JP4840813B2 - Semiconductor manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、半導体ウエハの液体による処理に関する。 The present invention relates to processing a semiconductor wafer with a liquid.
半導体装置の製造においては、半導体ウエハを加工し、半導体ウエハ表面上に集積回路などの素子を形成する。その半導体装置の製造の過程において、液体による処理、例えば、洗浄、ウェットエッチングなどが行われる。以下に、ウエハ上に付着したパーティクルを除去するためにウエハ1枚毎に洗浄する一般的な技術について説明する。 In manufacturing a semiconductor device, a semiconductor wafer is processed to form an element such as an integrated circuit on the surface of the semiconductor wafer. In the process of manufacturing the semiconductor device, processing with a liquid, for example, cleaning, wet etching, or the like is performed. A general technique for cleaning each wafer in order to remove particles adhering to the wafer will be described below.
図1は、ウエハ処理部1を上面から見た図である。ウエハ処理部1内にはウエハ処理ステージ2が用意される。ウエハ処理ステージ2にはウエハを載置するための複数のガイドピン4が設けられる。ウエハ3は、複数のガイドピン4の上に置かれ、ガイドピン4によって水平に支持される。
FIG. 1 is a top view of the
図2は、図1のA−A´断面においてウエハ処理部1を側面から見た図である。ウエハ3は、表面(素子形成面、以下表面と記載する)5と裏面(素子形成面とは反対側の面、以下裏面と記載する)6とを有する。ウエハ3の表面5が洗浄されるときには裏面6が下向きに配置されてガイドピン4に支持される。ウエハ3の裏面6が洗浄されるときには表面5が下向きに配置されてガイドピン4に支持される。図2は、表面5が下向きに配置され裏面6が洗浄される場合を示す。
FIG. 2 is a view of the
裏面6が上に向いた状態で、ウエハ3がガイドピン4の上に置かれる。その際、ウエハ3の中心と、ウエハ処理ステージ2の回転軸2aとはほぼ同一の軸上に位置する。ノズル8からウエハ3の裏面6の中央付近に純水9が供給されると共に、ウエハ処理ステージ2が回転軸2aを中心に回転する。純水9によりウエハ3の裏面6が濡れる。純水9は、回転の遠心力により外周方向に移動しながら、ウエハ3の裏面6を覆う。ウエハ3の裏面6の汚れは、この純水9の流れに巻き込まれ、裏面6から除去される。
The
本発明に関して、先行技術文献を以下に示す。
特許文献1には、被処理物に対し遠心力で塗り広げる液体の裏面回り込み防止を目的とした技術が開示されている。この技術によれば、凸面で構成された支持台によって被処理物の主表面がラウンド形状に反ることにより、主表面に付与された液体が被処理物の裏面に回り込み難くなる。
Prior art documents relating to the present invention are shown below.
特許文献2には、真空処理方法および基板処理装置が開示されている。この技術によれば、基板を回転させている間に基板の挟持位置を変化させることによりパーティクルの発生が抑制される。
特許文献3には、基板の処理装置が開示されている。この技術は、ウェハの回転を伴った裏面洗浄の際に、ウェハの裏面から表面への洗浄液の回り込みを防止することを目的とする。この目的を達成するために、ウェハの外縁部の裏面に対向する位置に、環状の拡散抑制部材が設けられる。
特許文献4には、ウェーハ洗浄装置が開示されている。この技術によれば、ウェーハ上面を洗浄しているとき、ウェーハ下面の外周部にガスを吹付けることによって上面から下面への洗浄液の回り込みが抑制される。
本特許出願の発明者は、上述したような通常のウエハ洗浄における、ある問題点に着目した。以下、その問題点について説明する。 The inventor of the present patent application focused on a certain problem in the normal wafer cleaning as described above. The problem will be described below.
