JP4896411B2 - Polymer compound and polymer light emitting device using the same - Google Patents

Description

本発明は、高分子化合物、該高分子化合物の製造方法、該高分子化合物の合成原料に用いられる化合物、及び該高分子化合物を用いた高分子発光素子に関する。   The present invention relates to a polymer compound, a method for producing the polymer compound, a compound used as a raw material for synthesizing the polymer compound, and a polymer light emitting device using the polymer compound.

高分子量の発光材料や電荷輸送材料は、低分子量のそれらとは異なり溶媒に可溶で塗布法により発光素子における有機層を形成できることから、種々の材料が検討されている。その例として、繰り返し単位として、下記の構造を有する高分子化合物及びそれを用いた有機ＥＬデバイスが知られている（ＵＳ２００４／０１３１８８０、ＵＳ２００４／０１３１８８１）。

High-molecular-weight light-emitting materials and charge-transporting materials are different from those having low molecular weights and are soluble in a solvent and can form an organic layer in a light-emitting element by a coating method. As an example, a polymer compound having the following structure as a repeating unit and an organic EL device using the same are known (US 2004/0131880, US 2004/0131881).

ＵＳ２００４／０１３１８８０US2004 / 0131880 ＵＳ２００４／０１３１８８１US2004 / 0131881

しかしながら上記の高分子化合物は、耐熱性などの特性が必ずしも十分でないという問題があった。
本発明の目的は、発光材料や電荷輸送材料として有用で、耐熱性等の特性に優れた高分子化合物を提供することにある。 However, the above polymer compound has a problem that properties such as heat resistance are not necessarily sufficient.
An object of the present invention is to provide a polymer compound that is useful as a light-emitting material or a charge transport material and has excellent characteristics such as heat resistance.

本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、下記（１）の繰返し単位を主成分として含む高分子化合物が、発光材料や電荷輸送材料として有用で、耐熱性等の特性に優れることを見出し、本発明を完成した。
即ち本発明は、
１． 下記式（１）で表される繰返し単位を主成分として含む高分子化合物。

（式中、Ｘ_１及びＸ_２はそれぞれ独立に、３環以上の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基又は３環以上の２価の縮合多環系複素環基を表す。Ｙ_１は単環若しくは２環性の２価の芳香族炭化水素基、単環若しくは２環性の２価の複素環基、単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基を含むアミン構造、又は金属錯体構造を有する２価の基を表す。）
を提供するものである。
また、本発明は以下の通りである。
２． 上記式（１）で表される繰返し単位が下記式（２）で表される上記１．に記載の高分子化合物。

（式中、Ａ_１環、Ａ_２環、Ｂ_１環及びＢ_２環はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。Ｚ_１はＡ_１環とＢ_１環と結合し、５員環、６員環又は７員環を形成する２価の基を表し、Ｚ_２はＡ_２環とＢ_２環と結合し、５員環、６員環又は７員環を形成する２価の基を表す。Ｙ_２は単環若しくは２環性の２価の芳香族炭化水素基、単環若しくは２環性の２価の複素環基、単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基を含むアミン構造、又は金属錯体構造を有する２価の基を表し、一方の結合手はＡ_１環又はＢ_１環に結合し、もう一方の結合手はＡ_２環又はＢ_２環に結合する。）
３． 上記式（２）で表される繰返し単位が下記式（３）で表される上記２．に記載の高分子化合物。

（式中、Ａ_１環、Ａ_２環、Ｂ_１環、Ｂ_２環及びＹ_２は上記と同じである。Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表し、Ｒ_１とＲ_２、Ｒ_３とＲ_４はそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。）
４． 上記式（３）で表される繰返し単位が下記式（４）で表される上記３．に記載の高分子化合物。

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４及びＹ_２は上記と同じである。Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_７及びＲ_８はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ａ_１及びａ_４はそれぞれ独立に０〜３の整数を表し、ａ_２及びａ_３はそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。ａ_１、ａ_２、ａ_３及びａ_４のいずれかが２以上の場合で、対応する置換基が芳香環上の隣接する炭素原子上にある場合、互いに結合して環を形成してもよい。）
５． 下記式（５）で表される化合物を重合して得られる上記１．〜４．のいずれか一項に記載の高分子化合物。
Ｗ_１−Ｘ_１−Ｙ_１−Ｘ_２−Ｗ_２ （５）
（式中、Ｘ_１、Ｘ_２及びＹ_１はそれぞれ上記と同じである。Ｗ_１及びＷ_２はそれぞれ独立に重合に関与しうる置換基を表す。）
６． 上記式（１）で表される繰返し単位が左右対称又はＣ２対称である上記１．〜５．のいずれか一項に記載の高分子化合物。
７． 上記式（１）で表される繰返し単位中、Ｘ_１及びＸ_２で表される繰返し単位が左右対称でもＣ２対称でもない上記６．に記載の高分子化合物。
８． 下記式（６）、式（７）、式（８）又は式（９）で示される繰り返し単位を含む上記１．〜７．のいずれか一項に記載の高分子化合物。
−Ａｒ_１− （６）
−（Ａｒ_２−Ｘ_３）_ｋ−Ａｒ_３− （７）
−Ａｒ_４−Ｘ_４− （８）
−Ｘ_５− （９）
（式中、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_３及びＡｒ_４はそれぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基又は金属錯体構造を有する２価の基を表す。Ｘ_３、Ｘ_４及びＸ_５はそれぞれ独立に、−ＣＲ_９＝ＣＲ_１０−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ_１１）−、又は（ＳｉＲ_１２Ｒ_１３）_ｍ−を表す。Ｒ_９及びＲ_１０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。Ｒ_１１、Ｒ_１２及びＲ_１３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又はアリールアルキル基を示す。ｋは１又は２を表す。ｍは１〜１２の整数を表す。Ｒ_９、Ｒ_１０、Ｒ_１１、Ｒ_１２及びＲ_１３がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
９． 上記式（６）で表される繰り返し単位が、下記式（１０）、（１１）、（１２）、（１３）、（１４）又は（１５）で表される繰り返し単位である上記８．に記載の高分子化合物。

（式中、Ｒ_１４は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ｎは０〜４の整数を表す。Ｒ_１４が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

（式中、Ｒ_１５及びＲ_１６は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。Ｒ_１５及びＲ_１６がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

（式中、Ｒ_１７及びＲ_２０は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ｑ及びｒはそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｒ_１８及びＲ_１９は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。Ｒ_１７及びＲ_２０がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

（式中、Ｒ_２１は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ｓは０〜２の整数を表す。Ａｒ_５及びＡｒ_６はそれぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基又は金属錯体構造を有する２価の基を表す。ｔ及びｕはそれぞれ独立に０又は１を表す。Ｚ_１１は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ_２、Ｓｅ、又はＴｅを表す。Ｒ_２１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

（式中、Ｒ_２２及びＲ_２３は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ｖ及びｗはそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｚ_１２は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ_２、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ−Ｒ_２４、又はＳｉＲ_２５Ｒ_２６を表す。Ｚ_１３及びＺ_１４は、それぞれ独立に、Ｎ又はＣ−Ｒ_２７を表す。Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６及びＲ_２７はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表す。Ｒ_２２、Ｒ_２３及びＲ_２７がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

（式中、Ｒ_２８及びＲ_３３は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ｘ及びｙはそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｒ_２９、Ｒ_３０、Ｒ_３１及びＲ_３２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。Ａｒ_７はアリーレン基、２価の複素環基又は金属錯体構造を有する２価の基を表す。Ｒ_２８及びＲ_３３がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
１０． 上記式（７）で表される繰り返し単位が、下記式（１６）で示される繰り返し単位である上記８．に記載の高分子化合物。

（式中、Ａｒ_８、Ａｒ_９、Ａｒ_１０及びＡｒ_１１はそれぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表す。Ａｒ_１２、Ａｒ_１３及びＡｒ_１４はそれぞれ独立に、アリール基、又は１価の複素環基を表す。Ａｒ_８、Ａｒ_９、Ａｒ_１０、Ａｒ_１１、及びＡｒ_１２は置換基を有していてもよい。ｚ及びｚｚはそれぞれ独立に０又は正の整数を表す。）
１１． 上記式（１６）で表される繰り返し単位において、ｚ＋ｚｚ＝１であり、かつＡｒ_１２、Ａｒ_１３及びＡｒ_１４が、それぞれ独立に、下記式（１６−１）で表される基から選ばれる上記１０．に記載の高分子化合物。

（式中、Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇは、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基及びハロゲン原子からなる群から選ばれる１つを表す。Ｒｈ及びＲｉは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基及びハロゲン原子からなる群から選ばれる１つを表す。Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇに含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。ベンゼン環上の隣接する２つの置換基は互いに結合して環を形成してもよい。）
１２． 上記式（５）で表される化合物を重合又は共重合することを特徴とする上記１．〜１１．のいずれか一項に記載の高分子化合物の製造方法。
１３． 上記式（５）で表される化合物。
１４． 上記式（５）で表される化合物が下記式（１７）で表される上記１３．に記載の化合物。

（式中、Ａ_３環及びＢ_３環はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。Ｚ_３はＡ_３環とＢ_３環と結合し、５員環、６員環又は７員環を形成する２価の基を表す。Ｙ_３は単環若しくは２環の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基、単環若しくは２環の２価の縮合多環系複素環基、単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基からなるアミン構造、又は金属錯体構造を有する２価の基を表し、２つのＡ_３環に結合する。Ｗ_３は重合に関与しうる置換基を表し、Ｂ_３環に結合する。）
１５． 上記式（１７）で表される化合物のうち、Ｗ_３がハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基である上記１４．に記載の化合物。
１６． 上記１５．に記載の化合物の製造方法であって、下記式（１８）及び（１９）で表される化合物を遷移金属錯体の存在下に反応させることを特徴とする上記製造方法。

（式中、Ａ_３環、Ｂ_３環、Ｚ_３及びＹ_３は上記と同じである。Ｗ_４及びＷ_５はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表すが、Ｗ_４はＷ_５と同じではない。Ｗ_６は−Ｂ（ＯＨ）_２、ホウ酸エステル基、−ＭｇＸで示される基（ここにＸはハロゲン原子を表す）、スタニル基、置換スタニル基、シリル基又は置換シリル基を表す。）
１７． 上記式（１８）で表される化合物。
１８． 上記１５．に記載の化合物の製造方法であって、下記式（２０）及び（２１）で表される化合物を遷移金属錯体の存在下に反応させることを特徴とする上記製造方法。

（式中、Ａ_３環、Ｂ_３環、Ｗ_４、Ｚ_３及びＹ_３は上記と同じである。Ｗ_７は−Ｂ（ＯＨ）_２、ホウ酸エステル基、−ＭｇＸで示される基（ここにＸはハロゲン原子を表す）、スタニル基、置換スタニル基、シリル基又は置換シリル基を表す。Ｗ_８はハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表すが、Ｗ_４はＷ_８と同じではない。）
１９． 上記式（２０）で表される化合物。
２０． 上記１．〜１１．のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする溶液。
２１． 上記１．〜１１．のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする発光性薄膜。
２２． 上記１．〜１１．のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする導電性薄膜。
２３． 上記１．〜１１．のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする有機トランジスタ。
２４． インクジェット法を用いることを特徴とする上記２１．〜２３．のいずれか一項に記載の薄膜の製膜方法。
２５． 陽極及び陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が上記１．〜１１．のいずれか一項に記載の高分子化合物を含むことを特徴とする高分子発光素子。
２６． 上記２５．に記載の高分子発光素子を用いることを特徴とする面状光源。
２７． 上記２５．に記載の高分子発光素子を用いることを特徴とする表示装置。 As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors have found that a polymer compound containing the repeating unit (1) below as a main component is useful as a light-emitting material or a charge transport material and has characteristics such as heat resistance. As a result, the present invention was completed.
That is, the present invention
1. The high molecular compound which contains the repeating unit represented by following formula (1) as a main component.

(In the formula, X ₁ and X ₂ each independently represent a divalent condensed polycyclic aromatic hydrocarbon group having 3 or more rings or a divalent condensed polycyclic heterocyclic group having 3 or more rings. Y ₁ Is a monocyclic or bicyclic divalent aromatic hydrocarbon group, monocyclic or bicyclic divalent heterocyclic group, monocyclic or bicyclic aromatic hydrocarbon, or monocyclic or bicyclic Represents a divalent group having an amine structure or a metal complex structure.
Is to provide.
The present invention is as follows.
2. The repeating unit 1 represented by the above formula (1) is represented by the following formula (2). The high molecular compound as described in.

(In the formula, A ₁ ring, A ₂ ring, B ₁ ring and B ₂ ring each independently represent an aromatic hydrocarbon ring which may have a substituent. Z ₁ represents A ₁ ring and B _1. bonded to ring, 5-membered ring, a divalent group forming a 6-membered ring or 7-membered ring, Z ₂ is bonded to a ₂ ring and B ₂ ring, 5-membered ring, 6-membered ring or 7-membered Y ₂ represents a monocyclic or bicyclic divalent aromatic hydrocarbon group, monocyclic or bicyclic divalent heterocyclic group, monocyclic or bicyclic, and represents a divalent group that forms a ring. An aromatic hydrocarbon, an amine structure containing a monocyclic or bicyclic heterocyclic group, or a divalent group having a metal complex structure, and one bond is bonded to the A ₁ ring or the B ₁ ring. The other bond is bonded to the A ₂ ring or the B ₂ ring.)
3. 2. The repeating unit represented by the above formula (2) is represented by the following formula (3). The high molecular compound as described in.

(In the formula, A ₁ ring, A ₂ ring, B ₁ ring, B ₂ ring and Y ₂ are the same as above. R ₁ , R ₂ , R ₃ and R ₄ are each independently a hydrogen atom or an alkyl group. , Alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group represents a halogen atom, an acyl group, an acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, one selected from the group consisting of substituted carboxyl group and cyano group, R ₁ And R ₂ , R ₃ and R ₄ may be bonded to each other to form a ring.)
4). 2. The repeating unit represented by the above formula (3) is represented by the above formula (4). The high molecular compound as described in.

(Wherein R ₁ , R ₂ , R ₃ , R ₄ and Y ₂ are the same as above. R ₅ , R ₆ , R ₇ and R ₈ are each independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, Aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, It represents one selected from the group consisting of an acyloxy group, an imine residue, an amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group and a cyano group, wherein a ₁ and a ₄ are each independently. represents an integer of 0 to 3, either _{.a 1,} a 2, _{a 3} and _{a 4} represents an integer of _{a 2} and _{a 3} each independently 0-5 2 In the above case, if the corresponding substituent is on a carbon atom adjacent on the aromatic ring may be bonded to each other to form a ring.)
5). The above 1. obtained by polymerizing a compound represented by the following formula (5). ~ 4. The high molecular compound as described in any one of these.
W ₁ -X ₁ -Y ₁ -X ₂ -W ₂ (5)
(Wherein, X ₁ , X ₂ and Y ₁ are the same as described above. W ₁ and W ₂ each independently represent a substituent capable of participating in polymerization.)
6). 1. The repeating unit represented by the above formula (1) is bilaterally symmetric or C2 symmetric. ~ 5. The high molecular compound as described in any one of these.
7). 5. In the repeating unit represented by the above formula (1), the repeating unit represented by X ₁ and X ₂ is neither left-right symmetric nor C2 symmetric. The high molecular compound as described in.
8). The above 1. comprising a repeating unit represented by the following formula (6), formula (7), formula (8) or formula (9). ~ 7. The high molecular compound as described in any one of these.
-Ar _1- (6)
_{- (Ar 2 -X 3) k} -Ar 3 - (7)
—Ar ₄ —X ₄ — (8)
-X _5- (9)
(In the formula, Ar ₁ , Ar ₂ , Ar ₃ and Ar ₄ each independently represent an arylene group, a divalent heterocyclic group or a divalent group having a metal complex structure. X ₃ , X ₄ and X ₅ Each independently represents —CR ₉ ═CR ₁₀ —, —C≡C—, —N (R ₁₁ ) —, or (SiR ₁₂ R ₁₃ ) _m —, wherein R ₉ and R ₁₀ are each independently R ₁₁ , R ₁₂ and R ₁₃ each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group. Represents a monovalent heterocyclic group or arylalkyl group, k represents 1 or 2, m represents an integer of 1 to _12, and a plurality of R ₉ , R ₁₀ , R ₁₁ , R ₁₂ and R ₁₃ exist; They are the same or different Even if it is.)
9. 8. The repeating unit represented by the above formula (6) is a repeating unit represented by the following formula (10), (11), (12), (13), (14) or (15). The high molecular compound as described in.

(Wherein R ₁₄ represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, an amino group, Group consisting of substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group and cyano group And n represents an integer of 0 to 4. When a plurality of R ₁₄ are present, they may be the same or different.

(Wherein R ₁₅ and R ₁₆ each independently represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, Arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl Represents one selected from the group consisting of a group and a cyano group, o and p each independently represent an integer of 0 to 3. When a plurality of R ₁₅ and R ₁₆ are present, they may be the same or different. Good.)

(Wherein R ₁₇ and R ₂₀ are each independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, Arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl Represents one selected from the group consisting of a group and a cyano group, q and r each independently represents an integer of 0 to 4. R ₁₈ and R ₁₉ each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, carboxyl group, _{.R 17} and _{R 20} represent a substituted carboxyl group or a cyano group Respectively if there are multiple, they may be the same or different.)

(Wherein R ₂₁ represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, an amino group, Group consisting of substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group and cyano group S represents an integer of 0 to 2. Ar ₅ and Ar ₆ each independently represent an arylene group, a divalent heterocyclic group, or a divalent group having a metal complex structure. t and u each independently represents 0 or 1. Z ₁₁ represents O, S, SO, SO ₂ , Se, or Te, and R ₂₁ represents When there are a plurality of them, they may be the same or different.)

(Wherein R ₂₂ and R ₂₃ are each independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, Arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl Represents one selected from the group consisting of a group and a cyano group, v and w each independently represent an integer of 0 to 4. Z ₁₂ represents O, S, SO ₂ , Se, Te, N—R ₂₄ , Or SiR ₂₅ R _26. Z ₁₃ and Z ₁₄ each independently represent N or C—R _27. R ₂₄ , R ₂₅ , R ₂₆ and R ₂₇ each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group or a monovalent heterocyclic group, and when there are a plurality of R ₂₂ , R ₂₃ and R ₂₇ , respectively, They may be the same or different.)

(Wherein R ₂₈ and R ₃₃ are each independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, Arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl Represents one selected from the group consisting of a group and a cyano group, x and y each independently represents an integer of 0 to 4. R ₂₉ , R ₃₀ , R ₃₁ and R ₃₂ each independently represent a hydrogen atom, An alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group is represented. r ₇ is an arylene group, if .R ₂₈ and R ₃₃ represents a divalent group having a divalent heterocyclic group, or a metal complex structure are present in plural number, they may be the same or different.)
10. The above-mentioned 8. wherein the repeating unit represented by the above formula (7) is a repeating unit represented by the following formula (16). The high molecular compound as described in.

(In the formula, Ar ₈ , Ar ₉ , Ar ₁₀ and Ar ₁₁ each independently represent an arylene group or a divalent heterocyclic group. Ar ₁₂ , Ar ₁₃ and Ar ₁₄ each independently represent an aryl group or 1 Represents a valent heterocyclic group, Ar ₈ , Ar ₉ , Ar ₁₀ , Ar ₁₁ , and Ar ₁₂ may have a substituent, and z and zz each independently represent 0 or a positive integer.)
11. In the repeating unit represented by the above formula (16), z + zz = 1, and Ar ₁₂ , Ar ₁₃ and Ar ₁₄ are each independently selected from the group represented by the following formula (16-1) 10. The high molecular compound as described in.

(In the formula, Re, Rf and Rg are each independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, aryl. Rh and Ri represent one selected from the group consisting of an alkynyl group, an amino group, a substituted amino group, a silyl group, a substituted silyl group, a silyloxy group, a substituted silyloxy group, a monovalent heterocyclic group, and a halogen atom. Independently, hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group Group, silyl group, Represents one selected from the group consisting of a silyl group, a silyloxy group, a substituted silyloxy group, a monovalent heterocyclic group, and a halogen atom, and a hydrogen atom contained in Re, Rf and Rg may be substituted with a fluorine atom. Two adjacent substituents on the benzene ring may combine with each other to form a ring.)
12 1. The compound represented by the above formula (5) is polymerized or copolymerized. ~ 11. The manufacturing method of the high molecular compound as described in any one of these.
13. A compound represented by the above formula (5).
14 The compound represented by the above formula (5) is represented by the following formula (17): Compound described in 1.

(In the formula, A ₃ ring and B ₃ ring each independently represents an aromatic hydrocarbon ring which may have a substituent. Z ₃ is bonded to A ₃ ring and B ₃ ring to form a 5-membered ring. Represents a divalent group that forms a 6-membered ring or a 7-membered ring, and Y ₃ represents a monocyclic or bicyclic divalent condensed polycyclic aromatic hydrocarbon group, a monocyclic or bicyclic divalent condensed group. Represents a divalent group having a polycyclic heterocyclic group, a monocyclic or bicyclic aromatic hydrocarbon, an amine structure composed of a monocyclic or bicyclic heterocyclic group, or a metal complex structure; Bonded to A ₃ ring, W ₃ represents a substituent capable of participating in polymerization, and bonded to B ₃ ring.)
15. Of the compound represented by the formula (17), W ₃ is a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group, or an aryl alkyl sulfonate group. Compound described in 1.
16. 15. above. The method for producing a compound according to claim 1, wherein the compounds represented by the following formulas (18) and (19) are reacted in the presence of a transition metal complex.

(In the formula, A ₃ ring, B ₃ ring, Z ₃ and Y ₃ are the same as above. W ₄ and W ₅ each independently represents a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group or an aryl alkyl sulfonate group. W ₄ is not the same as W _5. W ₆ is —B (OH) ₂ , borate group, —MgX group (where X represents a halogen atom), stannyl group, substituted stannyl Represents a group, a silyl group or a substituted silyl group.)
17. A compound represented by the above formula (18).
18. 15. above. The method for producing a compound according to claim 1, wherein the compounds represented by the following formulas (20) and (21) are reacted in the presence of a transition metal complex.

(In the formula, A ₃ ring, B ₃ ring, W ₄ , Z ₃ and Y ₃ are the same as described above. W ₇ is a group represented by —B (OH) ₂ , borate group, —MgX (here X represents a halogen atom), a stannyl group, a substituted stannyl group, a silyl group or a substituted silyl group, W ₈ represents a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group or an arylalkyl sulfonate group, and W ₄ represents same as it is not a W _8.)
19. The compound represented by the above formula (20).
20. Above 1. ~ 11. A solution comprising the polymer compound according to any one of the above.
21. Above 1. ~ 11. A light-emitting thin film comprising the polymer compound according to any one of the above.
22. Above 1. ~ 11. A conductive thin film comprising the polymer compound according to any one of the above.
23. Above 1. ~ 11. An organic transistor comprising the polymer compound according to any one of the above.
24. 21. The method as described in 21 above, wherein an inkjet method is used. -23. The method for forming a thin film according to any one of the above.
25. An organic layer is provided between electrodes composed of an anode and a cathode, and the organic layer is ~ 11. A polymer light emitting device comprising the polymer compound according to any one of the above.
26. 25. A planar light source comprising the polymer light-emitting device described in 1.
27. 25. A display device comprising the polymer light-emitting device described in 1.

本発明の高分子化合物は、発光材料や電荷輸送材料として有用で、耐熱性、素子駆動後の色変化、素子にした時の寿命等に優れる。したがって、本発明の高分子化合物を含む高分子ＬＥＤは、液晶ディスプレイのバックライト又は照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイなどに使用できる。   The polymer compound of the present invention is useful as a light-emitting material or a charge transport material, and is excellent in heat resistance, color change after driving the device, life when used as a device, and the like. Accordingly, the polymer LED containing the polymer compound of the present invention can be used for a curved or flat light source for a backlight or illumination of a liquid crystal display, a segment type display element, a dot matrix flat panel display, and the like.

本発明の高分子化合物は上記式（１）で示される繰り返し単位を主成分として含むことを特徴とする。   The polymer compound of the present invention includes a repeating unit represented by the above formula (1) as a main component.

式中、Ｘ_１及びＸ_２はそれぞれ独立に、３環以上の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基又は３環以上の２価の縮合多環系複素環基を表す。Ｙ_１は単環若しくは２環性の２価の芳香族炭化水素基、単環若しくは２環の２価の複素環基、単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基からなるアミン構造、又は金属錯体構造を有する２価の基を表す。 In the formula, each of X ₁ and X ₂ independently represents a divalent condensed polycyclic aromatic hydrocarbon group having 3 or more rings or a divalent condensed polycyclic heterocyclic group having 3 or more rings. Y ₁ represents a monocyclic or bicyclic divalent aromatic hydrocarbon group, a monocyclic or bicyclic divalent heterocyclic group, a monocyclic or bicyclic aromatic hydrocarbon, or a monocyclic or bicyclic ring Represents a divalent group having an amine structure or a metal complex structure composed of a functional heterocyclic group.

３環以上の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基としては、ビフェニレン、インダセン、アセナフチレン、フルオレン、フェナレン、フェナントレン、アントラセン、フルオランテン、アセナフチリレン、アセアンチリレン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン及びペンタセンからなる群から選ばれる１つから２つの水素原子を除いた基が例示される。上記縮合多環系芳香族炭化水素化合物の水素原子は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基で置換されていてもよい。   Examples of the divalent condensed polycyclic aromatic hydrocarbon group having 3 or more rings include biphenylene, indacene, acenaphthylene, fluorene, phenalene, phenanthrene, anthracene, fluoranthene, acenaphthylylene, aceantirylene, triphenylene, pyrene, chrysene, naphthacene, picene. And groups in which two hydrogen atoms have been removed from one selected from the group consisting of perylene, pentaphen and pentacene. The hydrogen atom of the condensed polycyclic aromatic hydrocarbon compound is an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, Arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl It may be substituted with a substituent selected from the group consisting of a group and a cyano group.

ここに、アルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、溶媒への溶解性の観点から好ましくは炭素数３〜２０である。その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられる。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。   Here, the alkyl group may be linear, branched or cyclic, and usually has about 1 to 20 carbon atoms and preferably 3 to 20 carbon atoms from the viewpoint of solubility in a solvent. Specific examples thereof include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, isoamyl group, hexyl group, cyclohexyl group, heptyl group, octyl group, 2-ethylhexyl. Group, nonyl group, decyl group, 3,7-dimethyloctyl group, lauryl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluorobutyl group, perfluorohexyl group, perfluorooctyl group and the like. From the standpoint of solubility in organic solvent, device characteristics, easiness of synthesis and heat resistance, pentyl group, isoamyl group, hexyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, decyl group, 3, 7 -A dimethyloctyl group is preferred.

アルコキシ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、溶媒への溶解性の観点から好ましくは炭素数３〜２０である。その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが挙げられる。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。   The alkoxy group may be linear, branched or cyclic, and usually has about 1 to 20 carbon atoms and preferably 3 to 20 carbon atoms from the viewpoint of solubility in a solvent. Specific examples thereof include methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, isopropyloxy group, butoxy group, isobutoxy group, t-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, cyclohexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group. 2-ethylhexyloxy group, nonyloxy group, decyloxy group, 3,7-dimethyloctyloxy group, lauryloxy group, trifluoromethoxy group, pentafluoroethoxy group, perfluorobutoxy group, perfluorohexyl group, perfluorooctyl group , Methoxymethyloxy group, 2-methoxyethyloxy group and the like. From the viewpoint of solubility in organic solvent, device characteristics, easiness of synthesis and heat resistance, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, decyloxy group, 3, A 7-dimethyloctyloxy group is preferred.

アルキルチオ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、溶媒への溶解性の観点から好ましくは炭素数３〜２０である。その具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられる。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。   The alkylthio group may be linear, branched or cyclic, and usually has about 1 to 20 carbon atoms and preferably 3 to 20 carbon atoms from the viewpoint of solubility in a solvent. Specific examples thereof include methylthio group, ethylthio group, propylthio group, isopropylthio group, butylthio group, isobutylthio group, t-butylthio group, pentylthio group, hexylthio group, cyclohexylthio group, heptylthio group, octylthio group, 2-ethylhexyl. A thio group, a nonylthio group, a decylthio group, a 3,7-dimethyloctylthio group, a laurylthio group, a trifluoromethylthio group, and the like can be given. From the standpoint of solubility in organic solvents, device characteristics, easiness of synthesis and heat resistance, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, 2-ethylhexylthio group, decylthio group, 3,7-dimethyl An octylthio group is preferred.

アリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団であり、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８である。その具体例としては、フェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基（Ｃ_１〜Ｃ_１２は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基などが例示される。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基が好ましい。Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基として具体的には、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基などが例示される。 An aryl group is an atomic group obtained by removing one hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon and having a condensed ring, two or more independent benzene rings or condensed rings bonded directly or via a group such as vinylene. Also included. The aryl group usually has about 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. Specific examples thereof include a phenyl group, a C _{1 to} C ₁₂ alkoxyphenyl group (C _{1 to} C ₁₂ represents ₁ to ₁₂ carbon atoms, and the same shall apply hereinafter), C _{1 to} C ₁₂ alkyl. Examples include a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 1-anthracenyl group, a 2-anthracenyl group, a 9-anthracenyl group, and a pentafluorophenyl group. From the viewpoint of solubility in an organic solvent, device characteristics, easiness of synthesis, etc., a C _{1 to} C ₁₂ alkoxyphenyl group and a C _{1 to} C ₁₂ alkylphenyl group are preferred. Specific examples of C _{1 to} C ₁₂ alkoxy include methoxy, ethoxy, propyloxy, isopropyloxy, butoxy, isobutoxy, t-butoxy, pentyloxy, hexyloxy, cyclohexyloxy, heptyloxy, octyloxy, 2-ethylhexyloxy, Nonyloxy, decyloxy, 3,7-dimethyloctyloxy, lauryloxy and the like are exemplified.
Specific examples C ₁ -C ₁₂ alkylphenyl group include a methylphenyl group, ethylphenyl group, dimethylphenyl group, propylphenyl group, mesityl group, methylethylphenyl group, isopropylphenyl group, butylphenyl group, isobutylphenyl group, Examples thereof include t-butylphenyl group, pentylphenyl group, isoamylphenyl group, hexylphenyl group, heptylphenyl group, octylphenyl group, nonylphenyl group, decylphenyl group, dodecylphenyl group and the like.

アリールオキシ基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８である。その具体例としては、フェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基などが例示される。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基が好ましい。
Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基として具体的には、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１，３，５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、イソブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基などが例示される。 The aryloxy group usually has about 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. Specific examples thereof include a phenoxy _group, C 1 _{-C 12} alkoxy phenoxy _group, C 1 _{-C 12} alkylphenoxy group, 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, pentafluorophenyloxy group and the like. From the viewpoints of solubility in an organic solvent, device characteristics, ease of synthesis, etc., a C _{1 to} C ₁₂ alkoxyphenoxy group and a C _{1 to} C ₁₂ alkylphenoxy group are preferable.
Specific examples of C _{1 to} C ₁₂ alkoxy include methoxy, ethoxy, propyloxy, isopropyloxy, butoxy, isobutoxy, t-butoxy, pentyloxy, hexyloxy, cyclohexyloxy, heptyloxy, octyloxy, 2-ethylhexyloxy, Nonyloxy, decyloxy, 3,7-dimethyloctyloxy, lauryloxy and the like are exemplified.
Specific examples of the C _{1 to} C ₁₂ alkylphenoxy group include methylphenoxy group, ethylphenoxy group, dimethylphenoxy group, propylphenoxy group, 1,3,5-trimethylphenoxy group, methylethylphenoxy group, isopropylphenoxy group, butyl Examples include phenoxy group, isobutylphenoxy group, t-butylphenoxy group, pentylphenoxy group, isoamylphenoxy group, hexylphenoxy group, heptylphenoxy group, octylphenoxy group, nonylphenoxy group, decylphenoxy group, dodecylphenoxy group and the like.

アリールチオ基は、炭素数が通常３〜６０程度である。その具体例としては、フェニルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基などが例示される。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルチオ基が好ましい。 The arylthio group usually has about 3 to 60 carbon atoms. Specific examples thereof include a phenylthio _group, C 1 _{-C 12} alkoxyphenyl-thio _group, C 1 _{-C 12} alkyl phenylthio group, 1-naphthylthio group, 2-naphthylthio group, pentafluorophenylthio group and the like. Solubility in organic solvents, device properties, from the standpoint of easiness of _synthesis, C 1 _{-C 12} alkoxyphenyl-thio _group, a C 1 _{-C 12} alkyl phenylthio group are preferable.

アリールアルキル基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜４８である。その具体例としては、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基などが例示される。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基が好ましい。 The arylalkyl group usually has about 7 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. As specific examples, phenyl _-C 1 _{-C 12} alkyl _group, C 1 _{-C 12} alkoxyphenyl _-C 1 _{-C 12} alkyl _group, C 1 _{-C 12} alkylphenyl _-C 1 _{-C 12} alkyl group, 1- naphthyl _-C 1 _{-C 12} alkyl group, 2-naphthyl _-C 1 _{-C 12} alkyl groups. From the viewpoint of solubility in organic solvent, device characteristics, easiness of synthesis, etc., C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl-C ₁ -C ₁₂ alkyl group, C ₁ -C ₁₂ alkylphenyl-C ₁ -C ₁₂ Alkyl groups are preferred.

