JP4845491B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
半導体装置の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4845491B2 JP4845491B2 JP2005341427A JP2005341427A JP4845491B2 JP 4845491 B2 JP4845491 B2 JP 4845491B2 JP 2005341427 A JP2005341427 A JP 2005341427A JP 2005341427 A JP2005341427 A JP 2005341427A JP 4845491 B2 JP4845491 B2 JP 4845491B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- insulating layer
- film
- region
- electrode layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 268
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 205
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 92
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 88
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 25
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 19
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 17
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 16
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 12
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical group FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1145
- 239000010408 film Substances 0.000 description 285
- 239000000463 material Substances 0.000 description 190
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 175
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 84
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 63
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 59
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 45
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 45
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 41
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 41
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 38
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 37
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 description 36
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 35
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 35
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 33
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 32
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 30
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 28
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 28
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 27
- -1 dicyclopentane Chemical compound 0.000 description 27
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 26
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 26
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 25
- 230000006870 function Effects 0.000 description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 20
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 17
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 17
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 16
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 15
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 14
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 13
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 13
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 13
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 13
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 12
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 12
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 11
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 11
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 6
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 6
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 6
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 6
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 5
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 5
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 5
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 5
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 4
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 4
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 4
- 230000036541 health Effects 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 4
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 4
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 4
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 4
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-(dimethylamino)styryl)-4H-pyran Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 3
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 150000005072 1,3,4-oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001780 ECTFE Polymers 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004813 Perfluoroalkoxy alkane Substances 0.000 description 2
- 229920000282 Poly(3-cyclohexylthiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000291 Poly(9,9-dioctylfluorene) Polymers 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N boranylidynenickel Chemical compound [Ni]#B QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N durene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C=C1C SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 2
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920011301 perfluoro alkoxyl alkane Polymers 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- PRAKJMSDJKAYCZ-UHFFFAOYSA-N squalane Chemical compound CC(C)CCCC(C)CCCC(C)CCCCC(C)CCCC(C)CCCC(C)C PRAKJMSDJKAYCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N (e)-2-(2-methyl-6-(2-(1,1,7,7-tetramethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydropyrido[3,2,1-ij]quinolin-9-yl)vinyl)-4h-pyran-4-ylidene)malononitrile Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMRMDGSNYHCUCL-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichloro-1,1,2-trifluoroethane Chemical compound FC(Cl)C(F)(F)Cl YMRMDGSNYHCUCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZJJMHGIQXXGSA-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichloro-1,1,2-trifluoroethane;ethene Chemical group C=C.FC(Cl)C(F)(F)Cl QZJJMHGIQXXGSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNILPZLJSRHNPD-UHFFFAOYSA-N 3,4-dicyclohexylthiophene Chemical compound C1CCCCC1C1=CSC=C1C1CCCCC1 LNILPZLJSRHNPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEWTUGLUENRXFN-UHFFFAOYSA-N 3-(4-octylphenyl)-2-thiophen-2-ylthiophene Chemical compound C1=CC(CCCCCCCC)=CC=C1C1=C(C=2SC=CC=2)SC=C1 YEWTUGLUENRXFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHMILGIDWWDNMF-UHFFFAOYSA-N 3-(4-octylphenyl)thiophene Chemical compound C1=CC(CCCCCCCC)=CC=C1C1=CSC=C1 CHMILGIDWWDNMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- SCZWJXTUYYSKGF-UHFFFAOYSA-N 5,12-dimethylquinolino[2,3-b]acridine-7,14-dione Chemical compound CN1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3N(C)C1=C2 SCZWJXTUYYSKGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXGIRTCIFPJUEQ-UHFFFAOYSA-N 9-anthracen-9-ylanthracene Chemical group C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C(C=3C4=CC=CC=C4C=C4C=CC=CC4=3)=C21 SXGIRTCIFPJUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N C545T Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC=4C=C5C6=C(C=4OC3=O)C(C)(C)CCN6CCC5(C)C)=NC2=C1 MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016978 MnOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 239000003905 agrochemical Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical class [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical class C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000013361 beverage Nutrition 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- OLLFKUHHDPMQFR-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](O)(O)C1=CC=CC=C1 OLLFKUHHDPMQFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKMIWBZIQAAZBD-UHFFFAOYSA-N diindenoperylene Chemical compound C12=C3C4=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=CC=C3C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=C4C1=C32 BKMIWBZIQAAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical compound FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002483 hydrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012229 microporous material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- JXTPJDDICSTXJX-UHFFFAOYSA-N n-Triacontane Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC JXTPJDDICSTXJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical class N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229940032094 squalane Drugs 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)F JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
本発明の実施の形態について、図1及び図2を用いて説明する。
本実施の形態では、単結晶半導体基板を用いてMOSトランジスタを、またMOSトランジスタを有する多層配線構造を形成する工程を、図3及び図4を用いて説明する。
図25(A)は本発明に係る表示パネルの構成を示す上面図であり、絶縁表面を有する基板2700上に画素2702をマトリクス上に配列させた画素部2701、走査線側入力端子2703、信号線側入力端子2704が形成されている。画素数は種々の規格に従って設ければ良く、XGAであってRGBのフルカラー表示の場合の画素数は1024×768×3個とすれば良い。同様に、UXGAであってRGBのフルカラー表示の場合あれば1600×1200×3個、フルスペックハイビジョンであってRGBのフルカラー表示に対応させるのであれば1920×1080×3個とすれば良い。
次に、非晶質半導体膜306を加熱して、結晶性半導体膜309を形成する。この場合、結晶化は半導体の結晶化を助長する金属元素が接した半導体膜の部分でシリサイドが形成され、それを核として結晶化が進行する。ここでは、脱水素化のための熱処理の後、結晶化のための熱処理(550℃〜750℃で3分〜24時間)を行う。また、RTA、GRTAにより結晶化を行っても良い。ここで、加熱にレーザ光照射を行わず結晶化すると、結晶性のばらつきを低減することが可能であり、後に形成されるTFTのばらつきを抑制することが可能である。本実施の形態では、550℃で8時間加熱処理を行い、結晶性半導体膜309を形成する。
本発明の実施の形態について、図12乃至図14を用いて説明する。より詳しくは、本発明を適用した、実施の形態3で形成した逆スタガ型の薄膜トランジスタを有する表示装置の作製方法について説明する。図12は表示装置画素部の上面図であり、図13は、図12における線E−F、線G−H、図14(A)における線I−Jによる断面図である。図14(A)も表示装置の上面図であり、図14(B)は、図14(A)における線O−P(U−Wを含む)による断面図である。なお表示素子として液晶材料を用いた液晶表示装置の例を示す。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
本発明を適用して薄膜トランジスタを形成し、該薄膜トランジスタを用いて表示装置を形成することができるが、発光素子を用いて、なおかつ、該発光素子を駆動するトランジスタとしてnチャネル型トランジスタを用いた場合、該発光素子から発せられる光は、下面放射、上面放射、両面放射のいずれかを行う。ここでは、いずれの場合に応じた発光素子の積層構造について、図16を用いて説明する。
次に、実施の形態3乃至5によって作製される表示パネルに駆動用のドライバ回路を実装する態様について説明する。
本発明の表示装置に具備される保護回路の一例について説明する。
本実施の形態で示す表示パネルの画素の構成について、図17に示す等価回路図を参照して説明する。本実施の形態では、画素の表示素子として発光素子(EL素子)を用いる例を示す。
本実施の形態を図11を用いて説明する。図11は、本発明を適用して作製されるTFT基板2800を用いてEL表示モジュールを構成する一例を示している。図11において、TFT基板2800上には、画素により構成された画素部が形成されている。
本実施の形態を図15(A)及び図15(B)を用いて説明する。図15(A)、図15(B)は、本発明を適用して作製されるTFT基板2600を用いて液晶表示モジュールを構成する一例を示している。
本発明によって形成される表示装置によって、テレビジョン装置を完成させることができる。図21はテレビジョン装置の主要な構成を示すブロック図を示している。表示パネルには、図25(A)で示すような構成として画素部601のみが形成されて走査線側駆動回路603と信号線側駆動回路602とが、図22(B)のようなTAB方式により実装される場合と、図22(A)のようなCOG方式により実装される場合と、図25(B)に示すようにTFTを形成し、画素部601と走査線側駆動回路603を基板上に一体形成し信号線側駆動回路602を別途ドライバICとして実装する場合、また図25(C)のように画素部601と信号線側駆動回路602と走査線側駆動回路603を基板上に一体形成する場合などがあるが、どのような形態としても良い。
本発明を適用して、様々な表示装置を作製することができる。即ち、それら表示装置を表示部に組み込んだ様々な電子機器に本発明を適用できる。
(実施の形態13)
30 TFT基板
32 シール材
33 液晶
34 バリア層
35 マーカー
40 制御装置
41 マーカー
42 撮像手段
43 ヘッド
90 プロセッサチップ
91 プロセッサチップ
93 プロセッサチップ
94 プロセッサチップ
95 プロセッサチップ
96 プロセッサチップ
97 プロセッサチップ
100 基板
101 配線層
102 絶縁層
103 絶縁層
104 絶縁層
