JP4910500B2 - Filter device - Google Patents
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Description
本発明はフィルタ装置に関する。 The present invention relates to a filter device.
近年、ＳＡＷ（弾性表面波）フィルタなどの電子部品について、素子チップサイズまでパッケージを小型化したウェハーレベル・チップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）の開発が進められている。 In recent years, for electronic components such as SAW (surface acoustic wave) filters, development of a wafer level chip size package (WLCSP) in which the package is downsized to the element chip size has been promoted.
ＳＡＷフィルタのウェハーレベル・チップサイズパッケージの構造に関しては、例えば図１１に示す弾性表面波装置が開示されている。この弾性表面波装置は、圧電基板１となるウェハー上に、弾性表面波素子の電極（ＳＡＷ電極）、すなわち櫛形電極２及び反射器電極３や、パッド電極４を含む導電パターンを形成し、ＳＡＷ電極２，３の周囲に配置した樹脂の支持層６ａ，６ｂにより、圧電基板１との間に間隔を設けてカバー層７を接着封止して内部に振動空間５を形成し、カバー７及び支持層６ａ，６ｂを貫通しパッド電極４に接続される導体パターンを形成してＳＡＷ電極２，３とカバー層７上の外部端子８とを電気的に接続した後、ダイシングにより１パッケージ単位の個片に切断することにより作製する（例えば、特許文献１参照）。
上記の構成を、例えば図１０に回路図を示したラダー型フィルタに適用すると、直列共振子や並列共振子の少なくとも一方の端子は、導体を介して外部端子に接続されているため、共振子で発生した熱は、支持層及びカバーを貫通している導体からカバーに伝導され、放熱されやすい。しかし、直列共振子の他方の端子同士は、圧電基板上に形成された導電パターンにより構成される基板配線によって接続されるだけであるため、直列共振子の他方の端子から基板配線に伝達された熱は、放熱されにくい。そのため、共振子の温度上昇を招き、耐電力性向上の障害となる。 For example, when the above configuration is applied to the ladder type filter whose circuit diagram is shown in FIG. 10, at least one terminal of the series resonator or the parallel resonator is connected to the external terminal through the conductor. The heat generated in is conducted from the conductor passing through the support layer and the cover to the cover, and is easily radiated. However, since the other terminals of the series resonator are only connected by the substrate wiring constituted by the conductive pattern formed on the piezoelectric substrate, the other terminals of the series resonator are transmitted to the substrate wiring. Heat is not easily dissipated. For this reason, the temperature of the resonator is increased, which hinders improvement in power durability.
チップを小型化するために、複数の共振子を密集させて配置し、細長く、折れ曲がった配線を用いて共振子同士をつなぐと、細長い配線は電気抵抗が大きいため、発熱量が大きくなる。 In order to reduce the size of the chip, when a plurality of resonators are arranged densely and the resonators are connected using elongated and bent wires, the elongated wires have a large electric resistance, so that the amount of heat generated increases.
また、近年、弾性表面波フィルタに代えて、パッケージ構造の簡略化を果たし得るため、弾性境界波を利用した弾性境界波フィルタが開発されてきている。このような弾性境界波フィルタにおいても、同様に、入出力端子及びアースに接続されない櫛形電極に発生した熱を放熱し、ウェハーレベル・チップサイズパッケージの弾性境界波フィルタの耐電力性を向上することが強く望まれている。 In recent years, a boundary acoustic wave filter using a boundary acoustic wave has been developed in order to simplify the package structure instead of the surface acoustic wave filter. Similarly, in such a boundary acoustic wave filter, the heat generated in the comb electrodes not connected to the input / output terminals and the ground is radiated to improve the power durability of the boundary acoustic wave filter of the wafer level chip size package. Is strongly desired.
本発明は、かかる実情に鑑み、放熱性を向上することができるフィルタ装置を提供しようとするものである。 In view of such a situation, the present invention intends to provide a filter device capable of improving heat dissipation.
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成したフィルタ装置を提供する。 In order to solve the above-described problems, the present invention provides a filter device configured as follows.
フィルタ装置は、（ａ）基板と、（ｂ）前記基板の一方主面に対向して配置される、カバーと、（ｃ）前記基板の外縁に沿って延在し、前記基板と前記カバーとを間隔を設けて接合して、前記基板と前記カバーとの間に空間（以下、「振動空間」という。）を形成する、支持層と、（ｄ）前記振動空間内において、前記基板の前記一方主面に支持又は形成された、複数の機能素子と、（ｅ）前記振動空間内において、前記基板の前記一方主面に形成され、前記機能素子の複数の端子に電気的に接続された、端子間配線と、（ｆ）前記振動空間内において、前記端子間配線上又は前記端子間配線に隣接して前記基板の前記一方主面上に形成され、前記カバーに向けて***する、***層と、（ｇ）前記端子間配線上から前記***層上まで連続して形成され、前記***層上において前記カバーと前記***層との間に挟まれる部分を含む、導電部材とを備える。 The filter device includes: (a) a substrate; (b) a cover disposed to face one main surface of the substrate; (c) extending along an outer edge of the substrate; and the substrate and the cover. And a support layer that forms a space (hereinafter referred to as “vibration space”) between the substrate and the cover, and (d) in the vibration space, A plurality of functional elements supported or formed on one main surface; and (e) in the vibration space, formed on the one main surface of the substrate and electrically connected to a plurality of terminals of the functional elements. An inter-terminal wiring; and (f) a bulge formed on the one main surface of the substrate on the inter-terminal wiring or adjacent to the inter-terminal wiring in the vibration space, and bulges toward the cover. And (g) continuously from above the inter-terminal wiring to above the raised layer It made that includes a portion sandwiched between the cover and the planarizing layer on the planarizing layer, and a conductive member.
上記構成によれば、機能素子の端子のうち、端子間配線に電気的に接続された端子以外の端子（以下、「外部接続端子」という。）は、例えばカバー（又は基板）に形成された外部端子に電気的に接続されているので、機能素子の発熱等による外部接続端子側の熱は、外部接続端子と外部端子との間を電気的に接続する導体から、この導体が貫通するカバー（又は基板）に伝導されたり、外部端子から、外部端子が接続された回路基板などに伝導される。 According to the above configuration, the terminals other than the terminals electrically connected to the inter-terminal wiring (hereinafter referred to as “external connection terminals”) among the terminals of the functional elements are formed on the cover (or the substrate), for example. Since it is electrically connected to the external terminal, the heat on the external connection terminal side due to heat generation of the functional element is covered by the conductor that connects the external connection terminal and the external terminal through this conductor. (Or a substrate) or from an external terminal to a circuit board to which the external terminal is connected.
一方、機能素子の端子のうち、端子間配線に電気的に接続された端子（以下、「内部接続端子」という。）は、外部端子に電気的に接続されていないが、端子間配線が導電部材に接続され、導電部材がカバーと***層に挟まれ、導電部材の少なくとも一部がカバーに密着しているため、機能素子の発熱や端子配線自体の発熱による熱は、端子間配線から導電部材を介して、カバーに伝導される。そのため、端子間配線に熱が溜まらないので、放熱性が向上する。 On the other hand, among the terminals of the functional elements, terminals electrically connected to the inter-terminal wiring (hereinafter referred to as “internal connection terminals”) are not electrically connected to the external terminals, but the inter-terminal wiring is electrically conductive. Since the conductive member is connected to the member, the conductive member is sandwiched between the cover and the raised layer, and at least part of the conductive member is in close contact with the cover, the heat generated by the functional element and the heat generated by the terminal wiring itself is conducted from the inter-terminal wiring. Conducted through the member to the cover. For this reason, heat does not accumulate in the inter-terminal wiring, and heat dissipation is improved.
なお、上記構成において、支持層と***層は分離していても、連続していてもよい。支持層と***層は、異なる材料を用いてそれぞれ形成してもよく、また、異なる方法でそれぞれを形成してもよいが、同じ材料を用いて同時に形成すると工程が簡略化できるので好ましい。 In the above configuration, the support layer and the raised layer may be separated or may be continuous. The support layer and the raised layer may be formed using different materials, or may be formed by different methods. However, it is preferable to simultaneously form the support layer and the raised layer using the same material because the process can be simplified.
また、導電部材は、端子間配線上から***層上まで連続して形成された複数の部分を含んでいてもよく、それらの部分が互いに接続されていてもよい。また、端子間配線は、導電部材によって導通を確保できるなら、***層で覆われた部分で不連続であってもよい。 Further, the conductive member may include a plurality of portions formed continuously from the inter-terminal wiring to the raised layer, and these portions may be connected to each other. Further, the inter-terminal wiring may be discontinuous at the portion covered with the raised layer as long as conduction can be ensured by the conductive member.
本発明は、以下のように種々の態様で実施することができる。 The present invention can be implemented in various modes as follows.
本発明の一態様としては、前記基板は、圧電基板であり、前記機能素子は、弾性波素子である。前記弾性波素子は、前記圧電基板上の弾性波伝搬方向に沿って配置された２つの反射器と、前記反射器の間に配置された１つ又は２つ以上のＩＤＴとを含む。 As one aspect of the present invention, the substrate is a piezoelectric substrate, and the functional element is an acoustic wave element. The acoustic wave element includes two reflectors arranged along the acoustic wave propagation direction on the piezoelectric substrate, and one or more IDTs arranged between the reflectors.
この場合、弾性波とは、弾性表面波だけでなく、弾性境界波などの他の弾性波も含む。弾性波素子は、圧電基板の表面を伝搬する弾性波（弾性表面波）とＩＤＴを相互作用させて動作する弾性表面波（ＳＡＷ）素子であっても、圧電基板上に固体層が形成され、圧電基板と固体層の境界を伝搬する弾性波（弾性境界波）とＩＤＴを相互作用させて動作する弾性境界波素子であってもよい。また、弾性波素子は、２つの反射器の間に１つのＩＤＴを有する１ポート型共振子であっても、２つの反射器の間に２つ以上のＩＤＴを有する縦結合共振子型フィルタであってもよい。 In this case, the elastic wave includes not only a surface acoustic wave but also other elastic waves such as a boundary acoustic wave. Even if the surface acoustic wave element is a surface acoustic wave (SAW) element that operates by interacting an acoustic wave (surface acoustic wave) propagating on the surface of the piezoelectric substrate and an IDT, a solid layer is formed on the piezoelectric substrate, A boundary acoustic wave element that operates by interacting an elastic wave (elastic boundary wave) propagating through the boundary between the piezoelectric substrate and the solid layer and an IDT may be used. The acoustic wave element is a longitudinally coupled resonator type filter having two or more IDTs between two reflectors, even if it is a one-port type resonator having one IDT between two reflectors. There may be.
