JP4797725B2 - Resist developer composition - Google Patents

Description

本発明は、高い解像性で良好なパターンを形成し、かつ露光部と未露光部の溶解速度差が大きく、溶解残渣が発生しにくいレジスト用現像液組成物に関する。   The present invention relates to a resist developer composition which forms a good pattern with high resolution, has a large dissolution rate difference between an exposed area and an unexposed area, and hardly generates a dissolved residue.

近年、マイクロエレクトロニクスの分野において、集積回路の集積度の向上が急速に進められている。そのため、パターン形成に使用するレジストは、高い解像力を有するものを使用することが要求され、一般にはアルカリ性水溶液可溶性樹脂に酸発生剤を配合した化学増幅型レジストが用いられている。   In recent years, in the field of microelectronics, the integration degree of integrated circuits has been rapidly improved. Therefore, it is required to use a resist having a high resolving power as a resist used for pattern formation. Generally, a chemically amplified resist in which an acid generator is mixed with an alkaline aqueous solution-soluble resin is used.

この化学増幅型レジストは、酸を触媒とした増幅反応を利用することによって、露光部と未露光部の溶解速度の差を数十倍から数千倍にすることによって、高解像度を達成している。しかしながら、この化学増幅型レジストは、環境の変化やプロセスの変化によって、この増幅反応をコントロールすることができないという欠点があり、このレジストの開発当初から様々な材料設計が試みられ、現在では、ある程度、生産的に裕度のあるレジストが開発されるに到っている。   This chemically amplified resist achieves high resolution by using an acid-catalyzed amplification reaction to increase the difference in dissolution rate between exposed and unexposed areas by several tens to several thousand times. Yes. However, this chemically amplified resist has the disadvantage that the amplification reaction cannot be controlled due to environmental changes and process changes, and various material designs have been attempted from the beginning of the development of this resist. Resistant products that are productive have been developed.

一方、フォトマスクの生産においても、この化学増幅型レジストの高解像度、高感度の利点を利用して、より一層の集積化が達成されているが、半導体製造プロセスと比べ、環境安定性、プロセス安定性が求められる。例えば、レジスト膜を形成してからパターン描画に移るまでの引き置き時間は、描画時間が前もって試算できないことから、一定にはならない。   On the other hand, in the production of photomasks, further integration has been achieved by taking advantage of the high resolution and high sensitivity of this chemically amplified resist, but environmental stability and process compared to semiconductor manufacturing processes. Stability is required. For example, the drawing time from the formation of the resist film to the pattern drawing is not constant because the drawing time cannot be calculated in advance.

また、描画時間も描画領域の量によって左右されるため、レジスト膜は描画装置内の真空雰囲気中に不定時間さらされることになる。このときのレジスト膜中の残存溶媒、添加物等が揮発することによって、パターン寸法のばらつきや解像不良が引き起こされる。   Also, since the drawing time depends on the amount of the drawing area, the resist film is exposed to the vacuum atmosphere in the drawing apparatus for an indefinite time. At this time, residual solvent, additives, and the like in the resist film volatilize, thereby causing variations in pattern dimensions and poor resolution.

以上のような不安定要因を克服した化学増幅型レジストを達成するため、様々な改良が行われている。例えば、揮発性を抑えるために嵩高い置換基を有する酸発生剤を用いたり、アルカリ性水溶液可溶性の樹脂を疎水性にしたりしている。しかし、このようにしてプロセス安定性を改善しようとすると、アルカリ性現像液に対する溶解速度が低くなり、コントラストを十分にとれなかったり、現像残渣が生ずる等の不具合が発生するという問題がある。   Various improvements have been made to achieve a chemically amplified resist that overcomes the instability factors as described above. For example, in order to suppress volatility, an acid generator having a bulky substituent is used, or an alkaline aqueous solution-soluble resin is made hydrophobic. However, when trying to improve the process stability in this way, there is a problem that the dissolution rate in an alkaline developer is lowered, and there is a problem that a sufficient contrast cannot be obtained or a development residue is generated.