アリールアルコキシ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは炭素数７〜４８である。その具体例としては、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基などのフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基などが例示される。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基が好ましい。 The arylalkoxy group usually has about 7 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. Specific examples thereof include phenyl-C ₁ -C ₁₂ alkoxy groups such as phenylmethoxy group, phenylethoxy group, phenylbutoxy group, phenylpentyloxy group, phenylhexyloxy group, phenylheptyloxy group, phenyloctyloxy group, C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl _-C 1 _{-C 12} alkoxy _group, C 1 _{-C 12} alkylphenyl _-C 1 _{-C 12} alkoxy groups, 1-naphthyl _-C 1 _{-C 12} alkoxy groups, 2-naphthyl -C ₁ etc. -C ₁₂ alkoxy groups. From the viewpoint of solubility in organic solvents, device characteristics, easiness of synthesis, etc., C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl-C ₁ -C ₁₂ alkoxy group, C ₁ -C ₁₂ alkylphenyl-C ₁ -C ₁₂ Alkoxy groups are preferred.

アリールアルキルチオ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは炭素数７〜４８である。その具体的としては、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基などが例示される。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基が好ましい。 The arylalkylthio group usually has about 7 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. Specific examples thereof include phenyl-C ₁ -C ₁₂ alkylthio group, C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl-C ₁ -C ₁₂ alkylthio group, C ₁ -C ₁₂ alkylphenyl-C ₁ -C ₁₂ alkylthio group, 1- Examples thereof include a naphthyl-C ₁ -C ₁₂ alkylthio group and a 2-naphthyl-C ₁ -C ₁₂ alkylthio group. Solubility in organic solvents, device properties, from the standpoint of easiness of _synthesis, C 1 _{-C 12} alkoxyphenyl _-C 1 _{-C 12} alkylthio _group, C 1 _{-C 12} alkylphenyl _-C 1 _{-C 12} Alkylthio groups are preferred.

アリールアルケニル基は、炭素数が通常８〜６０程度である。その具体的としては、フェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基などが例示される。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基、Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルケニル基が好ましい。 The arylalkenyl group usually has about 8 to 60 carbon atoms. Examples thereof include phenyl _-C 2 _{-C 12} alkenyl _group, C 1 _{-C 12} alkoxyphenyl _-C 2 _{-C 12} alkenyl _group, C 1 _{-C 12} alkylphenyl _-C 2 _{-C 12} alkenyl group, 1- Examples thereof include a naphthyl-C ₂ -C ₁₂ alkenyl group and a 2-naphthyl-C ₂ -C ₁₂ alkenyl group. From the viewpoints of solubility in organic solvents, device characteristics, ease of synthesis, etc., C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl-C ₂ -C ₁₂ alkenyl groups, C ₂ -C ₁₂ alkylphenyl-C ₁ -C ₁₂ Alkenyl groups are preferred.

アリールアルキニル基は、炭素数が通常８〜６０程度である。その具体的としては、フェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基などが例示される。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基が好ましい。 The arylalkynyl group usually has about 8 to 60 carbon atoms. Examples thereof include phenyl _-C 2 _{-C 12} alkynyl _group, C 1 _{-C 12} alkoxyphenyl _-C 2 _{-C 12} alkynyl _group, C 1 _{-C 12} alkylphenyl _-C 2 _{-C 12} alkynyl group, 1- Examples thereof include a naphthyl-C ₂ -C ₁₂ alkynyl group and a 2-naphthyl-C ₂ -C ₁₂ alkynyl group. From the viewpoints of solubility in organic solvents, device characteristics, ease of synthesis, etc., C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl-C ₂ -C ₁₂ alkynyl groups, C ₁ -C ₁₂ alkylphenyl-C ₂ -C ₁₂ Alkynyl groups are preferred.

置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基から選ばれる１又は２個の基で置換されたアミノ基が挙げられる。該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は、該置換基の炭素数を含めずに、通常１〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８である。
具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基などが例示される。 Examples of the substituted amino group include an amino group substituted with one or two groups selected from an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, or a monovalent heterocyclic group. The alkyl group, aryl group, arylalkyl group or monovalent heterocyclic group may have a substituent. The carbon number of the substituted amino group is usually about 1 to 60, preferably 2 to 48, not including the carbon number of the substituent.
Specifically, methylamino group, dimethylamino group, ethylamino group, diethylamino group, propylamino group, dipropylamino group, isopropylamino group, diisopropylamino group, butylamino group, isobutylamino group, t-butylamino group Pentylamino group, hexylamino group, cyclohexylamino group, heptylamino group, octylamino group, 2-ethylhexylamino group, nonylamino group, decylamino group, 3,7-dimethyloctylamino group, laurylamino group, cyclopentylamino group, cyclopentylamino group, cyclohexylamino group, dicyclohexylamino group, pyrrolidyl group, piperidyl group, ditrifluoromethylamino group, phenylamino group, diphenylamino group, C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl amino group, di C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl) amino group, di _(C 1 _{-C 12} alkylphenyl) amino groups, 1-naphthylamino group, 2-naphthylamino group, pentafluorophenylamino group, pyridylamino group, pyridazinylamino group, pyrimidylamino group, Pirajiruamino group, a phenyl _-C triazyl amino group 1 _{-C 12} alkylamino _group, C 1 _{-C 12} alkoxyphenyl _-C 1 _{-C 12} alkylamino _group, C 1 _{-C 12} alkylphenyl -C ₁ -C ₁₂ alkylamino group, di _(C 1 _{-C 12} alkoxyphenyl _-C 1 _{-C 12} alkyl) amino group, di _(C 1 _{-C 12} alkylphenyl _-C 1 _{-C 12} alkyl) amino groups, 1-naphthyl -C ₁ -C ₁₂ alkylamino group, 2-naphthyl _-C 1 _{-C 12} alkylamino Etc. are exemplified.

置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリル基が挙げられる。置換シリル基の炭素数は通常１〜６０程度、好ましくは炭素数３〜４８である。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。 Examples of the substituted silyl group include a silyl group substituted with 1, 2 or 3 groups selected from an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group or a monovalent heterocyclic group. The substituted silyl group usually has about 1 to 60 carbon atoms, preferably 3 to 48 carbon atoms. The alkyl group, aryl group, arylalkyl group or monovalent heterocyclic group may have a substituent.
Specifically, trimethylsilyl group, triethylsilyl group, tripropylsilyl group, triisopropylsilyl group, dimethylisopropylsilyl group, diethylisopropylsilyl group, t-butylsilyldimethylsilyl group, pentyldimethylsilyl group, hexyldimethylsilyl group, Heptyldimethylsilyl group, octyldimethylsilyl group, 2-ethylhexyl-dimethylsilyl group, nonyldimethylsilyl group, decyldimethylsilyl group, 3,7-dimethyloctyl-dimethylsilyl group, lauryldimethylsilyl group, phenyl-C ₁ -C ₁₂ alkylsilyl _group, C 1 _{-C 12} alkoxyphenyl _-C 1 _{-C 12} alkylsilyl _group, C 1 _{-C 12} alkylphenyl _-C 1 _{-C 12} alkylsilyl group, 1-naphthyl _-C 1 _{-C 12} Arukirushiri Group, 2-naphthyl _-C 1 _{-C 12} alkylsilyl group, a phenyl _-C 1 _{-C 12} alkyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, tri -p- Kishirirushiriru group, tribenzylsilyl group, diphenylmethylsilyl group, t -A butyl diphenylsilyl group, a dimethylphenylsilyl group, etc. are illustrated.

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が例示される。   Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

アシル基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８である。その具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが例示される。   The acyl group usually has about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples thereof include an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, an isobutyryl group, a pivaloyl group, a benzoyl group, a trifluoroacetyl group, and a pentafluorobenzoyl group.

アシルオキシ基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８である。その具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。   The acyloxy group usually has about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples thereof include an acetoxy group, propionyloxy group, butyryloxy group, isobutyryloxy group, pivaloyloxy group, benzoyloxy group, trifluoroacetyloxy group, pentafluorobenzoyloxy group and the like.

イミン残基としては、イミン化合物（分子内に、−Ｎ＝Ｃを持つ有機化合物のことを言う。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらのＮ上の水素原子が、アルキル基等で置換された化合物が挙げられる）から水素原子１個を除いた残基が挙げられ、通常、炭素数は２〜２０程度であり、好ましくは炭素数は２〜１８である。具体的には、以下の構造式で示される基などが例示される。

As the imine residue, an imine compound (refers to an organic compound having —N═C in the molecule. Examples thereof include aldimine, ketimine, and hydrogen atoms on these N substituted with alkyl groups or the like. Examples thereof include residues obtained by removing one hydrogen atom from a compound, and usually has about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples include groups represented by the following structural formulas.

アミド基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８である。その具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基などが例示される。   The amide group usually has about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples thereof include formamide group, acetamide group, propioamide group, butyroamide group, benzamide group, trifluoroacetamide group, pentafluorobenzamide group, diformamide group, diacetamide group, dipropioamide group, dibutyroamide group, dibenzamide group, ditriamide. Examples include a fluoroacetamide group and a dipentafluorobenzamide group.

酸イミド基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基が挙げられ、炭素数が４〜２０程度であり、具体的には以下に示す基などが例示される。

Examples of the acid imide group include residues obtained by removing a hydrogen atom bonded to the nitrogen atom from an acid imide, having about 4 to 20 carbon atoms, and specific examples include the groups shown below. The

１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団を言い、炭素数は通常４〜６０程度、好ましくは４〜２０である。なお、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素などのヘテロ原子を環内に含むものを言う。具体的には、チエニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが例示され、チエニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジル基が好ましい。 The monovalent heterocyclic group refers to the remaining atomic group obtained by removing one hydrogen atom from a heterocyclic compound, and usually has about 4 to 60 carbon atoms, preferably 4 to 20 carbon atoms. The carbon number of the heterocyclic group does not include the carbon number of the substituent. Here, a heterocyclic compound is an organic compound having a cyclic structure in which the elements constituting the ring include not only carbon atoms but also hetero atoms such as oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, boron, etc. in the ring. To tell. Specifically, a thienyl _group, C 1 _{-C 12} alkyl thienyl group, a pyrrolyl group, a furyl group, a pyridyl _group, C 1 _{-C 12} alkyl pyridyl group, piperidyl group, quinolyl group, isoquinolyl group and the like, a thienyl group , _C 1 _{-C 12} alkyl thienyl group, a pyridyl _group, a C 1 _{-C 12} alkyl pyridyl group are preferable.

置換カルボキシル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボキシル基が挙げられ、炭素数が通常２〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８である。その具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基などが挙げられる。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。   Examples of the substituted carboxyl group include a carboxyl group substituted with an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group or a monovalent heterocyclic group, and the number of carbons is usually about 2 to 60, preferably 2 to 48. . Specific examples thereof include methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group, isopropoxycarbonyl group, butoxycarbonyl group, isobutoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, pentyloxycarbonyl group, hexyloxycarbonyl group, cyclohexyloxy Carbonyl group, heptyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, 2-ethylhexyloxycarbonyl group, nonyloxycarbonyl group, decyloxycarbonyl group, 3,7-dimethyloctyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, trifluoromethoxycarbonyl Group, pentafluoroethoxycarbonyl group, perfluorobutoxycarbonyl group, perfluorohexyloxycarbonyl group, perfluorooctyloxycarbo group Group, phenoxycarbonyl group, naphthoxycarbonyl group, and pyridyl oxycarbonyl group. The alkyl group, aryl group, arylalkyl group or monovalent heterocyclic group may have a substituent. The carbon number of the substituted carboxyl group does not include the carbon number of the substituent.

３環以上の２価の縮合多環系複素環基としては、ビフェニレン、インダセン、アセナフチレン、フルオレン、フェナレン、フェナントレン、アントラセン、フルオランテン、アセナフチリレン、アセアンチリレン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン及びペンタセンの少なくとも１つの炭素原子をホウ素原子、窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、リン原子、硫黄原子又はセレン原子で置換し、２つの水素原子を除いた基が例示される。上記縮合多環系複素環化合物の水素原子は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基で置換されていてもよい。   Examples of the trivalent or more divalent condensed polycyclic heterocyclic group include biphenylene, indacene, acenaphthylene, fluorene, phenalene, phenanthrene, anthracene, fluoranthene, acenaphthylylene, aceantirylene, triphenylene, pyrene, chrysene, naphthacene, picene, and perylene. And a group obtained by substituting at least one carbon atom of pentaphen and pentacene with a boron atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, a silicon atom, a phosphorus atom, a sulfur atom or a selenium atom and removing two hydrogen atoms. The hydrogen atom of the condensed polycyclic heterocyclic compound is an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkenyl group, arylalkenyl group, arylalkynyl. Group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group and It may be substituted with a substituent selected from the group consisting of a cyano group.

３環以上の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基としては、下記の式１Ａ−０〜１Ａ−６４、式１Ｂ−１〜１Ｂ−６４、式１Ｃ−１〜１Ｃ−６４、及び式１Ｄ−１〜１Ｄ−１８、並びに、これらの式の基に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基等からなる群から選ばれる少なくとも１つの置換基を有するものが挙げられる。なお、以下において、芳香族炭化水素環における結合手は、任意の位置を取り得ることを表す。   Examples of the divalent condensed polycyclic aromatic hydrocarbon group having three or more rings include the following formulas 1A-0 to 1A-64, formulas 1B-1 to 1B-64, formulas 1C-1 to 1C-64, and formulas 1D-1 to 1D-18, and groups of these formulas include alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group Group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, Examples thereof include those having at least one substituent selected from the group consisting of a substituted carboxyl group and a cyano group. In the following, the bond in the aromatic hydrocarbon ring represents that it can take any position.

（式中、Ｒｗ及びＲｘはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ＲｗとＲｘはそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。）

(Wherein Rw and Rx are each independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, Arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl Represents one selected from the group consisting of a group and a cyano group, and Rw and Rx may be bonded to each other to form a ring.)

以下に３環以上の２価の縮合多環系複素環基の例を示す。
これらの基は、その複素環上に置換基を有していてもよい。その置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基又はシアノ基が例示され、互いに結合して環を形成してもよい。 Examples of divalent condensed polycyclic heterocyclic groups having 3 or more rings are shown below.
These groups may have a substituent on the heterocyclic ring. As the substituent, halogen atom, alkyl group, alkyloxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkyloxy group, arylalkylthio group, acyl group, acyloxy group, amide group , Acid imide group, imine residue, amino group, substituted amino group, substituted silyl group, substituted silyloxy group, substituted silylthio group, substituted silylamino group, monovalent heterocyclic group, heteroaryloxy group, heteroarylthio group, aryl Examples include an alkenyl group, an arylethynyl group, a carboxyl group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an arylalkyloxycarbonyl group, a heteroaryloxycarbonyl group, or a cyano group, which may be bonded to each other to form a ring.

上記式中、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基又は１価の複素環基を表す。複数のＲ’を有する場合、互いに結合して環を形成してもよい。

In the above formula, each R ′ is independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, halogen atom, acyl group. Represents an acyloxy group or a monovalent heterocyclic group. When having a plurality of R ′, they may be bonded to each other to form a ring.

３環以上の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基又は３環以上の２価の縮合多環系複素環基としては、下記式（３０）で表される化合物のＡ環及び／又はＢ環から２つの水素原子を除いた基が好ましい。

式中、Ａ環及びＢ環はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。ＺはＡ環とＢ環と結合し、５員環、６員環又は７員環を形成する２価の基を表す。 As a bivalent condensed polycyclic aromatic hydrocarbon group having 3 or more rings or a divalent condensed polycyclic heterocyclic group having 3 or more rings, the ring A and / or the compound represented by the following formula (30): A group in which two hydrogen atoms have been removed from the B ring is preferred.

In the formula, A ring and B ring each independently represent an aromatic hydrocarbon ring which may have a substituent. Z represents a divalent group which is bonded to the A ring and the B ring to form a 5-membered ring, 6-membered ring or 7-membered ring.

芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環単独又は複数個のベンゼン環が縮合したものが好ましい。その例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等の芳香族炭化水素環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられる。   As the aromatic hydrocarbon ring, a benzene ring alone or a condensed benzene ring is preferable. Examples thereof include aromatic hydrocarbon rings such as benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, tetracene ring, pentacene ring, pyrene ring, phenanthrene ring, and preferably benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring. Can be mentioned.

Ａ環とＢ環との組合せとして、好ましくはベンゼン環とベンゼン環、ベンゼン環とナフタレン環、ベンゼン環とアントラセン環、ベンゼン環とフェナントレン環、ナフタレン環とアントラセン環、ナフタレン環とフェナントレン環、アントラセン環とフェナントレン環の組合せが挙げられ、ベンゼン環とナフタレン環の組合わせがより好ましい。   As a combination of A ring and B ring, benzene ring and benzene ring, benzene ring and naphthalene ring, benzene ring and anthracene ring, benzene ring and phenanthrene ring, naphthalene ring and anthracene ring, naphthalene ring and phenanthrene ring, anthracene ring And a combination of a benzene ring and a naphthalene ring are more preferable.

Ａ環とＢ環における置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基が例示される。   As substituents in the A ring and the B ring, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, Amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group and cyano group Is exemplified.

Ｚで表される２価の基のうち、５員環を形成するものとしては、下記式グループＡ及びグループＢで表される基が例示される。   Examples of the divalent group represented by Z that form a 5-membered ring include groups represented by the following formula groups A and B.

式中、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基又は１価の複素環基を表す。１つの原子に２つのＲ’を有する場合、互いに結合して環を形成してもよい。

In the formula, each R ′ is independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, halogen atom, acyl group, Represents an acyloxy group or a monovalent heterocyclic group. When one atom has two R's, they may be bonded to each other to form a ring.

Ｚで表される２価の基のうち、６員環を形成するものとしては、下記式グループＣ、グループＤ、グループＥ、グループＦで表されるものが例示される。   Examples of the divalent group represented by Z that form a 6-membered ring include those represented by the following formula group C, group D, group E, and group F.

式中、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基又は１価の複素環基を表す。Ｒ’を複数有する場合、互いに結合して環を形成してもよい。

In the formula, each R ′ is independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, halogen atom, acyl group, Represents an acyloxy group or a monovalent heterocyclic group. When a plurality of R ′ are present, they may be bonded to each other to form a ring.

Ｘ_１又はＸ_２が対称性を有しない場合、グループＣ、グループＤ、グループＥの基が例示される。対称性を有する場合、グループＦの基が例示される。 When X ₁ or _{X 2} does not have symmetry, Group C, Group D, group of the group E are exemplified. In the case of symmetry, group F is exemplified.

Ｚで表される２価の基のうち、７員環を形成するものとしては、下記グループＧで表されるものが例示される。   Examples of the divalent group represented by Z that form a 7-membered ring include those represented by the following group G.

中でも、化合物の安定性の観点から、グループＡ、グループＤ及びグループＥの基が好ましく、より好ましくはグループＡ及びグループＥの基であり、更に好ましくはこれらのＺを有するＸ_１又はＸ_２が左右対称でもＣ２対称でもない場合である。 Among them, from the viewpoint of the stability of the compound, groups A, D and E are preferable, more preferably groups A and E, and more preferably X ₁ or X ₂ having Z is This is a case where neither left-right symmetry nor C2 symmetry is used.

素子寿命、素子駆動後の色変化抑制などの素子特性の観点から、３環以上の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基又は３環以上の２価の縮合多環系複素環基としては、下記式（３１）で表される化合物から２つの水素原子を除いたものが好ましい。左右対称でもＣ２対称でもない場合が、更に好ましい。

式中、Ａ環及びＢ環はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。２つのＲは互いに結合して環を形成してもよい。 From the standpoint of device characteristics such as device lifetime and suppression of color change after driving the device, as a divalent condensed polycyclic aromatic hydrocarbon group having 3 or more rings or a divalent condensed polycyclic heterocyclic group having 3 or more rings. Is preferably obtained by removing two hydrogen atoms from the compound represented by the following formula (31). The case where neither left-right symmetry nor C2 symmetry is more preferable.

In the formula, A ring and B ring each independently represent an aromatic hydrocarbon ring which may have a substituent. Each R is independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group Represents a substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or cyano group. . Two Rs may combine with each other to form a ring.

Ａ環及びＢ環における定義及び例示は上記式（３０）と同様である。   Definitions and examples in the A ring and the B ring are the same as those in the above formula (30).

更に好ましくは、下記式（３２）、（３３）、（３４）及び（３５）のいずれかで表される場合である。

式中、Ｒ_ｐ１、Ｒ_ｑ１、Ｒ_ｐ２、Ｒ_ｑ２、Ｒ_ｐ３、Ｒ_ｑ３、Ｒ_ｐ４及びＲ_ｑ４はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。ｂ１、ｂ２、ｂ３及びｂ４はそれぞれ独立に０〜３の整数を表し、ｃ１、ｃ２、ｃ３及びｃ４はそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。Ｒ_ｐ１、Ｒ_ｑ１、Ｒ_ｐ２、Ｒ_ｑ２、Ｒ_ｐ３、Ｒ_ｑ３、Ｒ_ｐ４及びＲ_ｑ４が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒ_ｗ１、Ｒ_ｘ１、Ｒ_ｗ２、Ｒ_ｘ２、Ｒ_ｗ３、Ｒ_ｘ３、Ｒ_ｗ４及びＲ_ｘ４はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。Ｒ_ｗ１とＲ_ｘ１、Ｒ_ｗ２とＲ_ｘ２、Ｒ_ｗ３とＲ_ｘ３、Ｒ_ｗ４とＲ_ｘ４はそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。 More preferably, it is a case represented by any of the following formulas (32), (33), (34) and (35).

In the formula, R _p1 , R _q1 , R _p2 , R _q2 , R _p3 , R _q3 , R _p4 and R _q4 are each independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, Arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, An acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group is represented. b1, b2, b3 and b4 each independently represent an integer of 0 to 3, and c1, c2, c3 and c4 each independently represent an integer of 0 to 5. When there are a plurality of R _p1 , R _q1 , R _p2 , R _q2 , R _p3 , R _q3 , R _p4 and R _q4 , they may be the same or different. R _w1 , R _x1 , R _w2 , R _x2 , R _w3 , R _x3 , R _w4 and R _x4 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, Arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, An acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group is represented. R _w1 and R _x1 , R _w2 and R _x2 , R _w3 and R _x3 , R _w4 and R _x4 may be bonded to each other to form a ring.

もっとも好ましくは、上記式（３２）で表される場合である。   Most preferably, it is a case represented by said Formula (32).

単環若しくは２環性の２価の芳香族炭化水素基としては、ベンゼン、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アズレン、ヘプタレン又はビフェニルから２つの水素原子を除いた基が例示される。中でも、ベンゼン又はビフェニルから２つの水素原子を除いた基が好ましい。上記芳香族炭化水素化合物の水素原子は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基で置換されていてもよい。   Examples of the monocyclic or bicyclic divalent aromatic hydrocarbon group include groups in which two hydrogen atoms have been removed from benzene, pentalene, indene, naphthalene, azulene, heptalene or biphenyl. Among these, a group in which two hydrogen atoms are removed from benzene or biphenyl is preferable. The hydrogen atom of the aromatic hydrocarbon compound is an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, Amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group and cyano group It may be substituted with a substituent selected from the group consisting of

単環若しくは２環性の２価の複素環基としては、フラン、チオフェン、ピロール、ピロン、チオピラン、ピリジン、オキサゾール、チアゾール、フラザン、イミダゾール、ピラゾール、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、インドリジン、クロメン、ベンゾピラン、キノリン、ベンズイミダゾール、インダゾール、キノキサリン又はフタラジンから２つの水素原子を除いた基が例示される。中でも、単環の２価の複素環基が好ましい。上記複素環化合物の水素原子は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基で置換されていてもよい。   Monocyclic or bicyclic divalent heterocyclic groups include furan, thiophene, pyrrole, pyrone, thiopyran, pyridine, oxazole, thiazole, furazane, imidazole, pyrazole, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, benzofuran, benzothiophene, indole And groups obtained by removing two hydrogen atoms from indolizine, chromene, benzopyran, quinoline, benzimidazole, indazole, quinoxaline or phthalazine. Among these, a monocyclic divalent heterocyclic group is preferable. The hydrogen atom of the heterocyclic compound is an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group , Substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group and cyano group It may be substituted with a substituent selected from the group.

単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基からなるアミン構造とは、具体的には下記式（３７）で表される。

（式中、Ａｒ_ｄ１、Ａｒ_ｄ２、Ａｒ_ｄ３及びＡｒ_ｄ４はそれぞれ独立に、単環若しくは２環性のアリーレン基、又は単環若しくは２環性の２価の複素環基を表す。Ａｒ_ｄ５、Ａｒ_ｄ６及びＡｒ_ｄ７はそれぞれ独立に、単環若しくは２環性のアリール基、又は単環若しくは２環性の１価の複素環基を表す。Ａｒ_ｄ１、Ａｒ_ｄ２、Ａｒ_ｄ３、Ａｒ_ｄ４、Ａｒ_ｄ５、Ａｒ_ｄ６及びＡｒ_ｄ７は置換基を有していてもよい。ｄ１及びｄ２はそれぞれ独立に０又は正の整数を表す。） The amine structure composed of a monocyclic or bicyclic aromatic hydrocarbon or a monocyclic or bicyclic heterocyclic group is specifically represented by the following formula (37).

(In the formula, Ar _d1 , Ar _d2 , Ar _d3 and Ar _d4 each independently represent a monocyclic or bicyclic arylene group or a monocyclic or bicyclic divalent heterocyclic group. Ar _d5 , Ar _d6 and Ar _d7 each independently represent a monocyclic or bicyclic aryl group, or a monocyclic or bicyclic monovalent heterocyclic group: Ar _d1 , Ar _d2 , Ar _d3 , Ar _d4 , Ar _d5 , Ar _d6 and Ar _d7 may have a substituent, and d1 and d2 each independently represent 0 or a positive integer.)

Ａｒ_ｄ１、Ａｒ_ｄ２、Ａｒ_ｄ３及びＡｒ_ｄ４における単環若しくは２環性のアリーレン基、及び単環若しくは２環性の１価の複素環基の例示は、上記に記載のものと同様である。Ａｒ_ｄ１及びＡｒ_ｄ３は単環のアリーレン基又は単環の複素環基が好ましい。 Examples of the monocyclic or bicyclic arylene group and the monocyclic or bicyclic monovalent heterocyclic group in Ar _d1 , Ar _d2 , Ar _d3 and Ar _d4 are the same as those described above. Ar _d1 and Ar _d3 are preferably a monocyclic arylene group or a monocyclic heterocyclic group.

Ａｒ_ｄ５、Ａｒ_ｄ６及びＡｒ_ｄ７における単環若しくは２環性のアリール基としては、ベンゼン、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アズレン、ヘプタレン又はビフェニルから水素原子１個を除いた原子団が例示される。 Examples of the monocyclic or bicyclic aryl group in Ar _d5 , Ar _d6 and Ar _d7 include an atomic group obtained by removing one hydrogen atom from benzene, pentalene, indene, naphthalene, azulene, heptalene or biphenyl.

Ａｒ_ｄ１、Ａｒ_ｄ２、Ａｒ_ｄ３、Ａｒ_ｄ４、Ａｒ_ｄ５、Ａｒ_ｄ６及びＡｒ_ｄ７における置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基が例示される。 Ar _d1 , Ar _d2 , Ar _d3 , Ar _d4 , Ar _d5 , Ar _d6 and Ar _d7 are substituted with an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, aryl Alkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, 1 Examples thereof include a valent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group, and a cyano group.

ｄは好ましくは０、１又は２である。   d is preferably 0, 1 or 2.

金属錯体構造を有する２価の基とは、有機配位子を有する金属錯体の有機配位子から水素原子を２個除いた残りの２価の基である。該有機配位子の炭素数は、通常４〜６０程度である。その例としては、８−キノリノール及びその誘導体、ベンゾキノリノール及びその誘導体、２−フェニル−ピリジン及びその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾール及びその誘導体、２−フェニル−ベンゾキサゾール及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体などが挙げられる。また、該錯体の中心金属としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、ベリリウム、イリジウム、白金、金、ユーロピウム、テルビウムなどが挙げられる。
有機配位子を有する金属錯体としては、低分子の蛍光材料、燐光材料として公知の金属錯体、三重項発光錯体などが挙げられる。 The divalent group having a metal complex structure is a remaining divalent group obtained by removing two hydrogen atoms from an organic ligand of a metal complex having an organic ligand. Carbon number of this organic ligand is about 4-60 normally. Examples include 8-quinolinol and its derivatives, benzoquinolinol and its derivatives, 2-phenyl-pyridine and its derivatives, 2-phenyl-benzothiazole and its derivatives, 2-phenyl-benzoxazole and its derivatives, porphyrin and And derivatives thereof. Examples of the central metal of the complex include aluminum, zinc, beryllium, iridium, platinum, gold, europium, and terbium.
Examples of the metal complex having an organic ligand include a low-molecular fluorescent material, a metal complex known as a phosphorescent material, and a triplet light-emitting complex.

金属錯体構造を有する２価の基としては、具体的には、以下の式１２６〜１３２が例示される。

Specific examples of the divalent group having a metal complex structure include the following formulas 126 to 132.

上記の式１２６〜１３２において、Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。また、式１２６〜１３２の基が有する炭素原子は、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子と置き換えられていてもよく、水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
ここに、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基の定義、具体例、及び好ましい例は、前記芳香族炭化水素環が置換基を有する場合におけるそれらと同様である。 In the above formulas 126 to 132, each R is independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group. Group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, A substituted carboxyl group or a cyano group is shown. Moreover, the carbon atom which the group of Formula 126-132 has may be substituted with the nitrogen atom, the oxygen atom, or the sulfur atom, and the hydrogen atom may be substituted with the fluorine atom.
Here, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, substituted amino group, substituted silyl group, Definitions, specific examples, and preferred examples of a halogen atom, an acyl group, an acyloxy group, an imine residue, an amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, and a substituted carboxyl group are those in which the aromatic hydrocarbon ring is a substituent. It is the same as those in the case of having.

単環若しくは２環性の２価の芳香族炭化水素基としては、好ましくは単環の２価の芳香族炭化水素基、単環の２価の複素環基、又は上記式（３７）においてＡｒ_ｄ１及びＡｒ_ｄ３が単環の芳香族炭化水素基、又は単環の２価の複素環基の場合である。 The monocyclic or bicyclic divalent aromatic hydrocarbon group is preferably a monocyclic divalent aromatic hydrocarbon group, a monocyclic divalent heterocyclic group, or Ar in the above formula (37). _{This is the case where d1} and Ar _d3 are a monocyclic aromatic hydrocarbon group or a monocyclic divalent heterocyclic group.