本発明の他の態様としては、前記機能素子は、圧電薄膜共振子である。前記圧電薄膜共振子は、前記基板に支持されかつ前記基板から音響的に分離されていて、対向する一対の電極の間に圧電薄膜が配置された薄膜部を含む。 In another aspect of the present invention, the functional element is a piezoelectric thin film resonator. The piezoelectric thin film resonator includes a thin film portion that is supported by the substrate and is acoustically separated from the substrate, and the piezoelectric thin film is disposed between a pair of opposed electrodes.
圧電薄膜共振子は、圧電薄膜の厚み振動を利用する共振子である。圧電薄膜共振子は、薄膜部が、基板に形成された空洞の上に配置されたり、基板から浮いた状態で支持されたり、薄膜部と基板との間に音響インピーダンスが異なる複数層が配置されたりして、音響的に分離される。 A piezoelectric thin film resonator is a resonator that utilizes thickness vibration of a piezoelectric thin film. Piezoelectric thin-film resonators have a thin-film portion disposed above a cavity formed in a substrate, supported in a state of floating from the substrate, or a plurality of layers having different acoustic impedances disposed between the thin-film portion and the substrate. Or acoustically separated.
好ましくは、上記一態様において、前記弾性波素子は、２つの前記反射器の間に１つの前記ＩＤＴを有する１ポート型共振子である。前記１ポート型共振子は、ラダー型に接続された少なくとも２つの直列共振子と少なくとも１つの並列共振子とを含む。少なくとも２つの前記直列共振子の間に少なくとも１つの前記並列共振子が配置される。前記端子間配線は、少なくとも２つの前記直列共振子と少なくとも１つの前記並列共振子とのそれぞれの一方の端子に接続され、少なくとも１つの前記並列共振子に沿って延在する。 Preferably, in the above aspect, the acoustic wave element is a one-port resonator having one IDT between two reflectors. The one-port resonator includes at least two series resonators and at least one parallel resonator connected in a ladder shape. At least one of the parallel resonators is disposed between at least two of the series resonators. The inter-terminal wiring is connected to one terminal of at least two of the series resonators and at least one of the parallel resonators, and extends along at least one of the parallel resonators.
この場合、各共振子の一方の端子から端子間配線に伝導された熱を、端子間配線上から***層上まで連続して形成された導電部材を介して、カバーに放熱することができる。 In this case, the heat conducted from one terminal of each resonator to the inter-terminal wiring can be radiated to the cover via the conductive member formed continuously from the inter-terminal wiring to the raised layer.
好ましくは、上記他の態様において、前記圧電薄膜共振子は、ラダー型に接続された少なくとも２つの直列共振子と少なくとも１つの並列共振子とを含む。少なくとも２つの前記直列共振子の間に少なくとも１つの前記並列共振子が配置される。前記端子間配線は、少なくとも２つの前記直列共振子と少なくとも１つの前記並列共振子とのそれぞれの一方の端子に接続され、少なくとも１つの前記並列共振子に沿って延在する。 Preferably, in the other aspect, the piezoelectric thin film resonator includes at least two series resonators and at least one parallel resonator connected in a ladder shape. At least one of the parallel resonators is disposed between at least two of the series resonators. The inter-terminal wiring is connected to one terminal of at least two of the series resonators and at least one of the parallel resonators, and extends along at least one of the parallel resonators.
この場合、各共振子の一方の端子から端子間配線に伝導された熱を、端子間配線上から***層上まで連続して形成された導電部材を介して、カバーに放熱することができる。 In this case, the heat conducted from one terminal of each resonator to the inter-terminal wiring can be radiated to the cover via the conductive member formed continuously from the inter-terminal wiring to the raised layer.
好ましくは、前記弾性波素子は、（ｉ）２つの前記反射器の間に１つの前記ＩＤＴを有する、少なくとも１つの１ポート型共振子と、（ii）２つの前記反射器の間に３つの前記ＩＤＴを有する、少なくとも２つの縦結合共振子型フィルタとを含む。前記端子間配線は、少なくとも２つの前記１ポート型共振子と少なくとも２つの前記縦結合共振子型フィルタとのそれぞれの一方の端子に接続される。 Preferably, the acoustic wave element includes (i) at least one 1-port resonator having one IDT between two reflectors, and (ii) three between two reflectors. And at least two longitudinally coupled resonator filters having the IDT. The inter-terminal wiring is connected to one terminal of each of at least two one-port resonators and at least two longitudinally coupled resonator filters.
この場合、１ポート型共振子と縦結合共振子型フィルタとの一方の端子から端子間配線に伝導された熱を、端子間配線上から***層上まで連続して形成された導電部材を介して、カバーに放熱することができる。 In this case, heat conducted from one terminal of the one-port resonator and the longitudinally coupled resonator filter to the inter-terminal wiring is passed through a conductive member formed continuously from the inter-terminal wiring to the raised layer. Heat to the cover.
好ましくは、前記弾性波素子は、（ｉ）２つの前記反射器の間に１つの前記ＩＤＴを有する、少なくとも１つの１ポート型共振子と、（ii）２つの前記反射器の間に３つの前記ＩＤＴを有する、第１〜第４の縦結合共振子型フィルタとを含む。前記第１〜第４の縦結合共振子型フィルタのうち、１つの位相が他の３つの位相と１８０度異なる。前記第１の縦結合共振子型フィルタの前記ＩＤＴの一方の端子と前記第２の縦結合共振子型フィルタの前記ＩＤＴの一方の端子とがそれぞれ接続される。前記第３の縦結合共振子型フィルタの前記ＩＤＴの一方の端子と前記第４の縦結合共振子型フィルタの前記ＩＤＴの一方の端子とがそれぞれ接続される。前記第１及び前記第３の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの他方の端子が、前記１ポート型共振子を介して、第１の外部端子に電気的に接続される。前記第２の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの他方の端子が、第２の外部端子に電気的に接続される。前記第４の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの他方の端子が、第３の外部端子に電気的に接続される。前記***層と前記導電部材とは、前記基板の前記一方主面に形成され、１つの前記１ポート型共振子の一方の端子と前記第１及び第３の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの前記他方の端子とを接続する配線について形成されている。 Preferably, the acoustic wave element includes (i) at least one 1-port resonator having one IDT between two reflectors, and (ii) three between two reflectors. And first to fourth longitudinally coupled resonator type filters having the IDT. Among the first to fourth longitudinally coupled resonator type filters, one phase is 180 degrees different from the other three phases. One terminal of the IDT of the first longitudinally coupled resonator type filter is connected to one terminal of the IDT of the second longitudinally coupled resonator type filter. One terminal of the IDT of the third longitudinally coupled resonator type filter is connected to one terminal of the IDT of the fourth longitudinally coupled resonator type filter. The other terminal of the IDT at the center of the first and third longitudinally coupled resonator type filters is electrically connected to a first external terminal via the one port type resonator. The other terminal of the IDT at the center of the second longitudinally coupled resonator type filter is electrically connected to a second external terminal. The other terminal of the IDT at the center of the fourth longitudinally coupled resonator type filter is electrically connected to a third external terminal. The raised layer and the conductive member are formed on the one main surface of the substrate, and are located at one terminal of one one-port resonator and the center of the first and third longitudinally coupled resonator filters. A wiring for connecting the other terminal of the IDT is formed.
この場合、第１の外部端子には不平衡信号が入力（又は出力）され、第２及び第３の外部端子から平衡信号が出力（又は入力）される。 In this case, an unbalanced signal is input (or output) to the first external terminal, and a balanced signal is output (or input) from the second and third external terminals.
好ましくは、前記弾性波素子は、（ｉ）２つの前記反射器の間に１つの前記ＩＤＴを有する、少なくとも１つの１ポート型共振子と、（ii）２つの前記反射器の間に３つの前記ＩＤＴを有する、第１〜第４の縦結合共振子型フィルタとを含む。前記第１〜第４の縦結合共振子型フィルタは、全て同じ位相である。前記第１の縦結合共振子型フィルタの前記ＩＤＴの一方の端子と前記第２の縦結合共振子型フィルタの前記ＩＤＴの一方の端子とがそれぞれ接続される。前記第３の縦結合共振子型フィルタの前記ＩＤＴの一方の端子と前記第４の縦結合共振子型フィルタの前記ＩＤＴの一方の端子とがそれぞれ接続される。前記第１及び前記第３の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの他方の端子が、前記１ポート型共振子を介して、第１の外部端子に電気的に接続される。前記基板の前記一方主面に、前記第２及び第４の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの他方の端子とを接続する配線が形成され、該配線が第２の外部端子に電気的に接続される。前記***層と前記導電部材とは、（ａ）前記基板の前記一方主面に形成され、１つの前記１ポート型共振子の一方の端子と前記第１及び第３の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの前記他方の端子とを接続する配線と、（ｂ）前記第２及び第４の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの他方の端子とを接続する前記配線との少なくとも一方について形成されている。 Preferably, the acoustic wave element includes (i) at least one 1-port resonator having one IDT between two reflectors, and (ii) three between two reflectors. And first to fourth longitudinally coupled resonator type filters having the IDT. The first to fourth longitudinally coupled resonator type filters are all in the same phase. One terminal of the IDT of the first longitudinally coupled resonator type filter is connected to one terminal of the IDT of the second longitudinally coupled resonator type filter. One terminal of the IDT of the third longitudinally coupled resonator type filter is connected to one terminal of the IDT of the fourth longitudinally coupled resonator type filter. The other terminal of the IDT at the center of the first and third longitudinally coupled resonator type filters is electrically connected to a first external terminal via the one port type resonator. A wiring connecting the other terminal of the IDT at the center of the second and fourth longitudinally coupled resonator type filters is formed on the one main surface of the substrate, and the wiring is electrically connected to a second external terminal. Connected. The raised layer and the conductive member are (a) formed on the one main surface of the substrate, one terminal of the one-port resonator, and the first and third longitudinally coupled resonator filters. A wiring for connecting the other terminal of the IDT at the center of the second wiring, and (b) a wiring for connecting the other terminal of the IDT at the center of the second and fourth longitudinally coupled resonator type filters. At least one is formed.
この場合、第１の外部端子には不平衡信号が入力（又は出力）され、第２の外部端子から不平衡信号が出力（又は入力）される。 In this case, an unbalanced signal is input (or output) to the first external terminal, and an unbalanced signal is output (or input) from the second external terminal.
