JP4809701B2

JP4809701B2 - Anisotropic conductive film and manufacturing method thereof

Info

Publication number: JP4809701B2
Application number: JP2006079343A
Authority: JP
Inventors: 悠介山田
Original assignee: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Current assignee: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Priority date: 2006-03-22
Filing date: 2006-03-22
Publication date: 2011-11-09
Anticipated expiration: 2026-03-22
Also published as: JP2007257947A

Description

本発明は、異方性導電フィルム及びその製造方法に関し、特に、高密度実装及びファインピッチに対応してＩＣチップと回路基板との接続などに用いられ、接続信頼性を高められる異方性導電フィルム及びその製造方法に関する。 The present invention relates to an anisotropic conductive film and a method for manufacturing the same, and more particularly, an anisotropic conductive film that is used for connection between an IC chip and a circuit board corresponding to high-density mounting and fine pitch, and can improve connection reliability. The present invention relates to a film and a manufacturing method thereof.

近年、電子機器の発達によってＩＣチップを実装するデバイスや電子機器は、軽量かつ薄型化が求められ、ＩＣチップを実装する基板も高密度化が要求されている。
ＩＣチップを実装する方法として、異方性導電フィルム（Anisotropic Conductive Film；ＡＣＦ）を用いる方法が知られている。ＡＣＦは、例えば特許文献１及び特許文献２などに記載されているように、絶縁性接着剤層中に導電粒子が分散されている構成である。 In recent years, with the development of electronic devices, devices and electronic devices for mounting IC chips are required to be lightweight and thin, and substrates for mounting IC chips are also required to have high density.
As a method for mounting an IC chip, a method using an anisotropic conductive film (ACF) is known. The ACF has a configuration in which conductive particles are dispersed in an insulating adhesive layer as described in, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2.

ＩＣチップや実装用の回路基板などに設けられた２つの電極を対向させ、これらの間に上記のような構成のＡＣＦを挟み込み、ＩＣチップや回路基板などに圧力を印加して電極の間隔を狭めていくと、電極間の樹脂が隙間から押し出されて、残された導電粒子が電極間に挟み込まれて電極間を電気的に接続させることができる。ＩＣチップと実装基板などの接合部の隙間にはＡＣＦを構成する絶縁性接着剤が入り込んで接着硬化し、接合部が動かないように固定できる。 Two electrodes provided on an IC chip or a circuit board for mounting are opposed to each other, the ACF having the above-described configuration is sandwiched between them, and pressure is applied to the IC chip or the circuit board to reduce the distance between the electrodes. When narrowing, the resin between the electrodes is pushed out from the gap, and the remaining conductive particles are sandwiched between the electrodes, so that the electrodes can be electrically connected. An insulating adhesive constituting the ACF enters the gap between the joint portion such as the IC chip and the mounting substrate so that the joint portion can be fixed so that the joint portion does not move.

ＩＣチップの電極は、ＩＣチップの小型化や高機能化に伴ってその面積が小さくなるとともに隣接電極間の距離が短くなり、かつ電極密度が高くなっている。上記のようなＡＣＦで電気的接続を行う場合、隣接電極との絶縁性を確保するためには導電粒子の粒径を小さくする必要がある一方で、導通性を保つには同時に導電粒子数を増やす必要があり、このために粒子数の増加および表面積の増大により導電粒子は二次凝集を起こしやすく、隣接する回路間での絶縁性を保持することが困難となってしまう。 The electrodes of the IC chip are reduced in area with the miniaturization and higher functionality of the IC chip, the distance between adjacent electrodes is shortened, and the electrode density is increased. When electrical connection is performed with the ACF as described above, it is necessary to reduce the particle size of the conductive particles in order to ensure insulation with the adjacent electrode, while at the same time the number of conductive particles is to be maintained in order to maintain conductivity. For this reason, the conductive particles are liable to cause secondary aggregation due to the increase in the number of particles and the increase in the surface area, and it becomes difficult to maintain insulation between adjacent circuits.

特に、接続時に回路基板の電極間スペースに流入した接着剤に含まれる導電粒子が樹脂だまりや流動先端部などに凝集し、これにより電極間がショートするという問題点がある。これを防止するため、導電粒子の添加量を減少すると電極間の接触点の数が不足し、回路接続部の十分な導通性が得られ難くなり、接続信頼性が低下する。
上記のような状況から、ＩＣチップや回路基板などのＡＣＦを用いた電気的接続において、接続信頼性を保ちながらファインピッチに対応することが極めて困難となっている。
特開２００５−２０９４５４号公報特開２００２−３５８８２５号公報 In particular, there is a problem in that conductive particles contained in the adhesive flowing into the inter-electrode space of the circuit board at the time of connection aggregate in a resin pool or a flow front end portion, thereby causing a short circuit between the electrodes. In order to prevent this, if the addition amount of the conductive particles is reduced, the number of contact points between the electrodes is insufficient, and it becomes difficult to obtain sufficient electrical conductivity of the circuit connection portion, thereby reducing connection reliability.
From the above situation, in electrical connection using an ACF such as an IC chip or a circuit board, it is extremely difficult to cope with a fine pitch while maintaining connection reliability.
JP 2005-209454 A JP 2002-358825 A

本願は上記の状況に鑑みてなされたものであり、接続信頼性を保ちながらファインピッチに対応できる異方性導電フィルム及びその製造方法を提供することを目的とする。 The present application has been made in view of the above-described situation, and an object thereof is to provide an anisotropic conductive film that can handle a fine pitch while maintaining connection reliability and a method for manufacturing the same.

上記の目的を達成するため、本発明の異方性導電フィルムは、絶縁性樹脂を含んで構成され、平均孔径が１μｍ以上であって１００μｍ以下である多数の孔部が膜厚方向に貫通して設けられた多孔質膜と、前記孔部の少なくとも内壁面上に設けられた導電層とを有し、厚みが１μｍ以上であって１００μｍ以下であり、かつ、前記平均孔径の９０％未満であり、隣接する前記孔部の中心間距離が２μｍ以上であって２００μｍ以下である異方性導電層と、前記異方性導電層の少なくとも一方の面上に設けられ、前記絶縁性樹脂の溶融粘度より低い溶融粘度を有する絶縁性の接着剤よりなり、厚みが１μｍ以上であって１００μｍ以下である接着剤層とを有し、前記異方性導電層の表面積に対する前記孔部の前記異方性導電層の表面での開口面積の割合である開口率が１０％以上であって８０％以下であり、前記多孔質膜が前記絶縁性樹脂と分子量が１００００未満の親水基に陰イオン性基を有する両親媒性物質とを含んで構成され、前記両親媒性物質が前記孔部の辺縁部を構成し、各孔部は前記絶縁性樹脂を含む仕切壁により仕切られており、前記多孔質膜の表面と平行な方向に連通しておらず、前記多孔質膜において前記絶縁性樹脂と前記両親媒性物質とを合計した総重量において前記絶縁性樹脂の重量が占める割合（絶縁性樹脂／｛絶縁性樹脂＋両親媒性物質｝）が０．１以上であって０．６以下である。 In order to achieve the above object, the anisotropic conductive film of the present invention includes an insulating resin, and a large number of holes having an average pore diameter of 1 μm or more and 100 μm or less penetrate in the film thickness direction. a porous membrane provided Te, have a a conductive layer provided on at least an inner wall surface of the hole, a thickness of a at 1μm or more 100μm or less, and less than 90% of the average pore diameter There is provided an anisotropic conductive layer in which the distance between the centers of adjacent holes is 2 μm or more and 200 μm or less, and is provided on at least one surface of the anisotropic conductive layer, and the insulating resin is melted. Ri Na from insulating adhesive having a low melt viscosity than the viscosity, thickness possess an adhesive layer is a at 1μm or more 100μm or less, the cross of the hole to the surface area of the anisotropic conductive layer Percentage of opening area on the surface of the isotropic conductive layer The opening ratio is 10% or more and 80% or less, and the porous film contains the insulating resin and an amphiphilic substance having an anionic group in a hydrophilic group having a molecular weight of less than 10,000. The amphiphile constitutes the edge of the hole, and each hole is partitioned by a partition wall containing the insulating resin, and communicates in a direction parallel to the surface of the porous membrane. The ratio of the weight of the insulating resin to the total weight of the insulating film and the amphiphilic substance in the porous membrane (insulating resin / {insulating resin + amphiphilic substance) }) Is 0.1 or more and 0.6 or less.

上記の本発明の異方性導電フィルムは、絶縁性樹脂を含んで構成され、平均孔径が１μｍ以上であって１００μｍ以下である多数の孔部が膜厚方向に貫通して設けられた多孔質膜の上記孔部の少なくとも内壁面上に導電層が設けられて、異方性導電層が構成されている。
上記異方性導電層の少なくとも一方の面上に、多孔質膜を構成する絶縁性樹脂の溶融粘度より低い溶融粘度を有する絶縁性の接着剤よりなる接着剤層が設けられている。
ここで、異方性導電層は、厚みが１μｍ以上であって１００μｍ以下であり、かつ、平均孔径の９０％未満であり、隣接する孔部の中心間距離が２μｍ以上であって２００μｍ以下である。
また、接着剤層は、厚みが１μｍ以上であって１００μｍ以下である。
また、異方性導電層の表面積に対する孔部の異方性導電層の表面での開口面積の割合である開口率が１０％以上であって８０％以下であり、多孔質膜が絶縁性樹脂と分子量が１００００未満の親水基に陰イオン性基を有する両親媒性物質とを含んで構成され、両親媒性物質が孔部の辺縁部を構成し、各孔部は絶縁性樹脂を含む仕切壁により仕切られており、多孔質膜の表面と平行な方向に連通しておらず、多孔質膜において絶縁性樹脂と両親媒性物質とを合計した総重量において絶縁性樹脂の重量が占める割合（絶縁性樹脂／｛絶縁性樹脂＋両親媒性物質｝）が０．１以上であって０．６以下である。 The anisotropic conductive film of the present invention is composed of an insulating resin, and is porous in which a large number of pores having an average pore diameter of 1 μm or more and 100 μm or less are provided penetrating in the film thickness direction. A conductive layer is provided on at least the inner wall surface of the hole portion of the film to constitute an anisotropic conductive layer.
An adhesive layer made of an insulating adhesive having a melt viscosity lower than the melt viscosity of the insulating resin constituting the porous film is provided on at least one surface of the anisotropic conductive layer.
Here, the anisotropic conductive layer has a thickness of 1 μm or more and 100 μm or less and less than 90% of the average pore diameter, and the distance between centers of adjacent pores is 2 μm or more and 200 μm or less. is there.
The adhesive layer has a thickness of 1 μm or more and 100 μm or less.
Further, the opening ratio, which is the ratio of the opening area of the hole portion on the surface of the anisotropic conductive layer to the surface area of the anisotropic conductive layer, is 10% or more and 80% or less, and the porous film is an insulating resin. And an amphiphilic substance having an anionic group in a hydrophilic group having a molecular weight of less than 10,000, the amphiphilic substance constitutes the edge of the hole, and each hole contains an insulating resin. It is partitioned by a partition wall and does not communicate in a direction parallel to the surface of the porous membrane, and the weight of the insulating resin occupies the total weight of the insulating resin and the amphiphile in the porous membrane. The ratio (insulating resin / {insulating resin + amphiphile}) is 0.1 or more and 0.6 or less.

上記の目的を達成するため、本発明の異方性導電フィルムの製造方法は、異方性導電層の少なくとも一方の面上に接着剤層が設けられた異方性導電フィルムの製造方法であって、少なくとも、疎水性の絶縁性樹脂、両親媒性物質、水、疎水性有機溶媒、及び前記水中に分散された無電解メッキ触媒を含む溶液を混合攪拌して、逆ミセルが形成された疎水性有機溶媒溶液を得る工程と、前記疎水性有機溶媒溶液を基板上に塗布及び乾燥させて、絶縁性樹脂を含んで構成され、膜厚方向に貫通した多数の孔部が設けられ、前記孔部の内壁面上に前記無電解メッキ触媒が存在する多孔質膜を形成する工程と、前記多孔質膜を無電解メッキ液に浸漬して前記無電解メッキ触媒を触媒として前記孔部の少なくとも内壁面上に導電層を形成し、前記多孔質膜と前記導電層とを有する異方性導電層を形成する工程とを有し、上記の異方性導電フィルムを製造する。 In order to achieve the above object, the method for producing an anisotropic conductive film of the present invention is a method for producing an anisotropic conductive film in which an adhesive layer is provided on at least one surface of the anisotropic conductive layer. In addition, at least a hydrophobic insulating resin, an amphiphile, water, a hydrophobic organic solvent, and a solution containing the electroless plating catalyst dispersed in water are mixed and stirred to form a hydrophobic structure in which reverse micelles are formed. A step of obtaining a hydrophobic organic solvent solution, and applying and drying the hydrophobic organic solvent solution on a substrate to include an insulating resin, provided with a large number of holes penetrating in the film thickness direction, Forming a porous film in which the electroless plating catalyst is present on the inner wall surface of the part, and immersing the porous film in an electroless plating solution to use the electroless plating catalyst as a catalyst at least in the pores. Forming a conductive layer on the wall surface, the porous The conductive layer and have a forming an anisotropic conductive layer having, producing the anisotropic conductive film and.

上記の本発明の異方性導電フィルムの製造方法は、少なくとも、疎水性の絶縁性樹脂、両親媒性物質、水、疎水性有機溶媒、及び水中に分散された無電解メッキ触媒を含む溶液を混合攪拌して、逆ミセルが形成された疎水性有機溶媒溶液を形成する。
得らえた疎水性有機溶媒溶液を基板上に塗布及び乾燥させて、絶縁性樹脂を含んで構成され、膜厚方向に貫通した多数の孔部が設けられ、孔部の内壁面上に無電解メッキ触媒が存在する多孔質膜を形成する。
次に、多孔質膜を無電解メッキ液に浸漬して無電解メッキ触媒を触媒として孔部の少なくとも内壁面上に導電層を形成して、多孔質膜と導電層とを有する異方性導電層とする。
これにより、上記の異方性導電フィルムを製造する。 The method for producing an anisotropic conductive film of the present invention includes at least a solution containing a hydrophobic insulating resin, an amphiphilic substance, water, a hydrophobic organic solvent, and an electroless plating catalyst dispersed in water. Mix and stir to form a hydrophobic organic solvent solution with reverse micelles formed.
The obtained hydrophobic organic solvent solution is coated on the substrate and dried, and is composed of an insulating resin. A large number of holes that penetrate in the film thickness direction are provided, and electroless is formed on the inner wall surface of the holes. A porous film in which a plating catalyst is present is formed.
Next, the porous film is immersed in an electroless plating solution, an electroless plating catalyst is used as a catalyst to form a conductive layer on at least the inner wall surface of the hole, and the anisotropic conductive material having the porous film and the conductive layer is formed. Layer.
Thereby, said anisotropic conductive film is manufactured.

