JP4828499B2 - 検査方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セルおよびデバイス製造方法 - Google Patents
検査方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セルおよびデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4828499B2 JP4828499B2 JP2007261444A JP2007261444A JP4828499B2 JP 4828499 B2 JP4828499 B2 JP 4828499B2 JP 2007261444 A JP2007261444 A JP 2007261444A JP 2007261444 A JP2007261444 A JP 2007261444A JP 4828499 B2 JP4828499 B2 JP 4828499B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- pieces
- model
- target pattern
- radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/42—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
- G01B11/303—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces using photoelectric detection means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Image Analysis (AREA)
Description
放射検査ビームをターゲットパターンに誘導し、そこから反射または散乱した放射を測定して、測定データを取得し、
測定データを処理して、ラフネスパラメータに関連する値を取得する
ことを含み、該処理は、屈折率に関連する可変パラメータを有する表面層を含むモデルに基づく、方法が提供される。
放射検査ビームをターゲットパターンに誘導し、そこから反射または散乱した放射を測定して、測定データを取得し、
測定データを処理して、ターゲットパターンのパラメータに関する値を取得する
ことを含み、該処理は、屈折率に関連する可変パラメータを有する表面層を含むモデルに基づく、デバイス製造方法が提供される。
放射検査ビームをターゲットパターンに誘導する照明光学システム、
ターゲットパターンによって反射または散乱した放射をディテクタに投影して、スキャトロメトリスペクトルを取得する投影光学システム、
スキャトロメトリスペクトルを使用して、値を計算する計算器、および
屈折率に関連する可変パラメータを有する表面層を含むモデルを記憶するストレージデバイス
を備える検査装置が提供される。
Claims (16)
- リソグラフィプロセスによって基板に印刷されているターゲットパターンの個々のラインエッジ又は表面のラフネスパラメータを測定する方法であって、
放射検査ビームを前記ターゲットパターンに誘導し、そこから反射または散乱した前記放射を測定して、測定データを取得することと、
前記測定データを処理して、前記ラフネスパラメータに関連する値を取得することを含み、
前記処理が、屈折率に関連する可変パラメータを有し、モデル化されたフィーチャをカバーする表面層を含むモデルに基づき、
前記表面層が、前記モデルにて、それぞれのパラメータを有する複数のピースによって表され、
前記複数のピースは、隅部ピースを含む
方法。 - 前記モデルが、既知の屈折率を有し、前記複数のピースのうち異なるピースが、モデル化されたフィーチャの異なる表面に配置される、請求項1に記載の方法。
- 前記複数のピースの幾つかが相互に積み重ねられる、請求項1に記載の方法。
- 前記表面層が、厚さを表す1つまたは複数の可変パラメータ、および屈折率を表す1つまたは複数の可変パラメータによってモデル化される、請求項1に記載の方法。
- 前記処理がライブラリ探索を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記処理が反復計算を含む、請求項1に記載の方法。
- リソグラフィプロセスによって基板に印刷されたターゲットパターンの個々から取得したスキャトロメトリデータを分析する方法であって、前記ターゲットパターンの個々のラインエッジ又は表面のラフネスパラメータに関連する値を取得するために、前記スキャトロメトリデータを処理することを含み、
前記処理が、屈折率に関連する可変パラメータを有し、モデル化されたフィーチャをカバーする表面層を含むモデルに基づき、
前記表面層が、前記モデルにて、それぞれのパラメータを有する複数のピースによって表され、
前記複数のピースは、隅部ピースを含む
方法。 - 基板上にデバイス層を製造するために使用されるリソグラフィプロセスによって基板上に印刷されたターゲットパターンの個々のラインエッジ又は表面のラフネスパラメータに関連する値を求める検査装置であって、
放射検査ビームを前記ターゲットパターンに誘導する照明光学システム、
前記ターゲットパターンによって反射または散乱した放射をディテクタに投影して、スキャトロメトリスペクトルを取得す投影光学システム、
前記スキャトロメトリスペクトルを使用して、前記値を計算する計算器、および
屈折率に関連する可変パラメータを有し、モデル化されたフィーチャをカバーする表面層を含むモデルを記憶するストレージデバイスを備え、
前記表面層が、前記モデルにて、それぞれのパラメータを有する複数のピースによって表され、
前記複数のピースは、隅部ピースを含む
装置。 - 前記モデルが、既知の屈折率を有し、前記複数のピースの異なるピースが、モデル化されたフィーチャの異なる表面に配置される、請求項8に記載の装置。
- 前記複数のピースの幾つかが相互に積み重ねられる、請求項8に記載の装置。
- 前記表面層が、厚さを表す1つまたは複数の可変パラメータ、および屈折率を表す1つまたは複数の可変パラメータによってモデル化される、請求項8に記載の装置。
- 前記計算器が、ライブラリ探索を使用して前記値を計算する、請求項8に記載の装置。
- 前記計算器が、反復計算を使用して前記値を計算する、請求項8に記載の装置。
- リソグラフィプロセスによってターゲットパターンおよびデバイスパターンを基板の1つまたは複数のフィールドに印刷し、
放射検査ビームを前記ターゲットパターンに誘導し、そこから反射または散乱した前記放射を測定して、測定データを取得し、
前記測定データを処理して、前記ターゲットパターンの個々のラインエッジ又は表面のラフネスパラメータに関する値を取得する
ことを含み、
前記処理が、屈折率に関連する可変パラメータを有し、モデル化されたフィーチャをカバーする表面層を含むモデルに基づく、デバイス製造方法であって、
前記表面層が、前記モデルにて、それぞれのパラメータを有する複数のピースによって表され、
前記複数のピースは、隅部ピースを含む
方法。 - パターンを照明する照明光学システム、
前記パターンの像を基板に投影する投影光学システム、
基板上にデバイス層を製造するために使用されるリソグラフィプロセスによって、基板上に印刷されたターゲットパターンの個々のラインエッジ又は表面のラフネスパラメータに関連する値を求める検査装置であって、