105a マスク層
105b マスク層
106 開口部
107a マスク層
107b マスク層
107c マスク層
108a 開口部
108b 開口部
109a 低ぬれ性領域
109b 低ぬれ性領域
109c 低ぬれ性領域
110a 導電層
110b 導電層
111a 配線層
111b 配線層
112a 液滴吐出装置
112b 液滴吐出装置
121a 導電層
121b 導電層
122 絶縁層
123 孔
124 絶縁層
125 孔
150 基板
151a 素子分離領域
151b 素子分離領域
151c 素子分離領域
152a ゲート絶縁層
152b ゲート絶縁層
153a ゲート電極層
153b ゲート電極層
154a サイドウォール
154b サイドウォール
154c サイドウォール
154d サイドウォール
155a ソース領域又はドレイン領域
155b ソース領域又はドレイン領域
155c ソース領域又はドレイン領域
155d ソース領域又はドレイン領域
156a ソース領域又はドレイン領域
156b ソース領域又はドレイン領域
156c ソース領域又はドレイン領域
156d ソース領域又はドレイン領域
157 絶縁層
158a マスク層
158b マスク層
158c マスク層
158d マスク層
158e マスク層
159a 開口部
159b 開口部
159c 開口部
159d 開口部
160 液滴吐出法
161a 低ぬれ性領域
161b 低ぬれ性領域
161c 低ぬれ性領域
161d 低ぬれ性領域
161e 低ぬれ性領域
162a 導電層
162b 導電層
162c 導電層
162d 導電層
163a ソース電極層又はドレイン電極層
163b ソース電極層又はドレイン電極層
163c ソース電極層又はドレイン電極層
163d ソース電極層又はドレイン電極層
165 絶縁層
166 絶縁層
167 絶縁層
168a 低ぬれ性領域
168b 低ぬれ性領域
168c 低ぬれ性領域
168d 低ぬれ性領域
168e 低ぬれ性領域
169 液滴吐出法
170a MOSトランジスタ
170b MOSトランジスタ
171a 導電層
171b 導電層
171c 導電層
171d 導電層
172a 配線層
172b 配線層
172c 配線層
172d 配線層
180 絶縁層
181 絶縁層
182 絶縁層
200 基板
221 偏光板
222 絶縁層
223 絶縁層
224 配線層
225 画素電極層
226 絶縁層
230 絶縁膜
231 ソース電極層又はドレイン電極層
232 容量配線層
233 ゲート配線層
235 nチャネル型薄膜トランジスタ
236 pチャネル型薄膜トランジスタ
237 nチャネル型薄膜トランジスタ
237 薄膜トランジスタ
244 液晶層
245 絶縁層
246 導電体層
247 着色層
248 対向基板
250 偏光板
251 シール材
252 端子電極層
253 異方性導電膜
254 FPC
260 画素領域
261a 走査線駆動領域
261b 走査線駆動領域
262 信号線駆動回路
275 スペーサ
300 基板
301 ゲート電極層
302 ゲート電極層
303 ゲート電極層
304 第1の電極層
305a ゲート絶縁層
305b ゲート絶縁層
306 非晶質半導体膜
307 金属膜
308 n型を有する半導体膜
309 結晶性半導体膜
310 結晶性半導体膜
311 n型を有する半導体膜
312 半導体層
313 半導体層
314 半導体層
315 n型を有する半導体層
316 n型を有する半導体層
317 n型を有する半導体層
318a マスク層
318b マスク層
318c マスク層
318d マスク層
319 p型を付与する不純物元素
320a p型の不純物領域
320b p型の不純物領域
321 導電層
322 導電層
324a n型を有する半導体層
324b n型を有する半導体層
325a p型を有する半導体層
325b p型を有する半導体層
326 n型を有する半導体層
327a ソース電極層又はドレイン電極層
327b ソース電極層又はドレイン電極層
327c ソース電極層又はドレイン電極層
328 ソース電極層又はドレイン電極層
330 絶縁膜
335 nチャネル型薄膜トランジスタ
336 pチャネル型薄膜トランジスタ
337 nチャネル型薄膜トランジスタ
338 容量素子
339 絶縁層
340a 開口部
340b 開口部
340c 開口部
340d 開口部
341 配線層
342 ゲート配線層
343 絶縁層
344 電界発光層
345 第2の電極層
346 充填剤
347 封止基板
348 シール材
352 端子電極層
353 異方性導電膜
354 FPC
360a ゲート電極層
360b ゲート電極層
361 半導体層
362 n型を有する半導体層
363 導電層
364 nチャネル型薄膜トランジスタ
365a n型を有する半導体層
365b n型を有する半導体層
366a ソース電極層又はドレイン電極層
366b ソース電極層又はドレイン電極層
366c ソース電極層又はドレイン電極層
367 ゲート配線層
370 導電層
371 半導体層
372 半導体層
373 半導体層
375 半導体層
380a 液滴吐出装置
380b 液滴吐出装置
380c 液滴吐出装置
381 絶縁層
382a マスク層
382b マスク層
382c マスク層
382d マスク層
382e マスク層
382f マスク層
383a 低ぬれ性領域
383b 低ぬれ性領域
383c 低ぬれ性領域
383d 低ぬれ性領域
383e 低ぬれ性領域
383f 低ぬれ性領域
384a 導電層
384b 導電層
384c 導電層
385a 液滴吐出法
385b 液滴吐出法
385c 液滴吐出法
386 ソース電極層又はドレイン電極層
390 画素領域
391a 走査線駆動領域
391b 走査線駆動領域
392 信号線駆動回路
393 接続領域
460 基板
461 薄膜トランジスタ
462 配線層
463 第1の電極層
464 電界発光層
465 第2の電極層
470 基板
471 薄膜トランジスタ
472 第1の電極層
473 電界発光層
474 第2の電極層
475 配線層
480 基板
481 薄膜トランジスタ
484 第1の電極層
485 電界発光層
486 第2の電極層
487a ソース電極層又ドレイン電極層
487b ソース電極層又ドレイン電極層
488 配線層
493 ゲート電極層
494 半導体層
495a n型を有する半導体層
495b n型を有する半導体層
496 チャネル保護層
497 ゲート絶縁膜
498 絶縁層
499 絶縁層
601 画素部
602 信号線側駆動回路
603 走査線側駆動回路
604 チューナ
605 映像信号増幅回路
606 映像信号処理回路
607 コントロール回路
608 信号分割回路
609 音声信号増幅回路
610 音声信号処理回路
611 制御回路
612 入力部
613 スピーカー
701 TFT
702 容量素子
703 TFT
704 TFT
705 発光素子
706 TFT
710 信号線
711 電源線
712 電源線
713 電源線
714 走査線
715 電源線
716 走査線
741 TFT
742 容量素子
743 TFT
744 発光素子
745 TFT
750 信号線
751 電源線
752 電源線
753 走査線
754 走査線
800 電極層
801 電極層
802 第3の層
803 第2の層
804 第1の層
805 電極層
806 電極層
807 電極層
850 第2の電極層
860 電界発光層
870 第1の電極層
1001 半導体基板
1002 絶縁膜
1003 第1配線
1004 層間絶縁膜
1005 エッチング停止絶縁膜
1006 配線間絶縁膜
1007 レジスト膜
1009 溝
1010 レジスト膜
1012 接続孔
1023 銅
1024 接続プラグ部
1025 第2配線
1400 基板
1403 液滴吐出手段
1404 撮像手段
1405 ヘッド
1406 点線
1407 制御手段
1408 記憶媒体
1409 画像処理手段
1410 コンピュータ
