JP4905353B2 - 表示素子の駆動方法 - Google Patents
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Description
2.前記駆動方法が、式(5)を満たすことを特徴とする1に記載の表示素子の駆動方法。
Sb・・順方向への電圧印加パルスの電圧(V)×印加時間(s)の積分値
Sw・・逆方向への電圧印加パルスの電圧(V)×印加時間(s)の積分値
3.前記析出過電圧を超える順方向への電圧印加パルスの最大電圧Mv(V)が、式(6)を満たすことを特徴とする1又は2に記載の表示素子の駆動方法。
4.前記順方向への電圧印加パルスが析出過電圧以下の電圧パルスを含むことを特徴とする1〜3のいずれか1項に記載の表示素子の駆動方法。
5.前記対向電極の少なくとも一方の電極表面の表面粗さが、JIS B0601で0.001μm以上、2.0μm以下であることを特徴とする1〜4のいずれか1項に記載の表示素子の駆動方法。
6.前記電解質が、下記一般式(1)または(2)で表される化合物の少なくとも1種と、下記一般式(3)または(4)で表される化合物の少なくとも1種とを含有することを特徴とする1〜5のいずれか1項に記載の表示素子の駆動方法。
一般式(3)
R7−S−R8
〔式中、R7、R8は各々置換または無置換の炭化水素基を表す。ただし、S原子を含む環を形成する場合には、芳香族基をとることはない。また、R7、R8のS原子に隣接する原子はSではない。〕
7.前記電解質に含まれるハロゲンイオンまたはハロゲン原子のモル濃度を[X](モル/kg)とし、前記電解質に含まれる銀または銀を化学構造中に含む化合物の銀の総モル濃度を[Ag](モル/kg)としたとき、下式(1)で規定する条件を満たすことを特徴とする1〜6のいずれか1項に記載の表示素子の駆動方法。
0≦[X]/[Ag]≦0.01
8.前記表示素子の駆動方法がアクティブマトリックス駆動であることを特徴とする1〜7のいずれか1項に記載の表示素子の駆動方法。
9.前記アクティブマトリックス駆動を行う画素駆動回路が各画素毎にスイッチング手段を有することを特徴とする8に記載の表示素子の駆動方法。
10.前記アクティブマトリックス駆動を行う画素駆動回路が各画素毎に書き換え指定手段を有することを特徴とする8又は9に記載の表示素子の駆動方法。
11.前記アクティブマトリックス駆動を行う画素駆動回路が各画素毎に電位制御手段を有することを特徴とする8〜10のいずれか1項に記載の表示素子駆動方法。
12.前記アクティブマトリックス駆動を行う画素駆動回路が各画素毎に電源遮断手段を有することを特徴とする8〜11のいずれか1項に記載の表示素子駆動方法。
22 ED表示部
24 Com電極
34 TFT基板
42 ゲート線
43 ソース線
45 ゲート電極
46 ソース電極
47 ドレイン電極
48 半導体層
本発明に係る銀または銀を化学構造中に含む化合物とは、例えば、酸化銀、硫化銀、金属銀、銀コロイド粒子、ハロゲン化銀、銀錯体化合物、銀イオン等の化合物の総称であり、固体状態や液体への可溶化状態や気体状態等の相の状態種、中性、アニオン性、カチオン性等の荷電状態種は、特に問わない。
図1は、本発明の表示素子の基本的な構成を示す概略断面図である。
t1期間は+1.2Vを800ms
1画素の残り期間は0V
t1期間の先頭で析出過電圧Vdを越える電圧(1.2V)までステップ状に立ち上げる。800ms後に0Vまで立ち下げる。1画素の残り期間は0Vを保つ。
t1期間は+0.2Vを200ms
t2期間は−0.1Vを50ms
t3期間は+0.25Vを200ms
t4期間は−0.1Vを50ms
t5期間は+0.3Vを200ms
t6期間は−0.1Vを50ms
t7期間は+0.35Vを200ms
t8期間は−0.1Vを50ms
t9期間は+0.4Vを200ms
t10期間は−0.1Vを50ms
1画素の残り期間は0V
最大振幅Vp-pがVdを越えない電圧で階段状の複数パルスを印加する。まず、t1期間の先頭で0.2Vまでパルス状に立ち上げる。200ms後に−0.1Vまで立ち下げる。50ms後にt3期間の先頭で0.25Vまで立ち上げる。以下、+電圧、−電圧を交互に印加する。1画素の残り期間は0Vを保つ。
