JP4871548B2 - Thin film thermistor - Google Patents

Description

本発明は、薄膜サーミスタの電極構造に関し、詳しくは、薄膜サーミスタを構成する感熱膜と前記感熱膜に接続された端子電極からなるセンサ部をガラス保護膜によって被覆し、前記ガラス保護膜内に形成された前記端子電極に接続して延在する外部接続用電極を別途前記端子電極から引き出し形成することによって、外気雰囲気からセンサ部を遮断することで感熱膜の特性変化を小さくすると共に機械的強度を増し、長期信頼性を向上させた薄膜サーミスタを提供するものである。   The present invention relates to an electrode structure of a thin film thermistor, and more specifically, a sensor portion comprising a heat sensitive film constituting a thin film thermistor and a terminal electrode connected to the heat sensitive film is covered with a glass protective film and formed in the glass protective film. The external connection electrode that extends in connection with the terminal electrode is formed separately from the terminal electrode, thereby reducing the characteristic change of the heat-sensitive film by cutting off the sensor portion from the outside atmosphere and mechanical strength. A thin film thermistor with improved long-term reliability is provided.

図４は従来の薄膜サーミスタの構成を示す断面図である。図において、１は絶縁基板で厚さが１００〜３００μｍ程度のアルミナ、石英、ムライト、ステアタイト等のセラミック基板であり、絶縁基板１の表面にはスパッタリングまたは蒸着等の方法によって、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）等からなる金属下地膜１５ａ、１５ｂと白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）合金、金（Ａｕ）等の電極薄膜層１６ａ、１６ｂからなる電極パッド１７ａ、１７ｂがパターン形成されている。なお、金属下地膜１５ａ、１５ｂは絶縁基板１との密着性をよくするために形成する金属薄膜層である。電極薄膜層１６ａ、１６ｂ間には感熱膜（サーミスタ膜）１３と絶縁基板１の熱処理時の反応を防止するために二酸化ケイ素または窒化ケイ素等の絶縁膜１４がパターン形成されている。１８ａ、１８ｂは電極パッド１７ａ、１７ｂと絶縁膜１４に接して対向するように形成された白金（Ｐｔ）等からなる外部引出用電極である。   FIG. 4 is a sectional view showing the structure of a conventional thin film thermistor. In the figure, reference numeral 1 denotes an insulating substrate, which is a ceramic substrate made of alumina, quartz, mullite, steatite or the like having a thickness of about 100 to 300 μm. The surface of the insulating substrate 1 is made of titanium (Ti) by a method such as sputtering or vapor deposition. Electrode pads 17a and 17b composed of metal base films 15a and 15b made of chrome (Cr), tungsten (W), etc. and electrode thin film layers 16a and 16b made of platinum (Pt), palladium (Pd) alloy, gold (Au), etc. Is patterned. The metal base films 15a and 15b are metal thin film layers formed to improve the adhesion to the insulating substrate 1. An insulating film 14 such as silicon dioxide or silicon nitride is patterned between the electrode thin film layers 16a and 16b in order to prevent a heat sensitive film (thermistor film) 13 and a reaction during the heat treatment of the insulating substrate 1. Reference numerals 18a and 18b denote external extraction electrodes made of platinum (Pt) or the like formed so as to be in contact with and opposed to the electrode pads 17a and 17b.

外部引出用電極１８ａ、１８ｂをパターン形成した後、外部引出用電極１８ａ、１８ｂの一部を覆うように感熱膜１３がパターン形成される。そして、感熱膜１３は、パターン形成後に５００〜１０００℃の温度で１〜５時間程度熱処理が行われる。感熱膜１３は、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）等からなる複合酸化物の焼結体をターゲットとしてスパッタリング法によって形成される。１９は、感熱膜１３の電気的特性を微調整する目的で形成された第２の感熱膜であり必要に応じて形成されるものである。これら形成された感熱膜１３、１９上には、さらにこの感熱膜を保護する目的で、０．５〜２．０μｍ程度の二酸化ケイ素からなる保護膜をスパッタ形成し、さらに、その上に耐湿性を向上させるためのガラス保護膜をスクリーン印刷法等で塗布・焼付けして形成する。その後、パターニングによって図に示すような絶縁保護膜２０とガラス保護膜２１がパターン形成される。一般的に、外部引出用電極１８ａ、１８ｂに用いられる金属薄膜層の材料としては、感熱膜１３、１９を構成するサーミスタ材料と前記金属薄膜層との熱処理時の反応が小さく、完成した薄膜サーミスタとして安定した電気的特性を得るために、白金（Ｐｔ）の金属薄膜層からなる外部引出用電極がパターン形成される。   After patterning the external lead electrodes 18a and 18b, the heat sensitive film 13 is patterned to cover a part of the external lead electrodes 18a and 18b. And the heat sensitive film | membrane 13 is heat-processed for about 1 to 5 hours at the temperature of 500-1000 degreeC after pattern formation. The heat sensitive film 13 is formed by a sputtering method using a sintered body of a complex oxide made of manganese (Mn), cobalt (Co), nickel (Ni), iron (Fe), or the like as a target. Reference numeral 19 denotes a second heat sensitive film formed for the purpose of finely adjusting the electrical characteristics of the heat sensitive film 13, which is formed as necessary. A protective film made of silicon dioxide having a thickness of about 0.5 to 2.0 μm is formed on the formed heat sensitive films 13 and 19 by sputtering for the purpose of further protecting the heat sensitive film. A glass protective film for improving the thickness is applied and baked by a screen printing method or the like. Thereafter, the insulating protective film 20 and the glass protective film 21 as shown in the figure are formed by patterning. In general, the material of the metal thin film layer used for the external extraction electrodes 18a and 18b is a completed thin film thermistor with a small reaction during heat treatment between the thermistor material constituting the heat sensitive films 13 and 19 and the metal thin film layer. In order to obtain stable electrical characteristics, an external extraction electrode made of a platinum (Pt) metal thin film layer is patterned.