図3は、ガイドピン4の付近(図2のBの部分)の拡大図である。ウエハ3はガイドピン4の上に載せられる。ガイドピン4とウエハ3とは接触部10で接触する。接触部10の形状はガイドピン4の形状とウエハ3の形状に依存する。接触部10の付近のガイドピン4とウエハ3の間には隙間11が存在する。
FIG. 3 is an enlarged view of the vicinity of the guide pin 4 (portion B in FIG. 2). The
図4は、接触部10付近の上面図である。ガイドピン4とウエハ3とが接触部10で接触し、接触部10の付近のガイドピン4とウエハ3との間には隙間11が存在する。
FIG. 4 is a top view of the vicinity of the contact portion 10. The
図5は、ガイドピン4に載せられたウエハ3の上面にノズル8から純水9が供給されるタイミングの典型例を示す。図5(a)は、純水9が供給されるタイミングを示す。縦軸の“on”は純水9が供給されていることを、“off”は純水9の供給が停止されていることを示す。図5(b)の縦軸は、ウエハ処理ステージ2の回転軸2aを中心とする回転の回転数を示す。
FIG. 5 shows a typical example of the timing at which
時刻t1からt5までは洗浄工程である。時刻t1からt5までの間、ウエハ3の上面に純水9が供給される。時刻t1において純水9の供給が開始されると共に、ウエハ処理ステージ2の回転が開始される。回転数は徐々に上昇し、時刻t3でf2に達する。時刻t3からt5まで、回転数はf2に保たれる。時刻t5において、純水9の供給が停止される。
From time t1 to t5 is a cleaning process.
時刻t5からt6まではウエハ3上の水分を除去する工程である。時刻t5において、ウエハ処理ステージ2の回転数がf2からより大きい値f3への上昇を開始する。ウエハ処理ステージ2は、回転数f3で所定時間回転することにより水分が除去された後、回転速度を落として停止する。
From time t5 to t6 is a process of removing moisture on the
図6は、洗浄工程が始まる時刻t1より前の、ガイドピン4付近を側面から見た断面図である。ウエハ3の上面(ウエハ裏面6)にパーティクル(除去されるべき汚れ)12が付着しているとする。
FIG. 6 is a cross-sectional view of the vicinity of the
図7は、洗浄工程が開始されて間もなくの状態を示す。純水の流れ13は、パーティクル12を巻き込んで、遠心力によってウエハ3の外周方向に流れる。その後、図8に示されるように、パーティクル12を含んだ純水の流れ13は、ウエハ表面3の外縁部に沿って流れる。このとき、時刻tはt1<t<t3であり、ウエハ3の回転数はf2より小さい。図7は、純水供給開始直後の初期の洗浄状態を示しているが、初期の洗浄で除去できなかったパーティクル(より付着力の大きいパーティクル)は、その後のt5までに供給された純水によって、順次、除去される。
FIG. 7 shows a state shortly after the cleaning process is started. The
図9を参照して、純水の流れ13はウエハ3の下面(ウエハ表面5)側に回り込む。パーティクル12の一部は純水の流れ13と共に落下し、他の一部はガイドピン4とウエハ3との隙間11に滞留する。その結果、表面5の外縁付近にパーティクル12が残留し付着する可能性がある。またパーティクル12は、接触部10の上流側において純水の流れ13の流速が遅い領域、または接触部10の下流側において純水の流れ13の渦が発生する領域に残留し付着する可能性がある。
Referring to FIG. 9,
図10は、純水9を図5に示されるタイミングでウエハの裏面6に供給した場合の実験結果の典型的な例を示す。ウエハ表面5の外縁付近には252個のパーティクルが残留し付着していた。特に、ガイドピンに近いウエハ外縁付近にパーティクルが多い。ウエハの表面の外縁付近にパーティクルが残留し付着していると、以後の半導体素子を形成する工程で、付着部分に該当する半導体集積回路パターンに欠陥が生じ、歩留まり低下の要因となる。従って、ウエハの外縁付近に付着するパーティクル数を低減する技術が望まれる。
FIG. 10 shows a typical example of the experimental result when
以下に、[発明を実施するための最良の形態]で使用される番号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、[特許請求の範囲]の記載と[発明を実施するための最良の形態]との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、[特許請求の範囲]に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。 In the following, means for solving the problem will be described using the numbers used in [Best Mode for Carrying Out the Invention] in parentheses. These numbers are added to clarify the correspondence between the description of [Claims] and [Best Mode for Carrying Out the Invention]. However, these numbers should not be used to interpret the technical scope of the invention described in [Claims].
本発明による半導体製造方法は、半導体ウエハ(3)を支持部材(4)の上に載せるステップと、その半導体ウエハを静止した状態から第1の回転数に到達するまで加速する加速ステップと、第1の回転数にて所定の時間、半導体ウエハを定速で回転させる回転ステップとを備える。加速ステップにおける回転数が設定値(f1)を超えた後に、半導体ウエハに液体(9)の供給が開始され処理が施される。 A semiconductor manufacturing method according to the present invention includes a step of placing a semiconductor wafer (3) on a support member (4), an acceleration step of accelerating the semiconductor wafer from a stationary state until reaching a first rotational speed, A rotation step of rotating the semiconductor wafer at a constant speed at a rotation speed of 1 for a predetermined time. After the rotation speed in the acceleration step exceeds the set value (f1), the supply of the liquid (9) to the semiconductor wafer is started and processing is performed.
