JP4858216B2 - Semiconductor test equipment - Google Patents
Semiconductor test equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP4858216B2 JP4858216B2 JP2007039013A JP2007039013A JP4858216B2 JP 4858216 B2 JP4858216 B2 JP 4858216B2 JP 2007039013 A JP2007039013 A JP 2007039013A JP 2007039013 A JP2007039013 A JP 2007039013A JP 4858216 B2 JP4858216 B2 JP 4858216B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measurement
- signal path
- relay
- input
- calibration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 98
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 22
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 45
- 230000008569 process Effects 0.000 description 45
- 238000004092 self-diagnosis Methods 0.000 description 31
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 238000002405 diagnostic procedure Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
この発明は、被試験対象との間で信号の授受を行って被試験対象の良否判定等を行う半導体試験装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor test apparatus for performing pass / fail determination of a test target by exchanging signals with the test target.
以前より、半導体ウエハ上の集積回路、あるいは、パッケージングされた半導体集積回路に対して種々の動作試験を行って良否判定等を行う半導体試験装置としてのICテスタが知られている。 2. Description of the Related Art IC testers have been known as semiconductor test apparatuses that perform various operation tests on an integrated circuit on a semiconductor wafer or a packaged semiconductor integrated circuit to make pass / fail judgments.
ICテスタは、一般に、図11に示すように、被試験対象の集積回路(以下、DUT:Device under Testと記す)200に接続される多数の信号線L11〜L1Nと、DUT200に種々の信号を出力する複数のドライバ回路41〜4Nと、DUT200からの応答信号の検出を行う複数のコンパレータ回路51〜5Mと、ドライバ回路41〜4Nやコンパレータ回路51〜5Mの動作タイミングの校正を行うタイミング校正装置3と、DUT200の直流系の信号印加および計測等を行うDC計測ユニット9と、タイミング校正装置3をドライバ回路41〜4Nおよびコンパレータ回路51〜5Mのいずれか1個の入出力端子に接続するためのリレートーナメント2と、ドライバ回路41〜4Nやコンパレータ回路51〜5Mの入出力端子を信号線L11〜L1N側に切り換える複数の出力リレー8と、信号線L11〜L1Nの接続をリレートーナメント2側に切り換える複数の校正系リレー1と、信号線L11〜L1Nの接続をDC計測ユニット9側に切り換える複数のフォースリレー6や複数のセンスリレー7等を備える。
As shown in FIG. 11, the IC tester generally includes a number of signal lines L1 1 to L1 N connected to an integrated circuit (DUT: Device under Test) 200 to be tested, and various types of
また、一般的なICテスタでは、上記構成のうち信号線L11〜L1N、ドライバ回路41〜4N、コンパレータ回路51〜5Mを、それぞれ多数設けることにより、各信号線L11〜L1Nを複数のDUT200の多数の入出力端子や電源端子に接続して、複数のDUT200を同時に試験することを可能としている。
Further, in the general IC tester, the signal lines L1 1 to L1 N , the driver circuits 4 1 to 4 N , and the
タイミング校正装置3は、各ドライバ回路41〜4Nや各コンパレータ回路51〜5Mとリレートーナメント2を介して個々に信号の送受信を行い、各ドライバ回路41〜4Nの出力タイミングや各コンパレータ回路51〜5Mのラッチタイミングの校正処理を行う。
The
リレートーナメント2は、複数のドライバ回路41〜4Nおよび複数のコンパレータ回路51〜5Mのうちいずれか1つを選択的にタイミング校正装置3と接続可能とするもので、全ての信号経路において同数のリレーが介在するようにトーナメント戦の対戦ラインの形態で信号経路が設けられ、経路上の各段にリレーが設けられたものである。
The relay tournament 2 can selectively connect any one of the plurality of driver circuits 4 1 to 4 N and the plurality of
また、従来のICテスタでは、DC計測ユニット9をDUT200のDC計測に使用するのみでなく、ドライバ回路41〜4Nやコンパレータ回路51〜5MのDC計測に使用して、ドライバ回路41〜4Nやコンパレータ回路51〜5Mに異常がないか自己診断する機能を備えるものもあった(例えば特許文献1)。
従来のICテスタによる自己診断機能は次のように実行されるのが通常である。すなわち、図12に示すように、あるドライバ回路41の診断を行うときには、このドライバ回路41に対応する出力リレー8、フォースリレー6、および、センスリレー7をオンさせて、そのセンス線Lsとフォース線LfとをDUT200につながる信号線L11を介してドライバ回路41の出力端子に接続する。そして、このドライバ回路41を所定の動作状態に設定して電圧を計測したり、フォース線Lfに電流を流しつつ電圧を計測するなどして、ドライバ回路41の出力電圧、インピーダンス、リーク電流等を確認し、異常がないか診断する。 Usually, a self-diagnosis function by a conventional IC tester is executed as follows. That is, as shown in FIG. 12, when performing the diagnosis of certain driver circuit 4 1, output relay 8 corresponding to the driver circuit 4 1, force relay 6 and, by the sense relay 7 is turned on, the sense line Ls and via the signal line L1 1 leading the force lines Lf in DUT200 connected to the output terminal of the driver circuit 4 1. Then, or to measure the voltage by setting the driver circuit 4 1 to a predetermined operating state, such as by measuring the voltage while flowing a current to the force line Lf, driver circuit 4 first output voltage, impedance, leakage current Check for any abnormalities.