t1期間は+1.2Vを700ms
t2期間は−0.3Vを50ms
1画素の残り期間は0V
析出過電圧Vdを越える電圧までステップ状に立ち上げ、700ms後、−0.3Vまで立ち下げる。50ms後に、0Vに戻す。
t1期間は+1.2Vを50ms
t2期間は+Vdと0Vとの中間の電圧を800ms
t10期間は−0.3Vを50ms
1画素の残り期間は0V
析出過電圧Vdを越える電圧(1.2V)までステップ状に立ち上げ、50ms後、Vdと0Vの中間電圧まで立ち下げる。800ms後、−0.3Vまで立ち下げる。50ms後に0Vに戻す。
t1期間は+1.2Vを200ms
t2期間は−0.3Vを50ms
t3期間は+1.2Vを200ms
t4期間は−0.3Vを50ms
t5期間は+1.2Vを200ms
t6期間は−0.3Vを50ms
t7期間は+1.2Vを200ms
t8期間は−0.3Vを50ms
1画素の残り期間は0V
1.2Vから−0.3Vを振幅とするパルスを複数印加する。先ず、析出過電圧Vdを越える電圧(1.2V)まで立ち上げ、200ms後、−0.3Vまで立ち下げる。50ms後に再びVdを越える電圧(1.2V)まで立ち上げる。t1〜t2期間の動作を3回繰り返す。最後は0Vに戻す。
t1期間は+2.0Vを50ms
t2期間は−0.3Vを20ms
t3期間は+0.5Vを250ms
t4期間は−0.3Vを20ms
t5期間は+0.5Vを250ms
t6期間は−0.3Vを20ms
t7期間は+0.5Vを250ms
t8期間は−0.3Vを20ms
1画素の残り期間は0V
析出過電圧Vdを越える電圧(2.0V)までステップ状に立ち上げ、50ms後に−0.3Vまで立ち下げる。50ms後に、Vdを越えない電圧(0.5V)までステップ状に立ち上げ、250ms後に−0.3Vまで立ち下げる。20ms後にt3〜t4期間の動作を2回繰り返す。最後は0Vに戻す。
Sb・・順方向への電圧印加パルスの電圧(V)×印加時間(s)の積分値
Sw・・逆方向への電圧印加パルスの電圧(V)×印加時間(s)の積分値
Sw/Sbが0.0001以下の場合は、書き換え時間は高速になるが、粗大銀を消去するのに十分な電気量を与えることができず、また、Sw/Sbが0.2以上の場合は、粗大銀の消去は十分であるが、本来画像として必要な部分も過大に消去してしまい、書き込み時間の遅延を招いてしまうため十分な効果が得られない。
Mvが析出過電圧以下では、十分な黒表示を得るのに長時間な書き込み時間が必要であり、また、Mvが析出過電圧+1.5V以上では、電解質に共存する化合物の分解が生じて素子の耐久性が劣化してしまう不具合点がある。
本発明のED表示素子を駆動するTFT回路について説明する。
本発明の表示素子においては電解質層に電解質と共に多孔質白色散乱物を含有することもできる。
ed.,John Wiley & Sons(1986)、Y.Marcus,“Ion Solvation”,John Wiley & Sons(1985)、C.Reichardt,“Solvents and Solvent Effects in Chemistry”,2nd ed.,VCH(1988)、G.J.Janz,R.P.T.Tomkins,“Nonaqueous Electorlytes Handbook”,Vol.1,Academic Press(1972)に記載の化合物を挙げることができる。
3−2:HOCH2CH2SCH2CH2OH
3−3:HOCH2CH2SCH2CH2SCH2CH2OH
3−4:HOCH2CH2SCH2CH2SCH2CH2SCH2CH2OH
3−5:HOCH2CH2SCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2SCH2CH2OH
3−6:HOCH2CH2OCH2CH2SCH2CH2SCH2CH2OCH2CH2OH
3−7:H3CSCH2CH2COOH
3−8:HOOCCH2SCH2COOH
3−9:HOOCCH2CH2SCH2CH2COOH