このような半導体製造方法によれば、半導体ウエハが設定値を超えた回転数まで加速されてから処理用の液体が供給されるため、半導体ウエハの外縁端からパーティクルを含む液体が遠心力で外側に飛ばされ、半導体ウエハの反対面側(下面側)に回り込むことが防止される。そのため、パーティクルがウエハの洗浄面の反対面側に回り込むことなく除去される。 According to such a semiconductor manufacturing method, since the processing liquid is supplied after the semiconductor wafer is accelerated to a rotational speed exceeding a set value, the liquid containing particles is externally exposed by centrifugal force from the outer edge of the semiconductor wafer. And is prevented from going around to the opposite surface side (lower surface side) of the semiconductor wafer. Therefore, the particles are removed without going around to the opposite side of the cleaning surface of the wafer.
本発明により、ウエハ上の外縁付近に残留し付着するパーティクル数を抑制する処理方法が提供される。 The present invention provides a processing method that suppresses the number of particles remaining and adhering to the vicinity of the outer edge of a wafer.
以下、図面を参照しながら本発明を実施するための最良の形態について説明する。
[実施の第1形態]
本実施の形態では、ウエハ裏面を上向きにして、液体による処理として純水による洗浄を行う場合について説明する。本実施の形態におけるウエハ3は、図1、図2に示されるようにウエハ3の下面の周辺部の一部が支持部材であるガイドピン4の上に載せられることにより、ウエハ3が支持される。こうしたウエハ3の支持方法は、例えば真空チャックでウエハを固定する方法やウエハの両面を挟んで固定する(挟持する)方法に比べて、ウエハ3に対する負担が小さくウエハ3を傷つける可能性が小さいため好ましい。とくに、本実施の形態のように、ウエハ裏面を上向きにして載置する場合、下面となる素子形成面側がガイドピンに触れる部分は周辺部の一部のみであって素子への影響は最小限におさえられる。これに対して真空チャック方式は、素子形成面を真空でチャックすることになってしまい、その部分の素子を傷つけるため、真空チャック方式の適用は好ましくない。
The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.
[First Embodiment]
In the present embodiment, a case will be described in which cleaning with pure water is performed as a liquid processing with the wafer back surface facing upward. As shown in FIGS. 1 and 2, the
図11は、本実施の形態における純水9の供給のタイミングを示す。時刻t1からtaまでは始動工程である。時刻t1において、回転機構を備えたウエハ処理ステージ2の回転が開始される。ウエハ3は、接触部10における摩擦力により、ウエハ処理ステージ2と同期して回転する。ウエハ処理ステージ2の回転数は徐々に増加し、時刻t2において所定の回転数f1に達する。ウエハ処理ステージ2の回転数は時刻t2からさらに増加し、時刻t3においてf2に達する。時刻t3から所定の期間、ウエハ処理ステージ2は回転数f2を保って回転する。
FIG. 11 shows the timing of supplying
時刻ta(ta≧t3)からtbまでは洗浄工程である。時刻taにおいて、液体供給機構であるノズル8がウエハ3の上面への純水9の供給を開始する。このときのウエハ3の回転数はf2である。純水9を吐出するタイミングは、エアオペレーテッドバルブのスピードコントローラ等の微調整機構によって制御される。純水9の供給は時刻tbまで続けられる。
From time ta (ta ≧ t3) to tb is a cleaning process. At time ta, the nozzle 8 serving as a liquid supply mechanism starts supplying
時刻t5からt6まではウエハ3上の水分を除去する工程である。時刻tbにおいて純水9の供給が停止される。時刻t5=tbにおいて、ウエハ処理ステージ2の回転数がf2からより大きい値f3への上昇を開始する。ウエハ処理ステージ2が回転数f3で所定時間回転することにより水分が除去される。その後、回転速度は低下し、時刻t6で0になる。