そこで、プロセス安定性を維持しつつ、アルカリ性現像液に対する溶解速度の高いレジスト材料が求められているが、いまだそのようなレジスト材料は開発されていない。
特開２００５−１５７４００号公報 Therefore, a resist material having a high dissolution rate in an alkaline developer while maintaining process stability is required, but such a resist material has not been developed yet.
JP-A-2005-157400

本発明は、以上のような事情の下になされ、プロセス安定性を維持しつつ、アルカリ性現像液に対する溶解速度を向上させ、溶解選択比を低下させることのないネガ型化学増幅型レジスト用現像液組成物を提供することを目的とする。 The present invention is made under the above circumstances, the process while maintaining the stability, increase the dissolution rate in alkaline developer, without lowering the solubility selectivity of chemical amplification type negative resist developer An object is to provide a composition.

本発明者らは、プロセス安定性を維持しつつ、アルカリ性現像液に対する溶解速度の高い新規なレジスト材料の開発には、相当数の試行錯誤を繰り返さなければならないことを考慮し、むしろアルカリ現像液の改良に向かうことが有利であることに着目し、鋭意研究を重ねた結果、レジスト現像液に有機アンモニウム塩を配合することにより、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。   In view of the fact that the development of a new resist material having a high dissolution rate in an alkaline developer while maintaining process stability, a considerable number of trials and errors must be repeated. As a result of intensive research, we have found that the above problems can be solved by adding an organic ammonium salt to the resist developer, and the present invention is completed. It came.

即ち、本発明は、金属イオンを含まない有機塩基としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含有する水溶液に、５．０重量％〜２０．０重量％のテトラメチルアンモニウムクロライド及びイオン性又は非イオン性界面活性剤を配合したことを特徴とするネガ型化学増幅型レジスト用現像液組成物を提供する。 That is, the present invention provides an aqueous solution containing tetramethylammonium hydroxide as an organic base not containing metal ions, 5.0 wt% to 20.0 wt% tetramethylammonium chloride and an ionic or nonionic surfactant. Provided is a developer composition for a negative chemically amplified resist, characterized by containing an agent.

本発明のレジスト用現像液組成物は、更に、有機アルコール化合物を含有していてもよい。 The resist developer composition of the present invention may further contain an organic alcohol compound.

本発明によると、有機アンモニウム塩を配合することにより、現像速度が大幅に向上し、露光部と未露光部とで溶解速度差が大きくなり、溶解残渣の発生が少ないレジスト用現像液組成物を得ることができる。このレジスト用現像液組成物を用いて、露光されたレジストの現像を行うことにより、レジストパターンを高解像度で形成することができる。   According to the present invention, by adding an organic ammonium salt, the development speed is greatly improved, the difference in dissolution speed between the exposed and unexposed areas is increased, and a resist developer composition with less generation of dissolved residues is obtained. Obtainable. A resist pattern can be formed with high resolution by developing the exposed resist using this resist developer composition.

以下、発明を実施するための最良の形態について説明する。   The best mode for carrying out the invention will be described below.

本発明の一実施形態に係るレジスト用現像液組成物は、金属イオンを含まない有機塩基を含有する水溶液に、有機アンモニウム塩を配合したことを特徴とする。   The resist developer composition according to an embodiment of the present invention is characterized in that an organic ammonium salt is blended in an aqueous solution containing an organic base that does not contain metal ions.

配合される有機アンモニウム塩の具体例としては、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホネート、テトラメチルアンモニウムテトラフエニルボレート、テトラエチルアンモニウムブロマイド、テトラエチルアンモニウムサリチレート、テトラｎ-プロピルアンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモニウムクロライド、テトラブチルアンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモニウムフェニルスルホナート、テトラオクチルアンモニウムアイオダイド、セチルトリメチルアンモニウムクロライド、セチルジメチルエチルアンモニウムブロマイド、ベンジルトリメチルアンモニウムクロライド、ブチルピリジニウムブロマイド、ラウリルピリジニウムブロマイド、セチルピリジニウムクロライド、１−ヘキサデシルピリジニウムクロライド、２−ドデシルイソキノリウムブロマイドなどの第４級アンモニウム塩が挙げられる。   Specific examples of the organic ammonium salt to be blended include tetramethylammonium chloride, tetramethylammonium-p-toluenesulfonate, tetramethylammonium tetraphenylborate, tetraethylammonium bromide, tetraethylammonium salicylate, tetra-n-propylammonium bromide. , Tetrabutylammonium chloride, tetrabutylammonium bromide, tetrabutylammonium phenylsulfonate, tetraoctylammonium iodide, cetyltrimethylammonium chloride, cetyldimethylethylammonium bromide, benzyltrimethylammonium chloride, butylpyridinium bromide, laurylpyridinium bromide, cetylpyridinium Chlora And quaternary ammonium salts such as 1-hexadecylpyridinium chloride and 2-dodecylisoquinolium bromide.

これらの中で、金属イオンを含まない有機塩基を含有している水溶液との組み合わせで好ましいアンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムクロライド、及びテトラブチルアンモニウムクロライドを挙げることができる。   Among these, preferable ammonium salts in combination with an aqueous solution containing an organic base not containing metal ions include tetramethylammonium chloride, tetraethylammonium chloride, and tetrabutylammonium chloride.

有機アンモニウム塩は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。   An organic ammonium salt may be used independently and may be used in combination of 2 or more type.

以上説明した有機アンモニウム塩の配合量は、現像液組成物全体に対し、０．１〜１０重量％であることが好ましい。有機アンモニウム塩の配合量が０．１重量％未満では、現像液の塩基性が上がらず、溶解速度の向上が達成されない。一方、有機アンモニウム塩の配合量が１０重量％を超えると、レジストへの溶解抑止効果が働き、コントラストが低下する。   The amount of the organic ammonium salt described above is preferably 0.1 to 10% by weight with respect to the entire developer composition. When the blending amount of the organic ammonium salt is less than 0.1% by weight, the basicity of the developer does not increase, and the dissolution rate cannot be improved. On the other hand, when the compounding amount of the organic ammonium salt exceeds 10% by weight, the effect of inhibiting dissolution in the resist works and the contrast is lowered.

有機塩基を含有する水溶液は、通常、レジスト用現像液として知られているものである。金属イオンは、レジストパターンが形成される基体を汚染してしまうため、有機塩基は、金属イオンを含まないものでなければならない。そのような有機塩基の具体例として、プロピルアミン、ブチルアミン、ジブチルアミン、トリエチルアミン等のアミン類、またはトリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム水酸化物等がある。   The aqueous solution containing an organic base is generally known as a resist developer. Since metal ions contaminate the substrate on which the resist pattern is formed, the organic base must be free of metal ions. Specific examples of such organic bases include amines such as propylamine, butylamine, dibutylamine, and triethylamine, or fourth compounds such as trimethyl (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, and tetraethylammonium hydroxide. Grade ammonium hydroxide.

これらのうち、特にトリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキンド、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム水酸化物を用いるのが好ましい、
また、上記の各種の有機塩基の２種以上を組合せて溶解した水溶液を用いてもよい。
水溶液中の有機塩基の濃度は、０．１〜１０重量％、好ましくは１〜５重量％の範囲であることが好ましい。有機塩基の濃度が０．１重量％未満では、溶解速度が低くなり、１０重量％を超えると、溶解選択比が低下してしまう。 Of these, it is particularly preferable to use a quaternary ammonium hydroxide such as trimethyl (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide,
Moreover, you may use the aqueous solution which melt | dissolved combining 2 or more types of said various organic bases.
The concentration of the organic base in the aqueous solution is preferably 0.1 to 10% by weight, preferably 1 to 5% by weight. When the concentration of the organic base is less than 0.1% by weight, the dissolution rate is low, and when it exceeds 10% by weight, the dissolution selectivity is lowered.

本発明において、有機アンモニウム塩を配合することによる効果は、有機塩基水溶液に有機アンモニウム塩を添加することによって、水溶液中においてアンモニウムカチオンの活性化が促され、塩基性が増すからである。このことは、一般的に塩効果と呼ばれる。このように現像液の塩基性が増加することにより、レジスト溶解部の溶解速度が増す結果となる。また、未溶解部（ポジ型レジストなら末露光部・ネガ型なら露光部）に対しては、アンモニウム塩がレジスト表面やレジスト中に浸透して溶解抑止効果が発生し、露光部、未露光部の溶解速度差が大きくなる。更に、このアンモニウム塩の濃度と溶解速度は比例関係にあり、レジストあるいはプロセスに適合したレジスト用現像液組成物を容易に得ることができる。   In this invention, the effect by mix | blending organic ammonium salt is because activation of an ammonium cation is promoted in aqueous solution and basicity increases by adding organic ammonium salt to organic base aqueous solution. This is generally called the salt effect. As the basicity of the developer increases in this manner, the dissolution rate of the resist dissolving portion is increased. In addition, for undissolved parts (end exposed part for positive type resist and exposed part for negative type), ammonium salt penetrates into the resist surface and resist, resulting in a dissolution inhibiting effect. The difference in dissolution rate increases. Further, the concentration of the ammonium salt and the dissolution rate are in a proportional relationship, and a resist developer composition suitable for the resist or process can be easily obtained.

