JP4846496B2 - 架橋ポリテトラフルオロエチレン樹脂とその製造方法 - Google Patents
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Description
要であり、粒径の細かい樹脂粉末のものとすることが可能で、更には特に溶媒の除去が不
要なものである。
脂を、原料であるTFEから直接、前述のPTFE粉体を生成させることができ、温度の制御を行いながらTFE原料のみを放射線照射するだけで得ることができ、特別の工程が不要で、粒径の細かい樹脂粉末のものとすることが可能で、更には特に溶媒の除去が不要である。また、得られたPTFE粉体を一旦、取り出して原料モノマーであるTFEと分離し、得られたPTFEに対して再び酸素不在下でなおかつTFEの融点以上の温度の条件で照射することにより、架橋の進行を早めることも可能である。
本発明の架橋ポリテトラフルオロエチレン樹脂は、テトラフルオロエチレンモノマーを重合して得られるポリテトラフルオロエチレンに架橋構造を付与してなるものである。
また、前記架橋ポリテトラフルオロエチレン樹脂が、Y字型の分岐を持つ高分子鎖による網目構造を有するのが好ましい。Y字型の分岐を持つ高分子鎖の詳細は、以下のとおりである。
そして、本発明の架橋PTFE樹脂は、新規なパーフルオロ樹脂として成形加工品原料としての利用や、添加剤としての利用が期待される。またその他のフッ素樹脂や多種多様な高分子樹脂と混合することにより、新規な成形加工品原料として利用されることも期待される。
本発明の製造方法は、テトラフルオロエチレンモノマーを融点以下の温度における固相状態とし、固相状態のテトラフルオロエチレンモノマーに電離性放射線を照射する放射線照射工程を行うことを特徴とする。
〔放射線照射工程〕
放射線は、照射時の酸化を防止するため酸索不在下すなわち真空中もしくは不活性ガス雰囲気(窒案、アルゴン、ヘリウムなど)においてTFEに照射するのが好ましい。また、放射線の照射は、この種の放射線による重合に際して用いられる手法を特に制限なく用いて行うことができる。用いられる放射線としては、電子線、X線、中性子、高エネルギーイオンなどが挙げられる。
上記放射線照射工程における放射線の線量は、10〜1000kGyであるのが、十分に架橋構造による特長を発現させるためには20kGy以上とするのが好ましい。
次に、上記放射線照射工程以外に行うことができる工程について説明する。
〔再照射工程〕
本発明においては、上記放射線照射工程以外の工程として、上記放射線照射工程の後、未反応のテトラフルオロエチレンモノマーを分離・除去した後に、分離されたポリテトラフルオロエチレンにテトラフルオロエチレンモノマーの融点以上の温度、望ましくは-78〜30℃(室温)で、かつ酸素濃度10-2torr以下、望ましくは10-2〜10-5torrとした状態において再び電離性放射線を照射する、再照射工程を行うのが好ましい。
上記「分離されたポリテトラフルオロエチレン」には、放射線照射工程により架橋されたものと架橋されていないものとの両者を含む。
〔前処理工程・後処理工程〕
本発明においては、上記放射線照射工程の前に、TFEの固相化等の前処理工程を行うことができる。また、上記放射線照射工程又は上記再照射工程の後に、精製工程などの後処理工程を行うこともできる。
[実施例1]
真空ラインに接続したTFEボンベから、同真空ラインに接続して液体窒素により-196℃に冷却したガラスアンプルに約2mlのTFEを導入し、その後、10-4torrまで十分に凍結脱気を行い、ガラスアンプルを封じ切った。同様の操作を数回行い複数のTFEが封入されたガラスアンプルを得た。これらのガラスアンプルを液体窒素で-196℃に冷却しTFEを固相状態に保持した状態で、コバルト60によるガンマ線を10、20、104、182、400、700および1000kGyそれぞれ照射した。ガンマ線の照射線量率は2.6kGy/hで行った。照射が終了し、ガラスアンプルをTFEの融点直上まで昇温してTFEを取り除き、重合した後に熱履歴を経ていない状態の架橋PTFE樹脂の粉体の熱特性を調べた。熱特性の分析にはパーキンエルマー製のDiamond DSCを使用し、窒素雰囲気中で昇温速度:10℃/minにより行った。結晶融解温度および結晶化熱量は、DSC(熱分析装置)による一回目の測定結果(1st run)により評価した。
TFEが封入されたガラスアンプルを-158℃に冷却し、コバルト60によるガンマ線を20、104、182、400および700kGyそれぞれ照射した以外は、実施例1と同様にして、架橋PTFE樹脂を得、得られた架橋PTFE樹脂の粉体について実施例1と同様に熱分析を行った。
TFEが封入されたガラスアンプルをドライアイスとメタノールの混合冷媒で-78℃に冷却しTFEを液相状態とし、コバルト60によるガンマ線を20、104および182kGyそれぞれ照射した以外は、実施例1と同様にして、架橋PTFE樹脂を得、得られた架橋PTFE樹脂の粉体について実施例1と同様に熱分析を行った。
TFEが封入されたガラスアンプルを25℃において液相状態とし、コバルト60によるガンマ線を20、104および182kGyそれぞれ照射した以外は、実施例1と同様にして、架橋PTFE樹脂を得、得られた架橋PTFE樹脂の粉体について実施例1と同様に熱分析を行った。
実施例1で20、および182kGy照射して得たPTFEを未反応のTFEと分離し、未反応のTFEを除去した。分離して得られたPTFEを再びガラスアンプルに入れ、10-4torrまで十分に脱気した後ガラスアンプルを封じ切った。同様の操作を数回行い、複数の試料が封入されたガラスアンプルを得た。ここでTFEの分離は、TFEの融点直上の温度で行った。TFEの融点直上の温度でTFEを分離する理由は、照射後の重合(ポストポリメリゼーション)を抑制するためである。その後、25℃、-78℃および-196℃の各温度条件下においてコバルト60によるガンマ線を20、182および400kGyそれぞれ照射し(再照射工程)、架橋PTFE樹脂を得た。
(1)実施例1で-196℃においてガンマ線を700kGy照射して得られたPTFE粉体を走査型電子顕微鏡により観察した。観測写真を図1に示す。測定はJEOL JSM-6700Fにより加速電圧10kVで行った。観察の結果、得られたPTFE粉体の平均粒径は1〜10μm程度であり、大部分は2〜5μm程度であった。
(2)実施例1で-196℃の固相状態において700kGy照射して得られたPTFEと市販のPTFE粉体の19F HS MAS NMRによる解析結果を図2に示す。市販のPTFEにおいては-CF2-CF 2 -CF2-(下線のあるフッ素原子が観測対象。以下、同じ)に帰属される-121.9ppmが唯一のピークである(90.5、15.7、-228.1および334.1は同ピークのスピニングサイドバンド)。
(3)実施例1および2において得られたPTFE粉体の収率(仕込みモノマーに対するPTFE粉体の生成量)を図3に示す。なお収率は次式により求めた。
収率=(生成したPTFE粉体の重量)/(仕込みモノマーの重量)×100
(4)実施例1および2の結果から、本発明の製造方法における上記放射線照射工程を行うと、放射線線量の増加に伴い、結晶融解温度が低下しなおかつ結晶化熱量も減少する。つまり固相状態での照射により架橋構造が形成され、PTFEの結晶化度が低下し、低結晶性のPTFEが得られることを示している。
Claims (7)
- テトラフルオロエチレンモノマーを融点以下の温度における固相状態とし、固相状態の該テトラフルオロエチレンモノマーに電離性放射線を照射する放射線照射工程を行うことを特徴とする架橋ポリテトラフルオロエチレン樹脂の製造方法。
- 上記放射線照射工程の後、未反応のテトラフルオロエチレンモノマーを分離・除去し、得られたポリテトラフルオロエチレンにテトラフルオロエチレンモノマーの融点以上の温度でかつ酸素濃度10-2torr以下とした状態において再び電離性放射線を照射する、再照射工程を行うことを特徴とする請求項1記載の架橋ポリテトラフルオロエチレン樹脂の製造方法。
- 上記放射線照射工程における放射線を照射する際の温度が-142.5℃以下である請求項1に記載の方法。
- 上記放射線照射工程における放射線の線量が10〜1000kGyである請求項1に記載の方法。
- 上記再照射工程における放射線の線量が10〜1000kGyである請求項2に記載の方法。
- 前記樹脂の平均粒径が10μm以下の粉末状であることを特徴とする諸求項1あるいは2に記載の方法。
- 前記架橋構造は、
で示されるいずれか1種以上のY字型の分岐を持つ高分子鎖による網目構造である、請求項1あるいは2に記載の方法。
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