好ましくは、前記弾性波素子は、（ｉ）２つの前記反射器の間に１つの前記ＩＤＴを有する、１つの１ポート型共振子と、（ii）２つの前記反射器の間に３つの前記ＩＤＴを有する、第１〜第４の縦結合共振子型フィルタとを含む。前記第１〜第４の縦結合共振子型フィルタは、全て同じ位相である。前記第１の縦結合共振子型フィルタの両外側の前記ＩＤＴの一方の端子と前記第２の縦結合共振子型フィルタの両外側の前記ＩＤＴの一方の端子とがそれぞれ接続される。前記第３の縦結合共振子型フィルタの両外側の前記ＩＤＴの一方の端子と前記第４の縦結合共振子型フィルタの両外側の前記ＩＤＴの一方の端子とがそれぞれ接続される。前記第１及び前記第３の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの他方の端子が、前記１ポート型共振子を介して、第１の外部端子に電気的に接続される。前記第２及び前記第４の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの一方の端子が、第２の外部端子に電気的に接続される。前記第２及び前記第４の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの他方の端子が、第３の外部端子に電気的に接続される。前記***層と前記導電部材とは、前記基板の前記一方主面に形成され、１つの前記１ポート型共振子の一方の端子と前記第１及び第３の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの前記他方の端子とを接続する配線について形成されている。 Preferably, the acoustic wave element includes: (i) one 1-port resonator having one IDT between two reflectors; and (ii) three of the two between the reflectors. And first to fourth longitudinally coupled resonator type filters having IDT. The first to fourth longitudinally coupled resonator type filters are all in the same phase. One terminal of the IDT on both outer sides of the first longitudinally coupled resonator type filter is connected to one terminal of the IDT on both outer sides of the second longitudinally coupled resonator type filter. One terminal of the IDT on both outer sides of the third longitudinally coupled resonator type filter is connected to one terminal of the IDT on both outer sides of the fourth longitudinally coupled resonator type filter. The other terminal of the IDT at the center of the first and third longitudinally coupled resonator type filters is electrically connected to a first external terminal via the one port type resonator. One terminal of the IDT at the center of the second and fourth longitudinally coupled resonator type filters is electrically connected to a second external terminal. The other terminal of the IDT at the center of the second and fourth longitudinally coupled resonator type filters is electrically connected to a third external terminal. The raised layer and the conductive member are formed on the one main surface of the substrate, and are located at one terminal of one one-port resonator and the center of the first and third longitudinally coupled resonator filters. A wiring for connecting the other terminal of the IDT is formed.
この場合、第１の外部端子には不平衡信号が入力（又は出力）され、第２及び第３の外部端子から平衡信号が出力（又は入力）される。 In this case, an unbalanced signal is input (or output) to the first external terminal, and a balanced signal is output (or input) from the second and third external terminals.
上記各構成のいずれか一つのフィルタ装置は、デュプレクサの送信側フィルタと受信側フィルタとのいずれか一方又は両方に用いてもよい。この場合、デュプレクサの耐電力性を向上することができる。 Any one of the above-described filter devices may be used for one or both of the transmission-side filter and the reception-side filter of the duplexer. In this case, the power durability of the duplexer can be improved.
また、本発明は、以下のように構成したフィルタ装置の製造方法を提供する。 Moreover, this invention provides the manufacturing method of the filter apparatus comprised as follows.
フィルタ装置の製造方法は、（１）複数の機能素子が支持又は形成された基板の一方主面に、前記基板の外縁に沿って延在する支持層を形成するとともに、前記基板の前記一方主面に形成され前記機能素子の複数の端子（以下、「内部接続端子」という。）にのみ電気的に接続された端子間配線上に、又は前記端子間配線に隣接して前記基板の前記一方主面上に、***層を形成する、第１の工程と、（２）前記機能素子の前記内部接続端子以外の端子（以下、「外部接続端子」という。）上、又は前記基板の前記一方主面に形成され前記外部接続端子に電気的に接続された基板配線上から前記支持層上まで連続する外部接続部材を形成するとともに、前記端子間配線上から前記***層上まで連続する導電部材を形成する第２の工程と、（３）前記基板の前記一方主面に対向してカバーを配置し、前記支持層により前記基板と前記カバーとを間隔を設けて接合して、前記基板と前記カバーとの間に空間（以下、「振動空間」という。）を形成して、前記振動空間内に前記機能素子を配置するとともに、前記導電部材の一部を前記カバーと前記***層との間に挟む、第３の工程とを備える。前記第１の工程において、前記支持層と前記***層とを同時に形成する。前記第２の工程において、前記外部接続部材と前記導電部材とを同時に形成する。 The method of manufacturing a filter device includes (1) forming a support layer extending along an outer edge of the substrate on one main surface of the substrate on which a plurality of functional elements are supported or formed, and the one main surface of the substrate. The one of the substrates on or adjacent to the inter-terminal wiring formed on the surface and electrically connected only to a plurality of terminals (hereinafter referred to as “internal connection terminals”) of the functional element. A first step of forming a raised layer on the main surface; and (2) a terminal other than the internal connection terminal of the functional element (hereinafter referred to as “external connection terminal”) or the one of the substrates. A conductive member that is formed on the main surface and that continues from the substrate wiring electrically connected to the external connection terminal to the support layer and that continues from the inter-terminal wiring to the raised layer A second step of forming (3) A cover is disposed opposite the one main surface of the substrate, and the substrate and the cover are joined to each other with a gap by the support layer, and a space (hereinafter referred to as “vibration”) is formed between the substrate and the cover. And a third step of placing the functional element in the vibration space and sandwiching a part of the conductive member between the cover and the raised layer. In the first step, the support layer and the raised layer are formed simultaneously. In the second step, the external connection member and the conductive member are formed simultaneously.
上記方法によれば、機能素子の端子のうち、端子間配線に電気的に接続された内部接続端子は、端子間配線が導電部材に接続され、導電部材がカバーと***層とに挟まれているため、機能素子の発熱や端子間配線自体の発熱による熱は、端子間配線から導電部材を介して、カバーに伝導される。そのため、端子間配線に熱が溜まらないので、放熱性が向上する。 According to the above method, among the terminals of the functional element, the internal connection terminal electrically connected to the inter-terminal wiring has the inter-terminal wiring connected to the conductive member, and the conductive member is sandwiched between the cover and the raised layer. Therefore, the heat generated by the functional element and the heat generated by the inter-terminal wiring itself is conducted from the inter-terminal wiring to the cover via the conductive member. For this reason, heat does not accumulate in the inter-terminal wiring, and heat dissipation is improved.
上記方法によれば、通常の製造工程と並行して、端子間配線の熱をカバーに逃がすための導電部材や***層を形成することができ、フィルタ装置の放熱性を向上しても、工程は煩雑にならない。 According to the above method, in parallel with the normal manufacturing process, it is possible to form the conductive member and the raised layer for releasing the heat of the inter-terminal wiring to the cover, and even if the heat dissipation of the filter device is improved, the process Is not complicated.
なお、支持層と***層は、分離していても、連続していてもよい。支持層と***層は、異なる材料を用いてそれぞれ形成してもよいが、同じ材料を用いると、工程が簡略化できるので好ましい。 Note that the support layer and the raised layer may be separated or continuous. The support layer and the raised layer may be formed using different materials, but using the same material is preferable because the process can be simplified.
また、導電部材は、端子間配線上から***層上まで連続して形成された複数の部分を含んでいてもよく、それらの部分が互いに接続されていてもよい。また、端子間配線は、導電部材と並列に接続される部分にスリットが形成され、端子間配線が不連続となっていてもよい。 Further, the conductive member may include a plurality of portions formed continuously from the inter-terminal wiring to the raised layer, and these portions may be connected to each other. Further, the inter-terminal wiring may be formed with slits at a portion connected in parallel with the conductive member, and the inter-terminal wiring may be discontinuous.
本発明によれば、フィルタ装置の放熱性を向上することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the heat dissipation of a filter apparatus can be improved.
以下、本発明の実施の形態として実施例について、図１〜図１０を参照しながら説明する。 Hereinafter, examples of the present invention will be described with reference to FIGS.
＜実施例１＞ 実施例１のフィルタ装置１０について、図１、図２、図１０を参照しながら説明する。図１（ａ）は、図２の線Ａ−Ａに沿って見た断面図である。図１（ｂ）は、図２の線Ｂ−Ｂに沿って見た断面図である。図２は、図１（ａ）の線II−IIに沿って見た透視図である。
<Example 1> The
図１（ａ）に示すように、フィルタ装置１０は、圧電基板１２の一方の主面である上面１２ａに導電パターン２０が形成されている。導電パターン２０によって、図２に示すように、弾性表面波素子である１ポート型共振子３０，３２，３４，３６，３８と、１ポート型共振子３０，３２，３４，３６，３８に接続された配線２０ａ〜２０ｇとが形成されている。
As shown in FIG. 1A, in the
図２に示すように、１ポート型共振子３０，３２，３４，３６，３８は、一列に配置され、それぞれ、圧電基板１２上の弾性波伝搬方向に沿って配置された２つの反射器３０ａ，３０ｃ；３２ａ，３２ｃ；３４ａ，３４ｃ；３６ａ，３６ｃ；３８ａ，３８ｃと、反射器３０ａ，３０ｃ；３２ａ，３２ｃ；３４ａ，３４ｃ；３６ａ，３６ｃ；３８ａ，３８ｃの間に配置された１つのＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ；櫛型電極）３０ｂ，３２ｂ，３４ｂ，３６ｂ，３８ｂとを有する。
As shown in FIG. 2, the 1-
圧電基板１２の上面１２ａには、図２において太線で示す介在層１４が形成されている。介在層１４は、圧電基板１２の外縁１２ｂに沿って枠状に形成された枠状部１４ｘと、枠状部１４ｘから内側に延長された延長部１４ａ，１４ｂ，１４ｅ，１４ｆと、枠状部１４ｘ及び延長部１４ａ，１４ｂ，１４ｅ，１４ｆから離れた島状部１４ｃ，１４ｄとを含む。介在層１４のうち、枠状部１４ｘが支持層である。介在層１４には、図２において斜線を付した金属膜２２ａ〜２２ｆを蒸着やスパッタリングで形成できるように、耐熱性が高い材料、例えばポリイミド系材料を用いることが好ましい。
An intervening
図１（ａ）に示すように、介在層１４の上にはカバー１６が配置され、１ポート型共振子３０，３２，３４，３６，３８の周囲に密閉された振動空間１３が形成され、圧電基板１２の上面１２ａの振動空間１３に隣接する部分において、弾性表面波が自由に伝搬するようになっている。カバー１６には、ガラス又は水晶を用いることが好ましい。ガラス又は水晶は、電気抵抗値が高く、強度に優れ、薄肉化することが容易であり、気密性が高く、しかも安価であるため、高信頼性と低コスト化に有利である。放熱性をより向上させたい場合などには、熱伝導率が高いアルミナ、窒化アルミなどの材料を用いてもよい。
As shown in FIG. 1 (a), a
介在層１４及びカバー１６は、圧電基板１２の上面１２ａの法線方向（図において上下方向）から見たとき、圧電基板１２の外縁１２ｂよりも内側に、圧電基板１２の外縁１２ｂとの間に間隔を設けて、配置されている。
The intervening
カバー１６と介在層１４は、パッケージの強度を向上し、耐湿性を高めるため、樹脂層１８によって、全体的に覆われている。すなわち、圧電基板１２の上面１２ａの法線方向（図において上下方向）から見たとき、樹脂層１８は、カバー１６や介在層１４よりも外側まで延在している。樹脂層１８は、圧電基板１２の周部まで延在している。
The
樹脂層１８からは、外部端子であるはんだボール２８が外部に露出しており、フィルタ装置１０を電気機器等の回路基板に実装することができるようになっている。
From the
図１及び図２に示すように、はんだボール２８は、樹脂層１８の貫通穴１９に形成されたアンダーバンプメタル２６、樹脂層１８とカバー１６との間に形成された金属膜２５、カバー１６の貫通穴（ビアホール）１７にめっき等により充填されたビア配線２４、導電パターン２０上から介在層１４上まで形成された金属膜２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ，２２ｆを介して、１ポート型共振子３０，３２，３４，３６，３８の端子に電気的に接続されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
共振子３０，３２，３４，３６，３８の発熱等による熱は、はんだボール２８と共振子３０，３２，３４，３６，３８との間を電気的に接続する導体を介し放熱される。例えば、熱は、ビア配線２４が貫通するカバー１６に伝導される。あるいは、はんだボール２８から、はんだボール２８が接続された回路基板などに伝導される。
Heat due to heat generated by the
図１０のフィルタ装置１０の回路図に示すように、フィルタ装置１０は、２つの直列共振子３２，３６と、３つの並列共振子３０，３４，３８とがラダー型に接続されたラダー型フィルタである。
As shown in the circuit diagram of the
各共振子３０，３２，３４，３６，３８の端子は、入力端子、出力端子、ＧＮＤ端子を含む外部端子に電気的に接続されている。しかし、符号９で示した部分は、共振子３２，３４，３６の端子にのみ電気的に接続された端子間配線であり、外部端子には電気的に接続されていない。符号９の部分は、図２に示した配線２０ｄに対応する。
The terminals of the
配線２０ｄは、図２に示したように、並列共振子３４に沿って、コ字状に延在し、配線長が長い。これは、フィルタ装置を小型化するために、共振子３０，３２，３４，３６，３８を密集させて一列に配置しているためである。この配線２０ｄは、配線２０ｄ自体の発熱により温度が上昇しやすい上、３つの共振子３２，３４，３６から熱が伝達される。
As shown in FIG. 2, the
図１（ｂ）及び図２に示したように、配線２０ｄの上には、介在層１４の島状部１４ｃが形成され、さらに、配線２０ｄ上から介在層１４の島状部１４ｃの上まで連続する金属膜２２ｃが形成されている。金属膜２２ｃは、図１（ｂ）に示すように、島状部１４ｃとカバー１６との間に挟まれる部分を含む。
As shown in FIGS. 1B and 2, an island-
そのため、配線２０ｄの熱は、配線２０ｄから金属膜２２ｃを介して、カバー１６に伝導される。これにより、配線２０ｄに熱が溜まらないので、放熱性が向上する。
Therefore, the heat of the
なお、金属膜２２ｃは、図１（ｂ）に示すように、島状部１４ｃを跨いで配線２０ｄの両側に接続され、配線２０ｄと並列に接続されているので、電気抵抗を小さくすることができ、好ましい。もっとも、金属膜２２ｃの代わりに、一端が配線２０ｄ上に形成され、他端が島状部１４ｃに形成され、配線２０ｄとは並列に接続されない１又は２以上の金属膜を形成してもよい。
As shown in FIG. 1B, the
また、配線２０ｄは、連続していることが好ましいが、島状部１４ｃの下の部分で不連続とし、金属膜２２ｃで導通を確保することも可能である。
Moreover, although it is preferable that the
＜実施例２＞ 実施例２のフィルタ装置１０ａについて、図３の透視図を参照しながら説明する。図３は、実施例１の図２と同様に、カバー（図示せず）の下面から圧電基板の上面１２ａを見た透視図である。
<Example 2> The
実施例２のフィルタ装置１０ａは、実施例１のフィルタ装置１０と略同様に構成され、圧電基板とカバーとが介在層を介して接合されているが、実施例１とは異なり、圧電基板の上面１２ａ上に、１つの１ポート型共振子４０と、第１〜第４の縦結合共振子型フィルタ４２，４４，４６，４８とが形成された平衡−平衡変換型の弾性表面波フィルタである。図３において太線で示しているのは、介在層の島状部４０ｘ，４０ｙ，４５ａ〜４５ｅ，４９ａ〜４９ｅである。図３では、介在層の枠状部の図示は省略している。斜線を付しているのは、金属膜４１ｘ，４１ｙ，４３ａ〜４３ｅ，４７ａ〜４７ｅである。
The
１ポート型共振子４０は、弾性表面波伝搬方向に沿って配置された２つの反射器４０ａ，４０ｃの間に、１つのＩＤＴ４０ｂを有する。第１〜第４の縦結合共振子型フィルタ４２，４４，４６，４８は、それぞれ、弾性表面波伝搬方向に沿って配置された２つの反射器４２ａ，４２ｅ；４４ａ，４４ｅ；４６ａ，４６ｅ；４８ａ，４８ｅの間に３つの前記ＩＤＴ４２ｂ，４２ｃ，４２ｄ；４４ｂ，４４ｃ，４４ｄ；４６ｂ，４６ｃ，４６ｄ；４８ｂ，４８ｃ，４８ｄを有する。第１〜第４の縦結合共振子型フィルタ４２，４４，４６，４８は、全て同じ位相である。１ポート型共振子４０の弾性表面波伝搬方向と、第１〜第４の縦結合共振子型フィルタ４２，４４，４６，４８の弾性表面波伝搬方向とは、互いに平行である。
The 1-
第１の縦結合共振子型フィルタ４２と第２の縦結合共振子型フィルタ４４とが接続され、第３の縦結合共振子型フィルタ４６と第４の縦結合共振子型フィルタ４８とが接続され、第１の縦結合共振子型フィルタ４２と第３の縦結合共振子型フィルタ４６とが１ポート型共振子４０に接続されている。
The first longitudinally coupled
詳しくは、圧電基板の上面１２ａには、第１の縦結合共振子型フィルタ４２の反射器４２ａ，４２ｅ及びＩＤＴ４２ｂ，４２ｃ，４２ｄの一方の端子と、第２の縦結合共振子型フィルタ４４の反射器４４ａ，４４ｅ及びＩＤＴ４４ｂ，４４ｃ，４４ｄの一方の端子との間をそれぞれ接続する配線（図示せず）が形成され、各配線上及び近傍に、それぞれ、介在層の島状部４５ａ〜４５ｅが配置されている。第１の縦結合共振子型フィルタ４２の反射器４２ａ，４２ｅ及びＩＤＴ４２ｂ，４２ｃ，４２ｄの一方の端子と、島状部４５ａ〜４５ｅと、第２の縦結合共振子型フィルタ４４の反射器４４ａ，４４ｅ及びＩＤＴ４４ｂ，４４ｃ，４４ｄの一方の端子との上に、それぞれ、金属膜４３ａ〜４３ｅが形成され、電気的に接続されている。
Specifically, on the
第１及び第２の縦結合共振子型フィルタ４２，４４の反射器４２ａ，４２ｅ；４４ａ，４４ｅ同士を接続する金属膜４３ａ，４３ｅと、中央のＩＤＴ４２ｃ，４４ｃ同士を接続する金属膜４３ｃは、図示していないが、カバーや樹脂層を貫通する導体を介して外部端子（ＧＮＤ端子）に電気的に接続されている。
The
第１及び第２の縦結合共振子型フィルタ４２，４４の両側のＩＤＴ４２ｂ，４２ｄ；４４ｂ，４４ｄ同士を接続する金属膜４３ｂ，４３ｄは、外部端子には電気的に接続されていない導電部材であり、***層である島状部４５ｂ，４５ｄとカバー（図示せず）との間に挟まれている。両側のＩＤＴ４２ｂ，４２ｄ；４４ｂ，４４ｄ同士を接続する配線は端子間配線であり、この端子間配線の熱は、導体部材である金属膜４３ｂ，４３ｄを介して、カバーに伝導される。そのため、放熱性が向上する。
The
第３及び第４の縦結合共振子型フィルタ４６，４８についても同様に構成されている。 The third and fourth longitudinally coupled resonator type filters 46 and 48 are similarly configured.
すなわち、第３及び第４の縦結合共振子型フィルタ４６，４８の反射器４６ａ，４６ｅ；４８ａ，４８ｅ同士を接続する金属膜４７ａ，４７ｅと、中央のＩＤＴ４６ｃ，４８ｃ同士を接続する金属膜４７ｃは、図示していないが、カバーや樹脂層を貫通する導体を介して外部端子（ＧＮＤ端子）に電気的に接続されている。
That is, the
第３及び第４の縦結合共振子型フィルタ４６，４８の両側のＩＤＴ４６ｂ，４６ｄ；４８ｂ，４８ｄ同士を接続する金属膜４７ｂ，４７ｄは、外部端子には電気的に接続されていないが、島状部４９ｂ，４９ｄとカバー（図示せず）との間に挟まれている。両側のＩＤＴ４６ｂ，４６ｄ；４８ｂ，４８ｄ同士を接続する配線は端子間配線であり、この端子間配線の熱は、導体部材である金属膜４７ｂ，４７ｄを介して、カバーや、***層である島状部４９ｂ，４９ｄに伝導される。そのため、放熱性が向上する。
The
第１及び第３の縦結合共振子型フィルタ４２，４６の中央のＩＤＴ４２ｃ，４６ｃの他方の端子と、１ポート型共振子４０のＩＤＴ４０ｂの一方の端子とは、圧電基板の上面１２ａに形成された配線４１ｐによって電気的に接続されている。また、１ポート型共振子４０のＩＤＴ４０ｂの他方の端子に接続された配線４１ｓと、この配線４１ｓ上及びその近傍に配置された介在層の島状部４０ｘとの上に、金属膜４１ｘが形成されている。この金属膜４１ｘは、図示していないが、カバーや樹脂層を貫通する導体を介して外部端子（第１の端子）に電気的に接続されている。
The other terminals of the
第２及び第４の縦結合共振子型フィルタ４４，４８の中央のＩＤＴ４４ｃ，４８ｃの他方の端子同士は、圧電基板の上面１２ａに形成された配線４１ｔによって電気的に接続されている。この配線４１ｔ上及びその近傍に配置された介在層の島状部４０ｙとの上に、金属膜４１ｙが形成されている。この金属膜４１ｙは、図示していないが、カバーや樹脂層を貫通する導体を介して外部端子（第２の端子）に電気的に接続されている。
The other terminals of the
フィルタ装置１０ａは、１ポート型共振子４０のＩＤＴ４０ｂの他方の端子に電気的に接続された外部端子（第１の端子）に不平衡信号が入力（又は出力）され、第２及び第４の縦結合共振子型フィルタ４４，４８の中央のＩＤＴ４４ｃ，４８ｃの他方の端子に電気的に接続された外部端子（第２の端子）から不平衡信号が出力（又は入力）される。
In the
＜実施例３＞ 実施例３のフィルタ装置１０ｂについて、図４の透視図を参照しながら説明する。図４は、実施例１の図２と同様に、カバー（図示せず）の下面から圧電基板の上面１２ａを見た透視図である。
<Example 3> The
実施例３のフィルタ装置１０ｂは、実施例２のフィルタ装置１０ａと同様に、圧電基板の上面１２ａ上に、１つの１ポート型共振子５０と、第１〜第４の縦結合共振子型フィルタ５２，５４，５６，５８とが形成され、実施例２と同様に電気的に接続された、平衡−平衡変換型の弾性表面波フィルタである。図４において太線で示しているのは、介在層の島状部５０ｋ，５０ｘ，５０ｙ，５５ａ，５５ｃ，５５ｅ，５９ａ，５９ｃ，５９ｅである。図４では、介在層の枠状部の図示は省略している。斜線を付しているのは、金属膜５１ｋ，５１ｘ，５１ｙ，５３ａ，５３ｃ，５３ｅ，５７ａ，５７ｃ，５７ｅである。
Similar to the
実施例２と同様に、第１の縦結合共振子型フィルタ５２の反射器５２ａ，５２ｅ及び中央のＩＤＴ５２ｃの一方の端子と、第２の縦結合共振子型フィルタ５４の反射器５４ａ，５４ｅ及び中央のＩＤＴ５４ｃの一方の端子との間については、介在層の島状部５５ａ，５５ｃ，５５ｅと金属膜５３ａ，５３ｃ，５３ｅが形成され、金属膜５３ａ，５３ｃ，５３ｅは、図示していないが、カバーや樹脂層を貫通する導体を介して外部端子（ＧＮＤ端子）に電気的に接続されている。
As in the second embodiment, the
一方、第１の縦結合共振子型フィルタ５２の両側のＩＤＴ５２ｂ，５２ｄの一方の端子と、第２の縦結合共振子型フィルタ５４の両側のＩＤＴ５４ｂ，５４ｄの一方の端子との間については、実施例２のような介在層や金属膜が形成されていない。
On the other hand, between one terminal of
第３及び第４の縦結合共振子型フィルタ５６，５８についても同様に構成されている。すなわち、第３の縦結合共振子型フィルタ５６の反射器５６ａ，５６ｅ及び中央のＩＤＴ５６ｃの一方の端子と、第４の縦結合共振子型フィルタ５８の反射器５８ａ，５８ｅ及び中央のＩＤＴ５８ｃの一方の端子との間については、介在層の島状部５９ａ，５９ｃ，５９ｅと金属膜５７ａ，５７ｃ，５７ｅが形成され、金属膜５７ａ，５７ｃ，５７ｅは、図示していないが、カバーや樹脂層を貫通する導体を介して外部端子（ＧＮＤ端子）に電気的に接続されている。一方、第３の縦結合共振子型フィルタ５６の両側のＩＤＴ５６ｂ，５６ｄの一方の端子と、第４の縦結合共振子型フィルタ５８の両側のＩＤＴ５８ｂ，５８ｄの一方の端子との間については、実施例２のような介在層や金属膜が形成されていない。
The third and fourth longitudinally coupled resonator type filters 56 and 58 are similarly configured. That is, one of the
実施例２と異なり、第１及び第３の縦結合共振子型フィルタ５２，５６の中央のＩＤＴ５２ｃ，５６ｃの他方の端子と、１ポート型共振子５０のＩＤＴ５０ｂの一方の端子とを接続する配線５１ｐ上に、介在層の島状部５０ｋが形成され、配線５１ｐ及び島状部５０ｋの上に金属膜５１ｋが形成されている。金属膜５１ｋは、外部端子には電気的に接続されていない導電部材であり、***層である島状部５０ｋとカバー（図示せず）との間に挟まれている。配線５１ｐは端子間配線であり、この端子間配線の熱は、導体部材である金属膜５１ｋを介して、カバーに伝導される。そのため、放熱性が向上する。
Unlike the second embodiment, the wiring connecting the other terminal of the
実施例２と同様に、１ポート型共振子５０のＩＤＴ５０ｂの他方の端子から延長された配線５１ｓと、この配線５１ｓ上及びその近傍に配置された介在層の島状部５０ｘとの上に、金属膜５１ｘが形成されている。この金属膜５１ｘは、図示していないが、カバーや樹脂層を貫通する導体を介して外部端子（第１の端子）に電気的に接続されている。
As in the second embodiment, on the
また、第２及び第４の縦結合共振子型フィルタ５４，５８の中央のＩＤＴ５４ｃ，５８ｃの他方の端子同士は、圧電基板の上面１２ａに形成された配線５１ｔによって電気的に接続されている。配線５１ｔ上と配線５１ｔの上に配置された介在層の島状部５０ｙとの上に、金属膜５１ｙが形成されている。この金属膜５１ｙは、図示していないが、カバーや樹脂層を貫通する導体を介して外部端子（第２の端子）に電気的に接続されている。
The other terminals of the
フィルタ装置１０ｂは、１ポート型共振子５０のＩＤＴ５０ｂの他方の端子に電気的に接続された外部端子（第１の端子）に不平衡信号が入力（又は出力）され、第２及び第４の縦結合共振子型フィルタ５４，５８の中央のＩＤＴ５４ｃ，５８ｃの他方の端子に電気的に接続された外部端子（第２の端子）から不平衡信号が出力（又は入力）される。
In the
＜実施例４＞ 実施例４のフィルタ装置１０ｃについて、図５の透視図を参照しながら説明する。図５は、実施例１の図２と同様に、カバー（図示せず）の下面から圧電基板の上面１２ａを見た透視図である。
<Example 4> The
実施例４のフィルタ装置１０ｃは、実施例３のフィルタ装置１０ｂと同様に、圧電基板の上面１２ａ上に、１つの１ポート型共振子６０と、第１〜第４の縦結合共振子型フィルタ６２，６４，６６，６８とが形成されているが、実施例３とは異なり、平衡−不平衡変換型の弾性表面波フィルタである。図５において太線で示しているのは、介在層の島状部６０ｋ，６０ｘ，６０ｙ，６０ｚ，６５ａ，６５ｃ，６５ｅ，６９ａ，６９ｃ，６９ｅである。図５では、介在層の枠状部の図示は省略している。斜線を付しているのは、金属膜６１ｋ，６１ｘ，６１ｙ，６１ｚ，６３ａ，６３ｃ，６３ｅ，６７ａ，６７ｃ，６７ｅである。
Similarly to the
実施例３と同様に、１つの１ポート型共振子６０と、第１〜第４の縦結合共振子型フィルタ６２，６４，６６，６８とが接続されている。
Similarly to the third embodiment, one 1-
すなわち、第１の縦結合共振子型フィルタ６２の反射器６２ａ，６２ｅ及び中央のＩＤＴ６２ｃの一方の端子と、第２の縦結合共振子型フィルタ６４の反射器６４ａ，６４ｅ及び中央のＩＤＴ６４ｃの一方の端子との間については、介在層の島状部６５ａ，６５ｃ，６５ｅと金属膜６３ａ，６３ｃ，６３ｅとが形成され、金属膜６３ａ，６３ｃ，６３ｅは、図示していないが、カバーや樹脂層を貫通する導体を介して外部端子（ＧＮＤ端子）に電気的に接続されている。第３の縦結合共振子型フィルタ６６の反射器６６ａ，６６ｅ及び中央のＩＤＴ６６ｃの一方の端子と、第４の縦結合共振子型フィルタ６８の反射器６８ａ，６８ｅ及び中央のＩＤＴ６８ｃの一方の端子との間については、介在層の島状部６９ａ，６９ｃ，６９ｅと金属膜６７ａ，６７ｃ，６７ｅが形成され、金属膜６７ａ，６７ｃ，６７ｅは、図示していないが、カバーや樹脂層を貫通する導体を介して外部端子（ＧＮＤ端子）に電気的に接続されている。
That is, one terminal of the
第１及び第３の縦結合共振子型フィルタ６２，６６の中央のＩＤＴ６２ｃ，６６ｃの他方の端子と、１ポート型共振子６０のＩＤＴ６０ｂの一方の端子とを接続する配線について、介在層の島状部６０ｋと金属膜６１ｋとが形成され、金属膜６１ｋが島状部６０ｋとカバー（図示せず）との間に挟まれて、放熱性を向上するようになっている。
For the wiring connecting the other terminal of the
１ポート型共振子６０のＩＤＴ６０ｂの他方の端子について、介在層の島状部６０ｘと金属膜６１ｘとが形成されている。この金属膜６１ｘは、図示していないが、カバーや樹脂層を貫通する導体を介して外部端子（第１の端子）に電気的に接続されている。
For the other terminal of the
一方、実施例３と異なり、第１〜第４の縦結合共振子型フィルタのうち、１つの位相が他の３つの位相と１８０度異なる。 On the other hand, unlike the third embodiment, one phase of the first to fourth longitudinally coupled resonator type filters is 180 degrees different from the other three phases.
また、第２及び第４の縦結合共振子型フィルタ６４，６８の中央のＩＤＴ６４ｃ，６８ｃの他方の端子に接続された配線６１ｓ，６１ｔは、互いに電気的に分離されている。これらの配線６１ｓ，６１ｔ上には、介在層の島状部６０ｙ，６０ｚが配置され、配線６１ｓ，６１ｔと島状部６０ｙ，６０ｚの上に金属膜６１ｙ，６１ｚが形成されている。この金属膜６１ｙ，６１ｚは、図示していないが、カバーや樹脂層を貫通する導体を介して外部端子（第２の端子、第３の端子）に、それぞれ、電気的に接続されている。
Also, the
フィルタ装置１０ｃは、１ポート型共振子６０のＩＤＴ６０ｂの他方の端子に電気的に接続された外部端子（第１の端子）に不平衡信号が入力（又は出力）され、第２及び第４の縦結合共振子型フィルタ６４，６８の中央のＩＤＴ６４ｃ，６８ｃの他方の端子にそれぞれ電気的に接続された外部端子（第２の端子、第３の端子）に平衡信号が出力（又は入力）される。
In the
＜実施例５＞ 実施例５のフィルタ装置１０ｄについて、図６の透視図を参照しながら説明する。図６は、実施例１の図２と同様に、カバー（図示せず）の下面から圧電基板の上面１２ａを見た透視図である。
<Example 5> The
実施例５のフィルタ装置１０ｄは、実施例２のフィルタ装置１０ａと同様に、圧電基板の上面１２ａ上に、１つの１ポート型共振子７０と、第１〜第４の縦結合共振子型フィルタ７２，７４，７６，７８とが形成されているが、実施例２とは異なり、平衡−不平衡変換型の弾性表面波フィルタである。図６において太線で示しているのは、介在層の島状部７０ｋ，７０ｘ，７５ａ〜７５ｅ，７９ａ〜７９ｅである。図６では、介在層の枠状部の図示は省略している。斜線を付しているのは、金属膜７１ｋ，７１ｘ，７１ｙ，７１ｚ，７３，７７である。
Similarly to the
実施例２と同様に、第１縦結合共振子型フィルタ７２の反射器７２ａ，７２ｅ及び両側のＩＤＴ７２ｂ，７２ｄの一方の端子と、第２縦結合共振子型フィルタ７４の反射器７４ａ，７４ｅ及び両側のＩＤＴ７４ｂ，７４ｄの一方の端子とは、圧電基板の上面１２ａに形成された配線によって電気的に接続されているが、実施例２と異なり、第１縦結合共振子型フィルタ７２の中央のＩＤＴ７２ｃの一方の端子と、第２の縦結合共振子型フィルタ７４の中央のＩＤＴ７４ｃの一方の端子とは、接続されていない。
As in the second embodiment, the
第１縦結合共振子型フィルタ７２の反射器７２ａ，７２ｅ及び中央のＩＤＴ７２ｃの一方の端子と、第２縦結合共振子型フィルタ７４の一方の反射器７４ａの一方の端子とは、金属膜７３によって接続されている。金属膜７３は、介在層の島状部７５ｂ，７５ｃを介して、第１の縦結合共振子型フィルタ７２の両側のＩＤＴ７２ｂ，７２ｄと第２の縦結合共振子型フィルタ７４の両側のＩＤＴ７４ｂ，７４ｄとを接続する配線と交差し、絶縁されている。金属膜７３は、第１の縦結合共振子型フィルタ７２の一方の反射器７２ａと第２の縦結合共振子型フィルタ７４の一方の反射器７４ａとの間を接続する配線上及びその近傍に形成された介在層の島状部７５ａの上にも形成され、カバーや樹脂層を貫通する導体を介して外部端子（ＧＮＤ端子）に電気的に接続されている。
One terminal of the
第３及び第４の縦結合共振子型フィルタ７６，７８についても同様に構成されている。すなわち、第３縦結合共振子型フィルタ７６の反射器７６ａ，７６ｅ及び中央のＩＤＴ７６ｃの一方の端子と、第４の縦結合共振子型フィルタ７８の一方の反射器７８ａの一方の端子とは、金属膜７７によって接続されている。金属膜７７は、介在層の島状部７９ｂ，７９ｃを介して、第３の縦結合共振子型フィルタ７６の両側のＩＤＴ７６ｂ，７６ｄと第４の縦結合共振子型フィルタ７８の両側のＩＤＴ７８ｂ，７８ｄとを接続する配線と交差し、絶縁されている。金属膜７７は、第３の縦結合共振子型フィルタ７６の一方の反射器７６ａと第４の縦結合共振子型フィルタ７８の一方の反射器７８ａとの間を接続する配線上及びその近傍に形成された介在層の島状部７９ａの上にも形成され、カバーや樹脂層を貫通する導体を介して外部端子（ＧＮＤ端子）に電気的に接続されている。
The third and fourth longitudinally coupled resonator type filters 76 and 78 are similarly configured. That is, one terminal of the
また、第２の縦結合共振子型フィルタ７４の中央のＩＤＴ７４ｃの一方の端子と、第４の縦結合共振子型フィルタ７８の中央のＩＤＴ７８ｃの一方の端子とは、金属膜７１ｙを介して、電気的に接合されている。金属膜７１ｙは、介在層の島状部７５ｄ，７５ｅ，７９ｄ，７９ｅを介して、第１の縦結合共振子型フィルタ７２の反射器７２ｅ及びＩＤＴ７２ｄと第２の縦結合共振子型フィルタ７４の反射器７２ｅ及びＩＤＴ７２ｄとを接続する配線や、第３の縦結合共振子型フィルタ７６の反射器７６ｅ及びＩＤＴ７６ｄと第４の縦結合共振子型フィルタ７８の反射器７８ｅ及びＩＤＴ７８ｄとを接続する配線と交差し、絶縁されている。金属膜７１ｙは、第２の縦結合共振子型フィルタ７４と第４の縦結合共振子型フィルタ７８との間に配置された介在層の島状部７０ｙの上にも形成され、図示していないが、カバーや樹脂層を貫通する導体を介して外部端子（第２の端子）に電気的に接続されている。
In addition, one terminal of the
実施例２と同様に、第１及び第３の縦結合共振子型フィルタ７２，７６の中央のＩＤＴ７２ｃ，７６ｃの他方の端子と、１ポート型共振子７０のＩＤＴ７０ｂの一方の端子とを接続する配線について、介在層の島状部７０ｋと金属膜７１ｋとが形成され、金属膜７１ｋが島状部７０ｋとカバー（図示せず）との間に挟まれて、放熱性を向上するようになっている。
Similarly to the second embodiment, the other terminals of the
実施例２と同様に、１ポート型共振子７０のＩＤＴ７０ｂの他方の端子について、介在層の島状部７０ｘと金属膜７１ｘとが形成されている。この金属膜７１ｘは、図示していないが、カバーや樹脂層を貫通する導体を介して外部端子（第１の端子）に電気的に接続されている。
As in the second embodiment, an island-shaped
また、実施例２と同様に、第２及び第４の縦結合共振子型フィルタ７４，７８の中央のＩＤＴ７４ｃ，７８ｃの他方の端子同士を接続する配線７１ｔについて、介在層の島状部７０ｚと金属膜７１ｚとが形成されている。この金属膜７１ｚは、図示していないが、カバーや樹脂層を貫通する導体を介して外部端子（第３の端子）に電気的に接続されている。
Further, as in the second embodiment, for the
フィルタ装置１０ｄは、１ポート型共振子７０のＩＤＴ７０ｂの他方の端子に電気的に接続された外部端子（第１の端子）に不平衡信号が入力（又は出力）され、第２及び第４の縦結合共振子型フィルタ７４，７８の中央のＩＤＴ７４ｃ，７８ｃの両方の端子にそれぞれ電気的に接続された外部端子（第２の端子、第３の端子）に平衡信号が出力（又は入力）される。
In the
＜実施例６＞ 実施例６のフィルタ装置１００について、図７及び図８を参照しながら説明する。図７は、カバーの下面から基板側を見た透視図である。図８（ａ）は、図７の線ａ−ａに沿って切断した断面図である。図８（ｂ）は、図７の線ｂ−ｂに沿って切断した断面図である。図８（ｃ）は、図７の線ｃ−ｃに沿って切断した要部断面図である。
<Example 6> The
図７及び図８に示すように、実施例６のフィルタ装置１００は、図１０に示すラダー型フィルタをＢＡＷ共振子で構成している。
As shown in FIGS. 7 and 8, the
すなわち、フィルタ装置１００は、基板１１２の上面１１２ａに、犠牲層１１１、下部電極となる部分を含む下部電極膜１２１ａ〜１２１ｃ、圧電膜１２０ａ〜１２０ｅ、上部電極となる上部電極膜１２２ａ〜１２２ｃ、太線で示した介在層１１４、斜線を付した金属膜１２３ａ〜１２３ｅが配置され、犠牲層１１１を除去することにより、５つのＢＡＷ共振子１０１〜１０５が形成されている。
That is, the
各共振子１０１〜１０５は、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、対向する一対の電極膜１２１ｂ，１２２ｃの間に圧電薄膜１２０ｅが配置された薄膜部が、犠牲層１１１の除去により形成された空隙１１３を介して、基板１１２から浮いた状態で支持され、基板１１２から音響的に分離されている。
As shown in FIGS. 8A and 8B, each of the
介在層１１４は、圧電基板１１２の外縁１１２ｂに沿って枠状に形成された枠状部１１４ａと、枠状部１１４ａから内側に延長された延長部１１４ｘ，１１４ｙ，１１４ｚと、枠状部１１４ａ及び延長部１１４ｘ，１１４ｙ，１１４ｚから離れた島状部１１４ｂ，１１４ｃ，１１４ｄとを含む。介在層１１４のうち、枠状部１１４ａが支持層である。
The intervening
介在層１１４の中央の延長部１１４ｙと両側の島状部１１４ｂ，１１４ｄは、それぞれ、電極膜１２２ｂ，１２１ａ，１２１ｃの上にも形成されおり、介在層１１４の中央の延長部１１４ｙと両側の島状部１１４ｂ，１１４ｄと電極膜１２２ｂ，１２１ａ，１２１ｃとの上には、金属膜１２３ｂ，１２３ｄ，１２３ｅが形成されている。これらの金属膜１２３ｂ，１２３ｄ，１２３ｅは、図示していないが、それぞれ、カバーや樹脂層を貫通する導体を介して外部端子（ＧＮＤ端子）に電気的に接続されている。
The
一方、介在層１１４の両側の延長部１１４ｘ，１１４ｚは、それぞれ、電極膜１２２ａ，１２２ｃの上にも形成されおり、延長部１１４ｘ，１１４ｚと電極膜１２２ａ，１２２ｃとの上には、金属膜１２３ａ，１２３ｃが形成されている。これらの金属膜１２３ａ，１２３ｃは、図示していないが、それぞれ、カバーや樹脂層を貫通する導体を介して外部端子（第１の端子、第２の端子）に電気的に接続されている。
On the other hand, the
介在層１１４の中央の島状部１１４ｃは、電極膜１２１ｂの共振子１０２，１０３，１０４同士を接続する部分上に形成され、この島状部１１４ｃと電極膜１２１ｂとの上には、金属膜１２３ｋが形成されている。この金属膜１２３ｋは、図示していないが、外部電極には接続されておらず、カバーと島状部１１４ｃとの間に挟まれている。つまり、電極膜１２１ｂの共振子１０２，１０３，１０４同士を接続する部分は端子間配線であり、この端子間配線の熱は、導体部材である金属膜１２３ｋを介して、カバーに伝導される。そのため、放熱性が向上する。
The
フィルタ装置１００は、金属膜１２３ａ，１２３ｃに電気的に接続された外部端子（第１の端子、第２の端子）のいずれか一方に不平衡信号が入力（又は出力）され、他方から不平衡信号が出力（又は入力）される。
In the
＜実施例７＞ 実施例７のデュプレクサ２００について、図９の回路図を参照しながら説明する。
<Example 7> The
実施例７のデュプレクサ２００には、アンテナ端子２０２、受信側端子２０４及び送信側端子２０６が設けられている。デュプレクサ２００は、受信側端子２０４とアンテナ端子２０２との間に、受信周波数帯域のみ通過させ、送信周波数帯域を減衰させる受信側フィルタを備える。また、送信側端子２０６とアンテナ端子２０２との間に、送信周波数帯域のみ通過させ、受信周波数帯域を減衰させる送信側フィルタを備える。デュプレクサ２００の送信側フィルタと受信側フィルタとのいずれか一方又は両方に、実施例１〜６のいずれかのフィルタ装置１０ａ〜１０ｅ，１００を用いる。
The
＜まとめ＞ 以上に説明したフィルタ装置は、耐電力性を向上することができる。すなわち、ＩＤＴ同士を接続する配線のうち外部端子に接続されていない端子間配線は、発熱により温度が上昇しやすいが、端子間配線を熱伝導率が高い金属膜を介してカバーと接触させることで、カバーに熱を逃がし、温度上昇を抑制し、耐電力性を向上することができる。このようなフィルタ装置を、デュプレクサの送信側フィルタと受信側フィルタとのいずれか一方又は両方に用いると、デュプレクサの耐電力性を向上することができる。 <Summary> The filter device described above can improve power durability. That is, among the wirings that connect IDTs, inter-terminal wirings that are not connected to external terminals are likely to rise in temperature due to heat generation, but the inter-terminal wirings are brought into contact with the cover through a metal film having high thermal conductivity. Thus, heat can be released to the cover, temperature rise can be suppressed, and power durability can be improved. When such a filter device is used for one or both of the transmission-side filter and the reception-side filter of the duplexer, the power durability of the duplexer can be improved.
また、介在層の上に配線がある部分とない部分とが混在すると、両者の厚みの差によってカバーにたわみが生じやすいが、実施例１〜６のように、介在層のみの部分と支持層の上に金属膜が形成された部分を増やすことにより、カバーのたわみを抑制することができる。 In addition, when a portion with wiring and a portion without wiring are mixed on the intervening layer, the cover is likely to bend due to the difference in thickness between the two, but as in Examples 1 to 6, the intermediary layer only portion and the support layer By increasing the portion on which the metal film is formed, the deflection of the cover can be suppressed.
また、ＩＤＴ同士を接続する端子間配線と並列に金属膜（導電部材）を形成することにより配線抵抗が減少し、電気損失が改善される。 Further, by forming a metal film (conductive member) in parallel with the inter-terminal wiring connecting the IDTs, the wiring resistance is reduced and the electrical loss is improved.
なお、本発明のフィルタ装置は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。 The filter device of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be implemented with various modifications.
例えば、弾性表面波共振子や弾性表面波フィルタを用いて構成したフィルタ装置の実施例を説明したが、本発明は、圧電体と誘電体（固体層）との界面に、実施例の弾性表面波共振子や弾性表面波フィルタと同様の電極構造を形成してなる弾性境界波共振子や弾性境界波フィルタを用いて、フィルタ装置を構成してもよい。すなわち、本発明のフィルタ装置は、弾性波素子として弾性表面波共振子や弾性表面波フィルタを用いた弾性表面波フィルタ装置だけでなく、弾性波素子として弾性境界波共振子や弾性境界波フィルタを用いた弾性境界波フィルタ装置にも摘用することができる。 For example, the embodiment of the filter device configured by using the surface acoustic wave resonator or the surface acoustic wave filter has been described. However, the present invention is not limited to the elastic surface of the embodiment at the interface between the piezoelectric body and the dielectric (solid layer). The filter device may be configured using a boundary acoustic wave resonator or a boundary acoustic wave filter formed by forming an electrode structure similar to that of the wave resonator or the surface acoustic wave filter. That is, the filter device of the present invention includes not only a surface acoustic wave filter device using a surface acoustic wave resonator or a surface acoustic wave filter as a surface acoustic wave element, but also a boundary acoustic wave resonator or a boundary acoustic wave filter as an acoustic wave device. The boundary acoustic wave filter device used can also be used.
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ フィルタ装置
１２ 基板
１４ 介在層
１４ｃ 島状部（***層）
１４ｘ 枠状部（支持層）
１６ カバー
１８ 樹脂
２０ｄ 配線（端子間配線）
３０ 並列共振子
３２ 直列共振子
３４ 並列共振子
３６ 直列共振子
３８ 並列共振子
４０ １ポート型共振子
４２ 第１の縦結合共振子型フィルタ
４３ｂ，４３ｄ 金属膜（導電部材）
４４ 第２の縦結合共振子型フィルタ
４５ｂ，４５ｄ 島状部（***層）
４６ 第３の縦結合共振子型フィルタ
４７ｂ，４７ｄ 金属膜（導電部材）
４８ 第４の縦結合共振子型フィルタ
４９ｂ，４９ｄ 島状部（***層）
５０ １ポート型共振子
５０ｋ 島状部（***層）
５１ｋ 金属膜（導電部材）
５２，５４，５６，５８ 縦結合共振子型フィルタ
６０ １ポート型共振子
６０ｋ 島状部（***層）
６１ｋ 金属膜（導電部材）
６２，６４，６６，６８ 縦結合共振子型フィルタ
７０ １ポート型共振子
７０ｋ 島状部（***層）
７１ｋ 金属膜（導電部材）
７２，７４，７６，７８ 縦結合共振子型フィルタ
１００ フィルタ装置
１０１ 並列共振子
１０２ 直列共振子
１０３ 並列共振子
１０４ 直列共振子
１０５ 並列共振子
１１４ｃ 島状部（***層）
１２３５ 金属膜（導電部材）
２００ デュプレクサ
10, 10a, 10b, 10c,
14x frame (support layer)
16
DESCRIPTION OF
44 Second longitudinally coupled
46 Third longitudinally coupled
48 4th longitudinally coupled
50 1-
51k metal film (conductive member)
52, 54, 56, 58 Longitudinal coupled
61k metal film (conductive member)
62, 64, 66, 68 Longitudinal coupled
71k Metal film (conductive member)
72, 74, 76, 78 Vertically coupled
1235 Metal film (conductive member)
200 duplexer
Claims (11)
前記基板の一方主面に対向して配置される、カバーと、
前記基板の外縁に沿って延在し、前記基板と前記カバーとを間隔を設けて接合して、前記基板と前記カバーとの間に空間（以下、「振動空間」という。）を形成する、支持層と、
前記振動空間内において、前記基板の前記一方主面に支持又は形成された、複数の機能素子と、
前記振動空間内において、前記基板の前記一方主面に形成され、前記機能素子の複数の端子に電気的に接続された、端子間配線と、
前記振動空間内において、前記端子間配線上又は前記端子間配線に隣接して前記基板の前記一方主面上に形成され、前記カバーに向けて***する、***層と、
前記端子間配線上から前記***層上まで連続して形成され、前記***層上において前記カバーと前記***層との間に挟まれる部分を含む、導電部材と、
を備えたことを特徴とする、フィルタ装置。 A substrate,
A cover disposed to face one main surface of the substrate;
It extends along the outer edge of the substrate, and the substrate and the cover are joined at a distance to form a space (hereinafter referred to as “vibration space”) between the substrate and the cover. A support layer;
Within the vibration space, a plurality of functional elements supported or formed on the one main surface of the substrate;
In the vibration space, inter-terminal wiring formed on the one main surface of the substrate and electrically connected to a plurality of terminals of the functional element;
In the vibration space, a raised layer formed on the one main surface of the substrate adjacent to the inter-terminal wiring or adjacent to the inter-terminal wiring, and raised toward the cover;
A conductive member formed continuously from the inter-terminal wiring to the raised layer, and including a portion sandwiched between the cover and the raised layer on the raised layer;
A filter device comprising:
前記機能素子は、前記圧電基板上の弾性波伝搬方向に沿って配置された２つの反射器と、前記反射器の間に配置された１つ又は２つ以上のＩＤＴとを含む、弾性波素子である、ことを特徴とする、請求項１に記載のフィルタ装置。 The substrate is a piezoelectric substrate;
The functional element includes two reflectors arranged along an acoustic wave propagation direction on the piezoelectric substrate, and one or more IDTs arranged between the reflectors. The filter device according to claim 1, wherein
前記基板に支持されかつ前記基板から音響的に分離されていて、対向する一対の電極の間に圧電薄膜が配置された薄膜部を含む圧電薄膜共振子であることを特徴とする、請求項１に記載のフィルタ装置。 The functional element is:
2. A piezoelectric thin film resonator which is supported by the substrate and is acoustically separated from the substrate and includes a thin film portion in which a piezoelectric thin film is disposed between a pair of opposed electrodes. The filter device according to 1.
前記１ポート型共振子は、ラダー型に接続された少なくとも２つの直列共振子と少なくとも１つの並列共振子とを含み、
少なくとも２つの前記直列共振子の間に少なくとも１つの前記並列共振子が配置され、
前記端子間配線は、少なくとも２つの前記直列共振子と少なくとも１つの前記並列共振子とのそれぞれの一方の端子に接続され、少なくとも１つの前記並列共振子に沿って延在することを特徴とする、請求項２に記載のフィルタ装置。 The acoustic wave element is a one-port resonator having one IDT between two reflectors,
The one-port resonator includes at least two series resonators connected in a ladder shape and at least one parallel resonator,
At least one of the parallel resonators is disposed between at least two of the series resonators;
The inter-terminal wiring is connected to one terminal of at least two of the series resonators and at least one of the parallel resonators, and extends along at least one of the parallel resonators. The filter device according to claim 2.
少なくとも２つの前記直列共振子の間に少なくとも１つの前記並列共振子が配置され、
前記端子間配線は、少なくとも２つの前記直列共振子と少なくとも１つの前記並列共振子とのそれぞれの一方の端子に接続され、少なくとも１つの前記並列共振子に沿って延在することを特徴とする、請求項３に記載のフィルタ装置。 The piezoelectric thin film resonator includes at least two series resonators and at least one parallel resonator connected in a ladder shape,
At least one of the parallel resonators is disposed between at least two of the series resonators;
The inter-terminal wiring is connected to one terminal of at least two of the series resonators and at least one of the parallel resonators, and extends along at least one of the parallel resonators. The filter device according to claim 3.
２つの前記反射器の間に１つの前記ＩＤＴを有する、少なくとも１つの１ポート型共振子と、
２つの前記反射器の間に３つの前記ＩＤＴを有する、少なくとも２つの縦結合共振子型フィルタと、
を含み、
前記端子間配線は、少なくとも１つの前記１ポート型共振子と少なくとも２つの前記縦結合共振子型フィルタとのそれぞれの一方の端子に接続されることを特徴とする、請求項２に記載のフィルタ装置。 The acoustic wave element is
At least one 1-port resonator having one IDT between two reflectors;
At least two longitudinally coupled resonator filters having three said IDTs between two said reflectors;
Including
3. The filter according to claim 2, wherein the inter-terminal wiring is connected to one terminal of each of at least one of the one-port resonator and at least two of the longitudinally coupled resonator filters. apparatus.
２つの前記反射器の間に１つの前記ＩＤＴを有する、少なくとも１つの１ポート型共振子と、
２つの前記反射器の間に３つの前記ＩＤＴを有する、第１〜第４の縦結合共振子型フィルタと、
を含み、
前記第１〜第４の縦結合共振子型フィルタのうち、１つの位相が他の３つの位相と１８０度異なり、
前記第１の縦結合共振子型フィルタの前記ＩＤＴの一方の端子と前記第２の縦結合共振子型フィルタの前記ＩＤＴの一方の端子とがそれぞれ接続され、
前記第３の縦結合共振子型フィルタの前記ＩＤＴの一方の端子と前記第４の縦結合共振子型フィルタの前記ＩＤＴの一方の端子とがそれぞれ接続され、
前記第１及び前記第３の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの他方の端子が、前記１ポート型共振子を介して、第１の外部端子に電気的に接続され、
前記第２の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの他方の端子が、第２の外部端子に電気的に接続され、
前記第４の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの他方の端子が、第３の外部端子に電気的に接続され、
前記***層と前記導電部材とは、前記基板の前記一方主面に形成され、１つの前記１ポート型共振子の一方の端子と前記第１及び第３の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの前記他方の端子とを接続する配線について形成されていることを特徴とする、請求項６に記載のフィルタ装置。 The acoustic wave element is
At least one 1-port resonator having one IDT between two reflectors;
First to fourth longitudinally coupled resonator filters having three IDTs between two reflectors;
Including
Of the first to fourth longitudinally coupled resonator type filters, one phase is 180 degrees different from the other three phases,
One terminal of the IDT of the first longitudinally coupled resonator type filter is connected to one terminal of the IDT of the second longitudinally coupled resonator type filter, respectively.
One terminal of the IDT of the third longitudinally coupled resonator type filter and one terminal of the IDT of the fourth longitudinally coupled resonator type filter are respectively connected.
The other terminal of the IDT in the center of the first and third longitudinally coupled resonator type filters is electrically connected to a first external terminal via the 1 port type resonator,
The other terminal of the IDT in the center of the second longitudinally coupled resonator type filter is electrically connected to a second external terminal;
The other terminal of the IDT in the center of the fourth longitudinally coupled resonator type filter is electrically connected to a third external terminal;
The raised layer and the conductive member are formed on the one main surface of the substrate, and are located at one terminal of one one-port resonator and the center of the first and third longitudinally coupled resonator filters. The filter device according to claim 6, wherein the filter device is formed with respect to a wiring connecting the other terminal of the IDT.
２つの前記反射器の間に１つの前記ＩＤＴを有する、少なくとも１つの１ポート型共振子と、
２つの前記反射器の間に３つの前記ＩＤＴを有する、第１〜第４の縦結合共振子型フィルタと、
を含み、
前記第１〜第４の縦結合共振子型フィルタは、全て同じ位相であり、
前記第１の縦結合共振子型フィルタの前記ＩＤＴの一方の端子と前記第２の縦結合共振子型フィルタの前記ＩＤＴの一方の端子とがそれぞれ接続され、
前記第３の縦結合共振子型フィルタの前記ＩＤＴの一方の端子と前記第４の縦結合共振子型フィルタの前記ＩＤＴの一方の端子とがそれぞれ接続され、
前記第１及び前記第３の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの他方の端子が、前記１ポート型共振子を介して、第１の外部端子に電気的に接続され、
前記基板の前記一方主面に、前記第２及び第４の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの他方の端子とを接続する配線が形成され、該配線が第２の外部端子に電気的に接続され、
前記***層と前記導電部材とは、前記基板の前記一方主面に形成され、１つの前記１ポート型共振子の一方の端子と前記第１及び第３の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの前記他方の端子とを接続する配線と、前記第２及び第４の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの他方の端子とを接続する前記配線との少なくとも一方について形成されていることを特徴とする、請求項６に記載のフィルタ装置。 The acoustic wave element is
At least one 1-port resonator having one IDT between two reflectors;
First to fourth longitudinally coupled resonator filters having three IDTs between two reflectors;
Including
The first to fourth longitudinally coupled resonator type filters are all in the same phase,
One terminal of the IDT of the first longitudinally coupled resonator type filter is connected to one terminal of the IDT of the second longitudinally coupled resonator type filter, respectively.
One terminal of the IDT of the third longitudinally coupled resonator type filter and one terminal of the IDT of the fourth longitudinally coupled resonator type filter are respectively connected.
The other terminal of the IDT in the center of the first and third longitudinally coupled resonator type filters is electrically connected to a first external terminal via the 1 port type resonator,
A wiring connecting the other terminal of the IDT at the center of the second and fourth longitudinally coupled resonator type filters is formed on the one main surface of the substrate, and the wiring is electrically connected to a second external terminal. Connected,
The raised layer and the conductive member are formed on the one main surface of the substrate, and are located at one terminal of one one-port resonator and the center of the first and third longitudinally coupled resonator filters. Formed on at least one of a wiring connecting the other terminal of the IDT and a wiring connecting the other terminal of the IDT at the center of the second and fourth longitudinally coupled resonator filters. The filter device according to claim 6, wherein:
２つの前記反射器の間に１つの前記ＩＤＴを有する、１つの１ポート型共振子と、
２つの前記反射器の間に３つの前記ＩＤＴを有する、第１〜第４の縦結合共振子型フィルタと、
を含み、
前記第１〜第４の縦結合共振子型フィルタは、全て同じ位相であり、
前記第１の縦結合共振子型フィルタの両外側の前記ＩＤＴの一方の端子と前記第２の縦結合共振子型フィルタの両外側の前記ＩＤＴの一方の端子とがそれぞれ接続され、
前記第３の縦結合共振子型フィルタの両外側の前記ＩＤＴの一方の端子と前記第４の縦結合共振子型フィルタの両外側の前記ＩＤＴの一方の端子とがそれぞれ接続され、
前記第１及び前記第３の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの他方の端子が、前記１ポート型共振子を介して、第１の外部端子に電気的に接続され、
前記第２及び前記第４の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの一方の端子が、第２の外部端子に電気的に接続され、
前記第２及び前記第４の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの他方の端子が、第３の外部端子に電気的に接続され、
前記***層と前記導電部材とは、前記基板の前記一方主面に形成され、１つの前記１ポート型共振子の一方の端子と前記第１及び第３の縦結合共振子型フィルタの中央の前記ＩＤＴの前記他方の端子とを接続する配線について形成されていることを特徴とする、請求項６に記載のフィルタ装置。 The acoustic wave element is
One 1-port resonator having one IDT between two reflectors;
First to fourth longitudinally coupled resonator filters having three IDTs between two reflectors;
Including
The first to fourth longitudinally coupled resonator type filters are all in the same phase,
One terminal of the IDT on both outer sides of the first longitudinally coupled resonator type filter and one terminal of the IDT on both outer sides of the second longitudinally coupled resonator type filter are respectively connected.
One terminal of the IDT on both outer sides of the third longitudinally coupled resonator type filter is connected to one terminal of the IDT on both outer sides of the fourth longitudinally coupled resonator type filter, respectively.
The other terminal of the IDT in the center of the first and third longitudinally coupled resonator type filters is electrically connected to a first external terminal via the 1 port type resonator,
One terminal of the IDT in the center of the second and fourth longitudinally coupled resonator type filters is electrically connected to a second external terminal;
The other terminal of the IDT in the center of the second and fourth longitudinally coupled resonator type filters is electrically connected to a third external terminal;
The raised layer and the conductive member are formed on the one main surface of the substrate, and are located at one terminal of one one-port resonator and the center of the first and third longitudinally coupled resonator filters. The filter device according to claim 6, wherein the filter device is formed with respect to a wiring connecting the other terminal of the IDT.
前記機能素子の前記内部接続端子以外の端子（以下、「外部接続端子」という。）上、又は前記基板の前記一方主面に形成され前記外部接続端子に電気的に接続された基板配線上から前記支持層上まで連続する外部接続部材を形成するとともに、前記端子間配線上から前記***層上まで連続する導電部材を形成する第２の工程と、
前記基板の前記一方主面に対向してカバーを配置し、前記支持層により前記基板と前記カバーとを間隔を設けて接合して、前記基板と前記カバーとの間に空間（以下、「振動空間」という。）を形成して、前記振動空間内に前記機能素子を配置するとともに、前記導電部材の一部を前記カバーと前記***層との間に挟む、第３の工程と、
を備え、
前記第１の工程において、前記支持層と前記***層とを同時に形成し、
前記第２の工程において、前記外部接続部材と前記導電部材とを同時に形成することを特徴とする、フィルタ装置の製造方法。 A support layer extending along an outer edge of the substrate is formed on one main surface of the substrate on which a plurality of functional elements are supported or formed, and a plurality of functional elements formed on the one main surface of the substrate are formed. A raised layer is formed on the inter-terminal wiring electrically connected only to terminals (hereinafter referred to as “internal connection terminals”) or on the one main surface of the substrate adjacent to the inter-terminal wiring. The first step;
From a terminal other than the internal connection terminal (hereinafter referred to as “external connection terminal”) of the functional element, or from a substrate wiring formed on the one main surface of the substrate and electrically connected to the external connection terminal. A second step of forming an external connection member that continues to the support layer and a conductive member that continues from the inter-terminal wiring to the raised layer;
A cover is disposed opposite to the one main surface of the substrate, and the substrate and the cover are joined to each other with a gap by the support layer, and a space (hereinafter referred to as “vibration”) is formed between the substrate and the cover. Forming a space, and disposing the functional element in the vibration space, and sandwiching a part of the conductive member between the cover and the raised layer;
With
In the first step, the support layer and the raised layer are formed simultaneously,
In the second step, the external connection member and the conductive member are formed at the same time.
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