JP4893474B2 - フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置 - Google Patents

フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置 Download PDF

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Description

本発明は、フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置に関し、特に、被処理体を加熱するために用いられるフィラメントランプおよび該フィラメントランプを備えた光照射式加熱処理装置に関する。
一般に、半導体製造工程においては、成膜、酸化、窒化、膜安定化、シリサイド化、結晶化、注入イオン活性化等の様々なプロセスにおいて、加熱処理が採用されている。半導体製造工程における歩留まりや品質の向上には、急速に半導体ウエハ等の被処理体の温度を上昇させたり下降させたりする急速熱処理(RTP:Rapid Thermal Processing)が望ましい。RTPにおいては、白熱ランプ等の光源からの光照射を用いた光照射式加熱処理装置(以下、単に加熱処理装置ともいう)が広く用いられている。
光透過性材料からなる発光管の内部にフィラメントが配設されてなる白熱ランプは、投入電力の90%以上が全放射され、被処理体を接触することなく加熱することが可能であることから、光を熱として利用できる代表的なランプである。このような白熱ランプを、ガラス基板や半導体ウエハの加熱用熱源として使用した場合、抵抗加熱法に比して被処理体の温度を高速にて昇降温させることができる。すなわち、光照射式加熱処理によれば、例えば、被処理体を1000℃以上の温度にまで、数秒から数十秒で昇温させることが可能であり、光照射停止後、被照射体は急速に冷却される。
ここで、被処理体が、例えば、半導体ウエハ(シリコンウエハ)であるとき、半導体ウエハを1050℃以上に加熱する際に半導体ウエハに温度分布の不均一が生じると、半導体ウエハにスリップと呼ばれる現象、すなわち、結晶転移の欠陥が発生し不良品となるおそれがある。そのため、光照射式加熱処理装置を用いて半導体ウエハのRTPを行う場合は、半導体ウエハ全面の温度分布が均一になるように、加熱、高温保持、冷却を行う必要がある。すなわち、RTPにおいては、被処理体の高精度な温度均一性が求められている。
光照射式加熱処理において、例えば、半導体ウエハ全面の物理特性が均一である場合に、半導体ウエハ全面での放射照度が均一になるように光照射を行っても、半導体ウエハの温度は均一とはならず、半導体ウエハ周辺部の温度が低くなる。これは、半導体ウエハの周辺部において、半導体ウエハ側面等から熱が放射されるためである。このような熱放出の結果、半導体ウエハには温度分布が生じる。上記したように、半導体ウエハを1050℃以上に加熱する際、半導体ウエハに温度分布の不均一が生じると、半導体ウエハにスリップが発生する。
従って、半導体ウエハの温度分布を均一にするには、半導体ウエハ側面等からの熱放射による温度低下を補償するために、ウエハ周辺部表面における放射照度を、ウエハ中央部表面における放射照度よりも大きくなるように、光照射をすることが好ましい。
従来の加熱処理装置として、特許文献1には、ガラス基板や半導体ウエハの加熱に白熱ランプから放射される光を利用する加熱処理装置が開示されている。
図15は、特許文献1に示されるような従来技術に係る加熱処理装置200の断面図である。同図に示すように、光透過性材料で形成されたチャンバー201内に被処理体202を収納し、このチャンバー201外の上下両段に複数本の加熱用白熱ランプ203、204を上下で対向し、かつ互いに交差するように配置し、これらの加熱用白熱ランプ203、204によって被処理体202を両面から光照射して加熱するように構成されている。
図16は、図15に示した加熱処理装置を簡略化して上下両段に設けられる加熱用白熱ランプ203、204と被処理体202とを取出して示した斜視図である。同図に示すように、上下両段に設けられる加熱用白熱ランプ203,204は、管軸が交差するように配置されているので、被処理体202を均一に加熱することができる。また、この装置によれば、被処理体202の周辺部での放熱作用による温度低下を防止することができる。例えば、被処理体202に対して、上段の両端にある加熱用白熱ランプL1、L2のランプ出力を中央部の加熱用ランプL3のランプ出力に比べて大きくし、下段の両端にある加熱用白熱ランプL4、L5のランプ出力を中央部の加熱用白熱ランプL6のランプ出力に比べて大きく設定する。これにより、被処理体202の周辺部での放熱作用による温度低下の分を補償し、被処理体202の中央部と周辺部との温度差を小さくして、被処理体202の温度分布を均一にすることが可能である。
しかし、上記従来の加熱処理装置においては以下に示すような問題が生じることが判明した。具体的には、例えば、被処理体202が半導体ウエハである場合、半導体ウエハ表面にスパッタリング法等により金属酸化物等からなる膜が形成されていたり、また、イオン注入により不純物添加物がドーピングされていることが一般的である。このような金属酸化物の膜厚や不純物イオンの密度には、ウエハ表面上で場所的な分布を有する。このような場所的分布は、必ずしも半導体ウエハの中心に対して中心対称ではない。不純物イオン密度を例に取ると、例えば、図16に示すように、半導体ウエハの中心に対して中心対称ではない狭小な特定領域2021とその他の領域2022とで不純物イオン密度が異なる場合がある。このような特定領域2021とその他の領域2022に対して同一の放射照度となるように光照射しても、特定領域2021とその他の領域2022とでは、温度上昇速度に差異が生じることがあり、特定領域2021の温度とその他の領域2022の温度とは必ずしも一致しない。
上記従来の加熱処理装置200によれば、被処理体202の周辺部における熱放射による温度低下の影響を補償して周辺部での温度低下を防止し、被処理体202の温度分布を均一にすることは比較的容易である。しかしながら、例えば、図16に示すように、全長がランプの発光長よりも短いような半導体ウエハの狭小な特定領域2021については、この特定領域2021の特性に対応した光強度で光照射を行った場合、特定領域2021以外の領域2022も光照射されてしまう。そのため、特定領域2021とその他の領域2022とが適切な温度状態となるように制御することができない。すなわち、例えば、両者の温度が均一となるように狭小な特定領域2021における放射照度を制御することはできない。よって、被処理体202の処理温度に不所望な温度分布が生じることになり、光加熱処理後、被処理体202に所望の物理特性を付与することが困難になるという問題が生じる。
図17は、特許文献2に示されるような従来技術に係る熱処理装置300の断面図である。同図に示すように、この熱処理装置300は、ランプハウス301内に、U字形状を有しフィラメント3021への給電装置が発光管の両端部に設けられているダブルエンドランプ3022を紙面に対し平行方向および垂直部方向に複数個並べて構成される第1のランプユニット302と、第1のランプユニット302の下方側に配設された、直線形状を有しフィラメント3031への給電装置が発光管の両端部に設けられているダブルエンドランプ3032を紙面に沿って紙面と垂直方向に複数個並べて構成される第2のランプユニット303とを備えており、第2のランプユニット303の下方に配設された半導体ウエハ等の被処理体304に対し加熱処理を行なうものである。
特許文献2には、被処理体304において、他の部分に比して温度が低くなる傾向にある、被処理体304を戴置するサポートリング305との接続部の温度を上昇させるために、接続部の上方に位置する第1のランプユニット302に属するU字形状のランプを高出力にするよう制御する機構を備えていることが記載されている。また、特許文献2には、この熱処理装置300は、概略、以下のように使用することが記載されている。まず、被処理体304である半導体ウエハの加熱領域を中心対称で同心の複数のゾーンに分割する。そして、第1、第2のランプユニット302、303の各ランプによる照度分布を組み合わせて、各ゾーンに各々対応する半導体ウエハの中心に対して中心対称である合成照度分布パターンを形成して、各ゾーンの温度変化に応じた加熱を行うというものである。その際、ランプからの光の照度バラつきの影響を抑制するために、被処理体304である半導体ウエハを回転させている。すなわち、同心に配置される各ゾーンを個別の照度で加熱することが可能となっている。
従って、特許文献2に示される熱処理装置300は、被処理体304における狭小な特定領域が半導体ウエハの中心に対して中心対称である場合については温度制御が可能である。しかし、特定領域が半導体ウエハの中心に対して中心対称でない場合については、被処理体304である半導体ウエハを回転させているので、上記の問題点を良好に解決することはできない。
また、この熱処理装置300は、実用上、以下に示すような問題点が生じるおそれがあると考えられる。具体的には、U字形状を有するランプは、水平部3023と一対の垂直部3024とから構成されているが、発光に寄与するのは内部にフィラメント3021が配設される水平部3023のみであることから、個々のランプは無視できない程度の空間を介在して離間して配置されることとなり、この空間の直下に対応する部分では温度分布が生じるものと考えられる。
すなわち、この熱処理装置300は、各ゾーンに対応する、第1、第2のランプユニット302、303の各ランプによる照度分布を組み合わせて半導体ウエハ中心対称の合成照度分布を形成したとしても、上記空間の直下に対応する部分では照度が比較的急峻に変化(低下)する。よって、各ゾーンの温度変化に応じた加熱を行おうとしても、上記空間の直下に対応する部分近傍で生じる温度分布を小さくすることは、比較的難しいものと考えられる。さらに、この加熱処理装置300は、近年、ランプユニットを配設するためのスペース(主として高さ方向)を極力小さくする傾向にあることから、U字形状を有するランプを使用すると、ランプの垂直部3024に対応するスペースが必要となるため、小スペース化の観点からは好ましくない。
図18は、本件出願人が上記の問題点を解決するために先の出願で提案した、特許文献3に示されるフィラメントランプ400の斜視図である。このフィラメントランプ400は概略以下のように構成されている。フィラメントランプ400の発光管401の両端には、金属箔4021〜4024が埋設された封止部4031、4032が形成されている。発光管401内には、フィラメント4041、4051とフィラメント4041、4051に給電するためのリード4042〜4043、4052〜4053とから構成されるフィラメント体404、405が複数配設されている(図18では2個)。ここで、各フィラメント体404、405は、発光管401内に複数配設した際、フィラメント4041、4051が発光管401の長手方向に順次配置されるように構成されている。
一方のフィラメント体404におけるフィラメント4041の一端に繋がるリード4042は、発光管401の一端側の封止部4031に埋設された金属箔4021に電気的に接続されている。また、一方のフィラメント体404におけるフィラメント4041の他端に繋がるリード4043は、絶縁体409の貫通穴4091を通って、他方のフィラメント体405のフィラメント4051と対向する箇所の外側が絶縁管4044で被覆され、発光管401の他端側の封止部4032に埋設された金属箔4022に電気的に接続されている。同様に、他方のフィラメント体405におけるフィラメント4051の一端に繋がるリード4052は、発光管401の他端側の封止部4032に埋設された金属箔4023に電気的に接続されている。また、他方のフィラメント体405におけるフィラメント4051の他端に繋がるリード4053は、絶縁体409の貫通穴4092を通って、一方のフィラメント体404のフィラメント4041と対向する箇所の外側が絶縁管4054で被覆され、発光管401の一端側の封止部4031に埋設された金属箔4024に電気的に接続されている。
また、封止部4031、4032に埋設された金属箔4021〜4024において、フィラメント体404、405のリード4042〜4043、4052〜4053が接続された端部とは反対側の端部には、封止部404、405から外部に突出するように外部リード4061〜4064が接続されている。よって、各フィラメント体404、405には金属箔4021〜4022、4023〜4024を介して2本の外部リード4061〜4062、4063〜4064が連結される。給電装置4071、4072は、外部リード4061〜4062、4063〜4064を介して各フィラメント4041、4051毎に接続される。これにより、フィラメントランプ400は、各フィラメント体404、405におけるフィラメント4041、4051に個別に給電可能となっている。
