JP4883991B2 - レーザーリフトオフ法およびレーザーリフトオフ装置 - Google Patents
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Description
以下のように本発明による方法によりAlGaN系LEDを製造した。各層の結晶成長に際しては、有機金属気相堆積法(MOCVD)を使用した。また、キャリアガスには水素(H2)を使用した。但し、p層電極と導電性支持体との接合は、後のITO電極の蒸着時の基板温度を高めるため、半田には金ゲルマニウム合金(金:12%)を用いて行った。
サファイア基板側から順次照射するQスイッチLD励起Nd:YVO4レーザー(波長266nm)を、シリンドリカルレンズで楕円形(長軸径600μm:短軸径3.5μm)にフォーカスして照射したことを除き、例1と同様にしてサファイア基板を除去した。その際、積層体を載せたXYステージを、当該楕円の長軸方向と略直交する方向において移動させた。
サファイア基板側から照射するQスイッチLD励起Nd:YVO4レーザー(波長266nm)を、デフォーカスして円形(直径100μm)で照射したことを除き、例1と同様にしてサファイア基板を除去した。
例2で得られた露出されたn型AlGaN層の表面をCMP法で研磨した。次いで、レーザー堆積装置(日本真空株式会社製)を用い、SnO2とIn2O3をSn含有量が15質量%となるように混合した混合物から、温度800℃において、n型Al0.3Ga0.7N層の上に厚さ300nmの高錫濃度ITO電極からなるn層電極を蒸着した。
2 LED
3 XYステージ
4 ステージ駆動部
5 ビームエキスパンダ
6 柱状レンズ
7 集光レンズ
8 CCDカメラ
9 ダイクロイックミラー
10 反射鏡
11 ガルバノスキャナ
12 レーザービーム
13 集光レーザービーム
14 fθレンズ
100 積層構造体
110 サファイア基板
120 剥離層としてのGaN系化合物結晶層
130 n型AlGaN層
140 AlGaN系量子井戸活性層
150 p型AlGaN層
160 p型GaN層
170 p電極層
180 導電性接着剤層
190 導電性支持体
200 LED構造部
Claims (5)
- 基板上に形成されたGaN系化合物結晶層に該基板側からレーザー光を照射することにより該GaN系化合物結晶層を剥離するレーザーリフトオフ法であって、該レーザー光を楕円形にして照射するに際し、該楕円形レーザー光と基板とを、当該楕円の長軸方向と略直交する方向において相対移動させながら照射することを特徴とする方法。
- 該レーザー光を楕円形にするためにシリンドリカルレンズを用いる、請求項1に記載の方法。
- 該楕円形の長軸の短軸に対する比率が10以上である、請求項1又は2に記載の方法。
- 基板上に形成されたGaN系化合物結晶層に該基板側からレーザー光を照射することにより該GaN系化合物結晶層を剥離するレーザーリフトオフ装置であって、該レーザー光を楕円形にする手段、及び該楕円形レーザー光と基板とを、当該楕円の長軸方向と略直交する方向において相対移動させながら照射する手段を具備した装置。
- 該手段がシリンドリカルレンズである、請求項4に記載の装置。
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