JP4817718B2 - 表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置 - Google Patents
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Description
(1)透明な絶縁基板110上にAl膜(膜厚150nm)とMo膜(膜厚50nm)をスパッタ法により成膜し、積層膜を形成する。
(1)透明な絶縁基板110上にAl膜(膜厚150nm)とMo膜(膜厚50nm)をスパッタ法により成膜し、積層膜を形成する。
(1)透明な絶縁基板110上にAl膜(膜厚150nm)とMo膜(膜厚50nm)をスパッタ法により成膜し、積層膜を形成する。
透過型のチャネルエッチ型のTFT基板の製造工程と同様の工程(1)〜(8)の後に、端子部150、151上の上部電極152、153を透明導電膜により形成する。透過型のTFT基板と異なり、透明な画素電極116は形成しない。その後、画素領域内に部分的に凹凸形成用突起160を形成し、凹凸形成用突起160上の全面に有機膜161を形成する。有機膜161表面には凹凸形成用突起160に倣った凹凸が形成される。なお凹凸形成用突起160に代えて、工程(1)〜(8)で何らかの凹凸形成用の下地を形成してもよい。
以上のように、従来の液晶表示装置は、製造プロセスが煩雑であるという問題を有している。
(実施例1−1)
本発明の第1の実施の形態の実施例1−1による表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について説明する。図1は、本実施例による透過型の液晶表示装置の概略構成を示している。図1に示すように、液晶表示装置は、絶縁膜を介して互いに交差して形成されたゲートバスライン及びドレインバスラインと、画素毎に形成された薄膜トランジスタ(TFT)及び画素電極とを備えたTFT基板(表示装置用基板)62を有している。また、液晶表示装置は、カラーフィルタ(CF)や共通電極が形成されてTFT基板62に対向配置された対向基板64を有している。両基板62、64間には液晶が封止され、液晶層が形成されている。
(1)透明な絶縁基板20上にAl膜(膜厚150nm)とAl2wt%ZnO膜(膜厚50nm)とをスパッタ法によりこの順に成膜し、積層膜を形成する。
次に、本実施の形態の実施例1−2による反射型のTFT基板62及びその製造方法について説明する。図4は、本実施例によるTFT基板62の1画素の構成を示している。図5(a)は図4のB−B線で切断したTFT基板62の断面構成を示し、図5(b)はゲートバスライン端子近傍の断面構成を示し、図5(c)はドレインバスライン端子近傍の断面構成を示している。本実施例によるTFT基板62では、反射電極(画素電極)17及びバスライン端子の上部電極27、28が下層部のAl膜と上層部のZnO膜19cとを有する2層構造になっている。
(1)透明な絶縁基板20上にAl膜(膜厚150nm)とAl2wt%ZnO膜(膜厚50nm)をスパッタ法によりこの順に成膜し、積層膜を形成する。
次に、本実施の形態の実施例1−3による反射型のTFT基板62及びその製造方法について説明する。図6(a)はTFT基板62の画素の断面構成を示し、図6(b)はゲートバスライン端子近傍の断面構成を示し、図6(c)はドレインバスライン端子近傍の断面構成を示している。本実施例では、バスライン端子が下部電極のみで形成されており、下部電極は下層部のAl膜と上層部のZnO膜とを有する2層構造になっている。
(1)透明な絶縁基板20上にAl膜(膜厚150nm)とAl2wt%ZnO膜(膜厚50nm)をスパッタ法によりこの順に成膜し、積層膜を形成する。
次に、本実施の形態の実施例1−4によるTFT基板62及びその製造方法について説明する。図7はTFT基板62の1画素の構成を示している。図8(a)は図7のC−C線で切断したTFT基板62の断面構成を示し、図8(b)はゲートバスライン端子近傍の断面構成を示し、図8(c)はドレインバスライン端子近傍の断面構成を示している。本実施例のTFT基板62は、横電界により液晶を駆動するIPSモードの液晶表示装置に用いられる。本実施例では、酸化物導電膜端子を有する低抵抗配線を3枚マスクにより得られる。
