JP4863163B2 - TFT substrate inspection equipment - Google Patents

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Description

本発明は、ＴＦＴ基板検査装置に関し、特に検査装置内に導入されたＴＦＴ基板を高温状態で検査するＴＦＴ基板検査装置に関する。   The present invention relates to a TFT substrate inspection apparatus, and more particularly to a TFT substrate inspection apparatus that inspects a TFT substrate introduced into the inspection apparatus in a high temperature state.

半導体製造装置において、シースヒーターを備え真空状態で基板等を真空加熱するものが知られている（例えば、特許文献１）。   2. Description of the Related Art A semiconductor manufacturing apparatus that includes a sheath heater and heats a substrate or the like in a vacuum state is known (for example, Patent Document 1).

ＴＦＴ基板検査装置において、ＴＦＴ基板の検査は一般に常温で行っているが、ＴＦＴ基板の検査を高温状態で行うことによって、常温では検出が困難であったＴＦＴ基板の欠陥についても、容易に検出を行い、欠陥検出の効率を高めることが期待される。
特開平８−２０８６８号公報 In TFT substrate inspection equipment, TFT substrate inspection is generally performed at room temperature, but TFT substrate inspection is performed at a high temperature, so that defects on TFT substrates that were difficult to detect at room temperature can be easily detected. It is expected to improve the efficiency of defect detection.
JP-A-8-20868

このように、ＴＦＴ基板を高温状態で検査するには、検査室に加熱手段を設置し、検査室内に導入されたＴＦＴ基板を加熱手段で所定温度まで加熱した後に検査を行うことが考えられる。   Thus, in order to inspect the TFT substrate in a high temperature state, it is conceivable to install a heating means in the inspection room and inspect the TFT substrate introduced into the inspection room after heating it to a predetermined temperature with the heating means.

検査室に設置する加熱手段として高温ヒーターを採用した場合には、ＴＦＴ基板を常温から所定の高温状態まで短時間で加熱することができるが、高温ヒーターは多量の熱容量を必要とするため、大きなスペースを必要とする。一方、基板検査は、通常真空状態で行われるため、検査室は排気時間を短縮するために室空間の容量は少ないことが望ましい。   When a high-temperature heater is used as a heating means to be installed in the inspection room, the TFT substrate can be heated from room temperature to a predetermined high-temperature state in a short time, but the high-temperature heater requires a large amount of heat capacity, Requires space. On the other hand, since the substrate inspection is normally performed in a vacuum state, it is desirable that the inspection room has a small capacity in order to shorten the exhaust time.

さらに、この検査室の限られた空間内に、荷電粒子ビーム源、ＴＦＴ基板を可動支持するステージ機構、ビーム照射によってＴＦＴ基板から放出された二次電子等を検出する検出器などの種々の検査用装置を設ける必要がある。そのため、この狭い空間内に、上記した各検査用装置に加えて、大きな設置空間を必要とする高温ヒーターを設けることは困難である。   In addition, various inspections such as a charged particle beam source, a stage mechanism for moving and supporting the TFT substrate, and a detector for detecting secondary electrons emitted from the TFT substrate by beam irradiation are provided in the limited space of the inspection room. It is necessary to provide a device for use. Therefore, it is difficult to provide a high-temperature heater that requires a large installation space in addition to the above-described inspection devices in this narrow space.

仮に、検査室内に高温ヒーターを設定した場合には、検査室の空間を広げざるを得ないため検査室の排気に時間を要する。この排気時間の長時間化は、ＴＦＴ基板の検査時間を長引かせる要因となる。さらに、ＴＦＴ基板の基板検査を基板製造のライン上においてインラインで行う場合に、検査時間が長時間化するとＴＦＴ基板のスループットが低下することになる。   If a high temperature heater is set in the examination room, it takes time to exhaust the examination room because the space in the examination room must be expanded. This longer exhaust time becomes a factor that prolongs the inspection time of the TFT substrate. Further, when the substrate inspection of the TFT substrate is performed in-line on the substrate manufacturing line, if the inspection time is prolonged, the throughput of the TFT substrate is lowered.

また、設置する加熱手段として検査室の狭い空間に取り付けることができるような小型のヒーターを採用した場合には、ヒーターの熱容量が小さいため、検査室内に導入されたＴＦＴ基板を常温から高温状態まで加熱するまでに長時間を要することになり、前記した場合と同様に、ＴＦＴ基板の検査時間が長くなり、さらに、ＴＦＴ基板の基板検査を基板製造のライン上においてインラインで行う場合には、ＴＦＴ基板のスループットが低下することになる。さらに、加熱手段に流れる大電流によって発生する電場が電子ビームに影響を与えるおそれがある。   In addition, when a small heater that can be installed in a narrow space in the examination room is adopted as a heating means to be installed, the heat capacity of the heater is small, so that the TFT substrate introduced into the examination room can be moved from room temperature to a high temperature state. It takes a long time to heat, as in the case described above, the inspection time of the TFT substrate becomes long, and when the substrate inspection of the TFT substrate is performed in-line on the substrate manufacturing line, the TFT Substrate throughput is reduced. Furthermore, an electric field generated by a large current flowing through the heating means may affect the electron beam.