このようにして製造された薄膜サーミスタは、４０℃と２００℃との熱サイクル試験を１万回実施し、試験前後の抵抗値変化率を調べた結果、抵抗値の変化率は＋０．７％であった。また、薄膜サーミスタを２６０℃±５℃のハンダ槽に５秒間浸漬し、浸漬前後の抵抗値変化率を調べた結果、抵抗値の変化率は＋０．２％であり電極膜の剥離はなかった。   The thin film thermistor thus manufactured was subjected to a thermal cycle test at 40 ° C. and 200 ° C. 10,000 times, and the resistance change rate before and after the test was examined. The resistance change rate was + 0.7%. Met. Further, the thin film thermistor was immersed in a solder bath at 260 ° C. ± 5 ° C. for 5 seconds, and the resistance value change rate before and after the immersion was examined. As a result, the resistance value change rate was + 0.2%, and there was no peeling of the electrode film. .

しかしながら、近年、従来よりも高い温度で使用できる薄膜サーミスタに対する要求が高まり、使用温度範囲の上限が２５０〜３００℃となってきた。このように使用上限温度が高くなると、従来構造の薄膜サーミスタを使用した場合、高温放置試験や熱サイクル試験において試験前後の抵抗値変化率が従来のものと比較して大きくなる傾向があり、長期信頼性が低下する欠点があることが明らかになった。このような抵抗値変化率が大きくなる原因の一つとしては、薄膜サーミスタチップが高温の外気雰囲気中に放置された場合、感熱膜１３、１９は絶縁保護膜２０とガラス保護膜２１によって被覆されていて外気に対して保護されているが、外部引出用電極１８ａ、１８ｂの一部が外気に露出しているために、外部引出用電極１８ａ、１８ｂを構成する金属薄膜層である白金（Ｐｔ）と接触している絶縁保護膜２０との接触界面部分から白金を通して酸素の出入りが生じ、これによって金属酸化物から構成されたサーミスタ感熱膜の特性が変動し、長期信頼性試験において抵抗変化率が大きくなるものと考えられる。   However, in recent years, the demand for a thin film thermistor that can be used at a higher temperature than before has increased, and the upper limit of the operating temperature range has been 250 to 300 ° C. Thus, when the upper limit temperature is increased, when a thin film thermistor having a conventional structure is used, the resistance change rate before and after the test tends to be larger in the high temperature storage test and the thermal cycle test than the conventional one. It became clear that there was a drawback that reliability was lowered. One of the reasons for such a large rate of change in resistance value is that when the thin film thermistor chip is left in a high temperature outside air atmosphere, the heat sensitive films 13 and 19 are covered with the insulating protective film 20 and the glass protective film 21. However, since some of the external extraction electrodes 18a and 18b are exposed to the external air, platinum (Pt), which is a metal thin film layer constituting the external extraction electrodes 18a and 18b. Oxygen enters and exits through platinum from the contact interface portion with the insulating protective film 20 in contact with the insulating protective film 20, thereby changing the characteristics of the thermistor heat-sensitive film made of metal oxide, and the rate of change in resistance in the long-term reliability test Is thought to increase.

本発明は、上記のような欠点を解消し信頼性の高い薄膜サーミスタを提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a highly reliable thin film thermistor that eliminates the above-described drawbacks.

本発明は、上記課題を達成するためになされたものであり、請求項１の発明は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された一対の電極パッドと、前記電極パッド間の絶縁基板面上に形成した絶縁膜と、前記絶縁膜に接して前記電極パッド上にパターン形成された金属薄膜層からなる一対の端子電極と、前記絶縁膜を下地とし前記端子電極間に形成された感熱膜と、前記感熱膜を保護する絶縁保護膜と、前記絶縁保護膜と前記端子電極上を被覆するガラス保護膜とからなる薄膜サーミスタであって、前記端子電極から延在形成される一対の外部接続用電極パッドを有し、前記感熱膜全体および端子電極の全体が、前記絶縁保護膜及び前記ガラス保護膜によって被覆されると共に、前記ガラス保護膜が、前記外部接続用電極パッドの一部をも被覆していることを特徴とする薄膜サーミスタである。 The present invention has been made to achieve the above object, and the invention of claim 1 is directed to an insulating substrate, a pair of electrode pads formed on the insulating substrate, and an insulating substrate surface between the electrode pads. A pair of terminal electrodes comprising an insulating film formed thereon, a metal thin film layer patterned on the electrode pad in contact with the insulating film, and a heat sensitive film formed between the terminal electrodes with the insulating film as a base And a pair of external connections formed extending from the terminal electrode, the thin film thermistor comprising: an insulating protective film that protects the heat-sensitive film; and a glass protective film that covers the insulating protective film and the terminal electrode And the entire heat sensitive film and the entire terminal electrode are covered with the insulating protective film and the glass protective film, and the glass protective film also includes a part of the external connection electrode pad. Coating It is a thin film thermistor according to claim is.

また、請求項２に記載の発明は、前記絶縁基板上に形成された前記一対の電極パッドが、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、Ｎｉ−Ｃｒ合金の少なくとも一種からなる第１金属下地膜と、前記第１金属下地膜上に形成された白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、パラジウム合金の少なくとも一種からなる第１電極薄膜からなり、前記電極パッド上に白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、パラジウム合金の少なくとも一種の金属薄膜層からなる前記端子電極が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜サーミスタである。   According to a second aspect of the present invention, the pair of electrode pads formed on the insulating substrate includes titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), tungsten (W), and tantalum (Ta). And a first metal base film made of at least one of Ni-Cr alloy, and at least one kind of platinum (Pt), gold (Au), palladium (Pd), and palladium alloy formed on the first metal base film. The terminal electrode is formed of a first electrode thin film, and the terminal electrode is formed of at least one metal thin film layer of platinum (Pt), gold (Au), palladium (Pd), or palladium alloy on the electrode pad. The thin film thermistor according to claim 1.

また、請求項３に記載の発明は、前記端子電極から延在する外部接続用電極パッドが、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金の何れか一種からなる第２金属下地膜と、前記第２金属下地膜上に形成された第２電極薄膜が金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）またはＮｉ−Ｃｒ合金の少なくとも一種とからなることを特徴とする請求項１あるいは２に記載の薄膜サーミスタである。 According to a third aspect of the present invention, the electrode pad for external connection extending from the terminal electrode is made of titanium (Ti), chromium (Cr), copper (Cu), nickel (Ni), molybdenum (Mo), A second metal base film made of any one of tantalum (Ta), tungsten (W), gold (Au), Ni—Cr alloy, and Ni—Ti alloy, and a second metal base film formed on the second metal base film. electrode thin gold (Au), is a thin film thermistor according to claim 1 or 2, characterized in that it consists of at least one of nickel (Ni) or Ni-Cr alloy.

また、請求項４に記載の発明は、前記第１、第２金属下地膜がチタン（Ｔｉ）、前記電極薄膜及び前記端子電極が白金（Ｐｔ）、前記第２電極薄膜がニッケル（Ｎｉ）または金（Ａｕ）で形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の薄膜サーミスタである。
また、請求項５に記載の発明は、絶縁基板の一表面上に、第１および第２の金属薄膜層を順次形成する工程と、前記第１、第２金属薄膜層の不要部分を除去して、それぞれ第１金属下地膜と第１電極薄膜からなる一対の電極パッドをパターン形成する工程と、絶縁層を前記絶縁基板および一対の電極パッド上に成膜し、パターニングし、前記電極パッド間の絶縁基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記電極パッド上に金属薄膜層を成膜し、その金属薄膜層をパターニングし、前記電極パッドと前記絶縁膜に接する一対の端子電極を対向するように形成する工程と、前記端子電極と絶縁膜を覆うように感熱層を成膜し、前記端子電極間の前記絶縁膜上に感熱膜をパターン形成する工程と、第１および第２の金属薄膜層を前記絶縁基板および前記一対の端子電極および前記感熱膜上に成膜し、前記第１および第２の金属薄膜層の不要部分を除去し、第２金属下地膜と第２電極薄膜からなる外部接続用電極パッドを、前記端子電極の一部と接続するようにパターン形成する工程と、前記感熱膜を保護するため、前記感熱膜の全体を覆うように絶縁保護膜をパターン形成する工程と、前記絶縁保護膜の全体および前記端子電極の全体および前記外部接続用電極パッドの一部を覆うようにガラスペーストを塗布した後、熱処理してガラス保護膜を形成する工程と、を有することを特徴とする薄膜サーミスタの製造方法である。
また、請求項６に記載の発明は、前記絶縁基板上に形成された前記一対の電極パッドが、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、Ｎｉ−Ｃｒ合金の少なくとも一種からなる第１金属下地膜と、前記第１金属下地膜上に形成された白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、パラジウム合金の少なくとも一種の第１電極薄膜とからなり、前記電極パッド上に白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、パラジウム合金の少なくとも一種の金属薄膜層からなる前記端子電極が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の薄膜サーミスタの製造方法である。
また、請求項７に記載の発明は、前記端子電極から延在する外部接続用電極パッドが、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金の少なくとも一種からなる第２金属下地膜と、前記第２金属下地膜上に形成された第２電極薄膜が金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）またはＮｉ−Ｃｒ合金の少なくとも一種とからなることを特徴とする請求項５あるいは６に記載の薄膜サーミスタの製造方法である。
また、請求項８に記載の発明は、前記第１、第２金属下地膜がチタン（Ｔｉ）、前記第１電極薄膜及び前記端子電極が白金（Ｐｔ）、前記第２電極薄膜がニッケル（Ｎｉ）または金（Ａｕ）で形成されていることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の薄膜サーミスタの製造方法である。 According to a fourth aspect of the present invention, the first and second metal base films are titanium (Ti), the electrode thin film and the terminal electrode are platinum (Pt), and the second electrode thin film is nickel (Ni) or a thin film thermistor according to any of claims 1 to 3, characterized in that it is formed of gold (Au).
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a step of sequentially forming first and second metal thin film layers on one surface of an insulating substrate, and removing unnecessary portions of the first and second metal thin film layers. Forming a pattern of a pair of electrode pads each consisting of a first metal base film and a first electrode thin film; and forming an insulating layer on the insulating substrate and the pair of electrode pads; Forming an insulating film on the insulating substrate, forming a metal thin film layer on the electrode pad, patterning the metal thin film layer, and facing the pair of terminal electrodes in contact with the electrode pad and the insulating film Forming a heat-sensitive layer so as to cover the terminal electrode and the insulating film, patterning the heat-sensitive film on the insulating film between the terminal electrodes, and the first and second metals A thin film layer is formed on the insulating substrate and the Forming on the pair of terminal electrodes and the thermosensitive film, removing unnecessary portions of the first and second metal thin film layers, and providing an external connection electrode pad comprising a second metal base film and a second electrode thin film, Forming a pattern so as to be connected to a part of the terminal electrode, forming a protective insulating film so as to cover the whole of the thermal film in order to protect the thermal film, and the whole of the insulating protective film And a step of applying a glass paste so as to cover the whole of the terminal electrode and a part of the electrode pad for external connection, followed by a heat treatment to form a glass protective film, and manufacturing a thin film thermistor Is the method.
According to a sixth aspect of the present invention, the pair of electrode pads formed on the insulating substrate includes titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), tungsten (W), and tantalum (Ta). , A first metal base film made of at least one kind of Ni-Cr alloy, and at least one kind of platinum (Pt), gold (Au), palladium (Pd), palladium alloy formed on the first metal base film. The terminal electrode is formed of one electrode thin film, and the terminal electrode is formed of at least one metal thin film layer of platinum (Pt), gold (Au), palladium (Pd), and palladium alloy on the electrode pad. The method of manufacturing a thin film thermistor according to claim 5.
In the invention according to claim 7, the electrode pad for external connection extending from the terminal electrode is made of titanium (Ti), chromium (Cr), copper (Cu), nickel (Ni), molybdenum (Mo), A second metal base film made of at least one of tantalum (Ta), tungsten (W), gold (Au), Ni—Cr alloy, and Ni—Ti alloy, and a second electrode formed on the second metal base film 7. The method of manufacturing a thin film thermistor according to claim 5, wherein the thin film is made of at least one of gold (Au), nickel (Ni), and Ni—Cr alloy.
According to an eighth aspect of the present invention, the first and second metal base films are titanium (Ti), the first electrode thin film and the terminal electrode are platinum (Pt), and the second electrode thin film is nickel (Ni). ) Or gold (Au). The method of manufacturing a thin film thermistor according to claim 5.

本発明は、絶縁基板上に形成されたサーミスタ材料からなる感熱膜と、感熱膜の電極として形成された端子電極全体をガラス保護膜によって被覆し、前記一対の端子電極に接続する一対の外部接続用電極を前記ガラス保護膜の外側に延在するように形成することによって、前記端子電極と前記感熱膜が外気雰囲気から遮断されることになり、薄膜サーミスタが高温雰囲気中に置かれても、端子電極材料と外気中の酸素との反応が生じにくく、結果として感熱膜の電気的特性が安定するために、高温で使用した場合でも長期信頼性に優れた薄膜サーミスタを得ることができる。特に、感熱膜に対する安定な材料として白金（Ｐｔ）を端子電極に用いた場合に、その効果は非常に大きい。   The present invention provides a heat sensitive film made of a thermistor material formed on an insulating substrate, and a pair of external connections for covering the entire terminal electrode formed as an electrode of the heat sensitive film with a glass protective film and connecting to the pair of terminal electrodes. By forming the electrode for use so as to extend outside the glass protective film, the terminal electrode and the heat sensitive film will be shielded from the outside atmosphere, and even if the thin film thermistor is placed in a high temperature atmosphere, Since the reaction between the terminal electrode material and oxygen in the outside air hardly occurs, and as a result, the electrical characteristics of the heat sensitive film are stabilized, a thin film thermistor having excellent long-term reliability can be obtained even when used at high temperatures. In particular, when platinum (Pt) is used for the terminal electrode as a stable material for the heat sensitive film, the effect is very large.

また、絶縁基板と感熱膜との間に絶縁膜を設けたことで、感熱膜を構成する金属酸化物が熱処理時に反応して絶縁基板中に熱拡散することを防止し、感熱膜の電気的特性を安定にする効果がある。   In addition, by providing an insulating film between the insulating substrate and the heat sensitive film, the metal oxide constituting the heat sensitive film is prevented from reacting during heat treatment and thermally diffusing into the insulating substrate. It has the effect of stabilizing the characteristics.

また、外部接続用電極パッドを形成する場合、絶縁基板面との密着性を改善する目的で金属下地膜を設けることによって、外部接続用電極パッドにリード線を接続する場合の局部的加熱による電極剥離を防止し、さらに端子電極については電極パッドを予め形成した上に端子電極を形成し、かつ外部接続用電極パッドと端子電極を別々に形成することにより、端子電極と絶縁基板との密着性を改善するとともに、外部接続用電極パッドにリード線を接続したときの局部加熱による端子電極に対する熱の影響を小さくすることができ、薄膜サーミスタとしての信頼性を向上させることができる利点がある。   In addition, when forming an external connection electrode pad, by providing a metal base film for the purpose of improving adhesion to the insulating substrate surface, an electrode by local heating when a lead wire is connected to the external connection electrode pad The adhesion between the terminal electrode and the insulating substrate is prevented by preventing the peeling and further forming the electrode pad on the terminal electrode in advance and forming the terminal electrode separately and forming the external connection electrode pad and the terminal electrode separately. In addition, the influence of heat on the terminal electrode due to local heating when the lead wire is connected to the electrode pad for external connection can be reduced, and the reliability as a thin film thermistor can be improved.

以下、本発明に係る薄膜サーミスタの実施態様を図１〜図３を参照して説明する。絶縁基板１は、厚さが５０〜３００μｍ程度のアルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、石英、ムライト、ステアタイト等のセラミック基板あるいはサファイア基板からなり、その表面の平滑度が０．０５μｍ以下に研磨されたものを使用する。初めに、研磨された絶縁基板１の一表面上にスパッタリングまたは蒸着等の方法によって、金属薄膜層２、３が順次形成される（図２（ａ））。絶縁基板１上に形成される第１金属薄膜層２は、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、Ｎｉ−Ｃｒ合金の少なくとも一種からなる金属が被着形成され、さらに前記第１金属薄膜層２上には、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）またはパラジウム合金等の少なくとも一種からなる第２金属薄膜層３が成膜形成される。これら第１及び第２金属薄膜層２、３は、真空チャンバ内で連続的に形成することによって、第１及び第２金属薄膜層２、３の境界部に酸化膜等の剥離層が形成されないように行われる。第１金属薄膜層２は、絶縁基板１との密着性をよくするために形成されるものであり、第１及び第２金属薄膜層２、３の総厚みは０．１〜０．５μｍ程度である。   Hereinafter, embodiments of the thin film thermistor according to the present invention will be described with reference to FIGS. The insulating substrate 1 is made of a ceramic substrate such as alumina, aluminum nitride, zirconia, quartz, mullite, steatite or a sapphire substrate having a thickness of about 50 to 300 μm, and the surface smoothness is polished to 0.05 μm or less. Use things. First, metal thin film layers 2 and 3 are sequentially formed on one surface of the polished insulating substrate 1 by a method such as sputtering or vapor deposition (FIG. 2A). The first metal thin film layer 2 formed on the insulating substrate 1 is made of at least one of titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), tungsten (W), tantalum (Ta), and Ni—Cr alloy. On the first metal thin film layer 2, a second metal thin film layer 3 made of at least one of platinum (Pt), gold (Au), palladium (Pd), palladium alloy and the like is formed. A film is formed. By forming these first and second metal thin film layers 2 and 3 continuously in a vacuum chamber, a peeling layer such as an oxide film is not formed at the boundary between the first and second metal thin film layers 2 and 3. To be done. The 1st metal thin film layer 2 is formed in order to improve the adhesiveness with the insulated substrate 1, and the total thickness of the 1st and 2nd metal thin film layers 2 and 3 is about 0.1-0.5 micrometer. It is.

続いて、フォトエッチング法によって、第１、第２金属薄膜層２、３の不要部分を除去して、第１金属下地膜２ａ、２ｂと第１電極薄膜３ａ、３ｂからなる電極パッド４ａ、４ｂがパターン形成される（図２（ｂ））。その後、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法などを用いて二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等からなる絶縁層５が、厚さ０．１〜０．５μｍに成膜される（図２（ｃ））。そしてフォトエッチング法を用いてパターニングし、電極パッド４ａ、４ｂ間の絶縁基板上に絶縁膜５ａが形成される（図２（ｄ））。絶縁膜５ａは、熱処理時に後述する感熱膜と絶縁基板の反応を防止して薄膜サーミスタとしての安定な電気的特性を得るために必要なものである。なお、本実施例では、電極パッド４ａ、４ｂを形成した後に絶縁膜５ａを形成した場合について示したが、先に絶縁基板上に絶縁膜をパターン形成した後に電極パッドを設けても良い。   Subsequently, unnecessary portions of the first and second metal thin film layers 2 and 3 are removed by a photoetching method, and electrode pads 4a and 4b including the first metal base films 2a and 2b and the first electrode thin films 3a and 3b are removed. Is patterned (FIG. 2B). Thereafter, an insulating layer 5 made of silicon dioxide (SiO 2), silicon nitride (Si 3 N 4) or the like is formed to a thickness of 0.1 to 0.5 μm by using a sputtering method, a plasma CVD method or the like (FIG. 2C )). Then, patterning is performed using a photoetching method, and an insulating film 5a is formed on the insulating substrate between the electrode pads 4a and 4b (FIG. 2D). The insulating film 5a is necessary for preventing a reaction between a heat-sensitive film, which will be described later, and an insulating substrate during heat treatment, and obtaining stable electrical characteristics as a thin film thermistor. In this embodiment, the insulating film 5a is formed after the electrode pads 4a and 4b are formed. However, the electrode pad may be provided after the insulating film is first patterned on the insulating substrate.

次に、端子電極６ａ、６ｂを形成する工程に進む。先ず、電極パッド４ａ、４ｂ上に、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）またはパラジウム合金、金（Ａｕ）等からなる少なくとも一種の金属薄膜層６をスパッタリング、イオンプレーティングまたは蒸着等の方法で成膜する（図２（ｅ））。次に、フォトエッチング法を用いて、成膜した金属薄膜層６をパターニングし、電極パッド４ａ、４ｂと絶縁膜５ａに接する一対の端子電極６ａ、６ｂが対向するように形成される（図２（ｆ））。なお、端子電極６ａ、６ｂは、図３に示すように絶縁膜５ａ上で互いに平行な端部が対向するような構造としても良いし、対向する櫛歯状の端子電極としてもよいことは言うまでもない。   Next, the process proceeds to the step of forming the terminal electrodes 6a and 6b. First, at least one metal thin film layer 6 made of platinum (Pt), palladium (Pd), palladium alloy, gold (Au), or the like is formed on the electrode pads 4a and 4b by a method such as sputtering, ion plating, or vapor deposition. A film is formed (FIG. 2E). Next, the formed metal thin film layer 6 is patterned using a photo-etching method so that the electrode pads 4a and 4b and the pair of terminal electrodes 6a and 6b in contact with the insulating film 5a are opposed to each other (FIG. 2). (F)). Note that the terminal electrodes 6a and 6b may have a structure in which ends parallel to each other are opposed to each other on the insulating film 5a as shown in FIG. 3 or may be comb-shaped terminal electrodes facing each other. Yes.

続いて、感熱膜７ａを形成する工程へ進む。前工程で形成された端子電極６ａ、６ｂと絶縁膜５ａを覆うように、スパッタ法などによって、０．３〜２．０μｍの厚さに感熱層７を成膜し（図３（ａ））、パターニング法を用いて端子電極６ａ、６ｂ間の絶縁膜５ａ上に感熱膜７ａがパターン形成される（図３（ｂ））。その後、感熱膜７ａは４００〜１２００℃の温度で１〜５時間の熱処理が行われる。感熱層７は、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄などからなる複合酸化物の焼結体をターゲットとして、スパッタリング法を用いて絶縁基板上に形成される。感熱膜７ａの電気的特性を微調整する必要がある場合は、感熱膜７ａ上に図示しない第２の感熱膜をパターン形成し、感熱膜の厚みを調整することによって電気的特性を調整することができる。また、感熱膜の電気的特性を調整する第２の手段は、図２（ｄ）における絶縁膜５ａを形成した後に第１の感熱膜をパターン形成し、その後に端子電極６ａ、６ｂを形成する。そして、さらに端子電極６ａ、６ｂ上に厚みを調整した第２の感熱膜を形成することによって特性の微調整が可能となる。即ち端子電極６ａ、６ｂが第１及び第２の感熱膜によって挟持された構造となる。   Then, it progresses to the process of forming the heat sensitive film | membrane 7a. A heat-sensitive layer 7 is formed to a thickness of 0.3 to 2.0 μm by sputtering or the like so as to cover the terminal electrodes 6a and 6b and the insulating film 5a formed in the previous step (FIG. 3A). Then, the heat sensitive film 7a is patterned on the insulating film 5a between the terminal electrodes 6a and 6b by using a patterning method (FIG. 3B). Thereafter, the heat sensitive film 7a is heat-treated at a temperature of 400 to 1200 ° C. for 1 to 5 hours. The heat-sensitive layer 7 is formed on an insulating substrate using a sputtering method using a composite oxide sintered body made of manganese, nickel, cobalt, iron, or the like as a target. When it is necessary to finely adjust the electrical characteristics of the heat sensitive film 7a, a second heat sensitive film (not shown) is formed on the heat sensitive film 7a, and the electrical characteristics are adjusted by adjusting the thickness of the heat sensitive film. Can do. The second means for adjusting the electrical characteristics of the heat-sensitive film is to form the first heat-sensitive film after forming the insulating film 5a in FIG. 2D, and then form the terminal electrodes 6a and 6b. . Further, it is possible to finely adjust the characteristics by forming a second heat sensitive film having a thickness adjusted on the terminal electrodes 6a and 6b. That is, the terminal electrodes 6a and 6b are sandwiched between the first and second heat sensitive films.

次に、外部接続用電極パッドを形成する工程に進む。先ず、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金等の少なくとも一種からなる金属薄膜層８及び金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）またはＮｉ−Ｃｒ合金の少なくとも一種からなる金属薄膜層９をスパッタリング、イオンプレーティングまたは蒸着等の方法で成膜する（図３（ｃ））。そして、金属薄膜層８、９の不要部分を除去して、第２金属下地膜８ａ、８ｂと第２電極薄膜９ａ、９ｂからなる外部接続用電極パッド１０ａ、１０ｂが、端子電極６ａ、６ｂの一部と接続するようにパターン形成される（図３（ｄ））。   Next, the process proceeds to a step of forming an external connection electrode pad. First, at least one of titanium (Ti), chromium (Cr), copper (Cu), nickel (Ni), molybdenum (Mo), tungsten (W), gold (Au), Ni—Cr alloy, Ni—Ti alloy, etc. The metal thin film layer 8 and the metal thin film layer 9 made of at least one of gold (Au), nickel (Ni), or Ni—Cr alloy are formed by sputtering, ion plating, vapor deposition, or the like (FIG. 3C). )). Then, unnecessary portions of the metal thin film layers 8 and 9 are removed, and external connection electrode pads 10a and 10b composed of the second metal base films 8a and 8b and the second electrode thin films 9a and 9b are formed on the terminal electrodes 6a and 6b. A pattern is formed so as to be connected to a part (FIG. 3D).

この後、感熱膜を保護する目的で、０．５〜２．０μｍの二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等からなる絶縁保護膜１１をパターン形成する。さらに、感熱膜７ａに対する耐湿性を向上させ、外気雰囲気の影響をなくすために感熱膜７ａと端子電極６ａ、６ｂを覆うように絶縁保護膜１１上にガラスペーストをスクリーン印刷等の手段で塗布した後、４００〜８００℃で熱処理してガラス保護膜１２が形成される（図３（ｅ））。ガラス保護膜１２はスクリーン印刷法の他に、基板全体に二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等からなる絶縁保護層とガラス膜層を形成した後、フォトエッチングによるパターニングによって絶縁保護膜１１とガラス保護膜１２を同時形成してもよい。   Thereafter, for the purpose of protecting the heat sensitive film, an insulating protective film 11 made of silicon dioxide (SiO 2), silicon nitride (Si 3 N 4), or the like having a thickness of 0.5 to 2.0 μm is patterned. Further, in order to improve the moisture resistance against the heat sensitive film 7a and eliminate the influence of the outside atmosphere, a glass paste is applied on the insulating protective film 11 by means of screen printing or the like so as to cover the heat sensitive film 7a and the terminal electrodes 6a and 6b. Thereafter, the glass protective film 12 is formed by heat treatment at 400 to 800 ° C. (FIG. 3E). In addition to the screen printing method, the glass protective film 12 is formed by forming an insulating protective layer and a glass film layer made of silicon dioxide (SiO2), silicon nitride (Si3N4) or the like on the entire substrate, and then patterning by photoetching. And the glass protective film 12 may be formed simultaneously.

上記した各種金属薄膜層の組み合わせの中で、第１及び第２金属下地膜２ａ、２ｂ、８ａ、８ｂとしてチタン（Ｔｉ）、第１電極薄膜３ａ、３ｂ及び前記端子電極６ａ、６ｂとして白金（Ｐｔ）を用い、外部接続用の電極となる第２電極薄膜９ａ、９ｂにニッケル（Ｎｉ）または金（Ａｕ）を形成した本発明構造の薄膜サーミスタについて、電気的特性に関する長期信頼性や機械的試験を行った結果、優れた性能が得られることが判明した。   Among the combinations of the various metal thin film layers described above, the first and second metal base films 2a, 2b, 8a and 8b are titanium (Ti), the first electrode thin films 3a and 3b and the terminal electrodes 6a and 6b are platinum ( The thin film thermistor having the structure of the present invention in which nickel (Ni) or gold (Au) is formed on the second electrode thin films 9a and 9b serving as electrodes for external connection using Pt). As a result of testing, it was found that excellent performance was obtained.

