10 and a simple heat exchanger S2 are inserted in the
熱交換器Ｓ１において使用された冷却媒体は、配管３２を通して簡易式熱交換器Ｓ２に導かれる。簡易式熱交換器Ｓ２は、その冷却媒体を用いて配管２３を通る処理液を冷却する。簡易式熱交換器Ｓ２において使用された冷却媒体は、配管３３を通して排出される。簡易式熱交換器Ｓ２の具体例については後述する。
The cooling medium used in the heat exchanger S1 is guided to the simplified heat exchanger S2 through the
簡易式熱交換器Ｓ２の下流における配管２３の部分には、液温センサＳＥ３が接続されている。液温センサＳＥ３は、簡易式熱交換器Ｓ２によって冷却された処理液の温度を計測する。
A liquid temperature sensor SE3 is connected to a portion of the
配管２３の下流端は、配管２４，２５に分岐している。配管２４は処理液タンクＴＡに延び、配管２５は処理液タンクＴＢに延びている。配管２４にはバルブＶ１１が介挿され、配管２５にはバルブＶ１２が介挿されている。
The downstream end of the
処理液タンクＴＡの底部には排出管４１が接続され、処理液タンクＴＢの底部には排出管４２が接続されている。排出管４１にはバルブＶ１３が介挿され、排出管４２にはバルブＶ１４が介挿されている。排出管４１，４２を通して、処理液タンクＴＡ，ＴＢ内の処理液がそれぞれ排出される。
A
（３）簡易式熱交換器の具体例
次に、簡易式熱交換器Ｓ２の具体的な構成について説明する。図３は、簡易式熱交換器Ｓ２の具体的な構成の一例を示す断面図である。
(3) Specific Example of Simple Heat Exchanger Next, a specific configuration of the simple heat exchanger S2 will be described. FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of a specific configuration of the simplified heat exchanger S2.
図３に示す簡易式熱交換器Ｓ２は、配管２３の一部分を取り囲むように設けられている。簡易式熱交換器Ｓ２の内部には、配管２３の外周面に沿って冷却媒体流路Ｆ１が形成されている。冷却媒体流路Ｆ１の一端から外部に貫通するように接続孔Ｆ２が形成され、冷却媒体流路Ｆ１の他端から外部に貫通するように接続孔Ｆ３が形成されている。接続孔Ｆ１に配管３２が接続され、接続孔Ｆ２に配管３３が接続される。
The simple heat exchanger S <b> 2 shown in FIG. 3 is provided so as to surround a part of the
上記の熱交換器Ｓ１（図２）で使用された冷却媒体が、配管３２から冷却媒体流路Ｆ１に流入する。その冷却媒体によって配管２３が冷却される。それにより、配管２３内を流れる処理液の温度が低下する。
The cooling medium used in the heat exchanger S1 (FIG. 2) flows from the
（４）基板処理装置１００の制御系
図４は、基板処理装置１００の制御系の構成を示すブロック図である。図４に示すように、貯留量センサＳＥ１ａ，ＳＥ１ｂは、処理液タンクＴＡ（図２）内における処理液の貯留量が上限値であることを示す検出信号および下限値であることを示す検出信号を制御部４に与える。同様に、貯留量センサＳＥ２ａ，ＳＥ２ｂは、処理液タンクＴＢ内における処理液の貯留量が上限値であることを示す検出信号および下限値であることを示す検出信号を制御部４に与える。
(4) Control System of
液温センサＳＥは、簡易式熱交換器Ｓ２（図２）により冷却された処理液の温度の計測値を計測信号として制御部４に与える。これらの検出信号および計測信号に基づいて、制御部４がバルブＶ１〜Ｖ１４，Ｖ３１〜Ｖ３８の開閉を制御する。 The liquid temperature sensor SE gives a measured value of the temperature of the processing liquid cooled by the simple heat exchanger S2 (FIG. 2) to the control unit 4 as a measurement signal. Based on these detection signals and measurement signals, the control unit 4 controls the opening and closing of the valves V1 to V14 and V31 to V38.
（５）バルブの切り替え
次に、制御部４による各バルブの切り替え動作について説明する。図５は、制御部４によるバルブ制御処理のフローチャートである。図６〜図９は、処理液の流れを模式的に示す図である。
(5) Valve switching Next, the switching operation of each valve by the control unit 4 will be described. FIG. 5 is a flowchart of the valve control process by the control unit 4. 6 to 9 are diagrams schematically illustrating the flow of the processing liquid.
本例では、処理液タンクＴＡに処理液が貯留されており、処理液タンクＴＢに処理液が貯留されていない状態を初期状態とする。また、図６〜図９において、供給管ＲＬは供給管５１〜５４（図２）に対応し、供給管ＲＲは供給管５５〜５８（図２）に対応する。また、バルブＶＬはバルブＶ３１〜Ｖ３４（図２）に対応し、バルブＶＲはバルブＶ３５〜Ｖ３８（図２）に対応する。また、黒丸はバルブが閉じた状態を示し、白丸はバルブが開いた状態を示す。
In this example, the processing liquid is stored in the processing liquid tank TA, and the state in which the processing liquid is not stored in the processing liquid tank TB is set as an initial state. 6 to 9, the supply pipe RL corresponds to the
まず、制御部４は、バルブＶ１〜Ｖ１４，ＶＬ，ＶＲを図６（ａ）に示す第１状態に設定する（図５のステップＳ１）。 First, the control unit 4 sets the valves V1 to V14, VL, VR to the first state shown in FIG. 6A (step S1 in FIG. 5).
図６（ａ）に示すように、第１状態では、バルブＶ１，Ｖ４，ＶＲが開かれ、それ以外のバルブが閉じられる。この場合、処理液タンクＴＡ内の処理液が、ポンプＰ１の動作により配管１１，１３を通して熱交換器Ｓ１に導かれる。
As shown in FIG. 6A, in the first state, the valves V1, V4, VR are opened and the other valves are closed. In this case, the processing liquid in the processing liquid tank TA is guided to the heat exchanger S1 through the
熱交換器Ｓ１に導かれた処理液は、基板Ｗの処理に最適な温度Ｔ１に調整される。本実施の形態では、温度Ｔ１が、環境温度よりも高い値（例えば２５〜３０℃）に設定される。熱交換器Ｓ１により温調された処理液は、配管１５を通して処理液タンクＴＡに戻される。これにより、処理液タンクＴＡ内の処理液が、温度Ｔ１に維持される。以下、処理液タンクＴＡおよび配管１３，１４，１５により形成される処理液の循環経路を第１の循環経路と呼ぶ。
The processing liquid guided to the heat exchanger S1 is adjusted to a temperature T1 that is optimal for processing the substrate W. In the present embodiment, the temperature T1 is set to a value (for example, 25 to 30 ° C.) higher than the environmental temperature. The processing liquid whose temperature is adjusted by the heat exchanger S1 is returned to the processing liquid tank TA through the
一方、処理液タンクＴＢ内に、供給管ＲＲ（配管３５〜３８）を通して原液（過酸化水素水、フッ酸、硫酸および純水）が供給される。これにより、処理液タンクＴＢ内において処理液（ＨＳＭ）が生成される。生成時における処理液の温度は、例えば４０℃〜５０℃である。 On the other hand, the stock solution (hydrogen peroxide solution, hydrofluoric acid, sulfuric acid, and pure water) is supplied into the processing solution tank TB through the supply pipe RR (pipes 35 to 38). Thereby, the processing liquid (HSM) is generated in the processing liquid tank TB. The temperature of the treatment liquid at the time of generation is, for example, 40 ° C to 50 ° C.
続いて、制御部４は、貯留量センサＳＥ２ａ（図２）からの検出信号に基づいて、処理液タンクＴＢ内の処理液の貯留量が上限値以上であるか否かを判定する（図５のステップＳ２）。 Subsequently, the control unit 4 determines whether or not the storage amount of the processing liquid in the processing liquid tank TB is equal to or higher than the upper limit value based on the detection signal from the storage amount sensor SE2a (FIG. 2) (FIG. 5). Step S2).
処理液タンクＴＢ内の処理液の貯留量が上限値よりも少ない場合、制御部４は、ステップＳ２の処理を繰り返す。処理液タンクＴＢ内の処理液の貯留量が上限値以上である場合、制御部４は、バルブＶ１〜Ｖ１４，ＶＬ，ＶＲを図６（ｂ）に示す第２状態に設定する（図５のステップＳ３）。 When the storage amount of the processing liquid in the processing liquid tank TB is less than the upper limit value, the control unit 4 repeats the process of step S2. When the storage amount of the processing liquid in the processing liquid tank TB is greater than or equal to the upper limit value, the control unit 4 sets the valves V1 to V14, VL, VR to the second state shown in FIG. 6B (FIG. 5). Step S3).
図６（ｂ）に示すように、第２状態では、バルブＶ１，Ｖ４，Ｖ７，Ｖ１０，Ｖ１２が開かれ、それ以外のバルブが閉じられる。この場合、処理液タンクＴＡ内の処理液は、上記第１状態と同様に、第１の循環経路を循環する。 As shown in FIG. 6B, in the second state, the valves V1, V4, V7, V10, and V12 are opened, and the other valves are closed. In this case, the processing liquid in the processing liquid tank TA circulates through the first circulation path as in the first state.
処理液タンクＴＢ内の処理液は、ポンプＰ２の動作により配管１８，１９，２３を通して簡易式熱交換器Ｓ２に導かれる。簡易式熱交換器Ｓ２により温調（冷却）された処理液は、配管２３，２５を通して処理液タンクＴＢに戻される。以下、処理液タンクＴＢおよび配管１８，１９，２３，２５により形成される処理液の循環経路を第２の循環経路と呼ぶ。
The processing liquid in the processing liquid tank TB is guided to the simplified heat exchanger S2 through the
上記のように、簡易式熱交換器Ｓ２は配管２３を通る処理液の温度を低下させる。そのため、処理液タンクＴＢ内の処理液が第２の循環経路を循環することにより、処理液タンクＴＢ内の処理液の温度が徐々に低下する。
As described above, the simple heat exchanger S2 reduces the temperature of the processing liquid passing through the
続いて、制御部４は、液温センサＳＥ３（図２）からの制御信号に基づいて、簡易式熱交換器Ｓ２によって冷却された処理液の温度が予め定められた規定値Ｎ１以下であるか否かを判定する（図５のステップＳ４）。規定値Ｎ１は、上記の温度Ｔ１（例えば２５〜３０℃）と同じかまたは温度Ｔ１よりもやや高く設定される。 Subsequently, the control unit 4 determines whether the temperature of the processing liquid cooled by the simplified heat exchanger S2 is equal to or lower than a predetermined specified value N1 based on a control signal from the liquid temperature sensor SE3 (FIG. 2). It is determined whether or not (step S4 in FIG. 5). The specified value N1 is set to be the same as the temperature T1 (for example, 25 to 30 ° C.) or slightly higher than the temperature T1.
処理液の温度が規定値Ｎ１より高い場合、制御部４は、ステップＳ３の処理を繰り返す。処理液の温度が規定値Ｎ１以下である場合、制御部４は、バルブＶ１〜Ｖ１４，ＶＬ，ＶＲを図７（ｃ）に示す第３状態に設定する（図５のステップＳ５）。 When the temperature of the processing liquid is higher than the specified value N1, the control unit 4 repeats the process of step S3. When the temperature of the processing liquid is equal to or less than the specified value N1, the control unit 4 sets the valves V1 to V14, VL, VR to the third state shown in FIG. 7C (step S5 in FIG. 5).
