JP4881345B2 - Pressure control mechanism, substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium - Google Patents

Description

この発明は、圧力制御機構、及びこの圧力制御機構を備えた、半導体ウエハやＦＰＤ等の基板に対して洗浄処理等の処理を施す基板処理装置とその基板処理方法、及び基板処理装置を制御する記憶媒体に関する。   The present invention controls a pressure control mechanism, a substrate processing apparatus including the pressure control mechanism, and a substrate processing apparatus for performing a processing such as a cleaning process on a substrate such as a semiconductor wafer or an FPD, and the substrate processing method. The present invention relates to a storage medium.

半導体デバイスの製造プロセスやフラットパネルディスプレー（ＦＰＤ）の製造プロセスにおいては、被処理基板である半導体ウエハやガラス基板に処理液を供給して液処理を行うプロセスが多用されている。このようなプロセスとしては、例えば、基板に付着したパーティクルやコンタミネーション等を除去する洗浄処理を挙げることができる。   In a semiconductor device manufacturing process and a flat panel display (FPD) manufacturing process, a process of supplying a processing liquid to a semiconductor wafer or a glass substrate, which is a substrate to be processed, and performing liquid processing is frequently used. An example of such a process is a cleaning process that removes particles, contamination, and the like attached to the substrate.

このような基板処理装置としては、半導体ウエハ等の基板をスピンチャックに保持し、基板を回転させた状態でウエハに洗浄液等の処理液を供給して洗浄処理を行うものが知られている。この種の装置では、通常、処理液はウエハの中心に供給し、基板を回転させることにより処理液を外側に広げて液膜を形成しながら、処理液を基板の外方へ離脱させる。   As such a substrate processing apparatus, there is known a substrate processing apparatus that holds a substrate such as a semiconductor wafer on a spin chuck and supplies a processing liquid such as a cleaning liquid to the wafer while the substrate is rotated to perform a cleaning process. In this type of apparatus, the processing liquid is usually supplied to the center of the wafer, and the processing liquid is separated outward from the substrate while rotating the substrate to spread the processing liquid outward and form a liquid film.

洗浄処理に使用される処理液には、例えば、特許文献１に記載されているように、酸性薬液、アルカリ性薬液、及びリンス処理に使用する純水等がある。特許文献１には洗浄処理を、酸性薬液を使用した処理、純水を使用したリンス処理、アルカリ性薬液を使用した処理、及び純水を使用したリンス処理の順で行うことが記載されている。
特開２００５−７９２２０号公報 Examples of the treatment liquid used for the cleaning treatment include an acidic chemical solution, an alkaline chemical solution, and pure water used for the rinsing treatment as described in Patent Document 1. Patent Document 1 describes that the cleaning process is performed in the order of a process using an acidic chemical solution, a rinse process using pure water, a process using an alkaline chemical solution, and a rinse process using pure water.
JP-A-2005-79220

特許文献１には１ユニットの処理部のみが記載されているが、特許文献１に記載されるような基板処理装置には、スループットを向上させるために複数ユニットの処理部を備えたもの、いわゆるマルチユニット型基板処理装置も存在する。   Although only one unit of processing unit is described in Patent Document 1, a substrate processing apparatus as described in Patent Document 1 is provided with a plurality of processing units in order to improve throughput, so-called. There are also multi-unit type substrate processing apparatuses.

マルチユニット型基板処理装置は全ユニット、又は何組かのユニットで共通の排気管を備え、共通の排気管を介して全ユニット、又は何組かのユニット毎に排気を行う。共通の排気管は、雰囲気毎に分けられる。例えば、有機系の雰囲気を排気する有機系排気管、アルカリ系の雰囲気を排気するアルカリ系排気管、及び酸系の雰囲気を排気する酸系排気管等である。   The multi-unit type substrate processing apparatus includes an exhaust pipe common to all units or several sets of units, and exhausts all units or several sets of units via the common exhaust pipe. The common exhaust pipe is divided for each atmosphere. For example, an organic exhaust pipe that exhausts an organic atmosphere, an alkaline exhaust pipe that exhausts an alkaline atmosphere, an acid exhaust pipe that exhausts an acid atmosphere, and the like.

マルチユニット型基板処理装置では、全ユニット稼働している場合もあったり、１ユニットしか稼働していない場合もあったり、ユニットの稼働状況がまちまちである。また、全てのユニットが同じ処理を行っている場合もあるが、そうでない場合もある。このような場合には、処理毎に、ある処理部は有機系排気管に接続され、別の処理部はアルカリ系排気管に接続され、さらに別の処理部は酸系排気管に接続されることになる。   In a multi-unit type substrate processing apparatus, there are cases where all the units are operating, there are cases where only one unit is operating, and the operating status of the units varies. In addition, all units may perform the same processing, but there may be cases where this is not the case. In such a case, for each treatment, one treatment unit is connected to the organic exhaust pipe, another treatment unit is connected to the alkaline exhaust pipe, and another treatment unit is connected to the acid exhaust pipe. It will be.

即ち、マルチユニット型基板処理装置における共通の排気管は、接続される処理部の数が、処理状況に応じて様々に変わる。接続される処理部の数が変わると、共通の排気管内の圧力が変わる。例えば、接続される処理部の数が多くなると圧力は下がり、少なければ圧力は上がる。共通の排気管の圧力が変われば、処理部の排気口付近の圧力が変わり、排気速度が変わってしまう。   That is, the number of processing units connected to the common exhaust pipe in the multi-unit type substrate processing apparatus varies depending on the processing status. When the number of connected processing units changes, the pressure in the common exhaust pipe changes. For example, the pressure decreases as the number of processing units connected increases, and the pressure increases as the number decreases. If the pressure of the common exhaust pipe changes, the pressure near the exhaust port of the processing unit changes and the exhaust speed changes.

このようにマルチユニット型基板処理装置では全ユニット、又は何組かのユニットで共通の排気管を備えているため、排気速度を一定に保つことが難しい、という事情がある。   As described above, since the multi-unit type substrate processing apparatus includes an exhaust pipe common to all units or a plurality of units, it is difficult to keep the exhaust speed constant.

この発明は、排気管の圧力が変化しても、処理部の排気口付近の圧力を一定に保つことができる圧力制御機構、及びこの圧力制御機構を備え、共通の排気管に接続された処理部を複数備えていても、排気速度を一定に保つことが可能な基板処理装置とその基板処理方法、及び上記基板処理方法に従って基板処理装置を制御するプログラムを格納した記憶媒体を提供することを目的とする。   The present invention provides a pressure control mechanism capable of maintaining a constant pressure in the vicinity of the exhaust port of the processing section even when the pressure of the exhaust pipe changes, and a process provided with the pressure control mechanism and connected to a common exhaust pipe A substrate processing apparatus capable of keeping the exhaust speed constant even if a plurality of units are provided, a substrate processing method thereof, and a storage medium storing a program for controlling the substrate processing apparatus according to the substrate processing method are provided. Objective.

上記課題を解決するために、この発明の第１の態様に係る圧力制御機構は、排気用力に接続可能な排気側空間、及びこの排気側空間に開孔を介して連通され、圧力が調節される被調圧部に接続可能な被調圧側空間を有し、前記排気側空間と前記被調圧側空間との双方に前記開孔を介して液体を共通に収容する液体収容部と、前記被調圧部に要求される圧力に応じて、前記液体収容部に収容された前記液体の水位を調節する水位調節部と、を具備する。   In order to solve the above-described problem, a pressure control mechanism according to a first aspect of the present invention is connected to an exhaust side space connectable to an exhaust force, and the exhaust side space through an opening to adjust the pressure. A liquid containing portion that can be connected to the pressure-regulating portion, and a liquid containing portion that commonly contains liquid in both the exhaust-side space and the pressure-controlled side space through the opening, A water level adjusting unit that adjusts the water level of the liquid stored in the liquid storage unit according to a pressure required for the pressure adjusting unit.

この発明の第２の態様に係る基板処理装置は、基板処理部と、前記基板処理部の圧力を制御する圧力制御機構と、を備え、前記圧力制御機構が、排気用力に接続可能な排気側空間、及びこの排気側空間に開孔を介して連通され、前記基板処理部に接続される被調圧側空間を有し、前記排気側空間と前記被調圧側空間との双方に前記開孔を介して液体を共通に収容する液体収容部と、前記基板処理部に要求される圧力に応じて、前記液体収容部に収容された前記液体の水位を調節する水位調節部と、を具備する。   A substrate processing apparatus according to a second aspect of the present invention includes a substrate processing unit and a pressure control mechanism for controlling the pressure of the substrate processing unit, and the pressure control mechanism can be connected to an exhaust force. A space and a pressure-controlled side space that communicates with the exhaust-side space via an opening and is connected to the substrate processing unit, and the openings are formed in both the exhaust-side space and the pressure-controlled side space. And a water level adjusting unit for adjusting the water level of the liquid stored in the liquid storage unit according to the pressure required for the substrate processing unit.