３環以上の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基又は３環以上の２価の縮合多環系複素環基をＸとし、単環若しくは２環性の２価の芳香族炭化水素基、単環若しくは２環性の２価の複素環基、単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基からなるアミン構造、又は金属錯体構造を有する２価の基をＹとした場合、３つの連続する繰返し単位に着目すると、高分子中には下記の８種類のシーケンスが存在する。
−Ｘ−Ｘ−Ｘ− （Ｓ１）
−Ｘ−Ｘ−Ｙ− （Ｓ２）
−Ｘ−Ｙ−Ｘ− （Ｓ３）
−Ｘ−Ｙ−Ｙ− （Ｓ４）
−Ｙ−Ｘ−Ｘ− （Ｓ５）
−Ｙ−Ｘ−Ｙ− （Ｓ６）
−Ｙ−Ｙ−Ｘ− （Ｓ７）
−Ｙ−Ｙ−Ｙ− （Ｓ８）
上記式（１）で表される繰り返し単位を主成分として含むということは、下記の通りである。
（Ｓ３）＞（Ｓ１）かつ（Ｓ３）≧（Ｓ２）かつ（Ｓ３）＞（Ｓ４）かつ
（Ｓ３）≧（Ｓ５）かつ（Ｓ３）＞（Ｓ６）かつ（Ｓ３）＞（Ｓ７）かつ
（Ｓ３）＞（Ｓ８） A tricyclic or more divalent condensed polycyclic aromatic hydrocarbon group or a trivalent or more divalent condensed polycyclic heterocyclic group having X as a monocyclic or bicyclic divalent aromatic hydrocarbon group 2 having a monocyclic or bicyclic divalent heterocyclic group, an amine structure composed of a monocyclic or bicyclic aromatic hydrocarbon, or a monocyclic or bicyclic heterocyclic group, or a metal complex structure When the valent group is Y, paying attention to three consecutive repeating units, the following eight types of sequences exist in the polymer.
-X-X- (S1)
-X-X-Y- (S2)
-X-Y-X- (S3)
-X-Y-Y- (S4)
-YX-X- (S5)
-Y-X-Y- (S6)
-Y-Y-X- (S7)
-Y-Y-Y- (S8)
The fact that the repeating unit represented by the above formula (1) is contained as a main component is as follows.
(S3)> (S1) and (S3) ≧ (S2) and (S3)> (S4) and (S3) ≧ (S5) and (S3)> (S6) and (S3)> (S7) and (S3 > (S8)

例えば、ＸとＹの交互共重合体は含まれない。下記式（５）で表される化合物を重合することにより得られた高分子化合物が好ましい。
Ｗ_１−Ｘ_１−Ｙ_１−Ｘ_２−Ｗ_２ （５）
（式中、Ｘ_１、Ｘ_２及びＹ_１はそれぞれ上記と同じである。Ｗ_１及びＷ_２はそれぞれ独立に、重合に関与しうる置換基を表す。）
また、上記式（１）で表される繰返しのみからなる高分子化合物、又は上記式（１）で表される繰返し単位とそれ以外の繰返し単位からなる高分子化合物であって、上記式（１）で表される繰返し単位を５０％を超えるモル比で含む共重合体が好ましい。
この場合、上記式（１）で表される繰返し単位の割合をα、それ以外の繰返し単位の割合をβとすると、下記式の関係が成り立ち、上記式（１）で表される繰返し単位を主成分として含む。
α＞β
−Ｘ−Ｙ−Ｘ−（Ｓ３）で表されるシーケンスの数：α
−Ｕ−Ｘ−Ｙ−で表されるシーケンス（（Ｓ２）と（Ｓ６）の和）の数：α
（−Ｕ−Ｘ−Ｙ−Ｘ−に由来する構造）
−Ｙ−Ｘ−Ｕ−で表されるシーケンス（（Ｓ５）と（Ｓ６）の和）の数：α
（−Ｘ−Ｙ−Ｘ−Ｕ−に由来する構造）
その他のシーケンスの数：β−２
全体のシーケンスの和：３α＋β−２
（式中、ＵはＸでもＹでもよい） For example, an alternating copolymer of X and Y is not included. A polymer compound obtained by polymerizing a compound represented by the following formula (5) is preferred.
W ₁ -X ₁ -Y ₁ -X ₂ -W ₂ (5)
(Wherein, X ₁ , X ₂ and Y ₁ are the same as above. W ₁ and W ₂ each independently represent a substituent capable of participating in polymerization.)
Further, a polymer compound consisting only of the repeating unit represented by the above formula (1), or a polymer compound consisting of the repeating unit represented by the above formula (1) and another repeating unit, wherein the above formula (1) A copolymer containing a repeating unit represented by) at a molar ratio exceeding 50% is preferable.
In this case, when the ratio of the repeating unit represented by the above formula (1) is α and the ratio of the other repeating units is β, the following formula is established, and the repeating unit represented by the above formula (1) is Contains as the main component.
α> β
Number of sequences represented by -X-Y-X- (S3): α
Number of sequences represented by -U-XY- (sum of (S2) and (S6)): α
(Structure derived from -U-X-Y-X-)
Number of sequences represented by -YXU- (sum of (S5) and (S6)): α
(Structure derived from -X-Y-X-U-)
Number of other sequences: β-2
Sum of entire sequence: 3α + β-2
(Wherein U may be X or Y)

また、本発明の高分子化合物は上記式（１）で表される繰返し単位が左右対称又はＣ２対称であることが好ましい。   In the polymer compound of the present invention, the repeating unit represented by the formula (1) is preferably bilaterally symmetric or C2 symmetric.

上記式（１）で表される繰返し単位が左右対称であるとは、下記式において紙面上の分子の中心軸（Ｃａ軸）を含む紙面に垂直な面に対して該繰返し単位が対称である場合を指す。また、Ｃ２対称であるとは、下記式をＣａ軸（二回軸）を中心に１８０°回転した時に、回転前と回転後の構造が一致する場合を指す。

That the repeating unit represented by the above formula (1) is bilaterally symmetric means that the repeating unit is symmetric with respect to a plane perpendicular to the paper surface including the central axis (Ca axis) of the molecule on the paper surface in the following formula. Refers to the case. The C2 symmetry means a case where the structure before and after rotation coincide with each other when the following formula is rotated 180 ° around the Ca axis (twisted axis).

上記式（１）で表される繰返し単位が左右対称である場合の例示としては、下記式で表されるものが例示される。ただし、対称性を失わない範囲で置換基を有していても、炭素原子が他の原子で置換されていてもよい。   Examples of the case where the repeating unit represented by the above formula (1) is bilaterally symmetrical include those represented by the following formula. However, the carbon atom may be substituted with another atom even if it has a substituent as long as the symmetry is not lost.

上記式（１）で表される繰返し単位がＣ２対称である場合の例示としては、下記式で表されるものが例示される。ただし、対称性を失わない範囲で置換基を有していても、炭素原子が他の原子で置換されていてもよい。

Examples of the case where the repeating unit represented by the above formula (1) is C2 symmetric include those represented by the following formula. However, the carbon atom may be substituted with another atom even if it has a substituent as long as the symmetry is not lost.

上記式（１）で表される繰返し単位中、Ｘ_１及びＸ_２で表される繰返し単位が左右対称でもＣ２対称でもないとは、上記のいずれの対称性も有しない場合を指す。 Among the repeating units represented by the above formula (1), the case where the repeating units represented by X ₁ and X ₂ are neither left-right symmetric nor C 2 symmetric refers to the case where none of the above-mentioned symmetry is present.

Ｘ_１及びＸ_２で表される繰返し単位は左右非対称でもＣ２対称でもない場合が好ましい。 The repeating unit represented by X ₁ and X ₂ is preferably neither left-right asymmetric nor C2 symmetric.

本発明の高分子化合物は、素子にした時の電荷の注入・輸送性の制御、発光色の調整、発光効率を高める観点、耐熱性の向上の観点などから、下記式（６）、（７）、（８）及び／又は（９）で表される繰返し単位を含む場合が好ましい。該繰返し単位は、上記Ｙ_１又はＹ_２として含まれていてもよいし、又はＹ_１及びＹ_２とは別個の繰返し単位として含まれていてもよい。 The polymer compound of the present invention has the following formulas (6) and (7) from the viewpoints of controlling the charge injection / transport properties in the device, adjusting the emission color, increasing the light emission efficiency, improving heat resistance, and the like. ), (8) and / or (9) is preferred. The repeating unit may be included as Y ₁ or Y ₂ described above, or may be included as a repeating unit separate from Y ₁ and Y ₂ .

−Ａｒ_１− （６）
−（Ａｒ_２−Ｘ_３）_ｋ−Ａｒ_３− （７）
−Ａｒ_４−Ｘ_４− （８）
−Ｘ_５− （９） -Ar _1- (6)
_{- (Ar 2 -X 3) k} -Ar 3 - (7)
—Ar ₄ —X ₄ — (8)
-X _5- (9)

式中、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_３及びＡｒ_４はそれぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基又は金属錯体構造を有する２価の基を表す。Ｘ_３、Ｘ_４及びＸ_５はそれぞれ独立に、−ＣＲ_９＝ＣＲ_１０−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ_１１）−、又は（ＳｉＲ_１２Ｒ_１３）_ｍ−を表す。Ｒ_９及びＲ_１０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。Ｒ_１１、Ｒ_１２及びＲ_１３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又はアリールアルキル基を示す。ｋは１又は２を表す。ｍは１〜１２の整数を表す。Ｒ_９、Ｒ_１０、Ｒ_１１、Ｒ_１２及びＲ_１３がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 In the formula, Ar ₁ , Ar ₂ , Ar ₃ and Ar ₄ each independently represent an arylene group, a divalent heterocyclic group or a divalent group having a metal complex structure. X ₃ , X ₄ and X ₅ each independently represent —CR ₉ ═CR ₁₀ —, —C≡C—, —N (R ₁₁ ) —, or (SiR ₁₂ R ₁₃ ) _m —. R ₉ and R ₁₀ each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group. R ₁₁ , R ₁₂ and R ₁₃ each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group or an arylalkyl group. k represents 1 or 2; m represents an integer of 1 to 12. When there are a plurality of R ₉ , R ₁₀ , R ₁₁ , R ₁₂ and R ₁₃ , they may be the same or different.

ここでアリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた原子団であり、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリーレン基は置換基を有していてもよい。置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基が挙げられる。
アリーレン基における置換基を除いた部分の炭素数は通常６〜６０程度であり、好ましくは６〜２０である。また、アリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、通常６〜１００程度である。
アリーレン基としては、フェニレン基（例えば、下図の式１〜３）、ナフタレンジイル基（下図の式４〜１３）、アントラセン−ジイル基（下図の式１４〜１９）、ビフェニル−ジイル基（下図の式２０〜２５）、フルオレン−ジイル基（下図の式３６〜３８）、ターフェニル−ジイル基（下図の式２６〜２８）、縮合環化合物基（下図の式２９〜３５）、スチルベン−ジイル（下図の式Ａ〜Ｄ），ジスチルベン−ジイル（下図の式Ｅ及びＦ）などが例示される。中でもフェニレン基、ビフェニル−ジイル基、フルオレン−ジイル基、スチルベン−ジイル基が好ましい。 Here, the arylene group is an atomic group obtained by removing two hydrogen atoms from an aromatic hydrocarbon, and those having a condensed ring, two or more independent benzene rings or condensed rings are directly or via a group such as vinylene. Are also included. The arylene group may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, an amino group, and a substituted amino group. Silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group, and cyano group.
Carbon number of the part except the substituent in an arylene group is about 6-60 normally, Preferably it is 6-20. Moreover, the total carbon number including the substituent of an arylene group is about 6-100 normally.
Examples of the arylene group include a phenylene group (for example, Formulas 1 to 3 in the following figure), a naphthalenediyl group (Formulas 4 to 13 in the following figure), an anthracene-diyl group (Formulas 14 to 19 in the following figure), and a biphenyl-diyl group ( Formulas 20 to 25), fluorene-diyl groups (formulas 36 to 38 in the following diagram), terphenyl-diyl groups (formulas 26 to 28 in the diagram below), condensed ring compound groups (formulas 29 to 35 in the diagram below), stilbene-diyl ( Examples are formulas A to D) below, distilbene-diyl (formulas E and F below), and the like. Among these phenylene groups, biphenyl - diyl group, a fluorene - diyl group, stilbene - diyl group.

また、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_３及びＡｒ_４における２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団を言い、該基は置換基を有していてもよい。
ここに複素環化合物とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子を環内に含むものを言う。２価の複素環基の中では、芳香族複素環基が好ましい。
置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基が挙げられる。
２価の複素環基における置換基を除いた部分の炭素数は通常３〜６０程度である。また、２価の複素環基の置換基を含めた全炭素数は、通常３〜１００程度である。 The divalent heterocyclic group in Ar ₁ , Ar ₂ , Ar _3, and Ar ₄ refers to the remaining atomic group obtained by removing two hydrogen atoms from the heterocyclic compound, and the group has a substituent. May be.
Here, the heterocyclic compound is an organic compound having a cyclic structure, and the elements constituting the ring include not only carbon atoms but also heteroatoms such as oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, boron, and arsenic in the ring. Say things. Of the divalent heterocyclic groups, an aromatic heterocyclic group is preferable.
Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, an amino group, and a substituted amino group. Silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group, and cyano group.
Carbon number of the part except the substituent in a bivalent heterocyclic group is about 3-60 normally. Moreover, the total carbon number including the substituent of a bivalent heterocyclic group is about 3-100 normally.

２価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として窒素を含む２価の複素環基である、ピリジンジイル基（下図の式３９〜４４）、ジアザフェニレン基（下図の式４５〜４８）、キノリンジイル基（下図の式４９〜６３）、キノキサリンジイル基（下図の式６４〜６８）、アクリジンジイル基（下図の式６９〜７２）、ビピリジルジイル基（下図の式７３〜７５）、フェナントロリンジイル基（下図の式７６〜７８）など。
ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（下図の式７９〜９３）。
ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基（下図の式９４〜９８）。
ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環縮合複素基（下図の式９９〜１１０）。
ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基で、そのヘテロ原子のα位で結合して２量体やオリゴマーになっている基（下図の式１１１〜１１２）。
ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基で、そのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基（下図の式１１３〜１１９）。
ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基（下図の式１２０〜１２５）。 Examples of the divalent heterocyclic group include the following.
Pyridinediyl groups (formulas 39 to 44 in the figure below), diazaphenylene groups (formulas 45 to 48 in the figure below), quinoline diyl groups (formulas 49 to 63 in the figure below), which are divalent heterocyclic groups containing nitrogen as a hetero atom A quinoxaline diyl group (formulas 64-68 in the figure below), an acridinediyl group (formulas 69-72 in the figure below), a bipyridyldiyl group (formulas 73-75 in the figure below), a phenanthroline diyl group (formulas 76-78 in the figure below), and the like.
Groups having a fluorene structure containing oxygen, silicon, nitrogen, sulfur, selenium and the like as a hetero atom (formulas 79 to 93 in the following figure).
A 5-membered ring heterocyclic group containing oxygen, silicon, nitrogen, sulfur, selenium and the like as a hetero atom (formulae 94 to 98 in the following figure).
5-membered ring condensed hetero groups containing oxygen, silicon, nitrogen, sulfur, selenium and the like as a hetero atom (formulas 99 to 110 in the following figure).
A 5-membered ring heterocyclic group containing oxygen, silicon, nitrogen, sulfur, selenium, etc. as a heteroatom, and is a dimer or oligomer bonded at the α-position of the heteroatom (formulas 111 to 112 in the figure below) ).
A 5-membered ring heterocyclic group containing oxygen, silicon, nitrogen, sulfur, selenium or the like as a hetero atom, and a group bonded to a phenyl group at the α-position of the hetero atom (formulas 113 to 119 in the following figure).
Groups in which a phenyl group, a furyl group, or a thienyl group is substituted on a 5-membered condensed heterocyclic group containing oxygen, silicon, nitrogen, sulfur, selenium, or the like as a hetero atom (formulas 120 to 125 in the following figure).

また、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_３及びＡｒ_４における金属錯体構造を有する２価の基の定義及び例示はＹ_１における定義及び例示と同様である。 The definition and illustration of the divalent group having a metal complex structure in Ar ₁ , Ar ₂ , Ar ₃ and Ar ₄ are the same as the definition and illustration in Y ₁ .

上記の式１〜１２５において、Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。また、式１〜１３２の基が有する炭素原子は、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子と置き換えられていてもよく、水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。   In the above formulas 1-125, each R independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group. Group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, A substituted carboxyl group or a cyano group is shown. Moreover, the carbon atom which the group of Formula 1-132 has may be substituted with the nitrogen atom, the oxygen atom, or the sulfur atom, and the hydrogen atom may be substituted with the fluorine atom.

上記式（６）で示される好ましい繰り返し単位であるアリーレン基としては、下記式（１０）、式（１１）、式（１２）、式（１３）、式（１４）、又は式（１５）で示される繰り返し単位が好ましい。

（式中、Ｒ_１４は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。ｎは０〜４の整数を示す。Ｒ_１４が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

（式中、Ｒ_１５及びＲ_１６は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。Ｒ_１５及びＲ_１６がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

（式中、Ｒ_１７及びＲ_２０は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。ｑ及びｒはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ_１８及びＲ_１９は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。Ｒ_１７及びＲ_２０が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

（式中、Ｒ_２１は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。ｓは０〜２の整数を示す。Ａｒ_５及びＡｒ_６はそれぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基又は金属錯体構造を有する２価の基を示す。ｔ及びｕはそれぞれ独立に０又は１を示す。Ｘ_４は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ_２、Ｓｅ，又はＴｅを示す。Ｒ_２１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

（式中、Ｒ_２２及びＲ_２３は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。ｖ及びｗはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｚ_１２は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ_２、Ｓｅ，Ｔｅ、Ｎ−Ｒ_２４、又はＳｉＲ_２５Ｒ_２６を示す。Ｚ_１３及びＺ_１４は、それぞれ独立に、Ｎ又はＣ−Ｒ_２７を示す。Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６及びＲ_２７はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を示す。Ｒ_２２及びＲ_２３が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
式（１４）で示される繰り返し単位の中央の５員環の例としては、チアジアゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、チオフェン、フラン、シロールなどが挙げられる。 As an arylene group which is a preferable repeating unit represented by the above formula (6), the following formula (10), formula (11), formula (12), formula (13), formula (14), or formula (15) The repeating units shown are preferred.

(Wherein R ₁₄ represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, an amino group, A substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or cyano group are shown. n represents an integer of 0 to 4. When a plurality of R ₁₄ are present, they may be the same or different.

Wherein R ₁₅ and R ₁₆ are each independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, aryl Alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group Or o and p each independently represents an integer of 0 to 3. When a plurality of R ₁₅ and R ₁₆ are present, they may be the same or different.

(Wherein R ₁₇ and R ₂₀ are each independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, Arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl A group or a cyano group, q and r each independently represents an integer of 0 to 4. R ₁₈ and R ₁₉ each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group or a carboxyl group. If group, a substituted carboxyl group or cyano group _{.R 17} and _{R 20} there are a plurality, they It may be different even one.)

(Wherein R ₂₁ represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, an amino group, A substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or cyano group are shown. s represents an integer of 0 to 2. Ar ₅ and Ar ₆ each independently represent an arylene group, a divalent heterocyclic group or a divalent group having a metal complex structure, and t and u each independently represents 0. Or X ₄ represents O, S, SO, SO ₂ , Se, or Te, and when there are a plurality of R ₂₁ , they are the same. One or different.)

(Wherein R ₂₂ and R ₂₃ are each independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, Arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl And v and w each independently represent an integer of 0 to 4. Z ₁₂ represents O, S, SO ₂ , Se, Te, N—R ₂₄ , or SiR ₂₅ R ₂₆ . Z ₁₃ and Z ₁₄ each independently represent N or C—R _27. R ₂₄ , R _25, R ₂₆ and R ₂₇ represent Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group or a monovalent heterocyclic group, and when a plurality of R ₂₂ and R ₂₃ are present, they may be the same or different.
Examples of the central 5-membered ring of the repeating unit represented by the formula (14) include thiadiazole, oxadiazole, triazole, thiophene, furan, silole and the like.

（式中、Ｒ_２８及びＲ_３３は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。ｘ及びｙはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ_２９、Ｒ_３０、Ｒ_３１及びＲ_３６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。Ａｒ_７はアリーレン基、２価の複素環基、又は金属錯体構造を有する２価の基を示す。Ｒ_２８及びＲ_３３が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

(Wherein R ₂₈ and R ₃₃ are each independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, Arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl And x and y each independently represents an integer of 0 to 4. R ₂₉ , R ₃₀ , R ₃₁ and R ₃₆ each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a monovalent group. heterocyclic group, a carboxyl group, the .Ar ₇ showing a substituted carboxyl group or cyano group an arylene group, a divalent If a heterocyclic group, or .R ₂₈ and R ₃₃ represents a divalent group having a metal complex structure there are a plurality, they may be the same or different.)

また、上記式（７）で示される繰り返し単位の中で、下記式（１６）で示される繰り返し単位が、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点、耐熱性を向上させる観点からも好ましい。

（式中、Ａｒ_８、Ａｒ_９、Ａｒ_１０及びＡｒ_１１はそれぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を示す。Ａｒ_１２、Ａｒ_１３及びＡｒ_１４はそれぞれ独立に、アリール基、又は１価の複素環基を示す。Ａｒ_８、Ａｒ_９、Ａｒ_１０、Ａｒ_１１、Ａｒ_１２、Ａｒ_１３及びＡｒ_１４は置換基を有していてもよい。ｚ及びｚｚはそれぞれ独立に０又は正の整数を示す。） Of the repeating units represented by the above formula (7), the repeating unit represented by the following formula (16) is also preferable from the viewpoint of changing the emission wavelength, increasing the luminous efficiency, and improving the heat resistance. .

(In the formula, Ar ₈ , Ar ₉ , Ar ₁₀ and Ar ₁₁ each independently represent an arylene group or a divalent heterocyclic group. Ar ₁₂ , Ar ₁₃ and Ar ₁₄ each independently represent an aryl group or 1 A valent heterocyclic group, Ar ₈ , Ar ₉ , Ar ₁₀ , Ar ₁₁ , Ar ₁₂ , Ar ₁₃ and Ar ₁₄ may have a substituent, and z and zz are each independently 0 or positive Indicates an integer.)

発光素子の安定性の観点や合成の行いやすさから、式（１６）で示される繰り返し単位を１種類以上含むことが好ましく、１種類又は２種類含むことがより好ましい。   From the viewpoint of stability of the light-emitting element and ease of synthesis, it is preferable to include one or more repeating units represented by Formula (16), and more preferably to include one or two types.

本発明において発光強度、素子寿命特性などの素子特性の観点から、前記式Ｘ_１及びＸ_２で示される繰返し単位の合計と、前記式（１６）で示される繰返し単位の合計のモル比は、９８：２〜６０：４０であることが好ましく、より好ましくは９５：５〜７０：３０である。 Emission intensity in the present invention, from the viewpoint of element characteristics such as device lifetime characteristics, the sum of the repeating unit represented by the formula X ₁ and X _2, the total molar ratio of the repeating unit represented by the formula (16), It is preferable that it is 98: 2-60: 40, More preferably, it is 95: 5-70: 30.

上記式（１６）で示される繰り返し単位の具体例としては、以下の式１３３〜１４０で示されるものが挙げられる。

Specific examples of the repeating unit represented by the above formula (16) include those represented by the following formulas 133 to 140.

上記式においてＲはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。   In the above formula, each R is independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group. , Amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or cyano Indicates a group.

上記式においてＲがアルキル基を含む置換基である場合、高分子化合物の有機溶媒への溶解性を高めるために、１つ以上に環状又は分岐のあるアルキル基が含まれることが好ましい。さらに、上記式においてＲがアリール基や複素環基をその一部に含む場合は、それらがさらに１つ以上の置換基を有していてもよい。
上記式１３３〜１４０で示される構造のうち、発光波長を調節する観点から、上記式１３４及び上記式１３７で示される構造が好ましい。 In the above formula, when R is a substituent containing an alkyl group, it is preferable that at least one alkyl group having a cyclic or branched structure is contained in order to enhance the solubility of the polymer compound in an organic solvent. Furthermore, in the above formula, when R contains an aryl group or a heterocyclic group as a part thereof, they may further have one or more substituents.
Among the structures represented by the above formulas 133 to 140, the structures represented by the above formula 134 and the above formula 137 are preferable from the viewpoint of adjusting the emission wavelength.

上記式（１６）で示される繰り返し単位において、発光波長の調節、素子寿命などの素子特性の観点から、Ａｒ_８、Ａｒ_９、Ａｒ_１０及びＡｒ_１１がそれぞれ独立にアリーレン基であり、Ａｒ_１２、Ａｒ_１３及びＡｒ_１４がそれぞれ独立にアリール基であるものが好ましい。 In the repeating unit represented by the above formula (16), Ar ₈ , Ar ₉ , Ar ₁₀ and Ar ₁₁ are each independently an arylene group from the viewpoint of device characteristics such as adjustment of emission wavelength and device lifetime, Ar ₁₂ , It is preferable that Ar ₁₃ and Ar ₁₄ are each independently an aryl group.

Ａｒ_８、Ａｒ_９及びＡｒ_１０としては、それぞれ独立に、無置換のフェニレン基、無置換のビフェニル基、無置換のナフチレン基、無置換のアントラセンジイル基である場合が好ましい。 Ar ₈ , Ar ₉ and Ar ₁₀ are preferably each independently an unsubstituted phenylene group, an unsubstituted biphenyl group, an unsubstituted naphthylene group, or an unsubstituted anthracenediyl group.

Ａｒ_１２、Ａｒ_１３及びＡｒ_１４としては_、有機溶媒への溶解性、素子特性等の観点から、それぞれ独立に、１つ以上の置換基を有するアリール基が好ましく、３つ以上の置換基を有するアリール基がより好ましい。Ａｒ_１２、Ａｒ_１３及びＡｒ_１４が、置換基を３つ以上有するフェニル基、３つ以上の置換基を有するナフチル基又は３つ以上の置換基を有するアントラニル基であるものがより好ましい。Ａｒ_１２、Ａｒ_１３及びＡｒ_１４が置換基を３つ以上有するフェニル基であるものがさらに好ましい。 Ar ₁₂ , Ar _13, and Ar ₁₄ are each preferably an aryl group having one or more substituents from the viewpoint of solubility in _an organic solvent, device characteristics, etc., and having three or more substituents. An aryl group is more preferred. More preferably, Ar ₁₂ , Ar ₁₃ and Ar ₁₄ are a phenyl group having three or more substituents, a naphthyl group having three or more substituents, or an anthranyl group having three or more substituents. More preferably, Ar ₁₂ , Ar ₁₃ and Ar ₁₄ are phenyl groups having three or more substituents.

中でも、Ａｒ_１２、Ａｒ_１３及びＡｒ_１４が、それぞれ独立に、下記式（１６−１）で表され、かつｚ＋ｚｚ≦３であるものが好ましく、ｚ＋ｚｚ＝１であるものがより好ましく、さらに好ましくはｚ＝１、ｚｚ＝０の場合である。

（式中、Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇに含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。Ｒｈ及びＲｉは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇに含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。ベンゼン環上の隣接する２つの置換基は互いに結合して環を形成してもよい。） Among them, Ar ₁₂ , Ar ₁₃ and Ar ₁₄ are each independently represented by the following formula (16-1) and preferably z + zz ≦ 3, more preferably z + zz = 1, and still more preferably. This is the case when z = 1 and zz = 0.

(In the formula, Re, Rf and Rg are each independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, An arylalkynyl group, an amino group, a substituted amino group, a silyl group, a substituted silyl group, a silyloxy group, a substituted silyloxy group, a monovalent heterocyclic group, or a halogen atom, and a hydrogen atom contained in Re, Rf, and Rg is a fluorine atom Rh and Ri are each independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group. , Arylalkenyl group, aryla A quinyl group, an amino group, a substituted amino group, a silyl group, a substituted silyl group, a silyloxy group, a substituted silyloxy group, a monovalent heterocyclic group, or a halogen atom, and a hydrogen atom contained in Re, Rf, and Rg is a fluorine atom. (Two adjacent substituents on the benzene ring may be bonded to each other to form a ring.)

より好ましくは、上記式（１６−１）において、Ｒｅ及びＲｆがそれぞれ独立に、炭素数３以下のアルキル基、炭素数３以下のアルコキシ基、又は炭素数３以下のアルキルチオ基であり、かつＲｇが炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、又は炭素数１〜２０のアルキルチオ基であるものが挙げられる。   More preferably, in the above formula (16-1), Re and Rf are each independently an alkyl group having 3 or less carbon atoms, an alkoxy group having 3 or less carbon atoms, or an alkylthio group having 3 or less carbon atoms, and Rg Is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, or an alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms.

前記式（１６）で示される繰り返し単位において、Ａｒ_９が下記式（１６−２）又は（１６−３）であることが好ましい。

（ここで、（１６−２）又は（１６−３）で示される構造に含まれるベンゼン環は、無置換のものが好ましいが、それぞれ独立に１個以上４個以下の置換基を有していてもよい。それら置換基は、互いに同一であっても、異なっていてもよい。また、複数の置換基が連結して環を形成していてもよい。また、該ベンゼン環に他の芳香族炭化水素環又は複素環が縮合していてもよい。） In the repeating unit represented by the formula (16), Ar ₉ is preferably the following formula (16-2) or (16-3).

Here, the benzene ring contained in the structure represented by (16-2) or (16-3) is preferably unsubstituted, but each independently has 1 or more and 4 or less substituents. These substituents may be the same as or different from each other, and a plurality of substituents may be linked to form a ring. Group hydrocarbon ring or heterocyclic ring may be condensed.)

前記式（１６）で示される繰り返し単位として、特に好ましい具体例としては、以下の式１４１〜１４３で示されるものが挙げられる。

式中、Ｒｅ、Ｒｆ、Ｒｇ、Ｒｈ及びＲｉは上記と同じである。
上記式（１６）の好ましい具体例としては、蛍光強度、発光波長の調整、耐熱性などの素子特性の観点から、下記式（２２）、（２３）、（２４）で示される繰り返し単位が好ましい。中でも式（２３）又は式（２４）が好ましく、もっとも好ましくは式（２４）で示される繰り返し単位である。

Specific examples of the repeating unit represented by the formula (16) include those represented by the following formulas 141 to 143.

In the formula, Re, Rf, Rg, Rh and Ri are the same as described above.
As preferred specific examples of the above formula (16), repeating units represented by the following formulas (22), (23), and (24) are preferable from the viewpoint of device characteristics such as fluorescence intensity, adjustment of emission wavelength, and heat resistance. . Of these, the formula (23) or the formula (24) is preferable, and the repeating unit represented by the formula (24) is most preferable.

なお、本発明の高分子化合物としては、共役系高分子化合物が好ましい。ここに、共役系高分子化合物とは高分子化合物の主鎖骨格に沿って非局在π電子系が存在している高分子化合物を意味する。この非局在電子としては、２重結合の代わりに不対電子又は孤立電子対が共鳴に加わる場合もある。   The polymer compound of the present invention is preferably a conjugated polymer compound. Here, the conjugated polymer compound means a polymer compound in which a delocalized π-electron system exists along the main chain skeleton of the polymer compound. As this delocalized electron, an unpaired electron or a lone electron pair may participate in resonance instead of a double bond.

発光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲で、上記式、Ｘ_１、Ｘ_２、Ｙ_１及び式（６）〜式（１６）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。また、これらの繰り返し単位や他の繰り返し単位が、非共役の単位で連結されていてもよいし、繰り返し単位にそれらの非共役部分が含まれていてもよい。結合構造としては、以下に示すもの、及び以下に示すもののうち２つ以上を組み合わせたものなどが例示される。ここで、Ｒは前記のものと同じ置換基から選ばれる基であり、Ａｒはヘテロ原子（酸素、硫黄、窒素、ケイ素、セレン）を含んでいてもよい炭素数６〜６０個の炭化水素基を示す。

As long as the light emission characteristics and the charge transport characteristics are not impaired, a repeating unit other than the repeating units represented by the above formulas, X ₁ , X ₂ , Y ₁ and formulas (6) to (16) may be included. In addition, these repeating units and other repeating units may be linked by non-conjugated units, or the repeating units may contain those non-conjugated parts. Examples of the binding structure include those shown below and combinations of two or more of the following. Here, R is a group selected from the same substituents as described above, and Ar is a hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms which may contain a hetero atom (oxygen, sulfur, nitrogen, silicon, selenium). Indicates.

また、本発明の高分子化合物は、ランダム、ブロック又はグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光又はりん光の量子収率の高い高分子発光体を得る観点からは、完全なランダム共重合体よりも、ブロック性を帯びたランダム共重合体やブロック又はグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。   The polymer compound of the present invention may be a random, block or graft copolymer, or may be a polymer having an intermediate structure thereof, such as a random copolymer having a block property. Good. From the viewpoint of obtaining a polymer light emitter having a high fluorescence or phosphorescence quantum yield, a random copolymer having a block property and a block or graft copolymer are preferable to a completely random copolymer. A case in which the main chain is branched and there are three or more terminal portions and dendrimers are also included.

次に本発明の高分子化合物の製造方法について述べる。本発明の高分子化合物は、好ましくは下記式（５）で表される化合物を重合又は共重合することによって製造することができる。
Ｗ_１−Ｘ_１−Ｙ_１−Ｘ_２−Ｗ_２ （５）
（式中、Ｘ_１、Ｘ_２及びＹ_１はそれぞれ上記と同じである。Ｗ_１、Ｗ_２及びはそれぞれ独立に重合に関与しうる置換基を表す。） Next, a method for producing the polymer compound of the present invention will be described. The polymer compound of the present invention can be preferably produced by polymerizing or copolymerizing a compound represented by the following formula (5).
W ₁ -X ₁ -Y ₁ -X ₂ -W ₂ (5)
(Wherein, X ₁ , X ₂ and Y ₁ are the same as described above. W ₁ , W ₂ and each independently represent a substituent capable of participating in polymerization.)

−Ｘ_１−Ｙ_１−Ｘ_２− で表される構造としては、上記式（１）に例示の構造が挙げられる。 Examples of the structure represented by —X ₁ —Y ₁ —X ₂ — include the structures exemplified in the above formula (1).

上記式（５）で表される化合物のうち、好ましくは、下記式（１７）で表される化合物が好ましい。

式中、Ａ_３環及びＢ_３環はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。Ｚ_３はＡ_３環とＢ_３環と結合し、５員環、６員環又は７員環を形成する２価の基を表す。Ｙ_３は単環若しくは２環の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基、単環若しくは２環の２価の縮合多環系複素環基、単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基からなるアミン構造、又は金属錯体構造を有する２価の基を表し、２つのＡ_３環に結合する。Ｗ_３は重合に関与しうる置換基を表し、Ｂ_３環に結合する。 Of the compounds represented by the formula (5), a compound represented by the following formula (17) is preferable.