図７（ｃ）に示すように、第３状態では、バルブＶ１，Ｖ４，Ｖ７，Ｖ８が開かれ、それ以外のバルブが閉じられる。この場合、処理液タンクＴＡ内の処理液は、上記第１状態と同様に、第１の循環経路を循環する。 As shown in FIG. 7C, in the third state, the valves V1, V4, V7, and V8 are opened, and the other valves are closed. In this case, the processing liquid in the processing liquid tank TA circulates through the first circulation path as in the first state.
処理液タンクＴＢ内の処理液は、ポンプＰ２の動作により配管１８，１９，２１を通して処理液タンクＴＢに戻される。配管２１は処理液タンクＴＡ内を通過するので、配管２１を流れる処理液は、処理液タンクＴＡ内の処理液によって温調される。上記のように、処理液タンクＴＡ内の処理液は、温度Ｔ１に維持されている。したがって、配管２１を通して循環される処理液タンクＴＢ内の処理液が、ほぼ温度Ｔ１に維持される。以下、処理液タンクＴＢおよび配管１８，１９，２１により形成される処理液の循環経路を第３の循環経路と呼ぶ。
The processing liquid in the processing liquid tank TB is returned to the processing liquid tank TB through the
続いて、制御部４は、貯留量センサＳＥ１ｂからの検出信号に基づいて、処理液タンクＴＡ内の処理液の貯留量が下限値以下であるか否かを判定する（図５のステップＳ６）。 Subsequently, the control unit 4 determines whether or not the storage amount of the processing liquid in the processing liquid tank TA is equal to or lower than the lower limit value based on the detection signal from the storage amount sensor SE1b (step S6 in FIG. 5). .
処理液タンクＴＡ内の処理液の貯留量が下限値より多い場合、制御部４は、ステップＳ６の処理を繰り返す。処理液タンクＴＡ内の処理液の貯留量が下限値以下である場合、制御部４は、バルブＶ１〜Ｖ１４，ＶＬ，ＶＲを図７（ｄ）に示す第４状態に設定する（図５のステップＳ７）。 When the storage amount of the processing liquid in the processing liquid tank TA is larger than the lower limit value, the control unit 4 repeats the process of step S6. When the storage amount of the processing liquid in the processing liquid tank TA is equal to or lower than the lower limit value, the control unit 4 sets the valves V1 to V14, VL, VR to the fourth state shown in FIG. 7D (FIG. 5). Step S7).
図７（ｄ）に示すように、第４状態では、バルブＶ２，Ｖ５，Ｖ１３が開かれ、それ以外のバルブが閉じられる。この場合、処理液タンクＴＡ内に残留する処理液が排出管４１を通して排出される。
As shown in FIG. 7 (d), in the fourth state, the valves V2, V5, V13 are opened and the other valves are closed. In this case, the processing liquid remaining in the processing liquid tank TA is discharged through the
一方、処理液タンクＴＢ内の処理液が、ポンプＰ１の動作により配管１２，１３を通して熱交換器Ｓ１に導かれる。熱交換器Ｓ１に導かれた処理液は、上記の温度Ｔ１に調整される。熱交換器Ｓ１により温調された処理液は、配管１６を通して処理液タンクＴＢに戻される。これにより、処理液タンクＴＢ内の処理液が、温度Ｔ１に維持される。以下、処理液タンクＴＢおよび配管１２，１３，１６により形成される処理液の循環経路を第４の循環経路と呼ぶ。
On the other hand, the processing liquid in the processing liquid tank TB is guided to the heat exchanger S1 through the
続いて、制御部４は、バルブＶ１〜Ｖ１４，ＶＬ，ＶＲを図８（ａ）に示す第５状態に設定する（図５のステップＳ８）。 Subsequently, the control unit 4 sets the valves V1 to V14, VL, VR to the fifth state shown in FIG. 8A (step S8 in FIG. 5).
図８（ｅ）に示すように、第５状態では、バルブＶ２，Ｖ５，ＶＬが開かれ、それ以外のバルブが閉じられる。この場合、処理液タンクＴＢ内の処理液は、上記第４状態と同様に、第４の循環経路を循環する。 As shown in FIG. 8E, in the fifth state, the valves V2, V5, and VL are opened, and the other valves are closed. In this case, the processing liquid in the processing liquid tank TB circulates through the fourth circulation path as in the fourth state.
一方、処理液タンクＴＡ内に、供給管ＲＬ（配管３１〜３４）を通して原液（過酸化水素水、フッ酸、硫酸および純水）が供給される。これにより、処理液タンクＴＡ内において処理液（ＨＳＭ）が生成される。生成時における処理液の温度は、例えば４０℃〜５０℃である。 On the other hand, the stock solution (hydrogen peroxide solution, hydrofluoric acid, sulfuric acid, and pure water) is supplied into the treatment liquid tank TA through the supply pipe RL (pipes 31 to 34). Thereby, the processing liquid (HSM) is generated in the processing liquid tank TA. The temperature of the treatment liquid at the time of generation is, for example, 40 ° C to 50 ° C.
続いて、制御部４は、貯留量センサＳＥ１ａ（図２）からの検出信号に基づいて、処理液タンクＴＡ内の処理液の貯留量が上限値以上であるか否かを判定する（図５のステップＳ９）。 Subsequently, the control unit 4 determines whether or not the storage amount of the processing liquid in the processing liquid tank TA is equal to or higher than the upper limit value based on the detection signal from the storage amount sensor SE1a (FIG. 2) (FIG. 5). Step S9).
処理液タンクＴＡ内の処理液の貯留量が上限値よりも少ない場合、制御部４は、ステップＳ９の処理を繰り返す。処理液タンクＴＡ内の処理液の貯留量が上限値以上である場合、制御部４は、バルブＶ１〜Ｖ１４，ＶＬ，ＶＲを図８（ｆ）に示す第６状態に設定する（図５のステップＳ１０）。 When the storage amount of the processing liquid in the processing liquid tank TA is less than the upper limit value, the control unit 4 repeats the process of step S9. When the storage amount of the processing liquid in the processing liquid tank TA is equal to or higher than the upper limit value, the control unit 4 sets the valves V1 to V14, VL, VR to the sixth state shown in FIG. Step S10).
図８（ｆ）に示すように、第６状態では、バルブＶ２，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ１０，Ｖ１１が開かれ、それ以外のバルブが閉じられる。この場合、処理液タンクＴＢ内の処理液は、上記第４状態と同様に、第４の循環経路を循環する。 As shown in FIG. 8 (f), in the sixth state, the valves V2, V5, V6, V10, V11 are opened, and the other valves are closed. In this case, the processing liquid in the processing liquid tank TB circulates through the fourth circulation path as in the fourth state.
処理液タンクＴＡ内の処理液は、ポンプＰ２の動作により配管１７，１９，２３を通して簡易式熱交換器Ｓ２に導かれる。簡易式熱交換器Ｓ２により温調された処理液は、配管２３，２５を通して処理液タンクＴＢに戻される。これにより、処理液タンクＴＡ内の処理液の温度が徐々に低下する。以下、処理液タンクＴＡおよび配管１７，１９，２３，２４により形成される処理液の循環経路を第５の循環経路と呼ぶ。
The processing liquid in the processing liquid tank TA is guided to the simplified heat exchanger S2 through the
続いて、制御部４は、液温センサＳＥ３（図２）からの制御信号に基づいて、簡易式熱交換器Ｓ２によって冷却された処理液の温度が上記の規定値Ｎ１以下であるか否かを判定する（図５のステップＳ１１）。 Subsequently, based on the control signal from the liquid temperature sensor SE3 (FIG. 2), the control unit 4 determines whether or not the temperature of the processing liquid cooled by the simplified heat exchanger S2 is equal to or less than the specified value N1. Is determined (step S11 in FIG. 5).
処理液の温度が規定値Ｎ１より高い場合、制御部４は、ステップＳ１１の処理を繰り返す。処理液の温度が規定値Ｎ１以下である場合、制御部４は、バルブＶ１〜Ｖ１４，ＶＬ，ＶＲを図９（ｇ）に示す第７状態に設定する（図５のステップＳ１２）。 When the temperature of the processing liquid is higher than the specified value N1, the control unit 4 repeats the process of step S11. When the temperature of the processing liquid is equal to or lower than the specified value N1, the control unit 4 sets the valves V1 to V14, VL, and VR to the seventh state shown in FIG. 9G (step S12 in FIG. 5).
図９（ｇ）に示すように、第７状態では、バルブＶ２，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ９が開かれ、それ以外のバルブが閉じられる。この場合、処理液タンクＴＢ内の処理液は、上記第４状態と同様に、第４の循環経路を循環する。 As shown in FIG. 9 (g), in the seventh state, the valves V2, V5, V6, V9 are opened and the other valves are closed. In this case, the processing liquid in the processing liquid tank TB circulates through the fourth circulation path as in the fourth state.
処理液タンクＴＡ内の処理液は、ポンプＰ２の動作により配管１７，１９，２２を通して処理液タンクＴＡに戻される。配管２２は処理液タンクＴＢ内を通過するので、配管２２を流れる処理液は、処理液タンクＴＢ内の処理液によって温調される。上記のように、処理液タンクＴＢ内の処理液は、温度Ｔ１に維持されている。したがって、配管２２を通して循環される処理液タンクＴＡ内の処理液が、ほぼ温度Ｔ１に維持される。以下、処理液タンクＴＡおよび配管１７，１９，２２により形成される処理液の循環経路を第６の循環経路と呼ぶ。
The processing liquid in the processing liquid tank TA is returned to the processing liquid tank TA through the
続いて、制御部４は、貯留量センサＳＥ２ｂからの検出信号に基づいて、処理液タンクＴＢ内の処理液の貯留量が下限値以下であるか否かを判定する（図５のステップＳ１３）。 Subsequently, the control unit 4 determines whether or not the storage amount of the processing liquid in the processing liquid tank TB is equal to or lower than the lower limit value based on the detection signal from the storage amount sensor SE2b (step S13 in FIG. 5). .
処理液タンクＴＢ内の処理液の貯留量が下限値より多い場合、制御部４は、ステップＳ１３の処理を繰り返す。処理液タンクＴＢ内の処理液の貯留量が下限値以下である場合、制御部４は、バルブＶ１〜Ｖ１４，ＶＬ，ＶＲを図９（ｈ）に示す第８状態に設定する（図５のステップＳ１４）。 When the storage amount of the processing liquid in the processing liquid tank TB is larger than the lower limit value, the control unit 4 repeats the process of step S13. When the storage amount of the processing liquid in the processing liquid tank TB is equal to or lower than the lower limit value, the control unit 4 sets the valves V1 to V14, VL, VR to the eighth state shown in FIG. Step S14).
図９（ｈ）に示すように、第８状態では、バルブＶ１，Ｖ４，Ｖ１４が開かれ、それ以外のバルブが閉じられる。この場合、処理液タンクＴＢ内に残留する処理液が排出管４２を通して排出される。一方、処理液タンクＴＡ内の処理液が、上記の第１の循環経路を循環する。
As shown in FIG. 9 (h), in the eighth state, the valves V1, V4, V14 are opened and the other valves are closed. In this case, the processing liquid remaining in the processing liquid tank TB is discharged through the
その後、制御部４は、ステップＳ１〜Ｓ１４までの処理を繰り返す。 Then, the control part 4 repeats the process from step S1 to S14.