From time t5 to t6 is a process of removing moisture on the
図12は、上記洗浄工程の時刻taとtbの間におけるガイドピン4付近の拡大図である。ノズルから供給された純水は、ウエハ3の上面(裏面6)のパーティクルを巻き込み、純水とパーティクルの流れ7となって、遠心力によってウエハ3の中心付近から外周の方向へ流れる。
FIG. 12 is an enlarged view of the vicinity of the
遠心力が大きいと、純水の流れはウエハ3の縁に沿って流れ落ちずに、ウエハ3の外周端から外側に吹き飛ばされる。この条件を満たす最小のウエハ3の回転数をf1とすると、洗浄工程の回転数f2はf1よりも大きい値に設定される。そのため洗浄工程では図12に示されるように、純水とパーティクルの流れ7はウエハ3に沿って下面側に流れずに、外周端から外側に吹き飛ばされる。
When the centrifugal force is large, the flow of pure water does not flow down along the edge of the
図12に示される状態が実現され、パーティクルがウエハ3の下面に回り込むことを抑制するために、上記t2における所定の回転数f1が適切に設定される。言い換えれば、回転数f1は、ガイドピン4とウエハ3の外周縁との間に液体の流れが発生しない最小の回転数に設定される。具体的には、f1は例えば300rpmである。f2は例えば1000rpmである。
The state shown in FIG. 12 is realized, and the predetermined rotation speed f1 at t2 is appropriately set in order to suppress particles from entering the lower surface of the
図13を参照して、純水とパーティクルの流れ7(図12)に含まれる純水9とパーティクル12に働く力について説明する。一定の角速度ωで回転するウエハ3上の、中心から半径raの位置にある純水9(単位質量)に働く遠心力Fは、下式で表される。
F=m×ra×ω2
その純水9の中にある単位質量nのパーティクル12に働く遠心力L1は、下式で表される。
L1=F+n×ra×ω2
従って、次式が成り立つ。
(1) L1=(m+n)×ra×ω2
With reference to FIG. 13, the force which acts on the
F = m × ra × ω 2
Centrifugal force L 1 acting on the
L 1 = F + n × ra × ω 2
Therefore, the following equation holds.
(1) L 1 = (m + n) × ra × ω 2
パーティクル12は、遠心力L1によってウエハ3の端部に向かって純水9と共に移動する。パーティクル12がウエハ3の端部に到達したとき、遠心力L1は、パーティクル12の自重と純水9の表面張力によりウエハ3の端部から下面に回り込もうとする力よりもはるかに大きい。そのため、純水9と純水9に含まれるパーティクル12とはウエハ3の端部から外部に離れて除去される。
発明者は、この方法によってウエハ3を洗浄した場合にウエハ3の下面の外縁付近に残留し付着したパーティクルの数を検出した。この実験は、純水9を供給するタイミングを除いては、図10の実験と同じ条件で行われた。その結果、図10に示された例に比べて、パーティクル数が0個〜4個程度と激減した。パーティクル数が4個の場合のウエハマップ例が図14に示されている。この実験により残留したパーティクルの数は4個であった。図10に示された例に比べて、残留したパーティクルが激減した。
The inventor detected the number of particles that remained and adhered to the vicinity of the outer edge of the lower surface of the
さらに発明者は、上記の洗浄方法で洗浄されたウエハを用いた場合、ウエハ表面(素子形成面)の製品上の欠陥数が、従来の洗浄方法によるウエハ表面の製品上の欠陥数に対して、1/3から1/4程度に実際に低減することを、統計調査により確認した。 Furthermore, when the wafer cleaned by the above-described cleaning method is used, the inventor has the number of defects on the product on the wafer surface (element formation surface) to the number of defects on the product on the wafer surface by the conventional cleaning method. It was confirmed by statistical survey that the actual reduction was reduced from about 1/3 to about 1/4.