そこで、真空状態の検査室と大気側との間でＴＦＴ基板を搬出入するロードロック室に加熱装置を設け、ロードロック室内でＴＦＴ基板を加熱する構成が考えられる。この構成によれば、ロードロック室で加熱したＴＦＴ基板を搬送機構によって検査室に搬送する。   Therefore, a configuration in which a heating device is provided in a load lock chamber for carrying in and out the TFT substrate between the inspection chamber in the vacuum state and the atmosphere side, and the TFT substrate is heated in the load lock chamber is conceivable. According to this configuration, the TFT substrate heated in the load lock chamber is transferred to the inspection chamber by the transfer mechanism.

しかしながら、この構成では、ロードロック室で加熱されたＴＦＴ基板の温度が、搬送機構によって検査室に搬送される間に低下するという問題がある。特に、搬送機構は、ＴＦＴ基板を搬送アーム上に載置して搬送するなどＴＦＴ基板を基板単独で搬送する機構であるため、輻射によって温度低下する他に、ＴＦＴ基板の熱が搬送機構を通して検査装置側に伝達するなどによってＴＦＴ基板の温度が低下する。   However, with this configuration, there is a problem that the temperature of the TFT substrate heated in the load lock chamber decreases while being transferred to the inspection chamber by the transfer mechanism. In particular, the transport mechanism is a mechanism that transports the TFT substrate by itself, such as placing the TFT substrate on the transport arm and transporting it. Therefore, in addition to the temperature drop due to radiation, the heat of the TFT substrate is inspected through the transport mechanism. The temperature of the TFT substrate decreases due to transmission to the device side.

そこで、本発明は前記した従来の問題点を解決し、ＴＦＴ基板検査装置において、ロードロック室で加熱されたＴＦＴ基板の温度がロードロック室から検査室に搬送される間で低下することの抑制を目的とする。   Therefore, the present invention solves the above-described conventional problems and suppresses a decrease in the temperature of the TFT substrate heated in the load lock chamber while it is transported from the load lock chamber to the inspection chamber in the TFT substrate inspection apparatus. With the goal.

本発明は、ＴＦＴ基板検査装置において、検査室内にＴＦＴ基板を導入する前段のロードロック室において予備加熱を行い、ロードロック室から検査室まで搬送する間は、予備加熱の蓄熱で保温状態とすることで、搬送中の温度低下を抑制する。これによって、検査室内での高温加熱を不要とし、基板が検査室内に留まる時間が長時間化することを避けることができるため、短時間で検査が可能となる。また、検査室にヒーターを設ける場合であっても、小型のヒーターで済ませることができる。   In the TFT substrate inspection apparatus, preheating is performed in the load lock chamber before the TFT substrate is introduced into the inspection chamber, and the heat is kept by preheating heat accumulation during the transfer from the load lock chamber to the inspection chamber. This suppresses the temperature drop during conveyance. This eliminates the need for high-temperature heating in the inspection room and prevents the substrate from staying in the inspection room for a long time, thus enabling inspection in a short time. Even when a heater is provided in the examination room, a small heater can be used.

本発明のＴＦＴ基板検査装置は、導入したＴＦＴ基板の基板検査を行う検査室と、検査室内にＴＦＴ基板を導入するロードロック室と、ロードロック室と検査室との間でＴＦＴ基板を搬送する搬送機構とを備える。ロードロック室は導入されたＴＦＴ基板を予備加熱する加熱手段を有する。また、搬送機構はＴＦＴ基板を支持するパレットを有し、このパレットは加熱手段の予備加熱による蓄熱によりＴＦＴ基板を保温する。   The TFT substrate inspection apparatus of the present invention transports a TFT substrate between an inspection chamber for inspecting the introduced TFT substrate, a load lock chamber for introducing the TFT substrate into the inspection chamber, and the load lock chamber and the inspection chamber. A transport mechanism. The load lock chamber has heating means for preheating the introduced TFT substrate. Further, the transport mechanism has a pallet for supporting the TFT substrate, and this pallet keeps the TFT substrate warm by heat storage by preheating of the heating means.

また、パレットは、例えばアルミニウム等の保温材で形成することができる。また、この保温材の表面を高輻射材で被覆する構成とすることができ、これによって、ロードロック室内の加熱手段からの熱を高効率で吸熱することができる。   The pallet can be formed of a heat insulating material such as aluminum. In addition, the surface of the heat insulating material can be covered with a high radiation material, whereby heat from the heating means in the load lock chamber can be absorbed with high efficiency.

この構成によって、ロードロック室内に設けた加熱手段によってＴＦＴ基板およびパレットを予備加熱し、このパレットの加熱によって検査室まで搬送する間の温度低下を抑制することで、高い温度状態のままのＴＦＴ基板を検査室内に導入することができ、検査室内において高温に加熱する機構を不要とすることができる。また、検査室内で昇温させるための時間を要することなく基板検査を行うことができる。   With this configuration, the TFT substrate and the pallet are preheated by the heating means provided in the load lock chamber, and the temperature drop during the transfer to the inspection room is suppressed by the heating of the pallet, so that the TFT substrate remains in a high temperature state. Can be introduced into the examination room, and a mechanism for heating to a high temperature in the examination room can be dispensed with. In addition, substrate inspection can be performed without requiring time for raising the temperature in the inspection room.

また、本願発明の構成によれば、ロードロック室内において予備加熱を行うため、検査室内で先に導入したＴＦＴ基板を基板検査している間に次のＴＦＴ基板を高温に加熱することができるため、予備加熱を行うことによる検査時間の加算を最小限に抑えることができ、通常の検査時間内で予備加熱が終了する場合には、通常と同じ検査時間で高温による基板検査を行うことができる。   In addition, according to the configuration of the present invention, since preheating is performed in the load lock chamber, the next TFT substrate can be heated to a high temperature while the TFT substrate previously introduced in the inspection chamber is inspected. The addition of the inspection time due to the preheating can be minimized, and when the preheating is completed within the normal inspection time, the substrate inspection at a high temperature can be performed at the same inspection time as the normal inspection time. .

また、搬送中による温度低下を抑制することにより、検査室ではＴＦＴ基板の温度の低下を防ぐ程度の保温を行えば済むため、検査室に設ける保温手段を小型とする他、パレットのまま検査室内に搬入することで検査室に設ける保温手段を不要としてもよい。   In addition, since the temperature in the inspection room can be kept low enough to prevent the temperature of the TFT substrate from being lowered by suppressing the temperature drop during transportation, the heat insulating means provided in the inspection room can be reduced in size and the pallet can be kept in the inspection room. It is possible to eliminate the need for a heat retaining means provided in the examination room by being carried into the room.

これにより、保温手段を設置するために要する検査室の容積の増加を最小限に抑えることができる。また、検査室中の電子ビームへの影響を低減することができる。   Thereby, the increase in the volume of the examination room required for installing the heat retaining means can be minimized. Moreover, the influence on the electron beam in the examination room can be reduced.

また、加熱手段の熱容量を大としたり、加熱手段の配置位置や配置数を調整することによって、ＴＦＴ基板を急速加熱することができる。   Further, the TFT substrate can be rapidly heated by increasing the heat capacity of the heating means or adjusting the position and number of the heating means.

本願発明のＴＦＴ基板検査装置では、ロードロック室に設ける加熱手段としてランプヒーターを用いることができる。また、検査室に保温手段を設ける場合には、フィルムヒーター又はシースヒーターを用いることができる。   In the TFT substrate inspection apparatus of the present invention, a lamp heater can be used as a heating means provided in the load lock chamber. In addition, when a heat retaining means is provided in the examination room, a film heater or a sheath heater can be used.

本発明によれば、ＴＦＴ基板検査装置において、ロードロック室で加熱されたＴＦＴ基板の温度がロードロック室から検査室に搬送される間に低下することを抑制することができる。   According to the present invention, in the TFT substrate inspection apparatus, it is possible to suppress the temperature of the TFT substrate heated in the load lock chamber from being lowered while being transferred from the load lock chamber to the inspection chamber.

このＴＦＴ基板の温度低下の抑制によって、短時間で高温による基板検査を行うことができ、スループットを低下させることなく、高温による基板検査を行うことができる。   By suppressing the temperature drop of the TFT substrate, the substrate inspection can be performed at a high temperature in a short time, and the substrate inspection at a high temperature can be performed without reducing the throughput.

以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図１は本発明のＴＦＴ基板検査装置１を説明するための概略図である。ＴＦＴ基板検査装置１は、ＴＦＴ基板９を検査する検査室４、外部とＴＦＴ基板検査装置１との間でＴＦＴ基板９の搬出入を行うロードロック室（ＬＬ室）２、ロードロック室２と検査室４との間でＴＦＴ基板９の搬送を行う搬送室３を有する。   FIG. 1 is a schematic view for explaining a TFT substrate inspection apparatus 1 of the present invention. The TFT substrate inspection device 1 includes an inspection chamber 4 for inspecting the TFT substrate 9, a load lock chamber (LL chamber) 2 for loading and unloading the TFT substrate 9 between the outside and the TFT substrate inspection device 1, a load lock chamber 2, A transfer chamber 3 for transferring the TFT substrate 9 to and from the inspection chamber 4 is provided.

ロードロック室２は、外部と搬送室３との間でＴＦＴ基板９の導出入を行うと共に、導入されたＴＦＴ基板９を予備加熱する加熱手段１０を備える。加熱手段１０は、大きな熱容量によってロードロック室２内に導入されたＴＦＴ基板９を常温から高温検査を行う所定の高温状態まで急速に加熱する手段であり、例えばＩＲ−ランプを用いることができる。   The load lock chamber 2 includes a heating unit 10 that guides and introduces the TFT substrate 9 between the outside and the transfer chamber 3 and preheats the introduced TFT substrate 9. The heating means 10 is a means for rapidly heating the TFT substrate 9 introduced into the load lock chamber 2 with a large heat capacity from a normal temperature to a predetermined high temperature state in which a high temperature inspection is performed. For example, an IR lamp can be used.

