JP4787185B2 - Wafer surface inspection method and apparatus - Google Patents
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Description
本発明は、ウエハのうち、特にパターンのないノンパターンウエハを高速回転させ、その表面にレーザー光を照射し、反射する散乱光を受光して、そのウエハの表面の欠陥、ゴミ等を検出するためのウエハ表面検査方法及びその装置に関する。 The present invention rotates a non-pattern wafer having no pattern among wafers at high speed, irradiates the surface with laser light, receives reflected scattered light, and detects defects, dust, etc. on the surface of the wafer. The present invention relates to a wafer surface inspection method and apparatus therefor.
従来の光散乱技術によるノンパターンウエハの表面検査装置としては、例えば、X軸方向に移動可能なベースを設け、このベースを送り駆動手段でX軸方向に駆動可能に設け、このステージ上にウエハ保持用のステージを回転駆動可能に保持させると共に、このステージより上方に配設したレザー光源からレーザービームをステージ上に保持されたウエハに照射して、ウエハから反射するレーザービームの散乱光を受光する受光手段を設けたものが知られている。 As a conventional non-pattern wafer surface inspection apparatus using light scattering technology, for example, a base movable in the X-axis direction is provided, and this base is provided so as to be driven in the X-axis direction by a feed driving means. The holding stage is rotatably held, and a laser beam is irradiated onto the wafer held on the stage from a laser light source disposed above the stage, and the scattered light of the laser beam reflected from the wafer is received. There is known one provided with a light receiving means.
この表面検査装置では、ウエハが保持されたステージを回転駆動手段で回転駆動させ、レーザービームをステージ上のウエハの回転中心に照射すると共に、この状態からステージを送り駆動手段でX軸方向に所定速度で移動させることにより、レーザービームがウエハ表面(ウエハの表面)を螺旋状に走査するようになっている。そして、この螺旋状の走査に伴って、ウエハ表面から反射するレーザービームの散乱光を受光手段で受光することにより、ウエハ表面の欠陥の位置情報(XY座標)やウエハ表面に付着しているゴミ等の異物の位置情報(XY座標)をウエハの回転角とウエハのX軸方向への送り量から知ることができる。 In this surface inspection apparatus, the stage on which the wafer is held is rotationally driven by the rotational driving means, and the laser beam is irradiated to the rotational center of the wafer on the stage. From this state, the stage is fed in the X axis direction by the feed driving means. By moving at a speed, the laser beam spirally scans the wafer surface (wafer surface). Then, along with this spiral scanning, the light receiving means receives the scattered light of the laser beam reflected from the wafer surface, so that the position information (XY coordinates) of the defect on the wafer surface and the dust attached to the wafer surface. The position information (XY coordinates) of the foreign matter such as can be obtained from the rotation angle of the wafer and the feed amount in the X-axis direction of the wafer.
ところで、このような走査方式のノンパターンウエハの表面検査装置では、ウエハ表面の欠陥、ゴミ等の異物の位置情報(XY座標)の位置精度はビーム径と回転毎のX軸移動時の移動量(走査ピッチ)で決まる。 By the way, in such a scanning type non-pattern wafer surface inspection apparatus, the positional accuracy of the position information (XY coordinates) of foreign matter such as defects on the wafer surface and dust is determined by the beam diameter and the amount of movement during X-axis movement for each rotation. (Scanning pitch).
即ち、レーザー光の光ビームのビーム径やレーザー光源の移動量(走査ピッチ)が小さいほど、座標精度は向上する。しかし、ビーム径、走査ピッチの大小は装置の主性能であるスループット(測定時間)をも左右するものであるため、精度をある程度確保できるような点を考慮して、適切な大きさにしている。 That is, the smaller the beam diameter of the laser beam or the movement amount (scanning pitch) of the laser light source, the better the coordinate accuracy. However, the size of the beam diameter and scanning pitch also affects the throughput (measurement time), which is the main performance of the apparatus, so that it is appropriately sized in consideration of the point that accuracy can be secured to some extent. .