以上に説明した方法で洗浄されたウエハ3のウエハ表面5に、半導体集積回路など半導体素子のパターンが形成される。この洗浄方法により洗浄されたウエハ3はパーティクルが少ないため、形成された回路に欠陥が少ない。そのため半導体装置の歩留まりが向上する。
A pattern of a semiconductor element such as a semiconductor integrated circuit is formed on the
本実施の形態における半導体製造装置は、上記の半導体製造方法を自動的に実施することができる。そのために、ウエハ処理ステージ2は制御機構を備えている。その制御機構は、ウエハ3を静止した状態から回転数f2に到達するまで加速する加速手段と、回転数f2で所定の時間定速で回転させる定速回転手段とを有する。ノズル8は、定速回転手段がウエハ3を回転数f2で回転させているときにウエハ3の上面に自動的に純水9を供給する。ウエハ処理ステージ2の制御機構は更に、時刻t5までにノズル8が純水9の供給を停止した後、ウエハ3の回転数をf2より大きいf3に上昇させることによりウエハ3を乾燥させる乾燥手段を備える。
The semiconductor manufacturing apparatus in the present embodiment can automatically perform the semiconductor manufacturing method described above. For this purpose, the
[実施の第2形態]
図15は、実施の第2形態における純水9の供給のタイミングを示す。
[Second Embodiment]
FIG. 15 shows the timing of supplying
時刻t1からtaまでは始動工程である。時刻t1において、ウエハ処理ステージ2の回転が開始される。ウエハ3は、接触部10における摩擦力により、ウエハ処理ステージ2に同期して回転する。ウエハ処理ステージ2の回転数は徐々に増加し、時刻t2において所定の回転数f1に達する。ウエハ処理ステージ2の回転数は時刻t2からさらに増加する。時刻ta(ta>t2)においては回転数はfa(fa>f1)である。
From time t1 to ta is a starting process. At time t1, rotation of the
時刻taからtbまでは洗浄工程である。時刻taにおいて、ウエハ3の上面への純水9の供給が開始される。このときのウエハ3の回転数はfaであり、より大きい回転数に上昇中である。ウエハ3の回転数は、時刻t3においてf2に達し、時刻t3から所定の期間、回転数はf2に保たれる。純水9の供給は時刻tbまで続けられる。
From time ta to tb is a cleaning process. At time ta, supply of
時刻t5からt6まではウエハ3上の水分を除去する工程である。時刻tbにおいて純水9の供給が停止される。時刻t5=tbにおいて、ウエハ処理ステージ2の回転数がf2からより大きい値f3への上昇を開始する。ウエハ処理ステージ2が回転数f3で所定時間回転することにより水分が除去される。その後、回転速度は低下し、時刻t6で0になる。
From time t5 to t6 is a process of removing moisture on the
この実施の形態における純水吐出時刻taのウエハ3の回転数faは、例えば実施の第1形態における純水吐出時刻taにおける回転数f2の1/2程度である。以下に説明するように、この回転数は、パーティクル12と純水9がウエハ3の下面へ回り込むことを抑制するのに十分である。
The rotation speed fa of the
図16を参照して、例えばウエハ3の角速度が実施の第1形態の角速度ωの1/2程度であるときに、純水9の中にあるパーティクル12に働く遠心力L2は、次式(2)で表される。
(2) L2=(m+n)×ra×(ω/2)2
純水9とパーティクル12には、遠心力と直角方向に加速度Aが働いている。この加速度Aによる力Kは、ニュートンの法則により次式で表される。
K=(m+n)×A
加速度A=ra×(ω/2)を代入すると、Kは次式(3)で表される。
(3) K=(m+n)×ra×(ω/2)
Referring to FIG. 16, for example, when the angular velocity of the
(2) L 2 = (m + n) × ra × (ω / 2) 2
An acceleration A acts on the
K = (m + n) × A
Substituting acceleration A = ra × (ω / 2), K is expressed by the following equation (3).
(3) K = (m + n) × ra × (ω / 2)
純水9に巻き込まれているパーティクル12には、遠心力Fと力Kが両方作用する。FとKの合成力Pは、幾何学的関係から、次式で表される。
P2=L2 2+K2
すなわち、Pは次式で表される。
P=√(L2 2+K2)
上式に式(2)、(3)を代入すると、合成力Pは次式で表される。
(4) P=(m+n)×ra×ω√(ω2+4)
Both centrifugal force F and force K act on the
P 2 = L 2 2 + K 2
That is, P is expressed by the following equation.
P = √ (L 2 2 + K 2 )
When the expressions (2) and (3) are substituted into the above expression, the resultant force P is expressed by the following expression.