本発明の異方性導電フィルムは、多孔質膜として平均孔径が１μｍ以上であって１００μｍ以下である多数の孔部が形成されてその内壁面上に導電層が形成されていることでファインピッチに対応でき、さらに多孔質膜と接着剤層の溶融粘度により導電層の凝集などの問題を引き起こさず、接続信頼性を確保できる。 The anisotropic conductive film of the present invention has a fine pitch because a porous film is formed with a large number of pores having an average pore diameter of 1 μm or more and 100 μm or less, and a conductive layer is formed on the inner wall surface thereof. Furthermore, connection reliability can be ensured without causing problems such as aggregation of the conductive layer due to the melt viscosity of the porous film and the adhesive layer.

本発明の異方性導電フィルムの製造方法は、逆ミセル法により微細な孔部を有する多孔質膜を形成し、孔部の内壁面上に導電性を形成することにより、ファインピッチに対応可能で、かつ導電層の凝集などの問題を引き起こさずに接続信頼性を確保できる異方性導電フィルムを製造することができる。 The manufacturing method of the anisotropic conductive film of the present invention can cope with fine pitch by forming a porous film having fine pores by reverse micelle method and forming conductivity on the inner wall surface of the pores. In addition, an anisotropic conductive film that can ensure connection reliability without causing problems such as aggregation of the conductive layer can be produced.

以下に、本発明の異方性導電フィルム及びその製造方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。 Embodiments of an anisotropic conductive film and a method for producing the same according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

第１実施形態
図１は本実施形態に係る異方性導電フィルムの一例の模式断面図である。
例えば、図１に示すように、本実施形態の異方性導電フィルムは、多孔質膜１０と、導電層２０と、接着剤層３０とを有する。
多孔質膜１０は、絶縁性樹脂を含んで構成され、平均孔径が１μｍ以上であって１００μｍ以下である多数の孔部１１が膜厚方向に貫通して設けられている。
導電層２０は、多孔質膜１０の孔部１１の少なくとも内壁面上に設けられている。本実施形態において、孔部１１における導電層２０よりも内側の領域は空隙１２となっている。
以上のように、多孔質膜１０と導電層２０から異方性導電層が構成されている。 First Embodiment FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an example of an anisotropic conductive film according to this embodiment.
For example, as shown in FIG. 1, the anisotropic conductive film of this embodiment includes a porous film 10, a conductive layer 20, and an adhesive layer 30.
The porous film 10 includes an insulating resin, and is provided with a large number of holes 11 having an average pore diameter of 1 μm or more and 100 μm or less penetrating in the film thickness direction.
The conductive layer 20 is provided on at least the inner wall surface of the hole 11 of the porous membrane 10. In the present embodiment, the area inside the hole 11 relative to the conductive layer 20 is a void 12.
As described above, the anisotropic conductive layer is composed of the porous film 10 and the conductive layer 20.

例えば、さらに、異方性導電層の一方の面上に接着剤層３０が設けられている。
ここで、接着剤層３０は、多孔質膜１０を構成する絶縁性樹脂の溶融粘度より低い溶融粘度を有する絶縁性の接着剤よりなる。 For example, the adhesive layer 30 is further provided on one surface of the anisotropic conductive layer.
Here, the adhesive layer 30 is made of an insulating adhesive having a melt viscosity lower than the melt viscosity of the insulating resin constituting the porous film 10.

図２は本実施形態に係る異方性導電フィルムの他の例の模式断面図である。
例えば、多孔質膜１０と導電層２０からなる異方性導電層の両方の面上に接着剤層（３０，３１）が設けられていてもよい。 FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of another example of the anisotropic conductive film according to this embodiment.
For example, an adhesive layer (30, 31) may be provided on both surfaces of the anisotropic conductive layer including the porous film 10 and the conductive layer 20.

上記の本実施形態に係る異方性導電フィルムの使用方法について説明する。
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、上記の図２に示す異方性導電フィルムの使用方法を説明するための模式断面図である。通常、接着剤層の表面は使用時まで剥離フィルムで被覆されており、使用時に剥離されるものであるが、図面上は剥離フィルムを省略している。 A method for using the anisotropic conductive film according to the present embodiment will be described.
3A and 3B are schematic cross-sectional views for explaining a method of using the anisotropic conductive film shown in FIG. Usually, the surface of the adhesive layer is covered with a release film until use, and is peeled off at the time of use, but the release film is omitted in the drawing.

まず、図３（Ａ）に示すように、例えば、異方性導電フィルムの一方の剥離フィルムを剥離し、例えば回路基板４０の電極４１上に適当な条件で加熱加圧して貼り付ける。
上記のようにして、電極４１が異方性導電層の孔部１１の内壁面に形成された導電層２０に接して電気的に接続される。 First, as shown in FIG. 3 (A), for example, one release film of the anisotropic conductive film is peeled off, and, for example, is heated and pressed on the electrode 41 of the circuit board 40 under appropriate conditions.
As described above, the electrode 41 is in contact with and electrically connected to the conductive layer 20 formed on the inner wall surface of the hole 11 of the anisotropic conductive layer.

次に、図３（Ｂ）に示すように、例えば、異方性導電フィルムの他方の剥離フィルムを剥離し、例えばＩＣチップに形成されたバンプ５０を位置合わせし、適当な条件で加熱加圧して搭載する。
上記のようにして、バンプ５０が異方性導電層の孔部１１の内壁面に形成された導電層２０に接して電気的に接続され、これにより、電極４１とバンプ５０が回路接続される。
一方、ＩＣチップの隣接するバンプ間あるいは回路基板の隣接する電極間では、十分な絶縁性を確保することができる。 Next, as shown in FIG. 3B, for example, the other release film of the anisotropic conductive film is peeled off, for example, the bumps 50 formed on the IC chip are aligned, and heated and pressed under appropriate conditions. Mounted.
As described above, the bump 50 is in contact with and electrically connected to the conductive layer 20 formed on the inner wall surface of the hole 11 of the anisotropic conductive layer, whereby the electrode 41 and the bump 50 are circuit-connected. .
On the other hand, sufficient insulation can be ensured between adjacent bumps of the IC chip or between adjacent electrodes of the circuit board.

本実施形態に係る異方性導電フィルムの多孔質膜に形成される孔部の平均孔径が１μｍ未満では回路接続する際の電気抵抗値が高くなりやすく、また、１００μｍを越えると微細な電極に対応できなくなってくる。 When the average pore diameter of the pores formed in the porous film of the anisotropic conductive film according to the present embodiment is less than 1 μm, the electrical resistance value at the time of circuit connection tends to be high, and when it exceeds 100 μm, it becomes a fine electrode. It becomes impossible to cope.

上記の多孔質膜１０を構成する絶縁性樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−４−メチルペンテン−１、シクロポリオレフィンなどのオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどの塩素系樹脂、ポリアルキレンオキサイド、ポリビニルアルコール、エチレンビニルアルコール共重合樹脂などのアルコール系樹脂、ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレン樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂などのスチレン系樹脂、ポリメタクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステルなどのアクリル系樹脂、ポリアミド６、ポリアミド４６、ポリアミド６６などのポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどの熱可塑性ポリエステル樹脂、ポリアセタール、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテルなどの有機高分子材料が好適である。その他に、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ酢酸ビニル、セルロース系プラスチック、熱可塑性エラストマーなどの熱可塑性樹脂、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルフォン、非晶ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリエステル、ポリアミドイミド、ポリイミドなども使用可能である。ここでは、これらのうちの１種を用いることの他、複数種を選択して用いてもよい。
特に、上記の絶縁性樹脂において、コストを低くする目的を達成するためには、ポリスチレン、アクリル系樹脂を用いることが好ましく、透明性を向上させるためには、ポリカーボネート、シクロポリオレフィン、フッ素系樹脂を用いることが好ましい。また、耐熱性を向上させるためには、ポリアミド、ポリイミドを用いることが好ましい。また、ポリスチレン、ポリカーボネート、シクロポリオレフィンについては、クロロホルムなどの有機溶媒に溶けやすく、膜状の多孔質構造体を容易に得ることができるため、好適である。 Examples of the insulating resin constituting the porous film 10 include olefin resins such as polyethylene, polypropylene, poly-4-methylpentene-1, and cyclopolyolefin, and chlorine resins such as polyvinyl chloride and polyvinylidene chloride. Alcohol resins such as polyalkylene oxide, polyvinyl alcohol, ethylene vinyl alcohol copolymer resin, styrene resins such as polystyrene, acrylonitrile-styrene resin, acrylonitrile-butadiene-styrene resin, polymethacrylic acid ester, polyacrylic acid ester, etc. Acrylic resins, polyamides such as polyamide 6, polyamide 46 and polyamide 66, thermoplastic polyester resins such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polyacetal, polyca Boneto, it is preferred organic polymeric material, such as modified polyphenylene ether. In addition, polyvinylidene fluoride, polytetrafluoroethylene, polyvinyl acetate, cellulosic plastics, thermoplastic resins such as thermoplastic elastomers, polyphenylene sulfide, polysulfone, amorphous polyarylate, polyetherimide, polyethersulfone, polyether Ketones, polyether ether ketones, liquid crystal polyesters, polyamideimides, polyimides, and the like can also be used. Here, in addition to using one of these, a plurality of types may be selected and used.
In particular, in order to achieve the purpose of reducing the cost in the above insulating resin, it is preferable to use polystyrene or acrylic resin, and in order to improve transparency, polycarbonate, cyclopolyolefin, or fluorine resin is used. It is preferable to use it. In order to improve heat resistance, it is preferable to use polyamide or polyimide. In addition, polystyrene, polycarbonate, and cyclopolyolefin are preferable because they are easily dissolved in an organic solvent such as chloroform and a membrane-like porous structure can be easily obtained.

上記の多孔質膜１０は、例えば、逆ミセル法により形成される。詳細な製造工程については後述するが、逆ミセル法においては、上記のような絶縁性樹脂を疎水性の有機溶媒に溶解させると共に、その有機溶媒中に水が逆ミセル化されて分散するように塗布液を調合した後に、その塗布液を塗布し乾燥させることによって、多孔質膜１０が形成される。 The porous film 10 is formed by, for example, a reverse micelle method. Although the detailed manufacturing process will be described later, in the reverse micelle method, the insulating resin as described above is dissolved in a hydrophobic organic solvent, and water is reverse micelle and dispersed in the organic solvent. After the coating liquid is prepared, the porous film 10 is formed by applying and drying the coating liquid.

この異方性導電フィルムにおいて、異方性導電層の表面積に対する前記孔部の前記異方性導電層の表面での開口面積の割合である開口率が１０％以上であって８０％以下であることが好ましい。
開口率が１０％未満では電極上に導通部となる孔部が存在しがたくなり、対向する電極間を導通させるのが困難となる。
開口率が８０％を超えると、多孔質膜の孔部の内壁面上に形成された導電層と、隣接する孔部の導電層同士が接続するおそれが生じる。 In this anisotropic conductive film, the opening ratio, which is the ratio of the opening area of the hole portion on the surface of the anisotropic conductive layer to the surface area of the anisotropic conductive layer, is 10% or more and 80% or less. It is preferable.
If the aperture ratio is less than 10%, it becomes difficult for a hole serving as a conducting part to exist on the electrode, and it becomes difficult to conduct between the opposing electrodes.
When the opening ratio exceeds 80%, there is a possibility that the conductive layer formed on the inner wall surface of the hole of the porous film and the conductive layers of the adjacent holes are connected to each other.

また、異方性導電層（多孔質膜１０）の厚みが１μｍ以上であって１００μｍ以下であり、かつ、孔部１１の平均孔径の９０％未満であることが好ましい。
異方性導電層の厚みが１μｍ未満では多孔質膜の強度が不十分となる。１００μｍを超えると、貫通孔とすることが困難となる。多孔質膜１０の厚みを孔部１１の平均孔径の９０％以上では、孔部１１が貫通孔とならない可能性が生じてくる。 The thickness of the anisotropic conductive layer (porous film 10) is preferably 1 μm or more and 100 μm or less and less than 90% of the average pore diameter of the holes 11.
When the thickness of the anisotropic conductive layer is less than 1 μm, the strength of the porous film is insufficient. When it exceeds 100 μm, it is difficult to form a through hole. If the thickness of the porous film 10 is 90% or more of the average pore diameter of the hole portion 11, the hole portion 11 may not be a through hole.

また、多孔質膜１０において隣接する孔部１１の中心間距離が２μｍ以上であって２００μｍ以下であることが好ましい。孔部の中心間距離が２μｍ未満であると隣接する孔同士が多孔質膜の表面と平行な方向に連通することにより導電性の異方性を低下することがある。孔部の中心間距離が２００μｍを超えると電極上に導通部となる孔部が存在しがたくなり、対向する電極間を導通させるのが困難となる。
また、孔径に対する孔部の中心間距離の平均割合は、好ましくは１．２以上、さらに好ましくは２以上である。孔径に対する孔部の中心間距離の平均割合が１．２未満であると隣接する孔同士が多孔質膜の表面と平行な方向に連通することにより導電性の異方性を低下することがある。
孔径が５０μｍ程度、孔部の中心間距離が１００μｍ程度とすれば電極間距離が２００μｍ程度の電極に対応可能であり、さらに、孔径が５μｍ程度、孔部の中心間距離が１０μｍ程度とすれば電極間距離が５０μｍ以下のファインピッチで形成された電極に対しても対応できる。 Moreover, it is preferable that the distance between the centers of the adjacent hole portions 11 in the porous film 10 is 2 μm or more and 200 μm or less. When the distance between the centers of the pores is less than 2 μm, adjacent pores communicate with each other in a direction parallel to the surface of the porous membrane, thereby reducing the conductivity anisotropy. When the distance between the centers of the holes exceeds 200 μm, it becomes difficult for a hole serving as a conducting part to exist on the electrodes, and it becomes difficult to conduct between the electrodes facing each other.
Moreover, the average ratio of the distance between the centers of the hole portions with respect to the hole diameter is preferably 1.2 or more, more preferably 2 or more. When the average ratio of the center-to-center distance of the hole portion with respect to the hole diameter is less than 1.2, the adjacent holes communicate with each other in a direction parallel to the surface of the porous film, which may reduce the conductivity anisotropy. .
If the hole diameter is about 50 μm and the distance between the centers of the holes is about 100 μm, it is possible to cope with an electrode having an electrode distance of about 200 μm. Further, if the hole diameter is about 5 μm and the distance between the centers of the holes is about 10 μm. This can also be applied to electrodes formed with a fine pitch with an interelectrode distance of 50 μm or less.