一方、単に塩基性を増すためには、有機塩基水溶液の濃度を高めることが簡便な方法であるが、この方法では、溶解部の溶解速度は増すが、未溶解部の溶解速度も増すため、溶解速度差が大きくならず、パターンのコントラストが低くなる。またレジストあるいはプロセスの大きな変更が必要となる。   On the other hand, to simply increase the basicity, it is a simple method to increase the concentration of the organic base aqueous solution, but in this method, the dissolution rate of the dissolved portion increases, but the dissolution rate of the undissolved portion also increases, The difference in dissolution rate does not increase and the pattern contrast decreases. Also, major changes in resist or process are required.

本発明のレジスト用現像液組成物には、有機アンモニウム塩以外に、界面活性剤や有機アルコール化合物を配合することができる。これら界面活性剤や有機アルコール化合物は、特に限定されず、公知のレジスト用現像液組成物で用いられているものの中から任意に選択して用いることができる。   In addition to the organic ammonium salt, a surfactant or an organic alcohol compound can be added to the resist developer composition of the present invention. These surfactants and organic alcohol compounds are not particularly limited, and can be arbitrarily selected from those used in known resist developer compositions.

また、本発明のレジスト用現像液組成物には、必要に応じて、従来の現像液に使用されている添加剤を含有させることができる。添加剤としては、例えば、安定剤、除湿剤等が挙げられ、これらを単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる、
本発明のレジスト用現像液組成物は、アルカリ性水溶液可溶型レジストであれば、ポジ型及びネガ型のいずれにも何ら制限されることなく適用することができる。アルカリ性水溶液可溶性樹脂としては、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン若しくはその誘導体等が挙げられる。 Further, the resist developer composition of the present invention may contain additives used in conventional developers as required. Examples of the additive include a stabilizer, a dehumidifying agent and the like, and these can be used alone or in combination of two or more.
The resist developer composition of the present invention can be applied to both a positive type and a negative type as long as it is an alkaline aqueous solution-soluble resist. Examples of the alkaline aqueous solution-soluble resin include novolak resin, polyhydroxystyrene, and derivatives thereof.

本発明のレジスト用現像液組成物を用いた現像方法は、特に制限なく、浸漕法やパドル法およびスプレー法等の公知の方法を適用できる。   The development method using the resist developer composition of the present invention is not particularly limited, and known methods such as an immersion method, a paddle method, and a spray method can be applied.

以下、本発明の実施例について説明する、なお、下記のレジスト用現像液組成物は、一例を示したものであって、本発明は何らこれに限定されるものではなく、プロセス条件等も適宜変更することができる。   Hereinafter, examples of the present invention will be described. The following resist developer composition is merely an example, and the present invention is not limited thereto, and process conditions and the like are appropriately determined. Can be changed.

試料であるレジスト用現像液組成物の諸特性は、以下のようにして求めた。   Various characteristics of the resist developer composition as a sample were determined as follows.

（１）レジスト溶解部および非溶解部の溶解速度測定
レジスト溶解部および非溶解部の溶解速度測定は、現像速度測定装置ＱＺ−Ｒ３Ａ（リゾテックジャパン株式会社製）により行った。 (1) Measurement of dissolution rate of resist dissolution part and non-dissolution part The dissolution rate measurement of the resist dissolution part and the non-dissolution part was performed by a development rate measuring device QZ-R3A (manufactured by Rhizotech Japan Co., Ltd.).

（２）現像残渣の有無
電子顕微鏡によるレジストパターンの観察により、基板に現像残渣が確認されたものを有、確認されなかったものを無とした。 (2) Presence / absence of development residue By observing the resist pattern with an electron microscope, the substrate had a development residue confirmed, and the substrate was not confirmed.

（３）断面形状
電子顕微鏡によるレジストパターンの断面形状の観察により、矩形性が良好でエッジラフネスが少ないものを良好、パターンの丸まりやエッジラフネスが大きいものを不良とした。 (3) Cross-sectional shape By observing the cross-sectional shape of the resist pattern with an electron microscope, a rectangular shape having good rectangularity and low edge roughness was determined to be good, and a pattern having large roundness and edge roughness was determined to be defective.

（実施例１）
市販されている汎用アルカリ性現像液である２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（商品名：ＮＭＤ−３（東京応化工業社製）に、有機アンモニウム塩としてテトラメチルアンモニウムクロライドを１重量％添加したものを現像液として調製した。 (Example 1)
1% by weight of tetramethylammonium chloride as an organic ammonium salt is added to a 2.38% by weight tetramethylammonium hydroxide aqueous solution (trade name: NMD-3 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)) which is a commercially available general-purpose alkaline developer. This was prepared as a developer.

次いで、市販のネガ型化学増幅型レジストＦＥＮ−２７１（富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）を基板上にスピンコートし、ホットプレート上で１２０℃で６００秒間乾燥することで、膜厚２０００Åのレジスト膜を形成した。   Next, a commercially available negative-type chemically amplified resist FEN-271 (manufactured by Fuji Film Electronics Materials Co., Ltd.) is spin-coated on the substrate and dried on a hot plate at 120 ° C. for 600 seconds, so that a resist film having a thickness of 2000 mm is obtained. Formed.

次に、５０Ｋｅｖ可変成形描画機によって、１５μＣ/ｃｍ^２のエネルギーで描画を行い、１１０℃で６００秒露光した後、ベークを行った、そして、上記で作成した現像液を用いて、露光部及び未露光部の溶解速度を測定した。 Next, drawing was performed with an energy of 15 μC / cm ² by a 50 Kev variable shaping drawing machine, exposure was performed at 110 ° C. for 600 seconds, baking was performed, and the exposure unit and the developer prepared above were used. The dissolution rate of the unexposed area was measured.

（実施例２）
テトラメチルアンモニウムクロライドを５重量％添加したことを除いて、実施例１と同様に現像液を調製し、現像速度を測定した。 (Example 2)
A developer was prepared in the same manner as in Example 1 except that 5% by weight of tetramethylammonium chloride was added, and the developing speed was measured.

（実施例３）
テトラメチルアンモニウムクロライドを１０重量％添加したことを除いて、実施例１と同様に現像液を調製し、現像速度を測定した。 (Example 3)
A developer was prepared in the same manner as in Example 1 except that 10% by weight of tetramethylammonium chloride was added, and the developing speed was measured.

（実施例４）
テトラメチルアンモニウムクロライドを２０重量％添加したことを除いて、実施例１と同様に現像液を調製し、現像速度を測定した。 Example 4
A developing solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that 20% by weight of tetramethylammonium chloride was added, and the developing speed was measured.

（比較例１）
テトラメチルアンモニウムクロライドを添加しないことを除いて、実施例１と同様に現像液を調製し、現像速度を測定した。 (Comparative Example 1)
A developing solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that tetramethylammonium chloride was not added, and the developing speed was measured.

各試料による現像速度の測定結果を下記表１に示す。

Table 1 below shows the results of measurement of the development speed for each sample.

上記表１から、テトラメチルアンモニウムクロライドを配合した実施例１〜４の現像液によると、露光部の溶解速度を低く維持しつつ、非露光部の溶解速度（現像速度）を大幅に増加できることがわかる。これに対し、テトラメチルアンモニウムクロライドを添加しない比較例１の現像液では、非露光部の溶解速度（現像速度）は非常に低いことがわかる。   From Table 1 above, according to the developers of Examples 1 to 4 containing tetramethylammonium chloride, the dissolution rate (development rate) of the non-exposed area can be greatly increased while maintaining the dissolution rate of the exposed area low. Recognize. In contrast, it can be seen that the dissolution rate (development rate) of the non-exposed area is very low in the developer of Comparative Example 1 in which tetramethylammonium chloride is not added.

また、実施例１〜４の結果から明らかなように、テトラメチルアンモニウムクロライドの配合量に比例して非露光部の溶解速度（現像速度）が上昇しており、露光部の溶解速度がそれほど変化していないことから、高コントラスト化が達成されたことがわかる。   In addition, as is clear from the results of Examples 1 to 4, the dissolution rate (development rate) of the non-exposed part is increased in proportion to the amount of tetramethylammonium chloride, and the dissolution rate of the exposed part changes so much. This indicates that high contrast has been achieved.

なお、コントラスト表す非露光部の溶解速度と露光部の溶解速度の差は、実施例４の現像液では、比較例１の現像液の約６倍にも達していることがわかる。   In addition, it can be seen that the difference between the dissolution rate of the non-exposed portion and the dissolution rate of the exposed portion, which represents contrast, reaches about 6 times that of the developer of Comparative Example 1 in the developer of Example 4.

（実施例５）
市販のネガ型化学増幅型レジストＦＥＮ−２７１を基板上にスピンコートし、ホットブレート上で１２０℃で６００秒間乾燥することで、膜厚２０００Åのレジスト膜を形成した。次いで、５０Ｋｅｖ可変成形描画機によって描画を行い、１１０℃で６００秒露光した後、ベークを行った。 (Example 5)
A commercially available negative-type chemically amplified resist FEN-271 was spin-coated on the substrate and dried on a hot plate at 120 ° C. for 600 seconds to form a resist film having a thickness of 2000 mm. Next, drawing was performed with a 50 Kev variable shaping drawing machine, and after exposure at 110 ° C. for 600 seconds, baking was performed.

次に、実施例１で作成した現像液を用いてスプレー方式で現像処理を行い、その後純水でリンスを行ってレジストパターンを形成した。そして、電子顕微鏡で現像残渣および断面形状を観察した。   Next, development processing was performed by a spray method using the developer prepared in Example 1, and then rinsed with pure water to form a resist pattern. And the development residue and cross-sectional shape were observed with the electron microscope.

（実施例６）
実施例２で作成した現像液を用い、実施例５と同様な方法で処理を行い、電子顕微鏡で現像残渣および断面形状を観察した。 (Example 6)
Using the developer prepared in Example 2, the treatment was performed in the same manner as in Example 5, and the development residue and the cross-sectional shape were observed with an electron microscope.

（実施例７）
実施例３で作成した現像液を用い、実施例５と同様な方法で処理を行い、電子顕微鏡で現像残渣および断面形状を観察した。 (Example 7)
Using the developer prepared in Example 3, processing was performed in the same manner as in Example 5, and the development residue and cross-sectional shape were observed with an electron microscope.

（実施例８）
実施例４で作成した現像液を用い、実施例５と同様な方法で処理を行い、電子顕微鏡で現像残渣および断面形状を観察した。 (Example 8)
Using the developer prepared in Example 4, processing was performed in the same manner as in Example 5, and the development residue and cross-sectional shape were observed with an electron microscope.

（比較例２）
テトラメチルアンモニウムクロライドを添加しない現像液を用い、実施例５と同様な方法で処理を行い、電子顕微鏡で現像残渣および断面形状を観察した。 (Comparative Example 2)
Using a developing solution to which no tetramethylammonium chloride was added, processing was performed in the same manner as in Example 5, and the development residue and cross-sectional shape were observed with an electron microscope.

これらの結果を下記表２に示す。

These results are shown in Table 2 below.

上記表２から、テトラメチルアンモニウムクロライドを配合した実施例１〜４の現像液によると、現像残渣は見られず、断面形状も良好なことが判明した。   From the said Table 2, according to the developing solution of Examples 1-4 which mix | blended tetramethylammonium chloride, it became clear that a development residue was not seen and a cross-sectional shape was also favorable.

本発明のレジスド用現像液組成物は、超高集積度半導体素子の製造や、その製造に用いられるフォトマスクの製造用の現像液として、好適に用いることができる。   The resist developer composition of the present invention can be suitably used as a developer for producing an ultra-highly integrated semiconductor element or a photomask used for the production.

Claims (2)

金属イオンを含まない有機塩基としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含有する水溶液に、５．０重量％〜２０．０重量％のテトラメチルアンモニウムクロライド及びイオン性又は非イオン性界面活性剤を配合したことを特徴とするネガ型化学増幅型レジスト用現像液組成物。 The fact that 5.0 % to 20.0% by weight of tetramethylammonium chloride and an ionic or nonionic surfactant were blended in an aqueous solution containing tetramethylammonium hydroxide as an organic base not containing metal ions. A developer composition for negative-type chemically amplified resists. 有機アルコール化合物を更に含有することを特徴とする請求項１に記載のレジスト用現像液組成物。 The resist developer composition according to claim 1 , further comprising an organic alcohol compound.