JP4856558B2 - Wiring board - Google Patents

Description

本発明は、発光ダイオードなどの発光素子を搭載する搭載面を有し、かかる発光素子が発する熱の放熱性に優れた配線基板に関する。   The present invention relates to a wiring board having a mounting surface on which a light emitting element such as a light emitting diode is mounted and excellent in heat dissipation of heat generated by the light emitting element.

高輝度の光量を簡易に得るため、セラミックからなる積層基板の中央部を貫通する金属製などの放熱部材の上面にＬＥＤ素子を搭載し、かかるＬＥＤ素子を囲む上記積層基板の上面に光反射用の傾斜面を内設するパッケージを形成し、かかるパッケージの内側に上記ＬＥＤ素子を封止するモールド樹脂を充填した発光装置およびその製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
前記発光装置に用いられる放熱部材は、ＬＥＤ素子が発する熱を効果的に外部に放熱するため、かかるＬＥＤ素子を搭載し且つ前記積層基板の上面に露出する断面積の小さな上部と、かかる積層基板の下面に露出する断面積の大きな下部とが、平面視で互いに相似形の矩形または円形を呈するものである。 In order to easily obtain a high-intensity light quantity, an LED element is mounted on the upper surface of a metal or other heat radiating member that penetrates the central portion of the ceramic multilayer substrate, and the upper surface of the multilayer substrate surrounding the LED element is for light reflection. There has been proposed a light emitting device in which a package in which the inclined surface is provided is formed and a mold resin for sealing the LED element is filled inside the package and a manufacturing method thereof (for example, see Patent Document 1).
The heat dissipating member used in the light emitting device effectively dissipates the heat generated by the LED element to the outside, so that the LED element is mounted and the upper part having a small cross-sectional area exposed on the upper surface of the multilayer substrate, and the multilayer substrate. The lower part having a large cross-sectional area exposed on the lower surface of each of them exhibits a rectangular shape or a circular shape similar to each other in plan view.

特開２００６−３２８０４号公報（第１〜１８頁、図１，４）JP 2006-32804 A (pages 1 to 18, FIGS. 1 and 4)

しかしながら、前記発光装置では、ＬＥＤ素子が発する熱を効果的に外部に放熱できる反面、セラミックからなる積層基板の中央部を金属製などの放熱部材が貫通するため、かかる積層基板の内部に形成すべき配線層の配置が大きな制約を受ける。このため、所要の回路が形成し難くなり、設計の自由度が低下する。しかも、積層基板の中央部に放熱部材を挿入すべく、大小の貫通孔を複数のグリーンシートに形成したり、かかる貫通孔内に放熱部材をセットし且つロウ付けするなどの工程が必要となるため、複雑な製造工程を数多く必要とする、という問題があった。   However, in the light emitting device, the heat generated by the LED element can be effectively dissipated to the outside. However, since a heat radiating member such as a metal penetrates the central portion of the ceramic multilayer substrate, it is formed inside the multilayer substrate. The layout of the power wiring layer is greatly restricted. For this reason, it becomes difficult to form a required circuit, and the degree of freedom in design decreases. In addition, in order to insert the heat radiating member into the central portion of the multilayer substrate, a process of forming large and small through holes in a plurality of green sheets or setting and brazing the heat radiating members in the through holes is required. Therefore, there is a problem that many complicated manufacturing processes are required.

本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、発光素子の搭載面を有するセラミック層を備え、上記発光素子の熱を効率良く放熱でき、且つ所要の内部配線層を容易に配置できると共に、簡単で且つ少ない工程で製造可能な配線基板を提供する、ことを課題とする。   The present invention solves the problems described in the background art, includes a ceramic layer having a mounting surface of a light emitting element, can efficiently dissipate heat of the light emitting element, and can easily arrange a required internal wiring layer. It is an object of the present invention to provide a wiring board that can be manufactured in a simple and few process.

課題を解決するための手段および発明の効果Means for Solving the Problems and Effects of the Invention

本発明は、前記課題を解決するため、発光素子の搭載面を有するセラミック層を熱伝導率の高いものを用いると共に、かかる搭載面に発光素子からの光を効果的に反射し得る導体を形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の配線基板（請求項１）は、発光素子の搭載面を有し且つ金属成分を含有するセラミック層と、上記搭載面において、その３分の２以上の面積で形成され、且つ表層にＡｇメッキ膜およびＡｕメッキ膜の少なくとも一方が被覆されている導体と、を含む、ことを特徴とする。
上記導体の面積率を搭載面の３分の２以上としたのは、導体の面積率が３分の２未満になると、搭載面に搭載する発光素子が発する光を、効率良く反射して外部に放射し難くなるので、かかる事態を防ぐためである。 In order to solve the above-mentioned problems, the present invention uses a ceramic layer having a mounting surface for a light emitting element having a high thermal conductivity, and forms a conductor that can effectively reflect light from the light emitting element on the mounting surface It was designed with the idea in mind.
That is, the wiring board of the present invention (Claim 1) is formed with a ceramic layer having a mounting surface of a light-emitting element and containing a metal component, and an area of two-thirds or more of the ceramic layer on the mounting surface. And a conductor whose surface layer is coated with at least one of an Ag plating film and an Au plating film.
The reason why the area ratio of the conductor is set to more than two-thirds of the mounting surface is that when the area ratio of the conductor is less than two-thirds, the light emitted from the light-emitting element mounted on the mounting surface is efficiently reflected to the outside. This is to prevent such a situation.

これによれば、例えば、前記導体の上に発光素子を搭載し、かかる発光素子が発する熱を、従来の放熱部材を用いることなく、金属成分を含むことで熱伝導率の高い前記セラミック層を経て、外部に効果的に放熱することができる。これに伴って、発光素子に大きな電圧をかけられるため、その発光量をより増大させることも可能となる。更に、前記セラミック層のみで基板本体を形成し得るため、従来のように放熱部材を挿入するための貫通孔のスペースが不要となり、所要の配線層を前記セラミック層の内部に自在に設計して形成できる。しかも、前記セラミック層の中央部に放熱部材を挿入すべく、大小の貫通孔を複数のグリーンシートに形成したり、かかる貫通孔内に放熱部材をセットし且つロウ付けするなどの工程が不要となるため、比較的簡単で且つ少ない工程により製作することが可能となる。   According to this, for example, the light emitting element is mounted on the conductor, and the heat generated by the light emitting element can be reduced by using the ceramic layer having a high thermal conductivity by including a metal component without using a conventional heat dissipation member. Then, heat can be effectively radiated to the outside. Accordingly, since a large voltage can be applied to the light emitting element, the amount of light emission can be further increased. Furthermore, since the substrate body can be formed only by the ceramic layer, a space for a through hole for inserting a heat radiating member is not required as in the prior art, and a required wiring layer can be freely designed inside the ceramic layer. Can be formed. In addition, in order to insert the heat dissipation member in the central portion of the ceramic layer, it is not necessary to form a large and small through hole in a plurality of green sheets, or to set and braze the heat dissipation member in the through hole. Therefore, it is possible to manufacture with relatively simple and few processes.