また、多孔質膜１０が前記絶縁性樹脂と分子量が１００００未満の親水基に陰イオン性基を有する両親媒性物質とを含んで構成され、両親媒性物質が孔部の辺縁部を構成し、各孔部１１は絶縁性樹脂を含む仕切壁により仕切られており、多孔質膜１０の表面と平行な方向に連通していないことが好ましい。
上記のような両親媒性物質を用いることで後述の逆ミセル法により多孔質膜を形成でき、孔部が仕切壁により仕切られて多孔質膜の表面と平行な方向に連通していないことにより導電性の異方性を高めることができる。 In addition, the porous membrane 10 includes the insulating resin and an amphiphile having an anionic group in a hydrophilic group having a molecular weight of less than 10,000, and the amphiphile constitutes the edge of the pore. However, each hole 11 is partitioned by a partition wall containing an insulating resin, and preferably does not communicate in a direction parallel to the surface of the porous membrane 10.
By using the amphiphile as described above, a porous membrane can be formed by the reverse micelle method described later, and the pores are partitioned by a partition wall and are not communicated in a direction parallel to the surface of the porous membrane. Conductivity anisotropy can be increased.

さらに、多孔質膜１０において絶縁性樹脂と両親媒性物質とを合計した総重量において絶縁性樹脂の重量が占める割合（絶縁性樹脂／｛絶縁性樹脂＋両親媒性物質｝）が０．１以上であって０．６以下であることが好ましい。
上記重量の比を調整することで、後述する逆ミセル法を用いた製造方法において、逆ミセルの形成を確実にすることができる。 Further, the ratio of the weight of the insulating resin to the total weight of the insulating resin and the amphiphilic substance in the porous membrane 10 (insulating resin / {insulating resin + amphiphilic substance}) is 0.1. It is above and it is preferable that it is below 0.6.
By adjusting the weight ratio, the formation of reverse micelles can be ensured in a production method using the reverse micelle method described later.

導電層２０は、例えば、金属粒子などの導電粒子が凝集して形成された膜であり、例えば、ニッケル、銅、アルミニウム、銀、金、鉄、スズ、鉛、クロム、コバルトなど各種金属や金属合金、金属酸化物などの導電粒子を凝集した膜であることが好ましい。 The conductive layer 20 is a film formed by agglomerating conductive particles such as metal particles, for example, and various metals and metals such as nickel, copper, aluminum, silver, gold, iron, tin, lead, chromium, cobalt, and the like. A film in which conductive particles such as an alloy and a metal oxide are aggregated is preferable.

接着剤層３０は、絶縁性の接着剤からなるもので熱硬化性や電子線硬化性の樹脂を好ましく用いることができ、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂などが好適である。上記のエポキシ樹脂は接着性や耐熱性などの観点から特に好ましい。
接着剤層には硬化剤を添加することができ、例えばエポキシ樹脂に対しては、アミン系またはイミダゾール系の硬化剤を好ましく用いることができる。 The adhesive layer 30 is made of an insulating adhesive, and a thermosetting or electron beam curable resin can be preferably used. For example, an epoxy resin, a phenol resin, an acrylic resin, or the like is preferable. The epoxy resin is particularly preferable from the viewpoints of adhesiveness and heat resistance.
A curing agent can be added to the adhesive layer. For example, an amine-based or imidazole-based curing agent can be preferably used for an epoxy resin.

接着剤層の接着剤と多孔質膜の絶縁性樹脂の溶融粘度の比が１．５以上であって、１０以下であることが好ましい。
上記溶融粘度の比が１．５未満では、溶融粘度の差が小さく、接着剤層と多孔質膜を構成する絶縁性樹脂が同時に流動してしまい、接続信頼性の確保が困難となる。
上記溶融粘度の比が１０を超えると、接着剤層の溶融粘度が低くなりすぎ、実用上使用しにくくなる。 The ratio of the melt viscosity of the adhesive of the adhesive layer and the insulating resin of the porous membrane is 1.5 or more and preferably 10 or less.
When the melt viscosity ratio is less than 1.5, the difference in melt viscosity is small, and the insulating resin constituting the adhesive layer and the porous film flows simultaneously, making it difficult to ensure connection reliability.
If the ratio of the melt viscosity exceeds 10, the melt viscosity of the adhesive layer becomes too low and it becomes difficult to use practically.

上記のように接着剤層の接着剤と多孔質膜の絶縁性樹脂の溶融粘度を調整する必要があるので、接着剤とする樹脂としては、常温で固体の樹脂や常温で液体の樹脂などを適宜混合して、所望の溶融粘度とする。 As described above, it is necessary to adjust the melt viscosity of the adhesive of the adhesive layer and the insulating resin of the porous film. As the resin used as the adhesive, a resin that is solid at room temperature or a resin that is liquid at room temperature is used. Mix appropriately to obtain the desired melt viscosity.

上記の接着剤層の厚みは、１μｍ以上であって１００μｍ以下であることが好ましい。
接着剤層の厚みは、接合させるＩＣチップや回路基板の電極の高さなどに応じて決定されるが、１μｍ未満ではＩＣチップなどを接合した場合に十分に接着して接合させることが困難となり、また、１００μｍ以上では使用時にＩＣチップなどの電極が貫通して異方性導電層中の導電層に到達させることが困難となってくる。 The thickness of the adhesive layer is preferably 1 μm or more and 100 μm or less.
The thickness of the adhesive layer is determined according to the height of the IC chip to be bonded or the electrode of the circuit board, but if it is less than 1 μm, it becomes difficult to bond and bond sufficiently when the IC chip is bonded. In addition, when the thickness is 100 μm or more, it becomes difficult for electrodes such as an IC chip to penetrate and reach the conductive layer in the anisotropic conductive layer at the time of use.

上記の本実施形態の異方性導電フィルムは、多孔質膜として平均孔径が１μｍ以上であって１００μｍ以下である多数の孔部が形成されてその内壁面上に導電層が形成されていることでファインピッチに対応でき、さらに多孔質膜と接着剤層の溶融粘度により導電層の凝集などの問題を引き起こさず、接続信頼性を確保できる。 In the anisotropic conductive film of the present embodiment, a porous layer is formed with a large number of pores having an average pore diameter of 1 μm or more and 100 μm or less, and a conductive layer is formed on the inner wall surface thereof. Therefore, it is possible to cope with fine pitches, and furthermore, connection reliability can be ensured without causing problems such as aggregation of the conductive layer due to the melt viscosity of the porous film and the adhesive layer.

次に、本実施形態に係る異方性導電フィルムの製造方法について図面を参照して説明する。
図４は本実施形態に係る異方性導電フィルムを構成する多孔質膜を形成する工程を示すフローチャートであり、図５（Ａ）〜（Ｃ）、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は本実施形態に係る異方性導電フィルムを製造する際の各工程における断面図である。 Next, the manufacturing method of the anisotropic conductive film which concerns on this embodiment is demonstrated with reference to drawings.
FIG. 4 is a flowchart showing a process of forming a porous film constituting the anisotropic conductive film according to this embodiment, and FIGS. 5 (A) to (C), FIGS. 6 (A) and 6 (B). These are sectional drawing in each process at the time of manufacturing the anisotropic conductive film which concerns on this embodiment.

多孔質膜を形成する方法について図４を参照して説明する。ここでは、逆ミセル法によって剥離フィルム上に多孔質膜を形成する。
例えば、まず、少なくとも、疎水性の絶縁性樹脂、両親媒性物質、水、及び疎水性有機溶媒を含む溶液を混合攪拌して、逆ミセルが形成された塗布液（疎水性有機溶媒溶液）を調製する（Ｓ１１１）。
次に、上記で得られた塗布液を剥離フィルムに塗布する（Ｓ１２１）。
次に、剥離フィルムに塗布された塗布液を乾燥し、絶縁性樹脂を含んで構成され、膜厚方向に貫通した多数の孔部が設けられた多孔質膜を形成する（Ｓ１３１）。 A method for forming a porous film will be described with reference to FIG. Here, a porous film is formed on the release film by a reverse micelle method.
For example, first, a solution containing at least a hydrophobic insulating resin, an amphiphile, water, and a hydrophobic organic solvent is mixed and stirred to obtain a coating solution (hydrophobic organic solvent solution) in which reverse micelles are formed. Prepare (S111).
Next, the coating solution obtained above is applied to a release film (S121).
Next, the coating liquid applied to the release film is dried to form a porous film that includes an insulating resin and is provided with a large number of holes that penetrate in the film thickness direction (S131).

上記の塗布液（疎水性有機溶媒溶液）を調製する工程Ｓ１１１について説明する。
例えば、少なくとも、疎水性の絶縁性樹脂、両親媒性物質、水、及び疎水性有機溶媒を含む溶液を容器に投入して混合する。絶縁性樹脂、両親媒性物質、水、及び疎水性有機溶媒の配合順序は任意である。マグネチックスターラー、回転翼、超音波などによって、上記の混合液を容器中で撹拌して、逆ミセルが形成された疎水性有機溶媒溶液とする。特に、超音波を利用して撹拌すると、微細で均一な逆ミセルを形成することができる。 Step S111 for preparing the coating solution (hydrophobic organic solvent solution) will be described.
For example, a solution containing at least a hydrophobic insulating resin, an amphiphilic substance, water, and a hydrophobic organic solvent is put into a container and mixed. The order of blending the insulating resin, the amphiphile, water, and the hydrophobic organic solvent is arbitrary. The above mixed solution is stirred in a container with a magnetic stirrer, a rotary blade, ultrasonic waves, or the like to obtain a hydrophobic organic solvent solution in which reverse micelles are formed. In particular, when stirring is performed using ultrasonic waves, fine and uniform reverse micelles can be formed.

ここで、疎水性の絶縁性樹脂としては、本実施形態に係る異方性導電フィルムを構成する多孔質膜１０を構成する絶縁性樹脂として上記で例示した樹脂を好ましく用いることができる。 Here, as the hydrophobic insulating resin, the resins exemplified above as the insulating resin constituting the porous film 10 constituting the anisotropic conductive film according to the present embodiment can be preferably used.

また、両親媒性物質としては、以下に示すように、任意のものを使用できる。例えば、イオン性両親媒性物質において、親水性基を構成する陰イオンとして、−ＣＯＯ⁻、−ＳＯ_３ ⁻などを含むものや、陽イオンとして、ジメチルアンモニウムイオン、トリメチルアンモニウムイオン、ピリジニウムイオンなどを含むものが使用できる。また、非イオン性両親媒性物質において、親水基として、水酸基、エーテル結合などを含むものが使用できる。具体的には、下記の化学式１に示すビス（２−エチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウム）の他、ジオクチルスルホコハク酸ナトリウム、ジイソブチルスルホコハク酸ナトリウム、ジシクロヘキシルスルホコハク酸ナトリウム、ジヘキシルスルホコハク酸ナトリウムを使用することができる。また、その他に、下記の化学式２で示すジヘキサデシルジメチルアンモニウムとポリスチレンスルホン酸のポリイオンコンプレックスの他、エチレングリコールとプロピレングリコールから得られるブロックコポリマー、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドから得られるブロックコポリマーを用いることができる。なお、これらを複数種、組み合わせて使用してもよい。 Moreover, as an amphiphilic substance, arbitrary things can be used as shown below. For example, in an ionic amphiphile, those containing —COO ⁻ , —SO ₃ ^{— and the} like as anions constituting a hydrophilic group, and dimethylammonium ions, trimethylammonium ions, pyridinium ions and the like as cations Including can be used. Moreover, in a nonionic amphiphilic substance, what contains a hydroxyl group, an ether bond, etc. as a hydrophilic group can be used. Specifically, in addition to bis (sodium 2-ethylhexylsulfosuccinate) represented by the following chemical formula 1, sodium dioctylsulfosuccinate, sodium diisobutylsulfosuccinate, sodium dicyclohexylsulfosuccinate, and sodium dihexylsulfosuccinate can be used. In addition, a block copolymer obtained from ethylene glycol and propylene glycol, a block copolymer obtained from ethylene oxide and propylene oxide, as well as a polyion complex of dihexadecyldimethylammonium and polystyrenesulfonic acid represented by the following chemical formula 2 should be used. Can do. A plurality of these may be used in combination.

また、疎水性有機溶媒としては、例えば、高い疎水性を有すると共に、疎水性の絶縁性樹脂を溶解するものを用いることができる。特に、有機溶媒としては蒸気圧が水よりも高いものが好ましいため、沸点が水より低い有機溶媒が好ましい。有機溶媒を、その有機溶媒中に逆ミセルとして含まれる水より早く蒸発させた方が、多孔質の孔部を高精度に形成できるからである。
しかしながら、塗布液において有機溶媒が蒸発している際に、その塗布液の液粘度が高い場合には、その塗布液において逆ミセルを維持可能であるため、多孔質の孔部を高精度に形成することができ、このような場合ではトルエンやキシレンなどの水より高い沸点である有機溶媒を使用できる。なお、親水性が高い有機溶媒は、逆ミセルを形成することが困難であるため、好適ではない。 Further, as the hydrophobic organic solvent, for example, a solvent having high hydrophobicity and dissolving a hydrophobic insulating resin can be used. In particular, an organic solvent having a vapor pressure higher than that of water is preferable, and thus an organic solvent having a boiling point lower than that of water is preferable. This is because if the organic solvent is evaporated earlier than the water contained as reverse micelles in the organic solvent, the porous pores can be formed with high accuracy.
However, when the organic solvent is evaporated in the coating liquid, if the liquid viscosity of the coating liquid is high, the reverse micelles can be maintained in the coating liquid, so the porous pores are formed with high accuracy. In such a case, an organic solvent having a boiling point higher than that of water such as toluene or xylene can be used. An organic solvent having high hydrophilicity is not suitable because it is difficult to form reverse micelles.

この疎水性有機溶媒の比重については、絶縁性樹脂が溶解された状態において、逆ミセル形成部より大きくなるものが好ましい。塗布後において逆ミセル形成部が上方に分布させることによって容易に水を蒸発させることができるためである。ここでは、逆ミセル形成部のみの比重を測定することは困難な場合が多いため、絶縁性樹脂が溶解している有機溶媒の比重が、水の比重よりも大きくなるように選択する。ポリエチレンとポリプロピレンなどの一部のポリオレフィンを除いて、一般に比重は絶縁性樹脂が水よりも大きいため、水より軽い有機溶媒を選択してもよい。なお、比重が水よりも小さい絶縁性樹脂と有機溶媒の組合せを使用し、有機溶媒溶液において逆ミセルが下方に多く分布する場合においては、次工程において塗布する基材を多孔質材料にすることによって、その基材の下部方向から水が蒸発させることができる。 The specific gravity of the hydrophobic organic solvent is preferably larger than the reverse micelle forming portion in the state where the insulating resin is dissolved. This is because water can be easily evaporated by distributing the reverse micelle forming portions upward after application. Here, since it is often difficult to measure the specific gravity of only the reverse micelle formation portion, the specific gravity of the organic solvent in which the insulating resin is dissolved is selected to be larger than the specific gravity of water. Except for some polyolefins such as polyethylene and polypropylene, an organic solvent that is lighter than water may be selected because the specific gravity is generally higher than that of water. In addition, when a combination of an insulating resin having a specific gravity smaller than water and an organic solvent is used and many reverse micelles are distributed downward in the organic solvent solution, the substrate to be applied in the next step should be a porous material. Thus, water can be evaporated from the lower direction of the base material.