3−10:HOOCCH2SCH2CH2SCH2COOH
3−11:HOOCCH2SCH2CH2SCH2CH2SCH2CH2SCH2COOH
3−12:HOOCCH2CH2SCH2CH2SCH2CH(OH)CH2SCH2CH2SCH2CH2COOH
3−13:HOOCCH2CH2SCH2CH2SCH2CH(OH)CH(OH)CH2SCH2CH2SCH2CH2COOH
3−14:H3CSCH2CH2CH2NH2
3−15:H2NCH2CH2SCH2CH2NH2
3−16:H2NCH2CH2SCH2CH2SCH2CH2NH2
3−17:H3CSCH2CH2CH(NH2)COOH
3−18:H2NCH2CH2OCH2CH2SCH2CH2SCH2CH2OCH2CH2NH2
3−19:H2NCH2CH2SCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2SCH2CH2NH2
3−20:H2NCH2CH2SCH2CH2SCH2CH2SCH2CH2SCH2CH2NH2
3−21:HOOC(NH2)CHCH2CH2SCH2CH2SCH2CH2CH(NH2)COOH
3−22:HOOC(NH2)CHCH2SCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2SCH2CH(NH2)COOH
3−23:HOOC(NH2)CHCH2OCH2CH2SCH2CH2SCH2CH2OCH2CH(NH2)COOH
3−24:H2N(=O)CCH2SCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2SCH2C(=O)NH2
3−25:H2N(O=)CCH2SCH2CH2SCH2C(O=)NH2
3−26:H2NHN(O=)CCH2SCH2CH2SCH2C(=O)NHNH2
3−27:H3C(O=)NHCH2CH2SCH2CH2SCH2CH2NHC(O=)CH3
3−28:H2NO2SCH2CH2SCH2CH2SCH2CH2SO2NH2
3−29:NaO3SCH2CH2CH2SCH2CH2SCH2CH2CH2SO3Na
3−30:H3CSO2NHCH2CH2SCH2CH2SCH2CH2NHO2SCH3
3−31:H2N(NH)CSCH2CH2SC(NH)NH2・2HBr
3−32:H2(NH)CSCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2SC(NH)NH2・2HCl
3−33:H2N(NH)CNHCH2CH2SCH2CH2SCH2CH2NHC(NH)NH2・2HBr
3−34:〔(CH3)3NCH2CH2SCH2CH2SCH2CH2N(CH3)3〕2+・2Cl-
0≦[X]/[Ag]≦0.01
本発明でいうハロゲン原子とは、ヨウ素原子、塩素原子、臭素原子、フッ素原子のことをいう。[X]/[Ag]が0.01よりも大きい場合は、銀の酸化還元反応時に、X-→X2が生じ、X2は黒化銀と容易にクロス酸化して黒化銀を溶解させ、メモリー性を低下させる要因の1つになるので、ハロゲン原子のモル濃度は銀のモル濃度に対してできるだけ低い方が好ましい。本発明においては、0≦[X]/[Ag]≦0.001がより好ましい。ハロゲンイオンを添加する場合、ハロゲン種については、メモリー性向上の観点から、各ハロゲン種モル濃度総和が[I]<[Br]<[Cl]<[F]であることが好ましい。
本発明の表示素子においてはヨウ化銀、塩化銀、臭化銀、酸化銀、硫化銀、クエン酸銀、酢酸銀、ベヘン酸銀、p−トルエンスルホン酸銀、メルカプト類との銀塩、イミノジ酢酸類との銀錯体、等の公知の銀塩化合物を用いることができる。これらの中でハロゲンやカルボン酸や銀との配位性を有する窒素原子を有しない化合物を銀塩として用いるのが好ましく、例えば、p−トルエンスルホン酸銀が好ましい。