尚、前記金属成分を含有するセラミック層は、アルミナなどのセラミックの母相中に金属または金属酸化物（金属成分）の粉末（平均粒径１０μｍ以下）を、５〜５０ｗｔ％含有したもので、黒色を呈する。かかるセラミック層に含有される上記金属は、Ｗ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｃｕなどであり、上記金属酸化物は、Ｗ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｃｕなどの酸化物である。
また、前記導体は、前記搭載面に形成されたＷまたはＭｏのメタライズ層の表面にＮｉメッキ層を介して、ＡｇまたはＡｕメッキ層を表層に被覆したものである。かかる導体を複数とし、このうち１個の導体の表層には、Ａｇメッキ層を被覆して、発光素子を搭載し且つその光を容易に反射し、残りの導体には、表層にＡｕメッキ層を被覆し、発光素子とワイヤーボンディングする電極としても良い。
更に、前記導体は、複数個とし、これら全体の総面積が前記搭載面の３分の２以上であれば良い。
加えて、発光素子は、発光ダイオード（ＬＥＤ）のほか、半導体レーザも含み、前記セラミック層の搭載面に形成された前記導体の上に、ロウ材または樹脂層を介して搭載される。この際、複数の導体ごとの上に、発光素子を搭載しても良い。 The ceramic layer containing the metal component contains 5 to 50 wt% of a metal or metal oxide (metal component) powder (average particle size of 10 μm or less) in a ceramic matrix such as alumina. Presents a black color. The metal contained in the ceramic layer is W, Mo, Ag, Cu or the like, and the metal oxide is an oxide such as W, Mo, Ag, or Cu.
The conductor is obtained by coating the surface of a W or Mo metallization layer formed on the mounting surface with an Ag or Au plating layer on the surface via a Ni plating layer. A plurality of such conductors are formed, and the surface layer of one of the conductors is coated with an Ag plating layer, and the light emitting element is mounted and the light is easily reflected. The remaining conductors include an Au plating layer on the surface layer. It is good also as an electrode which coat | covers and wire-bonds with a light emitting element.
Furthermore, the said conductor should be made into two or more, and the total area of these whole should just be 2/3 or more of the said mounting surface.
In addition, the light emitting element includes a semiconductor laser in addition to a light emitting diode (LED), and is mounted on the conductor formed on the mounting surface of the ceramic layer via a brazing material or a resin layer. At this time, a light emitting element may be mounted on each of the plurality of conductors.

また、本発明には、前記金属成分を含有するセラミック層の前記搭載面側に積層され、当該搭載面とかかる搭載面の周辺から立ち上がる側面とからなるキャビティを形成すると共に、上記金属成分を含有するセラミック層よりも白色度が大きいセラミック層を、備えている、配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、搭載面に搭載される発光素子が発する光を、白色度が大きいセラミック層に形成された上記キャビティの側面に反射させて、外部に放射することができる。あるいは、キャビティの底面である搭載面に形成された前記導体の表層に被覆されている前記Ａｇメッキ層によって予め反射された上記光を、キャビティの側面で更に反射させて外部に放射することもできる。従って、発光素子の光を一層効果的に放射できると共に、発光素子が発する熱を、前記金属成分を含有するセラミック層を介して、効率良く外部に放熱することが可能となる。 In the present invention, the ceramic layer containing the metal component is laminated on the mounting surface side to form a cavity including the mounting surface and a side surface rising from the periphery of the mounting surface, and the metal component is contained. A wiring board (Claim 2) including a ceramic layer having a whiteness greater than that of the ceramic layer is also included.
According to this, the light emitted from the light emitting element mounted on the mounting surface can be reflected to the side surface of the cavity formed in the ceramic layer having high whiteness and radiated to the outside. Alternatively, the light reflected in advance by the Ag plating layer coated on the surface of the conductor formed on the mounting surface, which is the bottom surface of the cavity, can be further reflected on the side surface of the cavity and emitted to the outside. . Therefore, the light of the light emitting element can be emitted more effectively, and the heat generated by the light emitting element can be efficiently radiated to the outside through the ceramic layer containing the metal component.

尚、前記キャビティには、平面視が円形で且つ全体が円柱形またはほぼ円錐形、平面視が長円形で且つ全体が長円柱形またはほぼ長円錐形、あるいは平面視が楕円形で且つ全体が楕円柱形またはほぼ楕円錐形などの形態が含まれる。
また、前記キャビティの側面は、その底面である搭載面の周辺から垂直に立ち上がる垂直面のほか、斜め上方に拡がるように傾斜して立ち上がる傾斜面も含まれる。
更に、キャビティの側面には、ＷまたはＭｏのメタライズ層、Ｎｉメッキ層、およびＡｇメッキ層からなる光反射層を形成しても良い。
また、前記金属成分を含有するセラミック層は、白色度が大きい前記セラミック層よりも、熱伝導率が高い。かかる白色度は、分光測色計で測定される。
加えて、白色度が大きい前記セラミック層は、アルミナ、あるいはガラス−アルミナで構成するものである。 The cavity has a circular shape in plan view and an overall cylindrical shape or substantially conical shape, an oval shape in plan view and an overall long cylindrical shape or substantially long cone shape, or an elliptical shape in plan view and the entire shape. Forms such as an elliptic cylinder or a substantially elliptic cone are included.
Further, the side surface of the cavity includes a vertical surface that rises vertically from the periphery of the mounting surface that is the bottom surface thereof, and an inclined surface that rises obliquely so as to expand obliquely upward.
Further, a light reflecting layer comprising a W or Mo metallized layer, a Ni plated layer, and an Ag plated layer may be formed on the side surface of the cavity.
Moreover, the ceramic layer containing the metal component has higher thermal conductivity than the ceramic layer having a high whiteness. Such whiteness is measured with a spectrocolorimeter.
In addition, the ceramic layer having a high whiteness is made of alumina or glass-alumina.

付言すれば、本発明には、前記導体と前記金属成分を含有するセラミック層の裏面、またはその内部との間に、かかるセラミック層の厚み方向に沿ったビア導体が形成されている、配線基板も含まれ得る。
これによる場合、導体の上に搭載される発光素子が発する熱を一層効率良く外部に放熱することが可能となる。特に、前記金属成分を含有するセラミック層の周辺側に沿って形成する上記ビア導体は、かかるセラミック層の裏面の周辺側に形成される端子と接続することで、放熱性を更に高めることが可能となる。
尚、上記ビア導体は、例えば、ＷまたはＭｏからなり、発光素子を搭載した導体と前記金属成分を含有するセラミック層の内部またはその裏面との間に、１本または複数本が上記セラミック層に形成したビアホールに沿って形成される。 In other words, in the present invention, a via substrate is formed between the conductor and the back surface of the ceramic layer containing the metal component, or the inside thereof, along the thickness direction of the ceramic layer. May also be included.
In this case, the heat generated by the light emitting element mounted on the conductor can be radiated to the outside more efficiently. In particular, the via conductor formed along the peripheral side of the ceramic layer containing the metal component can be further improved in heat dissipation by connecting to the terminal formed on the peripheral side of the back surface of the ceramic layer. It becomes.
The via conductor is made of, for example, W or Mo, and one or a plurality of via conductors are formed on the ceramic layer between the conductor on which the light emitting element is mounted and the inside or the back surface of the ceramic layer containing the metal component. It is formed along the formed via hole.