疎水性有機溶媒の具体例としては、例えば、比重が水よりも大きいものとして、ジクロルメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロルエタン、１，１，２，２−テトラクロルエタン、１，２ジクロルエチレン、トリクロルエチレンなどの塩素系溶媒や二硫化炭素を適宜使用することができる。また、比重が水よりも軽い有機溶媒として、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどを適宜使用することができる。これらの有機溶媒は、単独で用いても、複数種を混合して使用してもよい。 Specific examples of the hydrophobic organic solvent include, for example, those having a specific gravity larger than that of water, such as dichloromethane, chloroform, carbon tetrachloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2,2-tetrachloroethane, 1,2 Chlorinated solvents such as dichloroethylene and trichloroethylene, and carbon disulfide can be used as appropriate. Moreover, n-pentane, n-hexane, cyclohexane, benzene, toluene, xylene, etc. can be used suitably as an organic solvent whose specific gravity is lighter than water. These organic solvents may be used alone or in combination of two or more.

上記の水は、逆ミセルを形成するための親水性物質として用いるものである。但し、塗布液において逆ミセルを形成可能であれば、水以外の親水性物質を用いることも可能である。 The above water is used as a hydrophilic substance for forming reverse micelles. However, it is also possible to use a hydrophilic substance other than water as long as reverse micelles can be formed in the coating solution.

塗布液（疎水性有機溶媒溶液）を調製する工程Ｓ１１１において、両親媒性物質に対する水の重量比Ｒｗ（水の重量／両親媒性物質の重量）が、０．５以上であって１５以下であることが好ましい。このＲｗが０．５以上になるように塗布液を調製した場合には、塗布液中に逆ミセルを容易に形成できる。一方で、Ｒｗが１５以下になるように調製した場合には、塗布液中において形成される逆ミセルが不可逆的に凝集することを防止できる。また、塗布液を調整する際においては、このＲｗを大きくすることで逆ミセルの径を大きくすることができ、一方で、このＲｗを小さくすることで逆ミセルの径を小さくすることができる。 In step S111 of preparing the coating solution (hydrophobic organic solvent solution), the weight ratio Rw of water to the amphiphile (weight of water / weight of amphiphile) is 0.5 or more and 15 or less. Preferably there is. When the coating solution is prepared so that Rw is 0.5 or more, reverse micelles can be easily formed in the coating solution. On the other hand, when the Rw is adjusted to 15 or less, reverse micelles formed in the coating liquid can be prevented from irreversibly aggregating. Further, when adjusting the coating liquid, the diameter of the reverse micelle can be increased by increasing the Rw, while the diameter of the reverse micelle can be decreased by decreasing the Rw.

また、絶縁性樹脂を疎水性有機溶媒に対して０．０１重量％以上であって１０質量％以下で含有するように溶解させることが好ましく、特に、０．０５重量％以上であって５質量％以下で含有することが好ましい。このような範囲で絶縁性樹脂を有機溶媒に溶解させることにより、多孔質膜に形成される孔部の孔径を均一化すると共に、それぞれの孔部を規則的に配列することができる。 Further, the insulating resin is preferably dissolved so as to be contained in an amount of 0.01% by weight or more and 10% by weight or less with respect to the hydrophobic organic solvent, in particular, 0.05% by weight or more and 5% by weight. % Or less is preferable. By dissolving the insulating resin in the organic solvent within such a range, the hole diameters of the holes formed in the porous film can be made uniform and the respective holes can be regularly arranged.

また、絶縁性樹脂と両親媒性物質とを合計した総重量において絶縁性樹脂の重量が占める割合Ｒｐ（絶縁性樹脂／｛絶縁性樹脂＋両親媒性物質｝）が０．１以上であって０．６以下であることが好ましい。このように、塗布液において、Ｒｐを上記範囲の割合に調製することによって、逆ミセルを容易に形成できる。 Further, the ratio Rp (insulating resin / {insulating resin + amphiphile}) of the weight of the insulating resin in the total weight of the insulating resin and the amphiphilic substance is 0.1 or more. It is preferable that it is 0.6 or less. Thus, reverse micelles can be easily formed by adjusting Rp to a ratio in the above range in the coating solution.

また、水と絶縁性樹脂と両親媒性物質の相対的濃度を調整することで、多孔質膜において単位表面積あたりに孔部が占める割合（孔密度）が所望の値になるように形成することができる。
例えば、水と絶縁性樹脂と両親媒性物質とを合計した溶質全体の重量に対して水の重量が占める割合（水／（水＋絶縁性樹脂＋両親媒性物質））を大きくすることによって、孔部の密度を相対的に大きくすることができる。ここでは、絶縁性樹脂と両親媒性物質との濃度を一定にすることによって孔径を大きくさせながら孔部の中心間距離を小さすることができ、一方、水の濃度とともに両親媒性物質の濃度も大きくし、Ｒｗを一定にすることによって、孔径を一定のまま孔部の中心間距離を小さくすることができる。つまり、Ｒｗと絶縁性樹脂の濃度と調整することで多孔質膜の膜厚が制御できる。
これにより、多孔質膜の孔部を、貫通孔もしくは非貫通孔として形成でき、具体的には、膜厚を孔径以下とすることで貫通孔となり、膜厚を孔径以上とすることで非貫通孔となる。 In addition, by adjusting the relative concentrations of water, insulating resin, and amphiphile, the proportion of pores per unit surface area (pore density) in the porous membrane should be set to a desired value. Can do.
For example, by increasing the ratio of the weight of water (water / (water + insulating resin + amphiphile)) to the total solute weight of water, insulating resin and amphiphile. The density of the holes can be relatively increased. Here, by making the concentration of the insulating resin and the amphiphilic substance constant, the distance between the centers of the pores can be reduced while increasing the pore diameter, while the concentration of the amphiphilic substance together with the concentration of water. By increasing Rw and making Rw constant, the distance between the centers of the holes can be reduced while keeping the hole diameter constant. That is, the thickness of the porous film can be controlled by adjusting Rw and the concentration of the insulating resin.
Thereby, the hole part of a porous membrane can be formed as a through-hole or a non-through-hole. Specifically, it becomes a through-hole by making a film thickness below a hole diameter, and it does not penetrate by making a film thickness more than a hole diameter. It becomes a hole.

本実施形態においては、多孔質膜の孔部が貫通孔になるように、絶縁性樹脂、両親媒性物質、疎水性有機溶媒及び水を所定の割合で配合し混合撹拌して、逆ミセルが形成された塗布液を調整する。 In this embodiment, an insulating resin, an amphiphile, a hydrophobic organic solvent, and water are mixed at a predetermined ratio so that the pores of the porous membrane become through-holes, mixed and stirred, and reverse micelles The formed coating solution is adjusted.

次に、塗布液を剥離フィルムに塗布する工程Ｓ１２１について説明する。
例えば、ブレードコーターなどの塗布機を用いて、上記のような組成の塗布液を剥離フィルムに塗布する。例えば、塗布液の厚みが、０．０１ｍｍ以上であって５ｍｍ以下になるように塗布する。特に、０．０５ｍｍ以上であって１ｍｍ以下の厚さになるように塗布液を塗布することが好ましい。この厚みの範囲になるように塗布液を塗布することによって、有機溶媒を短時間で蒸発させると共に、その蒸発によって得られる多孔質膜に十分な機械的強度を付与できる。また、多孔質膜において形成される孔部の密度と孔部の配列を制御できる。 Next, process S121 which apply | coats a coating liquid to a peeling film is demonstrated.
For example, using a coating machine such as a blade coater, the coating liquid having the above composition is applied to the release film. For example, the coating liquid is applied so that the thickness is 0.01 mm or more and 5 mm or less. In particular, it is preferable to apply the coating liquid so that the thickness is 0.05 mm or more and 1 mm or less. By applying the coating solution so as to be in this thickness range, the organic solvent can be evaporated in a short time, and sufficient mechanical strength can be imparted to the porous film obtained by the evaporation. In addition, the density of the holes formed in the porous film and the arrangement of the holes can be controlled.

なお、剥離フィルムとしては、例えば、シリコンによって離型処理が施されたＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムを用いる。また、この他に、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエーテルケトン、ポリフッ化エチレンなどの樹脂フィルムや、ガラス、金属、シリコン酸化物などの基板を使用してもよい。 In addition, as a peeling film, the PET (polyethylene terephthalate) film by which the mold release process was performed with silicon is used, for example. In addition, a resin film such as polypropylene, polyethylene, polyetherketone, or polyfluorinated ethylene, or a substrate such as glass, metal, or silicon oxide may be used.

次に、剥離フィルムに塗布された塗布液を乾燥し多孔質膜を形成する工程Ｓ１３１について説明する。
ここでは、例えば、剥離フィルムに塗布されている塗布液へ送風することによって、有機溶媒と水とを蒸発させて多孔質膜を形成する。つまり、この蒸発によって、逆ミセルは、それぞれにおけるファンデルワールス力，静電気力や、逆ミセルと基板との摩擦力、毛細管力などの作用により、自己組織的に規則配列する。このため、その逆ミセルが鋳型となり、孔部が規則的に配列される。 Next, step S131 in which the coating liquid applied to the release film is dried to form a porous film will be described.
Here, for example, the porous film is formed by evaporating the organic solvent and water by blowing air to the coating liquid applied to the release film. That is, by this evaporation, the reverse micelles are regularly arranged in a self-organized manner by the effects of van der Waals force, electrostatic force, friction force between the reverse micelle and the substrate, capillary force, and the like. For this reason, the reverse micelle becomes a mold, and the holes are regularly arranged.

本工程においては、周囲の温度と圧力を調整することで、孔部を規則的に配列することができる。具体的には、温度を低下させて溶媒の蒸発速度を下げることによって、逆ミセルが自己組織的に配列するに費やされる時間が長くなるため、より規則正しく孔部を配列させることができる。また、同様に、圧力を上げて溶媒の蒸発を抑制することによって、より規則正しく孔部を配列させることができる。また、超音波を与えることによっても、同様な効果を得ることができる。 In this step, the holes can be regularly arranged by adjusting the ambient temperature and pressure. Specifically, by lowering the temperature and lowering the evaporation rate of the solvent, the time spent for the reverse micelles to be arranged in a self-organizing manner becomes longer, so that the holes can be arranged more regularly. Similarly, the holes can be arranged more regularly by increasing the pressure and suppressing the evaporation of the solvent. Moreover, the same effect can be acquired also by giving an ultrasonic wave.

また、乾燥方法については、乾燥空気又は乾燥不活性ガスを、塗布液へ送風する方法が好ましい。例えば、相対湿度が７０％以下であることが好ましく、特に、相対湿度が３０％以下にすることが、より好ましい。なお、乾燥は、減圧下、常圧下、及び加圧下のいずれでも行うことができる。 Moreover, about the drying method, the method of blowing dry air or dry inert gas to a coating liquid is preferable. For example, the relative humidity is preferably 70% or less, and more preferably, the relative humidity is 30% or less. The drying can be performed under reduced pressure, normal pressure, or increased pressure.

本実施形態においては、例えば、予め疎水性有機溶媒溶液に混合させる水の中に導電粒子を分散させておく。
これにより、逆ミセルが形成された疎水性有機溶媒溶液を調製したときに、導電粒子が逆ミセルの水相中に分散された状態となる。この場合、多孔質膜を形成するために上記のように剥離フィルム上に塗布して乾燥させると、多孔質膜の孔部の少なくとも内壁面上に導電粒子が凝集して、導電層を形成することができる。 In this embodiment, for example, the conductive particles are dispersed in water that is mixed in advance with the hydrophobic organic solvent solution.
Thereby, when the hydrophobic organic solvent solution in which the reverse micelle is formed is prepared, the conductive particles are dispersed in the water phase of the reverse micelle. In this case, when applied onto the release film and dried as described above to form a porous film, the conductive particles aggregate on at least the inner wall surface of the pores of the porous film to form a conductive layer. be able to.

以上のようにして、異方性導電フィルムを形成することができる。
図５（Ａ）は、上記のようにして異方性導電フィルムが形成された状態を示す。
即ち、例えば、剥離フィルム１００上に、絶縁性樹脂を含んで構成され、膜厚方向に貫通した多数の孔部１１が設けられた多孔質膜１０と、孔部１１の少なくとも内壁面上に導電粒子が凝集されてなる導電層２０とを有する異方性導電層を形成する。
本実施形態においては、孔部１１における導電層２０よりも内側の領域は空隙１２となるように形成する。 As described above, an anisotropic conductive film can be formed.
FIG. 5A shows a state where the anisotropic conductive film is formed as described above.
That is, for example, a porous film 10 that is configured to include an insulating resin on the release film 100 and has a large number of holes 11 penetrating in the film thickness direction, and conductive on at least the inner wall surface of the holes 11. An anisotropic conductive layer having a conductive layer 20 in which particles are aggregated is formed.
In the present embodiment, the hole 11 is formed so that the region inside the conductive layer 20 in the hole portion 11 becomes the gap 12.

本実施形態の異方性導電フィルムの製造方法においては、異方性導電層を形成する工程の後、異方性導電層の少なくとも一方の面上に前記絶縁性樹脂の溶融粘度より低い溶融粘度を有する絶縁性の接着剤よりなる接着剤層を設ける工程をさらに有することが好ましく、例えば以下のようにして行う。 In the method for producing an anisotropic conductive film of the present embodiment, after the step of forming the anisotropic conductive layer, the melt viscosity lower than the melt viscosity of the insulating resin on at least one surface of the anisotropic conductive layer. It is preferable to further include a step of providing an adhesive layer made of an insulating adhesive having a thickness of, for example, as follows.

まず、図５（Ｂ）に示すように、例えば剥離フィルム１０１上に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂などの樹脂やその他の熱硬化性や電子線硬化性の樹脂を酢酸エチルなどの有機溶媒に溶融して塗布し、乾燥させて、接着剤層３０を形成する。
上記接着剤としては、接着性や耐熱性などの観点からエポキシ樹脂が特に好ましい。
接着剤層には硬化剤を添加することができ、例えばエポキシ樹脂に対しては、アミン系またはイミダゾール系の硬化剤を好ましく用いることができる。 First, as shown in FIG. 5B, for example, a resin such as an epoxy resin, a phenol resin, or an acrylic resin, or another thermosetting or electron beam curable resin is applied to an organic solvent such as ethyl acetate on the release film 101. The adhesive layer 30 is formed by being melted and coated and dried.
As said adhesive agent, an epoxy resin is especially preferable from viewpoints, such as adhesiveness and heat resistance.
A curing agent can be added to the adhesive layer. For example, an amine-based or imidazole-based curing agent can be preferably used for an epoxy resin.

次に、図５（Ｃ）に示すように、例えば、上記の異方性導電層（多孔質膜１０）と接着剤層３０とを向かい合わせて重ね、ロールラミネータでラミネートする。
異方性導電層（多孔質膜１０）と接着剤層３０が積層して接着される。以上で、図１に示す本実施形態に係る異方性導電フィルムを製造できる。 Next, as shown in FIG. 5 (C), for example, the anisotropic conductive layer (porous film 10) and the adhesive layer 30 are stacked facing each other and laminated with a roll laminator.
The anisotropic conductive layer (porous film 10) and the adhesive layer 30 are laminated and bonded. With the above, the anisotropic conductive film according to this embodiment shown in FIG. 1 can be manufactured.

また、さらに、図６（Ａ）に示すように、例えば、異方性導電層（多孔質膜１０）側の剥離シート１００を剥離する。
次に、図６（Ｂ）に示すように、例えば、予め上記と同様にして剥離フィルム１０２上に接着剤層３１を形成しておき、上記の異方性導電層（多孔質膜１０）と接着剤層３１とを向かい合わせて重ね、ロールラミネータでラミネートする。
以上にようにして、異方性導電層（多孔質膜１０）と接着剤層（３０，３１）とが積層した構成の図２に示す異方性導電フィルムを形成できる。
上記の本実使形態の異方性導電フィルムは、適宜剥離フィルムを剥離して用いる。 Further, as shown in FIG. 6A, for example, the release sheet 100 on the anisotropic conductive layer (porous membrane 10) side is peeled off.
Next, as shown in FIG. 6B, for example, the adhesive layer 31 is previously formed on the release film 102 in the same manner as described above, and the anisotropic conductive layer (porous membrane 10) and Adhesive layer 31 is placed facing each other and laminated with a roll laminator.
As described above, the anisotropic conductive film shown in FIG. 2 having a structure in which the anisotropic conductive layer (porous film 10) and the adhesive layers (30, 31) are laminated can be formed.
The anisotropic conductive film of the above practical use form is used by appropriately peeling the release film.

本実施形態においては、上記の多孔質膜を形成する工程において、平均孔径が１μｍ以上であって１００μｍ以下となるように多孔質膜を形成することが好ましい。
多孔質膜に形成される孔部の平均孔径が１μｍ未満では回路接続する際の電気抵抗値が高くなりやすく、また、１００μｍを越えると微細な電極に対応できなくなってくる。 In the present embodiment, in the step of forming the porous film, it is preferable to form the porous film so that the average pore diameter is 1 μm or more and 100 μm or less.
If the average pore diameter of the pores formed in the porous film is less than 1 μm, the electrical resistance value for circuit connection tends to be high, and if it exceeds 100 μm, it becomes impossible to handle fine electrodes.

また、上記の多孔質膜を形成する工程において、異方性導電層の表面積に対する前記孔部の前記異方性導電層の表面での開口面積の割合である開口率が１０％以上であって８０％以下となるように形成することが好ましい。
開口率が１０％未満では電極上に導通部となる孔部が存在しがたくなり、対向する電極間を導通させるのが困難となる。
開口率が８０％を超えると、多孔質膜の孔部の内壁面上に形成された導電層として、隣接する孔部の導電層同士が接続するおそれが生じる。 Further, in the step of forming the porous film, an opening ratio that is a ratio of an opening area of the surface of the anisotropic conductive layer of the hole to a surface area of the anisotropic conductive layer is 10% or more. It is preferable to form so that it may be 80% or less.
If the aperture ratio is less than 10%, it becomes difficult for a hole serving as a conducting part to exist on the electrode, and it becomes difficult to conduct between the opposing electrodes.
When the opening ratio exceeds 80%, there is a possibility that conductive layers in adjacent pores are connected to each other as a conductive layer formed on the inner wall surface of the porous membrane.

また、上記の多孔質膜を形成する工程において、異方性導電層（多孔質膜１０）の厚みが１μｍ以上であって１００μｍ以下であり、かつ、孔部１１の平均孔径の９０％未満となるように形成することが好ましい。
異方性導電層の厚みが１μｍ未満では多孔質膜の強度が不十分となる。１００μｍを超えると、貫通孔とすることが困難となる。多孔質膜１０の厚みを孔部１１の平均孔径の９０％以上では、孔部１１が貫通孔とならない可能性が生じてくる。 Further, in the step of forming the porous film, the thickness of the anisotropic conductive layer (porous film 10) is 1 μm or more and 100 μm or less, and less than 90% of the average pore diameter of the holes 11 It is preferable to form it as follows.
When the thickness of the anisotropic conductive layer is less than 1 μm, the strength of the porous film is insufficient. When it exceeds 100 μm, it is difficult to form a through hole. If the thickness of the porous film 10 is 90% or more of the average pore diameter of the hole portion 11, the hole portion 11 may not be a through hole.

また、上記の多孔質膜を形成する工程において、多孔質膜１０において隣接する孔部１１の中心間距離が２μｍ以上であって２００μｍ以下となるように形成することが好ましい。孔部の中心間距離が２μｍ未満であると隣接する孔同士が多孔質膜の表面と平行な方向に連通することにより導電性の異方性を低下することがある。孔部の中心間距離が２００μｍを超えると電極上に導通部となる孔部が存在しがたくなり、対向する電極間を導通させるのが困難となる。
また、孔径に対する孔部の中心間距離の平均割合は、好ましくは１．２以上、さらに好ましくは２以上である。孔径に対する孔部の中心間距離の平均割合が１．２未満であると隣接する孔同士が多孔質膜の表面と平行な方向に連通することにより導電性の異方性を低下することがある。
孔径が５０μｍ程度、孔部の中心間距離が１００μｍ程度とすれば電極間距離が２００μｍ程度の電極に対応可能であり、さらに、孔径が５μｍ程度、孔部の中心間距離が１０μｍ程度とすれば電極間距離が５０μｍ以下のファインピッチで形成された電極に対しても対応できる。 In the step of forming the porous film, it is preferable that the distance between the centers of adjacent pores 11 in the porous film 10 is 2 μm or more and 200 μm or less. When the distance between the centers of the pores is less than 2 μm, adjacent pores communicate with each other in a direction parallel to the surface of the porous membrane, thereby reducing the conductivity anisotropy. When the distance between the centers of the holes exceeds 200 μm, it becomes difficult for a hole serving as a conducting part to exist on the electrodes, and it becomes difficult to conduct between the electrodes facing each other.
Moreover, the average ratio of the distance between the centers of the hole portions with respect to the hole diameter is preferably 1.2 or more, more preferably 2 or more. When the average ratio of the center-to-center distance of the hole portion with respect to the hole diameter is less than 1.2, the adjacent holes communicate with each other in a direction parallel to the surface of the porous film, which may reduce the conductivity anisotropy. .
If the hole diameter is about 50 μm and the distance between the centers of the holes is about 100 μm, it is possible to cope with an electrode having an electrode distance of about 200 μm. Further, if the hole diameter is about 5 μm and the distance between the centers of the holes is about 10 μm. This can also be applied to electrodes formed with a fine pitch with an interelectrode distance of 50 μm or less.

また、上記の多孔質膜を形成する工程において、多孔質膜１０が前記絶縁性樹脂と分子量が１００００未満の親水基に陰イオン性基を有する両親媒性物質とを含んで構成され、両親媒性物質が孔部の辺縁部を構成し、各孔部１１は絶縁性樹脂を含む仕切壁により仕切られており、多孔質膜１０の表面と平行な方向に連通していない構成となるように形成することが好ましい。
上記の逆ミセル法により多孔質膜を形成でき、孔部が仕切壁により仕切られて多孔質膜の表面と平行な方向に連通していないことにより導電性の異方性を高めることができる。 Further, in the step of forming the porous film, the porous film 10 includes the insulating resin and an amphiphilic substance having an anionic group in a hydrophilic group having a molecular weight of less than 10,000. The active substance constitutes the edge of the hole, and each hole 11 is partitioned by a partition wall containing an insulating resin so that it does not communicate in a direction parallel to the surface of the porous membrane 10. It is preferable to form.
The porous membrane can be formed by the reverse micelle method described above, and the anisotropy of the conductivity can be increased because the pores are partitioned by the partition walls and are not communicated in a direction parallel to the surface of the porous membrane.

さらに、上記の多孔質膜を形成する工程において、絶縁性樹脂と両親媒性物質とを合計した総重量において絶縁性樹脂の重量が占める割合Ｒｐ（絶縁性樹脂／｛絶縁性樹脂＋両親媒性物質｝）が、０．１以上であって０．６以下であることが好ましい。
上記重量の比を調整することで、逆ミセルの形成を確実にすることができる。 Further, in the step of forming the porous film, the ratio Rp (insulating resin / {insulating resin + amphiphilicity) of the weight of the insulating resin in the total weight of the insulating resin and the amphiphile is added. The substance}) is preferably 0.1 or more and 0.6 or less.
By adjusting the weight ratio, the formation of reverse micelles can be ensured.

本実施形態の異方性導電フィルムを構成する導電層２０は、金属粒子などの導電粒子が凝集して形成された膜であり、例えば、ニッケル、銅、アルミニウム、銀、金、鉄、スズ、鉛、クロム、コバルトなど各種金属や金属合金、金属酸化物などの導電粒子を凝集した膜であることが好ましい。 The conductive layer 20 constituting the anisotropic conductive film of the present embodiment is a film formed by aggregating conductive particles such as metal particles, for example, nickel, copper, aluminum, silver, gold, iron, tin, A film in which conductive particles such as various metals such as lead, chromium and cobalt, metal alloys and metal oxides are aggregated is preferable.

上記の接着剤層（３０，３１）を形成する工程において、接着剤層（３０，３１）の接着剤と多孔質膜１０の絶縁性樹脂の溶融粘度の比が１．５以上であって、１０以下であることが好ましい。
上記溶融粘度の比が１．５未満では、溶融粘度の差が小さく、接着剤層と多孔質膜を構成する絶縁性樹脂が同時に流動してしまい、接続信頼性の確保が困難となる。
上記溶融粘度の比が１０を超えると、接着剤層の溶融粘度が低くなりすぎ、実用上使用しにくくなる。 In the step of forming the adhesive layer (30, 31), the ratio of the melt viscosity of the adhesive of the adhesive layer (30, 31) and the insulating resin of the porous film 10 is 1.5 or more, It is preferable that it is 10 or less.
When the melt viscosity ratio is less than 1.5, the difference in melt viscosity is small, and the insulating resin constituting the adhesive layer and the porous film flows simultaneously, making it difficult to ensure connection reliability.
If the ratio of the melt viscosity exceeds 10, the melt viscosity of the adhesive layer becomes too low and it becomes difficult to use practically.

上記の接着剤層（３０，３１）を形成する工程において、上記の接着剤層の厚みは、１μｍ以上であって１００μｍ以下とすることが好ましい。
接着剤層の厚みは、接合させるＩＣチップや回路基板の電極の高さなどに応じて決定されるが、１μｍ未満ではＩＣチップなどを接合した場合に十分に接着して接合させることが困難となり、また、１００μｍ以上では使用時にＩＣチップなどの電極が貫通して異方性導電層中の導電層に到達させることが困難となってくる。 In the step of forming the adhesive layer (30, 31), the thickness of the adhesive layer is preferably 1 μm or more and 100 μm or less.
The thickness of the adhesive layer is determined according to the height of the IC chip to be bonded or the electrode of the circuit board, but if it is less than 1 μm, it becomes difficult to bond and bond sufficiently when the IC chip is bonded. In addition, when the thickness is 100 μm or more, it becomes difficult for electrodes such as an IC chip to penetrate and reach the conductive layer in the anisotropic conductive layer at the time of use.

上記の本実施形態の異方性導電フィルムの製造方法によれば、逆ミセル法を用いて多孔質膜を形成し、その内壁面に導電層を形成するので、異方性導電フィルムおいてファインピッチに対応でき、さらに導電層の凝集などの問題を引き起こさず、接続信頼性を確保できる。 According to the method for producing an anisotropic conductive film of the present embodiment, the porous film is formed using the reverse micelle method and the conductive layer is formed on the inner wall surface thereof. Connection reliability can be secured without causing problems such as aggregation of the conductive layer.

上記の異方性導電フィルムは、例えば、液晶ディスプレイの電極とフレキシブル回路基板の電極とを接続するのに用いることができる。
また、半導体チップの電極と半導体チップ搭載用基板の電極とを接続するのに用いることができる。 The anisotropic conductive film can be used, for example, to connect an electrode of a liquid crystal display and an electrode of a flexible circuit board.
Further, it can be used to connect the electrode of the semiconductor chip and the electrode of the semiconductor chip mounting substrate.

第２実施形態
本実施形態に係る異方性導電フィルムは、実質的に第１実施形態に係る異方性導電フィルムと同様の構成であるが、製造方法が以下のように異なる。 Second Embodiment An anisotropic conductive film according to this embodiment has substantially the same configuration as the anisotropic conductive film according to the first embodiment, but the manufacturing method is different as follows.

本実施形態に係る異方性導電フィルムの製造方法について説明する。
図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は本実施形態に係る異方性導電フィルムを製造する際の各工程における断面図である。
例えば、予め疎水性有機溶媒溶液に混合させる水の中に、導電粒子ではなく、パラジウム−スズコロイドなどの無電解メッキ触媒を分散する。上記以外は、第１実施形態と同様である。 The manufacturing method of the anisotropic conductive film which concerns on this embodiment is demonstrated.
FIG. 7A and FIG. 7B are cross-sectional views in each step when manufacturing the anisotropic conductive film according to this embodiment.
For example, an electroless plating catalyst such as palladium-tin colloid is dispersed in water previously mixed with a hydrophobic organic solvent solution instead of conductive particles. Other than the above, the second embodiment is the same as the first embodiment.

このようにして得た疎水性有機溶媒溶液を塗布し、乾燥させると、図７（Ａ）に示すように、無電解メッキ触媒２１が孔部１１の内壁面及び開口辺縁に付着した状態となる多孔質膜１０が形成される。 When the hydrophobic organic solvent solution thus obtained is applied and dried, the electroless plating catalyst 21 is attached to the inner wall surface and the opening edge of the hole 11 as shown in FIG. A porous film 10 is formed.

次に図７（Ｂ）に示すように、上記のようにして得た多孔質膜を、ニッケルなどの無電解メッキ液に浸漬することで、無電解メッキ条件により、孔部１１内壁面及び開口辺縁に存在する無電解メッキ触媒２１を触媒として孔部１１の少なくとも内壁面上に導電層２０が形成され、多孔質膜１０と導電層２０とを有する異方性導電層を形成することができる。 Next, as shown in FIG. 7 (B), the porous film obtained as described above is immersed in an electroless plating solution such as nickel, so that the inner wall surface and the opening of the hole 11 are opened depending on the electroless plating conditions. The conductive layer 20 is formed on at least the inner wall surface of the hole 11 using the electroless plating catalyst 21 present at the edge as a catalyst, and an anisotropic conductive layer having the porous film 10 and the conductive layer 20 can be formed. it can.

本実施形態において、導電層２０は、例えば、無電解メッキ処理により形成された膜であり、ニッケル、銅、アルミニウム、銀、金、鉄、スズ、鉛、クロム、コバルトなど各種金属や金属合金、金属酸化物などを含むように無電解メッキ処理で形成された膜であることが好ましい。 In the present embodiment, the conductive layer 20 is, for example, a film formed by electroless plating, and various metals and metal alloys such as nickel, copper, aluminum, silver, gold, iron, tin, lead, chromium, cobalt, A film formed by electroless plating so as to include a metal oxide or the like is preferable.

上記の工程以降は、第１実施形態と同様にして形成することができる、
上記の本実施形態の異方性導電フィルムの製造方法によれば、逆ミセル法を用いて多孔質膜を形成し、その内壁面に導電層を形成するので、異方性導電フィルムおいてファインピッチに対応でき、さらに導電層の凝集などの問題を引き起こさず、接続信頼性を確保できる。 After the above steps, it can be formed in the same manner as in the first embodiment.
According to the method for producing an anisotropic conductive film of the present embodiment, the porous film is formed using the reverse micelle method and the conductive layer is formed on the inner wall surface thereof. Connection reliability can be secured without causing problems such as aggregation of the conductive layer.

第３実施形態
図８は本実施形態に係る異方性導電フィルムの一例の模式断面図である。
本実施形態の異方性導電フィルムは、多孔質膜１０と、導電層２０と、接着剤層３０とを有する。
多孔質膜１０は、絶縁性樹脂を含んで構成され、平均孔径が１μｍ以上であって１００μｍ以下である多数の孔部１１が膜厚方向に貫通して設けられている。
導電層２０は、多孔質膜１０の孔部１１の少なくとも内壁面上に設けられている。本実施形態において、孔部１１における導電層２０よりも内側の領域は空隙１２となっている。
以上のように、多孔質膜１０と導電層２０から異方性導電層が構成されている。 Third Embodiment FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of an example of an anisotropic conductive film according to this embodiment.
The anisotropic conductive film of this embodiment has a porous film 10, a conductive layer 20, and an adhesive layer 30.
The porous film 10 includes an insulating resin, and is provided with a large number of holes 11 having an average pore diameter of 1 μm or more and 100 μm or less penetrating in the film thickness direction.
The conductive layer 20 is provided on at least the inner wall surface of the hole 11 of the porous membrane 10. In the present embodiment, the area inside the hole 11 relative to the conductive layer 20 is a void 12.
As described above, the anisotropic conductive layer is composed of the porous film 10 and the conductive layer 20.

さらに、異方性導電層の一方の面上に接着剤層３０が設けられている。
ここで、接着剤層３０は、多孔質膜１０を構成する絶縁性樹脂の溶融粘度より低い溶融粘度を有する絶縁性の接着剤よりなる。 Further, an adhesive layer 30 is provided on one surface of the anisotropic conductive layer.
Here, the adhesive layer 30 is made of an insulating adhesive having a melt viscosity lower than the melt viscosity of the insulating resin constituting the porous film 10.

図１に示す第１実施形態の異方性導電フィルムと同様の構成であるが、本実施形態においては、孔部１１における導電層２０よりも内側の空隙１２となっている領域にも接着剤層３２が形成されていることが異なる。 Although it is the same structure as the anisotropic conductive film of 1st Embodiment shown in FIG. 1, in this embodiment, it is an adhesive agent also in the area | region used as the space | gap 12 inside the conductive layer 20 in the hole 11. FIG. The difference is that the layer 32 is formed.

また、図９は本実施形態に係る異方性導電フィルムの他の例の模式断面図である。
図２に示す第１実施形態の異方性導電フィルムと同様の構成であるが、孔部１１における導電層２０よりも内側の空隙１２となっている領域にも接着剤層３２が形成されていることが異なる。 FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of another example of the anisotropic conductive film according to this embodiment.
Although it is the same structure as the anisotropic conductive film of 1st Embodiment shown in FIG. 2, the adhesive bond layer 32 is also formed in the area | region which becomes the space | gap 12 inside the conductive layer 20 in the hole 11. Is different.

上記の本実施形態に係る異方性導電フィルムは、接着剤層（３０，３１）をラミネートする際に、孔部１１における導電層２０よりも内側の空隙１２となっている領域にも押し込むようにすることで形成することができる。
他の工程は、第１実施形態と同様に形成することができる。 When the anisotropic conductive film according to the present embodiment is laminated with the adhesive layer (30, 31), the anisotropic conductive film is also pushed into the region of the hole 11 that is the gap 12 inside the conductive layer 20. Can be formed.
Other steps can be formed in the same manner as in the first embodiment.

第４実施形態
図１０は本実施形態に係る異方性導電フィルムの一例の模式断面図である。
本実施形態の異方性導電フィルムは、多孔質膜１０と、導電層２２と、接着剤層３０とを有する。
多孔質膜１０は、絶縁性樹脂を含んで構成され、平均孔径が１μｍ以上であって１００μｍ以下である多数の孔部１１が膜厚方向に貫通して設けられている。
導電層２２は、多孔質膜１０の孔部１１の内壁面を被覆して孔部１１全体を埋め込むようにして設けられている。
以上のように、多孔質膜１０と導電層２２から異方性導電層が構成されている。 Fourth Embodiment FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of an example of an anisotropic conductive film according to this embodiment.
The anisotropic conductive film of this embodiment has a porous film 10, a conductive layer 22, and an adhesive layer 30.
The porous film 10 includes an insulating resin, and is provided with a large number of holes 11 having an average pore diameter of 1 μm or more and 100 μm or less penetrating in the film thickness direction.
The conductive layer 22 is provided so as to cover the inner wall surface of the hole 11 of the porous film 10 and embed the entire hole 11.
As described above, the anisotropic conductive layer is composed of the porous film 10 and the conductive layer 22.

図１に示す第１実施形態の異方性導電フィルムと同様の構成であるが、本実施形態においては、導電層２２が多孔質膜１０の孔部１１の内壁面を被覆して孔部１１全体を埋め込むようにして設けられていることが異なる。 Although it is the same structure as the anisotropic conductive film of 1st Embodiment shown in FIG. 1, in this embodiment, the conductive layer 22 coat | covers the inner wall face of the hole 11 of the porous film 10, and the hole 11 The difference is that it is provided so as to be embedded entirely.

また、図１１は本実施形態に係る異方性導電フィルムの他の例の模式断面図である。
図２に示す第１実施形態の異方性導電フィルムと同様の構成であるが、導電層２２が、多孔質膜１０の孔部１１の内壁面を被覆して孔部１１全体を埋め込むようにして設けられていることが異なる。 FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of another example of the anisotropic conductive film according to this embodiment.
Although the structure is the same as that of the anisotropic conductive film of the first embodiment shown in FIG. 2, the conductive layer 22 covers the inner wall surface of the hole 11 of the porous film 10 so as to embed the entire hole 11. It is different that it is provided.

本実施形態に係る異方性導電フィルムの製造方法について説明する。
図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は本実施形態に係る異方性導電フィルムを製造する際の各工程における断面図である。
例えば、予め疎水性有機溶媒溶液に混合させる水の中に、導電粒子ではなく、パラジウム−スズコロイドなどの無電解メッキ触媒を分散する。上記以外は、第１実施形態と同様である。 The manufacturing method of the anisotropic conductive film which concerns on this embodiment is demonstrated.
12 (A) and 12 (B) are cross-sectional views in each step when manufacturing the anisotropic conductive film according to this embodiment.
For example, an electroless plating catalyst such as palladium-tin colloid is dispersed in water previously mixed with a hydrophobic organic solvent solution instead of conductive particles. Other than the above, the second embodiment is the same as the first embodiment.

このようにして得た疎水性有機溶媒溶液を塗布し、乾燥させると、図１２（Ａ）に示すように、無電解メッキ触媒２１が孔部１１の内壁面及び開口辺縁に付着した状態となる多孔質膜１０が形成される。 When the hydrophobic organic solvent solution thus obtained is applied and dried, as shown in FIG. 12A, the electroless plating catalyst 21 is attached to the inner wall surface and the opening edge of the hole 11 and A porous film 10 is formed.

次に図１２（Ｂ）に示すように、上記のようにして得た多孔質膜を、ニッケルなどの無電解メッキ液に浸漬することで、無電解メッキ条件により、孔部１１内壁面に存在する無電解メッキ触媒２１を触媒として、孔部１１全体を埋め込んで導電層２２が形成され、多孔質膜１０と導電層２２とを有する異方性導電層を形成することができる。 Next, as shown in FIG. 12B, the porous film obtained as described above is immersed in an electroless plating solution such as nickel, so that it exists on the inner wall surface of the hole 11 under electroless plating conditions. The conductive layer 22 is formed by filling the entire hole 11 using the electroless plating catalyst 21 to be formed as a catalyst, and an anisotropic conductive layer having the porous film 10 and the conductive layer 22 can be formed.

上記の工程以降は、第１実施形態と同様にして、図１０及び図１１に示す構成の異方性導電フィルムを形成することができる。
上記の本実施形態の異方性導電フィルムの製造方法によれば、逆ミセル法を用いて多孔質膜を形成し、その内壁面に導電層を形成するので、異方性導電フィルムおいてファインピッチに対応でき、さらに導電層の凝集などの問題を引き起こさず、接続信頼性を確保できる。 After the above steps, the anisotropic conductive film having the configuration shown in FIGS. 10 and 11 can be formed in the same manner as in the first embodiment.
According to the method for producing an anisotropic conductive film of the present embodiment, the porous film is formed using the reverse micelle method and the conductive layer is formed on the inner wall surface thereof. Connection reliability can be secured without causing problems such as aggregation of the conductive layer.

参考形態
本参考形態に係る異方性導電フィルムは、実質的に第３実施形態に係る異方性導電フィルムと同様の構成であるが、製造方法が以下のように異なる。 Reference Form The anisotropic conductive film according to the present reference form has substantially the same configuration as the anisotropic conductive film according to the third embodiment, but the manufacturing method is different as follows.

本参考形態に係る異方性導電フィルムの製造方法について説明する。
図１３（Ａ）〜（Ｃ）は本実施形態に係る異方性導電フィルムを製造する際の各工程における断面図である。
まず、予め疎水性有機溶媒溶液に混合させる水の中には導電粒子も無電解メッキ触媒なども混合せずに疎水性有機溶媒溶液（塗布液）を調製し、図１３（Ａ）に示すように、例えば、剥離フィルム１００上に多数の貫通する孔部１１が設けられた多孔質膜１０を形成する。 The manufacturing method of the anisotropic conductive film which concerns on this reference form is demonstrated.
FIGS. 13A to 13C are cross-sectional views in each step when manufacturing the anisotropic conductive film according to this embodiment.
First, a hydrophobic organic solvent solution (coating solution) is prepared in water previously mixed with a hydrophobic organic solvent solution without mixing conductive particles or electroless plating catalyst, as shown in FIG. For example, the porous film 10 in which a large number of through-holes 11 are provided on the release film 100 is formed.

次に、多孔質膜１０の上面に、電解メッキ処理の一方の電極となる金属箔などの導電体フィルム６０を貼り合わせる。 Next, a conductor film 60 such as a metal foil to be one electrode for electrolytic plating is bonded to the upper surface of the porous film 10.

次に、図１３（Ｂ）に示すように、多孔質膜１０を剥離フィルム１００との界面において剥離する。
次に、得られた導電体フィルム６０が貼り合わされた多孔質膜１０をニッケルなどの電解メッキ液に浸漬し、多孔質膜１０の導電体フィルム６０を貼り合わせた面と反対側に面に対向して対向電極を設け、導電体フィルム６０と対向電極間に所定の電流を流して電解メッキ処理を行う。 Next, as shown in FIG. 13B, the porous film 10 is peeled off at the interface with the peeling film 100.
Next, the obtained porous film 10 to which the conductive film 60 is bonded is immersed in an electrolytic plating solution such as nickel, and the surface opposite to the surface of the porous film 10 on which the conductive film 60 is bonded is opposed to the surface. Then, a counter electrode is provided, and a predetermined current is passed between the conductor film 60 and the counter electrode to perform electrolytic plating.

上記の電解メッキ処理により、例えば図１３（Ｃ）に示すように、ニッケルなどの導電層２２が、多孔質膜１０の孔部１１の内壁面を被覆して孔部１１全体を埋め込むようにして設けられている構成となる。上記の後、必要に応じて剥離フィルムを貼り合わせ、エッチング処理などで導電体フィルム６０を除去する。
以降の工程は、第１実施形態と同様に行うことで、図１０及び図１１に示す構成の異方性導電フィルムを形成することができる。 By the above electrolytic plating treatment, for example, as shown in FIG. 13C, a conductive layer 22 such as nickel covers the inner wall surface of the hole 11 of the porous film 10 and embeds the entire hole 11. It becomes the structure provided. After the above, a release film is bonded as necessary, and the conductor film 60 is removed by etching or the like.
By performing the subsequent steps in the same manner as in the first embodiment, an anisotropic conductive film having the configuration shown in FIGS. 10 and 11 can be formed.

上記の本参考形態の異方性導電フィルムの製造方法によれば、逆ミセル法を用いて多孔質膜を形成し、その内壁面に導電層を形成するので、異方性導電フィルムおいてファインピッチに対応でき、さらに導電層の凝集などの問題を引き起こさず、接続信頼性を確保できる。 According to the production method of the anisotropic conductive film of the above-mentioned present reference embodiment, the porous film is formed by using a reversed micelle method, since a conductive layer on its inner wall surfaces, keep the anisotropic conductive film Fine Connection reliability can be secured without causing problems such as aggregation of the conductive layer.

上記においては導電層２２全体を電解メッキ処理で形成しているが、最初に第３実施形態に示す製造方法により所定膜厚で孔部の内壁面を被覆する程度に導電層を形成し、さらに本実施形態に示すように導電体フィルムを貼り合わせて電解メッキ処理を行い、孔部を埋め込んで導電層を形成するようにしてもよい。 In the above, the entire conductive layer 22 is formed by electrolytic plating. First, the conductive layer is formed to a degree that covers the inner wall surface of the hole with a predetermined film thickness by the manufacturing method shown in the third embodiment. As shown in the present embodiment, a conductive film may be attached to perform electroplating, and the hole may be filled to form a conductive layer.