なお、各フィラメント4041、4051は、発光管401の内壁と絶縁管4044、4054との間に挟まれるように設けられた環状のアンカー408によって、発光管401と接触しないように支持されている。ここで、フィラメント発光時にフィラメント4041、4051と発光管401内壁とが接触すると、接触部分における発光管401の光透過性はフィラメント4041、4051の熱により発光管401に失透が生じるために損なわれる。アンカー408は、こういった不具合を防止するためのものである。アンカー408は、各フィラメント4041、4051に対して発光管401の長手方向に複数個配設される。また、フィラメントランプ400を製作するとき、複数のフィラメント体404,405が発光管401内に容易に挿入されるように、アンカー408は、ある程度弾性を有している。また、発光管401の内壁と絶縁管4044、4054との間の空間とアンカー408との間には、ある程度の隙間が設けられている。
このフィラメントランプ400は、発光管401内に複数のフィラメント4041、4051を有し、各フィラメント4041、4051の発光等の制御を個別に行うことが可能な構造となっている。このようなフィラメントランプ400を並列に配列した光源部を有する光照射式加熱処理装置を用いれば、従来のような、発光管内に1つのフィラメントを有するフィラメントランプを使用する場合と比べて、光照射される被処理体の被照射領域に対応してフィラメントを高密度に配置することが可能となる。
そのため、上記のようなフィラメントランプを用いた光照射式加熱処理装置によれば、複数のフィラメントに対して個別に給電できることから、基板状の被処理体上における特定領域が基板形状に対し非対称である場合においても、特定領域に対して所望の光強度で光照射することが可能となる。よって、熱処理される基板状の被処理体上における場所的な温度変化の度合いの分布が基板形状に対し非対称である場合においても、被処理体を均一に加熱することが可能となり、被処理体の全体にわたって、均一な温度分布を実現することができると期待される。
さらに、上記のようなフィラメントランプを用いた光照射式加熱処理装置は、特許文献2に記載されているU字形状を有するランプを使用する光照射式加熱処理装置と比べて、光照射式加熱処理装置に搭載するフィラメントランプを直管状にすることが可能であるため、U字形状ランプの垂直部に対応するスペースが不要となり、加熱処理装置を小型化することができると期待される。
特開平7−37833号 特開2002−203804号 特開2006−279008号
本件発明者等は、図18に示すようなフィラメントランプを搭載した光照射式加熱処理装置を作製して実際にフィラメントランプを点灯させたところ、以下のような問題が生じることが判明した。上記のフィラメントランプにおいては、発光管の内部に配置される複数のフィラメントに連結されたリードの各々が絶縁管によって被覆されている。ところが、フィラメントランプの点灯時に、フィラメントから放射される光を吸収して絶縁管が高温状態になることが原因となって、以下に説明するような問題が生じることが判明した。
すなわち、絶縁管を備えたフィラメントランプを搭載した光照射式加熱処理装置においては、フィラメントから放射される光に加えて、高温状態になった絶縁管から放射される光が被処理体に照射される。しかし、このフィラメントランプにおいては、絶縁管が発光管の内面から離間した状態で発光管内に配置されており、絶縁管の温度上昇を回避しようがないことから、高温状態の絶縁管からの光放射を抑制することはできない。しかも、この絶縁管から放射される光の放射強度は、絶縁管の温度に依存して変動するものであって、絶縁管とこの絶縁管に近接するフィラメントとの離間距離、絶縁管の肉厚、フィラメントに投入される電力量等の様々な要因により影響を受けるために、各々の絶縁管から放射される光の強度を一律に制御することは極めて困難である。
従って、図18に示すような1フィラメントランプを使用した光照射式加熱処理装置においては、各フィラメントランプの各絶縁管から放射強度の異なる光が被処理体に照射されることになるため、同一仕様にて作製された光照射式加熱処理装置をそれぞれ同一の稼動条件で稼動させて各々の被処理体について加熱処理を行ったとしても、各々の被処理体における温度上昇速度にバラツキが生じるために、所望とする物理特性を得ることができない、という問題があった。
ここで、「同一仕様」とは、各々の光照射式加熱処理装置において、フィラメントランプに配置されるフィラメント体の個数およびランプユニットに配置されるフィラメントランプの本数が同一であることを意味し、同一仕様を有する各々の光照射式加熱処理装置おいては、ランプユニットにおけるフィラメントランプの配置方法が同一である。また、「同一の稼動条件」とは、ランプユニットに配置された各々のフィラメントランプにおいて投入される電力が同一であり、各々の光照射式加熱処理装置において被処理体が配置される雰囲気、例えば、ガスの種類、ガスの雰囲気が同一であることを意味する。
このような問題は、被処理体を高速で昇温するために、発光管内に配置されたフィラメントに、例えば、フィラメント単位長さ当たりの電力が80W/cm以上もの大電力が投入されるフィラメントランプ、または、被処理体の温度を高精度に制御することを目的として、限られたスペースに多数のフィラメントランプを配置するために、発光管の内径がフィラメントの外径に対して2.5倍以下であって、具体的には、内径がφ12mm以下の発光管の内部に4本以上のフィラメントが配設されたフィラメントランプにおいて、顕著に生じていた。
上記の問題は、単純には、発光管内から絶縁管を排除すれば回避することができる。しかしながら、絶縁管を排除して発光管内にリードを剥きだしの状態にすると、発光管の内部には多数のフィラメント体が配置されているので、高温となったフィラメントと当該フィラメントの周囲に隣接して配設される各々のリードとの間、および、フィラメントの周囲に配設される複数のリードのうち近接するリード同士の間で不所望な放電が生じ、リードが溶断することによってフィラメントランプが使用不能に陥るおそれがある。その他の方法として、内径の大きい発光管を使用して、隣接する絶縁管とフィラメントとの離間距離を大きくすることにより、絶縁管が高温状態となることを回避することも考えられる。しかしながら、発光管の内径を大きくすることは、各フィラメントランプを各々の管軸が平行となるよう並列に配置した際に、管軸に直交する方向で隣接するフィラメント間の離間距離が大きくなって、被処理体上における放射照度分布の悪化を招くおそれがあり、また、所望とする本数のフィラメントランプを配置しようとすれば光照射式加熱処理装置が大型化するため、実際には採用することはできない。
本発明の目的は、上記の問題点に鑑みて、フィラメントとこのフィラメントの周囲に配設される各リードとの間において、および、フィラメントの周囲に配設される各リード間において、不所望な放電が生じることのないよう、これらの間の絶縁を確保すると共に、フィラメント以外から不要な光が放射されるおそれのないフィラメントランプを提供することにある。また、本発明の他の目的は、被処理体上の放射照度分布を所望の分布とすることができ、被処理体の加熱処理にバラツキを生じるおそれのない光照射式加熱処理装置を提供することにある。
本発明は、上記の課題を解決するために、次のような手段を採用した。
第1の手段は、少なくとも一端に封止部が形成された発光管の内部に、各々コイル状のフィラメントの両端に該各々のフィラメントに電力を供給する一対のリードが連結されてなる複数のフィラメント体が、前記各々のフィラメントが前記発光管の管軸に沿って伸びるよう順次に並んで配設され、前記各々のフィラメント体における各々のリードが前記封止部に配設された複数の各々の導電性部材に対して電気的に接続されて前記各々のフィラメントに対して各々独立に給電されるフィラメントランプにおいて、前記発光管の内部に、前記各々のリードを挿通する開口を備え、前記発光管の内面に近接するよう管軸に沿って配置され、前記各々のフィラメントと前記各々のリードとの間に介在する絶縁壁と、前記発光管と前記絶縁壁とにより区画され、前記発光管の管軸に沿って伸びるように形成され、前記各々のリードに対応して設けられた複数のリード収容空間とを備え、前記各々のフィラメントに接続された各々のリードが、前記絶縁壁の前記開口を通って、前記各々のリード収容空間に、互いに短絡することなく配置されることを特徴とするフィラメントランプである。
第2の手段は、第1の手段において、前記絶縁壁が、前記発光管と同軸上に設けられた内管からなることを特徴とするフィラメントランプである。
第3の手段は、第2の手段において、前記内管の外面に、互いに周方向に離間して前記発光管の管軸に沿って伸び、前記各々のフィラメントに連結される各々のリードに対応して設けられた複数の溝部が形成され、前記各々のリード収容空間は、前記各々の溝部と前記発光管の内面とにより形成されることを特徴とするフィラメントランプである。
第4の手段は、第2の手段において、前記発光管の内面に、互いに周方向に離間して前記発光管の管軸に沿って伸び、前記各々のフィラメントに連結される各々のリードに対応して設けられた複数の溝部が形成され、前記各々のリード収容空間は、前記各々の溝部と前記内管の外面とにより形成されることを特徴とするフィラメントランプである。
第5の手段は、第2の手段ないし第4の手段のいずれか1つの手段において、前記内管は、前記フィラメントからの放射光を遮蔽することなく出射するための開口が形成されていることを特徴とするフィラメントランプである。
第6の手段は、第1の手段において、前記発光管の内面に、互いに周方向に離間して前記発光管の管軸に沿って伸び、前記各々のフィラメントに連結される各々のリードに対応して設けられた複数の溝部が形成され、前記絶縁壁は、互いに前記各々のフィラメントを挟んで対向して配置された一対の板状体からなり、前記各々のリード収容空間は、前記各々の溝部と前記板状体とにより形成されることを特徴とするフィラメントランプである。
第7の手段は、第1の手段ないし第6の手段のいずれか1つの手段において、前記発光管と前記絶縁壁とが、溶着されていることを特徴とするフィラメントランプである。
第8の手段は、第1の手段ないし第6の手段のいずれか1つの手段において、前記発光管と前記絶縁壁とが、発光管の管軸に沿って溶着されていることを特徴とするフィラメントランプである。
第9の手段は、第1の手段ないし第8の手段のいずれか1つの手段において、前記各々のリード収容空間は、前記発光管の管軸に直交する断面において、フィラメントに対して直交する2本の外接線と前記発光管の管壁とにより囲まれる、少なくとも前記フィラメントを含む領域以外の領域に、当該フィラメント以外の他のフィラメントに係るリードのすべてが位置されるよう、形成されていることを特徴とするフィラメントランプである。
第10の手段は、第1の手段ないし第9の手段のいずれか1つの手段において、前記封止部は、棒状のシール用絶縁体が配設されると共に、前記複数の導電性部材を前記シール用絶縁体の外周に間隔を設けて配列し、前記発光管と前記シール用絶縁体とが前記導電性部材を介して気密に封止されて形成されていることを特徴とするフィラメントランプである。
第11の手段は、第1の手段ないし第10の手段のいずれか1つの手段に記載のフィラメントランプが配置されてなる光源部を備え、該光源部から放射される光を被処理体に照射して被処理体を加熱することを特徴とする光照射式加熱処理装置である。
第12の手段は、第1の手段ないし第10の手段のいずれか1つの手段に記載のフィラメントランプの複数が並列に配置されてなるランプユニットを備え、該ランプユニットから放射される光を被処理体に照射して被処理体を加熱することを特徴とする光照射式加熱処理装置である。
請求項1に記載の発明によれば、発光管の管軸に直交する方向において隣接するフィラメントと各々のリードとの間で不所望な放電が生じるおそれがなく、しかも、絶縁壁の熱が発光管へと伝達されて空気中に放熱されるために、従来のフィラメントランプと異なり絶縁壁が高温状態になることがないので、フィラメント以外から不要な光が放射されるおそれがない。しかも、各々のリードが、リード収容空間に互いに短絡することなく配置されるので、隣接するリード同士の間で不所望な放電が生じることを抑制することができ、フィラメントランプの点灯時にリードが溶断するおそれがなく、長時間にわたり安定してフィラメントランプを点灯することができる。
請求項2および請求項3に記載の発明によれば、各々のリードを所望の位置に確実に配置することができ、しかも、フィラメントランプの点灯時に、各々のリードが熱膨張・収縮を繰り返しても、リードの周方向への移動が規制されるために、リードが初期の位置からずれることがなく、放射照度分布が経時的に変化するおそれがないために、初期の放射照度分布を長期的に維持することができる。