(1)透明な絶縁基板20上にAl膜(膜厚150nm)とAl2wt%ZnO膜(膜厚50nm)をスパッタ法によりこの順に成膜し、積層膜を形成する。
次に、本発明の第2の実施の形態による表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について図9乃至図23を用いて説明する。本実施の形態は、特に半透過型の液晶表示装置及びそれに用いられる表示装置用基板に関する。
θ=atan{(150mm/2)/350mm}
=12.09°
となる。図17に示すように、入射光を表示画面法線方向に反射させる反射電極17の微小表面の傾斜角は、光の入射角の1/2である。すなわち、反射電極17のうち傾斜角がθ/2(≒6°)以下の領域は、光源、表示画面及び使用者の位置関係に基づき表示にあまり寄与しないことになる。したがって、開口領域42は、反射電極17が形成された場合にその表面の基板面に対する傾斜角が6°以下になる領域(つまり樹脂層45表面又は透明電極16表面の傾斜角が6°以下である領域)に形成されるのが望ましい。
図18は本実施の形態の実施例2−1によるTFT基板の1画素の構成を示している。図19は図18のE−E線で切断したTFT基板の断面構成を示している。ガラス等の絶縁基板20上にゲートバスライン(ゲート電極)1及びCsバスライン2が形成されている。ゲートバスライン1及びCsバスライン2は、例えばAl層46、MoN層47、Mo層48の積層膜からなる。その上層には絶縁膜3、動作半導体層4、チャネル保護膜5が形成され、さらにその上層にコンタクト層(n+a−Si)18、ドレイン電極6、ソース電極7及び中間電極8が形成される。ドレイン電極6、ソース電極7及び中間電極8は、例えばTi層49、Al層50、Ti層51の積層膜からなる。その上層にはSiNなどからなる保護膜9が成膜されているが、これは必要なければ省いてもよい。その上層には、凹凸を形成するため複数のアイランド状にパターニングされた凹凸形成用突起29が樹脂等で形成されている。凹凸形成用突起29上には有機膜(樹脂膜)30が形成されている。凹凸形成用突起29による凹凸が有機膜30によりレベリングされることで、有機膜30表面には適度な凹凸が形成されている。さらにその上層には、ITOからなる透明電極16と、その上層に配置されMoN(窒素を含むMo)層52及びAl層53の積層膜からなる反射電極17とを含む画素電極が画素毎に形成されている。画素電極は、有機膜30の凹凸に倣った凹凸状の表面を有し、本実施例では凹凸の底部に相当する位置に、画素電極のうちの反射電極17が除去された開口領域42が配置されている。開口領域42は、反射電極17が除去されて透明電極16が残されることにより透過領域として用いられる。もちろん凹凸の頂部に相当する位置、あるいは図20に示すように底部及び頂部の両方の位置に開口領域42を形成してもよい。
図22は本実施の形態の実施例2−2によるTFT基板の1画素の構成を示している。図23は図22のF−F線で切断したTFT基板の断面構成を示している。ガラス等の絶縁基板20上にゲートバスライン(ゲート電極)1及びCsバスライン2が形成されている。その上層には絶縁膜3、動作半導体層4、チャネル保護膜5が形成され、さらにその上層にコンタクト層(n+a−Si)18、ドレイン電極6、ソース電極7及び中間電極8が形成される。その上層にはSiNなどからなる保護膜9が成膜されているが、これは必要なければ省いてもよい。その上層には、表面に皺状の凹凸を有する樹脂層54が形成されている。この皺状凹凸は、樹脂層54を塗布、露光、現像及び熱処理した後、UV処理又はイオンドープを行い、その後熱処理することにより形成される。さらにその上層には、ZnOxからなる透明電極16と、その上層に配置されたAlからなる反射電極17とを含む画素電極が画素毎に形成されている。透明電極16は、ZnOxにAl又はGaを含有させた化合物で形成してもよい。ZnOxや、ZnOxにAl又はGaを含有させた化合物は、Alを上層に直接積層しても現像処理での電池反応が発生しない。このため、カバーメタルを形成する必要はない。画素電極の表面には、樹脂層54の凹凸に倣った皺状凹凸が形成されている。本実施例では皺状凹凸の頂部に相当する位置に、画素電極のうちの反射電極17が除去された線状の開口領域42が配置されている。開口領域42は、反射電極17が除去されて透明電極16が残されることにより透過領域として用いられる。
(1)絶縁基板20上に第1の導電層としてAl層46、MoN層47、Mo層48を成膜し、ゲートバスライン1及びCsバスライン2を形成する。
2 Csバスライン
3 絶縁膜
4 動作半導体層
5 チャネル保護膜
6 ドレイン電極
7 ソース電極
8 中間電極
9 保護膜
10 ドレインバスライン
11、12 樹脂層
13 ITO膜
14 MoN膜
15 Al膜
16 画素電極
17 反射電極
18 コンタクト層
19a、19b、19c ZnO膜
20 絶縁基板
21、22 下部電極
23、24、25、26 コンタクトホール
27、28 上部電極
29 凹凸形成用突起
30 有機膜
31 共通電極
40 使用者
41 携帯端末
42 開口領域
43 液晶表示装置
44 頭部
45、54 樹脂層
46、50、53 Al層
47、52 MoN層
48 Mo層
49、51 Ti層
62 TFT基板
64 対向基板
80 ゲートバスライン駆動回路
82 ドレインバスライン駆動回路
84 制御回路
86、87 偏光板
88 バックライトユニット
Claims (14)
- 基板上に形成されたゲートバスライン、ゲートバスライン端子部及び薄膜トランジスタのゲート電極と、
前記ゲートバスライン、前記ゲートバスライン端子部及び前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された動作半導体層と、
第1の下層部と、ZnOからなり前記第1の下層部上に形成された第1の上層部とを有する積層構造を備えた、前記薄膜トランジスタのソース電極と、
前記ソース電極を覆う保護膜と、
前記ソース電極上の前記保護膜が開口された第1のコンタクトホールと、
前記保護膜上に形成され、前記第1のコンタクトホールを介して前記ソース電極の前記第1の上層部に直接接続された画素電極と、
前記ゲートバスライン端子部上の前記ゲート絶縁膜及び前記保護膜が開口された第2のコンタクトホールと、
前記画素電極と同層に形成され、前記第2のコンタクトホールを介して前記ゲートバスライン端子部に直接接続された上部電極とを有し、
前記ゲートバスライン、前記ゲートバスライン端子部及び前記ゲート電極は、第2の下層部と、ZnOからなり前記第2の下層部上に形成された第2の上層部とを有する積層構造を備えた積層電極であり、
前記上部電極は、前記第2のコンタクトホールを介して前記ゲートバスライン端子部の前記第2の上層部に直接接続されていること
を特徴とする表示装置用基板。 - 請求項1記載の表示装置用基板において、
前記ゲートバスラインと同層に形成された蓄積容量バスライン及びその端子部と、
前記ソース電極と同層に形成された中間電極と、
前記中間電極上の前記保護膜が開口された第3のコンタクトホールとを有し、
前記画素電極は、前記第3のコンタクトホールを介して前記中間電極に直接接続されていること
を特徴とする表示装置用基板。 - 請求項1又は2に記載の表示装置用基板において、
前記ソース電極と同層に形成されたドレインバスライン端子部と、
前記ドレインバスライン端子部上の前記保護膜が開口されたコンタクトホールとをさらに有すること
を特徴とする表示装置用基板。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の表示装置用基板において、
前記第1の下層部及び前記第1の上層部は、ほぼ同一形状にパターニングされていること
を特徴とする表示装置用基板。 - 請求項4記載の表示装置用基板において、
前記第1の下層部及び前記第1の上層部は、同一のフォトリソグラフィ工程により形成されていること
