JP4797898B2 - 二次イオン質量分析装置の較正用標準試料及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(付記1)5nm以上かつ10nm以下の投影飛程を有する不純物原子のイオン注入により基板表面に形成された前記不純物原子のイオン注入層を再結晶化熱処理し、前記基板側から前記基板表面側へ再結晶化させて形成された再結晶化層を有することを特徴とする二次イオン質量分析装置の較正用標準試料。
(付記2)前記基板は、前記試料と同一母材からなることを特徴とする付記1記載の二次イオン質量分析装置の較正用標準試料。
(付記3)前記再結晶化層の上に、非晶質の前記イオン注入層を有することを特徴とする付記1又は2記載の二次イオン質量分析装置の較正用標準試料。
(付記4)基板表面に、投影飛程が5nm〜10nmとなる加速エネルギーで不純物原子をイオン注入してイオン注入層を形成する工程と、
再結晶化熱処理により、前記イオン注入層を前記基板側から前記基板表面側へ再結晶化させて再結晶化層を形成する工程とを有することを特徴とする二次イオン質量分析装置の較正用標準試料の製造方法。
(付記5)前記再結晶化熱処理は、400℃以上かつ900℃以下の温度で熱処理することを特徴とする付記4記載の二次イオン質量分析装置の較正用標準試料の製造方法。
(付記6)請求項3又は4記載の二次イオン質量分析装置の較正用標準試料の製造方法により複数の前記較正用標準試料を製造する工程と、
前記複数の較正用標準試料から選択された少なくとも1つの前記較正用標準試料の前記不純物原子の濃度分布を、ラザフォード後方散乱分光を用いて測定する工程とを有し、
残りの前記複数の較正用標準試料を、前記ラザフォード後方散乱分光を用いて測定された濃度分布を有する標準試料とすることを特徴とする付記4又は5記載の二次イオン質量分析装置の較正用標準試料の製造方法。
2 イオン注入層
3 不純物原子イオン
4 再結晶化層
Claims (5)
- 5nm以上かつ10nm以下の投影飛程を有する不純物原子のイオン注入により基板表面に形成された前記不純物原子のイオン注入層を再結晶化熱処理し、前記基板側から前記基板表面側へ再結晶化させて形成された再結晶化層を有することを特徴とする二次イオン質量分析装置の較正用標準試料。
- 前記再結晶化層の前記基板表面側に、再結晶化されていない前記イオン注入層からなる非晶質層を有することを特徴とする請求項1記載の二次イオン質量分析装置の較正用標準試料。
- 基板表面に、投影飛程が5nm〜10nmとなる加速エネルギーで不純物原子をイオン注入してイオン注入層を形成する工程と、
再結晶化熱処理により、前記イオン注入層を前記基板側から前記基板表面側へ再結晶化させて再結晶化層を形成する工程とを有することを特徴とする二次イオン質量分析装置の較正用標準試料の製造方法。 - 前記再結晶化熱処理は、400℃以上かつ900℃以下の温度で熱処理することを特徴とする請求項3記載の二次イオン質量分析装置の較正用標準試料の製造方法。
- 請求項3又は4記載の二次イオン質量分析装置の較正用標準試料の製造方法により複数の前記較正用標準試料を製造する工程と、
前記複数の較正用標準試料から選択された少なくとも1つの前記較正用標準試料の前記不純物原子の濃度分布を、ラザフォード後方散乱分光を用いて測定する工程とを有し、
残りの前記複数の較正用標準試料を、前記ラザフォード後方散乱分光を用いて測定された濃度分布を有する標準試料とすることを特徴とする請求項3又は4記載の二次イオン質量分析装置の較正用標準試料の製造方法。
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