請求項4に記載の発明によれば、各々のリードを所望の位置に確実に配置することができると共に、リードの周方向への移動が規制されるために、初期の放射照度分布を長期的に維持することができ、しかも、引き抜きまたは射出成形という非切削的加工方法を採用することができるので、フィラメントランプの製造時に発光管が破損する心配がなく、生産性が向上させることができる。

請求項5に記載の発明によれば、絶縁壁によってフィラメントから放射された光が減衰することなく放射されるために、フィラメントに対する投入電力を過剰に大きくすることなく所望の加熱処理を行うことができる。
請求項6に記載の発明によれば、絶縁壁によってフィラメントから放射された光が減衰しないため、フィラメントに対する投入電力を過剰に大きくすることなく所望の加熱処理を行うことができ、しかも、フィラメントランプの製造時において、内管の内部にフィラメントを挿入して、各々のリードを絶縁壁に形成された各々の開口に挿通して絶縁壁の外方に引出す作業を簡易に行うことができる。
請求項7および請求項8に記載の発明によれば、絶縁壁から発光管への熱伝達が促進されるために、絶縁壁が高温状態になることをより確実に防止することができ、フィラメント以外からの不要な光が放射されるおそれがない。特に、発光管の内面と絶縁壁とが発光管の管軸に沿って溶着されるので、発光管と絶縁壁との溶着面積を大きくすることができ、絶縁壁から発光管への熱伝達がさらに促進され、しかも、フィラメントランプの点灯時に発光管に比して絶縁壁の方が高温状態になり、発光管以上に絶縁壁が発光管の管軸方向に膨張しても、発光管と絶縁壁との間に働く剪断力が分散されるので溶着部分が破損するおそれがない。
請求項9に記載の発明によれば、被処理体上に投影される各々のリードによる影が実用上は問題にならない位置にリードを配置することができるために、被処理体上の放射照度分布に悪影響を与えるおそれがない。
請求項10に記載の発明によれば、多数の導電性部材をシール用絶縁体の外周面を利用して互いに接触することなく配設することができるので、複雑な物理特性を有する被処理体に対して高精度な温度制御を行うためのものとして、多数のフィラメント体を備えるフィラメントランプであっても、封止部を大きくすることなしに、各フィラメント体に対する独立した給電構造を形成することができる。
請求項11に記載の発明によれば、請求項1ないし請求項9のいずれか1つの請求項に記載のフィラメントランプを用いることによって、光照射式加熱処理装置毎に被処理体上の放射照度分布にバラツキが生じることを解消した光照射式加熱処理装置を実現することができる。
請求項12に記載の発明によれば、請求項1ないし請求項9のいずれか1つの請求項に記載のフィラメントランプで構成されたランプユニットを用いることによって、光照射式加熱処理装置毎に被処理体上の放射照度分布にバラツキが生じることをより一層解消した光照射式加熱処理装置を実現することができる。
本発明の第1の実施形態を図1から図6を用いて説明する。
図1は、本実施形態の発明に係るフィラメントランプ1の斜視図である。
同図に示すように、フィラメントランプ1は、例えば、石英ガラス等の光透過性材料からなる直管状の発光管2を備え、発光管2の両端部においてシール用絶縁体6a、6bと発光管2とを溶着することによって気密に封止された封止部5a、5bが形成されている。発光管2の内部には、例えば、石英ガラス等の光透過性材料からなり、発光管2よりも管軸方向の全長の短い、直管状の絶縁壁としての内管3が、発光管2の内面に近接するよう発光管2と同軸上に配置されていると共に、ハロゲンガスが封入されている。この内管3の内部において、例えば、5つのフィラメント体41〜45が配設され、各々のフィラメント体41〜45における各々のフィラメント411〜451が管軸方向に順次に並んで管軸方向に伸びている。
図2は、本実施形態の発明に係る径方向および管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図3は、フィラメントランプ1の内管3に対するフィラメント体41〜45の配置を示す斜視図である。なお、図2(a)、(b)は径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図2(c)は、図2(a)のA−A’から見た管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図と、図2(b)のB−B’から見た管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図と、図2(b)のCから見たフィラメントランプ1の正面図とからなる図である。
図2および図3に示すように、内管3の外面には、フィラメント体41〜45と同数の溝部311〜315が互いに周方向に離間して管軸に沿って伸びるよう形成され、各々の溝部311〜315には、各々のフィラメント411〜451の両端に連結された各々のリード412〜452を挿通するための開口321a、321b、開口322a、322b、開口323a、323b、開口324a、324b、開口325a、325bが2つずつ設けられている。このような内管3は、直管状に形成された石英ガラスに対して切削加工を施すことによって、各リード412〜452を挿通するための開口321a、321b、開口322a、322b、開口323a、323b、開口324a、324b、開口325a、325bを有する溝部311〜315が形成されている。
このような内管3を発光管2の内面に近接した状態で配置することにより、図2に示されるように、発光管2の内面と内管3に設けられた各溝部311〜315とにより区画された、フィラメント体41〜45のリード412〜452を収容するためのリード収容空間111〜115が形成されている。
内管3の内部に配置された各フィラメント体41〜45は、コイル状のフィラメント411〜451と、フィラメント411〜451の両端に連結された給電用のリード412〜452とにより構成されている。各リード412〜452は、フィラメント411〜451の端部に連結されて管軸に直交する方向に伸びるフィラメント連結部4121a〜4521a、4121b〜4521bと、フィラメント連結部4121a〜4521a、4121b〜4521bに連続して管軸に沿って伸びるリード水平部4122a〜4522a、4122b〜4522bと、リード水平部4122a〜4522a、4122b〜4522bに連続して管軸に直交する方向に伸びると共に、封止部5a、5bに固定された内部リード71a〜75a、71b〜75bに連結される内部リード連結部4123a〜4523a、4123b〜4523bとからなる。このようなフィラメント体41〜45の個数は、被処理体の寸法・物理特性等に応じて適宜に調整される。
各フィラメント体41〜45は、内管3の内部に全てのフィラメント411〜451が収容されて、各フィラメント411〜451が発光管2の中心軸上に位置した状態で、内管3に対して取付けられる。すなわち、図3に示されるように、フィラメント411〜451の一端に連結された一方のリードは、フィラメント連結部4121a〜4521aが、管軸に直交する方向に伸びると共に内管3の溝部311〜315に設けられた一方の開口321a〜325aに挿通され、リード水平部4122a〜4522aが、内管3の溝部311〜315に配置されると共に内管3の外端面から一方の封止部5aに向けて管軸方向外方に向けて突出している。さらに、フィラメント411〜451の他端に連結された他方のリードは、フィラメント連結部4121b〜4521bが、管軸に直交する方向に伸びると共に一方のリードと同一の溝部311〜315に設けられた他方の開口321b〜325bに挿通され、リード水平部4122b〜4522bが、一方のリードと同一の溝部311〜315に配置されると共に内管3の外端面から他方の封止部5bに向けて管軸方向外方に突出している。
各々のフィラメント411〜451は、内管3の内部において、内管3の内壁に押し当てられるように設けられた図示されていない環状のアンカーによって、内管3の内壁と接触することのないよう支持されている。アンカーは、各フィラメント411〜451に対して1つずつ一体的に固定されている。このようなアンカーを設けることにより、発光時に高温となる各フィラメント411〜451が内管3の内壁に接触することに起因して内管3が失透する、という不具合が発生することを防止することができる。
発光管2の両端に形成された封止部5a、5bは、例えば、石英ガラスからなる円柱状のシール用絶縁体6a、6bを発光管構成材料の内部に挿入して配置した状態で、発光管2の構成材料の外周面をバーナー等で加熱することにより、他の箇所よりも外径が小さくなるよう形成されたシュリンクシール構造を有している。各シール用絶縁体6a、6bの外周面には、フィラメント体41〜45の個数と同数の、例えば、5つの金属箔81a〜85a、81b〜85bが概ね等間隔にてシール用絶縁体6a、6bの長手方向に沿って平行に配設され、各金属箔81a〜85a、81b〜85bは、折れ曲がりを回避するため、シール用絶縁体6a、6bよりも管軸方向の全長が小さいものが用いられている。
封止部5a、5bには、各フィラメント体41〜45における各リード412〜452に連結される各内部リード71a〜75a、71b〜75bと、各給電装置に接続される各外部リード91a〜95a、91b〜95bとが各金属箔81a〜85a、81b〜85bに接続された状態で固定されている。各々の内部リード71a〜75a、71b〜75bは、基端側が封止部5a、5bに埋設されると共に各金属箔81a〜85a、81b〜85bの先端側に、例えば、溶接により接続されており、発光管2内に突出した先端側が各フィラメント体41〜45の各リード412〜452に、例えば、溶接により接続されている。各々の外部リード91a〜95a、91b〜95bは、先端側が封止部5a、5bに埋設されると共に各金属箔81a〜85a、81b〜85bの基端側に、例えば、溶接により接続されており、基端側が発光管2の外端から管軸方向外方に突出している。なお、内部リード71a〜75aと金属箔81a〜85aと外部リード91a〜95aとで導電性部材101a〜105aが構成され、内部リード71b〜75bと金属箔81b〜85bと外部リード91b〜95bとで導電性部材101b〜105bが構成される。
図4(a)は図1に示した封止部5a内の拡大斜視図、図4(b)は図4(a)のA−A’で切断した封止部5a内の断面図、図4(c)は図4(a)のB−B’で切断した封止部5a内の断面図である。
図4を用いて封止部5a内の構成をさらに詳細に説明すると、シール用絶縁体6aには、フィラメント体41〜45側の外周面において互いに周方向に離間して管軸に沿って伸びる複数の溝部611a〜615aと、外部リード91a〜95a側の外周面において互いに周方向に離間して管軸に沿って伸びる複数の溝部621a〜625aとが形成されることにより、各内部リード71a〜75aと各外部リード91a〜95aを位置決めするための各突当面が形成されている。各内部リード71a〜75aは、溝部611a〜615aに沿って基端側の外端面が突当面に当接するよう配置され、各外部リード91a〜95aは、溝部621a〜625aに沿って先端側の外端面が突当面に当接するよう配置されている。これにより各内部リード71a〜75aおよび各外部リード91a〜95aの最外面が、シール用絶縁体6aの胴部と同一円周上に位置する状態とされる。このように配置された各内部リード71a〜75aおよび各外部リード91a〜95aが、シール用絶縁体6aの胴部の外周面に配置された各金属箔81a〜85aに対して接続されている。発光管2の各外端面から突出した各々の外部リード91a〜95aは、不図示の給電装置の各々に接続されており、各フィラメント体41〜45における各フィラメント411〜451に独立に電力を給電することにより、各フィラメント411〜451の点灯制御を個別に行うことができる。なお、封止部5b内においても上記で説明した封止部5a内と同様に構成されている。
このように、シール用絶縁体6a、6bを発光管2の内部に配置して封止部5a、5bを形成することにより、円柱状のシール用絶縁体6a、6bの外周面を利用して多数枚の金属箔81a〜85a、81b〜85bを互いに接触することなく配設することができる。そのため、多数のフィラメント体41〜45を備えるフィラメントランプ1であっても、封止部5a、5bを大きくすることなしに、各フィラメント体41〜45に対して独立して給電する構造を確実に形成することができる。特に、ピンチシール法によって扁平な形状の封止部を形成することに比べれば、多数枚の金属箔を配設した場合であっても、封止部の大きさを小さくすることができるので、省スペース化の観点で好ましい。