In the formula, A ₃ ring and B ₃ ring each independently represent an aromatic hydrocarbon ring which may have a substituent. Z ₃ represents a divalent group which is bonded to the A ₃ ring and the B ₃ ring to form a 5-membered ring, 6-membered ring or 7-membered ring. Y ₃ represents a monocyclic or bicyclic divalent condensed polycyclic aromatic hydrocarbon group, a monocyclic or bicyclic divalent condensed polycyclic heterocyclic group, a monocyclic or bicyclic aromatic hydrocarbon Or a divalent group having an amine structure consisting of a monocyclic or bicyclic heterocyclic group, or a metal complex structure, and bonded to two A ₃ rings. W ₃ represents a substituent capable of participating in polymerization, and is bonded to the B ₃ ring.

Ｗ_１及びＷ_２の重合に関与しうる置換基としては、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、−ＭｇＸで示される基（ここにＸはハロゲン原子を表す）、シリル基又は置換シリル基、スタニル基又は置換スタニル基、−Ｂ（ＯＨ）_２、ホルミル基、シアノ基、ビニル基等が挙げられる。 Substituents that can participate in the polymerization of W ₁ and W ₂ include halogen atom, alkyl sulfonate group, aryl sulfonate group, aryl alkyl sulfonate group, borate ester group, sulfonium methyl group, phosphonium methyl group, phosphonate methyl group, mono A halogenated methyl group, a group represented by —MgX (where X represents a halogen atom), a silyl group or a substituted silyl group, a stannyl group or a substituted stannyl group, —B (OH) ₂ , formyl group, cyano group, vinyl Groups and the like.

ここに、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、好ましくは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子である。   Here, as a halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom are mentioned, Preferably they are a chlorine atom, a bromine atom, or an iodine atom.

アルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基などが例示される。
アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基などが例示される。
アリールアルキルスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基などが例示される。 Examples of the alkyl sulfonate group include a methane sulfonate group, an ethane sulfonate group, and a trifluoromethane sulfonate group.
Examples of the aryl sulfonate group include a benzene sulfonate group and a p-toluene sulfonate group.
Examples of the arylalkyl sulfonate group include a benzyl sulfonate group.

ホウ酸エステル基としては、ジアルキルエステル、ジアリールエステル、ジアリールアルキルエステルが挙げられ、下記式で示される基が例示される。

Examples of boric acid ester groups include dialkyl esters, diaryl esters, and diarylalkyl esters, and examples include groups represented by the following formulae.

スルホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ_２Ｓ^＋Ｍｅ_２Ｘ⁻、−ＣＨ_２Ｓ^＋Ｐｈ_２Ｘ⁻
（Ｘはハロゲン原子を示し、Ｐｈはフェニル基を示す。） Examples of the sulfonium methyl group include groups represented by the following formula.
^{_{-CH 2 S + Me 2 X -}} , -CH 2 S + Ph 2 X -
(X represents a halogen atom, and Ph represents a phenyl group.)

ホスホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ_２Ｐ^＋Ｐｈ_３Ｘ⁻（Ｘはハロゲン原子を示す。） Examples of the phosphonium methyl group include groups represented by the following formula.
^{_{-CH 2 P + Ph 3 X -}} (X represents a halogen atom.)

ホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ_２ＰＯ（ＯＲ’）_２（Ｘはハロゲン原子を示し、Ｒ’はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基を示す。） Examples of the phosphonate methyl group include groups represented by the following formula.
—CH ₂ PO (OR ′) ₂ (X represents a halogen atom, R ′ represents an alkyl group, an aryl group, or an arylalkyl group.)

モノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル基が例示される。   Examples of the monohalogenated methyl group include a methyl fluoride group, a methyl chloride group, a methyl bromide group, and a methyl iodide group.

−ＭｇＸで示される基（ここにＸはハロゲン原子を表す）におけるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。   Examples of the halogen atom in the group represented by —MgX (where X represents a halogen atom) include a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

置換シリル基としては、シリル基（−ＳｉＨ_３）の水素原子の１つ以上が、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基及びアリールアルキル基からなる群から選ばれる基で置換された基が挙げられ、その具体例としては、トリクロロシリル基、トリブロモシリル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、トリベンジルシリル基、ジメチル−ｔ−ブチルシリル基、ジメチルフェニルシリル基が例示される。 Examples of the substituted silyl group include groups in which one or more hydrogen atoms of the silyl group (—SiH ₃ ) are substituted with a group selected from the group consisting of a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, and an arylalkyl group. Specific examples thereof include trichlorosilyl group, tribromosilyl group, trimethylsilyl group, triethylsilyl group, triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group, tribenzylsilyl group, dimethyl-t-butylsilyl group, and dimethylphenylsilyl group. Is done.

置換スタニル基としては、スタニル基（−ＳｎＨ_３）の水素原子の１つ以上が、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基及びアリールアルキル基からなる群から選ばれる基で置換された基が挙げられ、その具体例としては、トリクロロスタニル基、トリメチルスタニル基、トリエチルスタニル基、トリ−ｎ−ブチルスタニル基、トリフェニルスタニル基、トリベンジルスタニル基が例示される。 Examples of the substituted stannyl group include groups in which one or more hydrogen atoms of the stannyl group (-SnH ₃ ) are substituted with a group selected from the group consisting of a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, and an arylalkyl group, Specific examples thereof include trichlorostannyl group, trimethylstannyl group, triethylstannyl group, tri-n-butylstannyl group, triphenylstannyl group, and tribenzylstannyl group.

縮合重合に関与する置換基として好ましい置換基は重合反応の種類によって異なるが、例えばＹａｍａｍｏｔｏカップリング反応など０価ニッケル錯体を用いる場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基が挙げられる。またＳｕｚｕｋｉカップリング反応などニッケル触媒あるいはパラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホネート基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル基、−Ｂ（ＯＨ）_２などが挙げられる。 A preferable substituent as a substituent involved in the condensation polymerization varies depending on the type of polymerization reaction. For example, when a zerovalent nickel complex such as a Yamamoto coupling reaction is used, a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group, or an aryl alkyl sulfonate Groups. In the case of using a nickel catalyst or a palladium catalyst such as a Suzuki coupling reaction, an alkyl sulfonate group, a halogen atom, a borate group, -B (OH) _{2 and the} like can be mentioned.

本発明の製造方法は、具体的には、モノマーとなる、重合に関与する置換基を複数有する化合物を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で重合させることを含む。例えば、“オルガニック リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、“オルガニック シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ Ｖｏｌｕｍｅ ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル オブ オルガノメタリック ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラー ケミストリー マクロモレキュラー シンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）などに記載の公知の方法を用いることができる。   Specifically, in the production method of the present invention, a compound having a plurality of substituents involved in polymerization, which is a monomer, is dissolved in an organic solvent as necessary. For example, using an alkali or a suitable catalyst, Polymerizing at a temperature not lower than the melting point and not higher than the boiling point. For example, “Organic Reactions”, Vol. 14, pp. 270-490, John Wiley & Sons, Inc., 1965, “Organic Synthesis”, Collective Volume 6. (Collective Volume VI), 407-411, John Wiley & Sons, Inc., 1988, Chemical Review (Chem. Rev.), 95, 2457 (1995), Journal of Organometallic. Chemistry (J. Organomet. Chem.), 576, 147 (1999), Macromolecular Chemistry Macro Rekyura Symposium (Makromol., Macromol.Symp.), Vol. 12, page 229 (1987) may be a known method described, for example.

本発明の高分子化合物の製造方法において、縮合重合させる方法としては、上記式（５）で表される化合物の重合に関与しうる置換基に応じて、既知の縮合反応を用いる。   In the method for producing a polymer compound of the present invention, as a method for condensation polymerization, a known condensation reaction is used depending on the substituent that can participate in the polymerization of the compound represented by the above formula (5).

また、重合に関与しうる置換基を２つ以上有する上記式（５）以外で表される化合物の共存下に重合を実施することにより、共重合体を製造することができる。重合に関与しうる置換基を３つ以上有する化合物を共重合することにより分岐構造を有する高分子化合物を製造することができる。   Moreover, a copolymer can be manufactured by implementing superposition | polymerization in the presence of the compound represented by those other than the said Formula (5) which has two or more substituents which can participate in superposition | polymerization. A polymer compound having a branched structure can be produced by copolymerizing a compound having three or more substituents that can participate in polymerization.

共重合相手として、好ましくは下記式（６−０）、（７−０）、（８−０）及び（９−０）の構造の化合物が例示される。
Ｗ−Ａｒ_１−Ｗ （６−０）
Ｗ−（Ａｒ_２−Ｘ_３）_ｋ−Ａｒ_３−Ｗ （７−０）
Ｗ−Ａｒ_４−Ｘ_４−Ｗ （８−０）
Ｗ−Ｘ_５−Ｗ （９−０）
（式中、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_３、Ａｒ_４、Ｘ_３、Ｘ_４、Ｘ_５、及びｋは上記と同じである。Ｗはそれぞれ独立に重合に関与しうる置換基を表す。） Preferred examples of the copolymerization partner include compounds having the structures of the following formulas (6-0), (7-0), (8-0) and (9-0).
W-Ar ₁ -W (6-0)
_{W- (Ar 2 -X 3) k} -Ar 3 -W (7-0)
_{W-Ar 4 -X 4 -W (} 8-0)
W-X ₅ -W (9-0)
(In the formula, Ar ₁ , Ar ₂ , Ar ₃ , Ar ₄ , X ₃ , X ₄ , X ₅ , and k are the same as above. W represents a substituent that can independently participate in polymerization.)

本発明の高分子化合物の重合による製造において、二重結合が生成する場合は、例えば特開平５−２０２３５５号公報に記載の方法が挙げられる。すなわち、ホルミル基を２つ以上有する化合物とホスホニウムメチル基を２つ以上有する化合物との、又はホルミル基とホスホニウムメチル基とを有する化合物のＷｉｔｔｉｇ反応による重合、ビニル基を２つ以上有する化合物とハロゲン原子を２つ以上有する化合物との、又はビニル基とハロゲン原子とを有する化合物のＨｅｃｋ反応による重合、モノハロゲン化メチル基を２つ以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合、スルホニウムメチル基を２つ以上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合、ホルミル基を２つ以上有する化合物とシアノ基を２つ以上有する化合物との、又はホルミル基とシアノ基とを有する化合物のＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合などの方法、ホルミル基を２つ以上有する化合物のＭｃＭｕｒｒｙ反応による重合などの方法が例示される。
本発明の高分子化合物の縮合重合による製造において、主鎖に三重結合が生成する場合には、例えば、Ｓｏｎｏｇａｓｈｉｒａ反応が利用できる。 In the production by polymerization of the polymer compound of the present invention, when a double bond is generated, for example, the method described in JP-A-5-202355 can be mentioned. That is, polymerization by a Wittig reaction of a compound having two or more formyl groups and a compound having two or more phosphonium methyl groups, or a compound having a formyl group and phosphonium methyl group, a compound having two or more vinyl groups and a halogen Polymerization by a Heck reaction of a compound having two or more atoms or a compound having a vinyl group and a halogen atom, polycondensation of a compound having two or more monohalogenated methyl groups by a dehydrohalogenation method, sulfonium methyl group Of a compound having two or more compounds by a sulfonium salt decomposition method, polymerization of a compound having two or more formyl groups and a compound having two or more cyano groups, or a compound having a formyl group and a cyano group by a Knoevenagel reaction, etc. And M of a compound having two or more formyl groups The method of polymerization by Murry reaction is exemplified.
In the production of the polymer compound of the present invention by condensation polymerization, when a triple bond is generated in the main chain, for example, the Sonogashira reaction can be used.

また、二重結合や三重結合が生成しない場合には、例えば該当するモノマーからＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ_３等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、又は適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。 Further, when a double bond or triple bond is not generated, for example, a method of polymerizing from a corresponding monomer by a Suzuki coupling reaction, a method of polymerizing by a Grignard reaction, a method of polymerizing by a Ni (0) complex, FeCl ₃ or the like Examples include a method of polymerizing with an oxidizing agent, a method of electrochemically oxidatively polymerizing, a method of decomposing an intermediate polymer having an appropriate leaving group, and the like.

これらのうち、Ｗｉｔｔｉｇ反応による重合、Ｈｅｃｋ反応による重合、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合、及びＳｕｚｕｋｉカップリング反応による重合、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応による重合、ニッケルゼロ価錯体による重合が、構造制御がしやすいので好ましい。中でも、分子量制御のしやすさの観点、共重合の場合の組成比制御のしやすさの観点からニッケルゼロ化錯体により重合する方法が好ましい。   Among these, polymerization by Wittig reaction, polymerization by Heck reaction, polymerization by Knoevenagel reaction, polymerization by Suzuki coupling reaction, polymerization by Grignard reaction, and polymerization by nickel zero-valent complex are preferable because the structure can be easily controlled. Among these, a method of polymerizing with a nickel zero complex is preferable from the viewpoint of ease of molecular weight control and ease of control of the composition ratio in the case of copolymerization.

本発明の製造方法の中で、縮合重合に関与する置換基がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基から選ばれ、０価ニッケル錯体の存在下で縮合重合を行う製造方法が好ましい。
原料化合物としては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物、ビス（アリールアルキルスルホネート）化合物、ハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、アリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。 In the production method of the present invention, the substituents involved in the condensation polymerization are each independently selected from a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group or an aryl alkyl sulfonate group, and the condensation polymerization is carried out in the presence of a zerovalent nickel complex. The manufacturing method which performs is preferable.
As raw material compounds, dihalogenated compounds, bis (alkyl sulfonate) compounds, bis (aryl sulfonate) compounds, bis (aryl alkyl sulfonate) compounds, halogen-alkyl sulfonate compounds, halogen-aryl sulfonate compounds, halogen-aryl alkyl sulfonate compounds, Examples include alkyl sulfonate-aryl sulfonate compounds, alkyl sulfonate-aryl alkyl sulfonate compounds, and aryl sulfonate-aryl alkyl sulfonate compounds.

例えば、原料化合物としてハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、アリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物を用いることにより、繰り返し単位の向きやシーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法が挙げられる。   For example, by using a halogen-alkyl sulfonate compound, a halogen-aryl sulfonate compound, a halogen-aryl alkyl sulfonate compound, an alkyl sulfonate-aryl sulfonate compound, an alkyl sulfonate-aryl alkyl sulfonate compound, an aryl sulfonate-aryl alkyl sulfonate compound as a raw material compound. And a method for producing a polymer compound in which the direction and sequence of repeating units are controlled.

また、本発明の製造方法の中で、縮合重合に関与する置換基がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸基、又はホウ酸エステル基から選ばれ、全原料化合物が有する、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計（Ｊ）と、ホウ酸基（−Ｂ（ＯＨ）_２）及びホウ酸エステル基のモル数の合計（Ｋ）の比が、実質的に１（通常 Ｋ／Ｊ は０．７〜１．２の範囲）であり、ニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いて縮合重合を行う製造方法が好ましい。
具体的な原料化合物の組み合わせとしては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物又はビス（アリールアルキルスルホネート）化合物とジホウ酸化合物又はジホウ酸エステル化合物との組み合わせが挙げられる。
また、ハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物が挙げられる。 In the production method of the present invention, the substituents involved in the condensation polymerization are each independently selected from a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group, an aryl alkyl sulfonate group, a boric acid group, or a boric acid ester group. The total number of moles of halogen atoms, alkyl sulfonate groups, aryl sulfonate groups and aryl alkyl sulfonate groups (J), boric acid groups (—B (OH) ₂ ) and boric acid ester groups of all the raw material compounds. The ratio of the total number of moles (K) is substantially 1 (usually K / J is in the range of 0.7 to 1.2), and a production method in which condensation polymerization is performed using a nickel catalyst or a palladium catalyst is preferable. .
Specific examples of the combination of raw material compounds include a combination of a dihalogenated compound, a bis (alkyl sulfonate) compound, a bis (aryl sulfonate) compound or a bis (aryl alkyl sulfonate) compound and a diboric acid compound or a diboric acid ester compound. .
Also, halogen-boric acid compounds, halogen-boric acid ester compounds, alkyl sulfonate-boric acid compounds, alkyl sulfonate-boric acid ester compounds, aryl sulfonate-boric acid compounds, aryl sulfonate-boric acid ester compounds, arylalkyl sulfonate-borates Examples include acid compounds, arylalkyl sulfonate-boric acid compounds, and arylalkyl sulfonate-boric acid ester compounds.

例えば、原料化合物としてハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物を用いることにより、繰り返し単位の向きやシーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法が挙げられる。   For example, as a raw material compound, halogen-boric acid compound, halogen-boric acid ester compound, alkyl sulfonate-boric acid compound, alkyl sulfonate-boric acid ester compound, aryl sulfonate-boric acid compound, aryl sulfonate-boric acid ester compound, arylalkyl Examples thereof include a method for producing a polymer compound in which the direction and sequence of repeating units are controlled by using a sulfonate-boric acid compound, an arylalkyl sulfonate-boric acid compound, and an arylalkyl sulfonate-boric acid ester compound.

有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気化で反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応のような水との２相系での反応の場合にはその限りではない。   The organic solvent varies depending on the compound and reaction to be used, but it is generally preferable that the solvent to be used is sufficiently deoxygenated and the reaction proceeds in an inert atmosphere in order to suppress side reactions. Similarly, it is preferable to perform a dehydration treatment. However, this is not the case in the case of a two-phase reaction with water, such as the Suzuki coupling reaction.

溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサンなどのハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなどのハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔ−ブチルアルコールなどのアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジンなどのアミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシドなどのアミド類などが例示される。溶媒は単一で、又はこれらの混合溶媒として用いてもよい。これらの中で、エーテル類が好ましく、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルがさらに好ましい。   Solvents include saturated hydrocarbons such as pentane, hexane, heptane, octane and cyclohexane, unsaturated hydrocarbons such as benzene, toluene, ethylbenzene and xylene, carbon tetrachloride, chloroform, dichloromethane, chlorobutane, bromobutane, chloropentane and bromopentane. Halogenated saturated hydrocarbons such as chlorohexane, bromohexane, chlorocyclohexane and bromocyclohexane, halogenated unsaturated hydrocarbons such as chlorobenzene, dichlorobenzene and trichlorobenzene, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol, t-butyl alcohol Alcohols such as formic acid, acetic acid, propionic acid, dimethyl ether, diethyl ether, methyl-t-butyl ether, tetra Ethers such as drofuran, tetrahydropyran, dioxane, trimethylamine, triethylamine, N, N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine, amines such as pyridine, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N Amides such as N, diethylacetamide and N-methylmorpholine oxide. A solvent may be used singly or as a mixed solvent thereof. Of these, ethers are preferable, and tetrahydrofuran and diethyl ether are more preferable.

反応を進行させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。アルカリ又は触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリ又は触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素などの不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリ又は触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。   In order to advance the reaction, an alkali or a suitable catalyst is added as appropriate. These may be selected according to the reaction used. The alkali or catalyst is preferably one that is sufficiently dissolved in the solvent used for the reaction. As a method of mixing the alkali or catalyst, slowly add the alkali or catalyst solution while stirring the reaction solution under an inert atmosphere such as argon or nitrogen, or conversely, slowly add the reaction solution to the alkali or catalyst solution. And the method of adding.

本発明の高分子化合物を高分子ＬＥＤ等に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製した後に重合することが好ましい。また重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理を行うことが好ましい。本発明の高分子化合物の中では、０価ニッケル錯体により重合する方法により製造されたものが、分子量の制御、共重合時の組成比の制御のしやすさ等の観点から好ましい。   When the polymer compound of the present invention is used for a polymer LED or the like, its purity affects the performance of the device such as light emission characteristics. Therefore, after the monomer before polymerization is purified by a method such as distillation, sublimation purification, and recrystallization. Polymerization is preferred. Further, after the polymerization, it is preferable to perform purification treatment such as reprecipitation purification and fractionation by chromatography. Among the polymer compounds of the present invention, those produced by a method of polymerizing with a zero-valent nickel complex are preferable from the viewpoints of control of molecular weight, ease of control of composition ratio during copolymerization, and the like.

上記式（５）で表される化合物は、例えば、
Ｈ−Ｘ_１−Ｙ_１−Ｘ_２−Ｈ
（式中、Ｈは水素原子を表す。）
で表される化合物をハロゲン化剤によりハロゲン化する方法、
Ｗ_ｐ１−Ｘ_１−Ｙ_１−Ｘ_２−Ｗ_ｐ２
（式中、Ｗ_ｐ１及びＷ_ｐ２はそれぞれＷ_１及びＷ_２に変換可能な水素以外の置換基を表す。）
で表される化合物を変換する方法、
下記の３つの化合物の共存下、縮合反応により製造する方法
Ｗ_１−Ｘ_１−Ｗ_１１
Ｗ_１２−Ｙ_１−Ｗ_１３
Ｗ_１４−Ｘ_２−Ｗ_２
（式中、Ｗ_１１、Ｗ_１２、Ｗ_１３及びＷ_１４はそれぞれ独立に縮合反応に関与しうる置換基を表す。）
などにより製造することができる。 The compound represented by the above formula (5) is, for example,
_{H-X 1 -Y 1 -X 2} -H
(In the formula, H represents a hydrogen atom.)
A method of halogenating a compound represented by
_{W p1 -X 1 -Y 1 -X 2} -W p2
( _Wherein W _p1 and W _p2 represent substituents other than hydrogen that can be converted into W ₁ and W ₂ , respectively).
A method of converting a compound represented by:
Method for producing by condensation reaction in the presence of the following three compounds W ₁ -X ₁ -W ₁₁
W ₁₂ -Y ₁ -W ₁₃
W ₁₄ -X ₂ -W ₂
(Wherein W ₁₁ , W ₁₂ , W ₁₃ and W ₁₄ each independently represent a substituent capable of participating in the condensation reaction.)
Etc. can be manufactured.

左右対称又はＣ２対称の構造を有する下記式（１７−１）で表される化合物は、下記式（１８）及び（１９）で表される化合物を、遷移金属錯体の存在下に反応させることによって製造することができる。

式中、Ａ_３環及びＢ_３環はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。Ｚ_３はＡ_３環とＢ_３環と結合し、５員環、６員環又は７員環を形成する２価の基を表す。Ｙ_３は単環若しくは２環の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基、単環若しくは２環の２価の縮合多環系複素環基、単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基からなるアミン構造、又は金属錯体構造を有する２価の基を表し、２つのＡ_３環に結合する。Ｗ_４はハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表し、Ｂ_３環に結合する。 The compound represented by the following formula (17-1) having a bilaterally symmetric or C2 symmetric structure is obtained by reacting the compounds represented by the following formulas (18) and (19) in the presence of a transition metal complex. Can be manufactured.

In the formula, A ₃ ring and B ₃ ring each independently represent an aromatic hydrocarbon ring which may have a substituent. Z ₃ represents a divalent group which is bonded to the A ₃ ring and the B ₃ ring to form a 5-membered ring, 6-membered ring or 7-membered ring. Y ₃ represents a monocyclic or bicyclic divalent condensed polycyclic aromatic hydrocarbon group, a monocyclic or bicyclic divalent condensed polycyclic heterocyclic group, a monocyclic or bicyclic aromatic hydrocarbon Or a divalent group having an amine structure consisting of a monocyclic or bicyclic heterocyclic group, or a metal complex structure, and bonded to two A ₃ rings. W ₄ represents a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group or an arylalkyl sulfonate group, and is bonded to the B ₃ ring.

式中、Ａ_３環、Ｂ_３環、Ｚ_３及びＹ_３は上記と同じ。Ｗ_４及びＷ_５はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表すが、Ｗ_４はＷ_５と同じではない。Ｗ_６はホウ酸基、ホウ酸エステル基、−ＭｇＸで示される基（ここにＸはハロゲン原子を表す）、スタニル基、置換スタニル基、シリル基又は置換シリル基を表す。

In the formula, A ₃ ring, B ₃ ring, Z ₃ and Y ₃ are the same as above. W ₄ and W ₅ each independently represent a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group or an aryl alkyl sulfonate group, but W ₄ is not the same as W ₅ . W ₆ represents a boric acid group, a boric acid ester group, a group represented by —MgX (where X represents a halogen atom), a stannyl group, a substituted stannyl group, a silyl group or a substituted silyl group.

Ａ_３環及びＢ_３環における置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環の定義及び例示は、上記式（２）のＡ_１環及びＢ_１環と同様である。
Ｚ_３におけるＡ_３環とＢ_３環と結合し、５員環、６員環又は７員環を形成する２価の基の定義及び例示は上記式（２）のＺ_１及びＺ_２と同様である。
Ｙ_３における単環若しくは２環の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基、単環若しくは２環の２価の縮合多環系複素環基、単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基からなるアミン構造、又は金属錯体構造を有する２価の基の定義及び例示は上記式（２）のＹ_１と同様である。
Ｗ_４及びＷ_５におけるハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基及びＷ_６におけるホウ酸エステル基、−ＭｇＸで示される基（ここにＸはハロゲン原子を表す）、スタニル基又は置換スタニル基、及びシリル基又は置換シリル基の定義及び例示は上記式（５）のＷ_１及びＷ_２と同様である。 The definition and illustration of the aromatic hydrocarbon ring which may have a substituent in the A ₃ ring and the B ₃ ring are the same as those of the A ₁ ring and the B ₁ ring in the above formula (2).
Bonded to A ₃ ring and B ₃ ring in Z _3, 5-membered ring, defined and exemplified divalent group forming a 6-membered ring or 7-membered ring in the Z ₁ and Z ₂ in the formula (2) It is.
Monocyclic or bicyclic divalent condensed polycyclic aromatic hydrocarbon group, monocyclic or bicyclic divalent condensed polycyclic heterocyclic group, monocyclic or bicyclic aromatic hydrocarbon in Y ₃ The definition and illustration of a divalent group having an amine structure consisting of a monocyclic or bicyclic heterocyclic group or a metal complex structure are the same as those for Y _{1 in the} above formula (2).
A halogen atom in W ₄ and W ₅ , an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group, an aryl alkyl sulfonate group and a borate ester group in W ₆ , a group represented by -MgX (where X represents a halogen atom), a stannyl group or The definition and illustration of the substituted stannyl group and the silyl group or the substituted silyl group are the same as W ₁ and W _{2 in} the above formula (5).

上記式（１８）で表される化合物としては、下記のものが例示される。

式中、Ｔｓはｐ−トルエンスルホニル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。 Examples of the compound represented by the above formula (18) include the following.

In the formula, Ts represents a p-toluenesulfonyl group, and Ph represents a phenyl group.

Ｗ_４とＷ_５の組み合わせとしては、臭素原子とヨウ素原子、臭素原子とトリフルオロメタンスルホネート基の組み合わせが好ましい。 The combination of W ₄ and W ₅ is preferably a combination of a bromine atom and an iodine atom, or a bromine atom and a trifluoromethanesulfonate group.

式中、下記式（１８−０）で表される構造の例示及び好ましい範囲としては、上記式（１）におけるＸ_１及びＸ_２に例示の基が挙げられる。

In the formula, examples and preferred ranges of the structure represented by the following formula (18-0) include groups exemplified in X ₁ and X ₂ in the formula (1).

中でも好ましくは、上記式（３１）で表される化合物から２つの水素原子を除いた基であり、更に好ましくは（３２）、（３３）、（３４）又は（３５）で表される基であり、最も好ましくは（３２）で表される基である。   Among them, preferred is a group obtained by removing two hydrogen atoms from the compound represented by the above formula (31), and more preferred is a group represented by (32), (33), (34) or (35). And most preferred is the group represented by (32).

上記式（１８）で表される化合物のうち、下記式（１８−１）で表される化合物は下記の工程で合成することができる。

Among the compounds represented by the above formula (18), the compound represented by the following formula (18-1) can be synthesized in the following steps.

また、上記式（１７−１）で表される化合物は、下記式（２０）及び（２１）で表される化合物を遷移金属錯体の存在下に反応させることによっても製造することができる。   The compound represented by the above formula (17-1) can also be produced by reacting the compounds represented by the following formulas (20) and (21) in the presence of a transition metal complex.

式中、Ａ_３環、Ｂ_３環、Ｗ_４、Ｚ_３及びＹ_３は上記と同じである。Ｗ_７は−Ｂ（ＯＨ）_２、ホウ酸エステル基、−ＭｇＸで示される基（ここにＸはハロゲン原子を表す）、スタニル基、置換スタニル基、シリル基又は置換シリル基を表す。Ｗ_８はハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表すが、Ｗ_４はＷ_８と同じではない。

In the formula, A ₃ ring, B ₃ ring, W ₄ , Z ₃ and Y ₃ are the same as above. W ₇ represents —B (OH) ₂ , a borate group, a group represented by —MgX (where X represents a halogen atom), a stannyl group, a substituted stannyl group, a silyl group, or a substituted silyl group. W ₈ represents a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group or an aryl alkyl sulfonate group, but W ₄ is not the same as W ₈ .

Ｗ_７におけるホウ酸エステル基、−ＭｇＸで示される基（ここにＸはハロゲン原子を表す）、スタニル基又は置換スタニル基、シリル基又は置換シリル基、及びＷ_８におけるハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基の定義及び例示は上記式（５）のＷ_１及びＷ_２と同様である。 A borate group in W ₇ , a group represented by —MgX (where X represents a halogen atom), a stannyl group or a substituted stannyl group, a silyl group or a substituted silyl group, and a halogen atom in W ₈ , an alkyl sulfonate group, Definitions and examples of the aryl sulfonate group and the arylalkyl sulfonate group are the same as those for W ₁ and W _{2 in} the above formula (5).

上記式（２０）で表される化合物としては、下記のものが例示される。

式中、Ｔｓはｐ−トルエンスルホニル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。Ｒ_ｒ１は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を表し、Ｒ_ｒ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を表し、Ｒ_ｒ３は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基及びアリールアルキル基を表す。Ｘ_ｒ１は、ハロゲン原子を表す。 Examples of the compound represented by the formula (20) include the following.

In the formula, Ts represents a p-toluenesulfonyl group, and Ph represents a phenyl group. R _r1 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or an arylalkyl group; R _r2 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aryl group or an arylalkyl group; _r3 independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aryl group or an arylalkyl group. X _r1 represents a halogen atom.

Ｗ_４とＷ_１の組み合わせとしては、臭素原子と−Ｂ（ＯＨ）_２基、臭素原子とホウ酸エステル基、臭素原子と−ＭｇＸで示される基（ここにＸはハロゲン原子を表す）、臭素原子とスタニル基又は置換スタニル基の組合せが好ましい。 The combination of W ₄ and W ₁ includes bromine atom and —B (OH) ₂ group, bromine atom and borate group, bromine atom and group represented by —MgX (where X represents a halogen atom), bromine atom Combinations of atoms and stannyl groups or substituted stannyl groups are preferred.

式中、下記式（２０−０）で表される構造の例示及び好ましい範囲としては、上記式（１）におけるＸ_１及びＸ_２に例示の基が挙げられる。

In the formula, examples and preferred ranges of the structure represented by the following formula (20-0) include groups exemplified in X ₁ and X ₂ in the formula (1).

中でも好ましくは、上記式（３１）で表される化合物から２つの水素原子を除いた基であり、更に好ましくは（３２）、（３３）、（３４）又は（３５）で表される基であり、最も好ましくは（３２）で表される基である。   Among them, preferred is a group obtained by removing two hydrogen atoms from the compound represented by the above formula (31), and more preferred is a group represented by (32), (33), (34) or (35). And most preferred is the group represented by (32).

上記式（２０）で表される化合物は例えば下記の工程で合成することができる。

The compound represented by the above formula (20) can be synthesized, for example, by the following steps.

次に本発明の高分子化合物の用途について説明する。
本発明の高分子化合物は、通常は、固体状態で蛍光又は燐光を発し、高分子発光体（高分子量の発光材料）として用いることができる。
また、本発明の高分子化合物は優れた電荷輸送能を有しており、高分子ＬＥＤ用材料や電荷輸送材料として好適に用いることができる。本発明の高分子発光体を用いた高分子ＬＥＤは、低電圧、高効率で駆動できる高性能の高分子ＬＥＤである。従って、該高分子ＬＥＤは液晶ディスプレイのバックライト、照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ等の装置に好ましく使用できる。
また、本発明の高分子化合物は、レーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜などの伝導性薄膜用材料としても用いることができる。
さらに、蛍光や燐光を発する発光性薄膜材料としても用いることができる。 Next, the use of the polymer compound of the present invention will be described.
The polymer compound of the present invention usually emits fluorescence or phosphorescence in a solid state and can be used as a polymer light emitter (high molecular weight light emitting material).
In addition, the polymer compound of the present invention has an excellent charge transport ability, and can be suitably used as a polymer LED material or a charge transport material. The polymer LED using the polymer light emitter of the present invention is a high-performance polymer LED that can be driven with low voltage and high efficiency. Therefore, the polymer LED can be preferably used for devices such as a backlight of a liquid crystal display, a curved or flat light source for illumination, a segment type display element, a dot matrix flat panel display.
The polymer compound of the present invention can also be used as a material for conductive thin films such as laser dyes, organic solar cell materials, organic semiconductors for organic transistors, conductive thin films, and organic semiconductor thin films.
Furthermore, it can also be used as a light-emitting thin film material that emits fluorescence or phosphorescence.

