JP4810977B2 - 発光装置およびその形成方法 - Google Patents
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Description
本形態における発光素子として、LEDチップについて説明する。LEDチップを構成する発光素子としては、ZnSeやGaNなど種々の半導体により形成された半導体発光素子を挙げることができるが、蛍光物質を使用する場合には、その蛍光物質を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が好適に挙げられる。半導体発光素子の構造としては、MIS接合、PIN接合やpn接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。
本形態における支持体103(以下、「サブマウント」と呼ぶ。)とは、少なくとも発光素子の電極と対面する側の面に導体配線104が施されており、フリップチップ実装された発光素子107を保持するための部材である。
本形態における波長変換部材102は、発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光物質101を含有する部材である。波長変換部材は、レンズのような光学素子に配置させたり、光ファイバの先端に配置させたりすることもできる。このような波長変換部材102は、蛍光物質と、その蛍光物質を固着させるための結着材と、から形成されている。特に、本形態における結着材は、金属アルコキシドのゾル溶液のゲル化生成物とすることができる。また、波長変換部材の発光素子への固定を強化させるため、電気泳動沈着により形成された蛍光体層に、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの透光性樹脂やガラスなどの、他の結着材を含浸させることが好ましい。
101・・・蛍光物質
102・・・波長変換部材
103・・・支持体
104・・・導体配線
105・・・絶縁部材
106・・・バンプ
107・・・発光素子
108・・・導電部材
109・・・正電極
110・・・負電極
111・・・濃度変化領域
112・・・基板
113・・・電解液
114・・・電極
Claims (5)
- 発光素子と、その発光素子の光と異なる波長を発光する蛍光物質と、を備えた発光装置の形成方法であって、
発光素子を導電部材にて被覆する第一の工程と、
前記導電部材を媒質中に配置させる第二の工程と、
前記導電部材に電圧を印加することにより、帯電された蛍光物質を、前記媒質中にて泳動させて前記導電部材に堆積させる第三の工程と、
前記導電部材を、前記発光素子の光に対して透光性化する第四の工程と、を有することを特徴とする発光装置の形成方法。 - 前記媒質は、前記導電部材を溶解させる材料を含む請求項1に記載の発光装置の形成方法。
- 前記第四の工程は、前記導電部材を加熱する工程を含む請求項1または2に記載の発光装置の形成方法。
- 前記媒質は、Al、Sn、Si、Ti、YあるいはPbから選択される元素を含む金属アルコキシドを含む溶液である請求項1から3のいずれか一項に記載の発光装置の形成方法。
- 発光素子と、その発光素子と異なる波長を発光する蛍光物質を含有する波長変換部材と、を備えた発光装置であって、
前記波長変換部材には、前記蛍光物質とは別に、Al、TiあるいはWから選択された少なくとも一種が含有されており、その含有濃度が前記発光素子の側から波長変換部材の厚み方向へ徐々に小さくなることを特徴とする発光装置。
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