また、このようなシール用絶縁体6a、6bを用いて構成された封止部5a、5bを備えるフィラメントランプ1によれば、シール用絶縁体6a、6bに設けられた各溝部611a〜615a、611b〜615bに固定された各内部リード71a〜75a、71b〜75bに対して、内管3の各溝部311〜315に配置された各フィラメント体41〜45における各リード412〜452が固定されるために、フィラメントランプ1の輸送時または点灯時にフィラメントランプ1に対して振動や衝撃が加わったとしても、内管3が周方向に旋回することを規制することができる。特に、内管3の外端面から封止部5a、5bに向けて突出する各リード412〜452の全長を短縮すれば、内管3が周方向に旋回することをより確実に防止することができるため、管軸に沿って並んだ5つのフィラメント体41〜45のうち両端側に位置する2つのフィラメントの各々における封止部側の外端面よりも、内管の外端面の方が封止部寄りに配置されていることが好ましい。
このようなフィラメントランプ1においては、フィラメント(例えばフィラメント411)に対して、当該フィラメント(フィラメント411)以外の他のフィラメント(例えばフィラメント421〜451)に係るリード(リード422〜452)の全てが、発光管2の内部における特定の領域内に位置されていることが好ましい。以下に、具体例を図5を用いて説明する。
図5は、フィラメント411〜451とリード412〜452の位置関係を説明するための、本実施形態の発明に係る径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図である。
同図に示すように、例えばフィラメント411の中心軸に直交する平面による切断面において、フィラメント411に対して直交する2本の外接線X、Yと発光管2の管壁とにより囲まれる、少なくともフィラメント411を含む領域(以降、有効光取り出し領域とも言う)以外の領域に、当該フィラメント411以外の他のフィラメント421〜451に係るリード422〜452の全てが位置された状態とされている。また、フィラメント411〜451に係る各々のリード412〜452は、フィラメント411〜451に対して極力対称に配置されていると共に、有効光取り出し領域と対向する領域にもリード412〜452が存在しない状態とされている。
このようなフィラメント411〜451とリード412〜452との位置関係を実現するために、発光管2の内部に配置した内管3には、フィラメント411〜451に対して直交する2本の外接線X、Yと発光管2の管壁とにより囲まれる、少なくともフィラメント411〜451を含む領域を除く領域にのみ、リード収容空間111〜115を形成するための溝部311〜315が形成されている。さらに、シール用絶縁体6a、6bには、内管3に設けられた各溝部311〜315に対応して、内部リード71a〜75a、71b〜75bを配置するための溝部611a〜615a、611b〜615bが形成されている。
このようなフィラメント411〜451とリード412〜452との位置関係を実現することにより、フィラメント(例えばフィラメント411)から直接的に放射される光を、他のフィラメント(例えばフィラメント421〜451)に係るリード(リード422〜452)によって遮られることがなく有効に取り出すことができるので、被処理体上に投影されるリード(リード422〜452)の影により被処理体における放射照度分布が悪化するおそれがない。特に、発光管2内に配置されるフィラメント体41〜45の個数が4つ以上であり、かつ、フィラメント411〜451とリード412〜452との共通外接線のなす角度が10°〜60°の範囲内で構成されるフィラメントランプ1においては、被処理体上に投影されるリード412〜452の影による影響が顕著になるため、上記した位置関係を満たすようフィラメント411〜451とリード412〜452とを配置することが特に有効である。
このようなフィラメントランプ1の数値例を以下に示す。
発光管2は、外径がφ10mm〜φ40mm程度、全長が数十mm〜800mm程度であり、被処理体の大きさ、フィラメントランプ1から被処理体までの距離、ランプユニット内でのランプ配置によって決定される。各々のフィラメント体41〜45は、直径がφ0.05mm〜1mm程度の素線を用いる。本実施例ではφ300mmのシリコンウェハを距離50mmで照射する場合において、発光管外径28mm、全長560mm、フィラメント素線径0.5mmを使用し、各フィラメント411〜451の最大全長が140mm、外径がφ8mmに形成された各フィラメント411〜451の両端に、外径がフィラメント素線よりも大径の、例えばφ0.8mmのリード412〜452が接続される。フィラメント外径はφ8mmに限らず、必要電力とフィラメント温度に従って、φ4mm程度〜φ20mm程度となる。フィラメント1本当たりの最大定格電流値は、必要な被処理物の昇温特性とシール部の金属箔の許容電流値に従って決められ、本実施例では25Aである。
内管3は、本実施例では、例えば外径がφ24〜φ24.5mm、全長が400〜470mmであり、発光管2の内面からの離間距離は0.7mm以下であること好ましい。内管3の外面と発光管2の内面との離間距離は、内管3の溝部311〜315と発光管2の内面とによりリード収容空間111〜115を形成するために、少なくとも各リード412〜452の外径よりも小さいことが必要であるが、熱伝達の影響を考慮すると、発光管2の外径に対して0.5mm以下であることが特に好ましい。また、内管3に設けられた各溝部311〜315は、幅が1.3〜1.5mm、深さが1.0〜1.6mmであって、互いに2mm以上の距離を隔てて離間して形成されている。隣接する溝部311〜315同士の離間距離は、放電開始電圧より大きく、かつ、リード412〜452が前記有効光取出し領域以外の領域に収まるように設定する。本実施例の場合、ランプ内にアルゴンガスを封入し、圧力を0.5気圧としているため、商用電力である200Vで放電せずに使用するためには溝部311〜315同士の離間距離は0.5mm以上必要であり、余裕率を考慮して1mm以上とするのが好ましい。また、上記有効光取出し領域以外の領域にリード412〜452を収めるため、図5の左半分に示すように片側に3本のリード432、442、452を外径φ24mmの内管に配置させる場合は、前記離間距離は7.5mm以下であることが好ましい。
内管3の外面が発光管2の内面に当接しているか、または、内管3の外面と発光管2の内面との離間距離が0.5mm以下である場合には、フィラメント411〜451からの放射光が内管3に照射されても、内管3に近接する発光管2に内管3の熱が伝達されるために、内管3が高温状態になることを確実に防止することができる。また、内管3に形成された隣接する溝部311〜315同士の離間距離が1mm以上である場合には、隣接するリード412〜452間で不所望な放電が形成されることを確実に防止することができる。
以上のごとく、本実施形態の発明に係るフィラメントランプ1によれば、基本的には、複数の各々のフィラメント411〜451に対して、封止部5a、5bに配設された各々の導電性部材101a〜105a、101b〜105bを介して独立に給電される構成であるから、熱処理される被処理体上における場所的な温度変化の度合いの分布が基板形状に対し非対称である場合においても、被処理体を均一に加熱することができるため、被処理体の全体にわたって均一な温度分布を実現することができる。
しかも、発光管2の内面に近接するように内管3が配設されているので、フィラメントランプ1の点灯時に管状の絶縁壁3が高温状態となることが防止されるために、フィラメント411〜451以外から不要な光が放射されるという不具合を確実に解消することができる。
さらには、各フィラメント411〜451と各リード412〜452との間に内管3が介在しており、各フィラメント体41〜45における各リード412〜452が、内管3に設けられた各溝部311〜315と発光管2の内面とにより区画されたリード収容空間111〜115に互いに短絡することなく配置されるので、各フィラメント(例えばフィラメント411)とこのフィラメント(フィラメント411)に近接するリード(リード422〜452)との間、および隣接するリード412〜452同士の間で不所望な放電が発生することを確実に防止することができる。
さらにまた、各フィラメント体41〜45における各リード412〜452が、内管3に設けられた各溝部311〜315と発光管2の内面とにより区画されたリード収容空間111〜115に配置されているので、フィラメントランプ1の点灯時に各リード412〜452が熱膨張・収縮を繰り返しても、各リード412〜452の周方向への移動が規制されるために、各リード412〜452が初期の位置からずれることがない。従って、放射照度分布が経時的に変化するおそれがないために、初期の放射照度分布を長期的に維持することができる。
また、第1の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1においては、図6に示されるような構成を採用することもできる。
図6は、内管構成材121、122に対するフィラメント体41〜45の配置を示す斜視図である。同図に示すように、図3に示したような内管3に代えて、径方向において2つに分割され、径方向の断面が半円状の各内管構成材121、122を、発光管2の内面に近接した状態で配置したものである。一方の内管構成材121の外周面には、互いに周方向に離間して管軸に沿って伸びる2つの溝部311、312が形成されており、一方の内管構成材121と同様にして、他方の内管構成材122の外周面に3つの溝部313、314、315が形成されている。各内管構成材121、122に設けられた各溝部311〜312、313〜315には、各々2つずつの開口321a、321b、開口322a、322b、開口323a、323b、開口324a、324b、開口325a、325bが形成されている。
このように、複数に分割した内管構成材121、122を用いることにより、内管構成材121、122の各溝部311〜312、313〜315に設けられた各開口321a、321b、開口322a、322b、開口323a、323b、開口324a、324b、開口325a、325bに対し各フィラメント体41〜45における各リード412〜452を通す作業を、内管構成材121、122毎に個別に行うことができる。従って、多数のフィラメント体41〜45を備えるフィラメントランプ1においては、複数に分割されていない直管状の内管3を使用する場合に比べ、各フィラメント体41〜45の各リード412〜452を内管構成材121、122の各開口321a、321b、開口322a、322b、開口323a、323b、開口324a、324b、開口325a、325bに通す作業を効率良く行うことができる。なお、発光管2の内部において、一方の内管構成材121と他方の内管構成材122とを離間して配置することにより、フィラメントランプ1の点灯時に各内管構成材121、122が円周方向に膨張したとしても、対向する内管構成材121、122の間の空間によって各内管構成材121、122の膨張が吸収されるために、内管構成材121、122が破損することを確実に防止することができる。
本発明の第2の実施形態を図7を用いて説明する。
図7は、本実施形態の発明に係る径方向および管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図7(a)、(b)は径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図7(c)は、図7(a)のA−A’から見た管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図と、図7(b)のB−B’から見た管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図と、図7(b)のCから見たフィラメントランプ1の正面図とからなる図である。
図7に示すように、本実施形態の発明に係るフィラメントランプ1は、第1の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1のように、内管3に形成された複数の各々の溝部311〜315と発光管2の内面とによりリード収容空間111〜115が形成される形態には限られない。このフィラメントランプ1は、発光管13の内面に互いに周方向に離間して管軸に沿って伸びる複数の溝部131〜135が形成されており、この発光管13の内面に近接するよう内管14を配置することにより、発光管13の各溝部131〜135と内管14の外周面とにより区画された複数のリード収容空間111〜115が形成されている。発光管13の内周面に形成された各溝部131〜135は、図5において説明したように、フィラメント(例えばフィラメント411)とこのフィラメント(フィラメント411)以外の他のフィラメント(フィラメント421〜451)に係る各リード(リード422〜452)との位置関係を満たしている。
このフィラメントランプ1の内管14には、発光管13の内面に設けられた各溝部131〜135に対応する箇所の各々に、各リード412〜452を挿通するための開口141a、141b、開口142a、142b、開口143a、143b、開口144a、144b、開口145a、145bが2つずつ形成されている。なお、内管14は、外周面に溝部が設けられていない構成でも良いし、発光管13の各溝部131〜135に対応して外周面に溝部を設けた構成としても良い。
