JP4835485B2 - 強誘電性の積層体とその製造方法 - Google Patents
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R1−(CF2CH2)m−(CH2CF2)n−R2
(式中、mは0〜10の整数;nは0〜40の整数;ただし、m+nは4〜50の整数;R1およびR2は同じかまたは異なり、いずれも水素原子、ハロゲン原子、またはハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基;m個の−CF2CH2−とn個の−CH2CF2−はランダム構造でもブロック構造でもよい)
で示されることが好ましい。
R1−(CF2CH2)m−(CH2CF2)n−R2
(式中、mは0〜10の整数;nは0〜40の整数;ただし、m+nは4〜50の整数;R1およびR2は同じかまたは異なり、いずれも水素原子、ハロゲン原子、またはハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基;m個の−CF2CH2−とn個の−CH2CF2−はランダム構造でもブロック構造でもよい)
で示されることが好ましい。
R1−(CF2CH2)m−(CH2CF2)n−R2
(式中、mは0〜10の整数;nは0〜40の整数;ただし、m+nは4〜50の整数;R1およびR2は同じかまたは異なり、いずれも水素原子、ハロゲン原子、またはハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基;m個の−CF2CH2−とn個の−CH2CF2−はランダム構造でもブロック構造でもよい)
で示されるものが好ましい。
CF3(CH2CF2)kI
(式中、kは4〜30の整数である)
または式(3):
CF3(CH2CF2)lC2H5
(式中、lは4〜30の整数である)
で示されるものが好ましい。
(1−1)測定条件
FT−IR−RAS(フーリエ変換赤外高感度反射スペクトル)法。作製した積層体を測定装置内に固定し、室温にて測定する。
(1−2)測定装置
分光器:PERKIN ELMER社製 FT−IR spectrometer
光学装置:PERKIN ELMER社製 正反射装置
(2−1)測定方法
(2−1−1)フッ化ビニリデンオリゴマー層の膜厚測定
フッ化ビニリデンオリゴマーの蒸着時に、一部マスクをしておき、蒸着されない領域を確保しておく。蒸着後、フッ化ビニリデンオリゴマーが蒸着されている領域とされていない領域の段差からフッ化ビニリデンオリゴマー層の膜厚を測定した。
(2−1−2)ポリマー層の膜厚測定
溶融石英基板上に塗布したポリマーを、先端の鋭利な金属棒(ピンセットや針など)で削り取った。その後それによって生じた段差の部分からポリマー下地層の膜厚を測定した。
(2−2)測定装置
触針式の膜厚測定装置である「段差・表面あらさ・微細形状測定装置 P−15 (KLA−Tencor社製)」を用いて測定した。
3cm角の溶融石英板を、100ml容の樹脂容器内にてアセトン中に浸し、超音波洗浄装置にて60秒間、溶融石英板の表面を洗浄した。ただちに溶融石英板の表面のアセトンをエアースプレーで吹き飛ばした。
(1)蒸着条件
基板温度:25℃
(2)蒸着装置
(株)真空デバイス製 TMP排気真空蒸着装置
(1)塗布条件
600rpmで3秒間スピンした後、2000rpmで30秒間スピンする。
(2)装置
ミカサ(株)製 MIKASA SPINCOATER 1H−D7
(1)加熱条件
温度:135℃
保持時間:4分間
(2)装置
アズワン(株)製 デジタルホットプレート 722A−1IUC
(1)蒸着条件
基板温度:25℃
印加電流:18A
蒸着源から基板までの距離:12cm
蒸着源のフッ化ビニリデン系オリゴマーの重量:20mg
(2)装置
(株)日立製作所製 真空蒸着装置 HUS−5
フッ化ビニリデン系オリゴマーとして、CF3(CH2CF2)15Iを使用したこと以外は実施例1と同様に、本発明の積層体を作製した。
フッ化ビニリデン系オリゴマーとして、CF3(CH2CF2)22Iを使用したこと以外は実施例1と同様に、本発明の積層体を作製した。
フッ化ビニリデン系オリゴマーとして、CF3(CH2CF2)29Iを使用したこと以外は実施例1と同様に、本発明の積層体を作製した。
フッ化ビニリデン系オリゴマーとして、CF3(CH2CF2)5C2H5を使用したこと以外は実施例1と同様に、本発明の積層体を作製した。
フッ化ビニリデン系オリゴマーとして、CF3(CH2CF2)15C2H5を使用したこと以外は実施例1と同様に、本発明の積層体を作製した。
フッ化ビニリデン系オリゴマーとして、CF3(CH2CF2)22C2H5を使用したこと以外は実施例1と同様に、本発明の積層体を作製した。
作製したアルミニウム電極(支持層)上(自由表面側)に、数平均分子量が120万のポリスチレンの0.5質量%のメチルエチルケトン溶液をキャストした。ついで、スピンコート法により、厚さ40nmのポリスチレンからなるポリマー層を形成し、フッ化ビニリデン系オリゴマーとして、CF3(CH2CF2)22Iを使用し、実施例1〜7と同様に、積層体を作製した。
Claims (10)
- フッ化ビニリデン系ポリマーを含むポリマー層の片面に、フッ化ビニリデン系オリゴマーを含むオリゴマー層が積層されてなる積層体。
- フッ化ビニリデン系ポリマーが、フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレンコポリマーである請求項1記載の積層体。
- フッ化ビニリデン系オリゴマーが、式(1):
R1−(CF2CH2)m−(CH2CF2)n−R2
(式中、mは0〜10の整数;nは0〜40の整数;ただし、m+nは4〜50の整数;R1およびR2は同じかまたは異なり、いずれも水素原子、ハロゲン原子、またはハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基;m個の−CF2CH2−とn個の−CH2CF2−はランダム構造でもブロック構造でもよい)
で示される請求項1または2記載の積層体。 - ポリマー層の自由表面側に、支持層が積層されてなる請求項1〜3のいずれかに記載の積層体。
- 支持層が、導電性無機化合物から形成される請求項4記載の積層体。
- フッ化ビニリデン系ポリマーを含むポリマー層の片面に、フッ化ビニリデン系オリゴマーを蒸着することによりオリゴマー層を積層する工程
を含む積層体の製造方法。 - 支持層の片面に、フッ化ビニリデン系ポリマーを塗布することによりポリマー層を形成する工程、および
ポリマー層の自由表面側に、フッ化ビニリデン系オリゴマーを蒸着することによりオリゴマー層を形成する工程
を含む積層体の製造方法。 - フッ化ビニリデン系ポリマーが、フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレンコポリマーである請求項6または7記載の積層体の製造方法。
- フッ化ビニリデン系オリゴマーが、式(1):
R1−(CF2CH2)m−(CH2CF2)n−R2
(式中、mは0〜10の整数;nは0〜40の整数;ただし、m+nは4〜50の整数;R1およびR2は同じかまたは異なり、いずれも水素原子、ハロゲン原子、またはハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基;m個の−CF2CH2−とn個の−CH2CF2−はランダム構造でもブロック構造でもよい)
で示される請求項6〜8のいずれかに記載の積層体の製造方法。 - 支持層が、導電性無機化合物から形成される請求項7〜9のいずれかに記載の積層体の製造方法。
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JP2007079465A JP4835485B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | 強誘電性の積層体とその製造方法 |
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