なお、図６（ａ）に示した第１状態、図６（ｂ）に示した第２状態、図７（ｃ）に示した第３状態および図９（ｈ）に示した第８状態においては、洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈでの基板Ｗの処理状況に応じたタイミングで、バルブＶ３が開かれるとともにバルブＶ４が閉じられる。
In the first state shown in FIG. 6 (a), the second state shown in FIG. 6 (b), the third state shown in FIG. 7 (c), and the eighth state shown in FIG. 9 (h). The valve V3 is opened and the valve V4 is closed at a timing according to the processing status of the substrate W in the
この場合、第１の循環経路を循環する処理液が洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈに導かれ、基板Ｗに供給される。処理液タンクＴＡおよび配管１１，１３，１４により形成される洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈへの処理液の導出経路を第１の導出経路と呼ぶ。処理液タンクＴＡの稼動時には、第１の循環経路および第１の導出経路が形成される。
In this case, the processing liquid circulating in the first circulation path is guided to the
一方、図７（ｄ）に示した第４状態、図８（ｅ）に示した第５状態、図８（ｆ）に示した第６状態および図９（ｇ）に示した第７状態においては、洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈでの基板Ｗの処理状況に応じたタイミングで、バルブＶ３が開かれるとともにバルブＶ５が閉じられる。
On the other hand, in the fourth state shown in FIG. 7 (d), the fifth state shown in FIG. 8 (e), the sixth state shown in FIG. 8 (f), and the seventh state shown in FIG. 9 (g). The valve V3 is opened and the valve V5 is closed at a timing according to the processing state of the substrate W in the
この場合、第２の循環経路を循環する処理液が洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈに導かれ、基板Ｗに供給される。処理液タンクＴＢおよび配管１２，１３，１４により形成される洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈへの処理液の導出経路を第２の導出経路と呼ぶ。処理液タンクＴＢの稼動時には、第４の循環経路および第２の導出経路が形成される。
In this case, the processing liquid circulating in the second circulation path is guided to the
（６）本実施の形態の効果
本実施の形態では、処理液タンクＴＡの稼動時に処理液タンクＴＢに処理液が補充され、処理液タンクＴＢの稼動時に処理液タンクＴＡに処理液が補充される。それにより、処理液タンクＴＡ，ＴＢ内の処理液の補充時にダウンタイムが発生することが防止される。これにより、スループットの低下が防止される。
(6) Effects of the present embodiment In this embodiment, the processing liquid tank TB is replenished with the processing liquid when the processing liquid tank TA is in operation, and the processing liquid is replenished with the processing liquid tank TA when the processing liquid tank TB is in operation. The This prevents the downtime from occurring when the processing liquids TA and TB are replenished with the processing liquid. This prevents a decrease in throughput.
また、本実施の形態では、補充直後の温度が上昇した処理液を簡易式熱交換器Ｓ２を通して循環させることによって冷却し、その後、熱交換器Ｓ１により温度Ｔ１に維持された処理液タンクＴＢ，ＴＡ内を通して循環させることによって保温する。このように、精密な温調機器を用いることなく簡単な構成で、稼動していない側の処理液タンク内の処理液の温調を行うことにより、処理液の温調のためのコストを低減することができる。 Further, in the present embodiment, the treatment liquid whose temperature immediately after replenishment is cooled by circulating it through the simple heat exchanger S2, and then the treatment liquid tank TB, which is maintained at the temperature T1 by the heat exchanger S1, Keep warm by circulating through TA. In this way, the temperature of the processing liquid in the processing liquid tank on the non-operating side is controlled with a simple configuration without using precise temperature control equipment, thereby reducing the cost for temperature control of the processing liquid. can do.
さらに、簡易式熱交換器Ｓ２は熱交換器Ｓ１で使用された冷却媒体を二次的に用いて処理液を冷却するので、外部からエネルギーを供給することなく、補充直後の処理液を冷却することができる。 Furthermore, since the simplified heat exchanger S2 cools the processing liquid by secondarily using the cooling medium used in the heat exchanger S1, the processing liquid just after replenishing is cooled without supplying energy from the outside. be able to.
また、本実施の形態では、処理液タンクＴＡ内の稼動時および処理液タンクＴＢの稼動時に共通の熱交換器Ｓ１により温調された処理液が基板Ｗに供給される。 Further, in the present embodiment, the processing liquid whose temperature is adjusted by the common heat exchanger S1 is supplied to the substrate W when the processing liquid tank TA is operating and when the processing liquid tank TB is operating.
この場合、熱交換器の機差（特性のばらつき）による温度差が生じないため、処理液タンクＴＡから基板Ｗに供給される処理液と処理液タンクＴＢから基板Ｗに供給される処理液とを正確に一定の温度に調整することができる。それにより、基板Ｗの処理精度のばらつきを確実に防止することができる。 In this case, since a temperature difference due to machine difference (variation in characteristics) of the heat exchanger does not occur, the processing liquid supplied from the processing liquid tank TA to the substrate W and the processing liquid supplied from the processing liquid tank TB to the substrate W Can be accurately adjusted to a constant temperature. Thereby, the dispersion | variation in the processing accuracy of the board | substrate W can be prevented reliably.
（７）他の実施の形態
上記実施の形態では、過酸化水素水、フッ酸、硫酸および純水からなるＨＳＭを処理液として用いるが、ＨＳＭに代えて、王水、ＳＰＭ（硫酸過水）、ＳＣー１（アンモニア過水）またはＳＣ−２（塩酸過水）等を処理液として用いてもよい。
(7) Other Embodiments In the above embodiment, HSM consisting of hydrogen peroxide water, hydrofluoric acid, sulfuric acid and pure water is used as the treatment liquid, but instead of HSM, aqua regia, SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide). SC-1 (ammonia peroxide) or SC-2 (hydrochloric acid excess) may be used as the treatment liquid.