搬送室３は、ロードロック室２と検査室４との間でＴＦＴ基板９の搬送を行うチャンバであり、例えば搬送ロボット等のＴＦＴ基板９を搬送する搬送機構（図１には示していない）を備える。なお、搬送室３は必ずしも必要ではなく、搬送ロボット等の搬送機構をロードロック室２内あるいは検査室４内に設置する構成としてもよい。   The transfer chamber 3 is a chamber that transfers the TFT substrate 9 between the load lock chamber 2 and the inspection chamber 4. For example, a transfer mechanism (not shown in FIG. 1) that transfers the TFT substrate 9 such as a transfer robot. Is provided. The transfer chamber 3 is not always necessary, and a transfer mechanism such as a transfer robot may be installed in the load lock chamber 2 or the inspection chamber 4.

検査室４は、ＴＦＴ基板９の基板検査を行うための機構を備える。また、ＴＦＴ基板９を高温状態の保持する保温手段を備えてもよい。基板検査の機構は、ＴＦＴ基板検査装置が通常に備える機構とすることができ、例えば、ＴＦＴ基板上で電子ビーム等の荷電粒子ビームを走査させる荷電粒子ビーム源や試料ステージ、荷電粒子ビームの走査によって試料から放出される二次電子等を検出する検出器などを備える。   The inspection chamber 4 includes a mechanism for performing substrate inspection of the TFT substrate 9. Moreover, you may provide the heat retention means to hold | maintain the TFT substrate 9 in a high temperature state. The substrate inspection mechanism can be a mechanism that is normally provided in a TFT substrate inspection apparatus. For example, a charged particle beam source or sample stage that scans a charged particle beam such as an electron beam on a TFT substrate, or scanning of a charged particle beam. And a detector for detecting secondary electrons and the like emitted from the sample.

本発明はロードロック室２と検査室４との間でＴＦＴ基板９を載置して搬送するパレット６を備える。このパレット６は、加熱されたＴＦＴ基板９の温度低下を抑制する保温機能を備える。この保温機能は、例えばパレット６をアルミニウム等の保温材を用いて形成する他、パレット６の表面に高輻射材を設けることで得ることができる。高輻射材は、加熱手段から放出された輻射熱を高い効率でパレット６内部に吸熱させる。   The present invention includes a pallet 6 on which a TFT substrate 9 is placed and transported between the load lock chamber 2 and the inspection chamber 4. The pallet 6 has a heat retaining function for suppressing a temperature drop of the heated TFT substrate 9. This heat retaining function can be obtained, for example, by forming the pallet 6 using a heat retaining material such as aluminum, or by providing a high radiation material on the surface of the pallet 6. The high radiation material absorbs the radiant heat released from the heating means into the pallet 6 with high efficiency.

検査室４が備える保温手段（図１には示していない）は、予備加熱で高温に加熱されたＴＦＴ基板９およびパレット６を高温状態のまま保持する手段である。この保温手段は、所定の高温状態を維持することを目的としているため、常温から高温に急速に予備加熱することを目的とした加熱手段１０よりも小さな熱容量で充分であり、例えばフィルムヒーターやシースヒーター等を用いることができる。この保温手段が必要とする熱容量は小さくて済むため、その大きさは小型とすることができ、例えばＴＦＴ基板を支持するステージに内蔵させることで、検査室４のスペースが制限されたものであっても容易に配置することができる。   The heat retaining means (not shown in FIG. 1) provided in the inspection chamber 4 is means for retaining the TFT substrate 9 and the pallet 6 heated to a high temperature by preheating in a high temperature state. Since this heat retention means is intended to maintain a predetermined high temperature state, a heat capacity smaller than that of the heating means 10 intended to rapidly preheat from room temperature to high temperature is sufficient. For example, a film heater or sheath A heater or the like can be used. Since the heat capacity required by the heat retaining means is small, the size can be reduced. For example, by incorporating the TFT substrate in a stage that supports the TFT substrate, the space in the examination room 4 is limited. However, it can be easily arranged.

次に、ＴＦＴ基板９の搬送動作とＴＦＴ基板およびパレットの予備加熱及び保温動作について図１を用いて説明する。なお、図１では、ロードロック室２は上下２段の構成とし、下段から未検査のＴＦＴ基板を導入し、検査済みのＴＦＴ基板を導出する例を示している。   Next, the transport operation of the TFT substrate 9 and the preheating and heat retention operations of the TFT substrate and pallet will be described with reference to FIG. FIG. 1 shows an example in which the load lock chamber 2 is configured in two upper and lower stages, an uninspected TFT substrate is introduced from the lower stage, and an inspected TFT substrate is derived.

