JP4791439B2 - Plasma display panel and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
本発明は、プラズマディスプレイパネルに関するもので、特に、プラズマディスプレイパネルの誘電体及びその形成方法に関するものである。 The present invention relates to a plasma display panel, and more particularly to a dielectric of a plasma display panel and a method for forming the same.
マルチメディア時代の到来とともに、より細密で、より大きく、より自然色に近い色を表現できるディスプレイ装置の登場が要求されている。ところが、４０インチ以上の大きい画面を構成するには現在のＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）に限界があり、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）及びプロジェクションＴＶなどが、高画質映像分野への用途拡大のために急速に発展している。 With the advent of the multimedia era, there has been a demand for the appearance of display devices capable of expressing finer, larger and more natural colors. However, there is a limit to the current CRT (Cathode Ray Tube) in order to construct a large screen of 40 inches or more. It is developing rapidly to expand its applications.
上述したＰＤＰなどのディスプレイ装置の最大の特徴は、自体発光型であるＣＲＴに比べて薄い厚さで製作され、平面の大画面（６０〜８０インチ）製作が容易であるだけでなく、スタイルやデザイン面で従来のＣＲＴと明確に区別される点にある。 The biggest feature of the display device such as the above-mentioned PDP is that it is manufactured with a thinner thickness than a CRT which is a self-luminous type, and it is not only easy to produce a large flat screen (60 to 80 inches), but also the style and The design is clearly distinguished from the conventional CRT.
ＰＤＰは、アドレス電極を備えた下板、サステイン電極対を備えた上板及び隔壁で定義される放電セルを有し、この放電セル内に蛍光体が塗布されることで、画面が表示される。具体的に、前記上板と下板との間の放電空間内で放電が起きると、このときに発生した紫外線が蛍光体に入射されることで可視光線が発生し、この可視光線によって画面が表示される。 The PDP has a discharge cell defined by a lower plate having an address electrode, an upper plate having a sustain electrode pair, and a barrier rib, and a phosphor is applied to the discharge cell to display a screen. . Specifically, when a discharge occurs in the discharge space between the upper plate and the lower plate, ultraviolet rays generated at this time are incident on the phosphor to generate visible light, and the visible light causes the screen to appear. Is displayed.
しかしながら、上述した工程によるプラズマディスプレイパネル及びその製造方法には、次のような問題点がある。 However, the plasma display panel and the manufacturing method thereof according to the above-described process have the following problems.
プラズマディスプレイパネルの発光効率を向上させるためには、放電電流を減少させる必要がある。ところが、放電電流は、誘電体層の厚さによって多くの影響を受け、通常、誘電体層が薄い場合、放電開始電圧が低くなり、放電電流が増加し、誘電体層が厚い場合、放電開始電圧が高くなり、放電電流が減少する。したがって、単純に誘電体膜の厚さを厚くすると、放電電流は減少するが、放電開始電圧が上昇するという問題点がある。 In order to improve the luminous efficiency of the plasma display panel, it is necessary to reduce the discharge current. However, the discharge current is greatly affected by the thickness of the dielectric layer. Usually, when the dielectric layer is thin, the discharge start voltage decreases, the discharge current increases, and when the dielectric layer is thick, the discharge starts. The voltage increases and the discharge current decreases. Therefore, when the thickness of the dielectric film is simply increased, the discharge current decreases, but the discharge start voltage increases.
また、上述した従来のプラズマディスプレイパネルには、次のような問題点もある。 Further, the conventional plasma display panel described above has the following problems.
プラズマディスプレイパネルのコントラスト比は、最大の明るさと最小の明るさとの比を意味する。そして、プラズマディスプレイパネルは、明室で光の反射率が高いので、ＬＣＤ（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）などの他のディスプレイ装置に比べて明室コントラストが低下するという問題点がある。また、外部光の反射率が高くなるにつれて、プラズマディスプレイパネルの色温度が低下するという問題点もある。 The contrast ratio of the plasma display panel means the ratio between the maximum brightness and the minimum brightness. Since the plasma display panel has a high light reflectance in a bright room, there is a problem that the bright room contrast is lower than that of other display devices such as an LCD (Liquid Crystal Display). There is also a problem that the color temperature of the plasma display panel decreases as the reflectance of the external light increases.
本発明は、上述した問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、プラズマディスプレイパネルの基板に差等誘電体を形成する方法及びこれに使用される装置を提供することにある。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a method of forming a differential dielectric on a substrate of a plasma display panel and an apparatus used therefor. is there.
本発明の他の目的は、プラズマディスプレイパネルの明室コントラストを高めることで、色温度を向上させることにある。 Another object of the present invention is to improve the color temperature by increasing the bright room contrast of the plasma display panel.
上述した問題点を解決するために、本発明は、アドレス電極が形成された第１基板を含む第１パネルと、サステイン電極対が形成された第２基板を含む第２パネルとを備えたプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記第２基板上に、第１誘電体を塗布する段階と；前記第１誘電体上に、ノズルに逆台形の噴射部が備わったディスペンシング装置で第２誘電体材料を差等構造に塗布する段階と；前記第１誘電体と第２誘電体材料を乾燥及び焼成する段階と；前記第１誘電体と、前記第２誘電体材料を乾燥及び焼成することによって形成された第２誘電体上に保護膜を形成する段階と；前記第１パネルと第２パネルとを接合する段階と；を含んで構成される。 In order to solve the above-described problems, the present invention provides a plasma including a first panel including a first substrate on which address electrodes are formed, and a second panel including a second substrate on which sustain electrode pairs are formed. A method of manufacturing a display panel, comprising: applying a first dielectric on the second substrate; and a second dispensing device including a nozzle having an inverted trapezoidal jet on the first dielectric. Applying a dielectric material to the differential structure; drying and firing the first dielectric material and the second dielectric material; drying and firing the first dielectric material and the second dielectric material. Forming a protective film on the second dielectric formed in this manner; and joining the first panel and the second panel.
他の実施形態によると、本発明は、アドレス電極が形成された第１基板を含む第１パネルと、サステイン電極対が形成された第２基板を含む第２パネルとを備え、前記第１パネルと前記第２パネルとが対向配置したプラズマディスプレイパネルにおいて、前記第２基板上に形成された第１誘電体と；前記第１誘電体上に形成され、有彩色、灰色または黒色を帯びており、段差構造を有する第２誘電体と；前記第１誘電体及び第２誘電体上に形成された保護膜と；を含んで構成されることを特徴とする。 According to another embodiment, the present invention includes a first panel including a first substrate on which an address electrode is formed, and a second panel including a second substrate on which a sustain electrode pair is formed. In the plasma display panel in which the second panel and the second panel are arranged to face each other, a first dielectric formed on the second substrate; formed on the first dielectric and chromatic, gray or black A second dielectric material having a step structure; and a protective film formed on the first dielectric material and the second dielectric material.
更に他の実施形態によると、本発明は、アドレス電極が形成された第１基板を含む第１パネルと、サステイン電極対が形成された第２基板を含む第２パネルとを備えたプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記第２基板上に、第１誘電体を塗布する段階と；前記第１誘電体の非放電空間に対応する領域上に、有彩色、灰色または黒色の材料を含む第２誘電体材料をディスペンシング装置で塗布する段階と；前記第１誘電体及び第２誘電体材料を乾燥及び焼成する段階と；前記第１誘電体と、前記第２誘電体材料を乾燥及び焼成することによって形成された第２誘電体上に保護膜を形成する段階と；前記第１パネルと第２パネルとを接合する段階と；を含んで構成される。 According to another embodiment, the present invention provides a plasma display panel including a first panel including a first substrate on which address electrodes are formed, and a second panel including a second substrate on which sustain electrode pairs are formed. A method of manufacturing, comprising: applying a first dielectric on the second substrate; and including a chromatic, gray, or black material on a region corresponding to a non-discharge space of the first dielectric Applying a second dielectric material with a dispensing device; drying and firing the first dielectric material and the second dielectric material; drying the first dielectric material and the second dielectric material; Forming a protective film on the second dielectric formed by firing; and bonding the first panel and the second panel.
本発明によると、プラズマディスプレイパネルの基板に差等誘電体を形成する方法及びこれに使用される装置を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a method of forming a differential dielectric material on a substrate of a plasma display panel and an apparatus used therefor.
本発明の他の目的、特性及び利点は、添付の図面を参照した各実施例の詳細な説明を通して明白になるだろう。 Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent through the detailed description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.
以下、上記の目的を具体的に実現できる本発明の好適な実施例を、添付の図面を参照して説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention capable of specifically realizing the above object will be described with reference to the accompanying drawings.
添付された図面においては、多数の層及び領域を明確に表現するために、その厚さを拡大して示したが、図面に示した各層間の厚さ比は、実際の厚さ比を示すものではない。 In the accompanying drawings, in order to clearly represent a large number of layers and regions, the thicknesses thereof are shown enlarged, but the thickness ratios between the layers shown in the drawings indicate actual thickness ratios. It is not a thing.
図１は、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの一実施例の放電セル構造を示した図である。以下、図１を参照して、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの一実施例の放電セル構造を説明する。 FIG. 1 is a view showing a discharge cell structure of an embodiment of a plasma display panel according to the present invention. Hereinafter, a discharge cell structure of an embodiment of a plasma display panel according to the present invention will be described with reference to FIG.
図１に示すように、本発明のプラズマディスプレイパネルには、前面基板１７０上に一方向に備わったサステイン電極対１８０ａ，１８０ｂと、通常の金属材料からなるバス電極１８０ａ'，１８０ｂ'とが形成される。そして、前面基板１７０上には、サステイン電極対１８０ａ，１８０ｂ及びバス電極１８０ａ'，１８０ｂ'を覆いながら誘電体と保護膜１９５が順次形成される。 As shown in FIG. 1, in the plasma display panel of the present invention, a pair of sustain electrodes 180a and 180b provided in one direction on a front substrate 170 and bus electrodes 180a ′ and 180b ′ made of a normal metal material are formed. Is done. A dielectric and a protective film 195 are sequentially formed on the front substrate 170 while covering the sustain electrode pairs 180a and 180b and the bus electrodes 180a ′ and 180b ′.
前面基板１７０は、ディスプレイ基板用ガラスのミリング（ｍｉｌｌｉｎｇ）及びクリーニング（ｃｌｅａｎｉｎｇ）などの加工を通して形成される。ここで、サステイン電極対１８０ａ，１８０ｂは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）またはＳｎＯ２などに、スパッタリングによるフォトエッチング法またはＣＶＤによるリフトオフ（ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）法などを施して形成される。そして、バス電極１８０ａ'，１８０ｂ'は、銀（Ａｇ）などを含んで構成される。また、スキャン電極及びサステイン電極にはブラックマトリックスが形成されるが、ブラックマトリックスは、低融点ガラス及び黒色顔料などを含んで構成される。 The front substrate 170 is formed through processing such as milling and cleaning of display substrate glass. Here, the sustain electrode pairs 180a and 180b are formed by applying a photo-etching method by sputtering or a lift-off method by CVD to ITO (Indium-Tin-Oxide) or SnO 2 or the like. The bus electrodes 180a ′ and 180b ′ are configured to contain silver (Ag) or the like. Further, a black matrix is formed on the scan electrode and the sustain electrode, and the black matrix includes a low-melting glass and a black pigment.
そして、サステイン電極対１８０ａ，１８０ｂ及びバス電極１８０ａ’，１８０ｂ’が形成された前面基板１７０上には、誘電体が形成される。誘電体は、図示したように、第１誘電体１９０ａ及び第２誘電体１９０ｂを含んで構成される。ここで、第１誘電体１９０ａは、透明な低融点ガラスを含んで構成され、その厚さが約５〜３０．５μｍである。 A dielectric is formed on the front substrate 170 on which the sustain electrode pairs 180a and 180b and the bus electrodes 180a 'and 180b' are formed. As illustrated, the dielectric includes a first dielectric 190a and a second dielectric 190b. Here, the first dielectric 190a includes a transparent low-melting glass and has a thickness of about 5 to 30.5 μm.
そして、第２誘電体１９０ｂは、透明な低融点ガラスの他に、金属酸化物をさらに含んで構成される。ここで、金属酸化物は、コバルト、銅、マンガンまたはクロムの酸化物のうち少なくとも一つを含んで構成される。したがって、第２誘電体１９０ｂは、有彩色、灰色または黒色を帯びている。 The second dielectric 190b further includes a metal oxide in addition to the transparent low melting point glass. Here, the metal oxide includes at least one of cobalt, copper, manganese, and chromium oxides. Accordingly, the second dielectric 190b is chromatic, gray or black.
そして、第２誘電体１９０ｂは、第１誘電体１９０ａの非放電空間に対応する領域のみに形成される。すなわち、サステイン電極対１８０ａ，１８０ｂ間の空間に対応する領域上には、第２誘電体１９０ｂが形成されない。すなわち、誘電体は、その厚さが一定でなく各部分ごとに異なり、差等構造をなしている。このとき、図示したように、第２誘電体１９０ｂは台形に形成されるが、直四角形に形成されることもある。第２誘電体１９０ｂの形状は、その形成工程によって異なり、それに対しては後述することにする。 The second dielectric 190b is formed only in a region corresponding to the non-discharge space of the first dielectric 190a. That is, the second dielectric 190b is not formed on the region corresponding to the space between the sustain electrode pair 180a and 180b. In other words, the thickness of the dielectric is not constant but varies from part to part, and has a structure such as a difference. At this time, as illustrated, the second dielectric 190b is formed in a trapezoidal shape, but may be formed in a rectangular shape. The shape of the second dielectric 190b varies depending on the formation process, which will be described later.
そして、第２誘電体１９０ｂは、その厚さが約７．５〜３３μｍで、それぞれ約２００〜４００μｍだけ離隔されたことを特徴とする。また、第２誘電体１９０ｂの一つの幅は、２７６〜４７６μｍであることを特徴とする。 The second dielectric 190b has a thickness of about 7.5 to 33 [mu] m and is separated by about 200 to 400 [mu] m. Further, one width of the second dielectric 190b is 276 to 476 μm.
そして、前記第１誘電体１９０ａと第２誘電体１９０ｂ上には、保護膜１９５が形成される。保護膜１９５は、酸化マグネシウムなどを含んで構成され、放電時（＋）にイオンの衝撃から誘電体を保護し、２次電子放出を増加させることもある。ここで、保護膜１９５を２層構造で形成することもある。この場合、誘電体と接した第１層は薄膜に形成され、放電空間と接した第２層には、酸化マグネシウム単結晶がナノパウダー形態に形成されるので、保護膜の表面は、全体的に平坦でない凸凹形状を有するようになる。このとき、ガス放電時に紫外線イオンが保護膜に衝突する表面積が増加することで、二次電子の放出量が増加し、放電開始電圧が低下するので、結果的に、放電効率を高めるとともに、ジッタ（ｊｉｔｔｅｒ）を減少させることができる。 A protective film 195 is formed on the first dielectric 190a and the second dielectric 190b. The protective film 195 includes magnesium oxide or the like, and may protect the dielectric from ion bombardment during discharge (+) and increase secondary electron emission. Here, the protective film 195 may be formed with a two-layer structure. In this case, the first layer in contact with the dielectric is formed as a thin film, and the second layer in contact with the discharge space is formed with a magnesium oxide single crystal in the form of nanopowder. It has an uneven shape that is not flat. At this time, since the surface area where ultraviolet ions collide with the protective film during gas discharge increases, the amount of secondary electrons emitted increases and the discharge start voltage decreases. As a result, the discharge efficiency is increased and the jitter is increased. (Jitter) can be reduced.
一方、背面基板１１０の一面には、前記サステイン電極対１８０ａ，１８０ｂとの交差方向に沿ってアドレス電極１２０が形成され、背面基板１１０の全面には、アドレス電極１２０を覆いながら白色誘電体１３０が形成される。白色誘電体１３０は、印刷法またはフィルムラミネーティング方法によって塗布された後、焼成工程を通して完成される。そして、白色誘電体１３０上には、隔壁１４０が各アドレス電極１２０の間に配置される。ここで、隔壁１４０は、ストライプ型（ｓｔｒｉｐｅ−ｔｙｐｅ）、ウェル型（ｗｅｌｌ−ｔｙｐｅ）またはデルタ型（ｄｅｌｔａ−ｔｙｐｅ）である。 On the other hand, an address electrode 120 is formed on one surface of the back substrate 110 along the crossing direction of the sustain electrode pair 180 a and 180 b, and a white dielectric 130 is formed on the entire surface of the back substrate 110 while covering the address electrode 120. It is formed. The white dielectric 130 is applied through a printing method or a film laminating method and then completed through a baking process. A partition 140 is disposed between the address electrodes 120 on the white dielectric 130. Here, the barrier rib 140 is a stripe-type, a well-type, or a delta-type.
図示していないが、隔壁１４０上にはブラックトップ１４５ａが形成される。そして、各隔壁１４０の間には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の蛍光体層１５０ａ，１５０ｂ，１５０ｃが形成される。背面基板１１０上のアドレス電極１２０と、前面基板１７０上のサステイン電極対１８０ａ，１８０ｂとの交差地点は、各放電セルを構成する部分になる。 Although not shown, a black top 145 a is formed on the partition 140. And between each partition 140, the phosphor layer 150a, 150b, 150c of red (R), green (G), and blue (B) is formed. A crossing point between the address electrode 120 on the back substrate 110 and the sustain electrode pair 180a and 180b on the front substrate 170 is a portion constituting each discharge cell.
上述した実施例に係るプラズマディスプレイパネルは、前面基板に備わった誘電体に段差が形成されることで、放電開始電圧が低くなり、消費電力が向上する。そして、前面基板に備わった誘電体の一部が色相を表すので、外部光の反射を減少させ、明室コントラストが高くなり、色温度が向上する。 In the plasma display panel according to the above-described embodiment, a step is formed in the dielectric provided on the front substrate, whereby the discharge start voltage is lowered and the power consumption is improved. Since a part of the dielectric provided on the front substrate represents hue, reflection of external light is reduced, bright room contrast is increased, and color temperature is improved.
図２Ａ乃至図２Ｐは、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法の一実施例を示した図で、図３Ａ乃至図３Ｃは、ディスペンシング装置の各実施例を示した図である。以下、図２Ａ乃至図２Ｐ及び図３Ａ乃至図３Ｃを参照して、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法を説明する。 2A to 2P are diagrams illustrating an embodiment of a method for manufacturing a plasma display panel according to the present invention, and FIGS. 3A to 3C are diagrams illustrating embodiments of a dispensing apparatus. Hereinafter, a method for manufacturing a plasma display panel according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2A to 2P and FIGS. 3A to 3C.
まず、図２Ａに示すように、前面基板１７０上に、サステイン電極対１８０ａ，１８０ｂとバス電極１８０ａ'，１８０ｂ'を形成する。ここで、前面基板１７０は、ディスプレイ基板用ガラスまたはソーダ石灰ガラスのミリング及びクリーニング加工を通して製造される。 First, as shown in FIG. 2A, on the front substrate 170, a pair of sustain electrodes 180a and 180b and bus electrodes 180a ′ and 180b ′ are formed. Here, the front substrate 170 is manufactured through milling and cleaning of glass for display substrates or soda-lime glass.
そして、サステイン電極対１８０ａ，１８０ｂは、ＩＴＯまたはＳｎＯ２などに、スパッタリングによるフォトエッチング法またはＣＶＤによるリフトオフ法などを施すことで形成される。そして、バス電極１８０ａ'，１８０ｂ'は、銀（Ａｇ）などの材料に、スクリーン印刷法または感光性ペースト法などを施すことで形成される。また、サステイン電極対１８０ａ，１８０ｂ上には、ブラックマトリックスが形成されるが、このブラックマトリックスは、低融点ガラス及び黒色顔料などにスクリーン印刷法または感光性ペースト法などを施すことで形成される。 The sustain electrode pairs 180a and 180b are formed by subjecting ITO or SnO 2 to a photo-etching method by sputtering or a lift-off method by CVD. The bus electrodes 180a ′ and 180b ′ are formed by subjecting a material such as silver (Ag) to a screen printing method or a photosensitive paste method. A black matrix is formed on the sustain electrode pair 180a and 180b. The black matrix is formed by applying a screen printing method or a photosensitive paste method to a low melting point glass and a black pigment.
次いで、図２Ｂに示すように、サステイン電極対１８０ａ，１８０ｂ及びバス電極１８０ａ’，１８０ｂ’が形成された前面基板１７０上には、第１誘電体１９０ａを形成する。ここで、第１誘電体１９０ａは、低融点ガラスなどを含む材料に、スクリーン印刷法やコーティング法、またはグリーンシートをラミネートする方法など（ＸＧＡ級の場合）を施して約５〜３０．５μｍの厚さで積層する。 Next, as shown in FIG. 2B, a first dielectric 190a is formed on the front substrate 170 on which the sustain electrode pairs 180a and 180b and the bus electrodes 180a 'and 180b' are formed. Here, the first dielectric 190a is formed by applying a screen printing method, a coating method, or a method of laminating a green sheet (in the case of the XGA class) to a material including a low-melting glass or the like to a thickness of about 5 to 30.5 μm. Laminate by thickness.
次いで、第１誘電体１９０ａ上に第２誘電体１９０ｂを形成する。まず、図２Ｃに示すように、第１誘電体１９０ａ上には、第２誘電体材料１９０ｂ’を塗布してパターニングする。第２誘電体材料１９０ｂ’は、低融点ガラスの他に金属酸化物を含んで構成される。上述した第２誘電体材料１９０ｂ’を塗布してパターニングし、図２Ｄに示すように、段差を有する第２誘電体１９０ｂを形成する。 Next, a second dielectric 190b is formed on the first dielectric 190a. First, as shown in FIG. 2C, a second dielectric material 190b 'is applied and patterned on the first dielectric 190a. The second dielectric material 190b 'includes a metal oxide in addition to the low-melting glass. The second dielectric material 190b 'described above is applied and patterned to form a second dielectric 190b having a step as shown in FIG. 2D.
ここで、第２誘電体１９０ｂを形成する方法には、スクリーン印刷法及びサンディング法などがある。 Here, a method of forming the second dielectric 190b includes a screen printing method and a sanding method.
スクリーン印刷法は、第２誘電体１９０ｂを形成しようとする位置に複数回印刷する方法である。もし、スクリーン印刷法で第２誘電体１９０ｂを形成する場合、ペースト形態の材料を一定のパターンで印刷する。スクリーン印刷法は、工程が単純であり、低価格の装備を使用することができる。しかし、厚さ及び幅の均一度が悪いので、高精細パターンの場合、精密度が低下する憂いがある。そして、焼成工程後にも、スクリーンマスクのメッシュ跡がそのまま残存するので、表面照度が低下する。特に、大型パネルの場合、スクリーンマスクの変形などによってパターンの不一致が発生することもある。 The screen printing method is a method of printing a plurality of times at a position where the second dielectric 190b is to be formed. If the second dielectric 190b is formed by screen printing, the paste material is printed in a certain pattern. The screen printing method has a simple process and can use low-cost equipment. However, since the uniformity of the thickness and width is poor, there is a concern that the precision is lowered in the case of a high definition pattern. And even after the baking step, the mesh mark of the screen mask remains as it is, so that the surface illuminance decreases. In particular, in the case of a large panel, pattern mismatch may occur due to deformation of the screen mask.
そして、グリーンシート法などで誘電体材料を形成し、その上にマスクをパターニングした後、セラミック粒子や炭酸カルシウム剤微粒子などの切削粒子を高圧で吹き込むことで、その運動エネルギーを用いて不必要な部分を切削し、差等構造の第２誘電体１９０ｂをサンディング法で形成する。サンディング法は、５０μｍ以内の線幅にまで製作可能であるが、粉塵によって環境的な弊害が生じ、高精細化の場合、衝突エネルギーに耐えられなく、パターンの亀裂が生じるという問題点があり得る。 Then, after forming a dielectric material by the green sheet method or the like and patterning a mask thereon, cutting particles such as ceramic particles and calcium carbonate fine particles are blown at a high pressure, which is unnecessary using the kinetic energy. The part is cut, and the second dielectric 190b having a differential structure is formed by a sanding method. The sanding method can be manufactured up to a line width of 50 μm or less, but there is a problem that environmental damage is caused by dust, and in the case of high definition, it cannot withstand collision energy and cracks in the pattern occur. .
そして、コーティング法またはグリーンシート法で第２誘電体１９０ｂを形成する場合、まず、誘電体材料を塗布した後、パターニングする。図２Ｃに示すように、第２誘電体材料１９０ｂ’を第１誘電体１９０ａ上に塗布する。次いで、前記第２誘電体材料１９０ｂ’をパターニングするが、図２Ｃでは、マスク２５０を被せて選択的に露光する例を示した。 When the second dielectric 190b is formed by a coating method or a green sheet method, first, a dielectric material is applied and then patterned. As shown in FIG. 2C, a second dielectric material 190b 'is applied on the first dielectric 190a. Next, the second dielectric material 190b 'is patterned. FIG. 2C shows an example in which the second dielectric material 190b' is selectively exposed with the mask 250 covered.
図示したように、光は、マスク２５０が選択されていない部分のみに選択的に投射される。上述した露光工程を終了した後、現像及び焼成工程を経ると、図２Ｄに示すように、第２誘電体１９０ｂが完成される。このとき、焼成工程でマスクの幅を調節することで、第２誘電体１９０ｂの幅を調節することができる。 As shown, the light is selectively projected only on the portion where the mask 250 is not selected. After completing the above-described exposure process, after undergoing development and baking processes, the second dielectric 190b is completed as shown in FIG. 2D. At this time, the width of the second dielectric 190b can be adjusted by adjusting the width of the mask in the firing step.
以下、上述したパターニング工程を詳細に説明する。マスク２５０を被せた後、第２誘電体１９０ｂを形成しようとする位置のみに光を照射する。ここで、光は、非放電空間上の第２誘電体材料１９０ｂ’上のみに照射されることが好ましい。すなわち、ＸＧＡ級で約２７６〜４７６μｍの幅のみに光が照射される。上述した工程を終了すると、第２誘電体１９０ｂは、段差を有してパターニングされ、７．５〜３３μｍの厚さを有する。また、図２Ｄにおいて、第２誘電体１９０ｂは台形にパターニングされたが、四角形にパターニングされることもあり、その場合に対しては後述する。 Hereinafter, the patterning process described above will be described in detail. After covering the mask 250, only the position where the second dielectric 190b is to be formed is irradiated with light. Here, it is preferable that the light is irradiated only on the second dielectric material 190b 'on the non-discharge space. That is, light is irradiated only to a width of about 276 to 476 μm in the XGA class. When the above-described steps are completed, the second dielectric 190b is patterned with a step and has a thickness of 7.5 to 33 μm. In FIG. 2D, the second dielectric 190b is patterned into a trapezoid, but it may be patterned into a quadrangle, which will be described later.
完成された第２誘電体１９０ｂは、有彩色、灰色または黒色を表している。前記第２誘電体材料１９０ｂ’に含まれた金属酸化物が、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、マンガン（Ｍｎ）及びクロム（Ｃｒ）の酸化物からなる群から選択される物質を含んで構成されると、前記第２誘電体１９０ｂは青色を帯びるようになる。 The completed second dielectric 190b represents a chromatic color, gray or black. The metal oxide included in the second dielectric material 190b ′ includes a material selected from the group consisting of oxides of cobalt (Co), copper (Cu), manganese (Mn), and chromium (Cr). When configured, the second dielectric 190b is tinged with blue.
以下、ディスペンシング装置を用いて第２誘電体を形成する方法の実施例を説明する。 Hereinafter, an embodiment of a method of forming the second dielectric using a dispensing apparatus will be described.
図３Ａは、ディスペンシング装置の一部分を示した図である。ディスペンサー３００に保存された誘電体材料は、ノズル３１０を通して基板３２０に塗布されるが、このとき、ディスペンサー３００の移動速度や、ノズル３１０から噴射される誘電体材料の量によって、基板上に塗布される誘電体材料の形状及び厚さなどが変わる。 FIG. 3A shows a part of the dispensing apparatus. The dielectric material stored in the dispenser 300 is applied to the substrate 320 through the nozzle 310. At this time, the dielectric material is applied onto the substrate depending on the moving speed of the dispenser 300 and the amount of the dielectric material ejected from the nozzle 310. The shape and thickness of the dielectric material changes.
図３Ｂは、図３Ａに示したディスペンシング装置のノズルを示した図である。図３Ｂに示すように、ノズル３１０に備わった噴射部３１０'は逆台形をなしている。したがって、噴射部３１０'を通して噴射される誘電体材料１９０ｂ’は、図２Ｅに示すように、一定の間隔を有して逆台形に塗布される。具体的に、噴射部３１０'の逆台形は、上辺と下辺との長さ比が１．５：１〜２：１であることが好ましく、これによって、第１誘電体１９０ａ上に塗布された第２誘電体材料１９０ｂ’も逆台形に塗布される。ここで、逆台形は、第２誘電体材料１９０ｂ’の断面形状を意味し、第２誘電体材料１９０ｂ’は、立体的に六面体をなしており、上部面の面積が下部面の面積より大きい構造である。 FIG. 3B is a view showing a nozzle of the dispensing apparatus shown in FIG. 3A. As shown in FIG. 3B, the injection part 310 ′ provided in the nozzle 310 has an inverted trapezoidal shape. Accordingly, the dielectric material 190b 'sprayed through the spraying section 310' is applied in an inverted trapezoidal shape with a constant interval as shown in FIG. 2E. Specifically, the inverted trapezoid of the injection unit 310 ′ preferably has a length ratio between the upper side and the lower side of 1.5: 1 to 2: 1, and is thereby applied onto the first dielectric 190 a. The second dielectric material 190b ′ is also applied in an inverted trapezoid. Here, the inverted trapezoid means the cross-sectional shape of the second dielectric material 190b ′, and the second dielectric material 190b ′ has a three-dimensional hexahedron, and the area of the upper surface is larger than the area of the lower surface. Structure.
上述したように、第１誘電体１９０ａと第２誘電体材料１９０ｂ’が塗布され、差等誘電体構造が形成された後、誘電体を乾燥及び焼成する。乾燥工程は、誘電体材料のうちソルベントなどを蒸発させる工程で、約１００〜１５０℃で行われることが好ましい。次いで、誘電体材料の焼成工程は、約５００〜６００℃の温度で行われる。 As described above, after the first dielectric 190a and the second dielectric material 190b 'are applied to form a differential dielectric structure, the dielectric is dried and fired. The drying step is a step of evaporating a solvent or the like of the dielectric material, and is preferably performed at about 100 to 150 ° C. Next, the dielectric material firing step is performed at a temperature of about 500-600 ° C.
そして、乾燥及び焼成段階で、流動性を有する誘電体材料の一部が変形される。すなわち、逆台形の第２誘電体材料１９０ｂ’のうち上辺両端部の一部が流れ落ち、図２Ｆに示すように、直角形に近い差等誘電体構造が形成される。すなわち、第２誘電体材料１９０ｂ’を直角形に塗布すると、乾燥及び焼成工程で上部面の一部が崩れて、上部面が曲面形状をなすか、全体的に台形をなすようになる。したがって、本実施例では、逆台形に差等構造の誘電体材料を塗布し、乾燥及び焼成工程後、直角形に近い差等誘電体、すなわち、直六面体に近い構造を形成する。 In the drying and firing steps, a part of the dielectric material having fluidity is deformed. That is, a part of the upper side end portion of the inverted trapezoidal second dielectric material 190b 'flows down, and as shown in FIG. 2F, a differential dielectric structure close to a right-angle shape is formed. That is, when the second dielectric material 190b 'is applied in a right-angle shape, a part of the upper surface collapses during the drying and firing processes, and the upper surface has a curved surface shape or a trapezoidal shape as a whole. Therefore, in this embodiment, a dielectric material having a differential structure is applied to an inverted trapezoid, and after the drying and firing steps, a differential dielectric having a shape close to a right angle, that is, a structure close to a rectangular parallelepiped is formed.
図３Ｃは、ディスペンシング装置の第２実施例のノズルを示している。本実施例に係るディスペンシング装置においては、誘電体材料がノズルの噴射部を通して基板に塗布される。そして、ディスペンサーの移動速度や噴射される誘電体材料の量によって、基板上に塗布される誘電体材料の形状及び厚さなどが変わる。図示したように、ディスペンシング装置においては、ノズル３１０に備わった噴射部３３１，３３２，３３３がグルーピングされる。すなわち、各噴射部が同一の間隔を有して離隔されておらず、多数個の噴射部が集まって噴射部グループ３３０をなしている。ここで、噴射部グループには、２個以上の噴射部がグルーピングされており、図３Ｃに示した噴射部グループには、３個の噴射部がグルーピングされている。そして、一つの噴射部グループは、横の長さが２００〜４００μｍで、縦の長さが１００〜３００μｍである。ここで、横方向及び縦方向は、添付された図３Ｃに示した方向と同一で、隣接した噴射部に向かう方向が横方向である。 FIG. 3C shows the nozzle of the second embodiment of the dispensing apparatus. In the dispensing apparatus according to the present embodiment, the dielectric material is applied to the substrate through the jetting part of the nozzle. The shape and thickness of the dielectric material applied onto the substrate vary depending on the moving speed of the dispenser and the amount of the dielectric material to be ejected. As shown in the drawing, in the dispensing apparatus, the injection units 331, 332, and 333 provided in the nozzle 310 are grouped. That is, the injection units are not separated with the same interval, and a large number of injection units gather to form the injection unit group 330. Here, two or more injection units are grouped in the injection unit group, and three injection units are grouped in the injection unit group illustrated in FIG. 3C. One injection unit group has a horizontal length of 200 to 400 μm and a vertical length of 100 to 300 μm. Here, the horizontal direction and the vertical direction are the same as those shown in FIG. 3C attached, and the direction toward the adjacent injection unit is the horizontal direction.
図２Ｇは、図３Ｃに示したディスペンシング装置を用いて第２誘電体材料を塗布した実施例の断面図である。図２Ｇにおいて、第１誘電体１９０ａ上には、第２誘電体材料１９０ｂ'が形成される。ここで、一つの噴射部グループに属する噴射部から第１誘電体１９０ａ上に塗布されたインクが集まり、第２誘電体材料１９０ｂ’を形成している。すなわち、２個の噴射部がグルーピングされて噴射部グループをなすこともあるが、本実施例では、３個の噴射部がグルーピングされて噴射部グループをなすので、一つの第２誘電体層は、屈曲をなして形成され、３個の頂点を有する。ここで、本実施例では、一つの噴射部グループ内の中間に位置した噴射部が最も多い量のインクを吐出し、図２Ｇにおいて、第２誘電体材料１９０ｂ’の３個の頂点のうち中間部分が最も高い。
FIG. 2G is a cross-sectional view of an embodiment in which a second dielectric material is applied using the dispensing apparatus shown in FIG. 3C. In FIG. 2G, a second dielectric material 190b ′ is formed on the first dielectric 190a. Here, the ink applied onto the first dielectric 190a from the ejection units belonging to one ejection unit group gathers to form the second dielectric material 190b ′. That is, two injection units may be grouped to form an injection unit group. However, in the present embodiment, since three injection units are grouped to form an injection unit group, one second dielectric layer is , Formed in a bend and has three vertices . Here, in this embodiment, the ejection unit located in the middle of one ejection unit group ejects the largest amount of ink, and in FIG. 2G, the middle of the three vertices of the second dielectric material 190b ′. The part is the highest.
上述したように、第１誘電体と第２誘電体材料が塗布され、差等誘電体構造が形成された後、誘電体層の乾燥及び焼成工程を実行するが、その具体的な内容は、上述した第１実施例と同一である。 As described above, after the first dielectric material and the second dielectric material are applied and the differential dielectric structure is formed, the dielectric layer is dried and baked. This is the same as the first embodiment described above.
そして、乾燥及び焼成段階で、流動性を有する誘電体材料の一部が変形される。すなわち、一つの噴射部グループをなす噴射部から吐出されたインクのうち高い部分の一部が流れ落ち、隣接した部分と一つに統合される。その結果、図２Ｆに示すように、直角形に近い差等誘電体構造が形成される。すなわち、第２誘電体層を直角形に塗布すると、乾燥及び焼成工程で上部面の一部が崩れて、上部面が曲面形状をなすか、全体的に台形をなすようになる。 In the drying and firing steps, a part of the dielectric material having fluidity is deformed. That is, a part of the high portion of the ink ejected from the ejecting units forming one ejecting unit group flows down and is integrated with the adjacent portion. As a result, as shown in FIG. 2F, a differential dielectric structure close to a right-angled shape is formed. That is, when the second dielectric layer is applied in a right-angled shape, a part of the upper surface collapses during the drying and firing processes, and the upper surface has a curved surface shape or an overall trapezoidal shape.
したがって、本実施例では、互いに隣接するように多数個の差等誘電体を塗布すると、乾燥及び焼成工程でインクの一部が流れ落ちて統合され、四角形に近い形状の第２誘電体になる。そして、互いに異なる噴射部グループは、その距離を遠く設計することで、互いに異なる噴射部グループから噴射されたインクからなる第２誘電体材料が一つに統合されず、全体的に差等構造が維持される。 Therefore, in this embodiment, when a large number of differential dielectrics are applied so as to be adjacent to each other, a part of the ink flows down and is integrated in the drying and baking processes to form a second dielectric having a shape close to a square. The different ejection unit groups are designed to have a long distance so that the second dielectric material composed of the ink ejected from the different ejection unit groups is not integrated into one, and the overall structure is different. Maintained.
次いで、図２Ｈに示すように、誘電体上に保護膜１９５を蒸着する。ここで、第２誘電体１９０ｂは、台形をなす差等構造を有するが、図２Ｄのような構造を有することもある。そして、保護膜１９５は、シリコン（Ｓｉ）などのドーパントを含むことができる。ここで、保護膜１９５は、化学的気相蒸着（ＣＶＤ）法、電子ビーム（Ｅ−ｂｅａｍ）法、イオンメッキ（Ｉｏｎ−ｐｌａｔｉｎｇ）法、ゾルゲル法及びスパッタリング法などで形成される。このとき、保護膜内にシリコンがドーピングされると、アドレス期間のジッタ値が減少し、ジッタ値を減少するために、シリコンの代わりに他の物質をドーパントとして使用することもできる。そして、保護膜は、薄膜形態の第１保護膜と、単結晶のナノパウダー形態の第２保護膜とを含んで形成される。 Next, as shown in FIG. 2H, a protective film 195 is deposited on the dielectric. Here, the second dielectric 190b has a trapezoidal difference structure, but may have a structure as shown in FIG. 2D. The protective film 195 can include a dopant such as silicon (Si). Here, the protective film 195 is formed by a chemical vapor deposition (CVD) method, an electron beam (E-beam) method, an ion plating (Ion-plating) method, a sol-gel method, a sputtering method, or the like. At this time, when silicon is doped in the protective film, the jitter value in the address period is decreased, and another material can be used as a dopant instead of silicon in order to reduce the jitter value. The protective film includes a first protective film in the form of a thin film and a second protective film in the form of a single crystal nanopowder.
その後、図２Ｉに示すように、背面基板１１０上にアドレス電極１２０を形成する。ここで、背面基板１１０は、ディスプレイ基板用ガラスまたはソーダ石灰ガラスのミリングまたはクリーニングなどの加工を通して形成される。次いで、背面基板１１０上にアドレス電極１２０を形成する。アドレス電極１２０は、銀（Ａｇ）などに、スクリーン印刷法、感光性ペースト法またはスパッタリング後のフォトエッチング法などを施すことで形成される。 Thereafter, as shown in FIG. 2I, address electrodes 120 are formed on the back substrate 110. Here, the back substrate 110 is formed through processing such as milling or cleaning of display substrate glass or soda-lime glass. Next, address electrodes 120 are formed on the back substrate 110. The address electrode 120 is formed by subjecting silver (Ag) or the like to a screen printing method, a photosensitive paste method, a photoetching method after sputtering, or the like.
そして、図２Ｊに示すように、アドレス電極１２０が形成された背面基板１１０上に誘電体１３０を形成する。前記誘電体１３０は、低融点ガラス及びＴｉＯ２などのフィラーを含む材料にスクリーン印刷法またはグリーンシートのラミネーティングなどを施すことで形成される。ここで、下板誘電体１３０は、プラズマディスプレイパネルの輝度を増加させるために、白色を表すことが好ましい。 Then, as shown in FIG. 2J, a dielectric 130 is formed on the back substrate 110 on which the address electrodes 120 are formed. The dielectric 130 is formed by applying a screen printing method or green sheet laminating to a material containing a low melting point glass and a filler such as TiO 2 . Here, the lower plate dielectric 130 preferably represents white in order to increase the luminance of the plasma display panel.
次いで、図２Ｋ乃至図２Ｎに示すように、各放電セルを区分するための隔壁を形成する。このとき、隔壁材料１４０ａは、母相ガラス及び充填材を含んで構成される。母相ガラスは、ＰｂＯ、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３を含んで構成され、充填材は、ＴｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を含んで構成される。 Next, as shown in FIGS. 2K to 2N, barrier ribs for dividing each discharge cell are formed. At this time, the partition wall material 140a includes a matrix glass and a filler. The matrix glass is configured to include PbO, SiO 2 , B 2 O 3 and Al 2 O 3 , and the filler is configured to include TiO 2 and Al 2 O 3 .
次いで、隔壁材料１４０ａをパターニングし、隔壁を形成する。このとき、パターニング工程は、マスクを被せて露光した後、現像して行われる。すなわち、アドレス電極に対応する部分にマスクを位置させて露光すると、現像及び焼成工程後には、光の照射部分のみが残って隔壁を形成する。ここで、隔壁材料にフォトレジスト成分を含ませると、隔壁材料のパターニングを容易に行うことができる。 Next, the barrier rib material 140a is patterned to form barrier ribs. At this time, the patterning process is performed by developing after exposing the mask. That is, when a mask is positioned at a portion corresponding to the address electrode and exposure is performed, after the development and baking steps, only the light irradiated portion remains and a partition is formed. Here, when a photoresist component is included in the partition wall material, the partition wall material can be easily patterned.
次いで、図２Ｏに示すように、前記下板誘電層１３０のうち放電空間に接する面及び隔壁の側面に、蛍光体１５０ａ，１５０ｂ，１５０ｃを塗布する。各放電セルによってＲ、Ｇ、Ｂの蛍光体が順次塗布されるが、この蛍光体は、スクリーン印刷法や感光性ペースト法で塗布される。 Next, as shown in FIG. 2O, phosphors 150a, 150b, and 150c are coated on the surface of the lower dielectric layer 130 that contacts the discharge space and the side surfaces of the barrier ribs. R, G, and B phosphors are sequentially applied by each discharge cell, and the phosphors are applied by a screen printing method or a photosensitive paste method.
そして、図２Ｐに示すように、隔壁を挟んで上部パネル（本発明の第２パネルに相当）と下部パネル（本発明の第１パネルに相当）とを接合してシーリングし、内部の不純物などを排気した後、放電ガス１６０を注入する。 Then, as shown in FIG. 2P, the upper panel (corresponding to the second panel of the present invention) and the lower panel (corresponding to the first panel of the present invention) are joined and sealed across the partition wall, and the impurities inside the Then, a discharge gas 160 is injected.
以上説明した内容を通して、当業者であれば、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であることを理解できるだろう。 From the above description, those skilled in the art will understand that various changes and modifications can be made without departing from the technical idea of the present invention.
したがって、本発明の技術的範囲は、実施例に記載された内容に限定されるものでなく、特許請求の範囲によって定められるべきである。 Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the examples, but should be defined by the claims.
１１０ 背面基板
１２０ アドレス電極
１３０ 白色誘電体
１４０ 隔壁
１５０ａ，１５０ｂ，１５０ｃ 蛍光体層
１７０ 前面基板
１８０ａ，１８０ｂ サステイン電極対
１８０ａ’，１８０ｂ’ バス電極
１９０ａ，１９０ｂ 第１及び第２誘電体
110 Rear substrate 120 Address electrode 130 White dielectric 140 Bulkhead 150a, 150b, 150c Phosphor layer 170 Front substrate 180a, 180b Sustain electrode pair 180a ', 180b' Bus electrode 190a, 190b First and second dielectrics
Claims (14)
サステイン電極対を含む第２基板上に、第１誘電体を塗布する段階と、
前記第１誘電体上に第２誘電体を塗布する段階と、
前記第１誘電体と前記第２誘電体を乾燥及び焼成する段階と、
前記第１誘電体と前記第２誘電体との上に保護膜を形成する段階と、
複数の放電空間と非放電空間とが形成されるように、前記第１基板と第２基板とを接合する段階と、を含み、
前記第２誘電体が前記第１誘電体の非放電空間に対応する領域のみに形成されることにより、前記第２誘電体の放電空間に対応する領域が露出され、
前記第２誘電体は、屈曲をなして形成され、３個の頂点を有し、
前記３個の頂点のうち、中間部分が最も高いことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 Preparing a first substrate including an address electrode, dielectric and barrier ribs,
Applying a first dielectric on a second substrate including a pair of sustain electrodes ;
And applying a second dielectric on the first dielectric,
A step of drying and firing the second dielectric and said first dielectric,
Forming a protective film on said second dielectric and said first dielectric,
Bonding the first substrate and the second substrate such that a plurality of discharge spaces and non-discharge spaces are formed ,
By forming the second dielectric only in a region corresponding to the non-discharge space of the first dielectric, a region corresponding to the discharge space of the second dielectric is exposed,
The second dielectric is formed to be bent and has three vertices;
A method for manufacturing a plasma display panel, wherein an intermediate portion is highest among the three vertices .
逆台形に塗布されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 The second dielectric is:
2. The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the plasma display panel is applied in an inverted trapezoidal shape.
１００〜１５０℃で行われることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 The drying step
The method for manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the method is performed at 100 to 150 ° C.
５００〜６００℃で行われることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 The firing step includes
The method for manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the method is performed at 500 to 600 ° C.
有彩色、灰色または黒色の材料を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 The second dielectric is:
The method for manufacturing a plasma display panel according to claim 1, comprising a chromatic, gray or black material.
金属酸化物を含む誘電体材料を前記第１誘電体上に塗布することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 Applying the second dielectric comprises:
2. The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein a dielectric material containing a metal oxide is applied on the first dielectric.
コバルト、銅、マンガンまたはクロムの金属酸化物からなる群から選択される物質を含んで構成されることを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 The dielectric material is:
7. The method for manufacturing a plasma display panel according to claim 6 , comprising a substance selected from the group consisting of metal oxides of cobalt, copper, manganese or chromium.
アドレス電極と誘電体とを備える第１基板と、
サステイン電極対と第１誘電体とを備える第２基板と、
前記第１誘電体上に形成され、有彩色、灰色または黒色を帯びており、前記第１誘電体に対して段差を有する複数の第２誘電体と、
前記第１誘電体及び第２誘電体上に形成された保護膜と、を含み、
前記複数の第２誘電体は、前記第１誘電体の非放電空間に対応する領域のみに形成されることにより、前記第２誘電体の放電空間に対応する領域が露出され、
前記第２誘電体は、屈曲をなして形成され、３個の頂点を有し、
前記３個の頂点のうち、中間部分が最も高いことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 The first substrate and the second substrate are joined to each other so that a plurality of discharge spaces and non-discharge spaces are formed, and a partition wall is disposed between the first substrate and the second substrate,
A first substrate comprising an address electrode and a dielectric;
A second substrate comprising a sustain electrode pair and a first dielectric;
Is formed on the first dielectric member, chromatic, and a grayish or black, and a plurality of second dielectric having steps with respect to the first dielectric,
A protective film formed on the first dielectric and the second dielectric ,
The plurality of second dielectrics are formed only in a region corresponding to the non-discharge space of the first dielectric, thereby exposing a region corresponding to the discharge space of the second dielectric,
The second dielectric is formed to be bent and has three vertices;
The plasma display panel, wherein an intermediate portion is the highest among the three vertices .
金属酸化物を含んで構成されることを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。 The second dielectric is:
The plasma display panel according to claim 8 , comprising a metal oxide.
コバルト、銅、マンガンまたはクロムの金属酸化物からなる群から選択される物質を含んで構成されることを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル。 The second dielectric is:
10. The plasma display panel according to claim 9 , comprising a material selected from the group consisting of cobalt, copper, manganese or chromium metal oxides.
厚さが５〜３０．５μｍであることを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。 The first dielectric is:
The plasma display panel according to claim 8 , wherein the thickness is 5 to 30.5 μm.
厚さが７．５〜３３μｍであることを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。 The second dielectric is:
The plasma display panel according to claim 8 , wherein the thickness is 7.5 to 33 µm.
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