を特徴とする表示装置用基板。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の表示装置用基板において、
前記第1の下層部は、Al又はAl合金からなること
を特徴とする表示装置用基板。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の表示装置用基板において、
前記基板上に形成され、凹凸状の表面を有する樹脂層をさらに有し、
前記画素電極は、前記樹脂層上に形成されて前記樹脂層表面に倣った凹凸状の表面を有し、光を透過する透明電極と光を反射する反射電極とが少なくとも一部で積層された構造を有し、
前記透明電極と前記反射電極とが積層された反射領域と、凹凸状の前記画素電極のうち頂部若しくは底部又はその両方に相当する領域で前記反射電極が除去された透過領域とをそれぞれ有する複数の画素領域を備えること
を特徴とする表示装置用基板。 - 請求項7記載の表示装置用基板において、
前記樹脂層は透明であること
を特徴とする表示装置用基板。 - 請求項7又は8に記載の表示装置用基板において、
前記透過領域は、前記樹脂層表面の基板面に対する傾斜角が6°以下の領域に配置されていること
を特徴とする表示装置用基板。 - 請求項7乃至9のいずれか1項に記載の表示装置用基板において、
前記透明電極は、ITO、ZnOx、又はZnOxにAl若しくはGaを含有させた化合物からなること
を特徴とする表示装置用基板。 - 請求項7乃至10のいずれか1項に記載の表示装置用基板において、
前記反射電極は、Mo、窒素を含むMo、又はTiからなる下層部と、Al、Al合金、Ag、又はAg合金からなる上層部とを含む2層以上の積層構造を有すること
を特徴とする表示装置用基板。 - 請求項7乃至9のいずれか1項に記載の表示装置用基板において、
前記透明電極は、ZnOx、又はZnOxにAl若しくはGaを含有させた化合物からなり、
前記反射電極は、Al、Al合金、Ag、又はAg合金の単層膜からなること
を特徴とする表示装置用基板。 - 対向配置された一対の基板と、前記一対の基板間に封止された液晶とを備えた液晶表示装置であって、
前記一対の基板の一方に、請求項1乃至12のいずれか1項に記載の表示装置用基板が用いられていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 基板上にゲートバスライン、ゲートバスライン端子部及び薄膜トランジスタのゲート電極を形成し、
前記ゲートバスライン、前記ゲートバスライン端子部及び前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に動作半導体層を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、第1の下層部とZnOからなる第1の上層部とを有する積層構造を備えた前記薄膜トランジスタのソース電極を、前記第1の下層部及び前記第1の上層部を同一のフォトリソグラフィ工程でほぼ同一形状にパターニングすることにより形成し、
前記ソース電極上に保護膜を形成し、
前記ソース電極上の前記保護膜を開口して第1のコンタクトホールを形成するとともに、前記ゲートバスライン端子部上の前記絶縁膜及び前記保護膜を開口して第2のコンタクトホールを形成し、
前記第1のコンタクトホールを介して前記ソース電極の前記第1の上層部に直接接続される画素電極と、前記第2のコンタクトホールを介して前記ゲートバスライン端子部に直接接続される上部電極とを前記保護膜上に同時に形成し、
前記ゲートバスライン、前記ゲートバスライン端子部及び前記ゲート電極は、第2の下層部と、ZnOからなり前記第2の下層部上に形成された第2の上層部とを有する積層構造を備えた積層電極であり、
前記上部電極は、前記第2のコンタクトホールを介して前記ゲートバスライン端子部の前記第2の上層部に直接接続されること
を特徴とする表示装置用基板の製造方法。
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