1411 マーカー
1412 ヘッド
1413 材料供給源
1414 材料供給源
2001 筐体
2002 表示用パネル
2003 主画面
2004 モデム
2005 受信機
2006 リモコン装置
2007 表示部
2008 サブ画面
2009 スピーカー部
2010 筐体
2011 表示部
2012 リモコン装置
2013 スピーカー部
2101 本体
2102 筐体
2103 表示部
2104 キーボード
2105 外部接続ポート
2106 ポインティングマウス
2201 本体
2202 筐体
2203 表示部A
2204 表示部B
2205 記憶媒体読み込み部
2206 操作キー
2207 スピーカー部
2301 本体
2302 音声出力部
2303 音声入力部
2304 表示部
2305 操作スイッチ
2306 アンテナ
2401 本体
2402 表示部
2403 筐体
2404 外部接続ポート
2405 リモコン受信部
2406 受像部
2407 バッテリー
2408 音声入力部
2409 接眼部
2410 操作キー
2600 TFT基板
2601 対向基板
2602 シール材
2603 画素部
2604 液晶層
2605 着色層
2606 偏光板
2607 偏光板
2608 駆動回路
2609 フレキシブル配線基板
2610 冷陰極管
2611 反射板
2612 回路基板
2613 レンズフィルム
2700 基板
2701 画素部
2702 画素
2703 走査線側入力端子
2704 信号線側入力端子
2713 保護回路
2750 FPC
2751 ドライバIC
2800 TFT基板
2801 保護回路部
2802 TFT
2803 TFT
2804 発光素子
2805 発光素子
2806a スペーサ
2806b スペーサ
2807a 着色層
2807b 着色層
2807c 着色層
2809 駆動回路
2810 配線基板
2811 外部回路基板
2812 放熱板
2813 ヒートパイプ
2815 発光素子
2820 封止基板
2910a 赤色光源
2910b 緑色光源
2910c 青色光源
2912 制御部
3700 基板
3701 画素部
3702 走査線側駆動回路
3704 信号線側入力端子
4700 ガラス基板
4701 画素部
4702 走査線駆動回路
4704 信号線駆動回路
7210 容量素子
7220 pチャネル型薄膜トランジスタ
7230 pチャネル型薄膜トランジスタ
7240 容量素子
7250 抵抗素子
7260 ダイオード
7270 ダイオード
7280 抵抗
7290 抵抗
7300 nチャネル型薄膜トランジスタ
7310 pチャネル型薄膜トランジスタ
7320 nチャネル型薄膜トランジスタ
7350 TFT
7360 TFT
7370 TFT
7380 TFT
9301 カバー材
9302 カバー材
9303 薄膜集積回路
9304 アンテナ
9311 絶縁層
9312 バリア膜
9320 接着剤
9321 絶縁層
9323 配線層
Claims (4)
- 第1の導電層を形成し、
前記第1の導電層上に多孔質の第1の絶縁層を形成し、
前記第1の絶縁層上に多孔質の第2の絶縁層を形成し、
前記第2の絶縁層上に第1の開口部を有する第1のマスク層を形成し、
前記第1のマスク層を介して、前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層をエッチングすることにより、前記第1の導電層に達し、側面に前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層が有する孔の断面を有する第2の開口部を前記第1の開口部の位置に形成し、
前記第1のマスク層を除去した後、前記第2の開口部と重なる位置に、前記第2の開口部よりも開口面積が広い第3の開口部を有し、且つ、導電性材料を含む組成物に対して前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層よりもぬれ性の低い第2のマスク層を前記第2の絶縁層上に形成し、
前記第1の絶縁層上面の一部が露出するように前記第2の絶縁層をエッチングし、側面に前記第2の絶縁層が有する孔の断面を有する第4の開口部を前記第3の開口部の位置に形成し、
前記第2のマスク層が設けられた状態で前記第2の開口部及び前記第4の開口部に前記導電性材料を含む組成物を選択的に吐出し、第2の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、前記第2のマスク層は、フッ化炭素基を含む物質を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 第1の導電層を形成し、
前記第1の導電層上に多孔質の第1の絶縁層を形成し、
前記第1の絶縁層上に多孔質の第2の絶縁層を形成し、
前記第2の絶縁層上に第1の開口部を有する第1のマスク層を形成し、
前記第1のマスク層を介して、前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層をエッチングすることにより、前記第1の導電層に達し、側面に前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層が有する孔の断面を有する第2の開口部を前記第1の開口部の位置に形成し、
前記第1のマスク層を除去した後、前記第2の開口部と重なる位置に、前記第2の開口部よりも開口面積が広い第3の開口部を有する第2のマスク層を前記第2の絶縁層上に形成し、
前記第1の絶縁層上面の一部が露出するように前記第2の絶縁層をエッチングし、側面に前記第2の絶縁層が有する孔の断面を有する第4の開口部を前記第3の開口部の位置に形成し、
前記第2のマスク層にプラズマ処理を行い、導電性材料を含む組成物に対するぬれ性を前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層よりも低下させ、
前記第2のマスク層が設けられた状態で前記第2の開口部及び前記第4の開口部に前記導電性材料を含む組成物を選択的に吐出し、第2の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項3において、前記プラズマ処理はフッ素を含むガス雰囲気中で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005341427A JP4845491B2 (ja) | 2004-11-30 | 2005-11-28 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004347839 | 2004-11-30 | ||
JP2004347839 | 2004-11-30 | ||
JP2005341427A JP4845491B2 (ja) | 2004-11-30 | 2005-11-28 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006186332A JP2006186332A (ja) | 2006-07-13 |
JP2006186332A5 JP2006186332A5 (ja) | 2008-12-18 |
JP4845491B2 true JP4845491B2 (ja) | 2011-12-28 |
Family
ID=36739172
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005341427A Expired - Fee Related JP4845491B2 (ja) | 2004-11-30 | 2005-11-28 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4845491B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150002341A (ko) * | 2013-06-28 | 2015-01-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5372337B2 (ja) | 2007-03-27 | 2013-12-18 | 住友化学株式会社 | 有機薄膜トランジスタ基板及びその製造方法、並びに、画像表示パネル及びその製造方法 |
