JP4817822B2 - 基板周縁部膜除去装置及び基板周縁部膜の除去方法 - Google Patents
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Description
請求項11記載の基板周縁部膜の除去方法は、請求項9又は10記載の基板周縁部膜の除去方法において、前記載置台が前記基板を冷却する冷却ステップをさらに有することを特徴とする。
請求項12記載の基板周縁部膜の除去方法は、請求項9乃至11のいずれか1項に記載の基板周縁部膜の除去方法において、前記第2の隔離室の外側に配置された加熱装置が、前記第2の隔離室の壁部に形成された透過窓を透過するエネルギーを前記同じ場所へ供給して加熱することを特徴とする。
(COR処理)
SiO2+4HF → SiF4+2H2O↑
SiF4+2NH3+2HF → (NH4)2SiF6
(PHT処理)
(NH4)2SiF6 → SiF4↑+2NH3↑+2HF↑
上述した化学反応を利用したCOR処理では生成物の生成量は所定時間が経過すると飽和することが知られている。具体的には、所定時間が経過すると、それ以後、SiO2膜をアンモニアガス及び弗化水素ガスの混合気体に暴露し続けても、生成物の生成量は増加しない。また、生成物の生成量は、アンモニアガス及び弗化水素ガスの圧力、体積流量比等によって決定される。したがって、SiO2膜の除去量の制御を容易に行うことができ、引いてはウエハのシリコンがダメージを受けるのを回避することができる。
10,50 ウエハベベル部酸化膜除去装置
11,59 ウエハチャンバ
12 ウエハステージ
13,51,52 ベベル部チャンバ
18,55,60 処理室
19,56 処理ガス供給管
22,63 レーザ光照射装置
Claims (12)
- 周縁部に酸化膜が形成された基板を収容する収容室と、
各々、前記基板の周縁部における同じ場所を囲うことができ、該同じ場所を前記収容室の雰囲気から隔離する第1の隔離室及び第2の隔離室と、
前記収容室内において前記基板を載置し且つ前記基板の表面と平行な面内において前記基板を回転させる載置台とを備え、
前記第1の隔離室及び第2の隔離室は、前記載置台に載置された基板が回転する際に前記同じ場所を囲うように前記基板の周縁部に沿って配置され、
前記第1の隔離室は、前記同じ場所に形成された酸化膜と処理ガスのガス分子を化学反応させて前記同じ場所において生成物を生成し、
前記第2の隔離室は、前記生成された生成物を気化・熱酸化させて前記同じ場所から除去することを特徴とする基板周縁部膜除去装置。 - 前記第1の隔離室及び前記第2の隔離室の側面には、該側面から庇として前記基板に向けて突出する、互いに平行な2枚の板状体からなる突出開口部が設けられ、
該突出開口部は前記2枚の板状体の間に前記基板を収容し、
前記基板と各前記板状体とのクリアランスは0.5mm以下であることを特徴とする請求項1記載の基板周縁部膜除去装置。 - 前記収容室内には不活性ガスが充填され、前記収容室内の圧力は前記第1の隔離室内の圧力及び前記第2の隔離室内の圧力より高いことを特徴とする請求項1又は2記載の基板周縁部膜除去装置。
- 前記載置台は前記基板を冷却する冷却機構を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板周縁部膜除去装置。
- 前記第1の隔離室及び第2の隔離室は側面においてそれぞれ前記回転する基板の周縁部に対応する位置に開口部を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板周縁部膜除去装置。
- 前記基板は円板状を呈することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板周縁部膜除去装置。
- 前記第2の隔離室の外側に配置された加熱装置をさらに備え、
前記第2の隔離室は壁部に形成された透過窓を有し、前記加熱装置からのエネルギーは前記透過窓を透過して前記同じ場所を加熱し、前記生成された生成物を気化・熱酸化させて前記同じ場所から除去することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の基板周縁部膜除去装置。 - 前記加熱装置は、前記透過窓を透過するレーザ光を照射するレーザ光照射装置であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の基板周縁部膜除去装置。
- 周縁部に酸化膜が形成された基板を収容する収容室と、各々、前記基板の周縁部における同じ場所を囲うことができ、該同じ場所を前記収容室の雰囲気から隔離する第1の隔離室及び第2の隔離室と、前記収容室内において前記基板を載置し且つ前記基板の表面と平行な面内において前記基板を回転させる載置台とを備え、前記第1の隔離室及び第2の隔離室は、前記載置台に載置された基板が回転する際に前記同じ場所を囲うように前記基板の周縁部に沿って配置される基板周縁部膜除去装置における基板周縁部膜の除去方法であって、
前記載置台が、第1の隔離室と第2の隔離室が前記同じ場所を囲うように、前記基板を連続して回転させる回転ステップと、
前記第1の隔離室が前記同じ場所に形成された酸化膜と処理ガスのガス分子を化学反応させて前記同じ場所において生成物を生成する生成物生成ステップと、
前記第2の隔離室が前記生成された生成物を気化・熱酸化させて前記同じ場所から除去する生成物除去ステップとを有することを特徴とする基板周縁部膜の除去方法。 - 前記収容室内の圧力が前記第1の隔離室内の圧力及び前記第2の隔離室内の圧力より高くなるように、前記収容室内には不活性ガスが充填されることを特徴とする請求項9記載の基板周縁部膜の除去方法。
- 前記載置台が前記基板を冷却する冷却ステップをさらに有することを特徴とする請求項9又は10記載の基板周縁部膜の除去方法。
- 前記第2の隔離室の外側に配置された加熱装置が、前記第2の隔離室の壁部に形成された透過窓を透過するエネルギーを前記同じ場所へ供給して加熱することを特徴とする請求項9乃至11のいずれか1項に記載の基板周縁部膜の除去方法。
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