また、従来のウエハ表面検査装置としては、ウエハエッジにおけるスクラッチや異物等の欠陥を検出する場合、レーザ等の照明光を図5に示したようにウエハエッジ部近傍に照射し、ウエハエッジ近傍の欠陥検査をおこなっており、ウエハの表面、エッジ等の部位によらず、一定のレーザのビーム径、一定のレーザー光源の移動量(ピッチ)でレーザを照射するようにしているものもある(例えば、特許文献1,2参照)。 In addition, as a conventional wafer surface inspection apparatus, when detecting defects such as scratches and foreign matter on the wafer edge, illumination light such as a laser is irradiated near the wafer edge as shown in FIG. 5 to inspect the defect near the wafer edge. In some cases, laser irradiation is performed with a constant laser beam diameter and a constant movement amount (pitch) of the laser light source, regardless of the surface or edge of the wafer (for example, Patent Documents). 1 and 2).
更に、従来のウエハ表面検査装置としては、レーザー光をウエハエッジに照射し、ビデオカメラや赤外線カメラでその外観を観察し、エッジにおける欠陥などを検査する装置も知られている(例えば、特許文献3,4参照)。 Further, as a conventional wafer surface inspection apparatus, there is also known an apparatus that irradiates a wafer edge with a laser beam, observes its appearance with a video camera or an infrared camera, and inspects defects on the edge (for example, Patent Document 3). , 4).
また、従来のウエハ表面検査装置としては、レーザー光源を用い、また検出器として、フォトマルチプライヤーなどを用いて、被検査物(ウエハ)端部にある欠陥の種類や表面粗さによる回折光の周波数成分などをもとに、クラック、チップ、キズ等の選別、並びに表面粗さを検出することができるものも知られている(特許文献5参照)。
しかしながら、ウエハに転写されるパターンの微細化に伴い、ウエハ表面の超微細なクラック,チップ,キズ等の欠陥部の位置座標の検出精度やゴミ等の異物の位置座標の検出精度を向上させると共に、ウエハエッジからの散乱光の信号を超精密に検出して、欠陥部や異物からの散乱光の信号とウエハエッジからの散乱光の信号から分離し、正確なエッジの位置を特定しなければならない。 However, along with the miniaturization of the pattern transferred to the wafer, the detection accuracy of the position coordinates of defective parts such as ultra-fine cracks, chips and scratches on the wafer surface and the detection accuracy of the position coordinates of foreign matters such as dust are improved. In addition, it is necessary to detect the scattered light signal from the wafer edge with high precision and separate it from the scattered light signal from the defect or foreign matter and the scattered light signal from the wafer edge to specify the exact edge position.
このため、図5のようにウエハの表面やエッジ等の部位によらず、一定のレーザのビーム径、一定のレーザー光源の移動量(ピッチ)により表面検査していた従来のウエハ表面検査装置では、ウエハに転写されるパターンの微細化に伴い、ウエハエッジからの散乱光を欠陥部や異物からの散乱光の信号から分離して超精密に検出することはできないものであった。 Therefore, as shown in FIG. 5, the conventional wafer surface inspection apparatus in which the surface inspection is performed with a constant laser beam diameter and a constant movement amount (pitch) of the laser light source regardless of the surface or edge portion of the wafer. As the pattern transferred to the wafer is miniaturized, the scattered light from the wafer edge cannot be separated from the signal of the scattered light from the defective portion or foreign matter and detected with high precision.
また、ビデオカメラや赤外線カメラを用いた従来のウエハ表面検査装置でも、ビデオカメラや赤外線カメラを用いた観察となるため、ウエハエッジを欠陥部や異物と区別するには十分な精度を得ることができなかった。 In addition, even with conventional wafer surface inspection apparatuses using video cameras and infrared cameras, observations using video cameras and infrared cameras are used, so that sufficient accuracy can be obtained to distinguish wafer edges from defective parts and foreign objects. There wasn't.
そこで、本発明では、ウエハ表面検査のスループットによる犠牲が生じることなく、ウエハ表面の超微細なクラック,チップ,キズ等の欠陥部の検出精度やゴミ等の異物の位置座標の検出精度を向上させることができると同時に、ウエハエッジの座標の検出精度を向上させることができるウエハ表面検査方法及びその装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention improves the detection accuracy of defective portions such as ultra-fine cracks, chips, and scratches on the wafer surface and the detection accuracy of the position coordinates of foreign matters such as dust without sacrificing the throughput of the wafer surface inspection. An object of the present invention is to provide a wafer surface inspection method and apparatus capable of improving the detection accuracy of wafer edge coordinates at the same time.