この発明の第３の態様に係る基板処理装置は、基板処理部と、前記基板処理部の圧力を制御する圧力制御機構と、を備える基板処理ユニットを複数備え、前記圧力制御機構が、排気用力に接続可能な排気側空間、及びこの排気側空間に開孔を介して連通され、前記基板処理部に接続される被調圧側空間を有し、前記排気側空間と前記被調圧側空間との双方に前記開孔を介して液体を共通に収容する液体収容部と、前記基板処理部に要求される圧力に応じて、前記液体収容部に収容された前記液体の水位を調節する水位調節部と、を具備する。   A substrate processing apparatus according to a third aspect of the present invention includes a plurality of substrate processing units each including a substrate processing unit and a pressure control mechanism that controls a pressure of the substrate processing unit, and the pressure control mechanism includes an exhaust force. An exhaust-side space connectable to the exhaust-side space, and a pressure-controlled side space that is connected to the exhaust-side space through the opening and connected to the substrate processing unit, and the exhaust-side space and the pressure-controlled side space A liquid storage unit that stores liquid in common through the opening, and a water level adjustment unit that adjusts the water level of the liquid stored in the liquid storage unit according to the pressure required for the substrate processing unit. And.

この発明の第４の態様に係る基板処理方法は、基板処理部と、排気用力に接続可能な排気側空間、及びこの排気側空間に開孔を介して連通され、前記基板処理部に接続される被調圧側空間を有し、前記排気側空間と前記被調圧側空間との双方に前記開孔を介して液体を共通に収容する液体収容部と、この液体収容部に収容された前記液体の水位を調節する水位調節部と、を備えた基板処理装置の基板処理方法であって、前記基板処理部の圧力を、前記液体収容部に収容された前記液体の水位を調節し、前記基板処理部に要求される圧力となるように制御する。   A substrate processing method according to a fourth aspect of the present invention is connected to a substrate processing unit, an exhaust side space connectable to an exhaust force, and the exhaust side space through an opening, and is connected to the substrate processing unit. A liquid containing portion that contains liquid in common in both the exhaust side space and the regulated pressure side space through the opening, and the liquid contained in the liquid containing portion. A substrate processing method for a substrate processing apparatus, comprising: a water level adjusting unit that adjusts a water level of the substrate, wherein the substrate processing unit is configured to adjust a pressure of the liquid stored in the liquid storage unit and the substrate. It controls so that it may become the pressure requested | required of a process part.

この発明の第５の態様に係る記憶媒体は、コンピュータ上で動作し、基板処理を制御する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムが、実行時に、上記第４の態様に係る基板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させる。   A storage medium according to a fifth aspect of the present invention is a computer-readable storage medium that operates on a computer and stores a control program for controlling substrate processing. A substrate is controlled by the computer so that the substrate processing method according to the fourth aspect is performed.

この発明によれば、排気管の圧力が変化しても、処理部の排気口付近の圧力を一定に保つことができる圧力制御機構、及びこの圧力制御機構を備え、共通の排気管に接続された処理部を複数備えていても、排気速度を一定に保つことが可能な基板処理装置とその基板処理方法、及び上記基板処理方法に従って基板処理装置を制御するプログラムを格納した記憶媒体を提供できる。   According to the present invention, even if the pressure of the exhaust pipe changes, the pressure control mechanism that can keep the pressure near the exhaust port of the processing unit constant, and the pressure control mechanism are provided, and are connected to the common exhaust pipe. Even if a plurality of processing units are provided, it is possible to provide a substrate processing apparatus capable of keeping the exhaust speed constant, a substrate processing method thereof, and a storage medium storing a program for controlling the substrate processing apparatus in accordance with the substrate processing method. .

以下、この発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。参照する図面全てにわたり、同一の部分については同一の参照符号を付す。この説明においては、この発明を半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）の表裏面洗浄を行う液処理装置に適用した場合について示す。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Throughout the drawings to be referred to, the same parts are denoted by the same reference numerals. In this description, the case where the present invention is applied to a liquid processing apparatus for cleaning the front and back surfaces of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) will be described.

図１はこの発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。   FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

基板処理装置１００は、複数のウエハＷを収容するウエハキャリアＣを載置し、ウエハＷの搬入・搬出を行う搬入出ステーション（基板搬入出部）１と、ウエハＷに洗浄処理を施すための処理ステーション（液処理部）２と、制御ユニット３とを備えており、これらは隣接して設けられている。   The substrate processing apparatus 100 mounts a wafer carrier C containing a plurality of wafers W, carries in and out the wafers W, and performs a cleaning process on the wafers W. A processing station (liquid processing unit) 2 and a control unit 3 are provided, which are provided adjacent to each other.

搬入出ステーション１は、複数のウエハＷを水平状態で収容するウエハキャリアＣを載置するキャリア載置部１１と、ウエハＷの搬送を行う搬送部１２と、ウエハＷの受け渡しを行う受け渡し部１３と、搬送部１２および受け渡し部１３が収容される筐体１４とを有している。   The loading / unloading station 1 includes a carrier mounting unit 11 that mounts a wafer carrier C that stores a plurality of wafers W in a horizontal state, a transfer unit 12 that transfers the wafer W, and a transfer unit 13 that transfers the wafer W. And a housing 14 in which the transport unit 12 and the transfer unit 13 are accommodated.

キャリア載置部１１は４個のウエハキャリアＣが載置可能であり、載置されたウエハキャリアＣは筐体１４の垂直壁部に密着された状態とされ、ウエハキャリアＣの蓋が開かれることにより、その中のウエハＷが搬送部１２に搬入可能となっている。   The carrier mounting unit 11 can mount four wafer carriers C. The mounted wafer carrier C is brought into close contact with the vertical wall portion of the housing 14 and the lid of the wafer carrier C is opened. As a result, the wafer W therein can be loaded into the transfer unit 12.

搬送部１２は、搬送機構１５を有している。搬送機構１５は、ウエハＷを保持するウエハ保持アーム１５ａを有しており、さらに、このウエハ保持アーム１５ａをウエハキャリアＣの配列方向に対する垂直方向であるＹ方向に移動させる機構、ウエハキャリアＣの配列方向であるＸ方向に延在する水平ガイド１７に沿って移動させる機構、垂直方向に設けられた垂直ガイド（図示せず）に沿って移動させる機構、及び水平面内で回転させる機構を有している。搬送機構１５は、ウエハキャリアＣと受け渡し部１３との間でウエハＷを搬送する。   The transport unit 12 has a transport mechanism 15. The transfer mechanism 15 has a wafer holding arm 15a for holding the wafer W, and further, a mechanism for moving the wafer holding arm 15a in the Y direction which is perpendicular to the arrangement direction of the wafer carrier C, It has a mechanism that moves along a horizontal guide 17 that extends in the X direction that is the arrangement direction, a mechanism that moves along a vertical guide (not shown) provided in the vertical direction, and a mechanism that rotates in a horizontal plane. ing. The transport mechanism 15 transports the wafer W between the wafer carrier C and the delivery unit 13.

受け渡し部１３は、受け渡しステージ１９と、その上に設けられたウエハＷを載置可能な載置部を複数備えた受け渡し棚２０とを有しており、この受け渡し棚２０を介して処理ステーション２との間でウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。   The delivery unit 13 includes a delivery stage 19 and a delivery shelf 20 provided with a plurality of placement units on which wafers W provided thereon can be placed, and the processing station 2 passes through the delivery shelf 20. The wafer W is transferred between the two.

処理ステーション２は直方体状をなす筐体２１を有する。筐体２１内には、その中央上部にウエハキャリアＣの配列方向であるＸ方向に直交するＹ方向に沿って延びる搬送路を構成する搬送室２１ａと、搬送室２１ａの両側に設けられた２つのユニット室２１ｂ、２１ｃとを有している。   The processing station 2 has a casing 21 having a rectangular parallelepiped shape. In the housing 21, a transfer chamber 21a constituting a transfer path extending along the Y direction orthogonal to the X direction, which is the arrangement direction of the wafer carriers C, and 2 provided on both sides of the transfer chamber 21a are provided at the center upper portion. Two unit chambers 21b and 21c.

搬送室２１ａの内部には搬送機構２４が設けられている。搬送機構２４は、ウエハＷを保持するウエハ保持アーム２４ａを有しており、このウエハ保持アーム２４ａをＸ方向に移動させる機構、搬送室２１ａに設けられた水平ガイド２５に沿ってＹ方向に移動させる機構、垂直方向に設けられた垂直ガイド（図示せず）に沿って移動させる機構、及び水平面内で回転させる機構を有している。搬送機構２４は、各液処理ユニット２２に対するウエハＷの搬入出を行う。   A transfer mechanism 24 is provided inside the transfer chamber 21a. The transfer mechanism 24 has a wafer holding arm 24a for holding the wafer W. The mechanism moves the wafer holding arm 24a in the X direction, and moves in the Y direction along a horizontal guide 25 provided in the transfer chamber 21a. A mechanism for moving along a vertical guide (not shown) provided in the vertical direction, and a mechanism for rotating in a horizontal plane. The transport mechanism 24 carries the wafer W into and out of each liquid processing unit 22.

ユニット室２１ｂ、２１ｃは、複数の液処理ユニット２２で共有される共有空間であり、複数の液処理ユニット２２が配置される。本例ではユニット室２１ｂ、２１ｃに、搬送室２１ａに沿って６基ずつ、計１２基の液処理ユニット（処理部）２２が水平に配列される。液処理ユニット２２の一つを拡大して示した断面図を、図２に示す。   The unit chambers 21b and 21c are shared spaces shared by a plurality of liquid processing units 22, and a plurality of liquid processing units 22 are arranged therein. In this example, a total of 12 liquid processing units (processing units) 22 are arranged horizontally in the unit chambers 21b and 21c, 6 units along the transfer chamber 21a. FIG. 2 shows an enlarged cross-sectional view of one of the liquid processing units 22.

図２に示すように、液処理ユニット２２は、ウエハＷを保持するウエハ保持部４と、ウエハ保持部４に保持されたウエハＷに処理液を供給する処理液供給機構５と、ウエハ保持部４の外側から下方にかけて設けられ、ウエハＷに供給された処理液を回収可能なドレインカップ６と、ドレインカップ６の外側に設けられた外カップ７と、を備える。   As shown in FIG. 2, the liquid processing unit 22 includes a wafer holding unit 4 that holds a wafer W, a processing liquid supply mechanism 5 that supplies a processing liquid to the wafer W held by the wafer holding unit 4, and a wafer holding unit. 4, a drain cup 6 provided from the outside to the bottom and capable of recovering the processing liquid supplied to the wafer W, and an outer cup 7 provided outside the drain cup 6.

本例のウエハ保持部４は、水平に設けられた円板状をなす回転プレート４１と、回転プレート４１の裏面の中心部に接続され、下方に向かって鉛直に延びる円筒状の回転軸４２とを有している。回転プレート４１の中心部には円形の孔４３が形成され、孔４３は円筒状の回転軸４２の孔４４に連通されている。孔４３及び孔４４内には裏面側液供給ノズル４５が設けられている。回転プレート４１には、ウエハＷの外縁を保持する保持部材４６が設けられている。保持部材４６は、図２中では１つのみが示されているが、例えば、３つ設けられ、互いに等間隔で配置される。保持部材４６は、ウエハＷが回転プレート４１から浮いた状態で水平にウエハＷを保持する。   The wafer holding unit 4 of the present example includes a horizontally disposed rotating plate 41 and a cylindrical rotating shaft 42 that is connected to the center of the back surface of the rotating plate 41 and extends vertically downward. have. A circular hole 43 is formed at the center of the rotating plate 41, and the hole 43 communicates with the hole 44 of the cylindrical rotating shaft 42. A back surface side liquid supply nozzle 45 is provided in the holes 43 and 44. The rotation plate 41 is provided with a holding member 46 that holds the outer edge of the wafer W. Although only one holding member 46 is shown in FIG. 2, for example, three holding members 46 are provided and arranged at equal intervals. The holding member 46 holds the wafer W horizontally with the wafer W floating from the rotating plate 41.

本例の処理液供給機構５は、アルカリを含む処理液を供給する第１処理液供給部５１ａと、酸を含む処理液を供給する第２処理液供給部５１ｂとを備える。   The processing liquid supply mechanism 5 of this example includes a first processing liquid supply unit 51a that supplies a processing liquid containing alkali and a second processing liquid supply unit 51b that supplies a processing liquid containing acid.

第１処理液供給部５１ａは、アルカリを含む処理液を吐出するノズル５２ａを備える。アルカリを含む処理液の一例は、アルカリとしてアンモニアを含む処理液である。より詳しい一例は、過酸化水素水、及び／又は水に、アルカリであるアンモニアを混合したアルカリ性処理液、あるいはこれら洗浄液に類似した洗浄液を挙げることができる。ノズル５２ａは第１スキャンアーム５３ａの先端部分に取り付けられている。第１スキャンアーム５３ａはシャフト５４ａに接続されており、シャフト５４ａを回動させることで、先端部分に取り付けられたノズル５２ａを、ウエハ保持部４の外側にある待機位置とウエハＷの上方の処理位置との間でスキャンさせることが可能になっている。さらに、シャフト５４ａは上下方向の昇降駆動が可能であり、例えば、処理位置においてシャフト５４ａを昇降させると、ノズル５２ａの吐出位置（高さ）を調節することもできる。   The 1st process liquid supply part 51a is provided with the nozzle 52a which discharges the process liquid containing an alkali. An example of the treatment liquid containing an alkali is a treatment liquid containing ammonia as an alkali. As a more detailed example, there can be mentioned a hydrogen peroxide solution and / or an alkaline treatment liquid in which ammonia, which is an alkali, is mixed, or a cleaning liquid similar to these cleaning liquids. The nozzle 52a is attached to the tip portion of the first scan arm 53a. The first scan arm 53a is connected to the shaft 54a. By rotating the shaft 54a, the nozzle 52a attached to the distal end portion can be processed at a standby position outside the wafer holding unit 4 and above the wafer W. It is possible to scan between positions. Furthermore, the shaft 54a can be driven up and down in the vertical direction. For example, when the shaft 54a is moved up and down at the processing position, the discharge position (height) of the nozzle 52a can be adjusted.

第２処理液供給部５１ｂは、酸を含む処理液を吐出するノズル５２ｂを備える。酸を含む処理液の一例は酸として弗酸を含む処理液である。より詳しい一例は、酸である弗酸を水等で希釈した酸性処理液、例えば、希弗酸である。ノズル５２ｂも、ノズル５２ａと同様にスキャンアーム、本例では第２スキャンアーム５３ｂの先端部分に取り付けられている。本例の第２スキャンアーム５３ｂは、第１スキャンアーム５３ａよりも低い位置にある。第２スキャンアーム５３ｂはシャフト５４ｂに接続され、シャフト５４ｂを回動させることで、ノズル５２ｂを、待機位置と処理位置との間でスキャンさせることが可能になっている。さらに、シャフト５４ｂも上下方向の昇降駆動が可能であり、例えば、処理位置においてノズル５２ｂの吐出位置（高さ）を調節することもできる。   The 2nd process liquid supply part 51b is provided with the nozzle 52b which discharges the process liquid containing an acid. An example of the treatment liquid containing an acid is a treatment liquid containing hydrofluoric acid as an acid. A more detailed example is an acid treatment solution obtained by diluting hydrofluoric acid, which is an acid, with water or the like, for example, dilute hydrofluoric acid. Similarly to the nozzle 52a, the nozzle 52b is also attached to the tip of the scan arm, in this example, the second scan arm 53b. The second scan arm 53b in this example is located at a position lower than the first scan arm 53a. The second scan arm 53b is connected to the shaft 54b, and by rotating the shaft 54b, the nozzle 52b can be scanned between the standby position and the processing position. Furthermore, the shaft 54b can also be driven up and down in the vertical direction. For example, the discharge position (height) of the nozzle 52b can be adjusted at the processing position.

本例のドレインカップ６は、筒状をなす外周壁６１と、外周壁６１の下端部から内側に向かって延びる内側壁６２とを有し、外周壁６１と内側壁６２とによって規定された環状の空間を、処理液を回収し、収容する液収容部６３としている。液収容部６３は、回収した処理液を排液する排液管６４に接続されている。排液管６４は、処理液を回収処理する処理液回収機構２００に接続される。また、液収容部６３の下方には、ウエハ保持部４下の空間に連通する環状の空間が形成されている。この環状の空間は排気空間６５となっており、排気空間６５は、排気管６６に接続されている。排気管６６は、圧力制御機構３００を介して排気用力、例えば、工場の排気用力設備に接続される排気管に接続される。   The drain cup 6 of this example has a cylindrical outer peripheral wall 61 and an inner wall 62 extending inward from the lower end of the outer peripheral wall 61, and is an annular shape defined by the outer peripheral wall 61 and the inner wall 62. This space is used as a liquid storage portion 63 for collecting and storing the processing liquid. The liquid container 63 is connected to a drain pipe 64 that drains the collected processing liquid. The drainage pipe 64 is connected to a processing liquid recovery mechanism 200 that recovers the processing liquid. An annular space communicating with the space below the wafer holding unit 4 is formed below the liquid storage unit 63. This annular space is an exhaust space 65, and the exhaust space 65 is connected to an exhaust pipe 66. The exhaust pipe 66 is connected to an exhaust pipe via the pressure control mechanism 300, for example, an exhaust pipe connected to a factory exhaust power facility.

本例の外カップ７は円筒状の外側壁７１を備え、外側壁７１からウエハ保持部４の下方に延び、ドレインカップ６よりも回転軸４２側の部分に内側壁７２を備えている。本例では、外側壁７１と内側壁７２との間の空間にドレインカップ６が収容される構造となっている。外カップ７はベースプレート８の上に取り付けられている。   The outer cup 7 in this example includes a cylindrical outer wall 71, extends from the outer wall 71 below the wafer holding unit 4, and includes an inner wall 72 at a portion closer to the rotating shaft 42 than the drain cup 6. In this example, the drain cup 6 is accommodated in the space between the outer wall 71 and the inner wall 72. The outer cup 7 is mounted on the base plate 8.

