JP4888604B2 - 透明導電性積層フィルム - Google Patents
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Description
ペン摺動耐久性を向上させる手段として、可動電極(フィルム電極)側の透明導電性薄膜を結晶質にする方法がある(特許文献1〜4)。
従来、透明導電性薄膜層のパターニングはフォトリソグラフィー法やレーザーエッチング法で行われていた。しかしながらフォトリソグラフィー法では透明導電性薄膜層を残す部分にフォトレジストの印刷、光照射、酸への浸漬、続いてアルカリ溶液に浸漬と工程数が多く大掛かりな装置が必要であった。さらに酸やアルカリなどの廃液処理は環境問題の観点から好ましくない。
一方、レーザーエッチング法では廃液処理の問題はないものの、設備が大掛かりであり、また加工速度が遅いため大面積の処理やパターニング数が多くなると実用上問題が生じていた。
上記問題を解決するためにエッチングインキが開発された(例えばMerck社製、isishape HiperEtch)。エッチングインキの特徴は簡素な工程(印刷、加熱、洗浄、乾燥)と環境負荷の低減である。
このためエッチングインキに対応できる透明導電性フィルムの開発が望まれている。
1.透明プラスチックフィルムからなる基材上の少なくとも一方の面に、少なくとも1層の誘電体層及び透明導電性薄膜層をこの順に積層した積層フィルムであって、誘電体層の膜厚が3〜100nmであり、透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に結晶質の酸化インジウムを主とした透明導電性薄膜層を成膜するに際し、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比を8.0×10 −4 〜3.0×10 −3 とし、かつ酸素分圧を8.0×10 −3 〜30×10 −3 Paとして、かつ成膜中はフィルム温度を80℃以下に保持して透明プラスチックフィルム上に透明導電性薄膜層が成膜されてなり、透明導電性薄膜の厚みが、10〜100nmであり、透明導電性薄膜層が酸化スズの含有率が0.5〜8質量%であるインジウム−スズ複合酸化物であり、平均結晶粒径が30〜1000nmであり、かつ透明導電性薄膜の結晶質部に対する非晶質部の比が0.00〜0.50であることを特徴とする透明導電性積層フィルム。
2.透明導電性薄膜層を製膜後に熱処理されていないことを特徴とする上記1に記載の透明導電性積層フィルム。
本発明の透明導電性積層フィルムは、透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に、少なくとも1層以上の誘電体層及び結晶質の酸化インジウムを主とした透明導電性薄膜層が積層された透明導電性積層フィルムであって、透明導電性薄膜層の酸化インジウムの平均結晶粒径が30〜1000nmであり、かつ透明導電性薄膜層の結晶質部に対する非晶質部の比が0.00〜0.50である。
透過型電子顕微鏡下で透明導電性薄膜層を観察したときに、多角形状の領域を持つものを結晶質の酸化インジウムと定義する。また、その多角形状の領域を酸化インジウムの結晶粒とし、すべての結晶粒の面積を出す。結晶粒の面積を円周率πで割った値の平方根を2倍した値を結晶粒径とする。すべての結晶粒の結晶粒径から平均結晶粒径を計算する。
また、透明導電性薄膜層の酸化インジウムの結晶質部に対する非晶質部の比は、透過型電子顕微鏡下で観察したときの結晶質部と非晶質部の面積比から算出する。なお、透明導電性薄膜層の酸化インジウムの結晶質部は透過型電子顕微鏡下で透明導電性薄膜層を観察したときに、多角形状の領域を持つものを結晶質部の酸化インジウムと定義し、残りの部分を非晶質部と定義する。
前記の比が0.50以下であれば、結晶粒が非晶部の中に島状に浮いているような状態はとらず、結晶粒同士がすべてつながっている状態をとる。このような状態であれば、ペン摺動耐久試験を行っても、結晶粒同士でお互いを支えあうので、ペン摺動耐久性が非常に高いものが得られる。
本発明の透明導電性積層フィルムにおいて透明導電性薄膜層を成膜する方法としては、以下の方法〔1〕、〔2〕が望ましい。
〔1〕透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に結晶質の酸化インジウムを主とした透明導電性薄膜層を成膜する方法において、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比が8.0×10−4〜3.0×10−3とし、かつ酸素分圧は8.0×10−3〜30×10−3Paとして、かつ成膜中はフィルム温度を80℃以下に保持して透明プラスチックフィルム上に透明導電性薄膜層を成膜することが望ましい。