また、上記実施の形態では、処理液タンクＴＡ内の処理液および処理液タンクＴＢ内の処理液を交互に用いて基板Ｗの処理を行うが、処理液タンクＴＡ，ＴＢの一方の処理液を用いて基板Ｗの処理を行ってもよい。その場合、一方の処理液タンクには、簡易式熱交換器Ｓ２を通して処理液を循環させるための配管および他方の処理液タンクを通して処理液を循環させるための配管を設けなくてもよい。 Further, in the above embodiment, the substrate W is processed by alternately using the processing liquid in the processing liquid tank TA and the processing liquid in the processing liquid tank TB, but one processing liquid in the processing liquid tanks TA and TB is used. The substrate W may be processed by using it. In that case, one treatment liquid tank does not need to be provided with a pipe for circulating the treatment liquid through the simplified heat exchanger S2 and a pipe for circulating the treatment liquid through the other treatment liquid tank.
また、上記実施の形態では、処理液タンクＴＡ，ＴＢ内の処理液を共通の簡易式熱交換器Ｓ２を用いて冷却するが、処理液タンクＴＡ内の処理液を冷却する簡易式熱交換器Ｓ２と処理液タンクＴＢ内の処理液を冷却する簡易式熱交換器Ｓ２とを別個に設けてもよい。 In the above embodiment, the processing liquid in the processing liquid tanks TA and TB is cooled using the common simple heat exchanger S2, but the simple heat exchanger for cooling the processing liquid in the processing liquid tank TA. S2 and a simple heat exchanger S2 for cooling the processing liquid in the processing liquid tank TB may be provided separately.
また、上記実施の形態では、生成直後の処理液を冷却するために、熱交換器Ｓ１で使用された冷却媒体を二次的に用いて処理液の冷却を行う簡易式熱交換器Ｓ２を用いているが、他の冷却手段を用いて生成直後の処理液を冷却してもよい。 Moreover, in the said embodiment, in order to cool the process liquid just after production | generation, simplified heat exchanger S2 which cools a process liquid using the cooling medium used with heat exchanger S1 secondarily is used. However, you may cool the process liquid immediately after production | generation using another cooling means.
（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
(8) Correspondence between each constituent element of claim and each element of the embodiment Hereinafter, an example of correspondence between each constituent element of the claim and each element of the embodiment will be described. It is not limited to.
上記実施の形態では、熱交換器Ｓ１が温度調整手段の例であり、処理液タンクＴＡが第１貯留槽の例であり、配管１７，１９が第１貯留槽用導出経路の例であり、配管２３，２４が第１貯留槽用冷却経路の例であり、簡易式熱交換器Ｓ２が第１貯留槽用冷却手段および第２貯留槽用冷却手段の例であり、配管２２が第１貯留槽用保温経路の例であり、バルブＶ９，Ｖ１０が第１貯留槽用切替手段の例である。
In the said embodiment, heat exchanger S1 is an example of a temperature adjustment means, the process liquid tank TA is an example of a 1st storage tank, and piping 17, 19 is an example of the lead-out path for 1st storage tanks, The
また、処理液タンクＴＢが第２貯留槽の例であり、配管１８，１９が第２貯留槽用導出経路の例であり、配管２３，２５が第２貯留槽用冷却経路の例であり、配管２１が第２貯留槽用保温経路の例であり、バルブＶ８，Ｖ１０が第２貯留槽用切替手段の例である。
The processing liquid tank TB is an example of the second storage tank, the
また、液温センサＳＥ３が温度計測手段の例であり、配管１９，２３が共通経路の例であり、配管１１，１３，１４が第１貯留槽用処理経路の例であり、バルブＶ１，Ｖ６が第１貯留槽用処理切替手段の例であり、配管１２，１３，１４が第２貯留槽用処理経路の例であり、バルブＶ２，Ｖ７が第２貯留槽用処理切替手段の例である。
The liquid temperature sensor SE3 is an example of temperature measuring means, the
また、貯留量センサＳＥ１ｂが第１貯留槽用検出手段の例であり、排出管４１およびバルブＶ１３が第１貯留槽用排出手段の例であり、供給管５１〜５４およびバルブＶ３１〜Ｖ３４が第１貯留槽用供給手段の例であり、貯留量センサＳＥ２ｂが第２貯留槽用検出手段の例であり、排出管４２およびバルブＶ１４が第２貯留槽用排出手段の例であり、供給管５５〜５８およびバルブＶ３５〜Ｖ３８が第２貯留槽用供給手段の例である。
The storage amount sensor SE1b is an example of the first storage tank detection means, the
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。 As each constituent element in the claims, various other elements having configurations or functions described in the claims can be used.
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。 The present invention can be effectively used for processing various substrates.