外カップ７上には、ウエハＷ、ウエハ保持部４、処理液供給機構５、ドレインカップ６、及び外カップ７の上方を覆うようにケーシング９が設けられている。ケーシング９の上部には図示せぬファン・フィルター・ユニット（ＦＦＵ）からの清浄空気を、ケーシング９の側部に設けられた導入口９１を介して導入する気流導入部９２が設けられている。気流導入部９２は、ウエハ保持部４に保持されたウエハＷに、清浄空気をダウンフローで供給する。供給された清浄空気は、上述した排気管６６を介して排気される。   On the outer cup 7, a casing 9 is provided so as to cover the wafer W, the wafer holding unit 4, the processing liquid supply mechanism 5, the drain cup 6, and the outer cup 7. An airflow introducing portion 92 for introducing clean air from a fan filter unit (FFU) (not shown) through an inlet 91 provided on a side portion of the casing 9 is provided on the upper portion of the casing 9. The air flow introducing unit 92 supplies clean air to the wafer W held by the wafer holding unit 4 by downflow. The supplied clean air is exhausted through the exhaust pipe 66 described above.

ケーシング９の側部には、さらに、基板搬入出口９３が形成されている。ウエハＷは、基板搬入出口９３を介してケーシング６の内部に対して搬入出される。   A substrate loading / unloading port 93 is further formed at the side of the casing 9. The wafer W is loaded into and unloaded from the casing 6 through the substrate loading / unloading port 93.

図１に戻り、基板処理装置１００を制御する制御ユニット３は、コンピュータであるプロセスコントローラ３１と、プロセスコントローラ３１に接続されたユーザーインターフェース３２と、同じくプロセスコントローラ３１に接続された記憶部３３とを備えている。   Returning to FIG. 1, the control unit 3 that controls the substrate processing apparatus 100 includes a process controller 31 that is a computer, a user interface 32 connected to the process controller 31, and a storage unit 33 that is also connected to the process controller 31. I have.

ユーザーインターフェース３２は、オペレーターが、基板処理装置１００を管理するコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置１００の稼働状況等を可視化して表示するディスプレイ等を有する。   The user interface 32 includes a keyboard on which an operator inputs commands for managing the substrate processing apparatus 100, a display for visualizing and displaying the operating status of the substrate processing apparatus 100, and the like.

記憶部３３は、基板処理装置１００で実行される処理を、プロセスコントローラ３１の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じた処理を基板処理装置１００に実行させたりするプログラム、即ちレシピが格納される。レシピは記憶部３３の中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体であり、ハードディスクや半導体メモリであっても良いし、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであっても良い。任意のレシピは、ユーザーインターフェース３２からの指示等にて記憶部３３から読み出され、プロセスコントローラ３１に実行させることで、プロセスコントローラ３１の制御下で、基板処理装置１００による基板処理が行われる。レシピは、例えば、専用回線を介して他の装置から適宜伝送させることも可能である。   The storage unit 33 is a control program for realizing the processing executed by the substrate processing apparatus 100 under the control of the process controller 31, and a program for causing the substrate processing apparatus 100 to execute processing according to processing conditions, Recipe is stored. The recipe is stored in a storage medium in the storage unit 33. The storage medium is a computer-readable storage medium, and may be a hard disk or a semiconductor memory, or a portable medium such as a CD-ROM, a DVD, or a flash memory. Arbitrary recipes are read from the storage unit 33 in response to an instruction from the user interface 32 and executed by the process controller 31, whereby the substrate processing by the substrate processing apparatus 100 is performed under the control of the process controller 31. The recipe can be appropriately transmitted from another device via a dedicated line, for example.

図３は、液処理ユニット２２が並んだ状態の一例を示す斜視図である。   FIG. 3 is a perspective view showing an example of a state in which the liquid processing units 22 are arranged.

図３に示すように、圧力制御機構３００は、液処理ユニット（処理部）２２ごとに取り付けられている。図３においては、６基の液処理ユニット２２−１乃至２２−６が示され、これら６基の液処理ユニット２２−１乃至２２−６各々に、圧力制御機構３００−１乃至３００−６が設けられている。   As shown in FIG. 3, the pressure control mechanism 300 is attached to each liquid processing unit (processing unit) 22. In FIG. 3, six liquid processing units 22-1 to 22-6 are shown, and pressure control mechanisms 300-1 to 300-6 are respectively provided to these six liquid processing units 22-1 to 22-6. Is provided.

圧力制御機構３００−１乃至３００−６は、６基の液処理ユニット２２−１乃至２２−６の排気管６６−１乃至６６−６に、例えば、処理部側排気管３１０−１乃至３１０−６を介して接続されている。圧力制御機構３００−１乃至３００−６は、さらに排気側排気管３３０−１乃至３３０−６に接続され、排気側排気管３３０−１乃至３３０−６は、開閉弁３４０−１乃至３４０−６を介して排気用力、例えば、工場の排気用力設備に接続される共通排気管３５０に接続されている。本例では、共通排気管３５０は、有機系（３５０ａ）、アルカリ系（３５０ｂ）、及び酸系（３５０ｃ）の３本に分かれており、それぞれ開閉弁３４０−１乃至３４０−６を介して排気側排気管３３０−１乃至３３０−６に接続される。   The pressure control mechanisms 300-1 to 300-6 are connected to the exhaust pipes 66-1 to 66-6 of the six liquid processing units 22-1 to 22-6, for example, the processing unit side exhaust pipes 310-1 to 310-. 6 is connected. The pressure control mechanisms 300-1 to 300-6 are further connected to the exhaust side exhaust pipes 330-1 to 330-6, and the exhaust side exhaust pipes 330-1 to 330-6 are connected to the on-off valves 340-1 to 340-6. The exhaust power is connected to a common exhaust pipe 350 connected to the exhaust power equipment of the factory, for example. In this example, the common exhaust pipe 350 is divided into an organic system (350a), an alkali system (350b), and an acid system (350c), and exhausts through the on-off valves 340-1 to 340-6, respectively. It is connected to the side exhaust pipes 330-1 to 330-6.

図４は、圧力制御機構の一例を示す断面図である。   FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of the pressure control mechanism.

図４に示すように、一例に係る圧力制御機構３００ａは、液体３２６を収容する液体収容部３２１を備える。液体収容部３２１は、排気用力、例えば、工場の排気用力設備に接続可能な排気側空間３２５と、圧力が調節される被調圧部に接続可能な被調圧側空間３２４とを有する。被調圧部の一例は基板処理部である。基板処理部は、本例では液処理ユニット２２に対応する。被調圧側空間３２４は、本例では処理部側排気管３１０に接続され、排気側空間３２５は、本例では排気側排気管３３０に接続される。排気側空間３２５と被調圧側空間３２４とは、本例では仕切り部材３２３を用いて仕切りつつ、仕切り部材３２３に形成されている開孔３２２を介して連通される。液体収容部３２１は、排気側空間３２５と被調圧側空間３２４との双方に開孔３２２を介して液体３２６を共通に収容する。   As illustrated in FIG. 4, the pressure control mechanism 300 a according to an example includes a liquid storage unit 321 that stores a liquid 326. The liquid storage unit 321 includes an exhaust side space 325 that can be connected to exhaust power, for example, a factory exhaust power facility, and a pressure-controlled side space 324 that can be connected to a pressure-controlled portion whose pressure is adjusted. An example of the pressure-regulated portion is a substrate processing portion. The substrate processing unit corresponds to the liquid processing unit 22 in this example. The regulated pressure-side space 324 is connected to the processing unit side exhaust pipe 310 in this example, and the exhaust side space 325 is connected to the exhaust side exhaust pipe 330 in this example. The exhaust side space 325 and the regulated pressure side space 324 communicate with each other through an opening 322 formed in the partition member 323 while partitioning using the partition member 323 in this example. The liquid storage unit 321 stores the liquid 326 in common in both the exhaust side space 325 and the regulated pressure side space 324 through the opening 322.

圧力制御機構３００ａは、液体収容部３２１に収容された液体３２６の水位を調節して被調圧部、本例では液処理ユニット２２の内部の圧力を制御する。例えば、液体３２６の水位を上げると、排気側空間３２５と被調圧側空間３２４とを連通させる開孔３２２の面積が減少し、反対に下げると開孔３２２の面積が増加する。このように開孔３２２の面積増減を利用し、排気側空間３２５と被調圧側空間３２４との間に異なった圧力損失を発生させることで、被調圧部、本例では液処理ユニット２２の内部の圧力を制御する。   The pressure control mechanism 300a adjusts the water level of the liquid 326 stored in the liquid storage unit 321 to control the pressure inside the pressure-adjusted unit, in this example, the liquid processing unit 22. For example, when the water level of the liquid 326 is raised, the area of the opening 322 that connects the exhaust side space 325 and the pressure-controlled side space 324 decreases, and when it is lowered, the area of the opening 322 increases. Thus, by using the increase / decrease in the area of the opening 322 and generating different pressure losses between the exhaust side space 325 and the regulated side space 324, the regulated part, in this example, the liquid processing unit 22 of the liquid treatment unit 22 is generated. Control internal pressure.