ＴＦＴ基板検査装置の外部からＴＦＴ基板９ａ（図１中の（Ａ）の状態）をロードロック室２内導入してパレット６ａ上に載置し、ＴＦＴ基板９ｂを加熱手段１０によって常温から高温に急速に予備加熱する（図１中の（Ｂ）の状態）。この予備加熱による加熱温度は、搬送室３で搬送される間の温度低下を見込んで、検査室４で行う高温検査の温度よりも高い温度とすることができる。   A TFT substrate 9a (state (A) in FIG. 1) is introduced from the outside of the TFT substrate inspection apparatus into the load lock chamber 2 and placed on the pallet 6a, and the TFT substrate 9b is heated from room temperature to high temperature by the heating means 10. Rapidly preheat (state (B) in FIG. 1). The heating temperature by this preheating can be set to a temperature higher than the temperature of the high temperature inspection performed in the inspection chamber 4 in anticipation of a temperature drop during the transfer in the transfer chamber 3.

高温状態の予備加熱されたＴＦＴ基板９ｂは、パレット６ｃに載置した状態でロードロック室２から搬送室３を介して検査室４に搬送される。搬送室３では、例えば搬送ロボット３ａ等の搬送機構によってパレット６ｃに載置した状態でＴＦＴ基板９ｃを検査室４に導入する。検査室４への導入において、ＴＦＴ基板９ｃはパレット６ｃ上に載置したままおこなってもよい（図１中の（Ｃ）の状態）。   The high-temperature preheated TFT substrate 9b is transferred from the load lock chamber 2 to the inspection chamber 4 through the transfer chamber 3 while being placed on the pallet 6c. In the transfer chamber 3, the TFT substrate 9 c is introduced into the inspection chamber 4 while being placed on the pallet 6 c by a transfer mechanism such as a transfer robot 3 a. In the introduction into the inspection chamber 4, the TFT substrate 9c may be performed while being placed on the pallet 6c (state (C) in FIG. 1).

検査室４では、保温手段によってＴＦＴ基板９ｄを高温に保持した状態（図１中の（Ｄ）の状態）で基板検査を行う。このとき、ＴＦＴ基板９ｄはパレット６ｄ上に載置した状態としてもよい。   In the inspection chamber 4, the substrate inspection is performed in a state where the TFT substrate 9d is held at a high temperature by the heat retaining means (state (D) in FIG. 1). At this time, the TFT substrate 9d may be placed on the pallet 6d.

搬送室３は、基板検査が終了したＴＦＴ基板９ｅを検査室４から受け取り、パレット６ｅ上に載置した状態でロードロック室２に搬送する（図１中の（Ｅ）の状態）。   The transfer chamber 3 receives the TFT substrate 9e from which the substrate inspection has been completed from the inspection chamber 4, and transfers it to the load lock chamber 2 while being placed on the pallet 6e (state (E) in FIG. 1).

ロードロック室２は、搬送室３から搬送されたＴＦＴ基板９ｆ（図１中の（Ｆ）の状態）を外部に搬出する（図１中の（Ｇ）の状態）。   The load lock chamber 2 unloads the TFT substrate 9f (state (F) in FIG. 1) transported from the transport chamber 3 (state (G) in FIG. 1).

図１（ｂ）は、ＴＦＴ基板をロードロック室２から搬送室３を介して検査室４に導入する際の温度状態を示している。ロードロック室２内では、加熱手段１０によって常温から高温まで急速加熱する。このとき、ＴＦＴ基板を載置するパレット６についても加熱する（図１中の（Ｂ）の状態）。搬送室３では、ＴＦＴ基板９はパレット６に蓄積された熱によって保温状態に保持され、搬送中におけるＴＦＴ基板の温度降下は抑制される（図１中の（Ｃ）の状態）。   FIG. 1B shows a temperature state when the TFT substrate is introduced from the load lock chamber 2 into the inspection chamber 4 through the transfer chamber 3. In the load lock chamber 2, the heating means 10 rapidly heats from room temperature to high temperature. At this time, the pallet 6 on which the TFT substrate is placed is also heated (state (B) in FIG. 1). In the transfer chamber 3, the TFT substrate 9 is held in a warm state by the heat accumulated in the pallet 6, and the temperature drop of the TFT substrate during the transfer is suppressed (state (C) in FIG. 1).

なお、ロードロック室２での予備加熱は、例えば、搬送室による温度降下を見込んで、検査室４に導入されたときの温度が所定の高温状態となるように、検査室４の導入時点の温度に温度降下分を加味した温度となるように設定する。   The preheating in the load lock chamber 2 is performed at the time of introduction of the inspection chamber 4 so that the temperature when introduced into the inspection chamber 4 becomes a predetermined high temperature in anticipation of a temperature drop due to the transfer chamber, for example. Set the temperature so that the temperature drop is added to the temperature.

検査室４では、検査室４に導入された高温のＴＦＴ基板を、所定の高温状態に保持する。この所定の温度状態は、ＴＦＴ基板を高温検査する際に要する温度に基づいて設定される。検査室４においても、ＴＦＴ基板９をパレット６上に載置した状態とする場合には、温度設定は、このパレットによる保温効果や、ＴＦＴ基板の位置による温度偏差や、時間変動を考慮して設定される。   In the inspection room 4, the high-temperature TFT substrate introduced into the inspection room 4 is held at a predetermined high temperature state. This predetermined temperature state is set based on the temperature required for high-temperature inspection of the TFT substrate. Also in the inspection room 4, when the TFT substrate 9 is placed on the pallet 6, the temperature setting takes into consideration the heat retention effect by the pallet, the temperature deviation due to the position of the TFT substrate, and the time variation. Is set.

図２は、ＴＦＴ基板検査装置１の一構成例であり、図２（ａ）はＴＦＴ基板検査装置を上方から見た平面図を示し、図２（ｂ）はＴＦＴ基板検査装置を横方向から見た側面図を示している。   FIG. 2 is a configuration example of the TFT substrate inspection apparatus 1, FIG. 2 (a) shows a plan view of the TFT substrate inspection apparatus from above, and FIG. 2 (b) shows the TFT substrate inspection apparatus from the lateral direction. A side view is shown.

図２に示すＴＦＴ基板検査装置１は、ロードロック室２を下方位置に配置し、検査室４をロードロック室２の上方位置に配置する構成例であり、搬送室３の搬送ロボット３ａは、下方のロードロック室２と上方の検査室４との間でＴＦＴ基板を搬送する。   The TFT substrate inspection apparatus 1 shown in FIG. 2 is a configuration example in which the load lock chamber 2 is disposed at a lower position and the inspection chamber 4 is disposed at an upper position of the load lock chamber 2. The TFT substrate is transferred between the lower load lock chamber 2 and the upper inspection chamber 4.

ロードロック室２は、導入したＴＦＴ基板９Ａを予備加熱する加熱手段としてＩＲランプ（赤外ランプ）２ａを備える。なお、ここでは、ロードロック室２のＴＦＴ基板９を載置する部位は上下２段として、上段においてＴＦＴ基板を導入し、下段にＴＦＴ基板を導出する。ここでは、導入されるＴＦＴ基板９Ａの表面を加熱するように、上段と下段の中間にＩＲランプ２ａを設ける構成を示している。   The load lock chamber 2 includes an IR lamp (infrared lamp) 2a as a heating means for preheating the introduced TFT substrate 9A. Here, the part on which the TFT substrate 9 of the load lock chamber 2 is placed is two stages up and down, the TFT substrate is introduced in the upper stage, and the TFT substrate is led out in the lower stage. Here, a configuration is shown in which an IR lamp 2a is provided between the upper and lower stages so as to heat the surface of the TFT substrate 9A to be introduced.

ＩＲランプ２ａの上方には、基板検査が終了したＴＦＴ基板９Ｂが配置され、ＴＦＴ基板検査装置１の外部に導出される。導出するＴＦＴ基板９Ｂは、必要に応じて加熱を行うことができ、ＴＦＴ基板検査装置１から導出した後にＴＦＴ基板に施す処理において高温が必要である場合には、ロードロック室２から外部に導出する場合にもいてもＩＲランプ２ａにより加熱することができる。ＩＲランプ２ａは、ＴＦＴ基板９をパレット６上に載置した状態で加熱することで、ＴＦＴ基板９とパレット６の両方を加熱する。パレット６は、ＴＦＴ基板９を保温する保温機能を備える。   Above the IR lamp 2a, a TFT substrate 9B that has been subjected to substrate inspection is disposed and led out of the TFT substrate inspection apparatus 1. The derived TFT substrate 9B can be heated as necessary. If a high temperature is required in the process applied to the TFT substrate after being derived from the TFT substrate inspection apparatus 1, it is derived from the load lock chamber 2 to the outside. In this case, the IR lamp 2a can be used for heating. The IR lamp 2 a heats both the TFT substrate 9 and the pallet 6 by heating the TFT substrate 9 on the pallet 6. The pallet 6 has a heat retaining function for retaining the TFT substrate 9.

検査室４は、搬送ロボット３ａによって搬送された高温状態のＴＦＴ基板を保持するステージを備える。このステージは、角度調整を行うθステージ４ｂと、Ｘ軸方向及びＹ軸方向を調整するＸＹステージ４ｃを備える。このステージは、ＴＦＴ基板の高温状態を維持するヒーター１１ａを備える構成としてもよい。このヒーター１１ａはフィルムヒーターやシースヒーターを用いることができる。   The inspection chamber 4 includes a stage that holds the high-temperature TFT substrate transferred by the transfer robot 3a. This stage includes a θ stage 4b for adjusting the angle and an XY stage 4c for adjusting the X-axis direction and the Y-axis direction. This stage may be configured to include a heater 11a that maintains the high temperature state of the TFT substrate. The heater 11a can be a film heater or a sheath heater.

なお、ロードロック室２と搬送室３及び検査室４との間にはゲート２ｂを備え、搬送室３及び検査室４内を真空状態とすることができる。   A gate 2b is provided between the load lock chamber 2, the transfer chamber 3, and the inspection chamber 4, and the inside of the transfer chamber 3 and the inspection chamber 4 can be in a vacuum state.

パレット６に載置した状態でＴＦＴ基板９の検査を行う場合には、ＴＦＴ基板９はパレット６の保温機能によって所定の温度とすることができる。なお、検査室４が加熱機構を備える構成では、ＴＦＴ基板９は加熱ステージ５上に載置することによって予備加熱を行うことができる。   When the TFT substrate 9 is inspected while being placed on the pallet 6, the TFT substrate 9 can be set to a predetermined temperature by the heat retaining function of the pallet 6. In the configuration in which the inspection chamber 4 includes a heating mechanism, the TFT substrate 9 can be preheated by being placed on the heating stage 5.

図３は、本発明が備えるパレットを説明するための図である。図３（ａ）は、平面状のパレットの例を示し、図３（ｂ）は搬送ロボット等の搬送機構が備える支持アームを挿入する溝部分を備えるパレットの例を示している。   FIG. 3 is a view for explaining a pallet provided in the present invention. FIG. 3A shows an example of a flat pallet, and FIG. 3B shows an example of a pallet having a groove portion into which a support arm provided in a transfer mechanism such as a transfer robot is inserted.

図３（ａ）において、パレット６はアルミニウム等の保温材で形成され、ＴＦＴ基板９を載置する載置面６ａ、および搬送機構の支持アームにより支持される支持面６ｂを備える平面形状とする。ＴＦＴ基板６は、このパレット６の載置面６ａ上に載置され、この載置面６ａと通して伝達される熱によって保温される。   3A, the pallet 6 is formed of a heat insulating material such as aluminum, and has a planar shape including a mounting surface 6a on which the TFT substrate 9 is mounted and a support surface 6b supported by a support arm of the transport mechanism. . The TFT substrate 6 is placed on the placement surface 6a of the pallet 6 and is kept warm by heat transmitted through the placement surface 6a.

図３（ｂ）において、図３（ａ）と同様に、パレット６はアルミニウム等の保温材で形成され、ＴＦＴ基板９を載置する載置面６ａ、および搬送機構の支持アームにより支持される支持面６ｂ、および搬送機構（図示していない）が備える支持アーム（図示していない）を挿入する溝部分６ｃを備えるほぼ平面形状とする。ＴＦＴ基板６は、このパレット６の載置面６ａ上に載置され、この載置面６ａと通して伝達される熱によって保温される。   3B, as in FIG. 3A, the pallet 6 is formed of a heat insulating material such as aluminum, and is supported by the mounting surface 6a on which the TFT substrate 9 is mounted and the support arm of the transport mechanism. The support surface 6b and a groove portion 6c into which a support arm (not shown) provided in the transport mechanism (not shown) is inserted are substantially planar. The TFT substrate 6 is placed on the placement surface 6a of the pallet 6 and is kept warm by heat transmitted through the placement surface 6a.

次に、検査室内に設けるステージについて、加熱手段を備える加熱ステージの構成例について説明する。図４は加熱ステージの構成例を説明するための図である。   Next, a configuration example of a heating stage provided with heating means will be described for the stage provided in the examination room. FIG. 4 is a diagram for explaining a configuration example of the heating stage.

図４（ａ）は加熱ステージ５とＴＦＴ基板９とを分離した状態で示している。加熱ステージ５は、ＴＦＴ基板９を上方に支持する、平行に並べられた複数の載置面５ａと、これらの支持面５ａの間に形成された複数の溝部５ｂを備える。さらに、載置面５ａ上にはヒーター１１ａが設けられている。この加熱ステージ５は、前記したθステージ４ｂ上に設置する構成の他、θステージ４ｂと一体で形成することができる。   FIG. 4A shows the heating stage 5 and the TFT substrate 9 in a separated state. The heating stage 5 includes a plurality of mounting surfaces 5a arranged in parallel and supporting the TFT substrate 9 upward, and a plurality of grooves 5b formed between these supporting surfaces 5a. Further, a heater 11a is provided on the mounting surface 5a. The heating stage 5 can be formed integrally with the θ stage 4b in addition to the configuration of being installed on the θ stage 4b.

溝部５ｂは、搬送ロボットの支持アーム３ｂ（図４（ａ）では一部のみ示している）を挿入するための空間を形成している。搬送ロボットは、支持アーム３ｂ上にＴＦＴ基板９を載置した状態で、この支持アーム３ｂを溝部５ｂ内に挿入することで、ＴＦＴ基板９を加熱ステージ５上に移動させる。   The groove 5b forms a space for inserting the support arm 3b (only part of which is shown in FIG. 4A) of the transfer robot. The transfer robot moves the TFT substrate 9 onto the heating stage 5 by inserting the support arm 3b into the groove 5b with the TFT substrate 9 placed on the support arm 3b.

