JP4873015B2 - ブレーズ型回折格子の製造方法 - Google Patents
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Description
a)基板上に設けたホトレジスト層にホログラフィック露光法により正弦全波又は正弦半波状のレジストパターンを形成するレジストパターン作製工程と、
b)前記レジストパターンが形成された基板に対し、選択比が1未満であるエッチングガスを使用し、ブレーズ方向とは反対方向の斜めからイオンビームを照射することで、前記レジストパターン及び基板表面をエッチングするイオンビームエッチング工程と、
を実行することにより、断面鋸歯状の格子溝パターンを基板に刻線することを特徴としている。
a)凹面状の基板上に設けたホトレジスト層にホログラフィック露光法により正弦全波又は正弦半波状のレジストパターンを形成するレジストパターン作製工程と、
b)前記レジストパターンが形成された基板に対し、選択比が1以上であるエッチングガスを使用し、ブレーズ方向の向きの後方側の半面について、ブレーズ方向と同方向の斜めからイオンビームを照射することで前記レジストパターン及び基板表面をエッチングする第1イオンビームエッチング工程と、
c)前記レジストパターンが形成された基板に対し、選択比が1未満であるエッチングガスを使用し、ブレーズ方向の向きの前方側の半面について、ブレーズ方向とは反対方向の斜めからイオンビームを照射することで前記レジストパターン及び基板表面をエッチングする第2イオンビームエッチング工程と、
を実行することにより、断面鋸歯状の格子溝パターンを凹面基板に刻線することを特徴としている。
11…基板(凹面基板)
2、12…ホトレジスト層
3、13…レジストパターン
4、14…格子溝
4a…ブレーズ面
5、15…反射被膜
16、17…マスキング材
光学ガラス等から成る平板状の基板1の表面を光学研磨し、超音波洗浄によりその表面を清浄化する。その後、ホトレジストを例えばスピンコート法などによりほぼ一様な厚さに塗布し、コンベクションオーブンで焼成する。それにより、ホトレジスト層2を基板1の表面に形成する(図1(a))。
ホトレジスト層2が基板1表面に形成されたワークを、ホログラフィック露光装置にセットし、ホトレジスト層2に二光束干渉による所定密度の干渉縞の潜像を露光する。そして、露光されたワークのホトレジスト層2を専用現像液で現像し、純水リンスを行うことで、回折格子パターンが形成されたレジストパターン3を作製する。一般に二光束干渉の干渉縞の強度分布は正弦波状となるため、作製されたレジストパターン3の断面形状も正弦全波状又は正弦半波状となる(図1(b))。なお、レジストパターン3の溝深さは露光時間と現像時間とを制御することで決めることができる。
レジストパターン3が形成された基板1に対し、ブレーズ方向(図1では右から左へ向かう矢印の方向)とは反対の方向の斜め上から(基板1の法線Pからの角度θ1の入射角で)イオンビームを照射することにより、レジストパターン3及び基板1に対する反応性イオンビームエッチングを行う。このとき、エッチングガスとしては選択比が1未満であるものを用いる。したがって、レジストパターン3は相対的に速く削られ、基板1は相対的に遅く削られる。
上記エッチングの終了後、格子溝4が刻線された基板1を洗浄し、真空蒸着法により格子溝4の表面に反射被膜5を形成する(図1(f))。反射被膜5の材料は使用波長範囲に応じて適宜のものを用いればよく、例えばアルミニウム、金、白金、或いはX線多層膜などを利用することができる。なお、反射被膜5をコーティングすることなく使用することも可能である。
光学ガラス等から成る凹面の基板11の表面を光学研磨し、超音波洗浄によりその表面を清浄化する。その後、ホトレジストをほぼ一様な厚さに塗布し、コンベクションオーブンで焼成する。それにより、ホトレジスト層を基板11の表面に形成する。
上記平面ブレーズ型回折格子と同様に、ホログラフィック露光法により基板11の表面上に断面が正弦全波状又は正弦半波状であるレジストパターン13を形成する(図2(a))。
レジストパターン3が形成された基板11に対し、まずブレーズ方向の前方の半面(図2では左半面)にイオンビームが当たらないようにマスキング材16を用いてマスキングを施した上で、ブレーズ方向と同方向の斜め上から(基板11の法線Pから角度θ2の入射角で)イオンビームを照射することにより、レジストパターン13及び基板11に対する反応性イオンビームエッチングを行う(図2(b)、(c))。このとき、エッチングガスとしては選択比が1以上であるものを用い、好ましくは2以上であるものを用いるとよい。
上記基板11に対し、今度は、先に格子溝14が形成された、ブレーズ方向の後方の半面(図2では右半面)にイオンビームが当たらないようにマスキング材17を用いてマスキングを施した上で、上記第1発明におけるエッチングの手法、即ち、ブレーズ方向とは反対方向の斜め上からイオンビームを照射することにより、ブレーズ方向の前方の半面に残るレジストパターン13と基板11に対する反応性イオンビームエッチングを行う(図2(e)、(f))。このとき、エッチングガスとしては選択比が1未満のものを用いる。この場合、選択比が小さいので基板11は相対的に削れにくく、上述したようにブレーズ角を小さくすることができる。そうして、ホトレジストが完全に消失して残りの半面に格子溝14が形成されたならば、このエッチングを終了する(図2(g))。
上記平面ブレーズ型回折格子と同様に、真空蒸着法により格子溝14の形成された基板11の表面に反射被膜15を形成する(図2(h))。
Claims (2)
- 断面鋸歯状の格子溝パターンを凹面状の基板に刻線することによってブレーズ型回折格子を製造する方法であって、
a)凹面状の基板上に設けたホトレジスト層にホログラフィック露光法により正弦全波又は正弦半波状のレジストパターンを形成するレジストパターン作製工程と、
b)前記レジストパターンが形成された基板に対し、該基板に対するエッチング速度/前記ホトレジスト層に対するエッチング速度が1以上であるエッチングガスを使用し、形成しようとする格子溝の延伸方向と直交する方向であって、前記鋸歯の短い方の斜面を前側に、長い方の斜面を後側に向けたときの前側から後側に向かう方向であるブレーズ方向の向きの後方側の半面について、前記ブレーズ方向と同方向の斜めからイオンビームを照射することで前記レジストパターン及び基板表面をエッチングする第1イオンビームエッチング工程と、
c)前記レジストパターンが形成された基板に対し、該基板に対するエッチング速度/前記ホトレジスト層に対するエッチング速度が1未満であるエッチングガスを使用し、前記ブレーズ方向の向きの前方側の半面について、前記ブレーズ方向とは反対方向の斜めからイオンビームを照射することで前記レジストパターン及び基板表面をエッチングする第2イオンビームエッチング工程と、
を有することを特徴とするブレーズ型回折格子の製造方法。 - 第1及び第2イオンビームエッチング工程に際して、エッチングの対象である基板の半面ではない他の半面をマスキングした状態でイオンビームを照射することを特徴とする請求項1に記載のブレーズ型回折格子の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210021396A (ko) * | 2018-07-13 | 2021-02-25 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 광학적 격자 컴포넌트를 생성하는 방법 |
CN113899533A (zh) * | 2021-12-08 | 2022-01-07 | 杭州拓致光电科技有限公司 | 一种测量反射式体光栅性能的装置及方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN102323634B (zh) | 2011-10-19 | 2016-06-22 | 苏州大学 | 一种全息双闪耀光栅的制作方法 |
TWI440833B (zh) | 2011-12-30 | 2014-06-11 | Oto Photonics Inc | 混合式繞射光柵、模具及繞射光柵及其模具的製造方法 |
JP6058402B2 (ja) | 2012-06-08 | 2017-01-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 曲面回折格子の製造方法、および曲面回折格子の型 |
JP6029502B2 (ja) | 2013-03-19 | 2016-11-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 曲面回折格子の製造方法 |
TWI715599B (zh) | 2016-07-12 | 2021-01-11 | 台灣超微光學股份有限公司 | 光譜儀模組及其製作方法 |
US10302826B1 (en) * | 2018-05-30 | 2019-05-28 | Applied Materials, Inc. | Controlling etch angles by substrate rotation in angled etch tools |
CN108957612A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-12-07 | 北极光电(深圳)有限公司 | 一种薄膜滤波器组件及其制作方法 |
US20220252768A1 (en) * | 2019-08-29 | 2022-08-11 | Hitachi High-Tech Corporation | Diffraction grating, method for manufacturing diffraction grating, and photomask |
CN113023668B (zh) * | 2021-03-10 | 2022-10-04 | 北京理工大学 | 一种基于模板制造两级微纳结构阵列的方法 |
CN114460676B (zh) * | 2022-03-03 | 2024-01-09 | 福建睿创光电科技有限公司 | 一种1030nm正弦型介质光栅及其制作方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07104112A (ja) * | 1993-10-06 | 1995-04-21 | Sharp Corp | 回折格子の製造方法 |
JP2005157118A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Shimadzu Corp | ブレーズド・ホログラフィック・グレーティング、その製造方法、及びレプリカグレーティング |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0812286B2 (ja) * | 1991-11-28 | 1996-02-07 | 株式会社島津製作所 | SiC基板の回折格子製作方法 |
JP4507928B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2010-07-21 | 株式会社島津製作所 | ホログラフィックグレーティング製造方法 |
-
2007
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07104112A (ja) * | 1993-10-06 | 1995-04-21 | Sharp Corp | 回折格子の製造方法 |
JP2005157118A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Shimadzu Corp | ブレーズド・ホログラフィック・グレーティング、その製造方法、及びレプリカグレーティング |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210021396A (ko) * | 2018-07-13 | 2021-02-25 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 광학적 격자 컴포넌트를 생성하는 방법 |
KR102606558B1 (ko) * | 2018-07-13 | 2023-11-29 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 광학적 격자 컴포넌트를 생성하는 방법 |
CN113899533A (zh) * | 2021-12-08 | 2022-01-07 | 杭州拓致光电科技有限公司 | 一种测量反射式体光栅性能的装置及方法 |
Also Published As
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