以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明における一形態の配線基板１ａを示す平面図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図、図３は、図２中の部分拡大断面図である。 配線基板１ａは、図１，図２に示すように、平面視がほぼ正方形の表面３および裏面４と、金属成分を含有するセラミック層ｓ１と、その搭載面６（上層）側に積層し且つセラミック層ｓ１よりも白色度が大きいセラミック層ｓ２１と、表面３に開口するキャビティ５ａと、からなる基板本体２ａを備えている。
上記セラミック層ｓ１は、金属成分の金属（ＷまたはＭｏ）あるいは金属酸化物の粉末（平均粒径１０μｍ以下）を、アルミナなどのセラミックに５〜５０ｗｔ％含有したもので、黒色を呈している。かかるセラミック層ｓ１は、キャビティ５ａの底面である搭載面６を形成する上層側のセラミック層ｓ１３、中層のセラミック層ｓ１２、および基板本体２ａの裏面４を形成する下層側のセラミック層ｓ１１を積層したものである。尚、上記金属粉末の含有率が５ｗｔ％未満では、熱伝導率の向上が過少であり、一方、含有率が５０ｗｔ％を越えると、内設すべき配線層同士の間で短絡を生じるおそれがあるため、上記範囲とした。 In the following, the best mode for carrying out the present invention will be described.
1 is a plan view showing a wiring board 1a according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a vertical sectional view taken along line XX in FIG. 1, and FIG. 3 is a partially enlarged view in FIG. It is sectional drawing. As shown in FIGS. 1 and 2, the wiring board 1a is laminated on the front surface 3 and the back surface 4 that are substantially square in plan view, the ceramic layer s1 containing a metal component, and the mounting surface 6 (upper layer) side. A substrate body 2a including a ceramic layer s21 having a whiteness higher than that of the ceramic layer s1 and a cavity 5a opened on the surface 3 is provided.
The ceramic layer s1 contains 5 to 50 wt% of a metal component metal (W or Mo) or metal oxide powder (average particle size of 10 μm or less) in a ceramic such as alumina, and has a black color. The ceramic layer s1 is formed by laminating an upper ceramic layer s13 that forms the mounting surface 6 that is the bottom surface of the cavity 5a, an intermediate ceramic layer s12, and a lower ceramic layer s11 that forms the back surface 4 of the substrate body 2a. Is. When the content of the metal powder is less than 5 wt%, the improvement in thermal conductivity is insufficient. On the other hand, when the content exceeds 50 wt%, a short circuit may occur between wiring layers to be provided. Therefore, the above range was adopted.

また、前記セラミック層ｓ２１は、アルミナを主成分とし、セラミック層ｓ１よりも白色度が大であると共に、基板本体２ａの表面３およびキャビティ５ａの側面７ａが形成されている。尚、前記金属成分を含有するセラミック層ｓ１は、これよりも白色度が大きいセラミック層ｓ２１に比べて、熱伝導率が高い。
更に、図１，図２に示すように、キャビティ５ａは、その底面である平面視が円形の搭載面６と、かかる搭載面６から表面３に向かって斜めに立ち上がって傾斜するほぼ円錐形の側面７ａと、からなる。搭載面６は、前記セラミック層ｓ１における上層側のセラミック層ｓ１３の上面であり、側面７ａは、前記セラミック層ｓ２１に形成した貫通孔の内周面である。 The ceramic layer s21 is mainly composed of alumina, has a whiteness higher than that of the ceramic layer s1, and has a surface 3 of the substrate body 2a and a side surface 7a of the cavity 5a. The ceramic layer s1 containing the metal component has a higher thermal conductivity than the ceramic layer s21 having a higher whiteness.
Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the cavity 5 a has a substantially circular conical shape in which the bottom surface of the cavity 5 a is a circular mounting surface 6 and rises obliquely from the mounting surface 6 toward the surface 3. Side surface 7a. The mounting surface 6 is an upper surface of the upper ceramic layer s13 in the ceramic layer s1, and the side surface 7a is an inner peripheral surface of a through hole formed in the ceramic layer s21.

図１，図２に示すように、キャビティ５ａの搭載面６には、平面視がほぼ円形で且つ一部が直線にて欠けた比較的大きなパッド（導体）８ａと、残りの搭載面６上でパッド８ａの上記直線部分に隣接し且つ平面視がほぼ三日月形の比較的小さなパッド（導体）９ａとが形成されている。かかるパッド８ａ，９ａの総面積は、搭載面６の３分の２以上であり、且つ大きなパッド８ａ単独でも、搭載面６の３分の２以上である。
図２中のパッド９ａ付近を拡大した図３に示すように、大きなパッド８ａは、ＷまたはＭｏのメタライズ層１０の表面にＮｉメッキ層１１およびＡｇメッキ層１２を被覆したもので、表層のＡｇメッキ層１２には、図示しないロウ材を介して発光ダイオード（発光素子：以下、ＬＥＤと称する）１８が搭載される。 As shown in FIGS. 1 and 2, the mounting surface 6 of the cavity 5 a includes a relatively large pad (conductor) 8 a that is substantially circular in plan view and partially broken in a straight line, and the remaining mounting surface 6. Thus, a relatively small pad (conductor) 9a which is adjacent to the linear portion of the pad 8a and has a substantially crescent shape in plan view is formed. The total area of the pads 8a and 9a is two-thirds or more of the mounting surface 6, and the large pad 8a alone is two-thirds or more of the mounting surface 6.
As shown in FIG. 3 in which the vicinity of the pad 9a in FIG. 2 is enlarged, the large pad 8a is obtained by covering the surface of the W or Mo metallized layer 10 with the Ni plating layer 11 and the Ag plating layer 12, and the surface layer of Ag. A light emitting diode (light emitting element: hereinafter referred to as LED) 18 is mounted on the plating layer 12 via a brazing material (not shown).

一方、小さなパッド９ａは、上記同様のメタライズ層１０に、Ｎｉメッキ層１１と表層のＡｕメッキ層１３とを被覆したものであり、前記ＬＥＤ１８との間には図示しないボンディングワイヤを介して導通される。尚、パッド９ａの表層にも、Ａｕメッキ層１３に替えて、Ａｇメッキ層１２を被覆しても良い。
以上のようなパッド８ａ（９ａ）の表層におけるＡｇメッキ層１２によって、搭載面６の中央部であるパッド８ａの上に搭載されるＬＥＤ１８が発する光を反射して、キャビティ５ａから外部に放射させることができる。
尚、キャビティ５ａの前記側面７ａにも、メタライズ層１０、Ｎｉメッキ層１１、およびＡｇメッキ層１２からなる光反射層を形成しても良い。 On the other hand, the small pad 9a is obtained by coating the same metallized layer 10 with the Ni plating layer 11 and the Au plating layer 13 as the surface layer, and is electrically connected to the LED 18 via a bonding wire (not shown). The The surface layer of the pad 9a may be covered with an Ag plating layer 12 instead of the Au plating layer 13.
By the Ag plating layer 12 on the surface layer of the pad 8a (9a) as described above, the light emitted from the LED 18 mounted on the pad 8a which is the central portion of the mounting surface 6 is reflected and emitted from the cavity 5a to the outside. be able to.
A light reflecting layer made of the metallized layer 10, the Ni plating layer 11, and the Ag plating layer 12 may also be formed on the side surface 7a of the cavity 5a.