この目的を達成するため、この発明は、回転するウエハの表面にレーザー光を照射し、散乱光を受光手段で受光して、ウエハの表面の欠陥部,異物を検出するためのウエハ表面検査方法において、前記ウエハのエッジの近傍で、レーザー光のビーム径を小さくし、レーザー光のスキャンピッチを詰め、正確なエッジ位置を検出するウエハ表面検査方法及びその装置としたことを特徴とする。 In order to achieve this object, the present invention provides a wafer surface inspection method for irradiating a surface of a rotating wafer with laser light and receiving scattered light with a light receiving means to detect defective portions and foreign matter on the surface of the wafer. The wafer surface inspection method and apparatus for detecting an accurate edge position by reducing the beam diameter of the laser beam and reducing the scan pitch of the laser beam in the vicinity of the edge of the wafer.
このような方法及びその装置によれば、ウエハ表面検査のスループットによる犠牲が生じることなく、ウエハ表面の超微細な欠陥部の位置座標の検出精度や異物の位置座標の検出精度を向上させることができると同時に、ウエハのエッジの座標の検出精度を向上させることができる。 According to such a method and its apparatus, it is possible to improve the detection accuracy of the position coordinates of the minute defect portion on the wafer surface and the detection accuracy of the position coordinates of the foreign matter without sacrificing the throughput of the wafer surface inspection. At the same time, the detection accuracy of the coordinates of the edge of the wafer can be improved.
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
[構成]
この発明に係るウエハ表面検査装置は、図1(a),図1(b)に示したようにX軸方向に延びる固定ベース1を有する。この固定ベース1上にはX軸方向に延びる一対の平行なガイドレール2,2が設けられ、このガイドレール2,2にはスライドベース(可動テーブル)3がX軸方向にスライド(移動自在)に装着されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[Constitution]
The wafer surface inspection apparatus according to the present invention has a fixed base 1 extending in the X-axis direction as shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b). A pair of
このスライドベース3は、ベース送り装置(ベース送り手段)4によりX軸方向に送り駆動されるようになっている。このベース送り装置4は、固定ベース1の長手方向(X軸方向)の両端部に一体に設けられた軸受突部5,6と、この軸受突部5,6に回転自在に保持され且つガイドレール2,2と平行に設けられた送りネジ7と、軸受突部6に固定され且つ送りネジ7を回転駆動する駆動モータ(送りモータ)8を有する。この駆動モータ8にはパルスモータが用いられている。
The slide base 3 is driven and fed in the X-axis direction by a base feeding device (base feeding means) 4. The base feed device 4 includes
また、スライドベース3上には駆動モータ(回転駆動手段)9が固定されている。この駆動モータ9は出力軸9aを有し、この出力軸9aの上端部にはチャック10が取り付けられている。このチャック10には周知の構造を採用できるので、その説明は省略する。尚、駆動モータ9にはパルスモータが用いられている。
A drive motor (rotation drive means) 9 is fixed on the slide base 3. The
このチャック10上にはウエハ保持用の円形のディスク(円板)11が配設され、このディスク(ステージ)11の下面中央には図1(b)に示したように取付軸12が一体に設けられている。この取付軸12はチャック10に着脱可能に且つ軸線周りには相対回転不能に保持されている。
A circular disk (disk) 11 for holding a wafer is disposed on the
このディスク11の上面にはノンパターンのウエハ13が保持(固定)されている。ここで、ノンパターンのウエハ13とは、表面に加工処理が施されていない未使用のウエハを言う。