また、図13に示すように、あるコンパレータ回路5Mの診断を行うときには、このコンパレータ回路5Mに対応する出力リレー8、フォースリレー6、および、センスリレー7をオンさせて、DC計測ユニット9のセンス線Lsとフォース線LfとをDUT200につながる信号線L1Nを介してコンパレータ回路5Mの入力端子に接続する。そして、このコンパレータ回路5Mを所定状態に設定して種々の電圧を印加したり、フォース線Lfに電流を流しつつ電圧を計測するなどして、コンパレータ回路5Mの動作、インピーダンス、リーク電流等を確認し、異常がないか診断する。
Further, as shown in FIG. 13, when performing the diagnosis of
しかしながら、上記従来の自己診断機能では、DC計測ユニット9が信号線L11〜L1Nを介して診断対象のドライバ回路41〜4Nやコンパレータ回路51〜5Mに接続する必要があるため、ICテスタにDUT200を取り付けたままでは自己診断処理を行えないという問題があった。DUT200を接続させたまま上記の診断処理を行ったのでは、フォース線Lfから印加される電圧や電流がDUT200にも出力され、これら電圧や電流によりDUT200が破壊される恐れがあったり、ドライバ回路41〜4Nやコンパレータ回路51〜5Mの正確な計測値が得られないことが考えられた。
However, in the conventional self-diagnosis function, the
また、ICテスタの自己診断は、DUT200の試験途中に行う必要性がしばしば生じる。例えば、DUT200の試験中に歩留まりが急に低下してICテスタの故障が疑われる場合などである。この場合、自己診断を行うためにICテスタからDUT200を取り外す必要があると、例えば、ウエハ上の集積回路を試験している場合には、ウエハ上の多数の端子に信号線を接続させるプローバと呼ばれる装置を操作してウエハとの接続を切り離すなど、大変煩雑で時間のかかる工程が必要となった。
In addition, the self-diagnosis of the IC tester often needs to be performed during the test of the
他方、複数の信号線L11〜L1Nの各々に(フォースリレー6やセンスリレー7が接続される結節点よりDUT200側に)リレーを設け、自己診断時にこのリレーをオフさせて、信号線L11〜L1NからDUT200を切り離せるようにすることで、ICテスタからDUT200を取り外すことなく自己診断処理を実行できるとも考えられた。しかしながら、この場合、多数の信号線L11〜L1Nの各々に1個ずつリレーを設ける必要が生じ、信号線L11〜L1Nは膨大な数(例えば数百本から数千本)あることから、基板面積や部品コストが大幅に増大するという問題があった。
On the other hand, a relay is provided on each of the plurality of signal lines L1 1 to L1 N (on the
この発明の目的は、基板面積や部品コストを大幅に増大させることなく、試験装置にDUTを接続させたまま自己診断機能を実現することのできる半導体試験装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a semiconductor test apparatus capable of realizing a self-diagnosis function while a DUT is connected to the test apparatus without significantly increasing the board area and component cost.
上記目的を達成するため、請求項1記載の発明は、
被試験対象へ信号の出力または被試験対象から信号の入力を行う複数の入出力系回路と、
該複数の入出力系回路の入出力端子にそれぞれ接続可能な校正用信号経路を有し、該校正用信号経路を介した信号の送受信により前記複数の入出力系回路の動作タイミングの校正を行うタイミング校正手段と、
前記入出力系回路の入出力端子を前記被試験対象につながる信号線側と前記校正用信号経路側とに切換え可能な複数の機能切換リレーと、
直流系の計測を行うDC計測手段と、
を備えた半導体試験装置において、
前記DC計測手段を前記校正用信号経路の途中に接続可能な割込用信号経路と、
該割込用信号経路と前記校正用信号経路との接続をオン/オフする割込リレーとを備えたことを特徴としている。
In order to achieve the above object, the invention according to claim 1
A plurality of input / output circuits for outputting a signal to the object under test or inputting a signal from the object under test;
Calibration signal paths connectable to the input / output terminals of the plurality of input / output system circuits, and the operation timings of the plurality of input / output system circuits are calibrated by transmitting and receiving signals through the calibration signal paths. Timing calibration means;
A plurality of function switching relays capable of switching the input / output terminal of the input / output system circuit to the signal line side connected to the test object and the calibration signal path side;
DC measurement means for measuring a DC system;
In a semiconductor test apparatus equipped with
An interrupt signal path capable of connecting the DC measuring means in the middle of the calibration signal path;
An interrupt relay for turning on / off the connection between the interrupt signal path and the calibration signal path is provided.
請求項2記載の発明は、さらに、
前記入出力系回路の直流系の計測を行って当該入出力系回路の異常診断を行う診断制御手段を備え、
前記診断制御手段は、
前記機能切換リレーにより前記入出力系回路を前記被試験対象につながる信号線から切断して前記校正用信号経路側に接続させ、かつ、前記割込リレーをオンさせて前記割込用信号経路を前記校正用信号経路に接続させ、
この状態で前記DC計測手段により前記入出力系回路の直流系の計測を実行させることを特徴としている。
The invention according to claim 2 further includes
Diagnostic control means for performing a DC system measurement of the input / output system circuit to diagnose abnormality of the input / output system circuit,
The diagnostic control means includes
The input / output system circuit is disconnected from the signal line connected to the object under test by the function switching relay and connected to the calibration signal path side, and the interrupt relay is turned on to change the interrupt signal path. Connected to the calibration signal path,
In this state, DC measurement of the input / output system circuit is executed by the DC measuring means.
請求項3記載の発明は、さらに、前記割込リレーと前記校正用信号経路との間にインピーダンス素子が接続されていることを特徴としている。
The invention described in
請求項4記載の発明は、さらに、前記診断制御手段は、
前記DC計測手段により前記校正用信号経路を介した電流の出力および電圧の検出を行って当該校正用信号経路の線路抵抗を予め求める線路抵抗算出手段と、
求めた線路抵抗を記憶させる線路抵抗記憶手段と、
前記DC計測手段による前記校正用信号経路を介した直流系の計測時に計測結果から前記線路抵抗の影響を除去する線路抵抗補正手段と、
を備えていることを特徴としている。
According to a fourth aspect of the present invention, the diagnostic control means further comprises:
Line resistance calculating means for obtaining a line resistance of the calibration signal path in advance by detecting current output and voltage through the calibration signal path by the DC measuring means;
A line resistance storage means for storing the obtained line resistance;
Line resistance correction means for removing the influence of the line resistance from the measurement result at the time of measurement of the direct current system via the calibration signal path by the DC measurement means;
It is characterized by having.
請求項5記載の発明は、さらに、前記DC計測手段の入出力端子を前記被試験対象につながる信号線に直接的に接続可能なDC計測用信号経路と、
前記DC計測用信号経路と前記被試験対象につながる信号線との接続をオン/オフするDC計測用リレーと、を備え、
前記診断制御手段は、
前記校正用信号経路を介さずに前記DC計測用信号経路を介して前記入出力系回路の直流系の計測も実行可能であることを特徴としている。
The invention according to
A DC measurement relay for turning on / off the connection between the DC measurement signal path and the signal line connected to the test object;
The diagnostic control means includes
A DC system measurement of the input / output system circuit can also be executed through the DC measurement signal path without passing through the calibration signal path.