各フィラメント体41〜45は、内管14の内部に全てのフィラメント411〜451が収容されて、各フィラメント411〜451が発光管13の中心軸上に位置した状態で、内管14に対して取付けられている。すなわち、図7に示すように、フィラメント411〜451の一端に連結された一方のリードにおけるフィラメント連結部4121a〜4521aが管軸に直交する方向に伸びると共に、内管14に設けられた開口141a〜145aを通過し、一方のリードにおけるリード水平部4122a〜4522aが、発光管13の溝部131〜135に配置されると共に内管14の外端面から一方の封止部5aに向けて管軸方向外方に向けて突出している。さらに、フィラメント411〜451の他端に連結された他方のリードにおけるフィラメント連結部4121b〜4521bが、管軸に直交する方向に伸びると共に、内管14に設けられた開口141b〜145bを通過し、他方のリードにおけるリード水平部4122b〜4522bが、一方のリードにおけるリード水平部4122a〜4522aと同一の溝部131〜135に配置されると共に内管14の外端面から他方の封止部5bに向けて管軸方向外方に向けて突出している。
以上のごとく、第2の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1によれば、基本的には、第1の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1と同一の効果を期待することができる。さらには、内周面に各溝部131〜135を備える発光管13を、引き抜きまたは射出成形という手法によって構成することができ、発光管13の内面に事後的に切削等の機械的加工を施すことによって溝部を形成する必要がないために、製造に要するコスト・労力と切削加工時の破損のリスクを低減することができる。
本発明の第3の実施形態を図8を用いて説明する。
図8は、本実施形態の発明に係る径方向および管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図8(a)、(b)は径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図8(c)は、図8(a)のA−A’方向から見た管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図と、図8(b)のB−B’方向から見た管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図と、図8(b)のC方向から見たフィラメントランプ1の正面図とが各々合成して示した。
図8に示すように、このフィラメントランプ1は、発光管13の内面に互いに周方向に離間して管軸に沿って伸びる複数の溝部131〜135が形成され、この発光管13の内面に近接するよう内管15を配置することにより、発光管15の各溝部131〜135と内管15の外周面とにより区画された複数のリード収容空間111〜115が形成されている。発光管13の内周面に形成された各溝部131〜135は、図5において説明したと同様に、フィラメント(例えばフィラメント411)とこのフィラメント(フィラメント411)以外の他のフィラメント(フィラメント421〜451)に係る各リード(リード422〜452)との位置関係を満たしている。
さらに、このフィラメントランプ1の内管15は、発光管13の管軸に沿って伸びる方向に、光出射側に管軸に直交する方向の断面がC字状の開口158が形成されており、発光管13の内周面の各溝部131〜135に対応する各々の箇所に、各フィラメント体41〜45における各リード412〜452を挿通するための開口151a、151b、開口152a、152b、開口153a、153b、開口154a、154b、開口155a、155bが2つずつ形成されている。さらに、開口158の開口端は、図5に示される有効光取り出し領域を除く領域に位置している。具体的には、内管15には、フィラメント411〜451に対する2本の各々の外接線X、Yと内管15の各々の開口端とを結ぶ2直線でなす角が80〜90°となるよう開口158が形成されている。
このフィラメントランプ1の各フィラメント体41〜45の取り付け方法は、第2の実施形態における図7に示したフィラメントランプ1と共通している。なお、発光管13の内周面に各溝部131〜135を形成することに代えて、図8に示した内管15の外周面に対し各溝部を形成することもできる。
以上のごとく、第3の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1によれば、基本的には、第2の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1と同一の効果を期待することができる。しかも、フィラメント411〜451から放射された光が内管15に吸収または反射されることがないため、フィラメント411〜451に投入する電力を最小限に抑えることができる。
本発明の第4の実施形態を図9を用いて説明する。
図9は、本実施形態の発明に係る径方向および管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図9(a)は、図9(c)のA−A’において径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図9(b)は、図9(c)のB−B’において径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図9(c)は、図9(a)のP−P’から見た管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図と、図9(b)のQ−Q’から見た管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図と、図9(b)のR−R’から見た管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図と、図9(a)のSから見たフィラメントランプ1の正面図とからなる図である
図9に示すように、このフィラメントランプ1は、管軸に直交する断面が方形状に形成された直管状の発光管16の内部に、5つのフィラメント体41〜45が配設され、各フィラメント体41〜45における各々のフィラメント411〜451が管軸方向に順次に並んで管軸方向に伸びており、発光管16の両側の内壁に沿って各フィラメント体41〜45における各リード412〜452が配置されている。発光管16の両端に形成された各封止部5a、5bは、第1ないし第3の実施形態において示した各封止部5a、5bと同様に、管軸に直交する方向の断面が円形状となるよう形成されている。発光管16の内部には、互いに各フィラメント411〜451を挟んで離間した状態で発光管16の管軸に沿って伸びる、管軸に直交する方向の断面が方形状である一対の絶縁壁171、172が配置されている。各絶縁壁171、172は、石英ガラス等の絶縁材料からなり、各フィラメント411〜451と各リード412〜452との間に介在した状態で、発光管16の両側の内壁に沿って配置されている。
このフィラメントランプ1の構成について、以下にさらに詳しく説明する。発光管16の内周面においては、互いに周方向に離間して管軸に沿って伸びる、各フィラメント体41〜45における各リード412〜452を配置するための複数の溝部1611〜1612、1621〜1623が形成されている。これらの溝部1611〜1612、1621〜1623は、図5に示される、フィラメント(例えばフィラメント411)とこのフィラメント(フィラメント411)以外の他のフィラメント(フィラメント421〜451)に係る各リード(リード422〜452)との位置関係を満たしている。さらに、各絶縁壁171、172は、発光管16の各溝部1611〜1612、1621〜1623に対応する各々の箇所に、2つずつの開口1711a、1711b、開口1712a、1712b、開口1721a、1721b、開口1722a、1722b、開口1723a、1723bが形成され、管軸に直交する方向の外端部が、図5に示される有効光取り出し領域を除く領域に位置するよう発光管16の内部に配置されている。
発光管16の内部においては、各リード412〜452を配置するための各溝部1611〜1612、1621〜1623が内面に形成されることにより、管軸に直交する断面が凹凸状に形成された一対の第1の凹凸面161と第2の凹凸面162が、各フィラメント411〜451を挟んだ両側に対向している。さらに、発光管16の内部には、第1の凹凸面161、第2の凹凸面162の他に、各絶縁壁171、172を配置するための溝部1631〜1632、1641〜1642が形成されることにより、管軸に直交する断面が凹凸状に形成された一対の第3の凹凸面163と第4の凹凸面164が、各フィラメント411〜451を挟んだ両側に対向している。第3の凹凸面163と第4の凹凸面164に形成された各凸面は、管軸に直交する方向において、各絶縁壁171、172の管軸に直交する方向の幅よりもやや狭い距離を隔てて対向している。
各絶縁壁171、172は、管軸に対し直交する方向における各外端面が第3の凹凸面163と第4の凹凸面164における各凹面に隣接し、一方の側端面が第3の凹凸面163と第4の凹凸面164における各凸面に隣接し、さらに、他方の側端面が第1の凹凸面161と第2の凹凸面162に隣接して配置され、これにより、発光管16の内部において周方向に旋回することが規制された状態とされている。発光管16の内部においては、第1の凹凸面161と第2の凹凸面162に設けられた各溝部1611〜1612、1621〜1623の全てを塞ぐように各絶縁壁171、172が配置されることにより、発光管16内面の各溝部1611〜1612、1621〜1623と各絶縁壁171、172の他方の側端面とにより区画される、各フィラメント411〜451における各リード412〜452を収容するための各リード収容空間111〜115が形成される。
各フィラメント体41〜45は、両側に絶縁壁171、172が位置すると共に、各フィラメント411〜451が発光管16の中心軸上に位置した状態で、以下のようにして取付けられている。すなわち、図9に示すように、フィラメント411〜451の一端に連結された一方のリードにおけるフィラメント連結部4121a〜4521aが、管軸に直交する方向に伸びると共に絶縁壁171、172に設けられた一方の開口1711a〜1712a、1721a〜1723aに挿通され、一方のリードにおけるリード水平部4122a〜4522aが、発光管16の内面の溝部1611〜1612、1621〜1623に配置されると共に絶縁壁171、172の管軸方向の外端面から一方の封止部5aに向けて管軸方向外方に向けて突出している。さらに、フィラメント411〜451の他端に連結された他方のリードにおけるフィラメント連結部4121b〜4521bが、管軸に直交する方向に伸びると共に絶縁壁171、172に設けられた他方の開口1711b〜1712b、1721b〜1723bに挿通され、他方のリードにおけるリード水平部4122b〜4522bが、一方のリードにおけるリード水平部4122a〜4522aと同一の溝部1611〜1612、1621〜1623に配置されると共に絶縁壁171、172の管軸方向の外端面から他方の封止部5bに向けて管軸方向外方に向けて突出している。
このようなフィラメントランプ1に係る数値例を以下に説明する。なお、各フィラメント体41〜45における各フィラメント411〜451および各リード412〜452に係る数値は、第1の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1と共通している。発光管16は、管軸に直交する方向の幅が10mm〜40mm、管軸方向の全長が数十〜800mm程度であり、被処理体の大きさ、ランプから被処理体までの距離、ランプユニット内でのランプ配置によって決定される。本実施例では例えば幅が28mm、全長が560mmである。絶縁壁171、172は、管軸に直交する方向の幅(図9(b)の断面図の上下方向)が24.5〜25.5mm、管軸方向の全長が(図9(b)の断面図の奥行き方向)が400〜470mm、厚み(図9(b)の断面図の左右方向)が0.5〜1.2mmである。絶縁壁171、172は、第1の凹凸面161および第2の凹凸面162における各凸面に対し、少なくとも各リード412〜452の外径よりも小さい距離を隔てて隣接している必要があるが、第1の凹凸面161および第2の凹凸面162における各凸面に当接しているか、または、第1の凹凸面161および第2の凹凸面162における各凸面から0.7mm以下の距離を隔てて離間していることが好ましい。第1の凹凸面161、第2の凹凸面162は、各凸面が24mmの距離を隔てて対向している。