次に、本発明の高分子ＬＥＤについて説明する。
本発明の高分子ＬＥＤは、陽極及び陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が本発明の高分子化合物を含むことを特徴とする。
有機層（有機物を含む層）は、発光層、正孔輸送層、電子輸送層等のいずれであってもよいが、有機層が発光層であることが好ましい。 Next, the polymer LED of the present invention will be described.
The polymer LED of the present invention has an organic layer between electrodes composed of an anode and a cathode, and the organic layer contains the polymer compound of the present invention.
The organic layer (a layer containing an organic substance) may be any of a light emitting layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and the like, but the organic layer is preferably a light emitting layer.

ここに、発光層とは、発光する機能を有する層をいい、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層をいい、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層をいう。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。   Here, the light emitting layer refers to a layer having a function of emitting light, the hole transporting layer refers to a layer having a function of transporting holes, and the electron transporting layer is a layer having a function of transporting electrons. Say. The electron transport layer and the hole transport layer are collectively referred to as a charge transport layer. Two or more light emitting layers, hole transport layers, and electron transport layers may be used independently.

有機層が発光層である場合、有機層である発光層がさらに正孔輸送性材料、電子輸送性材料又は発光性材料を含んでいてもよい。ここで、発光性材料とは、蛍光及び／又は燐光を示す材料のことをさす。
また、上記式（１）で表される繰返し単位を有する２種以上の高分子化合物の混合物であってもよい。 When the organic layer is a light emitting layer, the light emitting layer which is an organic layer may further contain a hole transporting material, an electron transporting material or a light emitting material. Here, the light-emitting material refers to a material that exhibits fluorescence and / or phosphorescence.
Moreover, the mixture of 2 or more types of high molecular compounds which have a repeating unit represented by the said Formula (1) may be sufficient.

本発明の高分子化合物と正孔輸送性材料と混合する場合には、その混合物全体に対して、正孔輸送性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。本発明の高分子材料と電子輸送性材料を混合する場合には、その混合物全体に対して電子輸送性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。さらに、本発明の高分子化合物と発光性材料を混合する場合にはその混合物全体に対して発光性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。本発明の高分子化合物と発光性材料、正孔輸送性材料及び／又は電子輸送性材料を混合する場合には、その混合物全体に対して発光性材料の混合割合は１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％であり、正孔輸送性材料と電子輸送性材料は、それらの合計で１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％であり、本発明の高分子化合物の含有量は９９ｗｔ％〜２０ｗｔ％である。   When the polymer compound of the present invention and the hole transporting material are mixed, the mixing ratio of the hole transporting material is 1 wt% to 80 wt%, preferably 5 wt% to 60 wt% with respect to the entire mixture. It is. When the polymer material of the present invention and the electron transporting material are mixed, the mixing ratio of the electron transporting material is 1 wt% to 80 wt%, preferably 5 wt% to 60 wt% with respect to the entire mixture. Further, when the polymer compound of the present invention and the luminescent material are mixed, the mixing ratio of the luminescent material is 1 wt% to 80 wt%, preferably 5 wt% to 60 wt% with respect to the entire mixture. When the polymer compound of the present invention is mixed with a light emitting material, a hole transporting material and / or an electron transporting material, the mixing ratio of the light emitting material is 1 wt% to 50 wt% with respect to the entire mixture. The hole transport material and the electron transport material are 1 wt% to 50 wt% in total, preferably 5 wt% to 40 wt%, and the polymer of the present invention is preferably 5 wt% to 40 wt%. The content of the compound is 99 wt% to 20 wt%.

上記式（１）で表される繰返し単位を有する２種以上の高分子化合物の混合物で該高分子組成物において、好ましい例としては、上記式（１）で表される繰返し単位を含み上記式（１６）で表される繰返し単位を含まない高分子化合物と、前記式（１）及び（１６）で表される繰返し単位を含む高分子化合物との混合物である。
また、別の好ましい例としては、前記式（１）及び（１６）で表される繰返し単位を含む２種類の高分子化合物の混合物である。 In the polymer composition, which is a mixture of two or more polymer compounds having the repeating unit represented by the formula (1), a preferable example includes the repeating unit represented by the formula (1). It is a mixture of the polymer compound not containing the repeating unit represented by (16) and the polymer compound containing the repeating unit represented by the formulas (1) and (16).
Another preferred example is a mixture of two types of polymer compounds containing repeating units represented by the formulas (1) and (16).

混合する正孔輸送性材料、電子輸送性材料、及び発光性材料は、公知の低分子化合物、三重項発光錯体、又は高分子化合物が使用できるが、高分子化合物を用いることが好ましい。高分子化合物の正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び発光性材料としては、ＷＯ９９／１３６９２、ＷＯ９９／４８１６０、ＧＢ２３４０３０４Ａ、ＷＯ００／５３６５６、ＷＯ０１／１９８３４、ＷＯ００／５５９２７、ＧＢ２３４８３１６、ＷＯ００／４６３２１、ＷＯ００／０６６６５、ＷＯ９９／５４９４３、ＷＯ９９／５４３８５、ＵＳ５７７７０７０、ＷＯ９８／０６７７３、ＷＯ９７／０５１８４、ＷＯ００／３５９８７、ＷＯ００／５３６５５、ＷＯ０１／３４７２２、ＷＯ９９／２４５２６、ＷＯ００／２２０２７、ＷＯ００／２２０２６、ＷＯ９８／２７１３６、ＵＳ５７３６３６、ＷＯ９８／２１２６２、ＵＳ５７４１９２１、ＷＯ９７／０９３９４、ＷＯ９６／２９３５６、ＷＯ９６／１０６１７、ＥＰ０７０７０２０、ＷＯ９５／０７９５５、特開平２００１−１８１６１８、特開平２００１−１２３１５６、特開平２００１−３０４５、特開平２０００−３５１９６７、特開平２０００−３０３０６６、特開平２０００−２９９１８９、特開平２０００−２５２０６５、特開平２０００−１３６３７９、特開平２０００−１０４０５７、特開平２０００−８０１６７、特開平１０−３２４８７０、特開平１０−１１４８９１、特開平９−１１１２３３、特開平９−４５４７８等に開示されているポリフルオレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリーレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体及び共重合体、芳香族アミン及びその誘導体の（共）重合体が例示される。
低分子化合物の蛍光性材料としでは、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン若しくはその誘導体、ペリレン若しくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン若しくはその誘導体、又はテトラフェニルブタジエン若しくはその誘導体などを用いることができる。
具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。 As the hole-transporting material, electron-transporting material, and light-emitting material to be mixed, known low-molecular compounds, triplet light-emitting complexes, or high-molecular compounds can be used, but high-molecular compounds are preferably used. As the hole transport material, electron transport material, and light emitting material of the polymer compound, WO99 / 13692, WO99 / 48160, GB2340304A, WO00 / 53656, WO01 / 19834, WO00 / 55927, GB23448316, WO00 / 46321, WO00 / 06665, WO99 / 54943, WO99 / 54385, US5777070, WO98 / 06773, WO97 / 05184, WO00 / 35987, WO00 / 53655, WO01 / 34722, WO99 / 24526, WO00 / 22027, WO00 / 22026, WO98 / 27136, US573636 , WO98 / 21262, US5741921, WO97 / 09394, WO96 / 29356, WO96 / 10617, EP07070. 0, WO 95/07955, JP 2001-181618, JP 2001-123156, JP 2001-3045, JP 2000-351967, JP 2000-303066, JP 2000-299189, JP 2000-252065, JP 2000-252065, JP 2000-136379, JP 2000-104057, JP 2000-80167, JP 10-324870, JP 10-114891, JP 9-111233, JP 9-45478, and the like, and derivatives thereof And copolymers, polyarylenes, derivatives and copolymers thereof, polyarylene vinylenes, derivatives and copolymers thereof, and (co) polymers of aromatic amines and derivatives thereof.
Examples of low molecular weight fluorescent materials include naphthalene derivatives, anthracene or derivatives thereof, perylene or derivatives thereof, dyes such as polymethine, xanthene, coumarin, and cyanine, and 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof. A complex, an aromatic amine, tetraphenylcyclopentadiene or a derivative thereof, or tetraphenylbutadiene or a derivative thereof can be used.
Specifically, for example, known ones such as those described in JP-A-57-51781 and 59-194393 can be used.

三重項発光錯体としては、例えば、イリジウムを中心金属とするＩｒ（ｐｐｙ）_３、Ｂｔｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、白金を中心金属とするＰｔＯＥＰ、ユーロピウムを中心金属とするＥｕ（ＴＴＡ）_３ｐｈｅｎ等が挙げられる。 Examples of the triplet light emitting complex include Ir (ppy) ₃ , Btp ₂ Ir (acac) having iridium as a central metal, PtOEP having platinum as a central metal, Eu (TTA) ₃ phen having a central metal as europium, and the like. Can be mentioned.

三重項発光錯体は、具体的には、例えばＮａｔｕｒｅ，（１９９８），３９５，１５１、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．（１９９９），７５（１），４、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ−Ｉｎｔ．Ｓｏｃ．Ｏｐｔ．Ｅｎｇ．（２００１），４１０５（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ ＩＶ），１１９、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，（２００１），１２３，４３０４、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，（１９９７），７１（１８），２５９６、Ｓｙｎ．Ｍｅｔ．，（１９９８），９４（１），１０３、Ｓｙｎ．Ｍｅｔ．，（１９９９），９９（２），１３６１、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，（１９９９），１１（１０），８５２、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３４，１８８３（１９９５）などに記載されている。

Specifically, triplet light-emitting complexes are described in, for example, Nature, (1998), 395, 151, Appl. Phys. Lett. (1999), 75 (1), 4, Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (2001), 4105 (Organic Light-Emitting Materials and Devices IV), 119, J. MoI. Am. Chem. Soc. , (2001), 123, 4304, Appl. Phys. Lett. , (1997), 71 (18), 2596, Syn. Met. , (1998), 94 (1), 103, Syn. Met. , (1999), 99 (2), 1361, Adv. Mater. , (1999), 11 (10), 852, Jpn. J. et al. Appl. Phys. 34, 1883 (1995).

本発明の組成物は、正孔輸送材料、電子輸送材料、及び発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と本発明の高分子化合物とを含有し、発光材料や電荷輸送材料として用いることができる。
その正孔輸送材料、電子輸送材料、及び発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と本発明の高分子化合物との含有比率は、用途に応じて決めればよいが、発光材料の用途の場合は、上記の発光層におけると同じ含有比率が好ましい。 The composition of the present invention contains at least one material selected from a hole transport material, an electron transport material, and a light emitting material and the polymer compound of the present invention, and can be used as a light emitting material or a charge transport material. .
The content ratio of at least one material selected from the hole transport material, the electron transport material, and the light emitting material and the polymer compound of the present invention may be determined according to the use, but in the case of the use of the light emitting material. The same content ratio as in the light emitting layer is preferable.

本発明の高分子ＬＥＤが有する発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。   As the film thickness of the light emitting layer of the polymer LED of the present invention, the optimum value varies depending on the material to be used, and it may be selected so that the driving voltage and the light emission efficiency are appropriate values, for example, 1 nm to 1 μm, Preferably it is 2 nm-500 nm, More preferably, it is 5 nm-200 nm.

発光層の形成方法としては、例えば、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。   Examples of the method for forming the light emitting layer include a method by film formation from a solution. As a film forming method from a solution, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, a dip coating method, a spray coating method, a screen printing method, Application methods such as a flexographic printing method, an offset printing method, and an ink jet printing method can be used. Printing methods such as a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and an ink jet printing method are preferable in that pattern formation and multicolor coating are easy.

印刷法等で用いる溶液（インク組成物）としては、少なくとも１種類の本発明の高分子化合物が含有されていればよく、また本発明の高分子化合物以外に正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、溶媒、安定剤などの添加剤を含んでいてもよい。
該インク組成物中における本発明の高分子化合物の割合は、溶媒を除いた組成物の全重量に対して、通常は２０ｗｔ％〜１００ｗｔ％であり、好ましくは４０ｗｔ％〜１００ｗｔ％である。
またインク組成物中に溶媒が含まれる場合の溶媒の割合は、組成物の全重量に対して、１ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％であり、好ましくは６０ｗｔ％〜９９．５ｗｔ％であり、さらに好ましく８０ｗｔ％〜９９．０ｗｔ％である。
インク組成物の粘度は印刷法によって異なるが、インクジェットプリント法などインク組成物中が吐出装置を経由する場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために、粘度が２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましく、５〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることがより好ましく、７〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることがさらに好ましい。 The solution (ink composition) used in the printing method or the like may contain at least one polymer compound of the present invention. In addition to the polymer compound of the present invention, a hole transport material, an electron transport material, Additives such as a light emitting material, a solvent, and a stabilizer may be included.
The ratio of the polymer compound of the present invention in the ink composition is usually 20 wt% to 100 wt%, preferably 40 wt% to 100 wt%, based on the total weight of the composition excluding the solvent.
Further, when the solvent is contained in the ink composition, the ratio of the solvent is 1 wt% to 99.9 wt%, preferably 60 wt% to 99.5 wt%, and more preferably based on the total weight of the composition. It is 80 wt%-99.0 wt%.
The viscosity of the ink composition varies depending on the printing method, but when the ink composition passes through a discharge device such as an ink jet printing method, the viscosity is 1 at 25 ° C. in order to prevent clogging and flight bending at the time of discharge. It is preferably in the range of -20 mPa · s, more preferably in the range of 5-20 mPa · s, and even more preferably in the range of 7-20 mPa · s.

本発明の溶液は、発明の高分子化合物の他に、粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤を含有していてもよい。該添加剤としては、粘度を高めるための高分子量の高分子化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤などを適宜組み合わせて使用すればよい。   The solution of the present invention may contain an additive for adjusting viscosity and / or surface tension in addition to the polymer compound of the present invention. As the additive, a high molecular weight polymer compound (thickener) for increasing the viscosity, a poor solvent, a low molecular weight compound for decreasing the viscosity, a surfactant for decreasing the surface tension, and the like are appropriately combined. Use it.

前記の高分子量の高分子化合物としては、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよい。例えば、高分子量のポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、又は本発明の高分子化合物のうち分子量が大きいものなどを用いることができる。重量平均分子量が５０万以上が好ましく、１００万以上がより好ましい。
貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。すなわち、溶液中の固形分に対する貧溶媒を少量添加することで、粘度を高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合、溶液中の固形分が析出しない範囲で、溶媒の種類と添加量を選択すればよい。保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、溶液全体に対して５０ｗｔ％以下であることが好ましく、３０ｗｔ％以下であることが更に好ましい。 The high molecular weight polymer compound may be any compound that is soluble in the same solvent as the polymer compound of the present invention and does not inhibit light emission or charge transport. For example, high molecular weight polystyrene, polymethyl methacrylate, or a polymer compound of the present invention having a large molecular weight can be used. The weight average molecular weight is preferably 500,000 or more, more preferably 1,000,000 or more.
A poor solvent can also be used as a thickener. That is, the viscosity can be increased by adding a small amount of a poor solvent for the solid content in the solution. When a poor solvent is added for this purpose, the type and addition amount of the solvent may be selected as long as the solid content in the solution does not precipitate. Considering the stability during storage, the amount of the poor solvent is preferably 50 wt% or less, more preferably 30 wt% or less with respect to the entire solution.

また、本発明の溶液は、保存安定性を改善するために、本発明の高分子化合物の他に、酸化防止剤を含有していてもよい。酸化防止剤としては、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤などが例示される。   The solution of the present invention may contain an antioxidant in addition to the polymer compound of the present invention in order to improve storage stability. The antioxidant is not particularly limited as long as it is soluble in the same solvent as the polymer compound of the present invention and does not inhibit light emission or charge transport, and examples thereof include phenol-based antioxidants and phosphorus-based antioxidants.

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送性材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。上記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも１個以上含む構造を有し、かつ融点が０℃以下、沸点が１００℃以上である有機溶媒を１種類以上含むことが好ましい。   As a solvent used for film formation from a solution, a solvent capable of dissolving or uniformly dispersing a hole transporting material is preferable. Examples of the solvent include chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorobenzene and o-dichlorobenzene, ether solvents such as tetrahydrofuran and dioxane, and aromatics such as toluene and xylene. Aliphatic hydrocarbon solvents, cyclohexane, methylcyclohexane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, n-decane and other aliphatic hydrocarbon solvents, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, etc. Ketone solvents, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, dimethoxyethane , Propylene glycol, diethoxymethane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerin, polyhydric alcohols such as 1,2-hexanediol and derivatives thereof, alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol, cyclohexanol, dimethyl sulfoxide And amide solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone and N, N-dimethylformamide. These organic solvents can be used alone or in combination. Of the above solvents, it is preferable to include one or more organic solvents having a structure containing at least one benzene ring, a melting point of 0 ° C. or lower, and a boiling point of 100 ° C. or higher.

溶媒の種類としては、有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトンが好ましく、キシレン、アニソール、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシルのうち少なくとも１種類を含むことがより好ましい。   As the type of solvent, aromatic hydrocarbon solvents, aliphatic hydrocarbon solvents, ester solvents, ketone solvents are preferable from the viewpoints of solubility in organic solvents, uniformity during film formation, viscosity characteristics, and the like. , Toluene, xylene, ethylbenzene, diethylbenzene, trimethylbenzene, n-propylbenzene, isopropylbenzene, n-butylbenzene, isobutylbenzene, s-butylbenzene, anisole, ethoxybenzene, 1-methylnaphthalene, cyclohexane, cyclohexanone, cyclohexylbenzene, Bicyclohexyl, cyclohexenylcyclohexanone, n-heptylcyclohexane, n-hexylcyclohexane, 2-propylcyclohexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, 2-octanone, 2-nonanone, - decanone, dicyclohexyl ketone are preferred, xylene, anisole, cyclohexylbenzene, and it is more preferable to contain at least one of bicyclohexyl.

溶液中の溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、２種類以上であることが好ましく、２〜３種類であることがより好ましく、２種類であることがさらに好ましい。   The number of solvents in the solution is preferably two or more, more preferably two to three, and even more preferably two from the viewpoints of film formability and device characteristics.

溶液中に２種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であり、他の１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることが好ましく、１種類の溶媒は沸点が２００℃以上の溶媒であり、他の１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、２種類の溶媒ともに、６０℃において１ｗｔ％以上の高分子化合物が溶解することが好ましく、２種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において１ｗｔ％以上の高分子化合物が溶解することが好ましい。   When two kinds of solvents are contained in the solution, one of the solvents may be in a solid state at 25 ° C. From the viewpoint of film formability, one type of solvent is preferably a solvent having a boiling point of 180 ° C. or higher, and the other one type of solvent is preferably a solvent having a boiling point of 180 ° C. or lower. It is more preferable that the solvent is a solvent having a boiling point of 180 ° C. or lower. From the viewpoint of viscosity, it is preferable that 1 wt% or more of the high molecular compound is dissolved at 60 ° C. in one of the two solvents, and one solvent out of the two types of solvent contains 1 wt% or more at 25 ° C. It is preferable that the polymer compound is dissolved.

溶液中に３種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１〜２種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることが好ましく、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が２００℃以上３００℃以下の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、３種類の溶媒のうちの２種類の溶媒には、６０℃において１ｗｔ％以上の高分子化合物が溶解することが好ましく、３種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において１ｗｔ％以上の高分子化合物が溶解することが好ましい。   When three types of solvents are contained in the solution, one or two of them may be in a solid state at 25 ° C. From the viewpoint of film formability, at least one of the three solvents is preferably a solvent having a boiling point of 180 ° C. or higher, and at least one solvent is preferably a solvent having a boiling point of 180 ° C. or lower. At least one of the types of solvents is a solvent having a boiling point of 200 ° C. or more and 300 ° C. or less, and at least one of the solvents is more preferably a solvent having a boiling point of 180 ° C. or less. From the viewpoint of viscosity, it is preferable that 1 wt% or more of the polymer compound is dissolved in two of the three types of solvents at 60 ° C., and one type of the three types of solvents is preferable. It is preferable that 1 wt% or more of the polymer compound dissolves at 25 ° C.

溶液中に２種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、溶液中の全溶媒の重量の４０〜９０ｗｔ％であることが好ましく、５０〜９０ｗｔ％であることがより好ましく、６５〜８５ｗｔ％であることがさらに好ましい。   When two or more kinds of solvents are contained in the solution, the solvent having the highest boiling point is preferably 40 to 90 wt% of the weight of the total solvent in the solution from the viewpoint of viscosity and film formability, and 50 to 90 wt%. % Is more preferable, and 65 to 85 wt% is more preferable.

本発明の溶液としては、粘度及び成膜性の観点から、アニソール及びビシクロヘキシルからなる溶液、アニソール及びシクロヘキシルベンゼンからなる溶液、キシレン及びビシクロヘキシルからなる溶液、キシレン及びシクロヘキシルベンゼンからなる溶液が好ましい。   The solution of the present invention is preferably a solution composed of anisole and bicyclohexyl, a solution composed of anisole and cyclohexylbenzene, a solution composed of xylene and bicyclohexyl, and a solution composed of xylene and cyclohexylbenzene from the viewpoint of viscosity and film formability.

高分子化合物の溶媒への溶解性の観点から、溶媒の溶解度パラメータと、高分子化合物の溶解度パラメータとの差が１０以下であることをが好ましく、７以下であることがより好ましい。   From the viewpoint of the solubility of the polymer compound in the solvent, the difference between the solubility parameter of the solvent and the solubility parameter of the polymer compound is preferably 10 or less, and more preferably 7 or less.

溶媒の溶解度パラメーターと高分子化合物の溶解度パラメーターは、「溶剤ハンドブック（講談社刊、１９７６年）」に記載の方法で求めることができる。   The solubility parameter of the solvent and the solubility parameter of the polymer compound can be determined by the methods described in “Solvent Handbook (Kodansha, 1976)”.

溶液中に含まれる本発明の高分子化合物は、１種類でも２種類以上でもよく、素子特性等を損なわない範囲で本発明の高分子化合物以外の高分子化合物を含んでいてもよい。   The polymer compound of the present invention contained in the solution may be one type or two or more types, and may contain a polymer compound other than the polymer compound of the present invention as long as device characteristics and the like are not impaired.

溶液中に含まれる本発明の高分子化合物が１種類の場合は、素子特性等の観点から、上記式（１）で示される繰り返し単位を１種類と上記式（１３）で示される繰り返し単位を１種類又は２種類含む高分子化合物であることが好ましく、上記式（１６）で示される繰り返し単位を１種類と上記式（１３）で示される繰り返し単位を１種類又は２種類含む高分子化合物であることがより好ましい。上記式（１３）で示される繰り返し単位の少なくとも１種類は、上記式（１７）又は上記式（２０）で示される繰り返し単位であることが好ましく、上記式（１７）で示される繰り返し単位であることがより好ましい。   When the polymer compound of the present invention contained in the solution is one type, from the viewpoint of device characteristics and the like, one type of repeating unit represented by the above formula (1) and one type of repeating unit represented by the above formula (13) are used. It is preferably a polymer compound containing one or two types, and is a polymer compound containing one type of repeating unit represented by the above formula (16) and one type or two types of repeating units represented by the above formula (13). More preferably. At least one of the repeating units represented by the above formula (13) is preferably a repeating unit represented by the above formula (17) or the above formula (20), and is a repeating unit represented by the above formula (17). It is more preferable.

本発明の溶液には、水、金属及びその塩を１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。金属としては、具体的には、リチウム、ナトリウム、カルシウム、カリウム、鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、クロム、マンガン、コバルト、白金、イリジウム等が挙げられる。また、ケイ素、リン、フッ素、塩素、臭素を１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。   The solution of the present invention may contain water, metal and a salt thereof in the range of 1 to 1000 ppm. Specific examples of the metal include lithium, sodium, calcium, potassium, iron, copper, nickel, aluminum, zinc, chromium, manganese, cobalt, platinum, iridium and the like. Moreover, silicon, phosphorus, fluorine, chlorine, bromine may be included in a range of 1 to 1000 ppm.

本発明の溶液を用いて、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等により薄膜を作製することができる。中でも、本発明の溶液をスクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法により成膜する用途に用いることが好ましく、インクジェット法で成膜する用途に用いることがより好ましい。   Using the solution of the present invention, spin coating method, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, spray coating method, screen printing method, flexographic method A thin film can be produced by a printing method, an offset printing method, an inkjet printing method, or the like. Among these, the solution of the present invention is preferably used for a film forming method by a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and an ink jet printing method, and more preferably used for a film forming by an ink jet method.

本発明の溶液を用いて薄膜を作製する場合、溶液に含まれる高分子化合物のガラス転移温度が高いため、１００℃以上の温度でベークすることが可能であり、１３０℃の温度でベークしても素子特性の低下が非常に小さい。また、高分子化合物の種類によっては、１６０℃以上の温度でベークすることも可能である。   When a thin film is produced using the solution of the present invention, since the glass transition temperature of the polymer compound contained in the solution is high, it can be baked at a temperature of 100 ° C. or higher, and baked at a temperature of 130 ° C. However, the deterioration of the device characteristics is very small. Depending on the type of polymer compound, baking at a temperature of 160 ° C. or higher is also possible.

本発明の溶液を用いて作製できる薄膜としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜が例示される。   Examples of thin films that can be produced using the solution of the present invention include luminescent thin films, conductive thin films, and organic semiconductor thin films.

本発明の発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が５０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることがさらに好ましい。   In the luminescent thin film of the present invention, the quantum yield of light emission is preferably 50% or more, more preferably 60% or more, and 70% or more from the viewpoint of the brightness of the device, light emission voltage, and the like. Is more preferable.

本発明の導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物などをドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が１００Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□であることがさらに好ましい。   The conductive thin film of the present invention preferably has a surface resistance of 1 KΩ / □ or less. The electrical conductivity can be increased by doping the thin film with a Lewis acid, an ionic compound, or the like. The surface resistance is more preferably 100Ω / □ or less, and further preferably 10Ω / □.

本発明の有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のいずれか大きい方が、１０^−５ｃｍ^２／Ｖ／秒以上であることが好ましい。より好ましくは、１０^−３ｃｍ^２／Ｖ／秒以上であり、さらに好ましくは、１０^−１ｃｍ^２／Ｖ／秒以上である。
ＳｉＯ_２などの絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に該有機半導体薄膜を形成し、Ａｕなどでソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。 In the organic semiconductor thin film of the present invention, the electron mobility or hole mobility, whichever is greater, is preferably 10 ⁻⁵ cm ² / V / second or more. More preferably, it is 10 ^<-3 > cm < ² > / V / second or more, More preferably, it is 10 ^<-1 > cm < ² > / V / second or more.
An organic transistor can be obtained by forming the organic semiconductor thin film on a Si substrate on which an insulating film such as SiO ₂ and a gate electrode are formed, and forming a source electrode and a drain electrode with Au or the like.

本発明の高分子発光素子は、素子の輝度等の観点から陽極と陰極との間に３．５Ｖ以上の電圧を印加したときの最大外部量子収率が１％以上であることが好ましく、１．５％以上がより好ましい。   The polymer light-emitting device of the present invention preferably has a maximum external quantum yield of 1% or more when a voltage of 3.5 V or more is applied between the anode and the cathode from the viewpoint of device brightness and the like. More preferably 5% or more.

また、本発明の高分子発光素子（以下、高分子ＬＥＤ）としては、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ等が挙げられる。   The polymer light-emitting device of the present invention (hereinafter referred to as polymer LED) is a polymer LED in which an electron transport layer is provided between the cathode and the light-emitting layer, and hole transport between the anode and the light-emitting layer. Examples include a polymer LED provided with a layer, a polymer LED provided with an electron transport layer between a cathode and a light-emitting layer, and a hole transport layer provided between an anode and a light-emitting layer.

例えば、具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。） For example, the following structures a) to d) are specifically exemplified.
a) Anode / light emitting layer / cathode b) Anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode c) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode d) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (Here, / indicates that each layer is laminated adjacently. The same shall apply hereinafter.)

本発明の高分子ＬＥＤとしては、本発明の高分子化合物が正孔輸送層及び／又は電子輸送層に含まれているものも含む。
本発明の高分子化合物が正孔輸送層に用いられる場合には、本発明の高分子化合物が正孔輸送性基を含む高分子化合物であることが好ましく、その具体例としては、芳香族アミンとの共重合体、スチルベンとの共重合体などが例示される。
また、本発明の高分子化合物が電子輸送層に用いられる場合には、本発明の高分子化合物が電子輸送性基を含む高分子化合物であることが好ましい。その具体例としては、オキサジアゾールとの共重合体、トリアゾールとの共重合体、キノリンとの共重合体、キノキサリンとの共重合体、ベンゾチアジアゾールとの共重合体などが例示される。 The polymer LED of the present invention includes those in which the polymer compound of the present invention is contained in a hole transport layer and / or an electron transport layer.
When the polymer compound of the present invention is used for a hole transport layer, the polymer compound of the present invention is preferably a polymer compound containing a hole transporting group, and specific examples thereof include aromatic amines. And a copolymer with stilbene.
When the polymer compound of the present invention is used for an electron transport layer, the polymer compound of the present invention is preferably a polymer compound containing an electron transporting group. Specific examples thereof include a copolymer with oxadiazole, a copolymer with triazole, a copolymer with quinoline, a copolymer with quinoxaline, and a copolymer with benzothiadiazole.

本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送性材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体などが例示される。   When the polymer LED of the present invention has a hole transport layer, the hole transport material used is polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, polysiloxane having an aromatic amine in a side chain or a main chain. Derivatives, pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, triphenyldiamine derivatives, polyaniline or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, polypyrrole or derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivatives thereof, or poly (2,5- Thienylene vinylene) or a derivative thereof.

具体的には、該正孔輸送性材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。   Specifically, as the hole transporting material, JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, and JP-A-2-209988 are disclosed. Examples described in JP-A-3-37992 and JP-A-3-152184 are exemplified.

これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送性材料として、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体等の高分子正孔輸送性材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。   Among these, as a hole transporting material used for the hole transport layer, polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine compound group in a side chain or a main chain, a polyaniline or a derivative thereof , Polythiophene or a derivative thereof, poly (p-phenylene vinylene) or a derivative thereof, or a polymer hole transporting material such as poly (2,5-thienylene vinylene) or a derivative thereof, and more preferably polyvinyl carbazole or a derivative thereof A derivative, polysilane or a derivative thereof, and a polysiloxane derivative having an aromatic amine in a side chain or main chain.

また、低分子化合物の正孔輸送性材料としては、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が例示される。低分子の正孔輸送性材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。   Examples of the low molecular weight hole transporting material include pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, and triphenyldiamine derivatives. In the case of a low molecular weight hole transporting material, it is preferably used by being dispersed in a polymer binder.

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。   As the polymer binder to be mixed, those not extremely disturbing charge transport are preferable, and those showing no strong absorption against visible light are suitably used. As the polymer binder, poly (N-vinylcarbazole), polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof, poly (p-phenylenevinylene) or a derivative thereof, poly (2,5-thienylenevinylene) or a derivative thereof, polycarbonate , Polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, polysiloxane and the like.

ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。   Polyvinylcarbazole or a derivative thereof is obtained, for example, from a vinyl monomer by cation polymerization or radical polymerization.

ポリシラン若しくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。   Examples of the polysilane or derivatives thereof include compounds described in Chem. Rev. 89, 1359 (1989), GB 2300196 published specification, and the like. As the synthesis method, the methods described in these can be used, but the Kipping method is particularly preferably used.

ポリシロキサン若しくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に上記低分子正孔輸送性材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖又は主鎖に有するものが例示される。   Since polysiloxane or a derivative thereof has almost no hole transporting property in the siloxane skeleton structure, those having the structure of the low molecular hole transporting material in the side chain or main chain are preferably used. Particularly, those having a hole transporting aromatic amine in the side chain or main chain are exemplified.

正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送性材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送性材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。   Although there is no restriction | limiting in the film-forming method of a positive hole transport layer, The method by the film-forming from a mixed solution with a polymer binder is illustrated with a low molecular hole transport material. In the case of a polymer hole transporting material, a method by film formation from a solution is exemplified.

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送性材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。   As a solvent used for film formation from a solution, a solvent capable of dissolving or uniformly dispersing a hole transporting material is preferable. Examples of the solvent include chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorobenzene and o-dichlorobenzene, ether solvents such as tetrahydrofuran and dioxane, and aromatics such as toluene and xylene. Aliphatic hydrocarbon solvents, cyclohexane, methylcyclohexane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, n-decane and other aliphatic hydrocarbon solvents, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, etc. Ketone solvents, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, dimethoxyethane , Propylene glycol, diethoxymethane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerin, polyhydric alcohols such as 1,2-hexanediol and derivatives thereof, alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol, cyclohexanol, dimethyl sulfoxide And amide solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone and N, N-dimethylformamide. These organic solvents can be used alone or in combination.

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。   Examples of film formation methods from solution include spin coating from solution, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, spray coating method, screen Coating methods such as a printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and an inkjet printing method can be used.

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。   The film thickness of the hole transport layer differs depending on the material used, and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. However, at least a thickness that does not cause pinholes is required. If it is too thick, the driving voltage of the element becomes high, which is not preferable. Therefore, the film thickness of the hole transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送性材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体等が例示される。   When the polymer LED of the present invention has an electron transporting layer, known materials can be used as the electron transporting material, such as oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane or derivatives thereof, benzoquinone or derivatives thereof, naphthoquinone or Derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, tetracyanoanthraquinodimethane or derivatives thereof, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene or derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline Or a derivative thereof, polyfluorene or a derivative thereof, and the like are exemplified.

具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。   Specifically, JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, JP-A-2-20988, JP-A-3-37992, The thing etc. which are described in the same 3-152184 gazette are illustrated.

これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、又はポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。   Of these, oxadiazole derivatives, benzoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, or polyfluorene or derivatives thereof are preferred, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum, and polyquinoline are more preferable.

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送性材料では、粉末からの真空蒸着法、又は溶液若しくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法が、それぞれ例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、上記の高分子バインダーを併用してもよい。   There are no particular restrictions on the method for forming the electron transport layer, but for low molecular weight electron transport materials, vacuum deposition from powder or film deposition from a solution or melted state is preferred for polymer electron transport materials. Or the method by the film-forming from a molten state is illustrated, respectively. When forming a film from a solution or a molten state, the above polymer binder may be used in combination.

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び／又は高分子バインダーを溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。   As a solvent used for film formation from a solution, a solvent capable of dissolving or uniformly dispersing an electron transport material and / or a polymer binder is preferable. Chlorinated solvents such as chloroform, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorobenzene and o-dichlorobenzene, ether solvents such as tetrahydrofuran and dioxane, and aromatic solvents such as toluene and xylene. Hydrocarbon solvents, cyclohexane, methylcyclohexane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, n-decane and other aliphatic hydrocarbon solvents, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, etc. Ketone solvents, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, dimethoxyethane Polyhydric alcohols such as propylene glycol, diethoxymethane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerin, 1,2-hexanediol and derivatives thereof, alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol, cyclohexanol, dimethyl sulfoxide, etc. And amide solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone and N, N-dimethylformamide. These organic solvents can be used alone or in combination.

溶液又は溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。   Examples of film formation methods from a solution or a molten state include spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, spray coating, and screen. Coating methods such as a printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and an inkjet printing method can be used.

本発明の高分子電界効果トランジスタの構造としては、通常は、ソース電極及びドレイン電極が高分子からなる活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていればよい。   As the structure of the polymer field effect transistor of the present invention, the source electrode and the drain electrode are usually provided in contact with the active layer made of a polymer, and the gate electrode is further sandwiched between the insulating layers in contact with the active layer. What is necessary is just to be provided.

高分子電界効果トランジスタは、通常は支持基板上に形成される。支持基板の材質としては電界効果トランジスタとしての特性を阻害しなければ特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。   The polymer field effect transistor is usually formed on a supporting substrate. The material of the supporting substrate is not particularly limited as long as the characteristics as a field effect transistor are not impaired, but a glass substrate, a flexible film substrate, or a plastic substrate can also be used.

電界効果トランジスタは、公知の方法、例えば特開平５−１１００６９号公報記載の方法により製造することができる。   The field effect transistor can be manufactured by a known method, for example, a method described in JP-A-5-110069.

活性層を形成する際に、有機溶媒可溶性の高分子を用いることが製造上非常に有利であり好ましい。高分子を有機溶剤に溶解した溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法を用いることができる。   In forming the active layer, it is very advantageous and preferable to use an organic solvent-soluble polymer. As a film forming method from a solution in which a polymer is dissolved in an organic solvent, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, a dip coating method, Coating methods such as spray coating, screen printing, flexographic printing, offset printing, and inkjet printing can be used.

高分子電界効果トランジスタを作成後、封止してなる封止高分子電界効果トランジスタが好ましい。これにより、高分子電界効果トランジスタが、大気から遮断され、高分子電界トランジスタの特性の低下を抑えることができる。
封止する方法としては、ＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のＳｉＯＮｘ膜などでカバーする方法、ガラス板やフィルムをＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂などで張り合わせる方法などが挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため高分子電界効果トランジスタを作成後封止するまでの工程を大気に曝すことなく（例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中などで）行うことが好ましい。 A sealed polymer field effect transistor obtained by sealing a polymer field effect transistor after forming the polymer field effect transistor is preferable. Thereby, the polymer field effect transistor is shielded from the atmosphere, and the deterioration of the characteristics of the polymer field transistor can be suppressed.
Examples of the sealing method include a method of covering with a UV curable resin, a thermosetting resin or an inorganic SiONx film, and a method of bonding a glass plate or film with a UV curable resin or a thermosetting resin. In order to effectively shut off from the atmosphere, it is preferable to carry out the steps from the preparation of the polymer field-effect transistor to the sealing without exposure to the atmosphere (for example, in a dry nitrogen atmosphere or in a vacuum).

電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。   The film thickness of the electron transport layer differs depending on the material used, and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. However, at least a thickness that does not cause pinholes is required. If the thickness is too thick, the driving voltage of the element increases, which is not preferable. Therefore, the thickness of the electron transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。   Further, among the charge transport layers provided adjacent to the electrodes, those having a function of improving the charge injection efficiency from the electrodes and having the effect of lowering the driving voltage of the element are particularly charge injection layers (hole injection layers). , An electron injection layer).

さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して、前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよい。また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、及び各層の厚さは、発光効率や素子寿命を勘案して適宜決めることができる。 Further, in order to improve the adhesion with the electrode or improve the charge injection from the electrode, the charge injection layer or the insulating layer having a thickness of 2 nm or less may be provided adjacent to the electrode. In addition, a thin buffer layer may be inserted at the interface between the charge transport layer and the light emitting layer in order to improve adhesion at the interface or prevent mixing.
The order and number of layers to be stacked, and the thickness of each layer can be appropriately determined in consideration of the light emission efficiency and the element lifetime.

本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
例えば、具体的には、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電子注入層／陰極
ｇ）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
ｈ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｊ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｋ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｍ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｎ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｐ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極 In the present invention, a polymer LED provided with a charge injection layer (electron injection layer, hole injection layer) includes a polymer LED provided with a charge injection layer adjacent to the cathode, and a charge injection layer adjacent to the anode. The provided polymer LED is mentioned.
For example, the following structures e) to p) are specifically mentioned.
e) Anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode f) Anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode g) Anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode h) Anode / hole injection layer / Hole transport layer / light emitting layer / cathode i) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode j) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode k ) Anode / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode l) Anode / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode m) Anode / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection Layer / cathode n) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode o) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode p) anode / Hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

本発明の高分子ＬＥＤとしては、前述のとおり、本発明の高分子化合物が正孔輸送層及び／又は電子輸送層に含まれているものも含む。
また、本発明の高分子ＬＥＤとしては、本発明の高分子化合物が正孔注入層及び／又は電子注入層に含まれているものも含む。本発明の高分子化合物が正孔注入層に用いられる場合には、電子受容性化合物と共に用いられることが好ましい。また、本発明の高分子化合物が電子輸送層に用いられる場合には、電子供与性化合物と共に用いられることが好ましい。ここで、共に用いるためには、混合、共重合、側鎖としての導入などの方法がある。 As described above, the polymer LED of the present invention includes those in which the polymer compound of the present invention is contained in a hole transport layer and / or an electron transport layer.
The polymer LED of the present invention includes those in which the polymer compound of the present invention is contained in a hole injection layer and / or an electron injection layer. When the polymer compound of the present invention is used for a hole injection layer, it is preferably used together with an electron accepting compound. When the polymer compound of the present invention is used for an electron transport layer, it is preferably used together with an electron donating compound. Here, in order to use together, there exist methods, such as mixing, copolymerization, introduction | transduction as a side chain.

電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送性材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送性材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。   Specific examples of the charge injection layer include a layer containing a conductive polymer, an intermediate between the anode material and the hole transporting material included in the hole transporting layer, provided between the anode and the hole transporting layer. A layer containing a material having an ionization potential of the value, a material provided between the cathode and the electron transport layer, and a material having an electron affinity of an intermediate value between the cathode material and the electron transport material contained in the electron transport layer Examples include layers.

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^３以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^２以下がより好ましく、１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^１以下がさらに好ましい。 When the charge injection layer is a layer containing a conductive polymer, the electrical conductivity of the conductive polymer is preferably 10 ⁻⁵ S / cm or more and 10 ³ or less, and the leakage current between the light emitting pixels is reduced. to ^is more preferably ¹⁰ -5 S / cm to 10 ² or ^less, further preferably ¹⁰ -5 S / cm to 10 ¹ or less.

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^３Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^２Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^１Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。
通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^３以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。 In the case where the charge injection layer is a layer containing a conductive polymer, the electrical conductivity of the conductive polymer is preferably 10 ⁻⁵ S / cm or more and 10 ³ S / cm or less. in order to reduce the ^current, more preferably less ¹⁰ -5 S / cm or more and ¹⁰ 2 S / ^cm, more preferably less ¹⁰ -5 S / cm or more and ¹⁰ 1 S / cm.
Usually, in order to make the electric conductivity of the conductive polymer 10 ⁻⁵ S / cm or more and 10 ³ or less, the conductive polymer is doped with an appropriate amount of ions.

ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。 The type of ions to be doped is an anion for the hole injection layer and a cation for the electron injection layer. Examples of anions include polystyrene sulfonate ions, alkylbenzene sulfonate ions, camphor sulfonate ions, and examples of cations include lithium ions, sodium ions, potassium ions, tetrabutylammonium ions, and the like.
The thickness of the charge injection layer is, for example, 1 nm to 100 nm, and preferably 2 nm to 50 nm.

電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。   The material used for the charge injection layer may be appropriately selected in relation to the material of the electrode and the adjacent layer. Polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, polypyrrole and derivatives thereof, polyphenylene vinylene and derivatives thereof, polythienylene vinylene And derivatives thereof, polyquinoline and derivatives thereof, polyquinoxaline and derivatives thereof, conductive polymers such as polymers containing an aromatic amine structure in the main chain or side chain, metal phthalocyanines (such as copper phthalocyanine), and carbon .

膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。   An insulating layer having a thickness of 2 nm or less has a function of facilitating charge injection. Examples of the material for the insulating layer include metal fluorides, metal oxides, and organic insulating materials. As the polymer LED provided with the insulating layer having a thickness of 2 nm or less, the polymer LED provided with the insulating layer having a thickness of 2 nm or less adjacent to the cathode, or the insulating layer having a thickness of 2 nm or less provided adjacent to the anode. Polymer LED is mentioned.

具体的には、例えば、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｖ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｗ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｙ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｚ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
本発明の高分子ＬＥＤは、上記ａ）〜ａｂ）に例示した素子構造において、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層のうちのいずれかに、本発明の高分子化合物を含むものが挙げられる。 Specific examples include the following structures q) to ab).
q) Anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / light emitting layer / cathode r) Anode / light emitting layer / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / cathode s) Anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / light emitting layer / film thickness 2 nm Insulating layer / cathode t) Anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / hole transport layer / light emitting layer / cathode u) Anode / hole transporting layer / light emitting layer / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / cathode v) Anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / hole transport layer / light emitting layer / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / cathode w) anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / light emitting layer / electron transport layer / cathode x) anode / Light emitting layer / electron transport layer / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / cathode y) anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / light emitting layer / electron transport layer / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / cathode z) anode / film Insulating layer with a thickness of 2 nm or less / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode aa) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport Layer / insulating layer with a film thickness of 2 nm or less / cathode ab) anode / insulating layer with a film thickness of 2 nm or less / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / insulating layer with a film thickness of 2 nm or less / cathode Includes the polymer compound of the present invention in any of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer in the element structures exemplified in the above a) to ab). Things.

本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明又は半透明であることが好ましい。   The substrate on which the polymer LED of the present invention is formed may be any substrate that does not change when the electrode is formed and the organic layer is formed, and examples thereof include glass, plastic, polymer film, and silicon substrate. In the case of an opaque substrate, the opposite electrode is preferably transparent or translucent.

通常本発明の高分子ＬＥＤが有する陽極及び陰極の少なくとも一方が透明又は半透明である。陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。
該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。 Usually, at least one of the anode and the cathode of the polymer LED of the present invention is transparent or translucent. The anode side is preferably transparent or translucent.
As the material of the anode, a conductive metal oxide film, a translucent metal thin film, or the like is used. Specifically, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, and a composite film made of conductive glass made of indium / tin / oxide (ITO), indium / zinc / oxide, etc. (NESA) Etc.), gold, platinum, silver, copper and the like are used, and ITO, indium / zinc / oxide, and tin oxide are preferable. Examples of the production method include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a plating method, and the like. Further, as the anode, an organic transparent conductive film such as polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof may be used.
The film thickness of the anode can be appropriately selected in consideration of light transmittance and electric conductivity, and is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, more preferably 50 nm to 500 nm. is there.
Further, in order to facilitate charge injection on the anode, a layer made of a phthalocyanine derivative, a conductive polymer, carbon or the like, or an average film thickness of 2 nm or less made of a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material, or the like. A layer may be provided.

本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、それらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイト又はグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。 As a material of the cathode used in the polymer LED of the present invention, a material having a small work function is preferable. For example, metals such as lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, etc. Two or more alloys, or one or more of them and an alloy of one or more of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin, graphite or graphite intercalation compound, etc. Used. Examples of the alloy include magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, indium-silver alloy, lithium-aluminum alloy, lithium-magnesium alloy, lithium-indium alloy, calcium-aluminum alloy, and the like. The cathode may have a laminated structure of two or more layers.
The thickness of the cathode can be appropriately selected in consideration of electric conductivity and durability, but is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm.

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、又は金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護する保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを装着することが好ましい。   As a method for producing the cathode, a vacuum deposition method, a sputtering method, a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded, or the like is used. In addition, a layer made of a conductive polymer or a layer having an average film thickness of 2 nm or less made of a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material, or the like may be provided between the cathode and the organic material layer. A protective layer for protecting the polymer LED may be attached. In order to stably use the polymer LED for a long period of time, it is preferable to attach a protective layer and / or protective cover in order to protect the element from the outside.

該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより、製造工程で吸着した水分が素子にダメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。   As the protective layer, a polymer compound, metal oxide, metal fluoride, metal boride and the like can be used. Further, as the protective cover, a glass plate, a plastic plate having a low water permeability treatment on the surface, or the like can be used, and a method of sealing the cover by bonding it to the element substrate with a heat effect resin or a photo-curing resin is preferable. Used for. If a space is maintained using a spacer, it is easy to prevent the element from being damaged. If an inert gas such as nitrogen or argon is sealed in the space, oxidation of the cathode can be prevented, and further, a desiccant such as barium oxide is placed in the space to adsorb in the manufacturing process. It is easy to suppress moisture from damaging the element. Among these, it is preferable to take any one or more measures.

本発明の高分子ＬＥＤは面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライトとして用いることができる。
本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極又は陰極のいずれか一方又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。 The polymer LED of the present invention can be used as a backlight for a planar light source, a segment display device, a dot matrix display device, and a liquid crystal display device.
In order to obtain planar light emission using the polymer LED of the present invention, the planar anode and cathode may be arranged so as to overlap each other. In addition, in order to obtain pattern-like light emission, a method of installing a mask provided with a pattern-like window on the surface of the planar light-emitting element, an organic material layer of a non-light-emitting portion is formed extremely thick and substantially non- There are a method of emitting light and a method of forming either one or both of an anode and a cathode in a pattern. A segment type display element capable of displaying numbers, letters, simple symbols, etc. can be obtained by forming a pattern by any of these methods and arranging several electrodes so that they can be turned ON / OFF independently. Further, in order to obtain a dot matrix element, both the anode and the cathode may be formed in a stripe shape and arranged so as to be orthogonal to each other. Partial color display and multi-color display are possible by a method of separately coating a plurality of types of polymer phosphors having different emission colors or a method using a color filter or a fluorescence conversion filter. The dot matrix element can be driven passively or may be driven actively in combination with TFTs. These display elements can be used as display devices for computers, televisions, mobile terminals, mobile phones, car navigation systems, video camera viewfinders, and the like.

さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。   Furthermore, the planar light emitting element is a self-luminous thin type, and can be suitably used as a planar light source for a backlight of a liquid crystal display device or a planar illumination light source. If a flexible substrate is used, it can be used as a curved light source or display device.

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（数平均分子量及び重量平均分子量）
ここで、数平均分子量及び重量平均分子量は、ＧＰＣ（島津製作所製：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量として求めた。測定する重合体は、約０．５ｗｔ％の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣに５０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相はテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／ｍｉｎの流速で流した。カラムは、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。 Examples will be shown below for illustrating the present invention in more detail, but the present invention is not limited to these examples.
(Number average molecular weight and weight average molecular weight)
Here, the number average molecular weight and the weight average molecular weight were determined as a number average molecular weight and a weight average molecular weight in terms of polystyrene by GPC (manufactured by Shimadzu Corporation: LC-10Avp). The polymer to be measured was dissolved in tetrahydrofuran to a concentration of about 0.5 wt%, and 50 μL was injected into GPC. Tetrahydrofuran was used as the mobile phase of GPC, and flowed at a flow rate of 0.6 mL / min. As for the column, two TSKgel SuperHM-H (manufactured by Tosoh) and one TSKgel SuperH2000 (manufactured by Tosoh) were connected in series. A differential refractive index detector (manufactured by Shimadzu Corporation: RID-10A) was used as the detector.

（蛍光スペクトル）
蛍光スペクトルの測定は以下の方法で行った。重合体の０．８ｗｔ％トルエン又はクロロホルム溶液を石英上にスピンコートして重合体の薄膜を作製した。この薄膜を３５０ｎｍの波長で励起し、蛍光分光光度計（堀場製作所製Ｆｌｕｏｒｏｌｏｇ（商標））を用いて蛍光スペクトルを測定した。薄膜での相対的な蛍光強度を得るために、水のラマン線の強度を標準に、波数プロットした蛍光スペクトルをスペクトル測定範囲で積分して、分光光度計（Ｖａｒｉａｎ社製 Ｃａｒｙ５Ｅ）を用いて測定した、励起波長での吸光度で割り付けた値を求めた。 (Fluorescence spectrum)
The fluorescence spectrum was measured by the following method. A polymer thin film was prepared by spin-coating a 0.8 wt% toluene or chloroform solution of the polymer on quartz. This thin film was excited at a wavelength of 350 nm, and a fluorescence spectrum was measured using a fluorescence spectrophotometer (Fluorolog (trademark) manufactured by Horiba, Ltd.). In order to obtain the relative fluorescence intensity in the thin film, the intensity of the Raman line of water is used as a standard, the fluorescence spectrum plotted with wavenumber is integrated in the spectrum measurement range, and measured using a spectrophotometer (Varian Cary 5E). The value assigned by the absorbance at the excitation wavelength was determined.

（ガラス転移温度）
ガラス転移温度はＤＳＣ（ＤＳＣ２９２０、ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製）により求めた。 (Glass-transition temperature)
The glass transition temperature was determined by DSC (DSC2920, manufactured by TA Instruments).

合成例１ ＜化合物Ｅの合成＞
（化合物Ａの合成）

不活性雰囲気下、３００ｍｌ三つ口フラスコに１‐ナフタレンボロン酸５．００ｇ（２９ｍｍｏｌ）、２−ブロモベンズアルデヒド６．４６ｇ（３５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１０．０ｇ（７３ｍｍｏｌ）、トルエン３６ｍｌ、イオン交換水３６ｍｌを入れ、室温で撹拌しつつ２０分間アルゴンでバブリングした。続いてテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１６．８ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）を入れ、さらに室温で撹拌しつつ１０分間アルゴンでバブリングした。１００℃に昇温し、２５時間反応させた。室温まで冷却後、トルエンで有機層を抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去した。トルエン：シクロヘキサン＝１：２混合溶媒を展開溶媒としたシリカゲルカラムで精製することにより、化合物Ａ５．１８ｇ（収率８６％）を白色結晶として得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：
δ７．３９〜７．６２（ｍ、５Ｈ）、７．７０（ｍ、２Ｈ）、７．９４（ｄ、２Ｈ）、８．１２（ｄｄ、２Ｈ）、９．６３（ｓ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）^＋ ２３３ Synthesis Example 1 <Synthesis of Compound E>
(Synthesis of Compound A)

Under an inert atmosphere, 5.00 g (29 mmol) of 1-naphthaleneboronic acid, 6.46 g (35 mmol) of 2-bromobenzaldehyde, 10.0 g (73 mmol) of potassium carbonate, 36 ml of toluene, 36 ml of ion-exchanged water in a 300 ml three-necked flask And bubbled with argon for 20 minutes with stirring at room temperature. Subsequently, 16.8 mg (0.15 mmol) of tetrakis (triphenylphosphine) palladium was added and further bubbled with argon for 10 minutes while stirring at room temperature. The temperature was raised to 100 ° C. and reacted for 25 hours. After cooling to room temperature, the organic layer was extracted with toluene, dried over sodium sulfate, and the solvent was distilled off. Purification by a silica gel column using a toluene: cyclohexane = 1: 2 mixed solvent as a developing solvent gave 5.18 g (yield 86%) of Compound A as white crystals.
¹ H-NMR (300 MHz / CDCl ₃ ):
δ 7.39-7.62 (m, 5H), 7.70 (m, 2H), 7.94 (d, 2H), 8.12 (dd, 2H), 9.63 (s, 1H)
MS (APCI (+)): (M + H) ^<+> 233

（化合物Ｂの合成）

不活性雰囲気下で３００ｍｌの三つ口フラスコに化合物Ａ ８．００ｇ（３４．４ｍｍｏｌ）と脱水ＴＨＦ４６ｍｌを入れ、−７８℃まで冷却した。続いてｎ−オクチルマグネシウムブロミド（１．０ｍｏｌ／ｌＴＨＦ溶液）５２ｍｌを３０分かけて滴下した。滴下終了後０℃まで昇温し、１時間撹拌後、室温まで昇温して４５分間撹拌した。氷浴して１Ｎ塩酸２０ｍｌを加えて反応を終了させ、酢酸エチルで有機層を抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去した後トルエン：ヘキサン＝１０：１混合溶媒を展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物Ｂ７．６４ｇ（収率６４％）を淡黄色のオイルとして得た。ＨＰＬＣ測定では２本のピークが見られたが、ＬＣ−ＭＳ測定では同一の質量数であることから、異性体の混合物であると判断した。 (Synthesis of Compound B)

Under an inert atmosphere, 8.00 g (34.4 mmol) of Compound A and 46 ml of dehydrated THF were placed in a 300 ml three-necked flask and cooled to -78 ° C. Subsequently, 52 ml of n-octylmagnesium bromide (1.0 mol / l THF solution) was added dropwise over 30 minutes. After completion of dropping, the temperature was raised to 0 ° C., stirred for 1 hour, then warmed to room temperature and stirred for 45 minutes. The reaction was terminated by adding 20 ml of 1N hydrochloric acid in an ice bath, and the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over sodium sulfate. After distilling off the solvent, the residue was purified by a silica gel column using a mixed solvent of toluene: hexane = 10: 1 as a developing solvent to obtain 7.64 g (yield: 64%) of Compound B as a pale yellow oil. Although two peaks were observed in the HPLC measurement, they were determined to be a mixture of isomers because they were the same mass number in the LC-MS measurement.

（化合物Ｃの合成）

不活性雰囲気下、５００ｍｌ三つ口フラスコに化合物Ｂ（異性体の混合物）５．００ｇ（１４．４ｍｍｏｌ）と脱水ジクロロメタン７４ｍｌを入れ、室温で撹拌、溶解させた。続いて、三フッ化ホウ素のエーテラート錯体を室温で１時間かけて滴下し、滴下終了後室温で４時間撹拌した。撹拌しながらエタノール１２５ｍｌをゆっくりと加え、発熱がおさまったらクロロホルムで有機層を抽出し、２回水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物Ｃ３．２２ｇ（収率６８％）を無色のオイルとして得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：
δ０．９０（ｔ、３Ｈ）、１．０３〜１．２６（ｍ、１４Ｈ）、２．１３（ｍ、２Ｈ）、４．０５（ｔ、１Ｈ）、７．３５（ｄｄ、１Ｈ）、７．４６〜７．５０（ｍ、２Ｈ）、７．５９〜７．６５（ｍ、３Ｈ）、７．８２（ｄ、１Ｈ）、７．９４（ｄ、１Ｈ）、８．３５（ｄ、１Ｈ）、８．７５（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）^＋ ３２９ (Synthesis of Compound C)

Under an inert atmosphere, 5.00 g (14.4 mmol) of Compound B (mixture of isomers) and 74 ml of dehydrated dichloromethane were placed in a 500 ml three-necked flask and stirred and dissolved at room temperature. Subsequently, an etherate complex of boron trifluoride was added dropwise at room temperature over 1 hour, and after completion of the addition, the mixture was stirred at room temperature for 4 hours. While stirring, 125 ml of ethanol was slowly added. When the exotherm subsided, the organic layer was extracted with chloroform, washed twice with water, and dried over magnesium sulfate. After distilling off the solvent, the residue was purified by a silica gel column using hexane as a developing solvent to obtain 3.22 g (yield 68%) of Compound C as a colorless oil.
¹ H-NMR (300 MHz / CDCl ₃ ):
δ 0.90 (t, 3H), 1.03-1.26 (m, 14H), 2.13 (m, 2H), 4.05 (t, 1H), 7.35 (dd, 1H), 7 .46-7.50 (m, 2H), 7.59-7.65 (m, 3H), 7.82 (d, 1H), 7.94 (d, 1H), 8.35 (d, 1H) ), 8.75 (d, 1H)
MS (APCI (+)): (M + H) ^<+> 329

（化合物Ｄの合成）

不活性雰囲気下２００ｍｌ三つ口フラスコにイオン交換水２０ｍｌをいれ、撹拌しながら水酸化ナトリウム１８．９ｇ（０．４７ｍｏｌ）を少量ずつ加え、溶解させた。水溶液が室温まで冷却した後、トルエン２０ｍｌ、化合物Ｃ５．１７ｇ（１５．７ｍｍｏｌ）、臭化トリブチルアンモニウム１．５２ｇ（４．７２ｍｍｏｌ）を加え、５０℃に昇温した。臭化ｎ−オクチルを滴下し、滴下終了後５０℃で９時間反応させた。反応終了後トルエンで有機層を抽出し、２回水洗し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物Ｄ５．１３ｇ（収率７４％）を黄色のオイルとして得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：
δ０．５２（ｍ、２Ｈ）、０．７９（ｔ、６Ｈ）、１．００〜１．２０（ｍ、２２Ｈ）、２．０５（ｔ、４Ｈ）、７．３４（ｄ、１Ｈ）、７．４０〜７．５３（ｍ、２Ｈ）、７．６３（ｍ、３Ｈ）、７．８３（ｄ、１Ｈ）、７．９４（ｄ、１Ｈ）、８．３１（ｄ、１Ｈ）、８．７５（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）^＋ ４４１ (Synthesis of Compound D)

Under an inert atmosphere, 20 ml of ion-exchanged water was placed in a 200 ml three-necked flask, and 18.9 g (0.47 mol) of sodium hydroxide was added little by little with stirring to dissolve. After the aqueous solution was cooled to room temperature, 20 ml of toluene, 5.17 g (15.7 mmol) of Compound C and 1.52 g (4.72 mmol) of tributylammonium bromide were added, and the temperature was raised to 50 ° C. N-Octyl bromide was added dropwise, and after completion of the addition, the mixture was reacted at 50 ° C. for 9 hours. After completion of the reaction, the organic layer was extracted with toluene, washed twice with water, and dried over sodium sulfate. Purification by a silica gel column using hexane as a developing solvent gave 5.13 g (yield 74%) of Compound D as a yellow oil.
¹ H-NMR (300 MHz / CDCl ₃ ):
δ 0.52 (m, 2H), 0.79 (t, 6H), 1.00-1.20 (m, 22H), 2.05 (t, 4H), 7.34 (d, 1H), 7 40 to 7.53 (m, 2H), 7.63 (m, 3H), 7.83 (d, 1H), 7.94 (d, 1H), 8.31 (d, 1H), 8. 75 (d, 1H)
MS (APCI (+)): (M + H) ^<+> 441

（化合物Ｅの合成）

空気雰囲気下、５０ｍｌの三つ口フラスコに化合物Ｄ４．００ｇ（９．０８ｍｍｏｌ）と酢酸：ジクロロメタン＝１：１混合溶媒５７ｍｌを入れ、室温で撹拌、溶解させた。続いて三臭化ベンジルトリメチルアンモニウム７．７９ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を加えて撹拌しつつ、塩化亜鉛を三臭化ベンジルトリメチルアンモニウムが完溶するまで加えた。室温で２０時間撹拌後、５％亜硫酸水素ナトリウム水溶液１０ｍｌを加えて反応を停止し、クロロホルムで有機層を抽出し、炭酸カリウム水溶液で２回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ヘキサンを展開溶媒とするフラッシュカラムで２回精製した後、エタノール：ヘキサン＝１：１、続いて１０：１混合溶媒で再結晶することにより、化合物Ｅ４．１３ｇ（収率７６％）を白色結晶として得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：
δ０．６０（ｍ、２Ｈ）、０．９１（ｔ、６Ｈ）、１．０１〜１．３８（ｍ、２２Ｈ）、２．０９（ｔ、４Ｈ）、７．６２〜７．７５（ｍ、３Ｈ）、７．８９（ｓ、１Ｈ）、８．２０（ｄ、１Ｈ）、８．４７（ｄ、１Ｈ）、８．７２（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＰＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）^＋ ５９８
実施例１ ＜化合物Ｆの合成＞

窒素雰囲気下、５００ｍｌの三つ口フラスコに化合物Ｅ５．００ｇを２００ｍｌのテトラヒドロフランに溶解し、−１００℃に冷却した。ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍヘキサン溶液）５．２ｍｌを１５分で滴下した。３時間保温後、マグネシウムと１，２−ジブロモエタンから調製した臭化マグネシウム２．３０ｇを１０ｍｌのテトラヒドロフランに溶解させた溶液を滴下し、０℃まで昇温し、１時間保温した。再度−７８℃まで冷却し、トリメトキシボラン１．３２ｇを７ｍｌのテトラヒドロフランに溶解させた溶液を滴下した。１時間保温後、冷浴を外し、３時間攪拌した。アルミナを通して無機塩を除き、溶媒を留去したところ、５．６７ｇの化合物Ｆの粗生成物を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：
δ０．５２（ｂｒｓ、４Ｈ）、０．８２（ｔ、６Ｈ）、１．００〜１．１９（ｍ、２０Ｈ）、１．９７〜２．０４（ｍ、４Ｈ）７．４８〜７．５６（ｍ、４Ｈ）、７．６４（ｔ、１Ｈ）、７．９６（ｄ、１Ｈ）、８．１６（ｄ、１Ｈ）、８．６８（ｄ、１Ｈ）
実施例２ ＜化合物Ｇの合成＞

窒素雰囲気下、５０ｍｌ２口フラスコに炭酸カリウム０．６２ｇ、水３．５ｍｌ、トルエン３．５ｍｌ、１，４−ジヨードベンゼン０．５０ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．０３ｇ、化合物Ｆ１．７０ｇを取り、７０℃で８時間攪拌した。室温まで冷却後、水５ｍｌ加えて分液し、水相をさらに５ｍｌのトルエンで２回抽出した。有機相を合わせ、水、飽和食塩水で洗浄後、溶媒を留去したところ、１．３４ｇの粗生成物を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサンのみ）で精製後、０．４４ｇの化合物Ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：
δ０．６３（ｂｒｓ、８Ｈ）、０．８０（ｔ、１２Ｈ）、０．８８〜１．２０（ｍ、４０Ｈ）、２．０７（ｂｒｓ、８Ｈ）、７．５３〜７．６１（ｍ、８Ｈ）、７．６８〜７．７３（ｍ、６Ｈ）、８．２０〜８．２５（ｍ、４Ｈ）、８．７７（ｄ、２Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＰＩ（＋））：［Ｍ］^＋ １１１１
実施例３ ＜化合物Ｈの合成＞

窒素雰囲気下、５００ｍｌ３口フラスコに化合物Ｅ１０．００ｇ、テトラヒドロフラン１００ｍｌを取り、−４０〜−５０℃に保温し、１０．９ｍｌのｎ−ブチルリチウム（１．５４Ｍヘキサン溶液）を２０分で滴下した。１５分保温後、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン３．６１ｇを１８ｍｌのテトラヒドロフランに溶解させた溶液を滴下した。１時間保温後、０℃まで昇温し３０分保温した。１規定塩酸５０ｍｌを滴下し、トルエン１００ｍｌを加え分液した。水相をさらに１００ｍｌのトルエンで抽出し、有機相を合わせ、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過で硫酸ナトリウムを除き、溶媒を留去したところ、１１．２２ｇの化合物Ｈを黄色粘性オイルとして得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：
δ０．５０（ｂｒｓ、４Ｈ）、０．８０（ｔ、６Ｈ）、１．００〜１．２７（ｍ、２０Ｈ）、１．４６（ｓ、１２Ｈ）、１．９７〜２．１４（ｍ、４Ｈ）７．５４〜７．６５（ｍ、４Ｈ）、８．０３（ｓ、１Ｈ）、８．１９（ｄ、１Ｈ）、８．６６（ｄ、１Ｈ）、８．９２（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＰＩ（＋））：［Ｍ］^＋ ６４４
実施例４ ＜化合物Ｇの合成（別法）＞
窒素雰囲気下、１００ｍｌ３口フラスコに化合物Ｈ１．１２ｇ、トルエン６ｍｌ、水３ｍｌ、１，４−ジヨードベンゼン０．２０ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）１４ｍｇ、水酸化カリウム０．５９ｇ、臭化テトラブチルアンモニウム４８ｍｇを取り、６０℃で５時間保温した。室温まで冷却後、分液し、水相をトルエンで抽出した。有機相を合わせ、水、飽和食塩水で洗浄し、シリカゲルを敷いたグラスフィルターを通した後、溶媒を留去したところ、１．０２ｇの化合物Ｇを得た。
実施例５ ＜化合物Ｉの合成＞

窒素雰囲気下、２００ｍｌ３口フラスコに化合物Ｅ３．００ｇをとり、３０ｍｌのテトラヒドロフランに溶解させた。−４０〜−５０℃に保温し、ｎ−ブチルリチウム３．３ｍｌ（１．５４Ｍヘキサン溶液）を１５分で滴下した。滴下後１５分保温し、ヨウ素１．５０ｇを加えた。室温まで昇温し、４時間攪拌後、５％塩酸２０ｍｌを滴下し、３０ｍｌのトルエンで２回抽出した。有機相を合わせ、飽和亜硫酸水素ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄後、シリカゲルを敷いたグラスフィルターを通した後、溶媒を留去したところ、３．３６ｇの化合物Ｉを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：
δ０．５１（ｂｒｓ、４Ｈ）、０．７９（ｔ、６Ｈ）、１．０１〜１．２４（ｍ、２０Ｈ）、１．９９（ｔ、４Ｈ）７．４８〜７．６８（ｍ、４Ｈ）、８．０９（ｓ、１Ｈ）、８．１２（ｄ、１Ｈ）、８．２４（ｄ、１Ｈ）、８．５８（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＰＩ（＋））：［Ｍ］^＋ ６４４ (Synthesis of Compound E)

Under an air atmosphere, 4.00 g (9.08 mmol) of Compound D and 57 ml of a mixed solvent of acetic acid: dichloromethane = 1: 1 were placed in a 50 ml three-necked flask, and the mixture was stirred and dissolved at room temperature. Subsequently, 7.79 g (20.0 mmol) of benzyltrimethylammonium tribromide was added and stirred, and zinc chloride was added until benzyltribromide tribromide was completely dissolved. After stirring at room temperature for 20 hours, the reaction was stopped by adding 10 ml of 5% aqueous sodium hydrogen sulfite solution, the organic layer was extracted with chloroform, washed twice with aqueous potassium carbonate solution, and dried over sodium sulfate. After purification twice with a flash column using hexane as a developing solvent, 4.13 g (yield 76%) of Compound E was obtained as white crystals by recrystallization with ethanol: hexane = 1: 1, followed by a 10: 1 mixed solvent. Got as.
¹ H-NMR (300 MHz / CDCl ₃ ):
δ 0.60 (m, 2H), 0.91 (t, 6H), 1.01-1.38 (m, 22H), 2.09 (t, 4H), 7.62-7.75 (m, 3H), 7.89 (s, 1H), 8.20 (d, 1H), 8.47 (d, 1H), 8.72 (d, 1H)
MS (APPI (+)): (M + H) ⁺ 598
Example 1 <Synthesis of Compound F>

Under a nitrogen atmosphere, 5.00 g of compound E was dissolved in 200 ml of tetrahydrofuran in a 500 ml three-necked flask and cooled to −100 ° C. 5.2 ml of n-butyllithium (1.6M hexane solution) was added dropwise over 15 minutes. After incubating for 3 hours, a solution prepared by dissolving 2.30 g of magnesium bromide prepared from magnesium and 1,2-dibromoethane in 10 ml of tetrahydrofuran was dropped, and the temperature was raised to 0 ° C. and kept for 1 hour. The solution was cooled again to −78 ° C., and a solution of 1.32 g of trimethoxyborane dissolved in 7 ml of tetrahydrofuran was added dropwise. After incubating for 1 hour, the cold bath was removed and the mixture was stirred for 3 hours. When inorganic salts were removed through alumina and the solvent was distilled off, 5.67 g of a crude product of Compound F was obtained.
¹ H-NMR (300 MHz / CDCl ₃ ):
δ 0.52 (brs, 4H), 0.82 (t, 6H), 1.00 to 1.19 (m, 20H), 1.97 to 2.04 (m, 4H) 7.48 to 7.56 (M, 4H), 7.64 (t, 1H), 7.96 (d, 1H), 8.16 (d, 1H), 8.68 (d, 1H)
Example 2 <Synthesis of Compound G>

Under a nitrogen atmosphere, in a 50 ml two-necked flask, 0.62 g of potassium carbonate, 3.5 ml of water, 3.5 ml of toluene, 0.50 g of 1,4-diiodobenzene, 0.03 g of tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0), compound 1.70 g of F was taken and stirred at 70 ° C. for 8 hours. After cooling to room temperature, 5 ml of water was added for liquid separation, and the aqueous phase was further extracted twice with 5 ml of toluene. The organic phases were combined, washed with water and saturated brine, and then the solvent was distilled off to obtain 1.34 g of a crude product. After purification by silica gel column chromatography (developing solvent: hexane only), 0.44 g of compound G was obtained.
¹ H-NMR (300 MHz / CDCl ₃ ):
δ 0.63 (brs, 8H), 0.80 (t, 12H), 0.88 to 1.20 (m, 40H), 2.07 (brs, 8H), 7.53 to 7.61 (m, 8H), 7.68-7.73 (m, 6H), 8.20-8.25 (m, 4H), 8.77 (d, 2H)
MS (APPI (+)): [M] ⁺ 1111
Example 3 <Synthesis of Compound H>

Under a nitrogen atmosphere, 10.00 g of Compound E and 100 ml of tetrahydrofuran were placed in a 500 ml three-necked flask, kept at −40 to −50 ° C., and 10.9 ml of n-butyllithium (1.54 M hexane solution) was added dropwise over 20 minutes. After incubating for 15 minutes, a solution prepared by dissolving 3.61 g of 2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane in 18 ml of tetrahydrofuran was added dropwise. After keeping the temperature for 1 hour, the temperature was raised to 0 ° C. and kept for 30 minutes. 50 ml of 1N hydrochloric acid was added dropwise, and 100 ml of toluene was added for liquid separation. The aqueous phase was further extracted with 100 ml of toluene, and the organic phases were combined, washed with a saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution and saturated brine, and then dried over sodium sulfate. Sodium sulfate was removed by filtration, and the solvent was distilled off to obtain 11.22 g of compound H as a yellow viscous oil.
¹ H-NMR (300 MHz / CDCl ₃ ):
δ 0.50 (brs, 4H), 0.80 (t, 6H), 1.00 to 1.27 (m, 20H), 1.46 (s, 12H), 1.97 to 2.14 (m, 4H) 7.54-7.65 (m, 4H), 8.03 (s, 1H), 8.19 (d, 1H), 8.66 (d, 1H), 8.92 (d, 1H)
MS (APPI (+)): [M] ⁺ 644
Example 4 <Synthesis of Compound G (Alternative Method)>
Under a nitrogen atmosphere, in a 100 ml three-necked flask, 1.12 g of compound H, 6 ml of toluene, 3 ml of water, 0.20 g of 1,4-diiodobenzene, 14 mg of tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0), 0.59 g of potassium hydroxide, odor 48 mg of tetrabutylammonium bromide was taken and kept at 60 ° C. for 5 hours. After cooling to room temperature, liquid separation was performed, and the aqueous phase was extracted with toluene. The organic phases were combined, washed with water and saturated brine, passed through a glass filter with silica gel, and then the solvent was distilled off to obtain 1.02 g of Compound G.
Example 5 <Synthesis of Compound I>

Under a nitrogen atmosphere, 3.00 g of compound E was placed in a 200 ml three-necked flask and dissolved in 30 ml of tetrahydrofuran. The temperature was kept at −40 to −50 ° C., and 3.3 ml (1.54 M hexane solution) of n-butyllithium was added dropwise over 15 minutes. After dropping, the mixture was kept warm for 15 minutes, and 1.50 g of iodine was added. After warming to room temperature and stirring for 4 hours, 20 ml of 5% hydrochloric acid was added dropwise, and the mixture was extracted twice with 30 ml of toluene. The organic phases were combined, washed with a saturated aqueous solution of sodium hydrogen sulfite, a saturated aqueous solution of sodium bicarbonate, and a saturated saline solution, passed through a glass filter with silica gel, and then the solvent was distilled off to obtain 3.36 g of compound I. It was.
¹ H-NMR (300 MHz / CDCl ₃ ):
δ 0.51 (brs, 4H), 0.79 (t, 6H), 1.01-1.24 (m, 20H), 1.99 (t, 4H) 7.48-7.68 (m, 4H) ), 8.09 (s, 1H), 8.12 (d, 1H), 8.24 (d, 1H), 8.58 (d, 1H)
MS (APPI (+)): [M] ⁺ 644

合成例２ ＜化合物Ｌの合成＞
（化合物Ｊの合成）

不活性雰囲気下で、５００ｍｌの３つ口フラスコに酢酸２２５ｇを入れ、５−ｔ−ブチル−ｍ−キシレン２４．３ｇを加えた。続いて臭素３１．２ｇを加えた後、１５〜２０℃で３時間反応させた。
反応液を水５００ｍｌに加え析出した沈殿をろ過した。水２５０ｍｌで２回洗浄し、白色固体の化合物Ｊを３４．２ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：
δ（ｐｐｍ）＝１．３〔ｓ，９Ｈ〕、２．４〔ｓ，６Ｈ〕、７．１〔ｓ，２Ｈ〕
ＭＳ（ＦＤ＋）Ｍ＋ ２４１ Synthesis Example 2 <Synthesis of Compound L>
(Synthesis of Compound J)

Under an inert atmosphere, 225 g of acetic acid was placed in a 500 ml three-necked flask, and 24.3 g of 5-t-butyl-m-xylene was added. Then, after adding 31.2 g of bromine, it was made to react at 15-20 degreeC for 3 hours.
The reaction solution was added to 500 ml of water, and the deposited precipitate was filtered. This was washed twice with 250 ml of water to obtain 34.2 g of Compound J as a white solid.
¹ H-NMR (300 MHz / CDCl ₃ ):
δ (ppm) = 1.3 [s, 9H], 2.4 [s, 6H], 7.1 [s, 2H]
MS (FD +) M + 241

（化合物Ｋの合成）

不活性雰囲気下で、１００ｍｌの３つ口フラスコに脱気した脱水トルエン３６ｍｌを入れ、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン０．６３ｇを加えた。続いてトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム ０．４１ｇ、化合物Ｊ９．６ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム５．２ｇ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−フェニレンジアミン４．７ｇを加えた後、１００℃で３時間反応させた。
反応液を飽和食塩水３００ｍｌに加え、約５０℃に温めたクロロホルム３００ｍｌで抽出した。溶媒を留去した後、トルエン１００ｍｌを加えて、固体が溶解するまで加熱し、放冷した後、沈殿をろ過し、白色固体の化合物Ｋ９．９ｇを得た。 (Synthesis of Compound K)

Under an inert atmosphere, 36 ml of degassed dehydrated toluene was placed in a 100 ml three-necked flask, and 0.63 g of tri (t-butyl) phosphine was added. Subsequently, 0.41 g of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium, Compound 9.6 g, 5.2 g of sodium t-butoxy, and 4.7 g of N, N′-diphenyl-1,4-phenylenediamine were added, and then 100 ° C. For 3 hours.
The reaction solution was added to 300 ml of saturated brine and extracted with 300 ml of chloroform warmed to about 50 ° C. After distilling off the solvent, 100 ml of toluene was added, and the mixture was heated until the solid was dissolved and allowed to cool, and then the precipitate was filtered to obtain 9.9 g of white solid compound K.

（化合物Ｌの合成）

不活性雰囲気下で、１０００ｍｌの３つ口フラスコに脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３５０ｍｌを入れ、化合物Ｋ５．２ｇを溶解した後、氷浴下でＮ−ブロモスクシンイミド３．５ｇ／Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶液を滴下し、一昼夜反応させた。
反応液に水１５０ｍｌを加え、析出した沈殿をろ過し、メタノール５０ｍｌで２回洗浄し白色固体の化合物Ｌ４．４ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＴＨＦ−ｄ８）：
δ（ｐｐｍ）＝１．３〔ｓ，１８Ｈ〕、２．０〔ｓ，１２Ｈ〕、６．６〜６．７〔ｄ，４Ｈ〕、６．８〜６．９〔ｂｒ，４Ｈ〕、７．１〔ｓ，４Ｈ〕、７．２〜７．３〔ｄ，４Ｈ〕
ＭＳ（ＦＤ^＋）Ｍ^＋ ７３８ (Synthesis of Compound L)

Under an inert atmosphere, 350 ml of dehydrated N, N-dimethylformamide was placed in a 1000 ml three-necked flask to dissolve 5.2 g of Compound K, and then 3.5 g of N-bromosuccinimide / N, N-dimethyl under an ice bath. A formamide solution was added dropwise to react overnight.
150 ml of water was added to the reaction solution, and the deposited precipitate was filtered and washed twice with 50 ml of methanol to obtain 4.4 g of white solid compound L.
¹ H-NMR (300 MHz / THF-d8):
δ (ppm) = 1.3 [s, 18H], 2.0 [s, 12H], 6.6 to 6.7 [d, 4H], 6.8 to 6.9 [br, 4H], 7 .1 [s, 4H], 7.2 to 7.3 [d, 4H]
MS (FD ^<+> ) M ^<+> 738

合成例３ ＜化合物Ｎの合成＞
（化合物Ｍの合成）

不活性雰囲気下で、３００ｍｌの３つ口フラスコに脱気した脱水トルエン１６６０ｍｌを入れ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン２７５．０ｇ、化合物Ｊ４４９．０ｇを加えた。続いてトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム ７．４８ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム１９６．４ｇ、を加えた後、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン５．０ｇを加えた。その後、１０５℃で７時間反応させた。
反応液にトルエン２０００ｍｌを加え、セライト濾過し、濾液を水１０００ｍｌで３回洗浄した後、７００ｍｌまで濃縮した。これにトルエン／メタノール（１：１）溶液１６００ｍｌを加え、析出した結晶を濾過し、メタノールで洗浄した。白色固体の化合物Ｍ４７９．４ｇを得た。
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）^＋ ６５７．４
（化合物Ｎの合成）

不活性雰囲気下で、クロロホルム４７３０ｇに、化合物Ｍ４７２．８ｇを溶解した後、遮光及び氷浴下でＮ−ブロモスクシンイミド２８１．８ｇを１２分割で１時間かけて仕込み、３時間反応させた。
クロロホルム１４３９ｍｌを反応液に加え、濾過し、濾液のクロロホルム溶液を５％チオ硫酸ナトリウム２１５９ｍｌで洗浄し、トルエンを溶媒留去して白色結晶を得た。得られた白色結晶をトルエン／エタノールで再結晶し、白色結晶の化合物Ｎ６７８．７ｇを得た。
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）^＋ ８１５．２ Synthesis Example 3 <Synthesis of Compound N>
(Synthesis of Compound M)

Under an inert atmosphere, 1660 ml of degassed dehydrated toluene was placed in a 300 ml three-necked flask, and 275.0 g of N, N′-diphenylbenzidine and 449.0 g of Compound J were added. Subsequently, after adding 7.48 g of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium and 196.4 g of t-butoxy sodium, 5.0 g of tri (t-butyl) phosphine was added. Then, it was made to react at 105 degreeC for 7 hours.
Toluene (2000 ml) was added to the reaction mixture, and the mixture was filtered through Celite. The filtrate was washed with 1000 ml of water three times and then concentrated to 700 ml. To this was added 1600 ml of a toluene / methanol (1: 1) solution, and the precipitated crystals were filtered and washed with methanol. 479.4 g of white solid compound M was obtained.
MS (APCI (+)): (M + H) ^<+ > 657.4.
(Synthesis of Compound N)

In an inert atmosphere, 472.8 g of Compound M was dissolved in 4730 g of chloroform, and then 281.8 g of N-bromosuccinimide was charged in 12 portions over 1 hour under a light-shielded and ice bath, and reacted for 3 hours.
Chloroform 1439 ml was added to the reaction solution, followed by filtration. The chloroform solution of the filtrate was washed with 2159 ml of 5% sodium thiosulfate, and toluene was distilled off to obtain white crystals. The obtained white crystals were recrystallized with toluene / ethanol to obtain 678.7 g of white crystals of Compound N.
MS (APCI (+)): (M + H) ^<+ > 815.2.

実施例６ ＜高分子化合物１の合成＞
化合物Ｇ ９．０ｇと２，２’−ビピリジル３．３６ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）１５００ｇを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を６．０ｇ加え、室温で１０分間攪拌した後、６０℃で３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この反応溶液を冷却した後、この溶液に、２５％アンモニア水１００ｍｌ／メタノール５００ｍｌ／イオン交換水５００ｍｌ混合溶液をそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。このトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を、１規定塩酸水溶液で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、約３％アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液をイオン交換水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、メタノール中にそそぎ込み、再沈生成した。
次に、生成した沈殿を回収し、メタノールで洗浄した後、この沈殿を減圧乾燥して、重合体６．０ｇを得た。この重合体を高分子化合物１と呼ぶ。得られた高分子化合物１のポリスチレン換算数平均分子量及び重量平均分子量はそれぞれＭｎ＝８．１ｘ１０^４、Ｍｗ＝６．４ｘ１０^５であった。Ｔｇは１６１℃であった。 Example 6 <Synthesis of Polymer Compound 1>
After charging 9.0 g of Compound G and 3.36 g of 2,2′-bipyridyl into the reaction vessel, the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. To this, 1500 g of tetrahydrofuran (dehydrated solvent) deaerated in advance by bubbling with argon gas was added. Next, 6.0 g of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added to this mixed solution, and the mixture was stirred at room temperature for 10 minutes and then reacted at 60 ° C. for 3 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere.
After the reaction, this reaction solution was cooled, and a mixed solution of 25% aqueous ammonia 100 ml / methanol 500 ml / ion exchanged water 500 ml was poured into this solution and stirred for about 1 hour. Next, the produced precipitate was filtered and collected. This precipitate was dried under reduced pressure and then dissolved in toluene. This toluene solution was filtered to remove insoluble matters, and then this toluene solution was washed with a 1N hydrochloric acid aqueous solution, allowed to stand and liquid-separated, and then the toluene solution was recovered. Next, this toluene solution was washed with about 3% aqueous ammonia, allowed to stand and separated, and then the toluene solution was recovered. Next, this toluene solution was washed with ion-exchanged water, allowed to stand and separated, and then the toluene solution was recovered. Next, this toluene solution was poured into methanol and re-precipitated.
Next, the produced precipitate was recovered, washed with methanol, and then dried under reduced pressure to obtain 6.0 g of a polymer. This polymer is referred to as polymer compound 1. The obtained polymer compound 1 had a polystyrene-equivalent number average molecular weight and a weight average molecular weight of Mn = 8.1 × 10 ⁴ and Mw = 6.4 × 10 ⁵ , respectively. Tg was 161 ° C.

実施例７ ＜高分子化合物２の合成＞
化合物Ｇ（３．１０ｇ、２．７８ｍｍｏｌ）、化合物Ｎ（１．９３ｇ、２．３７ｍｍｏｌ）及び２，２’−ビピリジル（２．１７ｇ、１３．９ｍｍｏｌ）を脱水したテトラヒドロフラン２２０ｍＬに溶解した後、窒素でバブリングして系内を窒素置換した。次に、攪拌を開始し５５℃まで昇温した後、窒素雰囲気下において、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）_２｝（３．８３ｇ、１３．９ｍｍｏｌ）を加え、６０℃まで昇温し、攪拌しながら３時間反応させた。反応後、この反応液を室温（約２５℃）まで冷却し、２５％アンモニア水１９ｍＬ／メタノール２２０ｍＬ／イオン交換水２２０ｍＬ混合溶液中に滴下して攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、その後、トルエン１５５ｍＬに溶解させてからろ過を行い、ろ液をアルミナカラムに通して精製し、トルエン層を、５．２％塩酸水約３００ｍＬで３時間、４％アンモニア水約３００ｍＬで２時間、さらにイオン交換水約３００ｍＬで洗浄した。有機層をメタノール約４６０ｍＬに滴下して１時間攪拌し、ろ過して２時間減圧乾燥した。収量は３．６５ｇであった。この重合体を高分子化合物２と呼ぶ。ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝５．６ｘ１０^４、Ｍｗ＝３．３ｘ１０^５であった。Ｔｇは２３４℃であった。 Example 7 <Synthesis of Polymer Compound 2>
Compound G (3.10 g, 2.78 mmol), Compound N (1.93 g, 2.37 mmol) and 2,2′-bipyridyl (2.17 g, 13.9 mmol) were dissolved in 220 mL of dehydrated tetrahydrofuran, and then nitrogen was added. The system was purged with nitrogen. Next, stirring was started and the temperature was raised to 55 ° C., and then in a nitrogen atmosphere, bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) {Ni (COD) ₂ } (3.83 g, 13.9 mmol) The mixture was heated to 60 ° C. and reacted for 3 hours with stirring. After the reaction, this reaction solution was cooled to room temperature (about 25 ° C.), dropped into 25% ammonia water 19 mL / methanol 220 mL / ion exchange water 220 mL mixed solution and stirred, and then the deposited precipitate was filtered for 2 hours. After drying under reduced pressure, the residue was dissolved in 155 mL of toluene and filtered, and the filtrate was purified by passing through an alumina column. The toluene layer was purified with about 300 mL of 5.2% hydrochloric acid for 3 hours and about 300 mL of 4% aqueous ammonia. And washed with about 300 mL of ion exchange water for 2 hours. The organic layer was added dropwise to about 460 mL of methanol, stirred for 1 hour, filtered and dried under reduced pressure for 2 hours. The yield was 3.65g. This polymer is referred to as polymer compound 2. The number average molecular weight and weight average molecular weight in terms of polystyrene were Mn = 5.6 × 10 ⁴ and Mw = 3.3 × 10 ⁵ , respectively. Tg was 234 ° C.

合成例Ａ ＜高分子化合物３の合成＞
化合物Ｅ（０．７２１ｇ）、化合物Ｌ（０．４０８ｇ）、２，２’−ビピリジル（０．５０６ｇ）を脱水したテトラヒドロフラン４３ｍＬに溶解した後、窒素でバブリングして系内を窒素置換した。６０℃まで昇温後、窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）_２｝（０．８９１ｇ）を加え、攪拌し、３時間反応させた。この反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水４ｍＬ／メタノール４３ｍＬ／イオン交換水４３ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥し、トルエン３６ｍｌに溶解させた。溶解後、ラヂオライトを加えて３０分攪拌し、不溶解物を濾過した。そして、得られた濾液をアルミナカラムを通して精製を行った。次に５．２％塩酸水７１ｍＬを加え３時間攪拌した後に水層を除去した。つづいて４％アンモニア水７１ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。さらに有機層にイオン交換水約７１ｍＬを加え１時間攪拌した後、水層を除去した。その後、有機層をメタノール１１３ｍｌに注加して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。得られた重合体（以後、高分子化合物３と呼ぶ）の収量は０．６４９ｇであった。また、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝３．３ｘ１０^４、Ｍｗ＝５．２ｘ１０^５であった。Ｔｇは１５４℃であった。 Synthesis Example A < Synthesis of Polymer Compound 3>
Compound E (0.721 g), Compound L (0.408 g), and 2,2′-bipyridyl (0.506 g) were dissolved in 43 mL of dehydrated tetrahydrofuran, and the system was purged with nitrogen by bubbling with nitrogen. After raising the temperature to 60 ° C., bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) {Ni (COD) ₂ } (0.891 g) was added to this solution under a nitrogen atmosphere, and the mixture was stirred for 3 hours. Reacted. The reaction solution was cooled to room temperature, dropped into a mixed solution of 25% aqueous ammonia 4 mL / methanol 43 mL / ion-exchanged water 43 mL, stirred for 1 hour, the deposited precipitate was filtered, dried under reduced pressure, and dissolved in 36 mL of toluene. I let you. After dissolution, radiolite was added and stirred for 30 minutes, and the insoluble material was filtered. The obtained filtrate was purified through an alumina column. Next, 71 mL of 5.2% aqueous hydrochloric acid was added and stirred for 3 hours, and then the aqueous layer was removed. Subsequently, 71 mL of 4% ammonia water was added and stirred for 2 hours, and then the aqueous layer was removed. Further, about 71 mL of ion-exchanged water was added to the organic layer and stirred for 1 hour, and then the aqueous layer was removed. Thereafter, the organic layer was poured into 113 ml of methanol and stirred for 1 hour, and the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure. The yield of the obtained polymer (hereinafter referred to as polymer compound 3) was 0.649 g. The number average molecular weight and weight average molecular weight in terms of polystyrene were Mn = 3.3 × 10 ⁴ and Mw = 5.2 × 10 ⁵ , respectively. Tg was 154 ° C.

合成例４ ＜高分子化合物４の合成＞
化合物Ｅ９．８７５ｇ、２，２’−ビピリジル ６．９５８ｇを脱水したテトラヒドロフラン１１８８ｍＬに溶解した後、窒素雰囲気下において６０℃まで昇温し、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）_２｝１２．２５３ｇを加え、３時間反応させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水５９ｍｌ／メタノール１１８８ｍｌ／イオン交換水１１８８ｍｌ混合溶液中に滴下して３０分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥した、続いて同様に合成したもの（但し、スケールは１．０９倍）２バッチと混合し、トルエン１５７５ｍｌに溶解させた。溶解後、ラヂオライト６．３０ｇを加えて３０分攪拌し、不溶解物を濾過した。得られた濾液をアルミナカラムを通して精製を行った。次に５．２％塩酸水３０９８ｍＬを加え３時間攪拌した後に水層を除去した。続いて４％アンモニア水３０９８ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。さらに有機層にイオン交換水約３０９８ｍＬを加え１時間攪拌した後、水層を除去した。その後、有機層をメタノール４９３５ｍｌに注加して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。得られた重合体（以後、高分子化合物４と呼ぶ）の収量は１５．４６０ｇであった。また、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝７．８ｘ１０^４、Ｍｗ＝４．１ｘ１０^５であった。Ｔｇは１２１℃であった。 Synthesis Example 4 <Synthesis of Polymer Compound 4>
After dissolving 9.875 g of compound E and 6.958 g of 2,2′-bipyridyl in 1188 mL of dehydrated tetrahydrofuran, the temperature was raised to 60 ° C. in a nitrogen atmosphere, and bis (1,5-cyclooctadiene) nickel was added to this solution. (0) {Ni (COD) ₂ } 12.253 g was added and reacted for 3 hours. After the reaction, this reaction solution was cooled to room temperature, dropped into a mixed solution of 25% ammonia water 59 ml / methanol 1188 ml / ion exchanged water 1188 ml and stirred for 30 minutes, and then the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure for 2 hours. Subsequently, the same synthesis (however, the scale was 1.09 times) was mixed with 2 batches and dissolved in 1575 ml of toluene. After dissolution, 6.30 g of radiolite was added and stirred for 30 minutes, and the insoluble material was filtered. The obtained filtrate was purified through an alumina column. Next, after adding 3098 mL of 5.2% aqueous hydrochloric acid and stirring for 3 hours, the aqueous layer was removed. Subsequently, 3098 mL of 4% aqueous ammonia was added, and after stirring for 2 hours, the aqueous layer was removed. Further, about 3098 mL of ion-exchanged water was added to the organic layer and stirred for 1 hour, and then the aqueous layer was removed. Thereafter, the organic layer was poured into 4935 ml of methanol and stirred for 1 hour, and the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure. The yield of the obtained polymer (hereinafter referred to as polymer compound 4) was 15.460 g. The number average molecular weight and weight average molecular weight in terms of polystyrene were Mn = 7.8 × 10 ⁴ and Mw = 4.1 × 10 ⁵ , respectively. Tg was 121 ° C.

合成例５ ＜高分子化合物５の合成＞
化合物Ｅ １．８８ｇと化合物Ｎ １．１ｇと２，２’−ビピリジル１．６８ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）１５０ｇを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を３．０ｇを加え、室温で１０分間攪拌した後、６０℃で３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この反応溶液を冷却した後、この溶液に、２５％アンモニア水２０ｍｌ／メタノール１５０ｍｌ／イオン交換水１５０ｍｌ混合溶液をそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。このトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を、アルミナを充填したカラムを通すことにより精製した。次に、このトルエン溶液を、約３％アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液をイオン交換水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、メタノール中にそそぎ込み、再沈生成した。
次に、生成した沈殿を回収し、この沈殿を減圧乾燥して、重合体１．１ｇを得た。この重合体を高分子化合物５と呼ぶ。得られた高分子化合物のポリスチレン換算数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝２．３ｘ１０^４、Ｍｗ＝１．１ｘ１０^５であった。Ｔｇは２２０℃であった。 Synthesis Example 5 <Synthesis of Polymer Compound 5>
1.88 g of compound E, 1.1 g of compound N, and 1.68 g of 2,2′-bipyridyl were charged into the reaction vessel, and the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. To this was added 150 g of tetrahydrofuran (dehydrated solvent) deaerated previously by bubbling with argon gas. Next, 3.0 g of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added to this mixed solution, and the mixture was stirred at room temperature for 10 minutes and then reacted at 60 ° C. for 3 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere.
After the reaction, this reaction solution was cooled, and then a mixed solution of 25% aqueous ammonia 20 ml / methanol 150 ml / ion exchanged water 150 ml was poured into this solution and stirred for about 1 hour. Next, the produced precipitate was filtered and collected. This precipitate was dried under reduced pressure and then dissolved in toluene. The toluene solution was filtered to remove insoluble matters, and the toluene solution was purified by passing through a column packed with alumina. Next, this toluene solution was washed with about 3% aqueous ammonia, allowed to stand and separated, and then the toluene solution was recovered. Next, this toluene solution was washed with ion-exchanged water, allowed to stand and separated, and then the toluene solution was recovered. Next, this toluene solution was poured into methanol and re-precipitated.
Next, the produced precipitate was recovered, and this precipitate was dried under reduced pressure to obtain 1.1 g of a polymer. This polymer is referred to as polymer compound 5. The polystyrene equivalent number average molecular weight and weight average molecular weight of the obtained polymer compound were Mn = 2.3 × 10 ⁴ and Mw = 1.1 × 10 ⁵ , respectively. Tg was 220 ° C.

実施例８＜素子１の作成＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより、８０ｎｍの厚みで成膜を行い、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、重量比で高分子化合物１：高分子化合物２＝３：２の混合物のトルエン溶液を用いてスピンコートにより約８０ｎｍの厚みで成膜を行った。さらにこれを減圧下１１０℃にて乾燥した後、フッ化リチウムを約４ｎｍの厚みに蒸着し、陰極として、カルシウムを約５ｎｍの厚みに蒸着し、アルミニウムを約１５０ｎｍの厚みに蒸着してＥＬ素子を作製した。蒸着のときの真空度は、すべて１〜８×１０^−６Ｔｏｒｒであった。得られた素子に電圧を引加することにより、４５５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、１０００ｃｄ／ｍ^２におけるＣＩＥ１９３１で規格された色度座標は、ＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．１３１，０．１４０）であり、初期輝度の４０％まで劣化させた後はＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．１４６，０．１４９）であった。
比較例１＜素子２の作成＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより、８０ｎｍの厚みで成膜を行い、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、重量比で高分子化合物４：高分子化合物５＝３：１の混合物のトルエン溶液を用いてスピンコートにより約７０ｎｍの厚みで成膜を行った。さらにこれを減圧下１１０℃にて乾燥した後、フッ化リチウムを約４ｎｍの厚みに蒸着し、陰極として、カルシウムを約５ｎｍの厚みに蒸着し、アルミニウムを約１５０ｎｍの厚みに蒸着してＥＬ素子を作製した。蒸着のときの真空度は、すべて１〜８×１０^−６Ｔｏｒｒであった。得られた素子に電圧を引加することにより、４５５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、１０００ｃｄ／ｍ^２におけるＣＩＥ１９３１で規格された色度座標は、ＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．１４７，０．１４６）であり、初期輝度の４０％まで劣化させた後はＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．１９０，０．２１５）であった。 Example 8 <Creation of element 1>
A glass substrate having an ITO film with a thickness of 150 nm formed by sputtering is spin-coated using a poly (ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonic acid solution (Bayer, BaytronP) to form a film with a thickness of 80 nm. And dried on a hot plate at 200 ° C. for 10 minutes. Next, a film having a thickness of about 80 nm was formed by spin coating using a toluene solution of a mixture of polymer compound 1: polymer compound 2 = 3: 2 in weight ratio. Furthermore, after drying this at 110 ° C. under reduced pressure, lithium fluoride is evaporated to a thickness of about 4 nm, calcium is evaporated to a thickness of about 5 nm as a cathode, and aluminum is evaporated to a thickness of about 150 nm to form an EL element. Was made. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 1 to 8 × 10 ⁻⁶ Torr. By applying voltage to the resulting device, EL light emission having a peak at 455 nm was obtained. The element has CIE (x, y) = (0.131, 0.140) chromaticity coordinates standardized by CIE 1931 at 1000 cd / m ² , and after deteriorating to 40% of the initial luminance, CIE. (X, y) = (0.146, 0.149).
Comparative Example 1 <Creation of element 2>
A glass substrate having an ITO film with a thickness of 150 nm formed by sputtering is spin-coated using a poly (ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonic acid solution (Bayer, BaytronP) to form a film with a thickness of 80 nm. And dried on a hot plate at 200 ° C. for 10 minutes. Next, a film having a thickness of about 70 nm was formed by spin coating using a toluene solution of a mixture of polymer compound 4: polymer compound 5 = 3: 1 by weight ratio. Furthermore, after drying this at 110 ° C. under reduced pressure, lithium fluoride is evaporated to a thickness of about 4 nm, calcium is evaporated to a thickness of about 5 nm as a cathode, and aluminum is evaporated to a thickness of about 150 nm to form an EL element. Was made. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 1 to 8 × 10 ⁻⁶ Torr. By applying voltage to the resulting device, EL light emission having a peak at 455 nm was obtained. The element has CIE (x, y) = (0.147, 0.146) chromaticity coordinates standardized by CIE 1931 at 1000 cd / m ² , and after deteriorating to 40% of the initial luminance, CIE. (X, y) = (0.190, 0.215).

実施例９ ＜高分子化合物６の合成＞
化合物Ｇ（５．１０３ｇ）、２，２’−ビピリジル（１．９３３ｇ）を脱水したテトラヒドロフラン１３２０ｍＬに溶解した後、窒素雰囲気下において６０℃まで昇温後、この溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）_２｝（３．４０４ｇ）を加え、攪拌し、３時間反応させた。反応後、室温まで冷却し、この反応液を２５％アンモニア水１７ｍＬ／メタノール１３２０ｍＬ／イオン交換水１３２０ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。同様に合成した２バッチとあわせ、トルエン１７００ｍｌに溶解させた。溶解後、ラヂオライト１５０ｇを加えて３０分攪拌し、不溶解物を濾過した。得られた濾液をアルミナカラムを通して精製を行った。得られた精製液を８００ｍｌまで濃縮後、５．２％塩酸水８００ｍＬを加え３時間攪拌した後に水層を除去した。次に４％アンモニア水８００ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。続いてイオン交換水約８００ｍＬを加え、１時間攪拌した後、水層を除去した。その後、有機層をメタノール２４００ｍｌに注加して０．５時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。得られた重合体（以後、高分子化合物６と呼ぶ）の収量は７．６０ｇであった。また、ポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝９．７ｘ１０^４、Ｍｗ＝４．３ｘ１０^５であった。Ｔｇは１５７℃であった。 Example 9 <Synthesis of Polymer Compound 6>
Compound G (5.103 g) and 2,2′-bipyridyl (1.933 g) were dissolved in 1320 mL of dehydrated tetrahydrofuran, heated to 60 ° C. in a nitrogen atmosphere, and bis (1,5- Cyclooctadiene) nickel (0) {Ni (COD) ₂ } (3.404 g) was added, stirred and allowed to react for 3 hours. After the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, and the reaction solution was dropped into a mixed solution of 25% aqueous ammonia 17 mL / methanol 1320 mL / ion exchanged water 1320 mL and stirred for 1 hour, and then the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure. The two batches synthesized in the same manner were dissolved in 1700 ml of toluene. After dissolution, 150 g of radiolite was added and stirred for 30 minutes, and the insoluble material was filtered off. The obtained filtrate was purified through an alumina column. The purified solution thus obtained was concentrated to 800 ml, then added with 800 mL of 5.2% hydrochloric acid and stirred for 3 hours, and then the aqueous layer was removed. Next, 800 mL of 4% aqueous ammonia was added, and after stirring for 2 hours, the aqueous layer was removed. Subsequently, about 800 mL of ion-exchanged water was added and stirred for 1 hour, and then the aqueous layer was removed. Thereafter, the organic layer was poured into 2400 ml of methanol and stirred for 0.5 hour, and the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure. The yield of the obtained polymer (hereinafter referred to as polymer compound 6) was 7.60 g. The number average molecular weight and weight average molecular weight in terms of polystyrene were Mn = 9.7 × 10 ⁴ and Mw = 4.3 × 10 ⁵ , respectively. Tg was 157 ° C.

実施例１０ ＜高分子化合物７の合成＞
化合物Ｇ（５．５１１ｇ）、化合物Ｌ（３．１１５ｇ）、２，２’−ビピリジル（３．８６５ｇ）を脱水したテトラヒドロフラン１３２０ｍＬに溶解した後、窒素雰囲気下において６０℃まで昇温後、この溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）_２｝（６．８０７ｇ）を加え、攪拌し、３時間反応させた。反応後、室温まで冷却し、この反応液を２５％アンモニア水３３ｍＬ／メタノール１３２０ｍＬ／イオン交換水１３２０ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥し、トルエン２７５ｍｌに溶解させた。溶解後、ラヂオライト１１ｇを加えて３０分攪拌し、不溶解物を濾過した。得られた濾液をアルミナカラムを通して精製を行った。得られた精製液を４％アンモニア水５４１ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。続いてイオン交換水約５４１ｍＬを加え、１時間攪拌した後、水層を除去した。その後、有機層をメタノール８６２ｍｌに注加して０．５時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。得られた重合体（以後、高分子化合物７と呼ぶ）の収量は５．４８ｇであった。また、ポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝２．０ｘ１０^４、Ｍｗ＝１．７ｘ１０^５であった。Ｔｇは２１４℃であった。 Example 10 <Synthesis of Polymer Compound 7>
Compound G (5.511 g), Compound L (3.115 g) and 2,2′-bipyridyl (3.865 g) were dissolved in 1320 mL of dehydrated tetrahydrofuran, and the temperature was raised to 60 ° C. in a nitrogen atmosphere. Bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) {Ni (COD) ₂ } (6.807 g) was added to the mixture, and the mixture was stirred and reacted for 3 hours. After the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, and this reaction solution was dropped into a mixed solution of 25% ammonia water 33 mL / methanol 1320 mL / ion exchange water 1320 mL and stirred for 1 hour, and then the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure. Dissolved in 275 ml. After dissolution, 11 g of radiolite was added and stirred for 30 minutes, and the insoluble material was filtered. The obtained filtrate was purified through an alumina column. The purified solution thus obtained was added with 541 mL of 4% aqueous ammonia and stirred for 2 hours, and then the aqueous layer was removed. Subsequently, about 541 mL of ion-exchanged water was added and stirred for 1 hour, and then the aqueous layer was removed. Thereafter, the organic layer was poured into 862 ml of methanol and stirred for 0.5 hour, and the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure. The yield of the obtained polymer (hereinafter referred to as polymer compound 7) was 5.48 g. The number average molecular weight and weight average molecular weight in terms of polystyrene were Mn = 2.0 × 10 ⁴ and Mw = 1.7 × 10 ⁵ , respectively. Tg was 214 ° C.

合成例６
＜高分子化合物８の合成＞
化合物Ｅ（１１．７３０ｇ）、化合物Ｌ（０．２９５ｇ）、２，２’−ビピリジル（８．４３４ｇ）を脱水したテトラヒドロフラン１１５２ｍＬに溶解した後、窒素雰囲気下において６０℃まで昇温後、この溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）_２｝（１４．８５３ｇ）を加え、攪拌し、３時間反応させた。反応後、室温まで冷却し、この反応液を２５％アンモニア水７２ｍＬ／メタノール１１５２ｍＬ／イオン交換水１１５２ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。同様に合成したもの数バッチ（Ｆ０１８トータル３７．１２５ｇスケール）とあわせ、トルエン１９００ｍｌに溶解後、ラヂオライト１５２ｇを加えて３０分攪拌し、不溶解物を濾過した。得られた濾液をアルミナカラムを通して精製を行った。得られた精製液に５．２％塩酸水２３５０ｍＬを加え、３時間攪拌した後に水層を除去した。次に４％アンモニア水２３５０ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。続いてイオン交換水約２３５０ｍＬを加え１時間攪拌した後、水層を除去した。その後、有機層をメタノール４０００ｍｌに注加して０．５時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。得られた重合体（以後、高分子化合物８と呼ぶ）の収量は２２．８９０ｇであった。また、ポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝６．７ｘ１０^４、Ｍｗ＝４．２ｘ１０^５であった。Ｔｇは１３０℃であった。 Synthesis Example 6
<Synthesis of Polymer Compound 8>
Compound E (11.730 g), Compound L (0.295 g) and 2,2′-bipyridyl (8.434 g) were dissolved in 1152 mL of dehydrated tetrahydrofuran, and the temperature was raised to 60 ° C. in a nitrogen atmosphere. Bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) {Ni (COD) ₂ } (14.853 g) was added to the mixture, and the mixture was stirred and reacted for 3 hours. After the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, and this reaction solution was dropped into a mixed solution of 25% aqueous ammonia 72 mL / methanol 1152 mL / ion-exchanged water 1152 mL and stirred for 1 hour, and then the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure. Combined with several batches synthesized in the same manner (F018 total 37.125 g scale), dissolved in 1900 ml of toluene, 152 g of radiolite was added and stirred for 30 minutes, and insoluble matter was filtered. The obtained filtrate was purified through an alumina column. To the purified solution thus obtained, 2350 mL of 5.2% aqueous hydrochloric acid was added and stirred for 3 hours, and then the aqueous layer was removed. Next, 2350 mL of 4% aqueous ammonia was added and stirred for 2 hours, and then the aqueous layer was removed. Subsequently, about 2350 mL of ion-exchanged water was added and stirred for 1 hour, and then the aqueous layer was removed. Thereafter, the organic layer was poured into 4000 ml of methanol and stirred for 0.5 hour, and the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure. The yield of the obtained polymer (hereinafter referred to as polymer compound 8) was 22.890 g. The number average molecular weight and weight average molecular weight in terms of polystyrene were Mn = 6.7 × 10 ⁴ and Mw = 4.2 × 10 ⁵ , respectively. Tg was 130 ° C.

合成例７
＜高分子化合物９の合成＞
化合物Ｅ（２０．９４７ｇ）、化合物Ｌ（１１．０８０ｇ）、２，２’−ビピリジル（２１．０８４ｇ）を脱水したテトラヒドロフラン１１７０ｍＬに溶解した後、窒素雰囲気下において６０℃まで昇温後、この溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）_２｝（３７．１３２ｇ）を加え、攪拌し、３時間反応させた。反応後、室温まで冷却し、この反応液を２５％アンモニア水１８０ｍＬ／メタノール１１７０ｍＬ／イオン交換水１１７０ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥し、トルエン１５００ｍｌに溶解させた。溶解後、ラヂオライト６ｇを加えて３０分攪拌し、不溶解物を濾過した。得られた濾液をアルミナカラムを通して精製を行った。得られた精製液を４％アンモニア水２９５０ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。続いてイオン交換水約２９５０ｍＬを加え、１時間攪拌した後、水層を除去した。その後、有機層をメタノール４７００ｍｌに注加して０．５時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。得られた重合体（以後、高分子化合物９と呼ぶ）の収量は２２．７３０ｇであった。また、ポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝２．７ｘ１０^４、Ｍｗ＝２．６ｘ１０^５であった。Ｔｇは２０７℃であった。 Synthesis example 7
<Synthesis of Polymer Compound 9>
Compound E (20.947 g), Compound L (11.080 g) and 2,2′-bipyridyl (21.084 g) were dissolved in 1170 mL of dehydrated tetrahydrofuran, and the temperature was raised to 60 ° C. in a nitrogen atmosphere. Bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) {Ni (COD) ₂ } (37.132 g) was added to the mixture, and the mixture was stirred and reacted for 3 hours. After the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, and this reaction solution was dropped into a mixed solution of 25% ammonia water 180 mL / methanol 1170 mL / ion exchanged water 1170 mL and stirred for 1 hour, and then the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure. Dissolved in 1500 ml. After dissolution, 6 g of radiolite was added and stirred for 30 minutes, and the insoluble material was filtered off. The obtained filtrate was purified through an alumina column. To the obtained purified solution, 2950 mL of 4% aqueous ammonia was added and stirred for 2 hours, and then the aqueous layer was removed. Subsequently, about 2950 mL of ion-exchanged water was added and stirred for 1 hour, and then the aqueous layer was removed. Thereafter, the organic layer was poured into 4700 ml of methanol and stirred for 0.5 hour, and the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure. The yield of the obtained polymer (hereinafter referred to as polymer compound 9) was 22.730 g. The number average molecular weight and weight average molecular weight in terms of polystyrene were Mn = 2.7 × 10 ⁴ and Mw = 2.6 × 10 ⁵ , respectively. Tg was 207 ° C.

実施例１１＜素子３の作成＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより、８０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、重量比で高分子化合物６：高分子化合物７＝１：１の混合物のトルエン溶液を用いてスピンコートにより約８０ｎｍの厚みで成膜した。さらにこれを減圧下１１０℃にて乾燥した後、フッ化リチウムを約４ｎｍ蒸着し、陰極として、カルシウムを約５ｎｍ蒸着し、アルミニウムを約１５０ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。蒸着のときの真空度は、すべて１〜８×１０^−６Ｔｏｒｒであった。得られた素子に電圧を印加することにより、４７５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、１０００ｃｄ／ｍ^２におけるＣＩＥ１９３１で規格された駆動前のＥＬ素子の色度座標はＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．１５７、０．２７０）であり、７５ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で１９７．４時間駆動し、初期輝度の４０％まで劣化させた後はＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．１６６、０．２７９）であった。また、ＥＬ素子の輝度半減寿命は、初期輝度１５２１ｃｄ／ｍ^２で１２０．７時間であった。 Example 11 <Creation of Element 3>
A glass substrate having an ITO film with a thickness of 150 nm formed by a sputtering method was formed into a film with a thickness of 80 nm by spin coating using a solution of poly (ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonic acid (Bayer, BaytronP), Dried for 10 minutes at 200 ° C. on a hot plate. Next, a film having a thickness of about 80 nm was formed by spin coating using a toluene solution of a mixture of polymer compound 6: polymer compound 7 = 1: 1 by weight ratio. Further, this was dried at 110 ° C. under reduced pressure, and then lithium fluoride was deposited by about 4 nm, calcium was deposited by about 5 nm as a cathode, and aluminum was deposited by about 150 nm to produce an EL device. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 1 to 8 × 10 ⁻⁶ Torr. By applying voltage to the resulting device, EL light emission having a peak at 475 nm was obtained. The element has a CIE (x, y) = (0.157, 0.270) chromaticity coordinate of the EL element before driving standardized by CIE1931 at 1000 cd / m ² and a current density of 75 mA / cm ² . After driving for 197.4 hours and deteriorating to 40% of the initial luminance, CIE (x, y) = (0.166, 0.279). The luminance half life of the EL element was 120.7 hours at an initial luminance of 1521 cd / m ² .

比較例２＜素子４の作成＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより、８４ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、重量比で高分子化合物８：高分子化合物９＝７１：２９の混合物のトルエン溶液を用いてスピンコートにより約８０ｎｍの厚みで成膜した。さらにこれを減圧下１１０℃にて乾燥した後、フッ化リチウムを約４ｎｍ蒸着し、陰極として、カルシウムを約５ｎｍ蒸着し、アルミニウムを約１５０ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。蒸着のときの真空度は、すべて１〜８×１０^−６Ｔｏｒｒであった。得られた素子に電圧を印加することにより、４８０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、１０００ｃｄ／ｍ^２におけるＣＩＥ１９３１で規格された色度座標はＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．１５５、０．２７８）であり、７５ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で７９．５時間駆動し、初期輝度の４０％まで劣化させた後はＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．１８３、０．２８９）であった。また、ＥＬ素子の輝度半減寿命は、初期輝度２４００ｃｄ／ｍ^２で４５．９１時間であった。 Comparative Example 2 <Creation of element 4>
A glass substrate with an ITO film having a thickness of 150 nm formed by a sputtering method was formed into a film with a thickness of 84 nm by spin coating using a solution of poly (ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonic acid (Bayer, BaytronP), Dried for 10 minutes at 200 ° C. on a hot plate. Next, a film having a thickness of about 80 nm was formed by spin coating using a toluene solution of a mixture of polymer compound 8: polymer compound 9 = 71: 29 in weight ratio. Further, this was dried at 110 ° C. under reduced pressure, and then lithium fluoride was deposited by about 4 nm, calcium was deposited by about 5 nm as a cathode, and aluminum was deposited by about 150 nm to produce an EL device. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 1 to 8 × 10 ⁻⁶ Torr. By applying voltage to the resulting device, EL light emission having a peak at 480 nm was obtained. The device has CIE (x, y) = (0.155, 0.278) chromaticity coordinates standardized by CIE 1931 at 1000 cd / m ² and is driven for 79.5 hours at a current density of 75 mA / cm ^2. After the deterioration to 40% of the initial luminance, CIE (x, y) = (0.183, 0.289). The luminance half life of the EL element was 45.91 hours at an initial luminance of 2400 cd / m ² .

本発明の高分子化合物は、発光材料や電荷輸送材料として有用で、これを用いた高分子ＬＥＤは、液晶ディスプレイのバックライト又は照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイなどに使用できる。   The polymer compound of the present invention is useful as a light emitting material or a charge transport material, and a polymer LED using the polymer compound is a curved or flat light source for a backlight or illumination of a liquid crystal display, a segment type display element. Can be used for dot matrix flat panel displays.

Claims (16)

下記式（４）で表される繰返し単位を主成分として含むことを特徴とする数平均分子量２．０ｘ１０ ^４ 以上の高分子化合物。

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４はそれぞれ独立に、水素原子；アルキル基；アルコキシ基；アルキルチオ基；アリール基；アリールオキシ基；アリールチオ基；アリールアルキル基；アリールアルコキシ基；アリールアルキルチオ基；アリールアルケニル基；アリールアルキニル基；アミノ基；アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基から選ばれる１又は２個の基で置換されたアミノ基；シリル基；アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリル基；ハロゲン原子；アシル基；アシルオキシ基；イミン残基；アミド基；酸イミド基；カルボキシル基；アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基で置換されたカルボキシル基；及び、シアノ基からなる群から選ばれる１つを表し、
Ｒ_１とＲ_２、Ｒ_３とＲ_４はそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｙ_２は単環又は２環の２価の芳香族炭化水素基である。
Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_７及びＲ_８はそれぞれ独立に、アルキル基；アルコキシ基；アルキルチオ基；アリール基；アリールオキシ基；アリールチオ基；アリールアルキル基；アリールアルコキシ基；アリールアルキルチオ基；アリールアルケニル基；アリールアルキニル基；アミノ基；アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基から選ばれる１又は２個の基で置換されたアミノ基；シリル基；アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリル基；ハロゲン原子；アシル基；アシルオキシ基；イミン残基；アミド基；酸イミド基；カルボキシル基；アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基で置換されたカルボキシル基；及び、シアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。
ａ_１及びａ_４はそれぞれ独立に０〜３の整数を表し、ａ_２及びａ_３はそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。ａ_１、ａ_２、ａ_３及びａ_４のいずれかが２以上の場合で、対応する置換基が芳香環上の隣接する炭素原子上にある場合、互いに結合して環を形成してもよい。） A polymer compound having a number average molecular weight of 2.0 × 10 ⁴ or more, comprising a repeating unit represented by the following formula (4) as a main component.

_{(Wherein, R 1, R 2, R} 3 and _{R 4} are each independently a hydrogen atom; an alkyl group; an alkoxy group; an alkylthio group; an aryl group; an aryloxy group; an arylthio group; arylalkyl group; arylalkoxy group; arylalkylthio group; arylalkenyl group; arylalkynyl group, an amino group, an alkyl group, one or two amino groups are substituted with groups selected from aryl group or an arylalkyl group; silyl group; an alkyl group, an aryl group or an aryl Silyl group substituted by 1, 2 or 3 groups selected from alkyl groups ; halogen atom ; acyl group ; acyloxy group ; imine residue ; amide group ; acid imide group ; carboxyl group ; alkyl group, aryl group or aryl carboxyl group substituted with an alkyl group; and is selected from the group consisting of cyano group One of the stands,
R ₁ and R ₂ , R ₃ and R ₄ may be bonded to each other to form a ring.
Y ₂ is a monocyclic or bicyclic divalent aromatic hydrocarbon group.
R _{5, R} 6, the _{R 7} and _{R 8} are each independently, alkyl group; an alkoxy group; an alkylthio group; an aryl group; an aryloxy group; an arylthio group; arylalkyl group; arylalkoxy group; arylalkylthio group; arylalkenyl group An aryl group ; an amino group ; an amino group substituted with one or two groups selected from an alkyl group, an aryl group or an arylalkyl group ; a silyl group ; a 1, selected from an alkyl group, an aryl group or an arylalkyl group ; Silyl group substituted with 2 or 3 groups ; halogen atom ; acyl group ; acyloxy group ; imine residue ; amide group ; acid imide group ; carboxyl group ; carboxyl substituted with alkyl group, aryl group or arylalkyl group A group ; and one selected from the group consisting of a cyano group.
a ₁ and a ₄ each independently represent an integer of 0 to 3, and a ₂ and a ₃ each independently represent an integer of 0 to 5. When any one of a ₁ , a ₂ , a ₃ and a ₄ is 2 or more and the corresponding substituent is on an adjacent carbon atom on the aromatic ring, they may be bonded to each other to form a ring. . ) 下記式（５）で表される化合物を重合して得られる請求項１に記載の高分子化合物。

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８及びＹ_２、並びにａ_１、ａ_２、ａ_３及びａ_４はそれぞれ上記と同じである。Ｗ_１及びＷ_２はそれぞれ独立に重合に関与しうる置換基を表す。） The high molecular compound of Claim 1 obtained by superposing | polymerizing the compound represented by following formula (5).

(Wherein R ₁ , R ₂ , R ₃ , R ₄ , R ₅ , R ₆ , R ₇ , R ₈ and Y ₂ , and a ₁ , a ₂ , a ₃ and a ₄ are the same as above. W ₁ and W ₂ each independently represent a substituent capable of participating in polymerization.) 上記式（４）で表される繰返し単位が左右対称又はＣ２対称である請求項１又は２に記載の高分子化合物。   The polymer compound according to claim 1 or 2, wherein the repeating unit represented by the formula (4) is bilaterally symmetric or C2 symmetric. 上記式（４）で表される繰返し単位中、

で表される繰返し単位が左右対称でもＣ２対称でもない請求項３に記載の高分子化合物。 In the repeating unit represented by the above formula (4),

The polymer compound according to claim 3, wherein the repeating unit represented by is neither left-right symmetric nor C2-symmetric. 下記式（６）、式（７）、式（８）又は式（９）で示される繰り返し単位を含む請求項１〜４のいずれか一項に記載の高分子化合物。
−Ａｒ_１− （６）
−（Ａｒ_２−Ｘ_３）_ｋ−Ａｒ_３− （７）
−Ａｒ_４−Ｘ_４− （８）
−Ｘ_５− （９）
（式中、Ａｒ_１ は、フェニレン基、ビフェニル−ジイル基、フルオレン−ジイル基又はスチルベン−ジイル基を表す。
これらの基は、アルキル基；アルコキシ基；アルキルチオ基；アリール基；アリールオキシ基；アリールチオ基；アリールアルキル基；アリールアルコキシ基；アリールアルキルチオ基；アリールアルケニル基；アリールアルキニル基；アミノ基；アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基から選ばれる１又は２個の基で置換されたアミノ基；シリル基；アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリル基；ハロゲン原子；アシル基；アシルオキシ基；イミン残基；アミド基；酸イミド基；カルボキシル基；アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基で置換されたカルボキシル基、及び、シアノ基からなる群より選択される置換基を有していてもよい。Ａｒ_２、Ａｒ_３及びＡｒ_４はそれぞれ独立に、アリーレン基を表す。Ｘ_３、Ｘ_４及びＸ_５はそれぞれ独立に、−ＣＲ_９＝ＣＲ_１０−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ_１１）−、又は（ＳｉＲ_１２Ｒ_１３）_ｍ−を表す。Ｒ_９及びＲ_１０は、それぞれ独立に、水素原子；アルキル基；アリール基；カルボキシル基；アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基で置換されたカルボキシル基；又は、シアノ基を表す。Ｒ_１１、Ｒ_１２及びＲ_１３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアリールアルキル基を示す。ｋは１又は２を表す。ｍは１〜１２の整数を表す。Ｒ_９、Ｒ_１０、Ｒ_１１、Ｒ_１２及びＲ_１３がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。） The high molecular compound as described in any one of Claims 1-4 containing the repeating unit shown by following formula (6), Formula (7), Formula (8) or Formula (9).
-Ar _1- (6)
_{- (Ar 2 -X 3) k} -Ar 3 - (7)
—Ar ₄ —X ₄ — (8)
-X _5- (9)
(In the formula, Ar ₁ represents a phenylene group, a biphenyl-diyl group, a fluorene-diyl group, or a stilbene-diyl group.
These groups are alkyl group; alkoxy group; alkylthio group; aryl group; aryloxy group; arylthio group; arylalkyl group; arylalkoxy group; arylalkenyl group; arylalkynyl group; amino group; An amino group substituted with one or two groups selected from an aryl group or an arylalkyl group; a silyl group; a silyl substituted with one, two or three groups selected from an alkyl group, an aryl group or an arylalkyl group Group; halogen atom; acyl group; acyloxy group; imine residue; amide group; acid imide group; carboxyl group; selected from the group consisting of a carboxyl group substituted with an alkyl group, an aryl group or an arylalkyl group, and a cyano group It may have a substituent. Ar ₂ , Ar ₃ and Ar ₄ each independently represent an arylene group. X ₃ , X ₄ and X ₅ each independently represent —CR ₉ ═CR ₁₀ —, —C≡C—, —N (R ₁₁ ) —, or (SiR ₁₂ R ₁₃ ) _m —. R ₉ and R ₁₀ each independently represent a hydrogen atom ; an alkyl group ; an aryl group ; a carboxyl group ; a carboxyl group substituted with an alkyl group, an aryl group or an arylalkyl group ; or a cyano group. R ₁₁ , R ₁₂ and R ₁₃ each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or an arylalkyl group. k represents 1 or 2; m represents an integer of 1 to 12. When there are a plurality of R ₉ , R ₁₀ , R ₁₁ , R ₁₂ and R ₁₃ , they may be the same or different. ) 上記式（７）で表される繰り返し単位が、下記式（１６）で示される繰り返し単位である請求項５に記載の高分子化合物。

（式中、Ａｒ_８、Ａｒ_９、Ａｒ_１０及びＡｒ_１１はそれぞれ独立に、アリーレン基を表す。Ａｒ_１２、Ａｒ_１３及びＡｒ_１４はそれぞれ独立に、アリール基を表す。Ａｒ_８、Ａｒ_９、Ａｒ_１０、Ａｒ_１１、及びＡｒ_１２は、アルキル基；アルコキシ基；アルキルチオ基；アリール基；アリールオキシ基；アリールチオ基；アリールアルキル基；アリールアルコキシ基；アリールアルキルチオ基；アリールアルケニル基；アリールアルキニル基；アミノ基；アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基から選ばれる１又は２個の基で置換されたアミノ基；シリル基；アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリル基；ハロゲン原子；アシル基；アシルオキシ基；イミン残基；アミド基；酸イミド基；カルボキシル基；アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基で置換されたカルボキシル基、及び、シアノ基から選択される置換基を有していてもよい。ｚは０又は正の整数を表し、ｚｚは０を表す。） The polymer compound according to claim 5, wherein the repeating unit represented by the formula (7) is a repeating unit represented by the following formula (16).

(In the formula, Ar ₈ , Ar ₉ , Ar ₁₀ and Ar ₁₁ each independently represent an arylene group. Ar ₁₂ , Ar ₁₃ and Ar ₁₄ each independently represent an aryl group. Ar ₈ , Ar ₉ , Ar ₁₀ , Ar ₁₁ , and Ar ₁₂ are an alkyl group; an alkoxy group; an alkylthio group; an aryl group; an aryloxy group; an arylthio group; an arylalkoxy group; an arylalkylthio group; an arylalkenyl group; A group; an amino group substituted with one or two groups selected from an alkyl group, an aryl group or an arylalkyl group; a silyl group; one, two or three groups selected from an alkyl group, an aryl group or an arylalkyl group; Silyl group substituted with; halogen atom; acyl group; acyloxy group; imine residue An amide group, an acid imide group, a carboxyl group, a carboxyl group substituted with an alkyl group, an aryl group or an arylalkyl group, and a substituent selected from a cyano group, z is 0 or a positive integer and tables, zz is 0.) 上記式（１６）で表される繰り返し単位において、ｚ＋ｚｚ＝１であり、かつＡｒ_１２、Ａｒ_１３及びＡｒ_１４が、それぞれ独立に、下記式（１６−１）で表される基から選ばれる請求項６に記載の高分子化合物。

（式中、Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇは、それぞれ独立にアルキル基；アルコキシ基；アルキルチオ基；アリール基；アリールオキシ基；アリールチオ基；アリールアルキル基；アリールアルコキシ基；アリールアルキルチオ基；アリールアルケニル基；アリールアルキニル基；アミノ基；アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基から選ばれる１又は２個の基で置換されたアミノ基；シリル基；アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリル基；シリルオキシ基；アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリルオキシ基；及びハロゲン原子からなる群から選ばれる１つを表す。Ｒｈ及びＲｉは、それぞれ独立に、水素原子；アルキル基；アルコキシ基；アルキルチオ基；アリール基；アリールオキシ基；アリールチオ基；アリールアルキル基；アリールアルコキシ基；アリールアルキルチオ基；アリールアルケニル基；アリールアルキニル基；アミノ基；アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基から選ばれる１又は２個の基で置換されたアミノ基；シリル基；アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリル基；シリルオキシ基；アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリルオキシ基；及びハロゲン原子からなる群から選ばれる１つを表す。Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇに含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。ベンゼン環上の隣接する２つの置換基は互いに結合して環を形成してもよい。） In the repeating unit represented by the above formula (16), z + zz = 1, and Ar ₁₂ , Ar ₁₃ and Ar ₁₄ are each independently selected from the group represented by the following formula (16-1) Item 7. The polymer compound according to Item 6 .

(Wherein, Re, Rf and Rg each independently represent an alkyl group; an alkoxy group; an alkylthio group; an aryl group; an aryloxy group; an arylthio group; arylalkyl group; arylalkoxy group; arylalkylthio group; arylalkenyl group; aryl An alkynyl group ; an amino group ; an amino group substituted with one or two groups selected from an alkyl group, an aryl group or an arylalkyl group ; a silyl group ; one, two or two selected from an alkyl group, an aryl group or an arylalkyl group ; a silyl group substituted with three groups; silyloxy group; selected from the group consisting of and halogen atom; an alkyl group, a substituted silyloxy group with an aryl group or an arylalkyl group, two or three groups selected from .Rh and Ri represents one each independently represent a hydrogen atom; alkyl Group; an alkoxy group; an alkylthio group; an aryl group; an aryloxy group; an arylthio group; arylalkyl group; arylalkoxy group; arylalkylthio group; arylalkenyl group; arylalkynyl group, an amino group, an alkyl group, an aryl group or an arylalkyl group substituted with 1 or 2 groups selected from an amino group; a silyl group; an alkyl group, a silyl group substituted with one, two or three groups selected from aryl group or an arylalkyl group; a silyloxy group; alkyl Represents a silyloxy group substituted by 1, 2 or 3 groups selected from a group, an aryl group or an arylalkyl group ; and one selected from the group consisting of halogen atoms, a hydrogen atom contained in Re, Rf and Rg May be substituted with a fluorine atom, two adjacent groups on the benzene ring Substituents may be bonded to each other to form a ring.) 上記式（５）で表される化合物を重合又は共重合することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物の製造方法。 The method for producing a polymer compound according to any one of claims 1 to 7 , wherein the compound represented by the formula (5) is polymerized or copolymerized. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする溶液。 A solution comprising the polymer compound according to any one of claims 1 to 7 . 請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする発光性薄膜。 Luminescent thin film characterized by containing a polymer compound according to any one of claims 1-7. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする導電性薄膜。 A conductive thin film comprising the polymer compound according to any one of claims 1 to 7 . 請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする有機トランジスタ。 An organic transistor comprising the polymer compound according to any one of claims 1 to 7 . インクジェット法を用いることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の薄膜の製膜方法。 The method for forming a thin film according to claim 10 or 11 , wherein an inkjet method is used. 陽極及び陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物を含むことを特徴とする高分子発光素子。 Between electrodes consisting of an anode and a cathode, it has an organic layer, polymer light-emitting device the organic layer is characterized in that it comprises a polymer compound according to any one of claims 1-7. 請求項１４に記載の高分子発光素子を用いることを特徴とする面状光源。 A planar light source comprising the polymer light-emitting device according to claim 14 . 請求項１４に記載の高分子発光素子を用いることを特徴とする表示装置。 A display device comprising the polymer light emitting device according to claim 14 .