請求項6記載の発明は、さらに、前記DC計測手段の計測用端子を前記割込用信号経路側または前記DC計測用信号経路側に切換可能な切換スイッチを備えたことを特徴としている。 The invention described in claim 6 further includes a changeover switch capable of switching the measurement terminal of the DC measurement means to the interrupt signal path side or the DC measurement signal path side.
上記発明によれば、DC計測手段による割込用信号経路を介した入出力系回路の測定によって、半導体試験装置から被試験対象を切り離さずに、入出力系回路の異常診断を実行できるという効果がある。 According to the above-described invention, an effect that an input / output system circuit abnormality diagnosis can be executed without disconnecting a device under test from a semiconductor test apparatus by measuring the input / output system circuit via the interrupt signal path by the DC measuring means. There is.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
[第1実施形態]
図1は、本発明の第1実施形態のICテスタにおけるピンエレクトロニクス部の主要部を示す構成図、図2は、ICテスタのコントローラとピンエレクトロニクス部の接続構成を示したブロック図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[First Embodiment]
FIG. 1 is a block diagram showing a main part of a pin electronics unit in the IC tester according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram showing a connection configuration of the controller of the IC tester and the pin electronics unit.
本実施の形態である半導体試験装置としてのICテスタは、主に、IC試験の統括的な制御や各部への電源供給等を行うメインフレームと、ピンエレクトロニクス部90を内蔵しDUT(被試験対象デバイス)200と信号の送受信を行うテストヘッド等から構成される。
The IC tester as a semiconductor test apparatus according to the present embodiment mainly includes a main frame that performs overall control of IC tests, power supply to each part, and the like, and a
メインフレームは、その全体の構成は省略するが、装置の統括的な制御を行うTSC(Test Sequence Controller)100を備え、このTSC100がインターフェース40を介してピンエレクトロニクス部90にコマンドを送信することで、ピンエレクトロニクス部90にてコマンドに応じた動作が行われるようになっている。TSC100は、内部にCPU(中央演算処理装置)、RAM(Random Access Memory)、制御プログラムや制御データを格納した記憶装置等を備えたコンピュータである。
The main frame is omitted in its entire configuration, but includes a TSC (Test Sequence Controller) 100 that performs overall control of the apparatus, and the
テストヘッドは、主に複数のピンエレクトロニクス部90を内蔵して構成され、DUT200に対する種々の試験動作を実行するものである。テストヘッドとメインフレームは例えばケーブルを介して接続され、各種コマンドや制御データの送受信ならびに各種電源電圧の供給等が行われるようになっている。
The test head mainly includes a plurality of
図1に示すように、ピンエレクトロニクス部90は、DUT200の複数の端子にそれぞれ接続される複数の信号線L11〜L1Nと、DUT200に信号を出力する入出力系回路としての複数のドライバ回路41〜4Nと、DUT200から出力された信号の検出を行う入出力系回路としてのコンパレータ回路51〜5Mと、ドライバ回路41〜4Nやコンパレータ回路51〜5Mの入出力端子と信号線L11〜L1Nとの接続をオン/オフする出力リレー81〜8Nと、ドライバ回路41〜4Nやコンパレータ回路51〜5Mの動作タイミングを校正するタイミング校正装置3と、タイミング校正装置3とドライバ回路41〜4Nやコンパレータ回路51〜5Mとを一対一で接続可能なリレートーナメント2と、ドライバ回路41〜4Nやコンパレータ回路51〜5Mの入出力端子をリレートーナメント2側に接続可能な校正系リレー1とを備えている。これらのうち、複数の出力リレー8と複数の校正系リレー1により機能切換リレーが構成される。
As shown in FIG. 1, the
また、ピンエレクトロニクス部90には、DUT200の直流系の計測を行うDC計測ユニット9と、DC計測ユニット9のフォース線Lf0およびセンス線Ls1を信号線L11〜L1Nに接続可能な複数のフォースリレー6および複数のセンスリレー7と、DC計測ユニット9のもう一方のフォース線Lf1およびセンス線Ls1をリレートーナメント2の経路途中に接続可能な割込リレー10と、この割込リレー10とリレートーナメント2の経路との間に直列接続されるインピーダンス素子11と、各リレーのオン・オフ制御を行うリレー制御回路20等を備えている。これらの内、上記のフォース線Lf1およびセンス線Ls1により割込用信号経路が構成され、上記複数のフォースリレー6および複数のセンスリレー7によりDC計測用リレーが構成されている。
Further, the
なお、ピンエレクトロニクス部90には、その他、タイミング発生器やパターンメモリなど種々の回路構成が備わるが、これらについては図示を省略している。また、上記の各種リレーは、機械接点を有するリードリレーや半導体リレーなどのほか、接続・非接続の状態を作り出せるスイッチ機能があれば、種々の部品を適用することができる。
In addition, the
信号線L11〜L1Nは、図1では省略しているが、複数のDUT200の各端子に接続されるように多数(例えば数百本〜数千本)設けられている。校正系リレー1、フォースリレー6、センスリレー7、および、出力リレー8も、各信号線L11〜L1Nに対応させて多数設けられ、また、ドライバ回路41〜4Nやコンパレータ回路51〜5Mも各信号線L11〜L1Nに対応させて多数設けられている。
Although not shown in FIG. 1, the signal lines L1 1 to L1 N are provided in large numbers (for example, hundreds to thousands) so as to be connected to the terminals of the plurality of
なお、ドライバ回路41〜4Nとコンパレータ回路51〜5Mは、1本の信号線L1Xに両方が形成されている形態と、1本の信号線L1Xにいずれか一方のみが形成されている形態がある。また、1枚のピンエレクトロニクス部90において、ドライバ回路41〜4Nのみが形成され、コンパレータ回路51〜5Mが形成されていない形態や、その逆の形態の場合もある。
Incidentally, the driver circuit 4 1 to 4 N and the comparator circuit 5 1 to 5 M, only one of the forms of both the one signal line L1 X is formed, on one signal line L1 X is formed There are forms. Further, in one
リレートーナメント2は、トーナメント戦の対戦ラインのような形態で信号経路が形成され、その信号経路の各段にリレーを介在させてなるもので、各段のリレーを1つずつオンさせることで、複数の校正系リレー1のいずれか1個につながる信号経路が導通可能になっている。 In the relay tournament 2, a signal path is formed in a form like a battle line of a tournament battle, and a relay is interposed in each stage of the signal path. By turning on each relay one by one, A signal path connected to any one of the plurality of calibration system relays 1 can be conducted.