上記のごとく、第4の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1によれば、基本的には、第1ないし第3の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1と同様の効果を期待することができる。しかも、発光管16が、管軸に対し直交する方向の断面が例えば長方形や正方形である角筒状のものであるために、角筒と等しい外径を有する円筒状の発光管を用いる場合に比べ、発光管内に多数のリードを容易に配置することができることから、被処理体において高精度な温度制御を実現可能なフィラメントランプを容易に作製することができる。
上記の第1ないし第4の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1においては、発光管の内面に管状の絶縁壁または板状の絶縁壁を近接した状態で配置して、管状の絶縁壁または板状の絶縁壁の熱を発光管に伝達させることにより、管状の絶縁壁または板状の絶縁壁が高温状態になることを防止している。しかし、以下の図10ないし図12に示すフィラメントランプ1の構成を採用することにより、より効率的に管状の絶縁壁または板状の絶縁壁の熱を発光管へ伝達することができる。
本発明の第5の実施形態を図10を用いて説明する。
図10は、本実施形態の発明に係る径方向および管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図10(a)は、図10(c)のA−A’において径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図10(b)は、図10(c)のB−B’において径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図10(c)は管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図である。
図10に示すように、本実施形態の発明に係るフィラメントランプ1は、第1の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1に対して改良を加えたものであって、発光管2と内管3とを溶着していることを除く他の構成は、第1の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1と共通している。このフィラメントランプ1は、発光管2の内面に近接するよう同軸上に内管3を配置して、発光管2の外周面をバーナー等で加熱することにより、発光管2と内管3とが部分的に周方向に溶着されている。図10(a)に示すように、発光管2と内管3とが溶着された箇所においては、発光管2の内面に内管3の外周面が当接した状態となり、その一方で、図10(b)に示すように、発光管2と内管3とが溶着されていない箇所においては、発光管2の内周面と内管3の外周面との間に空間が形成されている。
このように、発光管2と内管3とを溶着することによって、内管3の熱が溶着領域18から優先的に発光管2に伝達されるために、内管3が高温状態になることをより確実に防止することができる。しかも、発光管2に対して内管3が固定されるために、内管3が周方向に旋回することをより確実に規制することができるので、各フィラメント体41〜45における各リード412〜452の位置が変動することによって被処理体における放射照度分布が悪化するおそれがなく、初期の放射照度分布を長期間に渡って維持することができる。特に、内管3に形成された各溝部311〜315と発光管2の内面とにより各リード収容空間111〜115が形成されるフィラメントランプ1においては、発光管2と内管3とを溶着することが好ましい。溶着領域18の面積は、フィラメント411〜451への投入電力を考慮することにより決定される。
図10に示されるように、発光管2と内管3とは、管軸方向で隣接するフィラメント411〜451間に存在する空間に対応する領域、すなわち、一方のフィラメント(例えばフィラメント421)における外端面に対して管軸に直交する方向に引いた外接線と、一方のフィラメント(フィラメント421)の外端面に対向する他方のフィラメント(例えばフィラメント431)の外端面に対して管軸に直交する方向に引いた外接線とにより、発光管2および内管3の管壁を含むよう囲まれる溶着領域18においてのみ周方向に溶着され、溶着領域18を除く他の領域においては溶着されていない。このように構成することにより、主にフィラメント411〜451とフィラメント411〜451間の光らない部分に対向する発光管2が収縮変形するので、ガラスの曲がり部による不所望の光の集光や拡散を最小限にできるという効果を期待することができる。
当然のことながら、第1の実施形態の図6において示したような、周方向において複数に分割された内管構成材121、122を用いたフィラメントランプ1や、第2の実施形態の図7において示したような、内面に複数の溝部131〜135が設けられた発光管13を用いたフィラメントランプ1において、発光管2と内管構成部材121、122または発光管13と内管3とを溶着させることによっても、前記と同様の効果を期待することができる。
本発明の第6の実施形態を図11を用いて説明する。
図11は、本実施形態の発明に係る径方向および管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図11(a)は、図11(c)のA−A’において径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図11(b)は、図11(c)のB−B’において径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図11(c)は管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図である。
図11に示すように、本実施形態の発明に係るフィラメントランプ1は、第3の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1に対して改良を加えたものであって、発光管13と内管15とを溶着していることを除く他の構成は、第3の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1と共通している。このフィラメントランプ1は、発光管13の内面に近接するよう同軸上に内管15を配置して、発光管13の外周面を発光管13の管軸方向にバーナー等で加熱することにより、発光管13と内管15とが部分的に管軸方向に溶着されている。図11(a)に示すように、発光管13と内管15とが溶着された箇所においては、発光管13の内面に内管15の外周面が当接した状態となり、その一方で、図11(b)に示すように、発光管13と内管15とが溶着されていない箇所においては、発光管13の内周面と内管15の外周面との間に空間が形成されている。
本実施形態の発明に係るフィラメントランプ1によれば、発光管13と内管15とが管軸方向に溶着されていることにより、以下の効果を期待することができる。第1に、溶着面積を増加させることができるので、内管15から発光管13への熱伝達がより促進され、内管15が高温状態になることをさらに確実に防止することができる。第2に、フィラメントランプ1の点灯時に、発光管13に比べて内管15の方が高温になって、管軸方向における熱膨張量が発光管13に比べて内管15の方が大きくなることにより、発光管13と内管15との間に働く剪断力により溶着部分が破損する、というおそれを確実に解消することができる。特に、4つ以上のフィラメント体41〜45を備えることにより、管軸方向の全長が大きい発光管13を用いる場合においては、発光管13と内管15とを管軸方向に溶着することが好ましい。
本発明の第7の実施形態を図12を用いて説明する。
図12は、本実施形態の発明に係る径方向および管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図12(a)は、径方向に切断したフィラメントランプ1の断面図であり、図12(b)は、図12(a)のT−T’から見た管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図である。
図12に示すように、本実施形態の発明に係るフィラメントランプ1は、第4の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1に対して改良を加えたものであって、発光管16と絶縁壁171、172とが管軸方向の全長にわたって溶着されていることを除く他の構成は、第4の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1と共通している。このフィラメントランプ1は、発光管16の両側の内壁に沿って各フィラメント411〜451を挟んで一対の絶縁壁171、172を配置して、発光管16の外周面を発光管16の管軸方向にバーナー等で加熱することにより、発光管16と各絶縁壁171、172とが管軸方向に溶着される。
本発明の第8の実施形態を図13および図14を用いて説明する。
図13は、本実施形態の発明に係る光照射式加熱処理装置を示す正面断面図、図14は、図13に示した第1ランプユニットおよび第2のランプユニットの構成を示す平面図である。本実施形態の発明に係る光照射式加熱処理装置100は、第1の実施形態から第7の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1を搭載して構成される。
図13に示すように、この光照射式加熱処理装置100は、石英窓101によりランプユニット収容空間S1と加熱処理空間S2とに分割されたチャンバ102を有する。ランプユニット収容空間S1に配置された第1のランプユニット103および第2のランプユニット104から放出される光を、石英窓101を介して加熱処理空間S2に設置される被処理体105に照射することにより、被処理体105の加熱処理が施される。
ランプユニット収容空間S1に収容される第1のランプユニット103と第2のランプユニット104は、例えば、10本の各々のフィラメントランプ1を所定の間隔で並列に配置して構成され、互いに対向するように配置される。図14に示されるように、第1のランプユニット103を構成するフィラメントランプ1の管軸方向は、第2のランプユニット104を構成するフィラメントランプ1の管軸方向に対して交差するよう配置される。なお、必ずしも図14に示すように2段のランプユニットを配設する必要はなく、1段のランプユニットのみを備える構成であっても良い。
第1のランプユニット103の上方には反射鏡106が配置される。反射鏡106は、例えば、無酸素銅からなる母材に金をコートした構造であり、反射断面が、円の一部、楕円の一部、放物線の一部または平板状等の形状を有する。反射鏡106は、第1のランプユニット103および第2のランプユニット104から上方に向けて照射された光を被処理体105側へ反射する。すなわち、第1のランプユニット103および第2のランプユニット104から放出される光は、直接または反射鏡106で反射されて、被処理体105に照射される。
ランプユニット収容空間S1には、冷却風ユニット107からの冷却風がチャンバ102に設けられた冷却風供給ノズル108の吹出し口109から導入される。ランプユニット収容空間S1に導入された冷却風は、第1のランプユニット103および第2のランプユニット104における各フィラメントランプ1に吹き付けられ、各フィラメントランプ1を構成する発光管を冷却する。ここで、各フィラメントランプ1の封止部は他の箇所に比して耐熱性が低い。そのため、冷却風供給ノズル108の吹出し口109は、各フィラメントランプ1の封止部に対向して配置し、各フィラメントランプ1の封止部を優先的に冷却するように構成することが望ましい。
各フィラメントランプ1に吹き付けられ、熱交換により高温になった冷却風は、チャンバ102に設けられた冷却風排出口110から排出される。なお、冷却風の流れは、熱交換されて高温になった冷却風が逆に各フィラメントランプ1を加熱しないように考慮される。上記冷却風は、反射鏡106も同時に冷却するように風の流れが設定される。なお、反射鏡106が図示を省略した水冷機構により水冷されるような場合は、必ずしも反射鏡106も同時に冷却するように風の流れを設定しなくともよい。
ところで、加熱される被処理体105からの輻射熱により石英窓101での蓄熱が発生する。蓄熱された石英窓101から2次的に放射される熱線により、被処理体105は不所望な加熱作用を受けることがある。この場合、被処理体105の温度制御性の冗長化(例えば、設定温度より被処理体105の温度が高温になるようなオーバーシュート)や、蓄熱される石英窓101自体の温度ばらつきに起因する被処理体105における温度均一性の低下等の不具合が発生する。また、被処理体105の降温速度の向上が難しくなる。よって、これらの不具合を抑制するため、図13に示すような冷却風供給ノズル108の吹出し口109を石英窓101の近傍にも設け、冷却風ユニット107からの冷却風により石英窓101を冷却するようにすることが望ましい。
