JP4856978B2 - プラズマエッチング装置及び処理室の内壁の形成方法 - Google Patents
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Description
その表面が5μm〜10μmの平均粗さを有して前記処理室の内壁面を構成する基材の上面を被覆して前記プラズマと接する溶射被膜と、
前記溶射被膜の下方であって前記平均粗さを有した前記基材の表面上に配置され5μm以下の厚さのバリア膜とを有する、ことを特徴とするプラズマエッチング装置。
図1は、本発明の一実施例に係るエッチング処理装置の断面図である。図1に示すエッチング処理装置は、真空容器内に設けられたハウジング105a〜105cで構成される処理室100と、電磁波を放射するアンテナ101と、処理室100内において半導体ウエハWなどの被処理体を載置する保持ステージ130を備えている。保持ステージ130は、静電吸着電極とも呼ばれている。アンテナ101は、真空容器の一部を構成するハウジング105bに保持され、一端が石英板114aに接続されている。アンテナ101の石英板114aは上部電極を構成し、下部電極を構成する保持ステージとは平行して対向する形で設置される。処理室100の周囲には、たとえば電磁コイルとヨークよりなる磁場形成手段102が設置されている。処理室100は真空排気系103により、例えば10000分の1Paの圧力の真空を達成できる真空容器である。被処理体のエッチングもしくは成膜等の処理を行なう処理ガスは、図示しないガス供給手段から所定の流量と混合比をもって供給されシャワープレート114bを介して処理室100内に導入され、ハウジング105cに接続された真空排気系103と排気調整手段104により処理室100内の処理圧力が制御される。一般に、エッチング処理装置では、エッチング中の処理圧力を0.1Paから10Pa以下の範囲に調整して使用することが多い。
Claims (8)
- 処理室内に形成したプラズマを利用して該処理室内に配置された被処理物をエッチング処理するプラズマエッチング処理装置において、
その表面が5μm〜10μmの平均粗さを有して前記処理室の内壁面を構成する基材の上面を被覆して前記プラズマと接する溶射被膜と、
前記溶射被膜の下方であって前記平均粗さを有した前記基材の表面上に配置され5μm以下の厚さのバリア膜とを有する、
ことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項1において、
前記基材がアルミニウムまたはアルミニウム合金であり、前記バリア膜として陽極酸化による膜が配置されている、ことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項1において、
前記溶射被膜の材料は、Y2O3、Yb2O3、YF3のいずれか1種類もしくは2種類以上で構成されることを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項2において、
前記バリア膜の厚さは0.1μm〜5μmであり、
前記溶射被膜の材料は、Y2O3又はYF3で構成されることを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 処理室内に形成したプラズマを利用して該処理室内に配置された被処理物をエッチング処理するプラズマエッチング処理装置において、
前記処理室は、該処理室の前記プラズマと接する側壁部を構成するアルミニウムまたはアルミニウム合金製の円筒チャンバー及び該円筒チャンバー内に着脱可能に保持された円筒状のアースカバーとを含み、
前記アースカバーを構成する基材がアルミニウムまたはアルミニウム合金であり、
該アースカバーは、前記プラズマに接する面を構成する部分の基材の表面は5μm〜10μmの平均粗さを有し、この平均粗さを有した前記基材表面に形成された厚さ5μm以下のアルマイト層と、該アルマイト層上に形成された耐プラズマ性部材からなる溶射被膜とを備え、
前記アースカバーと前記円筒チャンバーの間隙に温調用のガスを供給する手段を備えている、
ことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 処理室内に形成したプラズマを利用して該処理室内に配置された被処理物をエッチング処理するプラズマエッチング処理装置における前記処理室の内壁部材を形成する処理室内壁の形成方法であって、
前記処理室の内壁部材を構成する基材の表面を5μm〜10μmの平均粗さを有するように形成し、
前記平均粗さを有する前記基材表面上に厚さ5μm以下のバリア膜を形成し、
前記バリア膜上に耐プラズマ性の溶射被膜を形成する、
ことを特徴とする処理室の内壁の形成方法。 - 請求項6において、
前記基材の表面をブラスト処理もしくは研削処理で5μm〜10μmの平均粗さに粗面化した後、
前記基材の表面に、めっき,陽極酸化,CVD,またはPVDのいずれかの方法により前記バリア膜を形成する
ことを特徴とする処理室の内壁の形成方法。 - 請求項7において、
前記基材がアルミニウムまたはアルミニウム合金であり、
前記バリア膜として0.1μm〜5μmの陽極酸化膜を形成し、
Y2O3、Yb2O3、YF3のいずれか1種類もしくは2種類以上で構成される材料により前記溶射被膜を形成する、ことを特徴とする処理室の内壁の形成方法。
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