タイミング校正装置3は、リレートーナメント2を介して1個のドライバ回路4Xやコンパレータ回路5Xと接続され、これらドライバ回路4Xやコンパレータ回路5Xと信号の送受信を行って、各ドライバ回路41〜4Nや各コンパレータ回路51〜5Mの動作タイミングのズレを検出しその校正を行うものである。コンパレータ回路51〜5Mは、入力信号の電圧を上限側のしきい値と下限側のしきい値とで比較する機能のほか、入力信号をラッチする機能も有しており、上記の動作タイミングとして入力信号のラッチタイミングの校正が行われる。
The
DC計測ユニット9は、電圧の出力や電流出力を行うフォース端子と、電圧の検出を行うセンス端子とを有し、フォース端子につながるフォース線Lf0,Lf1とセンス端子につながるセンス線Ls0,Ls1とを介して直流系の計測を行うようになっている。DC計測ユニット9は、DUT200に対する直流系の計測のほか、ドライバ回路41〜4Nやコンパレータ回路51〜5Mに対しても直流系の計測を行って異常がないか自己診断することが可能になっている。
The
また、DC計測ユニット9には、CPU、RAM、制御プログラムや制御データを格納した不揮発性メモリが内蔵され、これらによって所定のプログラム処理を実行することが可能にされている。このDC計測ユニット9におけるCPUのプログラム処理により、ドライバ回路41〜4Nやコンパレータ回路51〜5Mの異常診断を行う診断制御手段が実現される。
The
インピーダンス素子11は、信号線の線路インピーダンスと比較して高周波信号に対して十分に高いインピーダンスを有し、低周波信号に対して低いインピーダンスを有するものであり、例えば、フェライトビーズなどを適用することができる。その他、インダクタンス成分を有する種々の素子を用いることができる。また、DC計測ユニット9により電流出力や電流計測が行われないような場合には、比較的大きな抵抗成分を有する素子を用いることもできる。
The
このようなインピーダンス素子11を介在させることで、タイミング校正処理の際にリレートーナメント2を介して送受信される高速な信号に対して割込リレー10やそれよりDC計測ユニット9側の影響を無視できるレベルに小さくすることができる。
By interposing such an
リレー制御回路20は、DC計測ユニット9やタイミング校正装置3から制御コマンドや制御データを受けて指定のリレーをオン・オフ動作させるものである。
The
図2に示すように、上記のDC計測ユニット9、タイミング校正装置3、リレー制御回路20はバス接続されて互いに制御コマンドや制御データをやり取りできるようになっている。また、このバスにはインターフェース40を介してメインフレーム側のTSC100も接続され各種の制御コマンドや制御データが送受信できるようになっている。
As shown in FIG. 2, the
次に、上記構成のICテスタにおける自己診断処理の動作について説明する。
図3には、自己診断処理においてドライバ回路の計測状態を表わした説明図を、図4には、自己診断処理においてコンパレータ回路の計測状態を表わした説明図を示す。
Next, the operation of the self-diagnosis process in the IC tester having the above configuration will be described.
FIG. 3 is an explanatory diagram showing the measurement state of the driver circuit in the self-diagnosis process, and FIG. 4 is an explanatory diagram showing the measurement state of the comparator circuit in the self-diagnosis process.
自己診断処理は、特に制限されないが、例えば、オペレータが外部コンピュータからTSC100に制御コマンドを送信し、これに基づきTSC100がDC計測ユニット9に自己診断処理の開始コマンドを送信することで開始される。この際、DUT200が切り離されていない場合には校正用経路を介した自己診断処理が実行され、DUT200が切り離されている場合にはDC計測用の経路を介した自己診断処理が実行されるようにしてもよい。また、何れの経路を用いた自己診断を行うかオペレータにより選択できるようにしてもよい。ここでは、校正用経路を介した自己診断処理について説明する。
The self-diagnosis process is not particularly limited. For example, the operator transmits a control command from an external computer to the
自己診断処理が開始されると、DC計測ユニット9は、内部のソフトウェア処理により、複数のドライバ回路41〜4Nと複数のコンパレータ回路51〜5Mに対して1個ずつ異常がないか診断処理を実行する。
When the self-diagnosis process is started, the
図3に示すように、1個のドライバ回路41について診断処理を実行する場合には、まず、リレー制御回路20にコマンドを送信して、全ての出力リレー8をオフ、該当のドライバ回路41に対応する校正系リレー1をオン、リレートーナメント2のうち該当のドライバ回路41につながる経路のリレーをオン、リレートーナメント2の初段のリレーをオフ、ならびに、割込リレー10をオンさせる。このようなリレーの切り換えにより、校正用経路を介して該当のドライバ回路41の出力端子がDC計測ユニット9のセンス線Ls1とフォース線Lf1に接続される。
As shown in FIG. 3, when executing the diagnosis process for one
次いで、この状態で、該当のドライバ回路41から設定電圧を出力させてセンス線Ls1により電圧を測定したり、フォース線Lf1に所定電流を流しながらセンス線Ls1で電圧を検出したりすることで、該当のドライバ回路41の出力電圧、出力インピーダンス、リーク電流などに異常がないか確認する。そして、このような処理を全てのドライバ回路41〜4Nに対して実行する。 Then, in this state, or to measure the voltage by the sense line Ls 1 by outputting the setting voltage from the driver circuit 4 1 applicable, and detect the voltage at the sense line Ls 1 while flowing a predetermined current to the force lines Lf 1 by the appropriate driver circuit 4 first output voltage, output impedance, to check if there are any problems such as leakage current. Such processing is executed for all the driver circuits 4 1 to 4 N.