放射検査ビームを前記ターゲットパターンに誘導する照明光学システムと、
前記ターゲットパターンによって反射または散乱した放射をディテクタに投影して、スキャトロメトリスペクトルを取得する投影光学システムと、
前記スキャトロメトリスペクトルを使用して、前記値を計算する計算器と、
屈折率に関連する可変パラメータを有し、モデル化されたフィーチャをカバーする表面層を含むモデルを記憶するストレージデバイスとを備える検査装置を有し、
前記表面層が、前記モデルにて、それぞれのパラメータを有する複数のピースによって表され、
前記複数のピースは、隅部ピースを含む
リソグラフィ装置。 - 放射感応性層で基板をコーティングするコータ、
前記コータによってコーティングした基板の前記放射感応性層に像を露光するリソグラフィ装置、
前記リソグラフィ装置によって露光した前記像を現像するデベロッパ、および
基板上にデバイス層を製造するために使用されるリソグラフィプロセスによって、基板上に印刷されたターゲットパターンの個々のラインエッジ又は表面のラフネスパラメータに関連する値を求める検査装置であって、
放射検査ビームを前記ターゲットパターンに誘導する照明光学システムと、
前記ターゲットパターンによって反射または散乱した放射をディテクタに投影して、スキャトロメトリスペクトルを取得する投影光学システムと、
前記スキャトロメトリスペクトルを使用して、前記値を計算する計算器と、
屈折率に関連する可変パラメータを有し、モデル化されたフィーチャをカバーする表面層を含むモデルを記憶するストレージデバイスとを備える検査装置を有し、
前記表面層が、前記モデルにて、それぞれのパラメータを有する複数のピースによって表され、
前記複数のピースは、隅部ピースを含む
リソグラフィセル。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/580,246 | 2006-10-13 | ||
US11/580,246 US8233155B2 (en) | 2006-10-13 | 2006-10-13 | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008096434A JP2008096434A (ja) | 2008-04-24 |
JP4828499B2 true JP4828499B2 (ja) | 2011-11-30 |
Family
ID=39302803
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007261444A Active JP4828499B2 (ja) | 2006-10-13 | 2007-10-05 | 検査方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セルおよびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8233155B2 (ja) |
JP (1) | JP4828499B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009288005A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Asml Netherlands Bv | 検査方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セルおよびデバイス製造方法 |
KR101425627B1 (ko) * | 2009-10-12 | 2014-08-13 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 기판 상에서 대상물의 개략적인 구조를 결정하기 위한 방법, 검사 장치 및 기판 |
WO2012126718A1 (en) | 2011-03-21 | 2012-09-27 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for determining structure parameters of microstructures |
JP6316432B2 (ja) * | 2013-12-18 | 2018-04-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 検査方法及び装置並びにリソグラフィ装置 |
US10248029B2 (en) | 2015-07-17 | 2019-04-02 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for inspection and metrology |
WO2018050972A1 (fr) | 2016-09-16 | 2018-03-22 | Centre National De La Recherche Scientifique | Dispositif optique de caractérisation d'un échantillon |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5703692A (en) | 1995-08-03 | 1997-12-30 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Lens scatterometer system employing source light beam scanning means |
US5880838A (en) | 1996-06-05 | 1999-03-09 | California Institute Of California | System and method for optically measuring a structure |
US5963329A (en) | 1997-10-31 | 1999-10-05 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for measuring the profile of small repeating lines |
US6016684A (en) | 1998-03-10 | 2000-01-25 | Vlsi Standards, Inc. | Certification of an atomic-level step-height standard and instrument calibration with such standards |
US6429943B1 (en) | 2000-03-29 | 2002-08-06 | Therma-Wave, Inc. | Critical dimension analysis with simultaneous multiple angle of incidence measurements |
US6689519B2 (en) | 2000-05-04 | 2004-02-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for lithography process control |
US6753961B1 (en) | 2000-09-18 | 2004-06-22 | Therma-Wave, Inc. | Spectroscopic ellipsometer without rotating components |