A
更に、ウエハ13より上方には、ウエハ13の表面(上面)にレーザービーム14aを所定の角度θで照射するレーザー光源14が配設されている。このレーザー光源14は、図示しないフレーム又はブラケット等に固定されている。また、このレーザービーム14aがウエハ13の表面で正反射した場合には、レーザービーム14aの前方において角度θで反射する反射ビーム14bとなる。
Further, a
また、レーザービーム14aの照射方向前方側に位置し且つ反射ビーム14bより上方の部分に前方散乱光を受光する受光センサ15が配設されている。この受光センサ15には、フォトマル(PMT即ち光電子増倍管)が用いられている。この受光センサ15の光軸15aはレーザービーム14aのウエハ13への照射位置Pに向けられている。
In addition, a
更に、レーザービーム14a及び反射ビーム14bの光軸を含む平面を第1鉛直面とし、この第1鉛直面に対して直交する平面を第2鉛直面とすると、この第2鉛直面内に側方受光センサ16の中心が配設されている。この受光センサ16にも、フォトマル(PMT即ち光電子増倍管)が用いられている。この受光センサ16の光軸16aもレーザービーム14aのウエハ13への照射位置Pに向けられている。
Furthermore, if a plane including the optical axes of the
また、レーザービーム14aの照射方向の前方側には、第1鉛直面内に光軸が位置し且つウエハ13のエッジより斜め下方に位置するエッジ検出センサ17が配設されている。このエッジ検出センサ17にもフォトマル(PMT即ち光電子増倍管)が用いられている。
Further, an
また、図2に示したように、駆動モータ8,9は演算制御回路(制御手段)18により回転駆動制御されるようになっている。この演算制御回路18はレーザー光源14の動作制御も行うようになっている。しかも、この演算制御回路18には、受光センサ15,16の検出信号が入力されるようになっていると共に、エッジ検出センサ17の検出信号が入力されるようになっている。また、演算制御回路18にはメモリ19が接続されている。
[作用]
次に、このような構成のウエハ表面検査装置の作用を演算制御回路18による制御内容と共に説明する。
ステップS1
この演算制御回路18は、図4のステップS1において駆動モータ8を制御して、スライドベース3を図1(a)に示した初期位置に位置させる。この初期位置では、レーザー光源14から出射されるレーザービーム14aがウエハ13の中心に照射されるようになっている。しかも、この初期位置において演算制御回路18は、レーザービーム14aのスポット径を「大」にして、レーザービーム14aがウエハ13の表面に照射されたときに、図3に二点鎖線で示したように比較的に大きな楕円状のビームスポット14cとなるように、レーザー光源14を動作制御し、ステップS2に移行する。この図3において、ビームスポット14cの長径はBaで示してある。
ステップS2
このステップS2において演算制御回路18は、駆動モータ9を駆動制御して、ウエハ13をディスク11と一体に回転駆動させる。一方、演算制御回路18は、駆動モータ8を駆動制御して送りネジ7を回転させ、スライドベース3をX軸方向で且つレーザービーム14aの照射方向と反対方向に送り移動させ、ステップS3に移行する。
Further, as shown in FIG. 2, the
[Action]
Next, the operation of the wafer surface inspection apparatus having such a configuration will be described together with the contents of control by the
Step S1
The
Step S2
In step S <b> 2, the
このようなウエハ13の回転とウエハ13のX軸方向への移動により、レーザービーム14aはウエハ13の表面に螺旋状に照射されて、レーザビーム14aのウエハ13への照射位置はウエハ13が1回転したときにウエハ13の半径方向に1ピッチずれることになる。
By such rotation of the
この際、レーザービーム14aのウエハ13の表面への照射位置Pに超微細なクラック,チップ,キズ等の欠陥部やゴミ等の異物が存在しない場合、レーザービーム14aはウエハ13の表面から正反射して、前方への反射ビーム14bとなる。
At this time, when there is no defect such as ultra fine cracks, chips, scratches or foreign matter such as dust at the irradiation position P of the surface of the
また、レーザービーム14aのウエハ13の表面への照射位置Pに超微細なクラック,チップ,キズ等の欠陥部やゴミ等の異物が存在すると、レーザービーム14aは欠陥部や異物のために乱反射して散乱光となる。この散乱光は受光センサ15,16により検出され、受光センサ15,16の散乱光検出信号が演算制御回路18に入力される。そして、欠陥部や異物の検出位置は、駆動モータ8,9の回転量から二次元座標(X,Y)として検出される。しかも、演算制御回路18は、欠陥部や異物の検出位置の二次元座標(X,Y)をメモリ19に記憶させる。
Further, if there is a foreign matter such as an extremely fine crack, a chip, a scratch or the like or a foreign matter such as dust at the irradiation position P of the surface of the
このステップS2において演算制御回路18は、駆動モータ9の回転数を一定にすると共に駆動モータ8の回転数を大きくして、送りネジ7によるスライドベース3のX軸方向への送り量(送りピッチすなわちスキャンピッチP1)が大きくなるように制御するように設定されている。尚、駆動モータ9の回転数を小さくすると共に駆動モータ8の回転数を一定にして、送りネジ7によるスライドベース3のX軸方向へのスキャンピッチ(送りピッチすなわち送り量)P1が「大」になるように制御することもできる。
In this step S2, the
このような制御により、レーザビーム14aの照射位置がウエハ13のエッジ(周縁)13aから所定位置(例えば、1.0mm〜1.5mmの位置)になると、演算制御回路18はステップS3に移行する。尚、予め、ウエハ13の中心からエッジ13aまでのおおよその距離はわかっているので、レーザビーム14aがウエハ13の中心に照射されている状態からウエハ13をX軸方向に送り移動させて、レーザビーム14aのウエハ13への照射位置をウエハ13の中心から半径方向に移動させたとき、この照射位置の半径方向への移動量からステップS3の処理に移行するタイミングを判断できる。
ステップS3
このステップS3において演算制御回路18は、レーザビーム14aの径を「大」から「小」に切り替える。即ち、演算制御回路18は、ウエハ13の周縁部においてレーザビーム14aの径を「大」から「小」に切り替えて、レーザービーム14aがウエハ13の表面に照射されたときに、図3に二点鎖線で示した楕円状のビームスポット14cから一点鎖線で示したような小さな径Bbのビームスポット14dとなるように、レーザー光源14を動作制御する。尚、本実施例では、ビームスポット14dの径Bbがビームスポット14cの長径Baの略1/4以下に設定されているが、必ずしもこれに限定されるものではない。
When the irradiation position of the
Step S3
In step S3, the
また、演算制御回路18は、この制御に伴い、レーザビーム14aによるスキャンピッチを「大」から「小」に切り替え、ステップS4に移行する。即ち、演算制御回路18は、レーザビーム14aのスキャンピッチをP1からP2に切り替えて、ステップS4に移行する。尚、本実施例においてスキャンピッチP1はスキャンピッチP2の略1/4程度に設定されているが、必ずしもこれに限定されるものではない。
In accordance with this control, the
また、この切り替えは、駆動モータ8,9の一方を一定の回転数にし、駆動モータ8,9の他方の回転数を変化させることで実現させることができる。
This switching can be realized by setting one of the
即ち、演算制御回路18は、駆動モータ9の回転数を一定にすると共に駆動モータ8の回転数を小さくして、送りネジ7によるスライドベース3のX軸方向への送り量(送りピッチすなわちスキャンピッチ)が小さくなるように制御するように設定されている。尚、駆動モータ9の回転数を大きくすると共に駆動モータ8の回転数を一定にして、送りネジ7によるスライドベース3のX軸方向へのスキャンピッチ(送りピッチすなわち送り量)が「小」になるように制御することもできる。
ステップS4
本ステップ4において演算制御回路18は、ウエハ13のエッジ13aを検出するまでウエハ13の表面に欠陥部や異物が存在するか否かの検査(測定)をする。即ち、演算制御回路18は、レーザビーム14aがエッジ13aから外れてエッジ検出センサ17に直接入射するまでウエハ13の表面に欠陥部や異物が存在するか否かの検査(測定)をする。
That is, the
Step S4
In this step 4, the
そして、レーザビーム14aがエッジ13aから外れてエッジ検出センサ17に直接入射すると、エッジ検出センサ17からエッジ検出信号が出力され、このエッジ検出信号が演算制御回路18に入力される。
When the
尚、ステップS4においても演算制御回路18は、欠陥部や異物の検出位置を検出すると、その検出位置の二次元座標(X,Y)を上述したようにメモリ19に記憶させる。
ステップS5
このステップS5において演算制御回路18は、エッジ検出センサ17からエッジ検出信号を受けると、ウエハ13の表面に欠陥部や異物が存在するか否かの検査(測定)を終了する。
Even in step S4, when the
Step S5
In step S <b> 5, upon receiving the edge detection signal from the
このような検査により、ウエハ13のエッジ13aを超精密(超高精度)に検出することができる。尚、エッジ13aの検出だけでなく、図3のようにウエハ13の外周に設けられたノッチ13bの位置も超精密に検出することができる。
By such inspection, the
また、上述したようにレーザー光14aによる欠陥部や異物の検出おいて、レーザー光14aのウエハ13への照射位置がウエハ13の外周付近に近づくまでは、通常のビーム径のレーザー光14aを用いる。しかも、レーザー光14aのウエハ13への照射位置がウエハ13の外周付近に近づいたところで、レーザー光14aのビーム径、レーザー光14aの照射位置の移動量(走査ピッチ)を小さく切り替える。その上、エッジ検出専用の検出手段(エッジ検出センサ17)を設け、この検出手段(エッジ検出センサ17)からの検出信号を欠陥部や異物の散乱光を検出する受光センサ15,16からの検出信号と分離して演算処理するようにしている。これらの条件により、ウエハ13の中心から外周近傍までは欠陥部や異物の検出のためのスループット(through・put即ち測定時間)を適切にするようにできると共に、ウエハ13の外周近傍では欠陥部や異物の検出のためのスキャンピッチを詰めてウエハ13のエッジ13aの座標検出精度を向上させることができる。これにより、スループットが過大になりすぎるような犠牲が生じることなく、ウエハ13のエッジ13aの座標検出精度を向上させることができる。
(変形例)
以上説明した実施例では、ウエハ13のエッジ13aをエッジ検出センサ17で直接検出するようにした例を示したが、必ずしもこれに限定されるものではない。
Further, as described above, in detecting a defective portion or a foreign object using the
(Modification)
In the embodiment described above, an example in which the
例えば、上述した実施例の構成に図5に示したようなエッジ13aからの反射光(散乱光)を検出するZセンサ(高さセンサ)20を加えた構成としても良い。この場合、Zセンサ20がエッジ13aからの反射光を検出したとき、Zセンサ20から検出信号を出力させて、この検出信号を演算制御回路18に入力させる。しかも、演算制御回路18は、Zセンサ20からの検出信号と、エッジ検出センサ17からのエッジ検出信号に基づいて、ウエハ13のエッジ13aを検出するようにする。
For example, a configuration may be adopted in which a Z sensor (height sensor) 20 for detecting reflected light (scattered light) from the
以上説明したように、この発明の実施の形態のウエハ表面検査方法は、回転するウエハ13の表面にレーザー光14aを照射し、散乱光を受光して、ウエハ13の表面の欠陥部,異物を検出するようにしている。しかも、前記ウエハのエッジの近傍で、レーザー光のビーム径を小さくし、レーザー光の送り速度を緩め、正確なエッジ位置(エッジ13aの位置)を検出するようにしている。
As described above, the wafer surface inspection method according to the embodiment of the present invention irradiates the surface of the rotating
このような方法によれば、ウエハ表面検査のスループットの犠牲が生じることなく、ウエハ表面の超微細な欠陥部の位置座標の検出精度や異物の位置座標の検出精度を向上させることができると同時に、ウエハ13のエッジ13aの検出信号を欠陥部や異物からの散乱光の検出信号と分離して超精密に検出し、ウエハ13のエッジ13aの座標の検出精度を向上させることができる。
According to such a method, it is possible to improve the detection accuracy of the position coordinates of the ultra-fine defect portion on the wafer surface and the detection accuracy of the position coordinates of the foreign matter without sacrificing the throughput of the wafer surface inspection. The detection signal of the
また、この発明の実施の形態のウエハ表面検査装置は、ウエハ13を回転させるウエハ回転手段(駆動モータ9)と、回転するウエハ13の表面にレーザー光を照射するレーザー光源14と、ウエハ13の中心からエッジ13aに向かって所定の移動速度でレーザー光14aの照射位置Pを変えるためのレーザー光源移動手段(ベース送り装置4)と、ウエハ13の表面から反射する散乱光を検出する散乱光検出手段(受光センサ15,16)と、エッジ13aの近傍から反射する散乱光を検出するエッジ散乱光検出手段とを有し、エッジの近傍で上記レーザー光のビーム径を小さくし、レーザー光移動手段のスキャンピッチ詰めて、レーザー光の照射位置を変え、エッジ散乱光検出手段によりエッジの位置を検出する制御手段とを備えることを特徴とするウエハ表面検査装置。
The wafer surface inspection apparatus according to the embodiment of the present invention includes a wafer rotating means (drive motor 9) for rotating the
このような構成によれば、ウエハ表面検査のスループットの犠牲が生じることなく、ウエハ表面の超微細な欠陥部の位置座標の検出精度や異物の位置座標の検出精度を向上させることができると同時に、ウエハ13のエッジ13aの検出信号を欠陥部や異物からの散乱光の検出信号と分離して超精密に検出し、ウエハ13のエッジ13aの座標の検出精度を向上させることができる。
According to such a configuration, it is possible to improve the detection accuracy of the position coordinates of the ultra-fine defect portion on the wafer surface and the detection accuracy of the position coordinates of the foreign matter without sacrificing the throughput of the wafer surface inspection. The detection signal of the
また、この発明の実施の形態のウエハ表面検査装置において、エッジ散乱光検出手段(エッジ検出手段17)をウエハ13の水平側面からウエハ13の水平下に配置している。
Further, in the wafer surface inspection apparatus according to the embodiment of the present invention, the edge scattered light detection means (edge detection means 17) is arranged from the horizontal side surface of the
この構成によれば、レーザー光源14からのレーザービーム14aがウエハ13のエッジから外れたときに、エッジ散乱光検出手段(エッジ検出手段17)がウエハ13のエッジを確実に検出することができる。
According to this configuration, when the
更に、この発明の実施の形態のウエハ表面検査装置において、エッジ散乱光検出手段(Zセンサ20)をエッジの近傍に照射されるレーザー光14aの略光路上に配置している。
Furthermore, in the wafer surface inspection apparatus according to the embodiment of the present invention, the edge scattered light detecting means (Z sensor 20) is arranged on the substantially optical path of the
この構成によれば、ウエハ13のエッジからの散乱光からウエハ13のエッジをエッジ散乱光検出手段(Zセンサ20)により検出できる。この際、欠陥部や異物からの散乱光とウエハ13のエッジからの散乱光とを良好に精度高く区別して検出できる。
According to this configuration, the edge of the
尚、変形例では、エッジ散乱光検出手段としてエッジ検出手段17とZセンサ20とを組み合わせた例を示したが、エッジ散乱光検出手段としてはエッジ検出手段17とZセンサ20のいずれか一方のみでも良い。
In the modified example, the
9・・・駆動モータ(ウエハ回転手段)
13・・・ウエハ
13a・・・エッジ(エッジ位置)
14a・・・レーザー光
14・・・レーザー光源
15,16・・・受光センサ(散乱光検出手段)
17・・・エッジ検出手段(エッジ散乱光検出手段)
20・・・Zセンサ(エッジ散乱光検出手段)
9 ... Drive motor (wafer rotating means)
13:
14a: Laser light 14: Laser
17 ... Edge detection means (edge scattered light detection means)
20 ... Z sensor (edge scattered light detection means)
Claims (4)
前記ウエハのエッジの近傍で、レーザー光のビーム径を小さくし、レーザー光の送り速度を緩め、正確なエッジ位置を検出することを特徴とするウエハ表面検査方法。 In a wafer surface inspection method for irradiating a surface of a rotating wafer with a laser beam and receiving scattered light with a light receiving means to detect defective portions and foreign matter on the surface of the wafer,
A wafer surface inspection method characterized by detecting a precise edge position by reducing a beam diameter of a laser beam, slowing a feed rate of the laser beam in the vicinity of the edge of the wafer.
エッジ散乱光検出手段をウエハの水平側面からウエハの水平下に配置したことを特徴とするウエハ表面検査装置。 The wafer surface inspection apparatus according to claim 2,
An apparatus for inspecting a wafer surface, characterized in that the edge scattered light detection means is arranged horizontally from the horizontal side surface of the wafer.
エッジ散乱光検出手段をエッジの近傍に照射されるレーザー光の略光路上に配置したことを特徴とするウエハ表面検査装置。 In the wafer surface inspection apparatus according to any one of claims 2 and 3,
An apparatus for inspecting a wafer surface, characterized in that the edge scattered light detection means is arranged on a substantially optical path of laser light irradiated near the edge.
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