また、図4に示すように、1個またはドライバ回路4Nと対にされたコンパレータ回路5Mについて診断処理を実行する場合には、同様のリレーの切り替えを行って、該当のコンパレータ回路5Mの入力端子に校正用経路を介してDC計測ユニット9のセンス線Ls1とフォース線Lf1とが接続されるようにする。
Further, as shown in FIG. 4, when executing the diagnosis processing for one or
そして、この状態で、コンパレータ回路5Mの上限側の閾値や下限側の閾値を所定の値に設定し、かつ、フォース線Lf1から種々の電圧を出力してコンパレータ回路5Mの出力を確認したり、所定電圧を印加したときのフォース線Lf1の電流を計測したりすることで、コンパレータ回路5Mの動作、入力インピーダンス、リーク電流などに異常がないか確認する。そして、このような処理を全てのコンパレータ回路51〜5Mに対して実行する。
In this state, the threshold value of the threshold and the lower limit of the upper side of the
全てのドライバ回路41〜4Nやコンパレータ回路51〜5Mに対して診断処理が完了したら、その結果データをTSC100に送信するなどしてこの自己診断処理を終了する。このような自己診断処理により、ICテスタにDUT200が取り付けられたままで、内部回路に異常がないか自己診断を行うことが可能となる。
When the diagnostic process is completed for all the driver circuits 4 1 to 4 N and the
なお、上記の校正用経路を介したDC計測では、センス線Ls1がリレートーナメント2の前段でフォース線Lf1と結線されているため、フォース線Lf1から電流が流れている状態で電圧を計測した場合、リレートーナメント2を含む校正用経路の抵抗分だけ電圧値に狂いが生じる。そこで、この実施形態のICテスタでは、上記のような診断処理の実行以前に、校正用経路の各抵抗値を求めて記憶装置に記憶させておき、診断処理で電圧計測を行った際に、この線路抵抗の影響を排除すべく電圧の計測値を補正する処理が行われるようになっている。このような処理は、例えば、DC計測ユニット9のソフトウェア処理により実行され、このソフトウェアにより線路抵抗算出手段、線路抵抗記憶手段、線路抵抗補正手段が構成される。補正処理については電流値×線路抵抗を電圧計測値から加減算するだけなので詳細は省略する。
In the DC measurement via the calibration path described above, since the sense line Ls 1 is connected to the force line Lf 1 before the relay tournament 2, the voltage is applied with current flowing from the force line Lf 1. When measured, the voltage value is distorted by the resistance of the calibration path including the relay tournament 2. Therefore, in the IC tester of this embodiment, before executing the diagnostic process as described above, each resistance value of the calibration path is obtained and stored in the storage device, and when the voltage measurement is performed in the diagnostic process, In order to eliminate the influence of the line resistance, a process for correcting the measured value of the voltage is performed. Such processing is executed by, for example, software processing of the
図5には、DC計測ユニット9のCPUにより実行される初期設定処理のフローチャートの一例を示す。
FIG. 5 shows an example of a flowchart of an initial setting process executed by the CPU of the
上記の校正用経路の各抵抗値の計測は、例えば、図5の初期設定処理により実現される。この初期設定処理は、例えば、ICテスタの所定のメンテナンス時に実行されるようにしたり、工場出荷時に実行されるようにしたり、あるいは、自己診断処理の直前に実行されるようにしてもよい。この初期設定処理では、まず、リレートーナメント2の所定のリレーをオンさせて一つの校正用経路を導通させ(ステップS1)、次いで、この校正用経路に接続されたドライバ回路4Xやコンパレータ回路5Xを所定状態に設定する(ステップS2)。そして、フォース線Lf1から所定電流を出力してセンス線Ls1で電圧検出し(ステップS3,S4)、次に、フォース線Lf1の電流を停止してセンス線Ls1で電圧検出を行う(ステップS5,S6)。そして、これらの検出電圧の差分からこの校正用経路の抵抗値を求め、それを補正データとして記憶させる(ステップS7,S8)。そして、ステップS9の分岐処理により、これをリレートーナメント2の全経路について繰り返し行う。
The measurement of each resistance value of the calibration path is realized by, for example, the initial setting process of FIG. This initial setting process may be executed, for example, at a predetermined maintenance of the IC tester, may be executed at the time of factory shipment, or may be executed immediately before the self-diagnosis process. In this initial setting process, first, a predetermined relay of the relay tournament 2 is turned on to make one calibration path conductive (step S1), and then the driver circuit 4X and the
このような初期設定処理により、校正用経路の各抵抗値が予め求められて、さらに記憶され、自己診断処理の際にこれを使用して、ドライバ回路41〜4Nやコンパレータ回路51〜5Mの入出力端子の電圧測定値を補正により正確な値にすることが可能となる。
By such an initial setting process, each resistance value of the calibration path is obtained in advance and further stored, and this is used in the self-diagnosis process to use the driver circuits 4 1 to 4 N and the
次に、この実施形態のICテスタにおける追加機能として、自己診断処理で故障が確認された場合に、その故障部位を特定する故障部位特定処理について説明する。
図6と図7には、故障部位特定処理における第1計測状態と第2計測状態を表わした説明図を示す。
Next, as an additional function in the IC tester of this embodiment, a failure part specifying process for specifying a failure part when a failure is confirmed by the self-diagnosis process will be described.
6 and 7 are explanatory views showing the first measurement state and the second measurement state in the failure part specifying process.
故障部位特定処理は、あるドライバ回路4Xやコンパレータ回路5Xに異常があると判断された場合に、故障部位がその回路周辺にあるのか、校正用経路側にあるのか、信号線L11〜L1NやDC計測用経路側にあるのか、切り分けを行う処理である。この故障部位特定処理は、DC計測ユニット9のCPUによるソフトウェア処理により実行させたり、TSC100を介したオペレータ操作により実行させるように構成することができるが、この故障部位特定処理を実行する際には、DUT200を切り離した状態にする必要がある。次に、図6の一番上のドライバ回路41に異常があると判断された場合の処理について説明する。
Failure area specifying processing, when it is determined that there is an abnormality in a certain driver circuit 4 X and the
ドライバ回路41に異常があると判断されたら、図6に示すように、このドライバ回路41に対応する出力リレー8およびセンスリレー7をオンさせて、DC計測用経路側のセンス線Ls0をドライバ回路41の出力端子に接続する。そして、ドライバ回路41に設定値の電圧出力を行わせ、この電圧を測定する。次に、図7に示すように、先の出力リレー8やセンスリレー7をオフさせるとともに、このドライバ回路41に対応する校正系リレー1、リレートーナメント2のリレーおよび割込リレー10をオンさせて校正用経路に割り込むセンス線Ls1をリレートーナメント2を介してドライバ回路41の出力端子に接続する。そして、ドライバ回路41の設定値の電圧出力を行わせ、この電圧を測定する。
If it is determined that there is an abnormality in the driver circuit 4 1, as shown in FIG. 6, the output relay 8 and sense relay 7 corresponding to the driver circuit 4 1 turns on, sense line Ls 0 of the DC measurement path side the connection to the output terminal of the driver circuit 4 1. Then, to perform the voltage output of the setting value to the driver circuit 4 1, measuring this voltage. Next, as shown in FIG. 7, with turn off the previous output relay 8 or sensing relay 7, the calibration relays 1 corresponding to the driver circuit 4 1, turns on the relay and interrupts the
その結果、ドライバ回路41の設定値とDC計測用経路を介した計測で得た計測データAが一致し、ドライバ回路41の設定値と校正用経路を介した計測で得た計測データB(線路抵抗の補正済みのデータ)が不一致の場合には、校正用経路のリレーやその線路自体に故障部位があると判定する。また、その逆であれば、DC計測用経路のリレーやその線路自体に故障部位があると判定する。また、ドライバ回路41の設定値と両計測データA,Bが不一致で、かつ、両計測データA,Bが一致している場合には、このドライバ回路41やその設定回路に故障部位があると判定する。 As a result, the measurement data B measurement data A obtained in measurement via setpoint and DC measurement path of the driver circuit 4 1 match, obtained by measurement via calibration path and the driver circuit 4 first set value If the (line resistance corrected data) does not match, it is determined that there is a faulty part in the relay of the calibration path or the line itself. If the opposite is true, it is determined that there is a faulty part in the relay of the DC measurement path or the line itself. The setting value of the driver circuit 4 1 and both measurement data A, B are in disagreement, and both the measurement data A, when B is matched, the failure area The driver circuit 4 1 and to the setting circuit Judge that there is.
そして、このような判定データがTSC100側に送られてオペレータに出力されるようになっている。このような異常部位特定処理により、自己診断処理等で異常が確認された場合に、異常の発生部位を小さい範囲で切り分けることができるので、故障修理等で実際の異常部位を特定していく際に大変参考にすることができる。
Such determination data is sent to the
以上のように、この実施形態のICテスタによれば、割込リレー10と校正用経路を介したドライバ回路41〜4Nやコンパレータ回路51〜5MのDC計測により、ICテスタからDUT200を切り離すことなく、ドライバ回路41〜4Nやコンパレータ回路51〜5Mに異常がないか自己診断することができる。従って、例えば、DUT200の試験途中に急に歩留まりが低下してICテスタの故障が疑われる場合でも、DUT200をICテスタから取り外すといった煩雑で時間のかかる工程を行わずに、ICテスタの自己診断処理を行ってICテスタ側の故障なのかDUT200側の異常なのか確認することが可能となる。また、このために追加される部品は割込リレー10やインピーダンス素子11等であり、また、DC計測ユニット9のチャンネルを1つ増設するだけなので、回路基板や部品コストを大幅に増大させることがない。
As described above, according to the IC tester of this embodiment, from the IC tester, the
また、校正用経路の抵抗を予め計測しておき、ドライバ回路41〜4Nやコンパレータ回路51〜5MのDC計測を行う場合に、校正用経路の抵抗分の補正を行うようになっているので、複数のリレーが介在された校正用経路を介したDC計測であっても比較的正確な測定値を求めることが可能である。
In addition, when the resistance of the calibration path is measured in advance and the DC measurement of the driver circuits 4 1 to 4 N and the
また、割込リレー10とリレートーナメント2の間にインピーダンス素子11を設けているので、タイミング校正装置3による校正処理の際に、割込リレー10からDC計測ユニット9側の影響を無視できるレベルに小さくすることができる。
In addition, since the
[第2実施形態]
図8は、第2実施形態のICテスタにおけるピンエレクトロニクス90Bの主要部を示した構成図である。
[Second Embodiment]
FIG. 8 is a configuration diagram showing the main part of the
第2実施形態は、DC計測ユニット9のフォース線やセンス線をリレートーナメント2の途中に割り込ませるのに、その割込位置を、第1実施形態ではリレートーナメント2の1段目にしているのに対して、リレートーナメント2の中段に設定したものである。
In the second embodiment, the force line and the sense line of the
リレートーナメント2は初段から一段ずつ後段にずれるごとに信号経路が倍々に増えていくため、この実施形態では、リレートーナメント2に割り込ませるセンス線Ls1〜Lsn、ならびに、フォース線Lf1〜Lfnを、それに対応してn本ずつ設けている。また、これらn本分のセンス線Ls1〜Lsnやフォース線Lf1〜Lfnに対応させて、DC計測ユニット9もnチャンネル分設け、それぞれが並列的にDC計測を実行可能なように構成されている。さらに、これらnチャンネルのセンス線Ls1〜Lsnやフォース線Lf1〜Lfnに対応させて、割込リレー10やインピーダンス素子11もn個ずつ形成している。
In the relay tournament 2, the signal path is doubled every time one stage is shifted from the first stage. Therefore, in this embodiment, the sense lines Ls 1 to Ls n and the force lines Lf 1 to Lf to be interrupted in the relay tournament 2 are used. n is provided corresponding to each n. Further, in correspondence to the sense line Ls 1 ~Ls n or force line Lf 1 ~Lf n of these n duty,
このような構成によれば、DC計測ユニット9や割込リレー10等をnチャンネル分設ける分、回路規模や部品コストが大きくなるものの、DC計測ユニット9を並列動作させることで、複数のドライバ回路41〜4Nや複数のコンパレータ回路51〜5MのDC計測をn個ずつ同時に行うことができるので、それにより、自己診断処理を比較的短時間で遂行できるという効果が得られる。
According to such a configuration, although the circuit scale and the component cost are increased by providing n channels of the
なお、フォース線Lf1〜Lfnやセンス線Ls1〜Lsnの割込位置をリレートーナメント2の前段側とすれば、部品点数を少なくできる一方、自己診断処理にかかる時間が長くなる。また、上記割込位置をリレートーナメント2の後段側とすることで、部品点数が多くなる一方、自己診断処理に掛かる時間を短くすることができる。そのため、両方の利点と欠点を考慮して上記の割込位置を適宜決定するとよい。 Incidentally, if the interrupt position of the force lines Lf 1 ~Lf n and sense lines Ls 1 ~Ls n and the preceding stage of the relay tournament 2, while number of parts can be reduced, time required for the self-diagnosis process is prolonged. Further, by setting the interrupt position to the rear stage side of the relay tournament 2, the number of parts is increased while the time required for the self-diagnosis process can be shortened. Therefore, it is preferable to appropriately determine the interrupt position in consideration of both advantages and disadvantages.