(4) P = (m + n) × ra × ω√ (ω 2 +4)
パーティクル12は、合成力Pによってウエハ3の端部に向かって純水9と共に移動する。パーティクル12がウエハ3の端部に到達したとき、合成力Pは、パーティクル12の自重と純水9の表面張力によりウエハ3の端部から下面に回り込もうとする力よりもはるかに大きい。そのため、純水9と純水9に含まれるパーティクル12とはウエハ3の端部から外部に離れて除去される。
The
本実施の形態における半導体製造装置は、上記の半導体製造方法を自動的に実施することができる。そのために、ウエハ処理ステージ2は、ウエハ3を静止した状態から回転数f2に到達するまで加速する加速手段と、回転数f2で所定の時間定速で回転させる定速回転手段とを有する。ノズル8は、加速手段が加速中でありウエハ3の回転数がf1を超えた後のタイミングでウエハ3の上面に自動的に純水9を供給する。
The semiconductor manufacturing apparatus in the present embodiment can automatically perform the semiconductor manufacturing method described above. For this purpose, the
実施の第1形態及び第2形態において、ウエハ3は純水9によって洗浄された。純水による洗浄に代えて、他の種類の液体によりウエハ3が表面処理される場合にも、本発明は好適に適用される。そのような例として、洗浄用の酸またはアルカリ、エッチング用の薬液(例えばリン酸)が挙げられる。
In the first and second embodiments, the
また、実施の第1形態及び第2形態においてはウエハ裏面6が上に向けられて洗浄されたが、ウエハ表面5(素子形成面)の洗浄についても、本発明は好適に適用される。ウエハ表面が処理されるときにウエハ裏面6にパーティクルが付着すると、後の工程の、例えば、ウェット処理槽での汚染や他のウエハへの再付着が発生する可能性がある。また、露光処理工程で、裏面のパーティクル付着位置においてウエハに盛り上がりが生じ、フォーカスが合わなくなる可能性がある。本発明を適用することにより、裏面へのパーティクル付着が抑制され、これらの問題の発生が防止される。
Further, in the first and second embodiments, the wafer back
2…ウエハ処理ステージ
2a…回転軸
3…ウエハ
4…ガイドピン
5…ウエハ表面
6…ウエハ裏面
7…純水とゴミの流れ
8…ノズル
9…純水
10…接触部
11…隙間
12…パーティクル
2 ...
Claims (10)
前記半導体ウエハを静止した状態から第1の回転数に到達するまで加速する加速ステップと、
前記第1の回転数にて所定の時間、前記半導体ウエハを定速で回転させる回転ステップとを具備し、
前記加速ステップにおける回転数が設定値を超えた後、且つ前記第1の回転数に到達する以前に、前記半導体ウエハに液体の供給を開始し処理を施すことを特徴とする半導体製造方法。 Placing a semiconductor wafer on a support member;
An acceleration step of accelerating the semiconductor wafer from a stationary state until reaching a first rotational speed;
A rotation step of rotating the semiconductor wafer at a constant speed for a predetermined time at the first rotation number,
A semiconductor manufacturing method characterized in that after the number of rotations in the acceleration step exceeds a set value and before reaching the first number of rotations , supply of liquid to the semiconductor wafer is started and processing is performed.
前記支持部材を回転させることによって前記半導体ウエハを回転させる回転機構と、
前記半導体ウエハの上面に液体を供給する液体供給機構とを具備する半導体製造装置であって、
前記回転機構は、前記半導体ウエハを第1の回転数に到達するまで加速する手段と、前記半導体ウエハを前記第1の回転数にて所定の時間定速で回転させる手段とを有し、
前記液体供給機構は、前記加速の間の回転数が設定値を超えた後、且つ前記第1の回転数に到達する以前に、前記半導体ウエハに液体の供給を開始し前記半導体ウエハの上面に処理を施すことを特徴とする半導体製造装置。 A support member for placing the semiconductor wafer by supporting it on a part of its lower surface;
A rotation mechanism for rotating the semiconductor wafer by rotating the support member;
A semiconductor manufacturing apparatus comprising a liquid supply mechanism for supplying a liquid to the upper surface of the semiconductor wafer,
The rotating mechanism includes means for accelerating the semiconductor wafer until it reaches a first rotational speed, and means for rotating the semiconductor wafer at a constant speed for a predetermined time at the first rotational speed,
The liquid supply mechanism starts supplying the liquid to the semiconductor wafer after the rotational speed during the acceleration exceeds a set value and before the first rotational speed is reached. A semiconductor manufacturing apparatus that performs processing.
前記液体供給機構は前記液体の供給を中止し、前記回転機構は前記第1の回転数より大きい第2の回転数に上昇させて、前記半導体ウエハを乾燥させる手段をさらに有することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか一に記載の半導体製造装置。 After rotating the semiconductor wafer at the first rotation speed at a constant speed for a predetermined time,
The liquid supply mechanism further includes means for stopping the supply of the liquid, and the rotation mechanism further increases the second rotation speed higher than the first rotation speed to dry the semiconductor wafer. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 6.
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