図２に示すように、セラミック層ｓ１のうち、最上層と中層のセラミック層ｓ１２，ｓ１３間には、複数の配線層１４が形成され、中層と最下層のセラミック層ｓ１１，ｓ１２間には、複数の配線層１５が形成されている。最下層のセラミック層ｓ１１の裏面４における周辺側には、複数の端子１６が形成されている。かかる配線層１４，１５、端子１６、および前記パッド８ａ，９ａの間は、セラミック層ｓ１１〜ｓ１３を貫通するビア導体ｖを介して、接続されている。
更に、セラミック層ｓ１（ｓ１１〜ｓ１３）の中央部には、ＬＥＤ１８が搭載されるパッド８ａから基板本体２ａの裏面４に達する複数のビア導体Ｖが貫通している。
尚、上記配線層１４，１５、ビア導体ｖ，Ｖ、および端子１６は、前記同様のＷまたはＭｏからなる。また、前記ビア導体Ｖの下端は、最下層のセラミック層ｓ１１の内部に位置させても良い。 As shown in FIG. 2, among the ceramic layers s1, a plurality of wiring layers 14 are formed between the uppermost and middle ceramic layers s12 and s13, and between the middle and lowermost ceramic layers s11 and s12, A plurality of wiring layers 15 are formed. A plurality of terminals 16 are formed on the peripheral side of the back surface 4 of the lowermost ceramic layer s11. The wiring layers 14 and 15, the terminal 16, and the pads 8 a and 9 a are connected via via conductors v penetrating the ceramic layers s 11 to s 13.
Furthermore, a plurality of via conductors V extending from the pad 8a on which the LED 18 is mounted to the back surface 4 of the substrate body 2a penetrates through the central portion of the ceramic layer s1 (s11 to s13).
The wiring layers 14 and 15, the via conductors v and V, and the terminal 16 are made of W or Mo as described above. The lower end of the via conductor V may be positioned inside the lowermost ceramic layer s11.

前記配線基板１ａは、以下のようにして製造した。
予め、アルミナ粉末、樹脂バインダ、溶剤などを配合してセラミックスラリを作成し、かかるセラミックスラリをドクターブレード法によって、前記セラミック層ｓ２１用のグリーンシートを製作した。別途に、上記アルミナ粉末などに対し、更に平均粒径が１０μｍ以下のＭｏ粉末を５〜５０ｗｔ％の割合で含有させたセラミックスラリを作成し、これに上記同様の方法を施して、前記セラミック層ｓ１用の金属成分含有グリーンシートを３層製作した。
次に、前記セラミック層ｓ２１用のグリーンシートに対し、ポンチと、当該ポンチの外径よりも大きな内径の受け入れ孔を有するダイとによる打ち抜き加工を施して、傾斜した内周面を有する貫通孔を穿設した。 The wiring board 1a was manufactured as follows.
A ceramic slurry was previously prepared by blending alumina powder, a resin binder, a solvent, and the like, and a green sheet for the ceramic layer s21 was manufactured from the ceramic slurry by a doctor blade method. Separately, a ceramic slurry containing 5 to 50 wt% of Mo powder having an average particle size of 10 μm or less with respect to the alumina powder or the like is prepared, and the ceramic layer is subjected to the same method as described above. Three layers of metal component-containing green sheets for s1 were produced.
Next, the green sheet for the ceramic layer s21 is punched with a punch and a die having a receiving hole having an inner diameter larger than the outer diameter of the punch to form a through hole having an inclined inner peripheral surface. Drilled.

一方、３層の金属成分含有グリーンシートに対し、細径のパンチと、ほぼ同径の受け入れ孔付きダイとによる打ち抜きを所定の位置に施して、複数のビアホールを形成した。かかるビアホール内にＭｏ粉末を含む導電性ペーストを充填して、ビア導体ｖ，Ｖを形成した。
次いで、上記３層の金属成分含有グリーンシートの表面および裏面の少なくとも一方に、前記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して、パッド８ａ，９ａ、配線層１４，１５、および端子１６を形成した。尚、前記Ｍｏ粉末に替えて、Ｗ粉末を用いても良い。
更に、上層側から、傾斜した内周面を有する貫通孔が形成されたグリーンシートと、パッド８ａ，９ａ、ビア導体ｖ，Ｖ、配線層１４，１５、および端子１６が適宜形成された３層の金属成分含有グリーンシートと、を順次積層し且つ圧着することで、前記キャビティ５ａを有するグリーンシート積層体を形成した。 On the other hand, a plurality of via holes were formed on a three-layered metal component-containing green sheet by punching at a predetermined position with a small diameter punch and a die with a receiving hole having substantially the same diameter. The via conductors v and V were formed by filling the via hole with a conductive paste containing Mo powder.
Next, the same conductive paste as described above was screen-printed on at least one of the front and back surfaces of the three-layered metal component-containing green sheet to form pads 8a and 9a, wiring layers 14 and 15, and terminals 16. Note that W powder may be used instead of the Mo powder.
Further, from the upper layer side, a green sheet in which through holes having inclined inner peripheral surfaces are formed, and three layers in which pads 8a and 9a, via conductors v and V, wiring layers 14 and 15 and terminals 16 are appropriately formed. The green sheet laminated body which has the said cavity 5a was formed by laminating | stacking one metal component containing green sheet | seat sequentially, and crimping | bonding it.

そして、前記グリーンシート積層体を所定の温度帯で焼成した後、パッド８ａ，９ａ、端子１６の表面に対し、Ｎｉメッキと、ＡｇおよびＡｕメッキの何れか一方とを被覆した。尚、キャビティ５ａの前記側面７ａにも、メタライズ層１０、Ｎｉメッキ層１１、およびＡｇメッキ層１２を形成しても良い。
その結果、前記セラミック層ｓ１，ｓ２１、キャビティ５ａ、搭載面６、パッド８ａ，９ａなどを備えた配線基板１ａを製造することができた。
尚、以上の各工程は、多数個取りの形態で行った後、前記同様に焼成し、ＡｇおよびＡｕメッキしたセラミック積層体を切断・分割して、複数の配線基板１ａを同時に製造しても良い。 And after baking the said green sheet laminated body in a predetermined temperature range, Ni plating and either one of Ag and Au plating were coat | covered on the surface of the pads 8a and 9a and the terminal 16. FIG. Note that the metallized layer 10, the Ni plating layer 11, and the Ag plating layer 12 may also be formed on the side surface 7a of the cavity 5a.
As a result, the wiring board 1a provided with the ceramic layers s1, s21, the cavity 5a, the mounting surface 6, the pads 8a, 9a, and the like could be manufactured.
Each of the above steps may be performed in the form of multiple pieces, and then fired in the same manner as described above, and a plurality of wiring boards 1a may be manufactured simultaneously by cutting and dividing the Ag and Au plated ceramic laminate. good.

以上のような配線基板１ａによれば、前記パッド８ａの上にＬＥＤ１８を搭載し、かかるＬＥＤ１８が発する熱を、金属成分を含有するセラミック層ｓ１（ｓ１１〜ｓ１３）を経て、基板本体２ａの裏面４や側面から外部に効果的に放熱できる。更に、パッド８ａからセラミック層ｓ１を貫通して基板本体２ａの裏面４に達する複数のビア導体Ｖによって、上記放熱を一層促進できる。これらに伴って、ＬＥＤ１８に大きな電圧をかけられるため、その発光量の増大も可能となる。
一方、搭載されるＬＥＤ１８が発する光は、パッド８ａ（９ａ）表層のＡｇメッキ層１２に効率良く反射させて、外部に放射させることが可能となる。尚、キャビティ５ａの前記側面７ａにも、メタライズ層１０、Ｎｉメッキ層１１、およびＡｇメッキ層１２を形成すると、ＬＥＤ１８の光を一層効率良く反射させることが可能となる。 According to the wiring substrate 1a as described above, the LED 18 is mounted on the pad 8a, and the heat generated by the LED 18 passes through the ceramic layer s1 (s11 to s13) containing the metal component, and the back surface of the substrate body 2a. 4 and heat can be effectively radiated from the side. Further, the heat dissipation can be further promoted by the plurality of via conductors V that penetrate the ceramic layer s1 from the pad 8a and reach the back surface 4 of the substrate body 2a. Along with these, a large voltage can be applied to the LED 18, so that the amount of emitted light can be increased.
On the other hand, the light emitted from the mounted LED 18 can be efficiently reflected on the Ag plating layer 12 on the surface of the pad 8a (9a) and emitted to the outside. If the metallized layer 10, the Ni plating layer 11, and the Ag plating layer 12 are also formed on the side surface 7a of the cavity 5a, the light from the LED 18 can be reflected more efficiently.