参考例
ポリプロピレン樹脂１．５ｇとビス（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸ナトリウム１．０ｇを混合して、得られた混合物をトルエン２０ｍｌに溶解し、さらに銅微粒子（平均粒径５０ｎｍ）３．５ｍｇを水０．５ｇに分散した分散水を添加し、３分間超音波処理して逆ミセルが形成された疎水性有機溶媒溶液を調整した。 Reference Example 1.5 g of polypropylene resin and 1.0 g of sodium bis (2-ethylhexyl) sulfosuccinate were mixed, the resulting mixture was dissolved in 20 ml of toluene, and further 3.5 mg of copper fine particles (average particle size 50 nm) were added to water. Dispersed water dispersed in 0.5 g was added and sonicated for 3 minutes to prepare a hydrophobic organic solvent solution in which reverse micelles were formed.

次に、上記素疎水性有機溶媒溶液をブレードコーターで２３０μｍの膜厚で剥離フィルム上に塗布し、相対湿度１７％の乾燥空気を流速３リットル／分で流しながら、溶媒及び水を蒸発乾燥させることで、厚みが８μｍであり、平均孔径が８．８μｍの膜厚方向に貫通した多数の孔部が設けられたポリウレタン系多孔質膜の上記孔部の少なくとも内壁面上に銅微粒子が凝集して導電層が形成された異方性導電層が剥離シート上に形成されたシートＡを得た。 Next, the above-mentioned hydrophobic organic solvent solution is applied onto a release film with a film thickness of 230 μm using a blade coater, and the solvent and water are evaporated and dried while flowing dry air having a relative humidity of 17% at a flow rate of 3 liters / minute. Thus, the copper fine particles aggregate on at least the inner wall surface of the above-mentioned pore portion of the polyurethane-based porous membrane having a thickness of 8 μm and an average pore diameter of 8.8 μm and provided with a large number of pores penetrating in the film thickness direction. Thus, a sheet A in which the anisotropic conductive layer on which the conductive layer was formed was formed on the release sheet was obtained.

次に、エポキシ樹脂を酢酸エチルに溶解した固形分５％の溶液を剥離フィルム（シリコン離型処理１００μｍＰＥＴフィルム）上に塗布、乾燥し、剥離フィルム上に厚み７．２μｍのエポキシ樹脂系接着剤層が形成されたシートＢを得た。
次に、シートＢと同様にしてシートＣを得た。
上記接着剤層を構成するエポキシ樹脂系接着剤及び異方性導電層を構成するポリプロピレン樹脂の１５０℃における溶融粘度を測定したところ、ポリプロピレン樹脂の溶融粘度はエポキシ樹脂系接着剤の溶融粘度の２．４倍であった。 Next, a 5% solid solution prepared by dissolving an epoxy resin in ethyl acetate is applied on a release film (silicon release treatment 100 μm PET film), dried, and an epoxy resin adhesive layer having a thickness of 7.2 μm on the release film. A sheet B on which was formed was obtained.
Next, a sheet C was obtained in the same manner as the sheet B.
When the melt viscosity at 150 ° C. of the epoxy resin adhesive constituting the adhesive layer and the polypropylene resin constituting the anisotropic conductive layer was measured, the melt viscosity of the polypropylene resin was 2 of the melt viscosity of the epoxy resin adhesive. .4 times.

次に、シートＡの異方性導電層とシートＢの接着剤層を向かい合わせて重ね、ロールラミネータでラミネートし、シートＡの剥離フィルムを剥離してシートＤを得た。
次に、シートＤの異方性導電層とシートＣの接着剤層を向かい合わせて重ね、ロールラミネータでラミネートし、異方性導電フィルムＥを得た。 Next, the anisotropic conductive layer of sheet A and the adhesive layer of sheet B were stacked face to face, laminated with a roll laminator, and the release film of sheet A was peeled to obtain sheet D.
Next, the anisotropic conductive layer of the sheet D and the adhesive layer of the sheet C were stacked facing each other and laminated with a roll laminator to obtain an anisotropic conductive film E.

上記の異方性導電フィルムの一方の剥離フィルムを剥離し、ＩＴＯ電極が形成されたガラス基板に、１００℃、２ｋｇ／ｃｍ^２、５秒の加熱加圧条件で貼り付けた。
次に、異方性導電フィルムの他方の剥離フィルムを剥離し、５０μｍ×５０μｍの金バンプを有するベアチップを位置合わせし、２００℃、３０ｋｇ／ｃｍ^２、２０秒の加熱加圧条件で搭載した。 One release film of the anisotropic conductive film was peeled off, and attached to a glass substrate on which an ITO electrode was formed at 100 ° C., 2 kg / cm ² , under heating and pressing conditions of 5 seconds.
Next, the other release film of the anisotropic conductive film was peeled off, a bare chip having a 50 μm × 50 μm gold bump was aligned, and mounted under a heating and pressing condition of 200 ° C., 30 kg / cm ² for 20 seconds.

上記の相対峙する金バンプとＩＴＯ電極間の電気抵抗値を測定したところ、０．６８Ωであり、上記の加熱加圧による搭載時に、異方性導電間フィルムを介して金バンプとＩＴＯ基板が回路接続されたことが確認された。
また、隣接する金バンプ間の電気抵抗値を測定したところ、３．４×１０^１０Ωであり、十分に絶縁されていることが確認された。 When the electric resistance value between the gold bump and the ITO electrode facing each other was measured, it was 0.68Ω, and when mounted by the heating and pressurization, the gold bump and the ITO substrate were interposed via the anisotropic conductive film. It was confirmed that the circuit was connected.
Moreover, when the electrical resistance value between adjacent gold bumps was measured, it was 3.4 × 10 ¹⁰ Ω, and it was confirmed that it was sufficiently insulated.

実施例１
ポリプロピレン樹脂１．５ｇとビス（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸ナトリウム１．５ｇを混合して、得られた混合物をトルエン２０ｍｌに溶解し、さらにニッケルメッキ触媒としてのパラジウム−スズコロイドを１．０ｇの水に分散してなる分散水を添加して攪拌し、逆ミセルが形成された疎水性有機溶媒溶液を調整した。 Example 1
1.5 g of polypropylene resin and 1.5 g of sodium bis (2-ethylhexyl) sulfosuccinate are mixed, and the resulting mixture is dissolved in 20 ml of toluene. Further, palladium-tin colloid as a nickel plating catalyst is added to 1.0 g of water. The dispersed water formed by dispersion was added and stirred to prepare a hydrophobic organic solvent solution in which reverse micelles were formed.

次に、上記疎水性有機溶媒溶液をブレードコーターで２３０μｍの膜厚で剥離フィルム上に塗布し、乾燥空気下で溶媒及び水を蒸発乾燥させ、剥離フィルム上に厚みが７．４μｍであり、平均孔径が９．７μｍの膜厚方向に貫通した多数の孔部が設けられたポリエステル系多孔質膜が形成されたシートＦを得た。多孔質膜の孔部内壁面及び開口辺縁にパラジウム−スズコロイドが付着していた。 Next, the hydrophobic organic solvent solution was applied onto the release film with a film thickness of 230 μm with a blade coater, the solvent and water were evaporated and dried under dry air, and the thickness was 7.4 μm on the release film. A sheet F on which a polyester-based porous film having a large number of holes penetrating in the film thickness direction having a pore diameter of 9.7 μm was formed was obtained. Palladium-tin colloid was adhered to the inner wall surface and the opening edge of the porous membrane.

次に、上記のシートＦをニッケルの無電解メッキ液に浸漬してパラジウムを無電解メッキの触媒としてニッケルメッキ処理を行い、多孔質膜の孔部内壁面上にニッケルからなる導電層を形成してシートＦの多孔質膜を異方性導電層とした。 Next, the sheet F is immersed in an electroless plating solution of nickel to perform nickel plating using palladium as an electroless plating catalyst, and a conductive layer made of nickel is formed on the inner wall surface of the porous film. The porous film of the sheet F was an anisotropic conductive layer.

次に、エポキシ樹脂を酢酸エチルに溶解した固形分５％の溶液を剥離フィルム（シリコン離型処理１００μｍＰＥＴフィルム）上に塗布、乾燥し、剥離フィルム上に厚み７．１μｍの接着剤層が形成されたシートＧを得た。
上記接着剤層を構成するエポキシ樹脂系接着剤及び異方性導電層を構成するポリプロピレン樹脂の１５０℃における溶融粘度を測定したところ、ポリプロピレン樹脂の溶融粘度はエポキシ樹脂系接着剤の溶融粘度の２．４倍であった。 Next, a 5% solid solution prepared by dissolving an epoxy resin in ethyl acetate is applied onto a release film (silicon release treatment 100 μm PET film) and dried to form an adhesive layer having a thickness of 7.1 μm on the release film. Sheet G was obtained.
When the melt viscosity at 150 ° C. of the epoxy resin adhesive constituting the adhesive layer and the polypropylene resin constituting the anisotropic conductive layer was measured, the melt viscosity of the polypropylene resin was 2 of the melt viscosity of the epoxy resin adhesive. .4 times.

次に、シートＦの異方性導電層とシートＧの接着剤層を向かい合わせて重ね、ロールラミネータでラミネートし、異方性導電フィルムＨを得た。 Next, the anisotropic conductive layer of the sheet F and the adhesive layer of the sheet G were stacked facing each other and laminated with a roll laminator to obtain an anisotropic conductive film H.

上記の異方性導電フィルムの異方性導電層側の剥離フィルムを剥離し、ＩＴＯ電極が形成されたガラス基板に貼り付けた。
次に、異方性導電フィルムの接着剤層側の剥離フィルムを剥離し、５０μｍ×５０μｍの金バンプを有するベアチップを位置合わせし、２００℃、３０ｋｇ／ｃｍ^２、２０秒の加熱加圧条件で搭載した。 The release film on the anisotropic conductive layer side of the anisotropic conductive film was peeled off and attached to a glass substrate on which an ITO electrode was formed.
Next, the release film on the adhesive layer side of the anisotropic conductive film is peeled off, a bare chip having a 50 μm × 50 μm gold bump is aligned, and heated and pressurized at 200 ° C., 30 kg / cm ² for 20 seconds. equipped.

上記の相対峙する金バンプとＩＴＯ電極間の電気抵抗値を測定したところ、０．４４Ωであり、上記の加熱加圧による搭載時に、異方性導電間フィルムを介して金バンプとＩＴＯ基板が回路接続されたことが確認された。
また、隣接する金バンプ間の電気抵抗値を測定したところ、１．９×１０^１０Ωであり、十分に絶縁されていることが確認された。 When the electrical resistance value between the gold bump and the ITO electrode relative to each other was measured, it was 0.44Ω, and when mounted by the heating and pressurization, the gold bump and the ITO substrate were interposed via the anisotropic conductive film. It was confirmed that the circuit was connected.
Moreover, when the electrical resistance value between adjacent gold bumps was measured, it was 1.9 × 10 ¹⁰ Ω, which was confirmed to be sufficiently insulated.

実施例２
ポリウレタン樹脂１．５ｇとビス（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸ナトリウム２．０ｇを混合して、得られた混合物をトルエン２０ｍｌに溶解し、さらにニッケルメッキ触媒としての少量のパラジウム−スズコロイドを１．５ｇの水に分散してなる分散水を添加して攪拌し、逆ミセルが形成された疎水性有機溶媒溶液を調整した。 Example 2
1.5 g of polyurethane resin and 2.0 g of sodium bis (2-ethylhexyl) sulfosuccinate are mixed, the resulting mixture is dissolved in 20 ml of toluene, and 1.5 g of a small amount of palladium-tin colloid as a nickel plating catalyst is added. Dispersed water dispersed in water was added and stirred to prepare a hydrophobic organic solvent solution in which reverse micelles were formed.

次に、上記疎水性有機溶媒溶液をブレードコーターで２３０μｍの膜厚で剥離フィルム上に塗布し、乾燥空気下で溶媒及び水を蒸発乾燥させ、剥離フィルム上に厚みが６．８μｍであり、平均孔径が１０．８μｍの膜厚方向に貫通した多数の孔部が設けられたポリエステル系多孔質膜が形成されたシートＩを得た。多孔質膜の孔部内壁面及び開口辺縁にパラジウム−スズコロイドが付着していた。 Next, the hydrophobic organic solvent solution was applied on a release film with a film thickness of 230 μm with a blade coater, the solvent and water were evaporated and dried under dry air, and the thickness was 6.8 μm on the release film. A sheet I on which a polyester-based porous film having a large number of pores penetrating in the film thickness direction having a pore diameter of 10.8 μm was formed was obtained. Palladium-tin colloid was adhered to the inner wall surface and the opening edge of the porous membrane.

次に、上記のシートＩをニッケルの無電解メッキ液に浸漬してパラジウムを無電解メッキの触媒としてニッケルメッキ処理を行い、多孔質膜の孔部内壁面上にニッケルからなる導電層を形成した。
さらに、多孔質膜の一方の面上に銅箔を貼り付け、これを電極としてニッケルの電解メッキ処理を行い、孔部内をニッケルで埋め込んだ。
上記のようにして、シートＦの多孔質膜の孔部をニッケルからなる導電層で埋め込み、異方性導電層とした。
この後、上記の銅箔を剥離した。 Next, the sheet I was immersed in an electroless plating solution of nickel, and nickel plating was performed using palladium as a catalyst for electroless plating to form a conductive layer made of nickel on the inner wall surface of the hole of the porous film.
Furthermore, copper foil was affixed on one surface of the porous film, and this was used as an electrode for nickel electroplating to fill the hole with nickel.
As described above, the hole portion of the porous film of the sheet F was filled with the conductive layer made of nickel to obtain an anisotropic conductive layer.
Thereafter, the copper foil was peeled off.

次に、エポキシ樹脂を酢酸エチルに溶解した固形分５％の溶液を剥離フィルム（シリコン離型処理１００μｍＰＥＴフィルム）上に塗布、乾燥し、剥離フィルム上に厚み７．２μｍの接着剤層が形成されたシートＪを得た。
上記接着剤層を構成するエポキシ樹脂系接着剤及び異方性導電層を構成するポリウレタン樹脂の１５０℃における溶融粘度を測定したところ、ポリウレタン樹脂の溶融粘度はエポキシ樹脂系接着剤の溶融粘度の３．３倍であった。 Next, a 5% solid solution prepared by dissolving an epoxy resin in ethyl acetate is applied onto a release film (silicon release treatment 100 μm PET film) and dried to form an adhesive layer having a thickness of 7.2 μm on the release film. Sheet J was obtained.
When the melt viscosity at 150 ° C. of the epoxy resin adhesive constituting the adhesive layer and the polyurethane resin constituting the anisotropic conductive layer was measured, the melt viscosity of the polyurethane resin was 3 of the melt viscosity of the epoxy resin adhesive. It was 3 times.