JP5435907B2 (ja) * | 2007-08-17 | 2014-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
GB2455747B (en) * | 2007-12-19 | 2011-02-09 | Cambridge Display Tech Ltd | Electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques |
GB0819449D0 (en) * | 2008-10-23 | 2008-12-03 | Cambridge Display Tech Ltd | Display drivers |
JP5314616B2 (ja) * | 2010-02-08 | 2013-10-16 | 富士フイルム株式会社 | 半導体素子用基板の製造方法 |
JP5866783B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2016-02-17 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板の製造方法 |
KR102531673B1 (ko) * | 2016-04-07 | 2023-05-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
EP3863059B1 (de) * | 2020-02-04 | 2024-07-31 | Siemens Healthineers AG | Perowskit-basierte detektoren mit erhöhter adhäsion |
JP7449790B2 (ja) | 2020-06-24 | 2024-03-14 | 株式会社アルバック | 金属配線の形成方法及び金属配線の構造体 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3071810B2 (ja) * | 1990-09-14 | 2000-07-31 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP4778660B2 (ja) * | 2001-11-27 | 2011-09-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2003273111A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Seiko Epson Corp | 成膜方法及びその方法を用いて製造したデバイス、並びにデバイスの製造方法 |
JP4543617B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2010-09-15 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造装置、電気光学装置の製造装置、及び電気機器の製造装置 |
-
2005
- 2005-11-28 JP JP2005341427A patent/JP4845491B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150002341A (ko) * | 2013-06-28 | 2015-01-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102042532B1 (ko) * | 2013-06-28 | 2019-11-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006186332A (ja) | 2006-07-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4777078B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP4700484B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
KR101139714B1 (ko) | 반도체 장치 제조 방법, 다이오드 및 표시 장치 | |
US7985677B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
US7687326B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
US7582904B2 (en) | Semiconductor device, display device and method for manufacturing thereof, and television device | |
KR101261222B1 (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
US9356152B2 (en) | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device | |
JP4845491B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP5036241B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP5210594B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP5110785B2 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
JP4777203B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2006237587A (ja) | 半導体装置、電子機器、及び半導体装置の作製方法 | |
JP5171003B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5089036B2 (ja) | 半導体装置の作製方法及び発光装置の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081031 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081031 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101022 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101102 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110906 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110913 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111004 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111011 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141021 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141021 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |