JP4872976B2 - 強誘電体メモリ装置 - Google Patents
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- 複数のメモリセルと、
複数のビット線と、
前記複数のビット線のそれぞれを対応する前記メモリセルの一端に接続するか否かを切り替える複数のワード線と
前記複数のメモリセルのそれぞれの他端に接続された複数のプレート線と、
前記複数のプレート線に第1の電圧または第2の電圧を供給するか、前記プレート線をハイインピーダンスにする複数のプレート線制御回路と
を備え、
前記複数のプレート線制御回路のそれぞれは、
前記プレート線が接続された出力端子と、
前記第1の電圧が供給される第1の端子と、
前記第2の電圧が供給される第2の端子と、
前記出力端子と前記第1の端子との間に設けられた第1のスイッチと、
前記出力端子と前記第2の端子との間に直列に設けられた第2のスイッチおよび第3の
スイッチと
を有し、
前記第3のスイッチは、前記出力端子と前記第2のスイッチとの間に設けられており、
各プレート線制御回路は、
当該プレート線制御回路に接続されたプレート線に対応するワード線が選択されるタイミングに同期して、(1)前記出力端子に第1の電圧を供給するように、前記第1のスイッチをオンし、前記第2のスイッチをオフし、前記第3のスイッチをオンするか、または、(2)前記出力端子に第2の電圧を供給するように前記第1のスイッチをオフし、前記第2のスイッチをオンし、前記第3のスイッチをオンし、
当該ワード線が非選択となるタイミングに同期して、前記出力端子をハイインピーダンスにするように、前記第1のスイッチをオフし、前記第2のスイッチをオンし、前記第3のスイッチをオフする
ことを特徴とする強誘電体メモリ装置。
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JP2008176859A JP4872976B2 (ja) | 2008-07-07 | 2008-07-07 | 強誘電体メモリ装置 |
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