IL138552A (en) | 2000-09-19 | 2006-08-01 | Nova Measuring Instr Ltd | Measurement of transverse displacement by optical method |
US7099005B1 (en) * | 2000-09-27 | 2006-08-29 | Kla-Tencor Technologies Corporation | System for scatterometric measurements and applications |
US6768983B1 (en) | 2000-11-28 | 2004-07-27 | Timbre Technologies, Inc. | System and method for real-time library generation of grating profiles |
US6515744B2 (en) | 2001-02-08 | 2003-02-04 | Therma-Wave, Inc. | Small spot ellipsometer |
WO2002065545A2 (en) | 2001-02-12 | 2002-08-22 | Sensys Instruments Corporation | Overlay alignment metrology using diffraction gratings |
US6699624B2 (en) | 2001-02-27 | 2004-03-02 | Timbre Technologies, Inc. | Grating test patterns and methods for overlay metrology |
US6856408B2 (en) | 2001-03-02 | 2005-02-15 | Accent Optical Technologies, Inc. | Line profile asymmetry measurement using scatterometry |
US6975962B2 (en) * | 2001-06-11 | 2005-12-13 | Smartsignal Corporation | Residual signal alert generation for condition monitoring using approximated SPRT distribution |
US6704661B1 (en) | 2001-07-16 | 2004-03-09 | Therma-Wave, Inc. | Real time analysis of periodic structures on semiconductors |
US6785638B2 (en) | 2001-08-06 | 2004-08-31 | Timbre Technologies, Inc. | Method and system of dynamic learning through a regression-based library generation process |
US7061615B1 (en) | 2001-09-20 | 2006-06-13 | Nanometrics Incorporated | Spectroscopically measured overlay target |
US6608690B2 (en) | 2001-12-04 | 2003-08-19 | Timbre Technologies, Inc. | Optical profilometry of additional-material deviations in a periodic grating |
WO2003054475A2 (en) | 2001-12-19 | 2003-07-03 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Parametric profiling using optical spectroscopic systems |
US6986280B2 (en) * | 2002-01-22 | 2006-01-17 | Fei Company | Integrated measuring instrument |
US6772084B2 (en) | 2002-01-31 | 2004-08-03 | Timbre Technologies, Inc. | Overlay measurements using periodic gratings |
US6813034B2 (en) | 2002-02-05 | 2004-11-02 | Therma-Wave, Inc. | Analysis of isolated and aperiodic structures with simultaneous multiple angle of incidence measurements |
US7061627B2 (en) | 2002-03-13 | 2006-06-13 | Therma-Wave, Inc. | Optical scatterometry of asymmetric lines and structures |
US6721691B2 (en) | 2002-03-26 | 2004-04-13 | Timbre Technologies, Inc. | Metrology hardware specification using a hardware simulator |
US6928628B2 (en) | 2002-06-05 | 2005-08-09 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Use of overlay diagnostics for enhanced automatic process control |
US7046376B2 (en) | 2002-07-05 | 2006-05-16 | Therma-Wave, Inc. | Overlay targets with isolated, critical-dimension features and apparatus to measure overlay |
US6919964B2 (en) | 2002-07-09 | 2005-07-19 | Therma-Wave, Inc. | CD metrology analysis using a finite difference method |
US7148959B2 (en) | 2002-11-01 | 2006-12-12 | Asml Netherlands B.V. | Test pattern, inspection method, and device manufacturing method |
FR2849181B1 (fr) | 2002-12-23 | 2005-12-23 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'etude des reliefs d'une structure par voie optique |
US7068363B2 (en) | 2003-06-06 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen |
US7061623B2 (en) | 2003-08-25 | 2006-06-13 | Spectel Research Corporation | Interferometric back focal plane scatterometry with Koehler illumination |
US7791727B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
JP2006064496A (ja) | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク基板の表面粗さ測定方法および測定装置並びに磁気ディスクの製造方法 |
US20060109463A1 (en) | 2004-11-22 | 2006-05-25 | Asml Netherlands B.V. | Latent overlay metrology |
US7453577B2 (en) | 2004-12-14 | 2008-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and method for inspecting a patterned part of a sample |
ATE475862T1 (de) * | 2005-02-25 | 2010-08-15 | Nanometrics Inc | Vorrichtung und verfahren zur verbesserten critical-dimension-scatterometrie |
US7324193B2 (en) | 2006-03-30 | 2008-01-29 | Tokyo Electron Limited | Measuring a damaged structure formed on a wafer using optical metrology |
US7576851B2 (en) * | 2006-03-30 | 2009-08-18 | Tokyo Electron Limited | Creating a library for measuring a damaged structure formed on a wafer using optical metrology |
US7532331B2 (en) * | 2006-09-14 | 2009-05-12 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
-
2006
- 2006-10-13 US US11/580,246 patent/US8233155B2/en active Active
-
2007
- 2007-10-05 JP JP2007261444A patent/JP4828499B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080088854A1 (en) | 2008-04-17 |
US8233155B2 (en) | 2012-07-31 |
JP2008096434A (ja) | 2008-04-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5016579B2 (ja) | モデルの自由及び固定パラメータの選択を支援する方法、特性を測定する方法、デバイス製造方法、分光計及びリソグラフィ装置 | |
JP5100887B2 (ja) | 基板のモデルを評価する方法 | |
US7460237B1 (en) | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method | |
US8111398B2 (en) | Method of measurement, an inspection apparatus and a lithographic apparatus | |
JP4802167B2 (ja) | 検査方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セルおよびデバイス製造方法 | |
US9798250B2 (en) | Lithographic apparatus for measuring overlay error and a device manufacturing method | |
US8390823B2 (en) | Method, inspection apparatus and substrate for determining an approximate structure of an object on a substrate | |
US9529278B2 (en) | Inspection apparatus to detect a target located within a pattern for lithography | |
JP4875685B2 (ja) | ターゲットパターンのパラメータを割り出す方法、ライブラリを生成する方法、検査装置、リソグラフィ装置、リソグラフィセル、及びコンピュータプログラム | |
JP2008139303A (ja) | 検査方法、検査装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セル、およびデバイス製造方法 | |
JP4828499B2 (ja) | 検査方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セルおよびデバイス製造方法 | |
US7557934B2 (en) | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method | |
KR20110110263A (ko) | 특성을 결정하는 방법 | |
US8502955B2 (en) | Method of determining a characteristic | |
US20120033223A1 (en) | Inspection Method and Apparatus, Lithographic Apparatus, Lithographic Processing Cell and Device Manufacturing Method for Determining a Property of a Substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100621 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100916 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110314 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110816 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110914 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140922 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4828499 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |