JP4793696B2 - イオン注入システムにおいて引き出されたイオンビームの選択的プレディスパージョンのための方法及び装置 - Google Patents
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Description
ビームの発散は、特に高電流で低エネルギーの場合においては厄介な問題であり、ビーム(高電流)内でのイオンの高い集中は、イオンの相互反発を増大させる一方、イオンが低い伝搬速度(低エネルギー)を有する場合、イオンに相互反発力を高エネルギー利用の場合よりも長い時間相互反発力を受けることになる。
このディスパージョン装置及び本発明の方法は、イオン注入システムのいずれの形式でも使用することができる。このイオン注入システムは、質量分析後の加速構成要素を有する高エネルギーイオン注入機及び、低エネルギー注入機を含む。本発明の種々の構成は、引き出されたイオンビームから不要な質量のイオンを選択的に取り除くように、イオン源から、広い範囲のイオンビームエネルギー用に設計された一般目的の質量分析器に低エネルギーのイオンビームを輸送に際して、イオン源から低エネルギーのイオンビームを輸送する等に空間電荷作用を緩和するのに用いることができる。これにより、主質量分析器の前のビーム電流を低減し、一方、プレ分配内で主たる質量分析器に直接高エネルギービームを供給できる。
前記ディスパージョンシステムは、前記イオン源から前記質量分析器に引き出されたイオンビームを選択的に通過させ、または分散されたイオンビームを前記質量分析器に向けて指向させるように作動可能であり、前記分散されたイオンビームは、前記引き出されたイオンビームよりも不要な質量範囲のイオンが少ないイオンを有しており、
さらに、前記ディスパージョンシステムは、第2モードにおいて、前記引き出されたイオンビームからのイオンを第1径路から離れた方向に向かうように前記第1径路に沿って第1磁界を形成する第1磁界発生装置と、前記第2モードにおいて、前記引き出されたイオンビームを前記第1径路に戻すように指向させる第2磁界を形成する第2磁界発生装置と、不要な質量範囲の少なくとも幾つかのイオンをインターセプトしかつ所望の質量範囲の少なくともいくつかのイオンが前記第2モードにおいて前記質量分析器を通過するようにする分析構造体とを含み、
前記分析構造体は、前記第1径路に沿って引き出されたイオンビームの通過を妨害しない第1モードの第1位置と、前記第1径路に沿って引き出されたイオンビームの通過を部分的に妨害する前記第2モードの第2位置との間を移動可能であり、不要な質量範囲の少なくともいくつかのイオンをインターセプトし、そして、所望の質量範囲の少なくともいくつかのイオンを前記第2モードにおいて通過させることを特徴とする。
ディスパージョンシステム140aの質量分析性能は、全体システムの質量分析性能にとって重要ではなく、初期の質量分析のいくつかの測定のためにのみ必要であることに注目してほしい。たとえば、ボロンビーム124に対して、ディスパージョンシステム140aは、原子量が約19であるフッ素の最も近い主構成要素(図3DにおけるF+)の全部または大部分から、原子量が約11のB11イオンの全部または大部分を効果的に分離するために、比較的低い質量分析または約2/1の分解能力を有するのに必要である。
Claims (23)
- 引き出されたイオンビームを生じさせるためのイオン源と、
前記イオンビームを受け入れるために前記イオン源の近くに配置されるディスパージョンシステムと、
入口及び出口を有し、引き出されたイオンビームまたは前記ディスパージョンシステムから分散されたイオンビームのいずれかを前記入口で受け入れて、所望の質量範囲のイオンを前記出口に向かわせる質量分析器とを含み、
前記ディスパージョンシステムは、前記イオン源から前記質量分析器に引き出されたイオンビームを選択的に通過させ、または分散されたイオンビームを前記質量分析器に向けて指向させるように作動可能であり、前記分散されたイオンビームは、前記引き出されたイオンビームよりも不要な質量範囲のイオンが少ないイオンを有しており、
さらに、前記ディスパージョンシステムは、第2モードにおいて、前記引き出されたイオンビームからのイオンを第1径路から離れた方向に向かうように前記第1径路に沿って第1磁界を形成する第1磁界発生装置と、
前記第2モードにおいて、前記引き出されたイオンビームを前記第1径路に戻すように指向させる第2磁界を形成する第2磁界発生装置と、
不要な質量範囲の少なくとも幾つかのイオンをインターセプトしかつ所望の質量範囲の少なくともいくつかのイオンが前記第2モードにおいて前記質量分析器を通過するようにする分析構造体とを含み、
前記分析構造体は、前記第1径路に沿って引き出されたイオンビームの通過を妨害しない第1モードの第1位置と、前記第1径路に沿って引き出されたイオンビームの通過を部分的に妨害する前記第2モードの第2位置との間を移動可能であり、不要な質量範囲の少なくともいくつかのイオンをインターセプトし、そして、所望の質量範囲の少なくともいくつかのイオンを前記第2モードにおいて通過させることを特徴とするイオン注入システム。 - 前記ディスパージョンシステムは、前記第1モードにおいて前記第1径路に沿って、前記イオン源から前記質量分析器に向けて前記引き出されたイオンビームを選択的に通過させ、或いは、前記第2モードにおいて前記第1径路に沿って、前記分散されたイオンビームを前記質量分析器に向かうように作動可能であることを特徴とする請求項1記載のイオン注入システム。
- 前記ディスパージョンシステムは、前記引き出されたイオンビームを前記第1径路から離れた方向に指向させ、さらに、前記第1径路上に所望の質量範囲のイオンを戻して、前記第2モードにおいて、前記分散されたイオンビームを作り出すように作動可能であることを特徴とする請求項2記載のイオン注入システム。
- 前記ディスパージョンシステムは、所望の質量範囲のイオンが、前記第2モードにおいて前記第1径路に沿って前記質量分析器に向けて指向させる第3磁界を形成する第3磁界発生装置を含んでいることを特徴とする請求項1記載のイオン注入システム。
- 前記ディスパージョンシステムは、
少なくとも1つのブロック表面と1つの開口を含む前記分析構造体と、
前記第2モードにおいて前記ディスパージョンシステム内に複数の磁界を形成するように作動可能で、前記複数の磁界は、不要な質量範囲の少なくともいくつかのイオンが、前記引き出されたイオンビームから前記分析構造体の少なくとも1つのブロック表面に向かい、かつ前記分散されたイオンビームを形成するために、前記所望の質量範囲の少なくともいくつかのイオンが、前記分析構造体の開口を通過するように指向させる複数の双極子磁石と、を含むことを特徴とする請求項3記載のイオン注入システム。 - 前記ディスパージョンシステムは、
少なくとも1つのブロック表面と1つの開口を含む前記分析構造体と、
イオン源近くの第1の定位に、前記引き出されたイオンビームのイオンを、前記第2モードにおいて第1方向へ前記第1径路から離れるように指向させる第1双極子磁界を形成する前記第1磁界発生装置と、
前記第1の定位と異なる第2の定位に、前記分析構造体に向けて前記第1方向から離れる第2の方向にイオンを指向させる第2双極子磁界を形成し、前記第2双極子磁界が、不要な質量範囲の少なくともいくつかのイオンを前記分析構造体の少なくとも1つのブロック表面に向かい、さらに前記第2双極子磁界が前記所望の質量範囲の少なくともいくつかのイオンを前記分散されたイオンビームを形成するために前記分析構造体の開口を通過するように指向するための前記第2磁界発生装置と、
前記第2の定位と異なる第3の定位に、前記第1径路に沿って前記質量分析器に向けて分散したイオンビームのイオンを指向させる第3双極子磁界を形成する第3磁界発生装置とを含むことを特徴とする請求項3記載のイオン注入システム。 - 前記第1、第2、第3磁界発生装置は、双極子電磁石であることを特徴とする請求項6記載のイオン注入システム。
- 前記ディスパージョンシステムは、前記第1モードにおいて前記第1径路に沿って、前記イオン源から引き出されたイオンビームを選択的に通過させ、または、前記第2モードにおいて前記第2径路に沿って、前記分散されたイオンビームを前記質量分析器に向けて指向するように作動可能であることを特徴とする請求項1記載のイオン注入システム。
- 前記ディスパージョンシステムは、前記引き出されたイオンビームを前記第1径路から離れるように指向させ、かつ前記第2モードにおいて前記第2径路に沿って、所望の質量範囲のイオンを前記質量分析器に向けて再び指向させるように作動可能であることを特徴とする請求項8記載のイオン注入システム。
- 前記ディスパージョンシステムは、
前記引き出されたイオンビームからのイオンを前記第2モードにおいて前記第1径路から離れるように指向させる、前記第1径路に沿う第1磁界を形成する前記第1磁界発生装置と、
前記引き出されたイオンビームからのイオンを前記第2モードにおいて前記第2径路に沿って指向させる第2磁界を形成する前記第2磁界発生装置と、
前記不要な質量範囲の少なくともいくつかのイオンをインターセプトし、さらに、前記所望の質量範囲のイオンの少なくともいくつかが、前記第2モードにおいて前記第2径路に沿って前記質量分析磁石内を通過するための前記分析構造体と、含むことを特徴とする請求項9記載のイオン注入システム。 - 前記ディスパージョンシステムは、
少なくとも1つのブロック表面と1つの開口を含む前記分析構造体と、
前記第2モードにおいて前記ディスパージョンシステム内に複数の磁界を形成するように作動可能で、前記複数の磁界は、不要な質量範囲の少なくともいくつかのイオンが、前記引き出されたイオンビームから前記分析構造体の少なくとも1つのブロック表面に向かい、かつ前記分散されたイオンビームを第2径路に沿って形成するために、前記所望の質量範囲の少なくともいくつかのイオンが、前記分析構造体の開口を通過して、前記質量分析器に向かうように指向させる複数の双極子磁石と、を含むことを特徴とする請求項9記載のイオン注入システム。 - 前記ディスパージョンシステムは、
少なくとも1つのブロック表面と1つの開口を含む前記分析構造体と、
イオン源近くの第1の定位に、前記引き出されたイオンビームのイオンを前記第2モードにおいて第1方向へ前記第1径路から離れるように指向させる第1双極子磁界を形成する前記第1磁界発生装置と、
前記第1の定位と異なる第2の定位に、前記分析構造体に向けて前記第1方向から離れる第2の方向にイオンを指向させる第2双極子磁界を形成し、前記第2双極子磁界が、イオンを前記分析構造体に向かって第2方向に指向させ、かつ不要な質量範囲の少なくともいくつかのイオンを、前記分析構造体の少なくとも1つのブロック表面に指向させ、さらに前記第2双極子磁界は、前記所望の質量範囲の少なくともいくつかのイオンを前記分散されたイオンビームを形成するために前記分析構造体の開口を通過するように指向させ、前記第2双極子磁界が、分散されるイオンビームのイオンを前記第2径路に沿って前記質量分析に向けて指向するようにした前記第2磁界発生装置と、を含むことを特徴とする請求項9記載のイオン注入システム。 - 前記ディスパージョンシステムは、分散されたイオンビームを引き出されたイオンビームから導くことを特徴とする請求項1記載のイオン注入システム。
- 前記ディスパージョンシステムは、分散されたイオンビームを導くために、引き出されたイオンビームから不要な質量範囲の少なくともいくつかのイオンを除去することを特徴とする請求項13記載のイオン注入システム。
- イオン注入システムにおいて、イオンをイオン源からエンドステーションに輸送するためのビームラインアセンブリであって、
イオン源から引き出されたイオンビームを受け入れるディスパージョンシステムと、
引き出されたイオンビームまたは分散されたイオンビームのいずれかを前記ディスパージョンシステムから受け入れ、前記エンドステーションに向けて所望の質量範囲のイオンを指向させる質量分析器と、を含み、
前記ディスパージョンシステムは、前記引き出されたイオンビームを前記イオン源から前記質量分析器に選択的に通過させ、または、分散されたイオンビームを前記質量分析器に向かって指向させるように作動可能であり、前記分散されたイオンビームは、前記引き出されたイオンビームよりも不要な質量範囲のイオンが少ないイオンを有しており、
さらに、前記ディスパージョンシステムは、第2モードにおいて、前記引き出されたイオンビームからのイオンを第1径路から離れた方向に向かうように前記第1径路に沿って第1磁界を形成する第1磁界発生装置と、
前記第2モードにおいて、前記引き出されたイオンビームを前記第1径路に戻すように指向させる第2磁界を形成する第2磁界発生装置と、
不要な質量範囲の少なくとも幾つかのイオンをインターセプトしかつ所望の質量範囲の少なくともいくつかのイオンが前記第2モードにおいて前記質量分析器を通過するようにする分析構造体とを含み、
前記分析構造体は、前記第1径路に沿って引き出されたイオンビームの通過を妨害しない第1モードの第1位置と、前記第1径路に沿って引き出されたイオンビームの通過を部分的に妨害する前記第2モードの第2位置との間を移動可能であり、
不要な質量範囲の少なくともいくつかのイオンをインターセプトし、そして、所望の質量範囲の少なくともいくつかのイオンを前記第2モードにおいて通過させることを特徴とするビームラインアセンブリ。 - 前記ディスパージョンシステムは、前記第1モードにおいて前記第1径路に沿って、引き出されたイオンビームを前記イオン源から前記質量分析器に向けて選択的に通過させ、または前記第2モードにおいて前記第1径路に沿って、前記分散されたイオンビームを前記質量分析器に向けて指向させるように作動可能であることを特徴とする請求項15記載のビームラインアセンブリ。
- 前記ディスパージョンシステムは、前記第1モードにおいて前記第1径路に沿って、前記引き出されたイオンビームを前記イオン源から前記質量分析器に向けて選択的に通過させ、または前記第2モードにおいて前記第2径路に沿って、前記分散されたイオンビームを前記質量分析器に向けて指向させるように作動可能であることを特徴とする請求項15記載のビームラインアセンブリ。
- 前記ディスパージョンシステムは、前記引き出されたイオンビームから導くことを特徴とする請求項15記載のビームラインアセンブリ。
- 前記ディスパージョンシステムは、分散されたイオンビームを導くために、前記引き出されたイオンビームから不要な質量範囲の少なくともいくつかのイオンを取り除くことを特徴とする請求項18記載のビームラインアセンブリ。
- 請求項1ないし請求項14のいずれかに記載のイオン注入システムにおいて質量分析されたイオンビームを発生させる方法であって、
所望の質量範囲のイオンと不要な質量範囲のイオンとを有する、引き出されたイオンビームを供給し、
前記引き出されたイオンビームを質量分析器内に選択的に通過させ、あるいは前記引き出されたイオンビームから分散されるイオンビームを導き、さらに、分散されたイオンビームを前記質量分析器に供給し、前記分散されたイオンビームが前記引き出されたイオンビームより不要な質量範囲のイオンが少なくなるようにし、
前記質量分析器を用いて、前記分散されたイオンビームまたは前記引き出されたイオンビームから不要な質量範囲の少なくともいくつかを取り除き、質量分析されたイオンビームを発生させる、各工程を有することを特徴とする方法。 - 前記分散されたイオンビームを前記引き出されたイオンビームから導く工程は、前記不要な質量範囲の少なくともいくつかのイオンを前記引き出されたイオンビームから取り除くステップを有することを特徴とする請求項20記載の方法。
- 前記不要な質量範囲の少なくともいくつかのイオンを前記引き出されたイオンビームから取り除くステップは、
前記引き出されたイオンビームのイオンを偏向する第1双極子磁界を第1の定位に形成し、
前記不要な質量範囲の少なくともいくつかのイオンを分析構造体のブロック表面に指向させ、さらに前記所望の質量範囲の少なくともいくつかのイオンを前記分散されたイオンビームを形成するために前記分析構造体の開口を通過させて指向させるように、第2の定位にある第2双極子磁界を形成することを特徴とする請求項21記載の方法。 - 前記分散されたイオンビームを前記質量分析器に供給する工程は、前記分散されたイオンビームを前記引き出されたイオンビームの元の径路に沿って、前記質量分析器に向けて指向させる第3双極子磁界を形成することを含んでいる請求項22記載の方法。
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US7875125B2 (en) * | 2007-09-21 | 2011-01-25 | Semequip, Inc. | Method for extending equipment uptime in ion implantation |
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JPH07105901A (ja) * | 1993-10-08 | 1995-04-21 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
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US5693939A (en) * | 1996-07-03 | 1997-12-02 | Purser; Kenneth H. | MeV neutral beam ion implanter |
US5703375A (en) * | 1996-08-02 | 1997-12-30 | Eaton Corporation | Method and apparatus for ion beam neutralization |
JPH1083785A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-03-31 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JP3518271B2 (ja) * | 1997-08-28 | 2004-04-12 | 株式会社日立製作所 | エネルギーフィルタおよびこれを備えた電子顕微鏡 |
US6130436A (en) * | 1998-06-02 | 2000-10-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Acceleration and analysis architecture for ion implanter |
JP3727047B2 (ja) * | 1999-07-30 | 2005-12-14 | 住友イートンノバ株式会社 | イオン注入装置 |
US6403967B1 (en) * | 1999-10-15 | 2002-06-11 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Magnet system for an ion beam implantation system using high perveance beams |
US6946667B2 (en) * | 2000-03-01 | 2005-09-20 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Apparatus to decelerate and control ion beams to improve the total quality of ion implantation |
DE10020382A1 (de) * | 2000-04-26 | 2001-10-31 | Ceos Gmbh | Strahlerzeugungssystem für Elektronen oder Ionenstrahlen hoher Monochromasie oder hoher Stromdichte |
JP2003297271A (ja) * | 2002-04-03 | 2003-10-17 | Hitachi High-Technologies Corp | モノクロメータ付走査形電子顕微鏡 |
US6918351B2 (en) * | 2002-04-26 | 2005-07-19 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Apparatus for ion beam implantation |
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