[第3実施形態]
図9は、第3実施形態のICテスタにおけるピンエレクトロニクス90Cの主要部を示した構成図である。
[Third Embodiment]
FIG. 9 is a configuration diagram showing a main part of the
第3実施形態は、DC計測ユニット9の1チャンネル分の入出力線に切換スイッチ13を設け、この1チャンネルの入出力を校正用経路側のフォース線Lf1およびセンス線Ls1と、信号線L11〜L1Nに直接的に接続させるフォース線Lf0およびセンス線Ls0とで切り換え可能にしたものである。
In the third embodiment, a
このような構成によれば、DC計測ユニット9のチャンネル数を増やすことなく、両方の経路で自己診断処理時のDC計測を行うことが可能となる、回路規模や部品コストの低減を図ることができる。なお、切換スイッチ13は、DC計測ユニット9内に設けるようにしてもよい。
According to such a configuration, it is possible to perform DC measurement at the time of self-diagnosis processing in both paths without increasing the number of channels of the
[第4実施形態]
図10は、第4実施形態のICテスタにおけるピンエレクトロニクス90Dの主要部を示した構成図である。
[Fourth Embodiment]
FIG. 10 is a configuration diagram showing a main part of the pin electronics 90D in the IC tester of the fourth embodiment.
第4実施形態の構成は、校正用経路に割り込ませる信号線をフォース線Lf1のみとし、これに対応するセンス線Ls1を専用の信号線を形成して各ドライバ回路41〜4Nやコンパレータ回路51〜5Mの入出力端子に接続させたものである。
In the configuration of the fourth embodiment, only the force line Lf 1 is used as the signal line to be interrupted in the calibration path, and the corresponding sense line Ls 1 is formed as a dedicated signal line so that each of the driver circuits 4 1 to 4 N The
センス線Ls1の専用の信号線は、例えば図10に示すように、リレートーナメント2と同様の線路状に形成し、センス線Ls1がいずれかの一つの経路で導通されるように、リレートーナメント2と同様の形態で複数のセンスリレー7aを設けるようにしてもよい。
Dedicated signal lines of the sense line Ls 1, for example, as shown in FIG. 10, is formed on the same line-shaped relay tournament 2, as a sense line Ls 1 is turned in either one of the paths, the relay You may make it provide the some
また、この専用の信号線の先端側には、インピーダンス素子11aを直列に挿入し、タイミング校正処理の際にこの信号線やセンスリレー7aが悪影響を及ぼさないように構成するとよい。インピーダンス素子11aには、前述のインピーダンス素子11と同様のものを適用することができるし、また、センス線Ls1には電流は殆んど流れないため高い抵抗成分を有するものを用いることもできる。
Further, an
このような構成によれば、新たに追加するリレーの数が増大するという課題があるものの、ドライバ回路41〜4Nやコンパレータ回路51〜5Mの入出力端子の電圧を、リレートーナメント2の線路抵抗の影響なく、センス線Ls1を介して直接的に計測することができるという効果が得られる。
According to such a configuration, although there is a problem that the number of newly added relays is increased, the voltage of the input / output terminals of the driver circuits 4 1 to 4 N and the
なお、本発明は、上記第1〜第4の実施形態に限られるものでなく、様々な変更が可能である。例えば、上記実施形態では、DC計測ユニット9のCPUがソフトウェア処理により異常診断処理を実行する例を示したが、例えば、TSC100側のソフトウェア処理により異常診断処理を実行させたり、その他、別の制御装置により異常診断処理を実行させるようにしてもよい。また、異常診断を行う入出力系回路としてドライバ回路41〜4Nとコンパレータ回路51〜5Mとを示しているが、その他、DUTと信号の授受を行う回路であればそれらを含めるようにしてもよい。
The present invention is not limited to the first to fourth embodiments, and various modifications can be made. For example, in the above-described embodiment, an example in which the CPU of the
また、校正用経路としてリレートーナメント2を例示しているが、例えば、マトリクスリレーを用いるなど校正用経路の形態は特に制限されるものではない。また、フォース線と割込リレーとの間にリレーを設けてセンス線のみを校正用経路に接続可能な構成としてもよい。その他、実施の形態で示した細部等は発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。 Moreover, although the relay tournament 2 is illustrated as a calibration route, the form of the calibration route is not particularly limited, for example, using a matrix relay. Alternatively, a relay may be provided between the force line and the interrupt relay so that only the sense line can be connected to the calibration path. In addition, the details shown in the embodiments can be appropriately changed without departing from the spirit of the invention.
1 校正系リレー
2 リレートーナメント
3 タイミング校正装置
41〜4N ドライバ回路
51〜5M コンパレータ回路
6 フォースリレー
7 センスリレー
8 出力リレー
9 DC計測ユニット
10 割込リレー
11 インピーダンス素子
13 切換スイッチ
20 リレー制御回路
40 インターフェース
100 TSC
200 DUT
L11〜L1N DUTにつながる信号線
Ls0,Ls1 センス線
Lf0,Lf1 フォース線
1 calibration relays 2
200 DUT
Signal lines connected to L1 1 to L1 N DUT Ls 0 , Ls 1 sense lines Lf 0 , Lf 1 force lines
Claims (6)
該複数の入出力系回路の入出力端子にそれぞれ接続可能な校正用信号経路を有し、該校正用信号経路を介した信号の送受信により前記複数の入出力系回路の動作タイミングの校正を行うタイミング校正手段と、
前記入出力系回路の入出力端子を前記被試験対象につながる信号線側と前記校正用信号経路側とに切換え可能な複数の機能切換リレーと、
直流系の計測を行うDC計測手段と、
を備えた半導体試験装置において、
前記DC計測手段を前記校正用信号経路の途中に接続可能な割込用信号経路と、
該割込用信号経路と前記校正用信号経路との接続をオン/オフする割込リレーとを備えたことを特徴とする半導体試験装置。 A plurality of input / output circuits for outputting a signal to the object under test or inputting a signal from the object under test;
Calibration signal paths connectable to the input / output terminals of the plurality of input / output system circuits, and the operation timings of the plurality of input / output system circuits are calibrated by transmitting and receiving signals through the calibration signal paths. Timing calibration means;
A plurality of function switching relays capable of switching the input / output terminal of the input / output system circuit to the signal line side connected to the test object and the calibration signal path side;
DC measurement means for measuring a DC system;
In a semiconductor test apparatus equipped with
An interrupt signal path capable of connecting the DC measuring means in the middle of the calibration signal path;
A semiconductor test apparatus comprising: an interrupt relay for turning on / off the connection between the interrupt signal path and the calibration signal path.