上述した薄膜サーミスタの構造は、ひとつの薄膜サーミスタの構造を示したものであるが、実際は絶縁基板上に上述の構造を有する薄膜サーミスタが多数配列された薄膜サーミスタ集合基板が形成される。薄膜サーミスタ集合基板は、個々の薄膜サーミスタチップに切断分離するために、ダイシングテープ等に貼着してからレーザースクライブ装置またはダイシングソー等を用いて切断する。このようにして個々の薄膜サーミスタチップが形成される。   The structure of the thin film thermistor described above shows the structure of one thin film thermistor, but in reality, a thin film thermistor aggregate substrate in which a number of thin film thermistors having the structure described above are arranged on an insulating substrate is formed. In order to cut and separate individual thin film thermistor chips, the thin film thermistor aggregate substrate is attached to a dicing tape or the like and then cut using a laser scribing device or a dicing saw. In this way, individual thin film thermistor chips are formed.

この発明の薄膜サーミスタの一実施形態を示す平面図である。It is a top view which shows one Embodiment of the thin film thermistor of this invention. 図１に示した薄膜サーミスタの製造工程の一実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one Embodiment of the manufacturing process of the thin film thermistor shown in FIG. 図２に続く製造工程を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a manufacturing step that follows FIG. 2. 従来の薄膜サーミスタの構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the conventional thin film thermistor.

符号の説明Explanation of symbols

１ 絶縁基板
２、３ 金属薄膜層
２ａ、２ｂ 第１金属下地膜
３ａ、３ｂ 第１電極薄膜
４ａ、４ｂ 電極パッド
５ａ 絶縁膜
６ａ、６ｂ 端子電極
７ａ 感熱膜
８、９ 金属薄膜層
８ａ、８ｂ 第２金属下地膜
９ａ、９ｂ 第２電極薄膜
１０ａ、１０ｂ 外部接続用電極パッド
１１ 絶縁保護膜
１２ ガラス保護膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating substrate 2, 3 Metal thin film layer 2a, 2b 1st metal base film 3a, 3b 1st electrode thin film 4a, 4b Electrode pad 5a Insulating film 6a, 6b Terminal electrode 7a Thermal film 8, 9 Metal thin film layer 8a, 8b Two metal base films 9a and 9b Second electrode thin films 10a and 10b External connection electrode pads 11 Insulating protective film 12 Glass protective film

Claims (8)

絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された一対の電極パッドと、前記電極パッド間の絶縁基板面上に形成した絶縁膜と、前記絶縁膜に接して前記電極パッド上にパターン形成された金属薄膜層からなる一対の端子電極と、前記絶縁膜を下地とし前記端子電極間に形成された感熱膜と、前記感熱膜を保護する絶縁保護膜と、前記絶縁保護膜と前記端子電極上を被覆するガラス保護膜とからなる薄膜サーミスタであって、前記端子電極から延在形成される一対の外部接続用電極パッドを有し、前記感熱膜全体および端子電極の全体が、前記絶縁保護膜及び前記ガラス保護膜によって被覆されると共に、前記ガラス保護膜が、前記外部接続用電極パッドの一部をも被覆していることを特徴とする薄膜サーミスタ。 An insulating substrate, a pair of electrode pads formed on the insulating substrate, an insulating film formed on the insulating substrate surface between the electrode pads, and a metal patterned on the electrode pad in contact with the insulating film A pair of terminal electrodes made of a thin film layer, a heat-sensitive film formed between the terminal electrodes with the insulating film as a base, an insulating protective film protecting the heat-sensitive film, and covering the insulating protective film and the terminal electrode A thin film thermistor comprising a glass protective film, and has a pair of external connection electrode pads formed extending from the terminal electrode , wherein the entire heat-sensitive film and the entire terminal electrode are the insulating protective film and the A thin film thermistor, wherein the thin film thermistor is covered with a glass protective film and the glass protective film also covers a part of the electrode pad for external connection . 前記絶縁基板上に形成された前記一対の電極パッドが、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、Ｎｉ−Ｃｒ合金の少なくとも一種からなる第１金属下地膜と、前記第１金属下地膜上に形成された白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、パラジウム合金の少なくとも一種の第１電極薄膜とからなり、前記電極パッド上に白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、パラジウム合金の少なくとも一種の金属薄膜層からなる前記端子電極が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜サーミスタ。     The pair of electrode pads formed on the insulating substrate is made of at least one of titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), tungsten (W), tantalum (Ta), and Ni—Cr alloy. 1 metal base film and at least one first electrode thin film of platinum (Pt), gold (Au), palladium (Pd), palladium alloy formed on the first metal base film, and on the electrode pad 2. The thin film thermistor according to claim 1, wherein the terminal electrode is formed of at least one metal thin film layer of platinum (Pt), gold (Au), palladium (Pd), or a palladium alloy. 前記端子電極から延在する外部接続用電極パッドが、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金の少なくとも一種からなる第２金属下地膜と、前記第２金属下地膜上に形成された第２電極薄膜が金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）またはＮｉ−Ｃｒ合金の少なくとも一種とからなることを特徴とする請求項１あるいは２に記載の薄膜サーミスタ。 External connection electrode pads extending from the terminal electrodes are titanium (Ti), chromium (Cr), copper (Cu), nickel (Ni), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), tungsten (W), gold (Au), Ni—Cr alloy, Ni—Ti alloy at least one second metal base film, and the second electrode thin film formed on the second metal base film is gold (Au), nickel (Ni) The thin film thermistor according to claim 1 or 2, comprising at least one of Ni-Cr alloys. 前記第１、第２金属下地膜がチタン（Ｔｉ）、前記第１電極薄膜及び前記端子電極が白金（Ｐｔ）、前記第２電極薄膜がニッケル（Ｎｉ）または金（Ａｕ）で形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の薄膜サーミスタ。 The first and second metal base films are formed of titanium (Ti), the first electrode thin film and the terminal electrode are formed of platinum (Pt), and the second electrode thin film is formed of nickel (Ni) or gold (Au). The thin film thermistor according to any one of claims 1 to 3. 薄膜サーミスタの製造方法であって、
絶縁基板の一表面上に、第１および第２の金属薄膜層を順次形成する工程と、
前記第１、第２金属薄膜層の不要部分を除去して、それぞれ第１金属下地膜と第１電極薄膜からなる一対の電極パッドをパターン形成する工程と、
絶縁層を前記絶縁基板および一対の電極パッド上に成膜し、パターニングし、前記電極パッド間の絶縁基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記電極パッド上に金属薄膜層を成膜し、その金属薄膜層をパターニングし、前記電極パッドと前記絶縁膜に接する一対の端子電極を対向するように形成する工程と、
前記端子電極と絶縁膜を覆うように感熱層を成膜し、前記端子電極間の前記絶縁膜上に感熱膜をパターン形成する工程と、
第１および第２の金属薄膜層を前記絶縁基板および前記一対の端子電極および前記感熱膜上に成膜し、前記第１および第２の金属薄膜層の不要部分を除去し、第２金属下地膜と第２電極薄膜からなる外部接続用電極パッドを、前記端子電極の一部と接続するようにパターン形成する工程と、
前記感熱膜を保護するため、前記感熱膜の全体を覆うように絶縁保護膜をパターン形成する工程と、
前記絶縁保護膜の全体および前記端子電極の全体および前記外部接続用電極パッドの一部を覆うようにガラスペーストを塗布した後、熱処理してガラス保護膜を形成する工程と、を有することを特徴とする薄膜サーミスタの製造方法。 A method for manufacturing a thin film thermistor, comprising:
Sequentially forming first and second metal thin film layers on one surface of an insulating substrate;
Removing unnecessary portions of the first and second metal thin film layers, and patterning a pair of electrode pads each composed of a first metal base film and a first electrode thin film;
Forming an insulating layer on the insulating substrate and the pair of electrode pads, patterning, and forming an insulating film on the insulating substrate between the electrode pads;
Forming a metal thin film layer on the electrode pad, patterning the metal thin film layer, and forming a pair of terminal electrodes in contact with the electrode pad and the insulating film;
Forming a heat-sensitive layer so as to cover the terminal electrode and the insulating film, and patterning the heat-sensitive film on the insulating film between the terminal electrodes;
First and second metal thin film layers are formed on the insulating substrate, the pair of terminal electrodes and the heat-sensitive film, unnecessary portions of the first and second metal thin film layers are removed, Forming an external connection electrode pad comprising a base film and a second electrode thin film so as to be connected to a part of the terminal electrode;
In order to protect the heat sensitive film, patterning an insulating protective film so as to cover the entire heat sensitive film; and
And a step of forming a glass protective film by applying a glass paste so as to cover the whole of the insulating protective film, the whole of the terminal electrode, and a part of the electrode pad for external connection. A method for manufacturing a thin film thermistor . 前記絶縁基板上に形成された前記一対の電極パッドが、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、Ｎｉ−Ｃｒ合金の少なくとも一種からなる第１金属下地膜と、前記第１金属下地膜上に形成された白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、パラジウム合金の少なくとも一種の第１電極薄膜とからなり、前記電極パッド上に白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、パラジウム合金の少なくとも一種の金属薄膜層からなる前記端子電極が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の薄膜サーミスタの製造方法。The pair of electrode pads formed on the insulating substrate is made of at least one of titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), tungsten (W), tantalum (Ta), and Ni—Cr alloy. 1 metal base film and at least one first electrode thin film of platinum (Pt), gold (Au), palladium (Pd), palladium alloy formed on the first metal base film, and on the electrode pad 6. The thin film thermistor according to claim 5, wherein the terminal electrode is formed of at least one metal thin film layer of platinum (Pt), gold (Au), palladium (Pd), or a palladium alloy. Method. 前記端子電極から延在する外部接続用電極パッドが、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金の少なくとも一種からなる第２金属下地膜と、前記第２金属下地膜上に形成された第２電極薄膜が金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）またはＮｉ−Ｃｒ合金の少なくとも一種とからなることを特徴とする請求項５あるいは６に記載の薄膜サーミスタの製造方法。External connection electrode pads extending from the terminal electrodes are titanium (Ti), chromium (Cr), copper (Cu), nickel (Ni), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), tungsten (W), gold (Au), Ni—Cr alloy, Ni—Ti alloy at least one second metal base film, and the second electrode thin film formed on the second metal base film is gold (Au), nickel (Ni) The method for producing a thin film thermistor according to claim 5, wherein the thin film thermistor is made of at least one of Ni—Cr alloys. 前記第１、第２金属下地膜がチタン（Ｔｉ）、前記第１電極薄膜及び前記端子電極が白金（Ｐｔ）、前記第２電極薄膜がニッケル（Ｎｉ）または金（Ａｕ）で形成されていることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の薄膜サーミスタの製造方法。The first and second metal base films are formed of titanium (Ti), the first electrode thin film and the terminal electrode are formed of platinum (Pt), and the second electrode thin film is formed of nickel (Ni) or gold (Au). A method of manufacturing a thin film thermistor according to any one of claims 5 to 7.

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