次に、シートＩの異方性導電層とシートＪの接着剤層を向かい合わせて重ね、ロールラミネータでラミネートし、異方性導電フィルムＫを得た。 Next, the anisotropic conductive layer of the sheet I and the adhesive layer of the sheet J were stacked facing each other and laminated with a roll laminator to obtain an anisotropic conductive film K.

上記の異方性導電フィルムの異方性導電層に、ＩＴＯ電極が形成されたガラス基板に貼り付けた。
次に、異方性導電フィルムの接着剤層側の剥離フィルムを剥離し、５０μｍ×５０μｍの金バンプを有するベアチップを位置合わせし、２００℃、３０ｋｇ／ｃｍ^２、２０秒の加熱加圧条件で搭載した。 It stuck on the glass substrate in which the ITO electrode was formed in the anisotropic conductive layer of said anisotropic conductive film.
Next, the release film on the adhesive layer side of the anisotropic conductive film is peeled off, a bare chip having a 50 μm × 50 μm gold bump is aligned, and heated and pressurized at 200 ° C., 30 kg / cm ² for 20 seconds. equipped.

上記の相対峙する金バンプとＩＴＯ電極間の電気抵抗値を測定したところ、０．３８Ωであり、上記の加熱加圧による搭載時に、異方性導電間フィルムを介して金バンプとＩＴＯ基板が回路接続されたことが確認された。
また、隣接する金バンプ間の電気抵抗値を測定したところ、１．７×１０^１０Ωであり、十分に絶縁されていることが確認された。 The electrical resistance value measured between the gold bumps and the ITO electrodes facing each other was 0.38Ω, and when mounted by the heating and pressurization, the gold bumps and the ITO substrate were interposed via the anisotropic conductive film. It was confirmed that the circuit was connected.
Moreover, when the electrical resistance value between adjacent gold bumps was measured, it was 1.7 × 10 ¹⁰ Ω, and it was confirmed that it was sufficiently insulated.

本発明は上記の説明に限定されない。
例えば、多孔質膜を剥離フィルム上に形成する工程において、剥離フィルムが親水性の場合に疎水性の中間層を設け、あるいは剥離フィルムが疎水性の場合に親水性の中間層を設け、さらにこの中間層をパターン化することで、多孔質膜中において孔部の偏在をさせて形成することなども適宜組み合わせることができる。
パターン化された中間層を形成してもよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。 The present invention is not limited to the above description.
For example, in the step of forming the porous film on the release film, a hydrophobic intermediate layer is provided when the release film is hydrophilic, or a hydrophilic intermediate layer is provided when the release film is hydrophobic. By patterning the intermediate layer, it is possible to appropriately combine the formation of unevenly distributed pores in the porous film.
A patterned intermediate layer may be formed.
In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

本発明の異方性導電フィルムは、高密度実装及びファインピッチに対応してＩＣチップと回路基板との接続などに用いる異方性導電フィルムに適用できる。
また、本発明の異方性導電フィルムの製造方法は、高密度実装及びファインピッチに対応してＩＣチップと回路基板との接続などに用いる異方性導電フィルムを製造する方法に適用できる。 The anisotropic conductive film of the present invention can be applied to an anisotropic conductive film used for connection between an IC chip and a circuit board corresponding to high-density mounting and fine pitch.
In addition, the method for producing an anisotropic conductive film of the present invention can be applied to a method for producing an anisotropic conductive film used for connection between an IC chip and a circuit board corresponding to high-density mounting and fine pitch.

図１は本発明の第１実施形態に係る異方性導電フィルムの一例の模式断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an example of an anisotropic conductive film according to the first embodiment of the present invention. 図２は本発明の第１実施形態に係る異方性導電フィルムの他の例の模式断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of another example of the anisotropic conductive film according to the first embodiment of the present invention. 図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は図２に示す異方性導電フィルムの使用方法を説明するための模式断面図である。3A and 3B are schematic cross-sectional views for explaining a method of using the anisotropic conductive film shown in FIG. 図４は本発明の第１実施形態に係る異方性導電フィルムを構成する多孔質膜を形成する工程を示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart showing a process of forming a porous film constituting the anisotropic conductive film according to the first embodiment of the present invention. 図５（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の第１実施形態に係る異方性導電フィルムを製造する際の各工程における断面図である。5 (A) to 5 (C) are cross-sectional views in each step when manufacturing the anisotropic conductive film according to the first embodiment of the present invention. 図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は本発明の第１実施形態に係る異方性導電フィルムを製造する際の各工程における断面図である。6 (A) and 6 (B) are cross-sectional views in each step when manufacturing the anisotropic conductive film according to the first embodiment of the present invention. 図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は本発明の第２実施形態に係る異方性導電フィルムを製造する際の各工程における断面図である。FIG. 7A and FIG. 7B are cross-sectional views in each step when manufacturing the anisotropic conductive film according to the second embodiment of the present invention. 図８は本発明の第３実施形態に係る異方性導電フィルムの一例の模式断面図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of an example of the anisotropic conductive film according to the third embodiment of the present invention. 図９は本発明の第３実施形態に係る異方性導電フィルムの他の例の模式断面図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of another example of the anisotropic conductive film according to the third embodiment of the present invention. 図１０は本発明の第４実施形態に係る異方性導電フィルムの一例の模式断面図である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of an example of the anisotropic conductive film according to the fourth embodiment of the present invention. 図１１は本発明の第４実施形態に係る異方性導電フィルムの他の例の模式断面図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of another example of the anisotropic conductive film according to the fourth embodiment of the present invention. 図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は本発明の第４実施形態に係る異方性導電フィルムを製造する際の各工程における断面図である。12 (A) and 12 (B) are cross-sectional views in each step when manufacturing the anisotropic conductive film according to the fourth embodiment of the present invention. 図１３（Ａ）〜（Ｃ）は参考形態に係る異方性導電フィルムを製造する際の各工程における断面図である。FIGS. 13A to 13C are cross-sectional views in each step when manufacturing the anisotropic conductive film according to the reference embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１０：多孔質膜
１１：孔部
１２：空隙
２０，２２：導電層
２１：無電解メッキ触媒
３０，３１，３２：接着剤層
４０：回路基板
４１：電極
５０：バンプ
６０：導電体フィルム
１００，１０１：剥離フィルム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10: Porous film | membrane 11: Pore part 12: Space | gap 20,22: Conductive layer 21: Electroless plating catalyst 30, 31, 32: Adhesive layer 40: Circuit board 41: Electrode 50: Bump 60: Conductor film 100, 101: Release film

Claims

絶縁性樹脂を含んで構成され、平均孔径が１μｍ以上であって１００μｍ以下である多数の孔部が膜厚方向に貫通して設けられた多孔質膜と、前記孔部の少なくとも内壁面上に設けられた導電層とを有し、厚みが１μｍ以上であって１００μｍ以下であり、かつ、前記平均孔径の９０％未満であり、隣接する前記孔部の中心間距離が２μｍ以上であって２００μｍ以下である異方性導電層と、
前記異方性導電層の少なくとも一方の面上に設けられ、前記絶縁性樹脂の溶融粘度より低い溶融粘度を有する絶縁性の接着剤よりなり、厚みが１μｍ以上であって１００μｍ以下である接着剤層と
を有し、
前記異方性導電層の表面積に対する前記孔部の前記異方性導電層の表面での開口面積の割合である開口率が１０％以上であって８０％以下であり、
前記多孔質膜が前記絶縁性樹脂と分子量が１００００未満の親水基に陰イオン性基を有する両親媒性物質とを含んで構成され、前記両親媒性物質が前記孔部の辺縁部を構成し、各孔部は前記絶縁性樹脂を含む仕切壁により仕切られており、前記多孔質膜の表面と平行な方向に連通しておらず、
前記多孔質膜において前記絶縁性樹脂と前記両親媒性物質とを合計した総重量において前記絶縁性樹脂の重量が占める割合（絶縁性樹脂／｛絶縁性樹脂＋両親媒性物質｝）が０．１以上であって０．６以下である
異方性導電フィルム。 A porous film comprising an insulating resin and having an average pore diameter of 1 μm or more and 100 μm or less penetrating in the film thickness direction; and at least on the inner wall surface of the hole It possesses the provided conductive layer, a thickness of a at 1μm or more 100μm or less, and less than 90% of the average pore diameter, 200 [mu] m distance between the centers of the hole portion adjacent is not more 2μm or more An anisotropic conductive layer which is:
Wherein provided on at least one surface of the anisotropic conductive layer, the insulating Ri name of an insulating adhesive agent having a low melt viscosity than the melt viscosity of the resin, the thickness is an at 1μm or more 100μm or less adhesive have a and the adhesive layer,
The opening ratio which is the ratio of the opening area of the surface of the anisotropic conductive layer of the hole to the surface area of the anisotropic conductive layer is 10% or more and 80% or less,
The porous film is configured to include the insulating resin and an amphiphilic substance having an anionic group in a hydrophilic group having a molecular weight of less than 10,000, and the amphiphilic substance constitutes a peripheral portion of the hole. And each hole is partitioned by the partition wall containing the insulating resin, and does not communicate in a direction parallel to the surface of the porous membrane,
The ratio of the weight of the insulating resin to the total weight of the insulating resin and the amphiphilic substance in the porous membrane (insulating resin / {insulating resin + amphiphile}) is 0. An anisotropic conductive film that is 1 or more and 0.6 or less .

前記接着剤と前記絶縁性樹脂の溶融粘度の比が１．５以上であって１０以下である
請求項１に記載の異方性導電フィルム。 The anisotropic conductive film according to claim 1, wherein a ratio of melt viscosity of the adhesive and the insulating resin is 1.5 or more and 10 or less.

前記導電層が、ニッケル、銅、アルミニウム、銀、金、鉄、スズ、鉛、クロム、コバルトなど各種金属や金属合金、金属酸化物を含む
請求項１または２に記載の異方性導電フィルム。 Wherein the conductive layer, an anisotropic conductive film according to claim 1 or 2 comprising nickel, copper, aluminum, silver, gold, iron, tin, lead, chromium, various metals and metal alloys such as cobalt, a metal oxide.

前記絶縁性樹脂が、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−４−メチルペンテン−１、シクロポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアルキレンオキサイド、ポリビニルアルコール、エチレンビニルアルコール共重合樹脂、ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレン樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂、メタクリル酸エステル樹脂、アクリル酸エステル樹脂、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアセタール、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ酢酸ビニル、セルロース系プラスチック、熱可塑性エラストマー、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルフォン、非晶ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリエステル、ポリアミドイミド、ポリイミドから選ばれた一種以上を含む
請求項１〜３のいずれかに記載の異方性導電フィルム。 The insulating resin is polyethylene, polypropylene, poly-4-methylpentene-1, cyclopolyolefin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyalkylene oxide, polyvinyl alcohol, ethylene vinyl alcohol copolymer resin, polystyrene, acrylonitrile-styrene resin. , Acrylonitrile-butadiene-styrene resin, methacrylate resin, acrylate resin, polyamide, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyacetal, polycarbonate, modified polyphenylene ether, polyvinylidene fluoride, polytetrafluoroethylene, polyvinyl acetate, cellulose Plastic, thermoplastic elastomer, polyphenylene sulfide, polysulfone, amorphous polyarylate, poly Polyether imide, polyether sulfone, polyether ketone, polyether ether ketone, liquid crystal polyesters, anisotropic conductive film according to claim 1, polyamideimide, containing at least one selected from polyimide.

異方性導電層の少なくとも一方の面上に接着剤層が設けられた異方性導電フィルムの製造方法であって、
少なくとも、疎水性の絶縁性樹脂、両親媒性物質、水、疎水性有機溶媒、及び前記水中に分散された無電解メッキ触媒を含む溶液を混合攪拌して、逆ミセルが形成された疎水性有機溶媒溶液を得る工程と、
前記疎水性有機溶媒溶液を基板上に塗布及び乾燥させて、絶縁性樹脂を含んで構成され、膜厚方向に貫通した多数の孔部が設けられ、前記孔部の内壁面上に前記無電解メッキ触媒が存在する多孔質膜を形成する工程と、
前記多孔質膜を無電解メッキ液に浸漬して前記無電解メッキ触媒を触媒として前記孔部の少なくとも内壁面上に導電層を形成し、前記多孔質膜と前記導電層とを有する異方性導電層を形成する工程と
を有し、
請求項１〜４のいずれかに記載の異方性導電フィルムを製造する
異方性導電フィルムの製造方法。 A method for producing an anisotropic conductive film in which an adhesive layer is provided on at least one surface of an anisotropic conductive layer,
A hydrophobic organic resin in which reverse micelles are formed by mixing and stirring at least a solution containing a hydrophobic insulating resin, an amphiphilic substance, water, a hydrophobic organic solvent, and an electroless plating catalyst dispersed in the water. Obtaining a solvent solution;
The hydrophobic organic solvent solution is coated on a substrate and dried to include an insulating resin, provided with a large number of holes penetrating in the film thickness direction, and the electroless on the inner wall surface of the hole Forming a porous film in which a plating catalyst is present;
Anisotropy having the porous film and the conductive layer formed by immersing the porous film in an electroless plating solution to form a conductive layer on at least an inner wall surface of the hole using the electroless plating catalyst as a catalyst have a forming a conductive layer,
The manufacturing method of the anisotropic conductive film which manufactures the anisotropic conductive film in any one of Claims 1-4 .

前記異方性導電層を形成する工程の後、前記異方性導電層の少なくとも一方の面上に前記絶縁性樹脂の溶融粘度より低い溶融粘度を有する絶縁性の接着剤よりなる接着剤層を設ける工程をさらに有する
請求項５に記載の異方性導電フィルムの製造方法。 After the step of forming the anisotropic conductive layer, an adhesive layer made of an insulating adhesive having a melt viscosity lower than the melt viscosity of the insulating resin is formed on at least one surface of the anisotropic conductive layer. The method for producing an anisotropic conductive film according to claim 5 , further comprising a step of providing.

前記疎水性有機溶媒溶液を得る工程において、前記水と前記両親媒性物質の重量比（水の重量／両親媒性物質の重量）が０．５以上であって１５以下である
請求項５または６に記載の異方性導電フィルムの製造方法。 In the step of obtaining the hydrophobic organic solvent solution, the water and the weight ratio of amphiphile (weight / weight amphiphile of water) is 15 A from 0.5 to less claim 5 or 6. A method for producing an anisotropic conductive film according to 6 .