JP4835542B2 - 導電性セラミックス焼結体の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)焼結体密度:アルキメデス法により測定した。
なお、相対密度(D)とは、例えば、ITO焼結体の場合、In2O3とSnO2の真密度の相加平均から求められる理論密度(dITO)に対する相対値を示す。相加平均から求められる理論密度(d)とは、ターゲット組成において、In2O3とSnO2粉末の混合量をa(g)とb(g)とした時、それぞれの真密度7.18(g/cm3)、6.95(g/cm3)を用いて、d=(a+b)/((a/7.18)+(b/6.95))により求めた。焼結体の測定密度をd1とすると、その相対密度Dは、D=d1/dITO×100(%)で求めた。
(2)厚さ方向の密度測定:焼結体を厚み方向に上部、中央部、下部に3等分し、それぞれの焼結体密度をアルキメデス法で測定した。
平均粒径0.6μmの酸化インジウム粉末90重量部と平均粒径0.5μmの酸化スズ粉末10重量部とをポリエチレン製のポットに入れ、乾式ボールミルにより20時間混合し、混合粉末を調製した。前記混合粉末のタップ密度を測定したところ2.0g/cm3であった。
(焼結条件)室温から1400℃まで、昇温速度=300℃/時間、1400℃から1600℃まで、昇温速度=200℃/時間、保持時間=1時間、雰囲気:昇温時の室温から降温時の100℃まで純酸素ガスを炉内に導入、降温速度:焼成温度から1200℃までは、200℃/時間、以降100℃/時間。
ミリ波周波数が28GHzのミリ波焼成炉にて、室温から1200℃まで、昇温速度=400℃/h、1200℃から1500℃までの昇温速度=100℃/時間とした以外は実施例1と同様にして、ITOの焼成を行った。得られた焼結体の密度、厚み方向の密度を測定した。結果を表1に示す。焼結体密度は高く、かつ焼結体の厚み方向の密度差が小さい焼結体が得られた。
平均粒径0.9μmの酸化亜鉛粉末98重量部と平均粒径0.3μmの酸化アルミニウム粉末2重量部とをポリエチレン製のポットに入れ、乾式ボールミルにより24時間混合し、混合粉末を調製した。この混合粉末を金型に入れ、300kg/cm2の圧力でプレスして成形体とした。この成形体を2ton/cm2の圧力でCIPによる処理を行った。
(焼結条件)室温から1200℃まで、昇温速度=400℃/時間、1200℃から1400℃まで、昇温速度=150℃/時間、保持時間=1時間、雰囲気:昇温時の室温から降温時の100℃まで窒素ガスを炉内に導入、降温速度:100℃/時間。
室温から1100℃まで、昇温速度=400℃/時間、1100℃から1350℃まで、昇温速度=100℃/時間とした以外は実施例3と同様にして、AZOの焼成を行った。得られた焼結体の密度を測定した。結果を表1に示す。焼結体密度は高く、かつ焼結体の厚み方向の密度差が小さい焼結体が得られた。
室温から1600℃まで、昇温速度=300℃/時間とした以外は実施例1と同様にして、ITOの焼成を行った。得られた焼結体の密度、厚み方向の密度を測定した。結果を表1に示す。焼結体密度は比較的高かったが、焼結体の中央部の密度は小さかった。
(比較例2)
1400℃から1600℃まで、昇温速度=250℃/時間とした以外は実施例1と同様にして、ITOの焼成を行った。得られた焼結体の密度、厚み方向の密度を測定した。結果を表1に示す。焼結体密度は比較的高かったが、焼結体の中央部の密度は小さかった。
室温から1500℃まで、昇温速度=300℃/時間、1500℃から1600℃まで、昇温速度=200℃/時間とした以外は実施例1と同様にして、ITOの焼成を行った。得られた焼結体の密度を測定した。結果を表1に示す。焼結体密度は比較的高かったが、焼結体の中央部の密度は小さかった。
室温から1400℃まで、昇温速度=400℃/時間とした以外は実施例3と同様にして、AZOの焼成を行った。得られた焼結体の密度、厚み方向の密度を測定した。結果を表1に示す。焼結体密度は比較的高かったが、焼結体の中央部の密度は小さかった。
Claims (3)
- 導電性セラミックス原料粉末の成形体を電磁波加熱によって焼結する導電性セラミックス焼結体の製造方法において、焼結時の最高温度より少なくとも200℃低い温度から最高温度までの昇温速度を200℃/時間以下とすることを特徴とする、導電性セラミックス焼結体の製造方法。
- 導電性セラミックスがITOであることを特徴とする、請求項1に記載の導電性セラミックス焼結体の製造方法。
- 導電性セラミックスがAZOであることを特徴とする、請求項1に記載の導電性セラミックス焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007217273A JP4835542B2 (ja) | 2007-08-23 | 2007-08-23 | 導電性セラミックス焼結体の製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2009051676A JP2009051676A (ja) | 2009-03-12 |
JP4835542B2 true JP4835542B2 (ja) | 2011-12-14 |
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ID=40503099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007217273A Active JP4835542B2 (ja) | 2007-08-23 | 2007-08-23 | 導電性セラミックス焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4835542B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5464874B2 (ja) * | 2009-03-09 | 2014-04-09 | キヤノン株式会社 | 現像剤担持体及び現像装置 |
JP6141332B2 (ja) * | 2013-01-15 | 2017-06-07 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3457969B2 (ja) * | 1992-05-11 | 2003-10-20 | 東ソー株式会社 | 高密度ito焼結体及びスパッタリングターゲット |
JP2002226278A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-14 | Tosoh Corp | セラミックス焼結体の製造法 |
JP2004075458A (ja) * | 2002-08-19 | 2004-03-11 | Takasago Ind Co Ltd | 加熱焼成炉の操業方法 |
JP2004277243A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Taiheiyo Cement Corp | セラミックスのマイクロ波焼成方法 |
JP5070524B2 (ja) * | 2005-07-28 | 2012-11-14 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 導電膜の製法 |
JP4894293B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2012-03-14 | 東ソー株式会社 | 導電性セラミックス焼結体及びスパッタリングターゲット並びにその製造方法 |
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2007
- 2007-08-23 JP JP2007217273A patent/JP4835542B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009051676A (ja) | 2009-03-12 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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