本発明の表示素子において、電解質が液体である場合には、以下の化合物を電解質中に含むことができる。カリウム化合物としてKCl、KI、KBr等、リチウム化合物としてLiBF4、LiClO4、LiPF6、LiCF3SO3等、テトラアルキルアンモニウム化合物として過塩素酸テトラエチルアンモニウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、ホウフッ化テトラエチルアンモニウム、ホウフッ化テトラブチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウムハライド等が挙げられる。また、特開2003−187881号公報の段落番号〔0062〕〜〔0081〕に記載の溶融塩電解質組成物も好ましく用いることができる。さらに、I-/I3 -、Br-/Br3 -、キノン/ハイドロキノン等の酸化還元対になる化合物を用いることができる。
本発明の表示素子においては、電解質に増粘剤を用いることができ、例えば、ゼラチン、アラビアゴム、ポリ(ビニルアルコール)、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリ(ビニルピロリドン)、ポリ(アルキレングリコール)、カゼイン、デンプン、ポリ(アクリル酸)、ポリ(メチルメタクリル酸)、ポリ(塩化ビニル)、ポリ(メタクリル酸)、コポリ(スチレン−無水マレイン酸)、コポリ(スチレン−アクリロニトリル)、コポリ(スチレン−ブタジエン)、ポリ(ビニルアセタール)類(例えば、ポリ(ビニルホルマール)及びポリ(ビニルブチラール))、ポリ(エステル)類、ポリ(ウレタン)類、フェノキシ樹脂、ポリ(塩化ビニリデン)、ポリ(エポキシド)類、ポリ(カーボネート)類、ポリ(ビニルアセテート)、セルロースエステル類、ポリ(アミド)類、疎水性透明バインダーとして、ポリビニルブチラール、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアクリル酸、ポリウレタン等が挙げられる。
本発明の表示素子の構成層には、保護層、フィルター層、ハレーション防止層、クロスオーバー光カット層、バッキング層等の補助層を挙げることができ、これらの補助層中には、各種の化学増感剤、貴金属増感剤、感光色素、強色増感剤、カプラー、高沸点溶剤、カブリ防止剤、安定剤、現像抑制剤、漂白促進剤、定着促進剤、混色防止剤、ホルマリンスカベンジャー、色調剤、硬膜剤、界面活性剤、増粘剤、可塑剤、スベリ剤、紫外線吸収剤、イラジエーション防止染料、フィルター光吸収染料、防ばい剤、ポリマーラテックス、重金属、帯電防止剤、マット剤等を、必要に応じて含有させることができる。
頁 分類 頁 分類 頁 分類
化学増感剤 23 III 648右上 96 III
増感色素 23 IV 648〜649 996〜8 IV
減感色素 23 IV 998 IV
染料 25〜26 VIII 649〜650 1003 VIII
現像促進剤 29 XXI 648右上
カブリ抑制剤・安定剤
24 IV 649右上 1006〜7 VI
増白剤 24 V 998 V
硬膜剤 26 X 651左 1004〜5 X
界面活性剤 26〜7 XI 650右 1005〜6 XI
帯電防止剤 27 XII 650右 1006〜7 XIII
可塑剤 27 XII 650右 1006 XII
スベリ剤 27 XII
マット剤 28 XVI 650右 1008〜9 XVI
バインダー 26 XXII 1003〜4 IX
支持体 28 XVII 1009 XVII
[層構成]
本発明の表示素子の対向電極間の構成層について、更に説明する。
本発明で用いることのできる基板としては、例えば、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィン類、ポリカーボネート類、セルロースアセテート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンジナフタレンジカルボキシラート、ポリエチレンナフタレート類、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリビニルアセタール類、ポリスチレン等の合成プラスチックフィルムも好ましく使用できる。また、シンジオタクチック構造ポリスチレン類も好ましい。これらは、例えば、特開昭62−117708号、特開平1−46912号、同1−178505号の各公報に記載されている方法により得ることができる。更に、ステンレス等の金属製基盤や、バライタ紙、及びレジンコート紙等の紙支持体ならびに上記プラスチックフィルムに反射層を設けた支持体、特開昭62−253195号(29〜31頁)に支持体として記載されたものが挙げられる。RDNo.17643の28頁、同No.18716の647頁右欄から648頁左欄及び同No.307105の879頁に記載されたものも好ましく使用できる。これらの支持体には、米国特許第4,141,735号のようにTg以下の熱処理を施すことで、巻き癖をつきにくくしたものを用いることができる。また、これらの支持体表面を支持体と他の構成層との接着の向上を目的に表面処理を行っても良い。本発明では、グロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理を表面処理として用いることができる。更に公知技術第5号(1991年3月22日アズテック有限会社発行)の44〜149頁に記載の支持体を用いることもできる。更にRDNo.308119の1009頁やプロダクト・ライセシング・インデックス、第92巻P108の「Supports」の項に記載されているものが挙げられる。その他に、ガラス基板や、ガラスを練りこんだエポキシ樹脂を用いることができる。
本発明の表示素子においては、対向電極の少なくとも1種が金属電極であることが好ましい。金属電極としては、例えば、白金、金、銀、銅、アルミニウム、亜鉛、ニッケル、チタン、ビスマス、及びそれらの合金等の公知の金属種を用いることができる。金属電極は、電解質中の銀の酸化還元電位に近い仕事関数を有する金属が好ましく、中でも銀または銀含有率80%以上の銀電極が、銀の還元状態維持の為に有利であり、また電極汚れ防止にも優れる。電極の作製方法は、蒸着法、印刷法、インクジェット法、スピンコート法、CVD法等の既存の方法を用いることができる。
本発明の表示素子には、必要に応じて、シール剤、柱状構造物、スペーサー粒子を用いることができる。
本発明においては、シール剤、柱状構造物、電極パターン等をスクリーン印刷法で形成することもできる。スクリーン印刷法は、所定のパターンが形成されたスクリーンを基板の電極面上に被せ、スクリーン上に印刷材料(柱状構造物形成のための組成物、例えば、光硬化性樹脂など)を載せる。そして、スキージを所定の圧力、角度、速度で移動させる。これによって、印刷材料がスクリーンのパターンを介して該基板上に転写される。次に、転写された材料を加熱硬化、乾燥させる。スクリーン印刷法で柱状構造物を形成する場合、樹脂材料は光硬化性樹脂に限られず、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂も使用できる。熱可塑性樹脂としては、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリメタクリル酸エステル樹脂、ポリアクリル酸エステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、フッ素樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリビニルエーテル樹脂、ポリビニルケトン樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩素化ポリエーテル樹脂等が挙げられる。樹脂材料は樹脂を適当な溶剤に溶解するなどしてペースト状にして用いることが望ましい。
本発明の表示素子においては、析出過電圧以上の電圧印加で黒化銀を析出させ、析出過電圧以下の電圧印加で黒化銀の析出を継続させる駆動操作を行なうことが好ましい。この駆動操作を行なうことにより、書き込みエネルギーの低下や、駆動回路負荷の低減や、画面としての書き込み速度を向上させることができる。一般に電気化学分野の電極反応において過電圧が存在することは公知である。例えば、過電圧については「電子移動の化学−電気化学入門」(1996年 朝倉書店刊)の121ページに詳しい解説がある。本発明の表示素子も電極と電解質中の銀との電極反応と見なすことができるので、銀溶解析出においても過電圧が存在することは容易に理解できる。過電圧の大きさは交換電流密度が支配するので、本発明のように黒化銀が生成した後に析出過電圧以下の電圧印加で黒化銀の析出を継続できるということは、黒化銀表面の方が余分な電気エネルギーが少なく容易に電子注入が行なえると推定される。
本発明の表示素子は、電子書籍分野、IDカード関連分野、公共関連分野、交通関連分野、放送関連分野、決済関連分野、流通物流関連分野等の用いることができる。具体的には、ドア用のキー、学生証、社員証、各種会員カード、コンビニストアー用カード、デパート用カード、自動販売機用カード、ガソリンステーション用カード、地下鉄や鉄道用のカード、バスカード、キャッシュカード、クレジットカード、ハイウェーカード、運転免許証、病院の診察カード、電子カルテ、健康保険証、住民基本台帳、パスポート、電子ブック等が挙げられる。
実施例1〔表示素子1の作製〕
(電解液1の作製)
ジメチルスルホキシド2.5g中に、ヨウ化ナトリウム90mg、ヨウ化銀75mgを加えて完全に溶解させた後にポリビニルピロリドン(平均分子量15000)を150mg加えて120℃に加熱しながら1時間攪拌し、電解液1を得た。
(電極1の作製)
ガラス基板状にITO膜(シート抵抗値10Ω/□)を公知の方法に従って形成し透明電極(電極1)を得た。(電極2の作製)ガラス基板上に図2に示すTFT素子を公知の方法従って作製した。尚電極21は70μm角の方形とし、画素数は300画素×300画素とした。
(電極3の作製)
周辺部を平均粒子径40μmのガラス製球形ビーズを体積分率が10%含むオレフィン系封止剤を縁取りした電極2の上に、ゼラチン2質量%を含む水溶液中に酸化チタン20質量%を超音波分散機にて分散させた水混和液を、ワイヤーバーで100μm塗布し、その後15℃で30分間乾燥して水を蒸発させた後、45℃雰囲気中で1時間乾燥させて、電極3作製した。
(表示素子1の作製)
電極3上に電解液1を付与し、30分間放置して電解液1を白色散乱層に気泡が入らないように十分染み込ませた後、電極1を被せて加熱押圧して、表示素子1を作製した。1画素の大きさは130μm角と設定し、析出過電圧は1.0Vであった。
(表示素子2の作製)
表示素子1のジメチルスルホキシドをプロピレンカーボネートに変更した以外は表示素子1と同様にして表示素子2を作製した。析出過電圧は0.9Vであった。
(表示素子3の作製)
表示素子1のヨウ化ナトリウムを例示化合物(4−3)に変更した以外は表示素子1と同様にして表示素子3を作製した。析出過電圧は0.8Vであった。
(表示素子4の作製)
表示素子1のヨウ化ナトリウムを例示化合物(5−2)に変更した以外は表示素子1と同様にして表示素子3を作製した。析出過電圧は0.7Vであった。
(表示素子5の作製)
表示素子4のジメチルスルホキシドをプロピレンカーボネートに変更した以外は表示素子4と同様にして表示素子5を作製した。析出過電圧は0.7Vであった。
(表示素子6の作製)
表示素子5のヨウ化銀をp−トルエンスルホン酸銀に変更した以外は表示素子5と同様にして表示素子6を作製した。析出過電圧は0.6Vであった。
(表示素子駆動法1)
従来例1図(黒化) → −1.2V 800ms(白化)
(表示素子駆動法2)
従来例2図(黒化) → −1.2V 800ms(白化)
(表示素子駆動法3)
本発明1図(黒化) → −1.2V 800ms(白化)
(表示素子駆動法4)
本発明2図(黒化) → −1.2V 800ms(白化)
(表示素子駆動法5)
本発明3図(黒化) → −1.2V 800ms(白化)
(表示素子駆動法6)
本発明4図(黒化) → −1.2V 800ms(白化)
(評価1)
ミノルタ製分光測色計CM−3700dを用いて表示素子1の白表示状態の550nm反射率W1を求めた。次に、表示素子1を駆動方法1で1000回駆動させた後、同様に白表示状態の550nm反射率W2を求め、反射率比W2/W1を算出した。表中に示すように表示素子と駆動方法をかえ、同様に反射率比を算出した。W2/W1が1に近いほど、白反射率の変動が少ないことを示す。結果を表1に示す。本発明の構成が優れていることが分かる。また、表示素子駆動法1〜6を白化時に適用したところ表1と同様の本発明効果が得られた。