まず1点目として、スパッタリングで、プラスチックフィルムに成膜をすると、フィルムが加熱され成膜雰囲気中の水分量が増加してしまい、到達真空度を測定したときの水分量より増加する。
酸素分圧を高い値にする意図は次の通りである。酸素分圧を高い状態で成膜すると、酸化インジウムの酸素欠損部分が補われるために、非常にエネルギー的に安定した結晶構造を持つ膜が得られることになる。
その結果、透明プラスチック基材上で結晶粒の発生確率が増大し、さらには結晶成長が容易になるために、非常に優れたペン摺動耐久性を発現することになる。ただし、酸素分圧を30×10−3Paより大きくすると表面抵抗が実用的な水準を超えてしまうので望ましくない。ここで表面抵抗の実用的な水準は、50〜1000Ω/□程度である。
なお、本発明の透明導電性積層フィルムの全光線透過率は70〜95%が好ましく、表面抵抗は50〜1000Ω/□が好ましい。
(透明プラスチックフィルムからなる基材)
本発明で用いる透明プラスチックフィルムからなる基材とは、有機高分子をフィルム状に溶融押出し又は溶液押出しをしてフィルム状に成形し、必要に応じ、長手方向及び/又は幅方向に延伸、熱固定、熱弛緩処理を施したフィルムである。有機高分子としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−2,6−ナフタレート、ポリプロピレンテレフタレート、ナイロン6、ナイロン4、ナイロン66、ナイロン12、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルファン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリアリレート、セルロースプロピオネート、ポリ塩化ビニール、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンオキサイド、ポリスチレン、シンジオタクチックポリスチレン、ノルボルネン系ポリマーなどが挙げられる。
本発明で用いることのできる誘電体層としては、SiO2、Al2O3、TiO2、Nb2O5、ZrO2、Ta2O5、SiO2等およびこれらの複合酸化物が挙げられる。これらのなかでも屈折率の低いSiO2、Al2O3などの透明金属酸化物及びSiO2−Al2O3等の複合金属酸化物が好ましい。
(1)全光線透過率
JIS−K7105に準拠し、日本電色工業(株)製NDH−1001DPを用いて、全光線透過率を測定した。
JIS−K7194に準拠し、4端子法にて測定した。測定機は、三菱油化(株)製 Lotest AMCP−T400を用いた。
誘電体層、透明導電性薄膜層を積層したフィルム試料片を1mm×10mmの大きさに切り出し、電子顕微鏡用エポキシ樹脂に包埋した。これをウルトラミクロトームの試料ホルダに固定し、包埋した試料片の短辺に平行な断面薄切片を作製した。次いで、この切片の薄膜の著しい損傷がない部位において、透過型電子顕微鏡(JEOL社製、JEM−2010)を用い、加速電圧200kV、明視野で観察倍率1万倍にて写真撮影を行って得られた写真から膜厚を求めた。
透明導電性薄膜層を積層したフィルム試料片を1mm×10mmの大きさに切り出し、導電性薄膜面を外向きにして適当な樹脂ブロックの上面に貼り付けた。これをトリミングしたのち、一般的なウルトラミクロトームの技法によってフィルム表面にほぼ平行な超薄切片を作製した。
この切片を透過型電子顕微鏡(JEOL社製、JEM−2010)で観察して著しい損傷がない導電性薄膜表面部分を選び、加速電圧200kV、直接倍率40000倍で写真撮影を行った。
透過型電子顕微鏡下で透明導電性薄膜層を観察したときに、多角形状の領域を持つものを結晶粒と定義し、結晶粒の面積を出す。結晶粒の面積を円周率πで割った値の平方根を2倍した値を結晶粒径とする。透過型電子顕微鏡下で透明導電性薄膜層に観察される酸化インジウムの結晶粒について、すべての結晶粒径を算出する。すべての結晶粒径の平均値を平均結晶粒径とする。
上記透過型電子顕微鏡下で透明導電性薄膜層に観察・写真撮影された酸化インジウムのすべての結晶粒について面積を出し、観察・写真撮影した面積との差を非晶質部の面積として、結晶質部に対する非晶質部の比を算出した。
透明導電性積層フィルムを一方のパネル板として用い、他方のパネル板として、ガラス基板上にプラズマCVD法で厚みが20nmのインジウム−スズ複合酸化物薄膜(酸化スズ含有量:10質量%)からなる透明導電性薄膜(日本曹達社製、S500)を用いた。この2枚のパネル板を透明導電性薄膜層が対向するように、直径30μmのエポキシビーズを介して、配置しタッチパネルを作製した。次にポリアセタール製のペン(先端の形状:0.8mmR)に5.0Nの荷重をかけ、30万回(往復15万回)の直線摺動試験をタッチパネルに行った。この時の摺動距離は30mm、摺動速度は60mm/秒とした。この摺動耐久性試験後に、まず、摺動部が白化しているかを目視によって観察した。さらに、ペン荷重0.5Nで摺動部を押さえた際の、ON抵抗(可動電極(フィルム電極)と固定電極とが接触した時の抵抗値)を測定した。ON抵抗は10kΩ以下であるのが望ましい。
透明導電性薄膜層上にエッチングインキ(Merck社製isishape HiperEtch04S)をパターン状に塗布した。続いて150℃±2℃のオーブン中で20分加熱した。その後、水で洗浄および風乾し、エッチングインキの除去性を目視にて評価し、さらに透明導電性薄膜層の導通を確認した。
○ エッチングインキの残渣がなく、透明であり、導通が取れる。
× エッチングインキの残渣があり、透明でない、または透明であるが導通が得られない。
透明導電性積層フィルムを得る手法は上記の〔1〕の方法を採用している。
これらの実施例は表1に示した条件のもと、以下の通り実施した。なお、表1に記載のITO膜は透明導電性薄膜層、SiO2膜は誘電体層にそれぞれ対応している。
真空槽にフィルムを投入し、真空引きをした。真空引き時間が長いほどスパッタリング時の成膜中の水分圧が減少するので、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比は真空引き時間を変えることで制御した。
酸素導入後に不活性ガスとしてアルゴンを導入し全圧を0.5Paにした。
SiO2薄膜を形成するため、シリコンをターゲットに用いて、直流マグネトロンスパッタリング法で行った。また、成膜中の電圧値を常時観測しながら、電圧値が一定となるように酸素ガスの流量計にフィートバックした。
続いて前記SiO2薄膜上に酸化スズを含む酸化インジウム焼結ターゲット、あるいは酸化スズを含まない酸化インジウム焼結ターゲットに1W/cm2の電力密度で電力を投入し、DCマグネトロンスパッタリング法により、透明導電性薄膜層を成膜した。膜厚についてはフィルムがターゲット上を通過するときの速度を変えて制御した。また、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比については、ガス分析装置(インフィコン社製、トランスペクターXPR3)を用いて測定した。
透明導電性薄膜層を成膜したフィルムは、熱処理した後、表1に記載の測定を実施した(ただし、熱処理しないで測定したものもある)。測定結果を表1に示した。
表1に記載の条件で実施例1と同様に透明導電性積層フィルムを作製して評価した。測定結果を表1に示した。
一方、誘電体層の膜厚が所定の範囲外の比較例1〜2ではペン摺動耐久試験は優れているが、ITOパターニング後にエッチングインキが剥がれない(比較例1)、またはITO膜にクラックが発生していた(比較例2)。また、平均結晶粒径、結晶質部に対する非晶質部の比が適切でない比較例3〜5記載の透明導電性積層フィルムは、ペン摺動耐久性が優れなかった。
11:透明プラスチックフィルム(基材)
12:硬化物層
13:誘電体層
14:透明導電性薄膜層
Claims (2)
- 透明プラスチックフィルムからなる基材上の少なくとも一方の面に、少なくとも1層の誘電体層及び透明導電性薄膜層をこの順に積層した積層フィルムであって、誘電体層の膜厚が3〜100nmであり、透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に結晶質の酸化インジウムを主とした透明導電性薄膜層を成膜するに際し、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比を8.0×10 −4 〜3.0×10 −3 とし、かつ酸素分圧を8.0×10 −3 〜30×10 −3 Paとして、かつ成膜中はフィルム温度を80℃以下に保持して透明プラスチックフィルム上に透明導電性薄膜層が成膜されてなり、透明導電性薄膜の厚みが、10〜100nmであり、透明導電性薄膜層が酸化スズの含有率が0.5〜8質量%であるインジウム−スズ複合酸化物であり、平均結晶粒径が30〜1000nmであり、かつ透明導電性薄膜の結晶質部に対する非晶質部の比が0.00〜0.50であることを特徴とする透明導電性積層フィルム。
- 透明導電性薄膜層を製膜後に熱処理されていないことを特徴とする請求項1に記載の透明導電性積層フィルム。
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