４ 制御部
５ａ〜５ｈ 洗浄処理ユニット
１１〜１９，２１〜２５ 配管
４１，４２ 排出管
５１〜５８ 供給管
１００ 基板処理装置
Ｓ１ 熱交換器
Ｓ２ 簡易式熱交換器
Ｖ１１〜Ｖ１４，Ｖ３１〜Ｖ３８ バルブ
4
Claims (7)
前記第１貯留槽とは別に予備の処理液を貯留する第２貯留槽と、
前記第２貯留槽から処理液を導出するための第２貯留槽用導出経路と、
前記第２貯留槽用導出経路の端部に接続され、前記第２貯留槽用導出経路からの処理液を前記第２貯留槽に戻す第２貯留槽用冷却経路と、
前記第２貯留槽用冷却経路の途中部に介装され、前記第２貯留槽用冷却経路を流れる処理液を冷却するための第２貯留槽用冷却手段と、
前記第２貯留槽用導出経路と前記第２貯留槽用冷却経路との接続部に接続され、前記第１貯留槽内を通過するように処理液を導くとともに、前記第１貯留槽内を通過した処理液を第２貯留槽に戻す第２貯留槽用保温経路と、
前記第２貯留槽用導出経路、前記第２貯留槽用冷却経路、および前記第２貯留槽用保温経路の接続部に設けられ、前記第２貯留槽用導出経路を流れる処理液を前記第２貯留槽用冷却経路および前記第２貯留槽用保温経路のいずれか一方に選択的に導く第２貯留槽用切替手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate using a processing liquid that is maintained at a predetermined temperature by a predetermined temperature adjusting means and stored in a first storage tank,
A second storage tank storing a reserve processing liquid separately from the first storage tank;
A second storage tank derivation path for deriving the processing liquid from the second storage tank;
A second storage tank cooling path that is connected to an end of the second storage tank derivation path and returns the treatment liquid from the second storage tank derivation path to the second storage tank;
A second storage tank cooling means for cooling the processing liquid flowing in the middle of the second storage tank cooling path and flowing through the second storage tank cooling path;
Connected to a connection portion between the second storage tank lead-out path and the second storage tank cooling path, guides the treatment liquid so as to pass through the first storage tank, and passes through the first storage tank. A second storage tank heat retaining path for returning the treated liquid to the second storage tank;
The second storage tank lead-out path, the second storage tank cooling path, and the second storage tank heat retention path are connected to each other, and the processing liquid flowing through the second storage tank lead-out path is supplied to the second storage tank. A substrate processing apparatus, comprising: a storage tank cooling path and a second storage tank switching means that selectively leads to either one of the storage tank cooling path and the second storage tank heat retention path.
前記温度計測手段により計測された処理液の温度に基づいて前記第２貯留槽用切替手段を制御する制御部とをさらに備え、
前記制御部は、前記温度計測手段により計測された処理液の温度が前記所定温度よりも高い場合に、前記第２貯留槽用導出経路を流れる処理液を前記第２貯留槽用冷却経路に導くように前記第２貯留槽用切替手段を制御し、前記温度計測手段により計測された処理液の温度が前記所定温度以下の場合に、前記第２貯留槽用導出経路を流れる処理液を前記第２貯留槽用保温経路に導くように前記第２貯留槽用切替手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 Measures the temperature of the processing liquid that is interposed in the middle of the second storage tank outlet path or the second storage tank cooling path and flows through the second storage tank outlet path or the second storage tank cooling path. Temperature measuring means to
A control unit that controls the second storage tank switching unit based on the temperature of the processing liquid measured by the temperature measuring unit;
The controller guides the processing liquid flowing through the second storage tank lead-out path to the second storage tank cooling path when the temperature of the processing liquid measured by the temperature measuring unit is higher than the predetermined temperature. When the temperature of the processing liquid measured by the temperature measuring means is equal to or lower than the predetermined temperature, the processing liquid flowing through the second storage tank lead-out path is controlled by the second storage tank switching means. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the second storage tank switching unit is controlled so as to be guided to a two storage tank heat retention path.
前記第１貯留槽用導出経路の端部に接続され、前記第１貯留槽用導出経路からの処理液を前記第１貯留槽に戻す第１貯留槽用冷却経路と、
前記第１貯留槽用冷却経路の途中部に介装され、前記第１貯留槽用冷却経路を流れる処理液を冷却するための第１貯留槽用冷却手段と、
前記第１貯留槽用導出経路と前記第１貯留槽用冷却経路との接続部に接続され、前記第２貯留槽内を通過するように処理液を導くとともに、前記第２貯留槽内を通過した処理液を前記第１貯留槽に戻す第１貯留槽用保温経路と、
前記第１貯留槽用導出経路、前記第１貯留槽用冷却経路、および前記第１貯留槽用保温経路の接続部に設けられ、前記第１貯留槽用導出経路を流れる処理液を前記第１貯留槽用冷却経路および前記第１貯留槽用保温経路のいずれか一方に選択的に導く第１貯留槽用切替手段と、
前記第１貯留槽に貯留された処理液が前記温度調整手段によって所定の温度に維持されるとともに基板に処理に用いられる第１の状態と、前記第２貯留槽に貯留された処理液が前記温度調整手段によって所定の温度に維持されるとともに基板に処理に用いられる第２の状態とを切り替える制御部とをさらに備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。 A first storage tank derivation path for deriving the treatment liquid from the first storage tank;
A first storage tank cooling path connected to an end of the first storage tank derivation path and returning the processing liquid from the first storage tank derivation path to the first storage tank;
A first storage tank cooling means for cooling the processing liquid flowing in the middle of the first storage tank cooling path and flowing through the first storage tank cooling path;
Connected to a connection portion between the first storage tank lead-out path and the first storage tank cooling path, guides the treatment liquid so as to pass through the second storage tank, and passes through the second storage tank. A first storage tank heat retaining path for returning the treated liquid to the first storage tank;
The first storage tank lead-out path, the first storage tank cooling path, and the first storage tank heat retention path are connected to each other, and the processing liquid flowing through the first storage tank lead-out path is passed through the first storage tank. First storage tank switching means that selectively leads to either the storage tank cooling path or the first storage tank heat retention path;
The processing liquid stored in the first storage tank is maintained at a predetermined temperature by the temperature adjusting means, and the processing liquid stored in the second storage tank is in the first state used for processing on the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a controller that is maintained at a predetermined temperature by the temperature adjusting unit and that switches a second state used for processing the substrate.