例えば、図５Ａに示すように水位ｈ０を下げて排気側空間３２５と被調圧側空間３２４とを連通させる開孔３２２の面積を増加させると、圧力損失が小さくなる。従って、排気側空間３２５の圧力Ｐ１と被調圧側空間３２４の圧力Ｐ２との圧力差ΔＰを小さくできる。液処理ユニット２２内部の圧力は、例えば、大気圧よりも低い負圧とされるが、圧力差ΔＰを小さくすれば、液処理ユニット２２内部を強めの負圧に制御できる。   For example, as shown in FIG. 5A, if the water level h0 is lowered to increase the area of the opening 322 that allows the exhaust side space 325 and the regulated side space 324 to communicate with each other, the pressure loss decreases. Therefore, the pressure difference ΔP between the pressure P1 in the exhaust side space 325 and the pressure P2 in the regulated pressure side space 324 can be reduced. The pressure inside the liquid processing unit 22 is, for example, a negative pressure lower than the atmospheric pressure. However, if the pressure difference ΔP is reduced, the inside of the liquid processing unit 22 can be controlled to a higher negative pressure.

反対に、図５Ｂに示すように水位ｈ０を上げて排気側空間３２５と被調圧側空間３２４とを連通させる開孔３２２の面積を減少させると、圧力損失が大きくなって圧力差ΔＰが大きくなる。圧力差ΔＰを大きくすれば、圧力Ｐ２を、図５Ａに示す状態に比較して高くすることができる。従って、液処理ユニット２２内部を図５Ａに示す状態に比較して弱めの負圧に制御できる。   On the other hand, as shown in FIG. 5B, when the area of the opening 322 that connects the exhaust side space 325 and the regulated pressure side space 324 is decreased by raising the water level h0, the pressure loss increases and the pressure difference ΔP increases. . If the pressure difference ΔP is increased, the pressure P2 can be increased compared to the state shown in FIG. 5A. Therefore, the inside of the liquid processing unit 22 can be controlled to a weaker negative pressure than the state shown in FIG. 5A.

このような圧力制御機構３００ａによれば、液体収容部３２１に収容された液体３２６の水位を調節することで、被調圧部の圧力を制御できる。また、収容される液体３２６の一例は純水であるが、水位を調節できる液体、もしくは液状のものであれば、純水以外でも使用することができる。   According to such a pressure control mechanism 300a, the pressure of the pressure-adjusted part can be controlled by adjusting the water level of the liquid 326 stored in the liquid storage part 321. An example of the liquid 326 to be stored is pure water. However, any liquid other than pure water can be used as long as the liquid can be adjusted or liquid.

液体３２６の水位を調節するために、本例では、水位調節部３６０を備えている。水位調節部３６０は、被調圧部に要求される圧力に応じて液体３２６の水位を調節する。被調圧部、本例では液処理ユニット２２内部に要求される圧力は、例えば、レシピに書き込まれている処理に応じた圧力情報もしくは処理時の排気速度等の圧力に関係する情報、あるいはオペレーターが入力した圧力情報等に基づけば良い。これらの情報に従って、例えば、制御ユニット３は水位調節部３６０に対して調節命令を発行する。水位調節部３６０は、上記調節命令を受領することで、被調圧部の圧力が上記情報に応じた圧力となるように液体３２６の水位を調節する。   In order to adjust the water level of the liquid 326, a water level adjusting unit 360 is provided in this example. The water level adjustment unit 360 adjusts the water level of the liquid 326 in accordance with the pressure required for the pressure-adjusted unit. The pressure required in the pressure-adjusted part, in this example, the liquid processing unit 22 is, for example, pressure information corresponding to the process written in the recipe, information related to the pressure such as the exhaust speed during the process, or the operator May be based on pressure information or the like input. According to these pieces of information, for example, the control unit 3 issues an adjustment command to the water level adjustment unit 360. Upon receiving the adjustment command, the water level adjustment unit 360 adjusts the water level of the liquid 326 so that the pressure of the pressure-adjusted unit becomes a pressure corresponding to the information.

さらに、本例では、圧力測定部３７０を備えている。圧力測定部３７０は、被調圧部の圧力を測定する。本例の水位調節部３６０は、圧力測定部３７０で測定された圧力を参照し、被調圧部の圧力が要求される圧力となるように液体３２６の水位を調節する。例えば、水位調節部３６０は、圧力測定部３７０で測定された圧力を参照し、被調圧部の圧力が要求される圧力に足らない場合には液体３２６の水位を上げ、要求される圧力を超えている場合には液体３２６の水位を下げる。被調圧部の圧力が要求される圧力、もしくは要求される圧力と同等の圧力になれば、水位調節部３６０は水位の上げ下げを止め、水位を安定させる。   Furthermore, in this example, a pressure measurement unit 370 is provided. The pressure measuring unit 370 measures the pressure of the pressure-controlled part. The water level adjustment unit 360 of this example refers to the pressure measured by the pressure measurement unit 370 and adjusts the water level of the liquid 326 so that the pressure of the pressure-adjusted unit becomes a required pressure. For example, the water level adjustment unit 360 refers to the pressure measured by the pressure measurement unit 370 and raises the water level of the liquid 326 if the pressure of the pressure-adjusted unit is not sufficient for the required pressure. If so, the liquid level of the liquid 326 is lowered. If the pressure of the pressure-regulated portion becomes a required pressure or a pressure equivalent to the required pressure, the water level adjustment unit 360 stops raising and lowering the water level and stabilizes the water level.

なお、圧力測定部３７０は被調圧部の圧力を測定するが、被調圧部の圧力を直接的に測定する必要は必ずしもない。圧力測定部３７０は、例えば、被調圧部の圧力制御のために必要となる圧力情報が得られる箇所に備えられれば良い。本例では、一例として、圧力測定部３７０を、処理部側排気管３１０内部に備えている。本例では、液処理ユニット２２の排気管６６に接続される処理部側排気管３１０の圧力を測定することで、液処理ユニット２２内部の圧力を間接的に知る。本例の水位調節部３７０は、処理部側排気管３１０の圧力を参照して、液処理ユニット２２内部の圧力が要求される圧力となるように液体３２６の水位を調節する。   Note that the pressure measuring unit 370 measures the pressure of the pressure-controlled portion, but it is not always necessary to directly measure the pressure of the pressure-controlled portion. For example, the pressure measuring unit 370 may be provided at a location where pressure information necessary for pressure control of the pressure-adjusted unit is obtained. In this example, as an example, the pressure measurement unit 370 is provided inside the processing unit side exhaust pipe 310. In this example, the pressure in the liquid processing unit 22 is indirectly known by measuring the pressure in the processing unit side exhaust pipe 310 connected to the exhaust pipe 66 of the liquid processing unit 22. The water level adjustment unit 370 of this example refers to the pressure of the processing unit side exhaust pipe 310 and adjusts the water level of the liquid 326 so that the pressure inside the liquid processing unit 22 becomes a required pressure.

さらに、本例では液体収容部３２１に、液体３２６の最大水位を制限する水位制限用排水部３８０を備えている。本例では、水位制限用排水部３８０を、液体収容部３２１の側部に設けており、例えば、図４に示すように、開放状態のまま、ドレインに接続される。液体３２６の水位ｈ０が水位制限用排水部３８０に達すると、液体３２６が水位制限用排水部３８０からあふれる。このようにして水位制限用排水部３８０は、液体３２６の最大水位を制限する。液体３２６の水位が、例えば、処理部側排気管３１０の取り付け位置、又は排気側排気管３３０の取り付け位置を超えてしまうと、液体３２６が処理部側排気管３１０、又は排気側排気管３３０に流れ込んでしまう。このような事情を防ぎたい場合には、例えば、処理部側排気管３１０の取り付け位置、及び排気側排気管３３０の取り付け位置よりも下に水位制限用排水部３８０を設けて、最大水位を規定するようにすれば良い。   Furthermore, in this example, the liquid storage unit 321 includes a water level limiting drainage unit 380 that limits the maximum water level of the liquid 326. In this example, the water level limiting drain 380 is provided on the side of the liquid storage unit 321, and is connected to the drain in an open state as shown in FIG. 4, for example. When the water level h0 of the liquid 326 reaches the water level limiting drain 380, the liquid 326 overflows from the water level limiting drain 380. In this way, the water level limiting drain 380 limits the maximum water level of the liquid 326. For example, when the water level of the liquid 326 exceeds the attachment position of the processing unit side exhaust pipe 310 or the attachment position of the exhaust side exhaust pipe 330, the liquid 326 enters the processing unit side exhaust pipe 310 or the exhaust side exhaust pipe 330. It will flow in. In order to prevent such a situation, for example, a water level limiting drainage unit 380 is provided below the mounting position of the processing unit side exhaust pipe 310 and the mounting side of the exhaust side exhaust pipe 330 to define the maximum water level. You should do it.

また、図６には、水位調節部３６０の構成の一例が示されている。一例に係る水位調節部３６０は、液体３２６を液体収容部３２１に注水する注水部３６１と、液体３２６を液体収容部３２１から排水する排水部３６２とを備えている。本例の注水部３６１は、開閉弁３６３と流量調節バルブ３６４とを含み、液体、本例では純水（ＤＩＷ）を液体収容部３２１の側部から注水する。また、本例の排水部３６２は開閉弁３６５と流量調節バルブ３６６とを含み、注水された純水を液体収容部３２１の底部から排水する。水位を上げたい場合には、注水部３６１の開閉弁３６３を開き、流量調節バルブ３６４で注水流量を調節して純水を液体収容部３２１にその側部から注水すれば良い。水位を下げたい場合には排水部３６２の開閉弁３６５を開き、流量調節バルブ３６６で排水流量を調節して純水を液体収容部３２１の底部から排水すれば良い。これらの注水部３６１、排水部３６２は、例えば、制御ユニット３で制御され、例えば、圧力測定部３７０で測定された圧力を参照し、注水、又は排水することで液体３２６の水位を調節する。   FIG. 6 shows an example of the configuration of the water level adjustment unit 360. The water level adjustment unit 360 according to an example includes a water injection unit 361 that injects the liquid 326 into the liquid storage unit 321 and a drainage unit 362 that discharges the liquid 326 from the liquid storage unit 321. The water injection unit 361 of this example includes an on-off valve 363 and a flow rate adjustment valve 364, and injects liquid, pure water (DIW) in this example, from the side of the liquid storage unit 321. Further, the drainage part 362 of this example includes an on-off valve 365 and a flow rate adjustment valve 366 and drains the injected pure water from the bottom of the liquid storage part 321. In order to raise the water level, the on-off valve 363 of the water injection unit 361 is opened, the flow rate of the water is adjusted by the flow rate adjustment valve 364, and pure water is injected into the liquid storage unit 321 from its side. In order to lower the water level, the open / close valve 365 of the drainage part 362 is opened, the drainage flow rate is adjusted by the flow rate adjustment valve 366, and pure water is drained from the bottom of the liquid storage part 321. The water injection unit 361 and the drainage unit 362 are controlled by the control unit 3, for example, and adjust the water level of the liquid 326 by referring to the pressure measured by the pressure measurement unit 370 and water injection or drainage.

このように圧力制御機構３００ａによれば、液処理ユニット（処理室）等の圧力調節が為される被調圧部の圧力を、調圧バルブのように開度の調節といった機械的で複雑な機構を用いた方法ではなく、水位の調節といった簡易な方法で調節制御することができる。   As described above, according to the pressure control mechanism 300a, the pressure of the pressure-adjusted portion in which the pressure of the liquid processing unit (processing chamber) or the like is adjusted is mechanically complicated such as the adjustment of the opening degree like the pressure regulating valve. The adjustment can be controlled by a simple method such as adjustment of the water level, not by a mechanism.

また、近時の洗浄処理は、酸性薬液とアルカリ性薬液等、異なった薬液を使用しながら行われるようになってきている。しかし、薬液ごとに、処理室内の適切な圧力が異なる。例えば、薬液の温度は、常温のもの、あるいは温度が高いもの等様々である。薬液の温度が高い場合には、例えば、気化物が発生しやすいので処理室内は強めの負圧としたほうが適切であったり、薬液が常温の場合には弱めの負圧が適切であったりする。   In addition, recent cleaning treatments have been performed while using different chemical solutions such as acidic chemical solutions and alkaline chemical solutions. However, the appropriate pressure in the processing chamber differs for each chemical solution. For example, the temperature of the chemical solution is various such as normal temperature or high temperature. When the temperature of the chemical solution is high, for example, vaporization is likely to occur, so it is appropriate to use a higher negative pressure in the processing chamber, or a lower negative pressure is appropriate when the chemical solution is at room temperature. .

このような圧力の調節においても、水位の調節といった簡易な方法で調節制御することができる。   Even in such pressure adjustment, adjustment control can be performed by a simple method such as water level adjustment.

また、圧力制御機構３００ａは、液体３２６を圧力制御に用いるので、調圧バルブを用いた圧力制御に比較して排気用力の揺らぎに強い、という利点も得ることができる。   In addition, since the pressure control mechanism 300a uses the liquid 326 for pressure control, it is possible to obtain an advantage that the pressure control mechanism 300a is more resistant to fluctuations in exhaust force than pressure control using a pressure regulating valve.

例えば、図３に示したように、排気用力は、複数の被調圧部、本例では複数の液処理ユニット２２（２２−１乃至２２−６）に接続される。液処理ユニット２２の稼働状況はまちまちであり、例えば、一基しか稼働していないときもあれば、六基全てが稼働しているときもある。このため、排気用力に接続された、例えば、排気側排気管３３０の圧力Ｐ１は、液処理ユニット２２の稼働状況に応じて揺らいでいる。圧力Ｐ１が揺らげば圧力Ｐ２も揺らぐ。このような揺らぎはわずかではある。しかしながら、わずかな揺らぎであっても、液処理ユニット２２で処理されている被処理基板にとっては、例えば、品質向上を妨げる、あるいは歩留り向上を妨げる要因となり得る。このような圧力Ｐ１の揺らぎを、圧力制御機構３００ａは、例えば、以下のようなメカニズムで吸収することができる。   For example, as shown in FIG. 3, the exhaust force is connected to a plurality of pressure-adjusted parts, in this example, a plurality of liquid processing units 22 (22-1 to 22-6). The operation status of the liquid processing unit 22 varies. For example, there are cases where only one unit is operating, and there are cases where all six units are operating. For this reason, for example, the pressure P1 of the exhaust side exhaust pipe 330 connected to the exhaust force fluctuates in accordance with the operation status of the liquid processing unit 22. If the pressure P1 fluctuates, the pressure P2 fluctuates. Such fluctuation is slight. However, even slight fluctuations can cause, for example, a substrate that is processed by the liquid processing unit 22 to hinder quality improvement or yield. For example, the pressure control mechanism 300a can absorb the fluctuation of the pressure P1 by the following mechanism.

排気側空間３２５の圧力Ｐ１と被調圧側空間３２４の圧力Ｐ２との関係は、下記（１）式で表すことができる。   The relationship between the pressure P1 in the exhaust side space 325 and the pressure P2 in the regulated pressure side space 324 can be expressed by the following equation (1).

Ｐ２ ＝ Ｐ１ ＋ ΔＰ …（１）
（１）式に示すように、圧力Ｐ２は圧力Ｐ１よりも圧力差ΔＰだけ高い。この状態では、排気側空間３２５における水位ｈ１と、被調圧側空間３２４における水位ｈ２とは変わる。水位ｈ１、ｈ２は、圧力Ｐ１、Ｐ２、及び液体３２６の水頭圧によって決まる。これを図７Ａに示す。 P2 = P1 + ΔP (1)
As shown in the equation (1), the pressure P2 is higher than the pressure P1 by the pressure difference ΔP. In this state, the water level h1 in the exhaust side space 325 and the water level h2 in the regulated pressure side space 324 are changed. The water levels h1 and h2 are determined by the pressures P1 and P2 and the head pressure of the liquid 326. This is shown in FIG. 7A.

図７Ａは誇張して図示しているが、圧力Ｐ２は圧力Ｐ１よりも高いから、水位ｈ２は水位ｈ１よりも低くなる。水位ｈ１、水位ｈ２は、圧力Ｐ１、Ｐ２、及び液体３２６の水頭圧が釣り合ったところで安定する。   Although FIG. 7A shows exaggeratedly, since the pressure P2 is higher than the pressure P1, the water level h2 becomes lower than the water level h1. The water level h1 and the water level h2 are stabilized when the pressures P1 and P2 and the head pressure of the liquid 326 are balanced.

排気用力が揺らいで図７Ａに示す状態よりも圧力Ｐ１が下がったとする。圧力Ｐ１が下がれば、（１）式から圧力Ｐ２も下がる。圧力Ｐ２は圧力Ｐ１の変動に関わらず安定させたい。圧力Ｐ１が下がっても圧力Ｐ２が下がらないようにするには、（１）式に示すように、圧力差ΔＰを上げればよい。   It is assumed that the pressure P1 is lower than the state shown in FIG. If pressure P1 falls, pressure P2 will also fall from a formula (1). The pressure P2 is desired to be stabilized regardless of the fluctuation of the pressure P1. In order to prevent the pressure P2 from decreasing even if the pressure P1 decreases, the pressure difference ΔP may be increased as shown in the equation (1).

圧力差ΔＰを上げる制御であるが、圧力制御機構３００ａによれば、図７Ｂに示すように、圧力Ｐ１が下がると、排気側空間３２５における水位ｈ１が自動的に上昇する。液体３２６は開孔３２２を介して液体収容部３２１に共通に収容されているから、水位ｈ２は反対に下がる。圧力Ｐ１の低下によって変化した水位ｈ１、水位ｈ２は、変化した圧力Ｐ１、Ｐ２、及び液体３２６の水頭圧が釣り合ったところで止まる。そして、今、水位ｈ１が上昇したので、液体３２６により塞がれる開孔３２２の数が増える。つまり、開孔３２２の面積が減る。開孔３２２の面積が減ることで圧力損失が上がる。よって、圧力差ΔＰが上がり、圧力Ｐ１が下がった場合でも、圧力Ｐ２は下がらないように自動的に制御できる。   Although the control is to increase the pressure difference ΔP, according to the pressure control mechanism 300a, as shown in FIG. 7B, when the pressure P1 decreases, the water level h1 in the exhaust side space 325 automatically increases. Since the liquid 326 is commonly stored in the liquid storage portion 321 through the opening 322, the water level h2 decreases in the opposite direction. The water level h1 and the water level h2 changed due to the decrease in the pressure P1 are stopped when the changed pressures P1 and P2 and the head pressure of the liquid 326 are balanced. And since the water level h1 rose now, the number of the open holes 322 obstruct | occluded with the liquid 326 increases. That is, the area of the opening 322 is reduced. The pressure loss increases as the area of the opening 322 decreases. Therefore, even when the pressure difference ΔP increases and the pressure P1 decreases, the pressure P2 can be automatically controlled so as not to decrease.

さらに、排気用力が揺らいで図７Ｂに示す状態から圧力Ｐ１が上がった場合には、図７Ｃに示すように、圧力Ｐ１の上昇に伴って水位ｈ１が自動的に下降するので、開孔３２２の面積が増える。開孔３２２の面積が増えることで圧力損失が下がって圧力差ΔＰが下がる。このようにして、圧力Ｐ１が上がった場合にも、圧力Ｐ２が上がらないように自動的に制御できる。   Furthermore, when the pressure P1 rises from the state shown in FIG. 7B due to fluctuations in the exhaust force, the water level h1 automatically falls as the pressure P1 rises as shown in FIG. 7C. Increases area. As the area of the opening 322 increases, the pressure loss decreases and the pressure difference ΔP decreases. In this way, even when the pressure P1 increases, it can be automatically controlled so that the pressure P2 does not increase.

このように圧力制御機構３００ａによれば、排気用力の揺らぎに伴って排気側空間３２５の圧力Ｐ１が揺らいだとき、この揺らぎに応じて、排気側空間３２５と被調圧側空間３２４との間の圧力損失が揺らぐ。このため、排気側空間３２５の圧力Ｐ１が揺らいでも、圧力Ｐ２は揺らぎ難くなる、という利点を得ることができる。   As described above, according to the pressure control mechanism 300a, when the pressure P1 of the exhaust side space 325 fluctuates with the fluctuation of the exhaust force, the pressure between the exhaust side space 325 and the regulated pressure side space 324 is changed according to the fluctuation. Pressure loss fluctuates. For this reason, even if the pressure P1 of the exhaust side space 325 fluctuates, the advantage that the pressure P2 becomes difficult to fluctuate can be obtained.

また、圧力制御機構３００ａは、液体３２６を圧力制御に用いるので、ミストトラップとしても利用することができる。   Moreover, since the pressure control mechanism 300a uses the liquid 326 for pressure control, it can also be used as a mist trap.

例えば、図８に示すように、圧力制御機構３００ａは、圧力制御に液体３２６を利用する。このため、液処理ユニット２２から飛散してきたミスト４００を、液体３２６中にトラップすることも可能である。   For example, as shown in FIG. 8, the pressure control mechanism 300a uses a liquid 326 for pressure control. For this reason, the mist 400 scattered from the liquid processing unit 22 can be trapped in the liquid 326.

このように圧力制御機構３００ａは、液体収容部３２１にミスト４００をトラップすることも可能であるので、排気側排気管３３０や共通排気管３５０を汚れ難い構造にできる。よって、排気側排気管３３０や共通排気管３５０の定期洗浄の頻度を抑制できる、という利点も得ることができる。   As described above, the pressure control mechanism 300a can trap the mist 400 in the liquid storage portion 321, so that the exhaust side exhaust pipe 330 and the common exhaust pipe 350 can be made difficult to get dirty. Therefore, an advantage that the frequency of periodic cleaning of the exhaust side exhaust pipe 330 and the common exhaust pipe 350 can be suppressed can be obtained.

上記一例に係る圧力制御機構３００ａでは、排気管を水平方向から液体収容部３２１に接続したが、排気管を垂直方向から液体収容部３２１に接続することもできる。このような例を他例として説明する。   In the pressure control mechanism 300a according to the above example, the exhaust pipe is connected to the liquid storage unit 321 from the horizontal direction, but the exhaust pipe can be connected to the liquid storage unit 321 from the vertical direction. Such an example will be described as another example.

図９は、圧力制御機構の他例を示す断面図である。   FIG. 9 is a cross-sectional view showing another example of the pressure control mechanism.

図９に示すように、他例に係る圧力制御機構３００ｂは、処理部側排気管３１０が、被調圧空間３２４に収容された液体３２６の液面に対して垂直な方向成分を有して液体収容部３２１に接続されている。   As shown in FIG. 9, in the pressure control mechanism 300 b according to another example, the processing unit side exhaust pipe 310 has a directional component perpendicular to the liquid level of the liquid 326 accommodated in the regulated pressure space 324. The liquid storage unit 321 is connected.

このように、処理部側排気管３１０は、被調圧空間３２４に収容された液体３２６の液面に対して垂直な方向成分を有して接続することも可能である。この場合には、例えば、処理部側排気管３１０から飛散してきたミスト４００を、液体３２６に直接に落とすことができ、ミスト４００をより良くトラップできる、という利点を得ることができる。   In this way, the processing unit side exhaust pipe 310 can be connected with a directional component perpendicular to the liquid level of the liquid 326 accommodated in the regulated pressure space 324. In this case, for example, the mist 400 scattered from the processing unit side exhaust pipe 310 can be dropped directly onto the liquid 326, and an advantage that the mist 400 can be trapped better can be obtained.

また、被調圧側空間３２４の上方に、排気側排気管３１０からの気流を液体３２６の液面上に導くガイド３２７を設けるようにしても良い。ガイド３２７を設けることで、ミスト４００を、より良く処理部側収容部３２４の液体３２６に落とすことができる。   Further, a guide 327 that guides the airflow from the exhaust side exhaust pipe 310 onto the liquid surface of the liquid 326 may be provided above the regulated pressure side space 324. By providing the guide 327, the mist 400 can be better dropped into the liquid 326 of the processing unit side storage unit 324.

なお、本例では、ガイド３２７を、仕切り部材３２３が被調圧側空間３２４の液体３２６の液面に対して垂直方向に形成されていることを利用し、仕切り部材３２３の上部、即ち、処理部側排気管３１０の接続位置の付近において、開孔３２２を作らない部分を設けることで実現している。   In this example, the guide 327 is utilized by utilizing the fact that the partition member 323 is formed in a direction perpendicular to the liquid level of the liquid 326 in the pressure-controlled side space 324, so that the upper portion of the partition member 323, that is, the processing unit. This is realized by providing a portion where the opening 322 is not formed in the vicinity of the connection position of the side exhaust pipe 310.

さらに、図９に示すように、排気側空間３２５に隣接してこの排気側空間３２５に連通される排気室３２８を設けるようにしても良い。排気室３２８には液体３２６が収容されないので、排気側排気管３３０を排気室３２７に接続する、例えば、排気室３２７の底部に垂直方向に接続することができる。例えば、このような排気室３２８を備えておくと、液体収容部３２１の側部に、排気側排気管３３０を水平方向から接続する構成に比較して平面面積を小さくでき、圧力制御機構をコンパクトにできる、という利点を得ることができる。   Furthermore, as shown in FIG. 9, an exhaust chamber 328 communicating with the exhaust side space 325 may be provided adjacent to the exhaust side space 325. Since the liquid 326 is not accommodated in the exhaust chamber 328, the exhaust side exhaust pipe 330 can be connected to the exhaust chamber 327, for example, vertically connected to the bottom of the exhaust chamber 327. For example, when such an exhaust chamber 328 is provided, the plane area can be reduced compared to a configuration in which the exhaust side exhaust pipe 330 is connected to the side portion of the liquid storage portion 321 from the horizontal direction, and the pressure control mechanism can be made compact. The advantage that it can be made can be obtained.

以上、この発明を一実施形態により説明したが、この発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。また、この発明の実施形態は、上記実施形態が唯一の実施形態でもない。   As mentioned above, although this invention was demonstrated by one Embodiment, this invention can be variously deformed, without being limited to the said embodiment. Moreover, the embodiment of the present invention is not the only embodiment.

例えば、一実施形態においては開孔３２２を、例えば、メッシュ状、又は水平方向に複数のスリット状のものを例示したが、例えば、垂直方向に複数、又は一本のスリット状の開孔としても良い。要するに、開孔３２２は、排気側空間３２５と被調圧側空間３２４との双方に開孔３２２を介して液体３２６を共通に収容でき、かつ、液体３２６の水位を調節することで開孔３２２の面積を変えることができれば、如何なる形状でも良い。   For example, in the embodiment, the opening 322 is exemplified as a mesh or a plurality of slits in the horizontal direction. However, for example, the openings 322 may be a plurality or one slit in the vertical direction. good. In short, the opening 322 can accommodate the liquid 326 in common in both the exhaust side space 325 and the regulated pressure side space 324 via the opening 322, and the level of the liquid 326 is adjusted to adjust the water level of the opening 322. Any shape can be used as long as the area can be changed.

また、一実施形態においては排気側空間３２５と被調圧側空間３２４とを仕切り部材３２３を用いて仕切るようにしていたが、排気側空間３２５と被調圧側空間３２４とが形成されるように、液体収容部３２１を一体成型するようにしても良い。   In one embodiment, the exhaust side space 325 and the regulated pressure side space 324 are partitioned using the partition member 323, but the exhaust side space 325 and the regulated pressure side space 324 are formed. The liquid container 321 may be integrally formed.

また、一実施形態においてはウエハの表裏面洗浄を行う洗浄処理装置を例にとって示したが、本発明はこれに限らず、表面のみまたは裏面のみの洗浄処理を行う洗浄処理装置であってもよく、また、洗浄処理に限らず、他の液処理であっても構わない。   Further, in the embodiment, the cleaning processing apparatus for cleaning the front and back surfaces of the wafer has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the cleaning processing apparatus may perform cleaning processing for only the front surface or only the back surface. Further, the liquid treatment is not limited to the cleaning treatment, and other liquid treatment may be used.