第1のランプユニット103の各フィラメントランプ1は、一対の第1の固定台111、112により支持される。第1の固定台111、112は導電性部材で形成された導電台113と、セラミックス等の絶縁部材で形成された保持台114とからなる。保持台114は、チャンバ102の内壁に設けられて導電台113を保持している。第1のランプユニット103を構成するフィラメントランプ1の本数をn1、フィラメントランプ1が有するフィラメント体の個数をm1として、各フィラメント体全てに独立に電力が供給される場合、一対の第1の固定台111、112の組数は、n1×m1組となる。一方、第2のランプユニット104の各フィラメントランプ1は、第2の固定台により支持される。第2の固定台は、第1の固定台111、112と同様、導電台、保持台とからなる。第2のランプユニット104を構成するフィラメントランプ1の本数をn2、フィラメントランプ1が有するフィラメント体の個数をm2として、各フィラメント全てに独立に電力が供給される場合、一対の第2の固定台の組数は、n2×m2組となる。
チャンバ102には、電源部115の給電装置からの給電線が接続される一対の電源供給ポート116、117が設けられる。なお、図13では1組の電源供給ポート116、117が示されているが、フィラメントランプ1の個数、各フィラメントランプ1内のフィラメント体の個数等に応じて、電源供給ポートの個数は決められる。図13では、電源供給ポート116、117は、第1のランプ固定台111、112の導電台113と電気的に接続される。第1のランプ固定台111、112の導電台113は、例えば、外部リードと電気的に接続される。このように構成することにより、電源部115における給電装置から、第1のランプユニット103における1つのフィラメントランプ1のフィラメント体への給電が可能となる。なお、フィラメントランプ1の他のフィラメント体、また、第1のランプユニット103における他のフィラメントランプ1の各フィラメント、第2のランプユニット104の各フィラメントランプ1の各フィラメントについても、他の一対の電源供給ポートより、各々同様の電気的接続がなされる。
また、加熱処理空間S2には、被処理体105が固定される処理台118が設けられている。例えば、被処理体105が半導体ウエハである場合、処理台118は、モリブデンやタングステン、タンタルのような高融点金属材料やシリコンカーバイド(SiC)等のセラミック材料、または石英、シリコン(Si)からなる薄板の環状体であり、その円形開口部の内周部に半導体ウエハを支持する段差部が形成されているガードリング構造であることが好ましい。被処理体105である半導体ウエハは、上記した円環状のガードリングの円形開口部に半導体ウエハを嵌め込むように配置され、上記段差部で支持される。処理台118は、自らも光照射によって高温となり対面する半導体ウエハの外周縁を補助的に放射加熱し、半導体ウエハの外周縁からの熱放射を補償する。これにより、半導体ウエハの外周縁からの熱放射等に起因する半導体ウエハ周縁部の温度低下が抑制される。
処理台118に設置される被処理体105の光照射面の裏面側には、温度測定部119が被処理体105に当接または近接して設けられている。温度測定部119は、被処理体105の温度分布をモニタするためのものであり、被処理体105の寸法に応じて個数、配置が設定される。温度測定部119は、例えば、熱電対や放射温度計が使用される。温度測定部119によりモニタされた温度情報は、温度計120に送出される。温度計120は、各温度測定部119により送出された温度情報に基づき、各温度測定部119の測定地点における温度を算出するとともに、算出された温度情報を温度制御部121を介して主制御部122に送出する。主制御部122は、被処理体105上の各測定地点における温度情報に基づき、被処理体105上の温度が所定の温度で均一となるように指令を温度制御部121に送出する。温度制御部121は、この指令に基づき、電源部115から各フィラメントランプ1のフィラメント体へ供給される電力を制御する。例えば、主制御部122は、ある測定地点の温度が所定の温度に比して低いという温度情報を温度制御部121から得た場合、当該測定地点に近接するフィラメント体の発光部から放射される光が増加するように、当該フィラメント体に対する給電量を増加させるよう温度制御部121に対し指令を送出する。温度制御部121は、主制御部122から送出された指令に基づいて、電源部115から当該フィラメント体に接続された電源供給ポート116、117に供給される電力を増加させる。
主制御部122は、第1および第2のランプユニット102、103におけるフィラメントランプ1の点灯中、冷却風ユニット107に指令を送出することにより、発光管、石英窓101が高温状態とならないようにする。また、加熱処理の種類に応じて、加熱処理空間S2には、プロセスガスを導入・排気するプロセスガスユニット123を接続してもよい。例えば、熱酸化プロセスを行なう場合は、加熱処理空間S2に酸素ガス、および、加熱処理空間S2をパージするためのパージガス(例えば、窒素ガス)を導入・排気するプロセスガスユニットを接続する。プロセスガスユニット123からのプロセスガス、パージガスはチャンバ102に設けられたガス供給ノズル124の吹出し口125から加熱処理空間S2に導入される。また、排気は排出口126から行なわれる。
以上のような本発明の光照射式加熱処理装置100によれば、以下の効果を奏することができる。光照射式加熱処理装置100の光源部であるランプユニット103、104に搭載されるフィラメントランプ1には、発光管内部に第1の実施形態から第7の実施形態で示したフィラメント体と絶縁壁とからなる発光部が配置されており、フィラメントへ給電する電力を個別に調整することが可能であるので、上記光強度分布の設定は、発光管の軸方向についても調整可能である。よって、被処理体105表面における放射照度分布も、2次元方向に高精度に設定することが可能となるので、フィラメントランプの発光長よりも全長が短い狭小な特定領域(図14に示すような領域1)に対しても、この特定領域(領域1)に限定して、この特定領域(領域1)上の放射照度を設定することが可能である。すなわち、この特定領域(領域1)とその他の領域(図14に示すような領域2)において、それぞれの特性に対応した放射照度分布を設定することが可能となる。よって、上記特定領域(領域1)およびその他の領域(領域2)の温度が均一となるように制御することが可能となる。同様にして、被処理体105に場所的温度分布が発生することを抑制し、被処理体105全体にわたって均一な温度分布を得ることが可能となる。
さらに、本発明の光照射式加熱処理装置においては、発光管内に配置される各フィラメント同士の離間距離を極めて小さくできるフィラメントランプ1を使用することから、発光しない各フィラメント間の離間部の影響を小さくすることができ、被処理体105上での照度分布の不所望なバラツキを極めて小さくすることが可能である。また、光照射式加熱処理装置100の高さ方向において複数の管状のフィラメントランプ1からなるランプユニット103、104を配設するスペースも小さくて済むため、光照射式加熱処理装置を小型化することができる。
しかも、この光照射式加熱処理装置に搭載されたフィラメントランプ1によれば、第1の実施形態から第7の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1において説明したように、フィラメントの各々の内側に配設された絶縁壁により、当該フィラメント以外の他のフィラメントに係る各々のリードが互いに短絡することなく支持されるので、発光管の内部に複数のフィラメント体が配設される構成であっても、各々のリード間の絶縁を確保することが容易でありながら、フィラメントからの放射光がリードによって遮られることがなく、所望の光放射照度分布を得ることができる。
なお、本発明の光照射式加熱処理装置においては、複数のフィラメントランプ1が並列に配置されて構成されたランプユニット103、104を加熱用光源として用いる場合について説明したが、必ずしもランプユニットを構成する必要はなく、単一のフィラメントランプ1によって光源部が構成されたものであっても良い。
さらに、本発明の光照射式加熱処理装置において加熱処理される被処理体105は、半導体ウェハに限定されるものではなく、例えば、太陽電池パネル用の多結晶シリコン基板やガラス基板またはセラミックス基板、液晶表示用のガラス基板等にも適用することができる。特に、太陽電池パネル用の各種材質の基板には四角形基板が多用されており、このような被処理体の加熱処理に用いられる光照射式加熱処理装置の多くのものは、四角形基板を水平移動させながら、管軸が基板移動方向と直交する方向に伸びるよう配置された単一のフィラメントランプによって、または、各々管軸が基板移動方向と直交する方向に伸びるよう並設された複数本のフィラメントランプによって、帯状の光を照射して加熱処理を行う構成とされている。このような場合には、4つ以上のフィラメント体が配設された、本発明に係るフィラメントランプ1が用いられることにより、基板の移動方向に平行な2辺部(帯状の両端部)の温度低下を補償しつつ、基板中央部(帯状の中央部)の放射照度分布を調整することができるので、より高精度の温度制御を確実に行うことができる。
第1の実施形態の発明に係るフィラメントランプ1の斜視図である。 第1の実施形態の発明に係る径方向および管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図である。 図1に示したフィラメントランプ1の内管3に対するフィラメント体41〜45の配置を示す斜視図である。 図1に示した封止部5a内の拡大斜視図および断面図である。 フィラメント411〜451とリード412〜452の位置関係を説明するために示したフィラメントランプ1の断面図である。 内管構成材121、122に対するフィラメント体41〜45の配置を示す斜視図である。 第2の実施形態の発明に係る径方向および管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図である。 第3の実施形態の発明に係る径方向および管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図である。 第4の実施形態の発明に係る径方向および管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図である。 第5の実施形態の発明に係る径方向および管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図である。 第6の実施形態の発明に係る径方向および管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図である。 第7の実施形態の発明に係る径方向および管軸方向に切断したフィラメントランプ1の断面図である。 第8の実施形態の発明に係る光照射式加熱処理装置を示す正面断面図である。 図13に示した第1ランプユニットおよび第2のランプユニットの構成を示す平面図である。 従来技術に係る加熱処理装置200の断面図である。 図15に示した加熱処理装置を簡略化して上下両段に設けられる加熱用白熱ランプ203、204と被処理体202とを取出して示した斜視図である。 従来技術に係る熱処理装置300の断面図である。 先願に係るフィラメントランプ400の斜視図である。
符号の説明
1 フィラメントランプ
2 発光管
3 内管
311、312、313、314、315 溝部
321a、322a、323a、324a、325a 開口
321b、322b、323b、324b、325b 開口
41、42、43、44、45 フィラメント体
411、421、431、441、451 フィラメント
412、422、432、442、452 リード
4121a、4221a、4321a、4421a、4521a フィラメント連結部
4122a、4222a、4322a、4422a、4522a リード水平部
4123a、4223a、4323a、4423a、4523a 内部リード連結部
4121b、4221b、4321b、4421b、4521b フィラメント連結部
4122b、4222b、4322b、4422b、4522b リード水平部
4123b、4223b、4323b、4423b、4523b 内部リード連結部
5a、5b 封止部
6a シール用絶縁体
611a、612a、613a、614a、615a 溝部
621a、622a、623a、624a、625a 溝部
6b シール用絶縁体
611b、612b、613b、614b、615b 溝部
621b、622b、623b、624b、625b 溝部
71a、72a、73a、74a、75a 内部リード
71b、72b、73b、74b、75b 内部リード
81a、82a、83a、84a、85a 金属箔
81b、82b、83b、84b、85b 金属箔
91a、92a、93a、94a、95a 外部リード