しかも、配線基板１ａは、前記セラミック層ｓ１（ｓ１１〜ｓ１３），ｓ２のみで基板本体２ａを形成するため、従来のように放熱部材を挿入するための貫通孔のスペースが不要となり、所要の配線層１４，１５をセラミック層ｓ１１〜ｓ１３の間に自在に形成できる。加えて、前記セラミック層ｓ１の中央部に放熱部材を挿入するための貫通孔を複数のグリーンシートに形成したり、かかる貫通孔内に放熱部材をセットし且つロウ付けするなどの工程が不要となるため、簡単で且つ少ない工程により製作が可能となる。   In addition, since the wiring board 1a forms the board body 2a only with the ceramic layers s1 (s11 to s13) and s2, there is no need for a space for a through hole for inserting a heat radiating member as in the prior art. The layers 14 and 15 can be freely formed between the ceramic layers s11 to s13. In addition, it is not necessary to form a through hole for inserting a heat radiating member in the central portion of the ceramic layer s1 in a plurality of green sheets, or to set and braze the heat radiating member in the through hole. Therefore, it is possible to manufacture with simple and few processes.

図４は、異なる形態の配線基板１ｂを示す平面図、図５は、図４中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った垂直断面図である。
配線基板１ｂは、図４，図５に示すように、前記同様のセラミック層ｓ１とその上層側に積層したセラミック層ｓ２２とからなる基板本体２ｂを備えている。
上層側のセラミック層ｓ２２は、基板本体２ｂの表面３およびキャビティ５ｂを形成する側面７ｂを有し、前記セラミック層ｓ２１と同様にセラミック層ｓ１よりも白色度が大きい。一方、金属成分を含有する下層側のセラミック層ｓ１は、基板本体２ｂの裏面４を有し、前記同様のＷまたはＭｏの金属粉末を含有させたもので、上層側のセラミック層ｓ２２よりも熱伝導率が高い。 FIG. 4 is a plan view showing a wiring board 1b of a different form, and FIG. 5 is a vertical sectional view taken along the line YY in FIG.
As shown in FIGS. 4 and 5, the wiring substrate 1b includes a substrate body 2b including a ceramic layer s1 similar to the above and a ceramic layer s22 laminated on the upper layer side.
The ceramic layer s22 on the upper layer side has the surface 3 of the substrate body 2b and the side surface 7b that forms the cavity 5b, and the whiteness is higher than that of the ceramic layer s1, as with the ceramic layer s21. On the other hand, the lower ceramic layer s1 containing the metal component has the back surface 4 of the substrate body 2b and contains the same metal powder of W or Mo as described above, and is hotter than the upper ceramic layer s22. High conductivity.

キャビティ５ｂは、図４，図５に示すように、平面視が円形の搭載面６と、かかる搭載面６の周辺から基板本体２ｂの表面３に向かって垂直に立設する側面７ｂとからなり、全体がほぼ円柱形を呈する。
図４，図５に示すように、搭載面６の中央部には、前記同様のパッド（導体）８ａ，９ａとが形成されており、大きなパッド８ａには、ＬＥＤ１８が搭載され、小さなパッド９ａは、前記同様に、ＬＥＤ１８との間をボンディングワイヤを介して導通される。
図５に示すように、セラミック層ｓ１には、前記同様のビア導体ｖ，Ｖ、配線層１４，１５、および端子１６が形成されている。 As shown in FIGS. 4 and 5, the cavity 5b includes a mounting surface 6 that is circular in plan view, and a side surface 7b that stands vertically from the periphery of the mounting surface 6 toward the surface 3 of the substrate body 2b. The whole has a substantially cylindrical shape.
As shown in FIGS. 4 and 5, pads (conductors) 8a and 9a similar to those described above are formed at the center of the mounting surface 6, and the LED 18 is mounted on the large pad 8a and the small pad 9a. As described above, the LED is electrically connected to the LED 18 through a bonding wire.
As shown in FIG. 5, the same via conductors v and V, wiring layers 14 and 15, and terminals 16 are formed in the ceramic layer s <b> 1.

前記配線基板１ｂは、側面７ｂを有する貫通孔を白色系グリーンシートに打ち抜き加工するほかは、前記配線基板１ａと同様な方法で製造することができた。
以上のような配線基板１ｂによっても、前記配線基板１ａと同様に、ＬＥＤ１８からの熱の優れた放熱性、これに伴うＬＥＤ１８の発光量の増大、ＬＥＤ１８が発する光の放射性、および比較的簡単で且つ少ない工数で製造できる、という効果を奏することができる。
尚、キャビティ５ｂの前記側面７ｂにも、パッド８ａと同様に、メタライズ層１０、Ｎｉメッキ層１１、Ａｇメッキ層１２からなる光反射層を形成しても良い。 The wiring board 1b could be manufactured by the same method as the wiring board 1a except that a through hole having a side surface 7b was punched into a white green sheet.
Also with the wiring board 1b as described above, like the wiring board 1a, the heat dissipation from the LED 18 is excellent, the light emission amount of the LED 18 is increased, the radiation of the light emitted from the LED 18 is relatively simple. And the effect that it can manufacture with few man-hours can be show | played.
Note that a light reflecting layer including the metallized layer 10, the Ni plating layer 11, and the Ag plating layer 12 may be formed on the side surface 7b of the cavity 5b as well as the pad 8a.

図６は、前記配線基板１ａの変形形態である配線基板１ｃを示す平面図である。
かかる配線基板１ｃも、前記セラミック層ｓ１（ｓ１１〜ｓ１３）およびセラミック層ｓ２１からなる基板本体２ａ、およびキャビティ５ａなどを備えている。かかる配線基板１ｃが前記配線基板１ａと相違するのは、図６に示すように、キャビティ５ａの底面である搭載面６に、平面視が円形且つその周縁の一部にほぼ矩形の切り欠き８ｄを有する形状の大きなパッド（導体）８ｂと、切り欠き８ｄ内に位置し且つパッド８ｂと間隔を置き平面視でほぼ矩形の小さなパッド（導体）９ｂと、が形成されていることである。かかるパッド８ｂ，９ｂ全体は、搭載面６の面積の３分の２以上を占め、パッド８ｂ単独でも、３分の２以上である。 FIG. 6 is a plan view showing a wiring board 1c which is a modification of the wiring board 1a.
The wiring substrate 1c also includes a substrate body 2a composed of the ceramic layer s1 (s11 to s13) and the ceramic layer s21, a cavity 5a, and the like. The wiring board 1c is different from the wiring board 1a in that the mounting surface 6 which is the bottom surface of the cavity 5a has a circular notch 8d in a plan view and a substantially rectangular notch 8d as shown in FIG. A large pad (conductor) 8b having a shape and a small pad (conductor) 9b which is located in the notch 8d and is spaced from the pad 8b and substantially rectangular in plan view is formed. The pads 8b and 9b as a whole occupy two-thirds or more of the area of the mounting surface 6, and the pad 8b alone is two-thirds or more.

大きなパッド８ｂも、前記同様のメタライズ層１０、Ｎｉメッキ層１１、およびＡｇメッキ層１２からなり、その中央部に搭載されるＬＥＤ１８が発する光を反射する。かかる光は、上記Ａｇメッキ層１２またはキャビティ５ａの側面７ａにも反射して、外部に放射される。一方、小さなパッド９ｂも、前記同様のメタライズ層１０、Ｎｉメッキ層１１、およびＡｕメッキ層１３またはＡｇメッキ層１２からなり、ＬＥＤ１８との間を図示しないボンディングワイヤで導通される。
尚、前記配線基板１ｂにおいて、前記キャビティ５ｂの底面である搭載面６に対し、前記パッド８ｂ，９ｂを形成しても良い。 The large pad 8b also comprises the same metallized layer 10, Ni plated layer 11, and Ag plated layer 12 as described above, and reflects the light emitted from the LED 18 mounted at the center thereof. Such light is also reflected on the Ag plating layer 12 or the side surface 7a of the cavity 5a and emitted to the outside. On the other hand, the small pad 9b also comprises the same metallized layer 10, Ni plated layer 11, Au plated layer 13 or Ag plated layer 12 as described above, and is electrically connected to the LED 18 by a bonding wire (not shown).
In the wiring board 1b, the pads 8b and 9b may be formed on the mounting surface 6 which is the bottom surface of the cavity 5b.

図７は、前記配線基板１ａ，１ｃの異なる変形形態である配線基板１ｄを示す平面図である。かかる配線基板１ｄは、前記セラミック層ｓ１（ｓ１１〜ｓ１３）および前記セラミック層ｓ２１からなり、平面視が長方形の表面３および裏面を有る基板本体２ｃを備えている。
図７に示すように、基板本体２ｃには、平面視が長円形の搭載面６ｃと、その周辺から斜めに傾斜して立ち上がるほぼ長円錐形の側面７ｃとからなるキャビティ５ｃが形成されている。かかるキャビティ５ｃの底面である搭載面６ｃには、その長軸方向に沿った一対の大きなパッド８ｃと、それらの長軸方向に沿った両端側に設けた一対の切り欠き８ｅ内ごとに前記同様のパッド９ｂが形成されている。かかるパッド８ｃ，９ｂの総面積は、搭載面６ｃの３分の２以上である。 FIG. 7 is a plan view showing a wiring board 1d which is a different modification of the wiring boards 1a and 1c. The wiring board 1d is composed of the ceramic layer s1 (s11 to s13) and the ceramic layer s21, and includes a substrate body 2c having a front surface 3 and a rear surface that are rectangular in plan view.
As shown in FIG. 7, the substrate body 2c is formed with a cavity 5c composed of an oval mounting surface 6c in plan view and a substantially conical side surface 7c rising obliquely from its periphery. . On the mounting surface 6c, which is the bottom surface of the cavity 5c, a pair of large pads 8c along the major axis direction and a pair of notches 8e provided at both ends along the major axis direction are the same as described above. The pad 9b is formed. The total area of the pads 8c and 9b is two-thirds or more of the mounting surface 6c.

各パッド８ｃは、前記同様のメタライズ層１０、Ｎｉメッキ層１１、およびＡｇメッキ層１２からなり、パッド９ｂは、前記同様のメタライズ層１０、Ｎｉメッキ層１１、Ａｕメッキ層１３またはＡｇメッキ層１２からなる。
一対のパッド８ｃの上に個別に搭載される各ＬＥＤ１８が発する光は、各パッド８ｃのＡｇメッキ層１２に反射して、外部に放射される。
尚、キャビティ５ｃの側面７ｃにも、メタライズ層１０、Ｎｉメッキ層１１、およびＡｇメッキ層１２からなる光反射層を形成しても良い。
以上のような配線基板１ｃ，１ｄは、前記配線基板１ａと同様にして製造され、前記配線基板１ａと同様にして、ＬＥＤ１８からの熱の優れた放熱性、これに伴うＬＥＤ１８の発光量の増大、ＬＥＤ１８からの光の放射性、および比較的簡単で且つ少ない工数で製造できる、という効果を奏することができる。
尚、前記配線基板１ｄのキャビティ５ｃに替えて、前記搭載面６ｃの周辺から垂直に立設する長円柱形の側面を有するキャビティを、形成しても良い。 Each pad 8c is composed of the same metallized layer 10, Ni plated layer 11, and Ag plated layer 12, and the pad 9b is the same metallized layer 10, Ni plated layer 11, Au plated layer 13 or Ag plated layer 12 as described above. Consists of.
The light emitted from each LED 18 individually mounted on the pair of pads 8c is reflected by the Ag plating layer 12 of each pad 8c and emitted to the outside.
Note that a light reflecting layer including the metallized layer 10, the Ni plating layer 11, and the Ag plating layer 12 may also be formed on the side surface 7c of the cavity 5c.
The wiring boards 1c and 1d as described above are manufactured in the same manner as the wiring board 1a, and in the same manner as the wiring board 1a, the heat dissipation from the LED 18 is excellent, and the light emission amount of the LED 18 increases accordingly. Thus, it is possible to achieve the effects of light emission from the LED 18 and that it is relatively simple and can be manufactured with a small number of man-hours.
Instead of the cavity 5c of the wiring substrate 1d, a cavity having a long cylindrical side surface standing vertically from the periphery of the mounting surface 6c may be formed.

図８は、更に異なる形態の配線基板２０ａを示す平面図、図９は、図８中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った垂直断面図、図１０は、図９中の部分拡大断面図である。
配線基板２０ａは、図８，図９に示すように、平面視がほぼ正方形を呈し、前記同様の金属成分を含有するセラミック層ｓ１（ｓ１１〜ｓ１３）とからなり、表面である搭載面２３および裏面２４を有する基板本体２１を備える。
図８〜図１０に示すように、搭載面２３には、平面視がほぼ矩形のパッド２２と、その一辺に設けた切り欠き２５内に位置し且つ平面視がほぼ矩形のパッド２６とが形成され、かかるパッド２２，２６の総面積は、搭載面３の３分の２以上である。尚、パッド２２単独の総面積も、搭載面２３の３分の２以上である。
大きなパッド２２は、図１０に示すように、前記同様のメタライズ層１０、Ｎｉメッキ層１１、および表層のＡｇメッキ層１２からなり、その中央付近には、図示しないロウ材を介してＬＥＤ１８が搭載される。 8 is a plan view showing a further different form of the wiring board 20a, FIG. 9 is a vertical sectional view taken along the line ZZ in FIG. 8, and FIG. 10 is a partially enlarged sectional view in FIG. It is.
As shown in FIGS. 8 and 9, the wiring board 20 a has a substantially square shape in plan view and is composed of ceramic layers s <b> 1 (s <b> 11 to s <b> 13) containing the same metal component as described above. A substrate body 21 having a back surface 24 is provided.
As shown in FIGS. 8 to 10, the mounting surface 23 is formed with a pad 22 that is substantially rectangular in plan view, and a pad 26 that is located in a notch 25 provided on one side and is substantially rectangular in plan view. The total area of the pads 22 and 26 is 2/3 or more of the mounting surface 3. The total area of the pad 22 alone is also more than two-thirds of the mounting surface 23.
As shown in FIG. 10, the large pad 22 is composed of the same metallized layer 10, Ni plated layer 11, and surface Ag plated layer 12, and an LED 18 is mounted near the center via a brazing material (not shown). Is done.