搬送ロボットの支持アーム３ｂは、そのアーム上にＴＦＴ基板９を載置して搬送を行う。搬送ロボットは、ＴＦＴ基板９を支持アーム３ｂ上に載置した状態で加熱ステージ５上に移動させた後、支持アーム３ｂを下降させることでＴＦＴ基板９を加熱ステージ５の支持面５ａ上に載置する。図３（ｂ）は加熱ステージ５上にＴＦＴ基板９を載置した状態を示している。支持アーム３ｂは、ＴＦＴ基板９を加熱ステージ５上に載置した後は、溝部５ｂから引き抜く。基板検査は、支持アーム３ｂを抜いた状態で基板検査を行う。   The support arm 3b of the transfer robot carries the TFT substrate 9 on the arm. The transfer robot moves the TFT substrate 9 on the support arm 3b and moves it onto the heating stage 5, and then lowers the support arm 3b to place the TFT substrate 9 on the support surface 5a of the heating stage 5. Put. FIG. 3B shows a state where the TFT substrate 9 is placed on the heating stage 5. The support arm 3b is pulled out of the groove 5b after the TFT substrate 9 is placed on the heating stage 5. The substrate inspection is performed with the support arm 3b removed.

加熱ステージ５の支持面５ａに設けられたヒーター１１ａは、載置されたＴＦＴ基板９を高温状態に保持し、基板検査を行う間、ＴＦＴ基板９を所定の高温状態に維持する。   The heater 11a provided on the support surface 5a of the heating stage 5 holds the TFT substrate 9 placed thereon in a high temperature state, and maintains the TFT substrate 9 in a predetermined high temperature state during the substrate inspection.

なお、基板検査が終了した後は、支持アーム３ｂを溝部５ｂ内に挿入した後上昇させ、支持アーム３ｂ上に検査済みのＴＦＴ基板９を載せて支持し、溝部５ｂから引き抜いて搬出を行う。   After the substrate inspection is completed, the support arm 3b is inserted into the groove portion 5b and then lifted, and the inspected TFT substrate 9 is placed on the support arm 3b to be supported, and is taken out from the groove portion 5b.

本発明のＴＦＴ基板検査装置が備える、加熱手段及び保温手段は、ＴＦＴ基板に限らず、高温状態で行う任意の半導体基板の検査に適用することができる。   The heating means and the heat retaining means included in the TFT substrate inspection apparatus of the present invention are not limited to the TFT substrate, and can be applied to inspection of any semiconductor substrate performed in a high temperature state.

本発明のＴＦＴ基板検査装置を説明するための概略図である。It is the schematic for demonstrating the TFT substrate test | inspection apparatus of this invention. 本発明のＴＦＴ基板検査装置の一構成例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the example of 1 structure of the TFT substrate test | inspection apparatus of this invention. 本発明のパレットの構成例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structural example of the pallet of this invention. 本発明の加熱ステージの構成例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structural example of the heating stage of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１…基板検査装置、２…ロードロック室、２ａ…ＩＲランプ、２ｂ…ゲート、３…搬送室、３ａ…搬送ロボット、３ｂ…支持アーム、４…検査室、４ａ…ヒーター、４ｂ…θステージ、４ｃ…ＸＹステージ、５…加熱ステージ、５ａ…支持面、５ｂ…溝部、６…パレット、９…ＴＦＴ基板、１０…加熱手段、１１…保温手段。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Board | substrate inspection apparatus, 2 ... Load lock chamber, 2a ... IR lamp, 2b ... Gate, 3 ... Transfer chamber, 3a ... Transfer robot, 3b ... Support arm, 4 ... Inspection chamber, 4a ... Heater, 4b ... θ stage, 4c ... XY stage, 5 ... heating stage, 5a ... support surface, 5b ... groove, 6 ... pallet, 9 ... TFT substrate, 10 ... heating means, 11 ... heat retention means.

Claims (3)

導入したＴＦＴ基板の基板検査を行う検査室と、前記検査室内にＴＦＴ基板を導入するロードロック室と、前記ロードロック室と前記検査室との間でＴＦＴ基板を搬送する搬送機構とを備え、
前記ロードロック室は導入されたＴＦＴ基板を予備加熱する加熱手段を有し、
前記搬送機構は前記ＴＦＴ基板を支持するパレットを有し、
当該パレットは前記加熱手段の予備加熱による蓄熱によりＴＦＴ基板を保温することを特徴とするＴＦＴ基板検査装置。 An inspection chamber for inspecting the introduced TFT substrate, a load lock chamber for introducing the TFT substrate into the inspection chamber, and a transfer mechanism for transferring the TFT substrate between the load lock chamber and the inspection chamber,
The load lock chamber has a heating means for preheating the introduced TFT substrate,
The transport mechanism has a pallet that supports the TFT substrate,
The TFT substrate inspection apparatus characterized in that the pallet keeps the TFT substrate warm by heat storage by preheating of the heating means. 前記パレットは保温材で形成されることを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴ基板検査装置。   The TFT substrate inspection apparatus according to claim 1, wherein the pallet is formed of a heat insulating material. 前記保温材の表面は高輻射材で被覆されることを特徴とする請求項２に記載のＴＦＴ基板検査装置。   3. The TFT substrate inspection apparatus according to claim 2, wherein the surface of the heat insulating material is covered with a high radiation material.
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