前記第２貯留槽用冷却手段および前記第１貯留槽用冷却手段は、前記共通経路の途中部に介装された共通の冷却手段により構成され、
前記共通経路の途中部に介装され、前記共通経路を流れる処理液の温度を計測する温度計測手段をさらに備え、
前記制御部は、
前記第１の状態において、前記温度計測手段により計測された処理液の温度が前記所定温度よりも高い場合に、前記第２貯留槽用導出経路を流れる処理液を前記第２貯留槽用冷却経路に導くように前記第２貯留槽用切替手段を制御し、前記温度計測手段により計測された処理液の温度が前記所定温度以下の場合に、前記第２貯留槽用導出経路を流れる処理液を前記第２貯留槽用保温経路に導くように前記第２貯留槽用切替手段を制御し、
前記第２の状態において、前記温度計測手段により計測された処理液の温度が前記所定温度よりも高い場合に、前記第１貯留槽用導出経路を流れる処理液を前記第１貯留槽用冷却経路に導くように前記第１貯留槽用切替手段を制御し、前記温度計測手段により計測された処理液の温度が前記所定温度以下の場合に、前記第１貯留槽用導出経路を流れる処理液を前記第１貯留槽用保温経路に導くように前記第１貯留槽用切替手段を制御することを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。 Of the second storage tank derivation path and the second storage tank cooling path, at least a part of the second storage tank cooling path, the first storage tank derivation path, and the first storage tank cooling path. Among them, at least a part of the cooling path for the first storage tank is constituted by a common path
The cooling means for the second storage tank and the cooling means for the first storage tank are configured by a common cooling means interposed in the middle part of the common path,
A temperature measuring means that is interposed in the middle of the common path and measures the temperature of the processing liquid flowing through the common path;
The controller is
In the first state, when the temperature of the processing liquid measured by the temperature measuring unit is higher than the predetermined temperature, the processing liquid flowing through the second storage tank lead-out path is transferred to the second storage tank cooling path. The second storage tank switching means is controlled so as to guide the processing liquid, and when the temperature of the processing liquid measured by the temperature measurement means is equal to or lower than the predetermined temperature, the processing liquid flowing through the second storage tank lead-out path Controlling the switching means for the second storage tank so as to lead to the heat retention path for the second storage tank;
In the second state, when the temperature of the processing liquid measured by the temperature measuring unit is higher than the predetermined temperature, the processing liquid flowing through the first storage tank lead-out path is transferred to the first storage tank cooling path. The first storage tank switching means is controlled so as to guide the processing liquid to flow through the first storage tank lead-out path when the temperature of the processing liquid measured by the temperature measurement means is equal to or lower than the predetermined temperature. 4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the first storage tank switching means is controlled so as to be guided to the first storage tank heat retention path.
前記第１貯留槽に貯留された処理液を前記第１貯留槽用導出経路および前記第１貯留槽用処理経路の一方に選択的に導く第１貯留槽用処理切替手段と、
前記第２貯留槽に貯留された処理液を基板に導く第２貯留槽用処理経路と、
前記第２貯留槽に貯留された処理液を前記第２貯留槽用導出経路および前記第２貯留槽用処理経路の一方に選択的に導く第２貯留槽用処理切替手段とをさらに備え、
前記制御部は、前記第１貯留槽用処理切替手段および前記第２貯留槽用処理切替手段を制御することによって前記第１の状態と前記第２の状態とを切り替えることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。 A first storage tank processing path for guiding the processing liquid stored in the first storage tank to the substrate;
First storage tank processing switching means for selectively guiding the processing liquid stored in the first storage tank to one of the first storage tank lead-out path and the first storage tank processing path;
A processing path for a second storage tank that guides the processing liquid stored in the second storage tank to the substrate;
A second storage tank processing switching means that selectively guides the processing liquid stored in the second storage tank to one of the second storage tank lead-out path and the second storage tank processing path;
The said control part switches the said 1st state and the said 2nd state by controlling the said 1st storage tank process switching means and the said 2nd storage tank process switching means, It is characterized by the above-mentioned. 4. The substrate processing apparatus according to 4.
第２貯留槽における処理液の貯留量が第２の値以下になったことを検出する第２貯留槽用検出手段とをさらに備え、
前記制御部は、前記第１貯留槽用検出手段の検出に応答して前記第１の状態を前記第２の状態に切り替え、前記第２貯留槽用検出手段の検出に応答して前記第２の状態を前記第１の状態に切り替えるように、前記第１貯留槽用処理切替手段および前記第２貯留槽用処理切替手段を制御することを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。 Detection means for the first storage tank that detects that the storage amount of the processing liquid in the first storage tank is equal to or less than the first value;
A second storage tank detecting means for detecting that the storage amount of the processing liquid in the second storage tank is equal to or less than the second value;
The control unit switches the first state to the second state in response to detection by the first storage tank detection unit, and responds to detection by the second storage tank detection unit. 6. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the first storage tank processing switching means and the second storage tank processing switching means are controlled to switch the state to the first state.
前記第１貯留槽内の処理液の排出後に前記第１貯留槽に処理液を供給する第１貯留槽用供給手段と、
前記第２貯留量検出手段の検出に応答して前記第２貯留槽内の処理液を排出する第２貯留槽用排出手段と、
前記第２貯留槽内の処理液の排出後に前記第２貯留槽に処理液を供給する第２貯留槽用供給手段とをさらに備えたことを特徴する請求項６記載の基板処理装置。 First storage tank discharge means for discharging the processing liquid in the first storage tank in response to detection by the first storage tank detection means;
Supply means for a first storage tank for supplying the processing liquid to the first storage tank after the discharge of the processing liquid in the first storage tank;
A second storage tank discharge means for discharging the processing liquid in the second storage tank in response to detection by the second storage amount detection means;
The substrate processing apparatus according to claim 6, further comprising a second storage tank supply unit that supplies the processing liquid to the second storage tank after the processing liquid in the second storage tank is discharged.
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