さらに、上記実施形態では被処理基板として半導体ウエハを用いた場合について示したが、液晶表示装置（ＬＣＤ）用のガラス基板に代表されるフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の基板等、他の基板に適用可能であることは言うまでもない。   Furthermore, in the above embodiment, a case where a semiconductor wafer is used as a substrate to be processed has been described. Needless to say, it is applicable.

この発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図The top view which shows schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention 液処理ユニットを拡大して示した断面図Cross section showing enlarged liquid treatment unit 液処理ユニットが並んだ状態の一例を示す斜視図The perspective view which shows an example of the state in which the liquid processing unit was located in a line 圧力制御機構の一例を示す断面図Sectional view showing an example of pressure control mechanism 圧力制御機構の一例を示す断面図Sectional view showing an example of pressure control mechanism 圧力制御機構の一例を示す断面図Sectional view showing an example of pressure control mechanism 圧力制御機構の利点を説明するための図Diagram for explaining the advantages of the pressure control mechanism 圧力制御機構の利点を説明するための図Diagram for explaining the advantages of the pressure control mechanism 圧力制御機構の他例を示す断面図Sectional view showing another example of pressure control mechanism

符号の説明Explanation of symbols

２２…液処理ユニット（被調圧部）、３００…圧力制御機構、３２１…液体収容部、３２２…開孔、３２４…被調圧側空間、３２５…排気側空間、３２６…液体、３６０…水位調節部、３７０…圧力測定部、３８０…水位制限用排水部。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 22 ... Liquid processing unit (pressure-regulated part), 300 ... Pressure control mechanism, 321 ... Liquid accommodating part, 322 ... Opening, 324 ... Pressure-controlled side space, 325 ... Exhaust side space, 326 ... Liquid, 360 ... Water level adjustment Part, 370 ... pressure measuring part, 380 ... drainage part for water level restriction.

Claims (15)

排気用力に接続可能な排気側空間、及びこの排気側空間に開孔を介して連通され、圧力が調節される被調圧部に接続可能な被調圧側空間を有し、前記排気側空間と前記被調圧側空間との双方に前記開孔を介して液体を共通に収容する液体収容部と、
前記被調圧部に要求される圧力に応じて、前記液体収容部に収容された前記液体の水位を調節する水位調節部と、
を具備することを特徴とする圧力制御機構。 An exhaust side space that can be connected to the exhaust force, and a regulated pressure side space that communicates with the exhaust side space via an opening and that can be connected to a regulated pressure part whose pressure is regulated; A liquid storage portion for storing liquid in common through the opening in both the pressure-controlled space;
A water level adjusting unit that adjusts a water level of the liquid stored in the liquid storage unit according to a pressure required for the pressure-adjusted unit;
A pressure control mechanism comprising: 前記被調圧部の圧力を測定する圧力測定部を、さらに備え、
前記水位調節部が、前記圧力測定部で測定された圧力を参照し、前記被調圧部の圧力が要求される圧力となるように前記液体収容部に収容された前記液体の水位を調節することを特徴とする請求項１に記載の圧力制御機構。 A pressure measurement unit for measuring the pressure of the pressure-regulated unit,
The water level adjustment unit refers to the pressure measured by the pressure measurement unit, and adjusts the water level of the liquid stored in the liquid storage unit so that the pressure of the pressure-adjusted unit becomes a required pressure. The pressure control mechanism according to claim 1. 基板処理部と、
前記基板処理部の圧力を制御する圧力制御機構と、を備え、
前記圧力制御機構が、
排気用力に接続可能な排気側空間、及びこの排気側空間に開孔を介して連通され、前記基板処理部に接続される被調圧側空間を有し、前記排気側空間と前記被調圧側空間との双方に前記開孔を介して液体を共通に収容する液体収容部と、
前記基板処理部に要求される圧力に応じて、前記液体収容部に収容された前記液体の水位を調節する水位調節部と、
を具備することを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing unit;
A pressure control mechanism for controlling the pressure of the substrate processing unit,
The pressure control mechanism is
An exhaust side space connectable to the exhaust force, and a pressure-controlled side space connected to the exhaust side space through an opening and connected to the substrate processing unit, the exhaust side space and the pressure-controlled side space And a liquid storage part for storing the liquid in common through the opening in both
A water level adjusting unit that adjusts a water level of the liquid stored in the liquid storage unit according to a pressure required for the substrate processing unit;
A substrate processing apparatus comprising: 前記基板処理部と、前記基板処理部の圧力を制御する前記圧力制御機構と、を複数備え、
前記複数の圧力制御機構の複数の排気側空間が共通の排気用力に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。 A plurality of the substrate processing unit and the pressure control mechanism for controlling the pressure of the substrate processing unit,
4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein a plurality of exhaust side spaces of the plurality of pressure control mechanisms are connected to a common exhaust force. 前記排気用力が複数あり、前記排気側空間が、前記複数の排気用力のいずれかに切り換え接続されることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の基板処理装置。   5. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein there are a plurality of exhaust forces, and the exhaust side space is switched and connected to one of the plurality of exhaust forces. 6. 前記基板処理部の圧力を測定する圧力測定部を、さらに備え、
前記水位調節部が、前記圧力測定部で測定された圧力を参照し、前記基板処理部の圧力が要求される圧力となるように前記液体収容部に収容された前記液体の水位を調節することを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の基板処理装置。 A pressure measuring unit for measuring the pressure of the substrate processing unit,
The water level adjustment unit refers to the pressure measured by the pressure measurement unit, and adjusts the water level of the liquid stored in the liquid storage unit so that the pressure of the substrate processing unit becomes a required pressure. The substrate processing apparatus according to claim 3 or 4, wherein 前記液体収容部が、前記液体の最大水位を制限する水位制限用排水部を備えることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the liquid storage unit includes a water level limiting drainage unit that limits a maximum water level of the liquid. 前記水位調節部が、
前記液体を前記液体収容部に注水する注水部と、
前記液体を前記液体収容部に排水する排水部と、を備えることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の基板処理装置。 The water level adjuster is
A water injection part for injecting the liquid into the liquid container;
The substrate processing apparatus according to claim 3, further comprising a drainage unit that drains the liquid into the liquid storage unit. 前記基板処理部が、前記被調圧側空間に収容された液体の液面に対して垂直な方向成分を有して前記液体収容部に接続されていることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の基板処理装置。   The said substrate processing part has a direction component perpendicular | vertical with respect to the liquid level of the liquid accommodated in the said to-be-controlled pressure side space, and is connected to the said liquid accommodating part, The Claim 3 or Claim characterized by the above-mentioned. 4. The substrate processing apparatus according to 4. 前記液体収容部に収容された液体を、ミストトラップとして利用することを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the liquid stored in the liquid storage unit is used as a mist trap. 前記排気側空間に隣接してこの排気側空間に連通される排気室を、さらに備え、
前記排気室が、前記排気用力に接続可能になっていることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の基板処理装置。 An exhaust chamber which is adjacent to the exhaust side space and communicates with the exhaust side space;
The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the exhaust chamber is connectable to the exhaust force. 前記液体が水であることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the liquid is water. 基板処理部と、排気用力に接続可能な排気側空間、及びこの排気側空間に開孔を介して連通され、前記基板処理部に接続される被調圧側空間を有し、前記排気側空間と前記被調圧側空間との双方に前記開孔を介して液体を共通に収容する液体収容部と、この液体収容部に収容された前記液体の水位を調節する水位調節部と、を備えた基板処理装置の基板処理方法であって、
前記基板処理部の圧力を、前記液体収容部に収容された前記液体の水位を調節し、前記基板処理部に要求される圧力となるように制御することを特徴とする基板処理方法。 A substrate processing unit, an exhaust side space connectable to the exhaust force, and a pressure-controlled side space connected to the exhaust side space through an opening and connected to the substrate processing unit, and the exhaust side space A substrate comprising: a liquid container that commonly accommodates liquid in both the pressure-controlled side space through the opening; and a water level adjuster that adjusts the water level of the liquid contained in the liquid container. A substrate processing method for a processing apparatus, comprising:
A substrate processing method, wherein the pressure of the substrate processing unit is controlled so as to be a pressure required for the substrate processing unit by adjusting a water level of the liquid stored in the liquid storage unit. 前記基板処理部の圧力を測定し、
前記基板処理部の圧力を参照し、前記基板処理部の圧力が前記要求される圧力となるように前記液体の水位を調節することを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。 Measure the pressure of the substrate processing unit,
The substrate processing method according to claim 13, wherein the water level of the liquid is adjusted so that the pressure of the substrate processing unit becomes the required pressure with reference to the pressure of the substrate processing unit. コンピュータ上で動作し、基板処理を制御する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムが、実行時に、請求項１３又は請求項１４に記載の基板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。 A computer-readable storage medium that operates on a computer and stores a control program for controlling substrate processing,
15. A computer-readable storage medium that causes a computer to control the substrate processing apparatus so that the substrate processing method according to claim 13 or 14 is performed when the control program is executed.

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