Claims (10)
- 対向電極間に、銀、または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質を有し、銀の溶解析出を生じさせるように該対向電極の駆動操作を行う表示素子の駆動方法であって、該駆動法が、アクティブマトリックス駆動であって、1画素の書き込みまたは消去において、析出過電圧を超える順方向への電圧印加パルスと逆方向への電圧印加パルスを含み、前記アクティブマトリックス駆動を行う画素駆動回路が各画素毎に電位制御手段を有することを特徴とする表示素子の駆動方法。
- 対向電極間に、銀、または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質を有し、銀の溶解析出を生じさせるように該対向電極の駆動操作を行う表示素子の駆動方法であって、該駆動法が、アクティブマトリックス駆動であって、1画素の書き込みまたは消去において、析出過電圧を超える順方向への電圧印加パルスと逆方向への電圧印加パルスを含み、前記アクティブマトリックス駆動を行う画素駆動回路が各画素毎に電源遮断手段を有することを特徴とする表示素子の駆動方法。
- 対向電極間に、銀、または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質を有し、銀の溶解析出を生じさせるように該対向電極の駆動操作を行う表示素子の駆動方法であって、該駆動法が、1画素の書き込みまたは消去において、析出過電圧を超える順方向への電圧印加パルスと逆方向への電圧印加パルスを含み、前記電解質が、下記一般式(1)または(2)で表される化合物の少なくとも1種と、下記一般式(3)または(4)で表される化合物の少なくとも1種とを含有することを特徴とする表示素子の駆動方法。
一般式(3)
R 7 −S−R 8
〔式中、R 7 、R 8 は各々置換または無置換の炭化水素基を表す。ただし、S原子を含む環を形成する場合には、芳香族基をとることはない。また、R 7 、R 8 のS原子に隣接する原子はSではない。〕
- 前記駆動方法が、式(5)を満たすことを特徴とする請求の範囲第1項〜第3項のいずれか1項に記載の表示素子の駆動方法。
式(5) 0.0001 < Sw/Sb < 0.2
Sb・・順方向への電圧印加パルスの電圧(V)×印加時間(s)の積分値
Sw・・逆方向への電圧印加パルスの電圧(V)×印加時間(s)の積分値 - 前記析出過電圧を超える順方向への電圧印加パルスの最大電圧Mv(V)が、式(6)を満たすことを特徴とする請求の範囲第1項〜第4項のいずれか1項に記載の表示素子の駆動方法。
式(6) 析出過電圧(V) < Mv < 析出過電圧(V)+1.5V - 前記順方向への電圧印加パルスが析出過電圧以下の電圧パルスを含むことを特徴とする請求の範囲第1項〜第5項のいずれか1項に記載の表示素子の駆動方法。
- 前記対向電極の少なくとも一方の電極表面の表面粗さが、JIS B0601で0.001μm以上、2.0μm以下であることを特徴とする請求の範囲第1項〜第6項のいずれか1項に記載の表示素子の駆動方法。
- 前記電解質に含まれるハロゲンイオンまたはハロゲン原子のモル濃度を[X](モル/kg)とし、前記電解質に含まれる銀または銀を化学構造中に含む化合物の銀の総モル濃度を[Ag](モル/kg)としたとき、下式(1)で規定する条件を満たすことを特徴とする請求の範囲第1項〜第7項のいずれか1項に記載の表示素子の駆動方法。
式(1)
0≦[X]/[Ag]≦0.01 - 前記アクティブマトリックス駆動を行う画素駆動回路が各画素毎にスイッチング手段を有することを特徴とする請求の範囲第1項又は第2項に記載の表示素子の駆動方法。
- 前記アクティブマトリックス駆動を行う画素駆動回路が各画素毎に書き換え指定手段を有することを特徴とする請求の範囲第1項又は第2項に記載の表示素子の駆動方法。
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