一方、小さなパッド２６は、前記同様のメタライズ層１０、Ｎｉメッキ層１１、および表層のＡｇメッキ層１２またはＡｕメッキ層１３とを被覆したものであり、ＬＥＤ１８との間には図示しないボンディングワイヤを介して導通される。
図９に示すように、セラミック層ｓ１には、前記同様のビア導体ｖ，Ｖ、配線層１４，１５、端子１６が形成されている。尚、図９の左側で例示するように、一部のビア導体Ｖは、大きなパッド２２の周辺部と、基板本体２１の裏面２４の周辺寄りに形成された端子１４との間を接続している。
以上のような配線基板２０ａは、前記キャビティ５ａなどを形成する工程を除いて、前記配線基板１ａなどと同様にして製造できた。 On the other hand, the small pad 26 covers the same metallized layer 10, Ni plated layer 11, surface Ag plated layer 12 or Au plated layer 13, and a bonding wire (not shown) is connected to the LED 18. Through.
As shown in FIG. 9, the same via conductors v and V, wiring layers 14 and 15 and terminals 16 are formed in the ceramic layer s1. As illustrated on the left side of FIG. 9, some of the via conductors V connect between the periphery of the large pad 22 and the terminal 14 formed near the periphery of the back surface 24 of the substrate body 21. Yes.
The wiring board 20a as described above could be manufactured in the same manner as the wiring board 1a and the like except for the step of forming the cavity 5a and the like.

前記配線基板２０ａによれば、前記パッド２２の上にＬＥＤ１８を搭載し、かかるＬＥＤ１８が発する熱を、前記セラミック層ｓ１（ｓ１１〜ｓ１３）を経て、基板本体２１の裏面２４や側面から外部に効果的に放熱できる。また、パッド２２からセラミック層ｓ１を貫通して基板本体２の裏面２４、または端子１６に達する複数のビア導体Ｖが形成されているため、上記放熱を一層促進できる。これらに伴って、ＬＥＤ１８の発光量の増大も可能となる。
更に、搭載されるＬＥＤ１８が発する光は、パッド２２（２６）表層のＡｇメッキ層１２に効率良く反射して、外部に放射させることが可能となる。
しかも、金属成分を含有するセラミック層ｓ１（ｓ１１〜ｓ１３）のみで基板本体２１を形成するため、従来の放熱部材を挿入する構造に比べ、配線層１４，１５をセラミック層ｓ１，ｓ２の間に自在に形成できる。加えて、セラミック層ｓ１に放熱部材を挿入するための貫通孔を複数のグリーンシートに形成したり、かかる貫通孔内に放熱部材をセットし且つロウ付けする工程が不要となるため、一層簡単且つ少ない工程で製作することが可能となる。 According to the wiring board 20a, the LED 18 is mounted on the pad 22, and the heat generated by the LED 18 is effected to the outside through the ceramic layer s1 (s11 to s13) from the back surface 24 and the side surface of the substrate body 21. Heat dissipation. In addition, since the plurality of via conductors V that penetrate the ceramic layer s1 from the pad 22 and reach the back surface 24 of the substrate body 2 or the terminal 16, the heat dissipation can be further promoted. Along with these, the light emission amount of the LED 18 can be increased.
Further, the light emitted from the mounted LED 18 can be efficiently reflected on the Ag plating layer 12 on the surface of the pad 22 (26) and emitted to the outside.
In addition, since the substrate body 21 is formed only by the ceramic layer s1 (s11 to s13) containing the metal component, the wiring layers 14 and 15 are interposed between the ceramic layers s1 and s2 as compared with the conventional structure in which a heat dissipation member is inserted. Can be formed freely. In addition, it is not necessary to form a through hole for inserting the heat dissipation member in the ceramic layer s1 in the plurality of green sheets or to set and braze the heat dissipation member in the through hole. It is possible to manufacture with few processes.

図１１は、前記配線基板２０ａの変形形態である配線基板２０ｂを示す平面図である。かかる配線基板２０ｂも、前記同様のセラミック層ｓ１からなる基板本体２１、配線層１４，１５、ビア導体ｖ，Ｖ、端子１６などを備えている。
配線基板２０ｂが前記配線基板２０ａと相違するのは、セラミック層ｓ１の搭載面２３に、その大半を占め且つ平面視がほぼ矩形のパッド２７と、かかるパッド２７の一辺寄りに設けた平面視が長円形の切り欠き２７ａ内に当該切り欠き２７ａの周縁と間隔を置いた小さなパッド２８と、が形成されていることである。かかるパッド２７，２８の総面積は、搭載面２３の３分の２以上である。尚、大きなパッド２７単独の総面積も、搭載面２３の３分の２以上である。
パッド２７は、前記同様のメタライズ層１０、Ｎｉメッキ層１１、および表層のＡｇメッキ層１２からなり、その中央部に搭載されるＬＥＤ１８が発する光を反射して、外部に放射させる。一方、パッド２８は、前記同様のメタライズ層１０、Ｎｉメッキ層１１、および表層のＡｇメッキ層１２またはＡｕメッキ層１３からなり、ＬＥＤ１８との間を図示しないボンディングワイヤで導通される。 FIG. 11 is a plan view showing a wiring board 20b which is a modification of the wiring board 20a. The wiring board 20b is also provided with a substrate body 21, wiring layers 14 and 15, via conductors v and V, terminals 16 and the like made of the same ceramic layer s1 as described above.
The wiring board 20b is different from the wiring board 20a in that the mounting surface 23 of the ceramic layer s1 occupies most of the wiring board 20 and has a substantially rectangular pad 27 and a plan view provided near one side of the pad 27. That is, a small pad 28 spaced from the periphery of the notch 27a is formed in the oval notch 27a. The total area of the pads 27 and 28 is 2/3 or more of the mounting surface 23. Note that the total area of the large pad 27 alone is more than two-thirds of the mounting surface 23.
The pad 27 includes the metallized layer 10, the Ni plating layer 11, and the surface Ag plating layer 12 similar to the above, and reflects and emits the light emitted from the LED 18 mounted at the center thereof to the outside. On the other hand, the pad 28 includes the metallized layer 10, the Ni plating layer 11, and the surface Ag plating layer 12 or the Au plating layer 13, and is electrically connected to the LED 18 by a bonding wire (not shown).

図１２は、前記配線基板２０ａの異なる変形形態である配線基板２０ｃを示す平面図であり、かかる配線基板２０ｃも、前記同様のセラミック層ｓ１からなる基板本体２１、配線層１４，１５、ビア導体ｖ，Ｖ、端子１６などを備えている。
かかる配線基板２０ｃが前記配線基板２０ａと相違するのは、セラミック層ｓ１の搭載面２３に、その３分の２以上を占め且つ平面視がほぼ矩形の大きなパッド２９と、かかるパッド２９の一辺に沿った搭載面２３に設けた平面視がほぼ長方形の小さなパッド３０と、が形成されていることである。かかるパッド２９，３０は、前記配線基板２０ｂのパッド２７，２８と同様である。
前記配線基板２０ｂ，２０ｃも、前記配線基板２０ａと同様に製造することができ、配線基板２０ａと同様の効果を奏することが可能である。
更に、配線基板２０ｂ，２０ｃにおいても、セラミック層ｓ１を貫通する前記ビア導体Ｖは、前記パッド２７，２９の周辺側に形成することで、基板本体２１の裏面２４に位置する複数の端子１６に直に接続させることができ、ＬＥＤ１８の熱を一層効率良く放熱することが可能となる。 FIG. 12 is a plan view showing a wiring board 20c which is a different modification of the wiring board 20a. The wiring board 20c also has the same substrate body 21, wiring layers 14 and 15, and via conductors as the ceramic layer s1. v, V, terminal 16 and the like are provided.
The wiring board 20c is different from the wiring board 20a in that the mounting surface 23 of the ceramic layer s1 occupies two-thirds or more of the large pad 29 having a substantially rectangular shape in plan view and one side of the pad 29. A small pad 30 having a substantially rectangular shape in plan view provided on the mounting surface 23 is formed. The pads 29 and 30 are the same as the pads 27 and 28 of the wiring board 20b.
The wiring boards 20b and 20c can also be manufactured in the same manner as the wiring board 20a, and the same effects as the wiring board 20a can be obtained.
Further, also in the wiring boards 20b and 20c, the via conductor V penetrating the ceramic layer s1 is formed on the peripheral side of the pads 27 and 29, so that the plurality of terminals 16 located on the back surface 24 of the board body 21 are provided. It can be directly connected, and the heat of the LED 18 can be dissipated more efficiently.

尚、本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記セラミック層ｓ１，ｓ２１，ｓ２２は、ガラス−アルミナからなる低温焼成セラミックとしても良く、かかる形態においては、前記パッド８ａ，９ａなど、ビア導体ｖ，Ｖ、配線層１４，１５、端子１６は、ＡｇまたはＣｕによって形成したり、セラミック層ｓ１の金属成分には、ＡｇまたはＣｕ粉末を用いても良い。
また、前記比較的大きなパッド８ａ〜８ｃ，２２，２７，２９には、複数の発光素子を搭載するようにしても良い。一方、比較的小さなパッド９ａ，９ｂ，２６，２８，３０は、１個パッド８ａなどの両側に一対を対称に形成しても良い。かかる形態では、ＬＥＤ１８は、樹脂層を介してパッド８ａなどに搭載される。
更に、前記配線基板１ａ〜１ｄのキャビティ５ａ〜５ｃには、それらの搭載面６にＬＥＤ１８を搭載した後に、光透過性の封止樹脂を充填・固化しても良い。 In addition, this invention is not limited to each form demonstrated above.
For example, the ceramic layers s1, s21, s22 may be a low-temperature fired ceramic made of glass-alumina. In such a form, the via conductors v, V, the wiring layers 14, 15, and the terminal 16 such as the pads 8a, 9a. May be formed of Ag or Cu, or Ag or Cu powder may be used for the metal component of the ceramic layer s1.
A plurality of light emitting elements may be mounted on the relatively large pads 8a to 8c, 22, 27, and 29. On the other hand, a pair of relatively small pads 9a, 9b, 26, 28, 30 may be formed symmetrically on both sides of one pad 8a or the like. In such a form, the LED 18 is mounted on the pad 8a or the like via a resin layer.
Further, the cavities 5a to 5c of the wiring boards 1a to 1d may be filled and solidified with a light-transmitting sealing resin after the LEDs 18 are mounted on the mounting surfaces 6 thereof.

本発明における一形態の配線基板を示す平面図。The top view which shows the wiring board of one form in this invention. 図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図。FIG. 2 is a vertical sectional view taken along line XX in FIG. 1. 図２中の部分拡大断面図。The partial expanded sectional view in FIG. 異なる形態の配線基板を示す平面図。The top view which shows the wiring board of a different form. 図４中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った垂直断面図。FIG. 5 is a vertical sectional view taken along the line Y-Y in FIG. 4. 図１，２に示す配線基板の変形形態を示す平面図。The top view which shows the deformation | transformation form of the wiring board shown to FIG. 図１，２に示す配線基板の異なる変形形態を示す平面図。The top view which shows the different deformation | transformation form of the wiring board shown to FIG. 更に異なる形態の配線基板を示す平面図。Furthermore, the top view which shows the wiring board of a different form. 図８中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った垂直断面図。FIG. 9 is a vertical sectional view taken along the line ZZ in FIG. 8. 図９中の部分拡大断面図。The partial expanded sectional view in FIG. 図８，９に示す配線基板の変形形態を示す平面図。The top view which shows the deformation | transformation form of the wiring board shown to FIG. 図８，９に示す配線基板の異なる変形形態を示す平面図。The top view which shows the different deformation | transformation form of the wiring board shown to FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１ａ〜１ｄ，２０ａ〜２０ｃ……配線基板
６，６ｃ，２３……………………搭載面
５ａ〜５ｃ…………………………キャビティ
７ａ〜７ｃ…………………………側面
８ａ〜８ｃ，２２，２７，２９…パッド（導体）
９ａ，９ｂ，２６，２８，３０…パッド（導体）
１２…………………………………Ａｇメッキ層
１３…………………………………Ａｕメッキ層
１８…………………………………ＬＥＤ（発光素子）
ｖ，Ｖ………………………………ビア導体
ｓ１(ｓ１１〜ｓ１３)……………金属成分を含有するセラミック層
ｓ２１，ｓ２２……………………白色度が大きいセラミック層 1a to 1d, 20a to 20c …… Wiring boards 6, 6c, 23 …………………… Mounting surface 5a to 5c ………………………… Cavity 7a to 7c …………………… ..... Side 8a-8c, 22, 27, 29 ... Pad (conductor)
9a, 9b, 26, 28, 30 ... Pad (conductor)
12 ... ……………………………… Ag plating layer 13 ………………………………… Au plating layer 18 ………………………………… LED ( (Light emitting element)
v, V ……………………………… Via conductor s1 (s11 to s13) …………… Ceramic layers containing metal components s21, s22 ………………… High whiteness Ceramic layer

Claims (2)

発光素子の搭載面を有し且つ金属成分を含有するセラミック層と、
上記搭載面において、その３分の２以上の面積で形成され、且つ表層にＡｇメッキ膜およびＡｕメッキ膜の少なくとも一方が被覆されている導体と、を含む、
ことを特徴とする配線基板。 A ceramic layer having a mounting surface of the light emitting element and containing a metal component;
The mounting surface includes a conductor that is formed in an area of two-thirds or more of the mounting surface and has a surface layer coated with at least one of an Ag plating film and an Au plating film,
A wiring board characterized by that. 前記金属成分を含有するセラミック層の前記搭載面側に積層され、当該搭載面とかかる搭載面の周辺から立ち上がる側面とからなるキャビティを形成すると共に、上記金属成分を含有するセラミック層よりも白色度が大きいセラミック層を、備えている、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。 The ceramic layer containing the metal component is laminated on the mounting surface side to form a cavity including the mounting surface and a side surface rising from the periphery of the mounting surface, and the whiteness is higher than the ceramic layer containing the metal component. Has a large ceramic layer,
The wiring board according to claim 1.

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