91b、92b、93b、94b、95b 外部リード
101a、102a、103a、104a、105a 導電性部材
101b、102b、103b、104b、105b 導電性部材
111、112、113、114、115 リード収容空間
121、122 内管構成材
13 発光管
131、132、133、134、135 溝部
14 内管
141a、142a、143a、144a、145a 開口
141b、142b、143b、144b、145b 開口
15 内管
151a、152a、153a、154a、155a 開口
151b、152b、153b、154b、155b 開口
152 開口
16 発光管16
161 第1の凹凸面
1611、1612 溝部
162 第2の凹凸面
1621、1622、1623 溝部
163 第3の凹凸面
1631、1632 溝部
164 第4の凹凸面
1641、1642 溝部
171 絶縁壁
1711a、1712a 開口
1711b、1712b 開口
172 絶縁壁
1721a、1722a、1723a 開口
1721b、1722b、1723b 開口
18 溶接領域
X、Y 外接線
100 光照射式加熱処理装置
101 石英窓
102 チャンバ
103 第1のランプユニット
104 第2のランプユニット
105 被処理体
106 反射鏡
107 冷却風ユニット
108 冷却風供給ノズル
109 吹出し口
110 冷却風排出口
111、112 第1の固定台
113 導電台
114 保持台
115 電源部
116、117 電源供給ポート
118 処理台
119 温度測定部
120 温度計
121 温度制御部
122 主制御部
123 プロセスガスユニット
124 ガス供給ノズル
125 吹出し口
126 排出口
S1、S2 ランプユニット収容空間

Claims (12)

  1. 少なくとも一端に封止部が形成された発光管の内部に、各々コイル状のフィラメントの両端に該各々のフィラメントに電力を供給する一対のリードが連結されてなる複数のフィラメント体が、前記各々のフィラメントが前記発光管の管軸に沿って伸びるよう順次に並んで配設され、前記各々のフィラメント体における各々のリードが前記封止部に配設された複数の各々の導電性部材に対して電気的に接続されて前記各々のフィラメントに対して各々独立に給電されるフィラメントランプにおいて、
    前記発光管の内部に、前記各々のリードを挿通する開口を備え、前記発光管の内面に近接するよう管軸に沿って配置され、前記各々のフィラメントと前記各々のリードとの間に介在する絶縁壁と、前記発光管と前記絶縁壁とにより区画され、前記発光管の管軸に沿って伸びるように形成され、前記各々のリードに対応して設けられた複数のリード収容空間とを備え、
    前記各々のフィラメントに接続された各々のリードが、前記絶縁壁の前記開口を通って、前記各々のリード収容空間に、互いに短絡することなく配置されることを特徴とするフィラメントランプ。
  2. 前記絶縁壁が、前記発光管と同軸上に設けられた内管からなることを特徴とする請求項1に記載のフィラメントランプ。
  3. 前記内管の外面に、互いに周方向に離間して前記発光管の管軸に沿って伸び、前記各々のフィラメントに連結される各々のリードに対応して設けられた複数の溝部が形成され、
    前記各々のリード収容空間は、前記各々の溝部と前記発光管の内面とにより形成されることを特徴とする請求項2に記載のフィラメントランプ。
  4. 前記発光管の内面に、互いに周方向に離間して前記発光管の管軸に沿って伸び、前記各々のフィラメントに連結される各々のリードに対応して設けられた複数の溝部が形成され、
    前記各々のリード収容空間は、前記各々の溝部と前記内管の外面とにより形成されることを特徴とする請求項2に記載のフィラメントランプ。
  5. 前記内管は、前記フィラメントからの放射光を遮蔽することなく出射するための開口が形成されていることを特徴とする請求項2ないし請求項4のいずれか1つの請求項に記載のフィラメントランプ。
  6. 前記発光管の内面に、互いに周方向に離間して前記発光管の管軸に沿って伸び、前記各々のフィラメントに連結される各々のリードに対応して設けられた複数の溝部が形成され、
    前記絶縁壁は、互いに前記各々のフィラメントを挟んで対向して配置された一対の板状体からなり、
    前記各々のリード収容空間は、前記各々の溝部と前記板状体とにより形成されることを特徴とする請求項1に記載のフィラメントランプ。
  7. 前記発光管と前記絶縁壁とが、溶着されていることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1つの請求項に記載のフィラメントランプ。
  8. 前記発光管と前記絶縁壁とが、発光管の管軸に沿って溶着されていることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1つの請求項に記載のフィラメントランプ。
  9. 前記各々のリード収容空間は、前記発光管の管軸に直交する断面において、フィラメントに対して直交する2本の外接線と前記発光管の管壁とにより囲まれる、少なくとも前記フィラメントを含む領域以外の領域に、当該フィラメント以外の他のフィラメントに係るリードのすべてが位置されるよう、形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1つの請求項に記載のフィラメントランプ。
  10. 前記封止部は、棒状のシール用絶縁体が配設されると共に、前記複数の導電性部材を前記シール用絶縁体の外周に間隔を設けて配列し、前記発光管と前記シール用絶縁体とが前記導電性部材を介して気密に封止されて形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれか1つの請求項に記載のフィラメントランプ。
  11. 請求項1ないし請求項10のいずれか1つの請求項に記載のフィラメントランプが配置されてなる光源部を備え、該光源部から放射される光を被処理体に照射して被処理体を加熱することを特徴とする光照射式加熱処理装置。
  12. 請求項1ないし請求項10のいずれか1つの請求項に記載のフィラメントランプの複数が並列に配置されてなるランプユニットを備え、該ランプユニットから放射される光を被処理体に照射して被処理体を加熱することを特徴とする光照射式加熱処理装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5282409B2 (ja) * 2008-02-25 2013-09-04 ウシオ電機株式会社 光照射式加熱方法及び光照射式加熱装置
JP5315833B2 (ja) * 2008-07-28 2013-10-16 ウシオ電機株式会社 フィラメントランプ
JP4821819B2 (ja) * 2008-08-26 2011-11-24 ウシオ電機株式会社 フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置
JP5125933B2 (ja) * 2008-09-22 2013-01-23 ウシオ電機株式会社 フィラメントランプ
JP5251398B2 (ja) 2008-09-26 2013-07-31 ウシオ電機株式会社 フィラメントランプ
JP5476971B2 (ja) * 2009-12-16 2014-04-23 ウシオ電機株式会社 フィラメントランプ
JP5476979B2 (ja) * 2009-12-22 2014-04-23 ウシオ電機株式会社 フィラメントランプ
US20130315575A1 (en) 2012-05-23 2013-11-28 Osram Sylvania Inc. Concentric coil infrared emitter lamp
US10264629B2 (en) * 2013-05-30 2019-04-16 Osram Sylvania Inc. Infrared heat lamp assembly
DE112014004071T5 (de) * 2013-09-05 2016-06-09 Applied Materials, Inc. Lampenquerschnitt für reduzierte Wendelerwärmung
KR20230173740A (ko) * 2015-01-30 2023-12-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 프로세스 챔버를 위한 램프 가열
JP6756608B2 (ja) * 2016-12-27 2020-09-16 シーシーエス株式会社 ライン光照射装置
JP6982446B2 (ja) * 2017-09-21 2021-12-17 株式会社Screenホールディングス 熱処理装置
KR20210095059A (ko) * 2020-01-21 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불균일한 열 출력의 필라멘트 램프를 갖는 반도체 처리 챔버

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6806902A (ja) * 1968-05-16 1969-11-18
US3579021A (en) * 1969-04-30 1971-05-18 Sylvania Electric Prod Incandescent lamp having linear output
US3634722A (en) * 1970-03-30 1972-01-11 Sylvania Electric Prod Tungsten halogen lamp having improved filament support
NL7012669A (ja) * 1970-08-27 1972-02-29
NL160679C (nl) * 1970-09-03 1979-11-15 Philips Nv Elektrische gloeilamp.
US4080548A (en) * 1976-01-19 1978-03-21 Precision Controls, Inc. Lighting system having dimming capabilities
US4442374A (en) * 1982-03-25 1984-04-10 Gte Products Corporation Dual length copier lamp
US4710676A (en) * 1985-08-15 1987-12-01 Gte Products Corporation Multi-level fuser lamp
JPH0749356B2 (ja) * 1986-01-30 1995-05-31 三菱電機株式会社 エスカレ−タの手すり駆動装置
JPH04329253A (ja) 1991-04-30 1992-11-18 Toshiba Lighting & Technol Corp 管形白熱電球
JPH0737833A (ja) 1993-07-22 1995-02-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の光照射式熱処理装置
JPH0716353U (ja) 1993-08-31 1995-03-17 ウシオ電機株式会社 管型ランプ
US5962973A (en) * 1997-06-06 1999-10-05 Guide Corporation Optically-coated dual-filament bulb for single compartment headlamp
DE10024709B4 (de) 2000-05-18 2008-03-13 Steag Rtp Systems Gmbh Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten
JP4948701B2 (ja) 2000-12-28 2012-06-06 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、当該加熱装置を有する熱処理装置、及び、熱処理制御方法
JP2006279008A (ja) 2005-03-02 2006-10-12 Ushio Inc ヒータ及びヒータを備えた加熱装置
JP4692249B2 (ja) * 2005-11-30 2011-06-01 ウシオ電機株式会社 フィラメントランプ
JP4893159B2 (ja) * 2006-08-24 2012-03-07 ウシオ電機株式会社 フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置
JP4687615B2 (ja) * 2006-08-31 2011-05-25 ウシオ電機株式会社 フィラメントランプ

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