前記診断制御手段は、
前記機能切換リレーにより前記入出力系回路を前記被試験対象につながる信号線から切断して前記校正用信号経路側に接続させ、かつ、前記割込リレーをオンさせて前記割込用信号経路を前記校正用信号経路に接続させ、
この状態で前記DC計測手段により前記入出力系回路の直流系の計測を実行させることを特徴とする請求項1記載の半導体試験装置。 Diagnostic control means for performing a DC system measurement of the input / output system circuit to diagnose abnormality of the input / output system circuit,
The diagnostic control means includes
The input / output system circuit is disconnected from the signal line connected to the object under test by the function switching relay and connected to the calibration signal path side, and the interrupt relay is turned on to change the interrupt signal path. Connected to the calibration signal path,
2. The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein in this state, the DC measurement means performs measurement of a DC system of the input / output system circuit.
前記DC計測手段により前記校正用信号経路を介した電流の出力および電圧の検出を行って当該校正用信号経路の線路抵抗を予め求める線路抵抗算出手段と、
求めた線路抵抗を記憶させる線路抵抗記憶手段と、
前記DC計測手段による前記校正用信号経路を介した直流系の計測時に計測結果から前記線路抵抗の影響を除去する線路抵抗補正手段と、
を備えていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体試験装置。 The diagnostic control means includes
Line resistance calculating means for obtaining a line resistance of the calibration signal path in advance by detecting current output and voltage through the calibration signal path by the DC measuring means;
A line resistance storage means for storing the obtained line resistance;
Line resistance correction means for removing the influence of the line resistance from the measurement result at the time of measurement of the direct current system via the calibration signal path by the DC measurement means;
The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor test apparatus is provided.
前記DC計測用信号経路と前記被試験対象につながる信号線との接続をオン/オフするDC計測用リレーと、を備え、
前記診断制御手段は、
前記校正用信号経路を介さずに前記DC計測用信号経路を介して前記入出力系回路の直流系の計測も実行可能であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体試験装置。 A DC measurement signal path capable of directly connecting an input / output terminal of the DC measurement means to a signal line connected to the test object;
A DC measurement relay for turning on / off the connection between the DC measurement signal path and the signal line connected to the test object;
The diagnostic control means includes
5. The DC system of the input / output system circuit can also be measured via the DC measurement signal path without passing through the calibration signal path. 6. Semiconductor test equipment.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007039013A JP4858216B2 (en) | 2007-02-20 | 2007-02-20 | Semiconductor test equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007039013A JP4858216B2 (en) | 2007-02-20 | 2007-02-20 | Semiconductor test equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008203073A JP2008203073A (en) | 2008-09-04 |
JP4858216B2 true JP4858216B2 (en) | 2012-01-18 |
Family
ID=39780747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007039013A Active JP4858216B2 (en) | 2007-02-20 | 2007-02-20 | Semiconductor test equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4858216B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10418802B2 (en) | 2017-04-04 | 2019-09-17 | Semiconductor Components Industries, Llc | Methods and apparatus for voltage and current calibration |
KR102326670B1 (en) * | 2020-07-14 | 2021-11-16 | 주식회사 엑시콘 | Semiconductor device test apparatus having diagnosis device |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1164436A (en) * | 1997-08-21 | 1999-03-05 | Advantest Corp | Semiconductor-testing device |
JP3616247B2 (en) * | 1998-04-03 | 2005-02-02 | 株式会社アドバンテスト | Skew adjustment method in IC test apparatus and pseudo device used therefor |
JPH11304880A (en) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Advantest Corp | Semiconductor testing device |
JP2002090414A (en) * | 2000-09-14 | 2002-03-27 | Advantest Corp | Semiconductor testing device |
US6804620B1 (en) * | 2003-03-21 | 2004-10-12 | Advantest Corporation | Calibration method for system performance validation of automatic test equipment |
-
2007
- 2007-02-20 JP JP2007039013A patent/JP4858216B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008203073A (en) | 2008-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7109736B2 (en) | System for measuring signal path resistance for an integrated circuit tester interconnect structure | |
US8275569B2 (en) | Test apparatus and diagnosis method | |
JP4571076B2 (en) | Inspection equipment for semiconductor devices | |
US7852065B2 (en) | Testing apparatus for testing electronic system with 4-wires resistive touch panel and the method therefor | |
JP4858216B2 (en) | Semiconductor test equipment | |
CN113504395A (en) | Method for detecting connectivity of ATE channel | |
US8751183B2 (en) | Tester having system maintenance compliance tool | |
US20090322367A1 (en) | Integrated circuit and a method for measuring a quiescent current of a module | |
TWI516786B (en) | Detection and debugging of the system | |
JP6961385B2 (en) | Inspection equipment | |
JP6957195B2 (en) | measuring device | |
JP2009288064A (en) | Semiconductor test apparatus and method | |
WO2009024172A1 (en) | Chip tester, chip test system, chip test setup, method for identifying an open-line failure and computer program | |
KR20070077553A (en) | Multi test embodiment system of wafer tester | |
JPH08247863A (en) | Load cell and material testing machine | |
KR101482940B1 (en) | Semiconductor Device having Built In Self Test Function and Built In Self Test Method using the same | |
TWI837998B (en) | Signal switching and verification device and signal verification system | |
JP5202401B2 (en) | Test apparatus and calibration method | |
KR100718457B1 (en) | Semiconductor testing device and testing method therewith | |
JP2005043202A (en) | Failure detection device and failure detection method | |
JP2001242222A (en) | Test board testing device and test board test method | |
KR100470989B1 (en) | Verification Probe Card | |
KR20010045147A (en) | Relay checking method of semiconductor tester in the test head | |
KR20080024735A (en) | Apparatus for auto diagnosing dc out relay of wafer burn-in system | |
JP2000039468A (en) | Semiconductor testing apparatus and self-diagnostic method for semiconductor testing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110921 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111004 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111017 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4858216 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141111 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20171111 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20171111 Year of fee payment: 6 |
|
S201 | Request for registration of exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314201 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20171111 Year of fee payment: 6 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |