JP4786468B2 - 表面実装可能なバラン変成器およびそれが実装されたプリント回路基板 - Google Patents

表面実装可能なバラン変成器およびそれが実装されたプリント回路基板 Download PDF

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Description

[関連出願の相互参照]
本願は、2005年8月23日に出願された米国仮特許出願番号60/710,570の出願日に係る優先的権利を主張するものである。上記仮特許出願の開示内容はこの参照により本願に含まれる。
本発明は、一般に、プリント回路基板上または表面実装パッケージ内に実装可能なバラン変成器(balun transformers)、特に、斯かる変成器がプリント回路基板に一体的に組み込まれるマイクロ波モジュールでの利用によく適した変成器レイアウトに関する。
バランは、例えば同軸ケーブルとはしごライン(ladder line)の間といった、平衡電気信号と不平衡電気信号の間で変換するよう設計されたデバイスである。バランは、シンプルな形の伝送ライン変成器と見なすことができる。伝送ライン変成器の独創性に富んだ研究が1944年にグスタフ・グアネラ(Gustav Guanella)によって行われた。グアネラの変成器は米国特許第2,470,307号明細書に記述されている。グアネラは、平衡不平衡間整合の用途における望ましくないモードを抑えるであろうチョーク(choke)を形成するために、コイル伝送ライン(coiling transmission lines)を提案した。グアネラの変成器は、基本的な構成要素もしくは1:1バランから成る。周知のように、グアネラの変成器のチョーク・リアクタンスは、入力を出力から分離する。斯かるリアクタンスは、通常、伝送ラインをフェライト磁心の周りにコイル巻きにすることによって、あるいはフェライト・ビーズに伝送ラインを通すことによって得られる。一般に、その目的は、最適な特性インピーダンスと一般的に称される、負荷RLの値に等しい伝送ラインの特性インピーダンスZ0を獲得することと、RL(と従ってZ0)よりずっと大きなチョーク・リアクタンスを手にすることにある。コイル伝送ラインを並直列に組み合わせることによって、グアネラはnを伝送ライン数として変圧比が1:n2の非常に幅広いバランを実際に作って見せることができた。図1Aにグアネラの1:4バランを示す。
バランは、異なるタイプの伝送ライン要素を使用して様々な方法で実装されることがある。例えば、比較的低い周波数でバランを形成するために同軸伝送ラインセグメントを使用することができる。しかし、これらのタイプのバランは、表面実装技術が使用されるマイクロ波回路の他の素子と一体化させることが難しい。斯かる技術が利用される場合には、バランはプリント回路基板上に形成されることがある。斯かるバランは既知の方法でプリント回路基板の基板上に形成されたストリップ線路または他の導電性材料から組み立てられることがある。ストリップ線路に加えて、マイクロストリップ線路または他の技術が導電性トレース(conductive traces)を形成するために使用されることがある。一般に、表面実装設計は、プリント回路基板の少なくとも一表面上にプリント回路トレースを有するプリント回路基板上にコンポーネントまたはデバイスが取り付けられることを必要とする。表面実装コンポーネントは、既知の半田付け技術を使用してトレース端子に接続される。
次に、従来技術の変成器の回路図を示した図1Bを参照して説明する。ポート5における接地により生じた非対称性により、このバラン変成器はL1がタップされている接合点で機能することが一般的に必要である。この接合点は、差動信号のゼロ電位を常に有しているわけではない。このため、通常は性能の劣化がもたらされる。図1Bの変成器は、グアネラのバラン変成器が通常その後に続くダイオード二重平衡ミクサに広く利用されている。メリル氏(Merrill)等に帰属する米国特許第6,294,965号明細書は、図1Bの変成器を修正しているが、ミクサに必要とされる加算機能とDC電力供給点を確立することは提供されていない。
図1Cに'965特許に記述された変成器の等価回路図を示す。
表面実装用途においては、設計要求を満足するのに望ましい形状をした様々な回路素子および導電性トレース(conductive traces)を有することが望ましい。そこで本発明の課題は、回路素子のレイアウトを有利によりフレキシブルにすることができるようにプリント回路基板上に実装可能なバラン変成器を提供することにある。
上記課題を解決するための手段の具体的な形態として、好ましくはプリント回路基板に一体的に組み込み可能な表面実装可能なバラン変成器(balun trasformer)が提供される。本発明の変成器は好ましくは、プリント回路基板の一層上に配置された第1の端部および第2の端部を有する第1のC字形ラインセグメントと、プリント回路基板の前記層上に配置された第1の端部および第2の端部を有する第2のC字形ラインセグメントとを具備する。さらに本発明の斯かる形態によれば、各前記C字形ラインセグメントのそれぞれの第1の端部は好ましくは当該変成器に接続するための平衡ポート(balanced port)を提供し、第1のC字形ラインセグメントの第2の端部は好ましくは当該変成器に接続するための不平衡ポート(unbalanced port)を提供する。
さらに本発明の斯かる形態によれば、当該表面実装可能なバラン変成器は、第1のC字形ラインセグメントにブロードサイドに沿って垂直方向に結合した第3のC字形ラインセグメントを更に具備することがある。加えて、当該表面実装可能なバラン変成器は、第2のC字形ラインセグメントにブロードサイドに沿って垂直方向に結合した第4のC字形ラインセグメントを更に具備することがある。
さらに本発明の斯かる形態によれば、第3および第4のC字形ラインセグメントは好ましくは誘電体によって第1および第2のC字形ラインセグメントから隔離されている。
さらに本発明の斯かる形態によれば、当該表面実装可能なバラン変成器は、それぞれ第1のC字形ラインセグメントと第2のC字形ラインセグメントにブロードサイドに沿って垂直方向に部分的に結合した第3のC字形ラインセグメントと第4のC字形ラインセグメントを更に具備することがある。
さらに本発明の斯かる形態によれば、当該表面実装可能なバラン変成器の前記平衡ポートは望ましくは、プリント回路基板の前記層上に前記不平衡ポートの向かい側に配置される。
加えて、本発明の斯かる形態による表面実装可能なバラン変成器は望ましくは、当該バラン変成器をプリント回路基板の電力面に結合する金属化ビア・ホールによって形成された第1のポートを更に具備することがある。
なおさらに本発明の斯かる形態によれば、各前記C字形ラインセグメントは望ましくは直列に繋がった1対のU字形部分を形成するように折り曲げられることがある。
加えて、当該表面実装可能なバラン変成器は、プリント基板の層の間を延びる金属化ビアによって形成された第1のポートを更に具備することがあり、この第1のポートは前記不平衡ポートに隣接した位置にあって前記第2のC字形ラインセグメントの第2の端部に接続され、かつ前記金属化ビアを通じて接地される。
上記課題を解決するための手段の別の形態としてプリント回路基板が提供される。本発明のプリント回路基板は好ましくは、第1の平面層およびこの第1の平面層とは反対側にかつ平行に配置された第2の平面層と、当該プリント回路基板の第1の平面層上に配置された第1の端部および第2の端部を有する第1のC字形ラインセグメントと、第1のC字形ラインセグメントにブロードサイドに沿って垂直方向に結合しており、当該プリント回路基板の第2の平面層上に配置された第1の端部および第2の端部を有する第2のC字形ラインセグメントとを具備する。当該プリント回路基板は好ましくは更に、当該プリント回路基板の第1の平面層上に配置された第1の端部および第2の端部を有する第3のC字形ラインセグメントと、第3のC字形ラインセグメントにブロードサイドに沿って垂直方向に結合しており、当該プリント回路基板の第2の平面層上に配置された第1の端部および第2の端部を有する第4のC字形ラインセグメントと、第1のC字形ラインセグメントおよび第3のC字形ラインセグメントの第2の端部を接続する一方の端部と、不平衡ポートを形成する他方の端部を有する第5のラインセグメントとを具備する。さらに本発明の斯かる形態によれば、第1のC字形ラインセグメントと第3のC字形ラインセグメントの第1の端部は好ましくは平衡ポートを形成し、第2のC字形ラインセグメントの第1の端部は好ましくは不平衡ポートを形成する。
本発明の斯かる形態によれば、各前記C字形ラインセグメントは、好ましくは直列に繋がった1対のU字形部分を形成するように折り曲げられる。
加えて、第2のC字形ラインセグメントの第2の端部は、望ましくは金属化ビアを通じて当該プリント回路基板の第2の平面層上で接地される。
本発明の更に別の形態として、これもプリント回路基板であって、好ましくは第1の平面層およびこの第1の平面層とは反対側にかつ平行に配置された第2の平面層と、前記第1の平面層内に形成された空洞内に配置された電子回路と、前記第1の平面層上に第1の不平衡ポートおよび該第1の不平衡ポートと向かい合った第1の平衡ポートを形成するために、ブロードサイドに沿って垂直方向に結合され直列に接続された1対のC字形結合ラインを有する第1のバラン変成器と、前記第1の平面層上に第2の不平衡ポートおよび該第2の不平衡ポートと向かい合った第2の平衡ポートを形成するために、ブロードサイドに沿って垂直方向に結合され直列に接続された1対のC字形結合ラインを有する第2のバラン変成器と、を具備するプリント回路基板も提供される。本発明の斯かる形態によれば、前記第1および第2の平衡ポートは望ましくは前記電子回路に接続される。
本発明の斯かる形態によれば、前記電子回路は望ましくは、ダイオードリング(diode ring)、ミクサ(mixer)および増幅器から成るグループから選ばれたデバイスを構成することがある。
以下、本発明の実施の最良の形態を図面を参照して詳細に説明する。まず図2に本発明の実施の一形態によるバラン変成器200の等価回路図を示す。変成器200は、5つのポート1、2、3、4、および5を備える。変圧比はZloadで表記され、それは次式で与えられる。
Figure 0004786468
上記変圧比は、カプラ長が1/4波長に等しい場合の周波数に対するものである。Z0は特性インピーダンスで、Z0oddおよびZ0evenはそれぞれ伝送ラインの奇モード(odd mode)インピーダンスおよび偶モード(even mode)インピーダンスである。本発明の斯かる形態によれば、ポート2が接地されるとき、この構造は、ポート1がシングルエンド(single-ended)ポートもしくは不平衡(unbalanced)ポート、ポート3および5が差動(differential)ポートもしくは平衡(balanced)ポートのインピーダンス変換バランとして望ましく機能する。更に詳しく後述するように、バラン変成器として機能するときにはポート2および4は好ましくは接地される。
次に、図3に本発明の実施の一形態による表面実装可能なバラン変成器300のレイアウトを示す。変成器300は、変成器がプリント回路基板に一体的に組み込まれ、能動デバイスまたはコンポーネントが空洞内に取り付けられるマイクロ波モジュール回路における利用に有利に適合する。変成器300は、4本のラインセグメント304、308、312、および316を含む。各々のラインセグメントは、プリント回路基板上にトレースを形成する。各トレースは、ストリップラインまたはマイクロストリップラインで構成されることがある。ストリップラインまたはマイクロストリップラインは、その両面上に2枚の平行な接地面を有する誘電体媒質を基板とした導電性金属トレースとして形成可能な伝送ラインである。見やすくするため、誘電体媒質または基板は図3には描かれていないが、ラインセグメント304および308が誘電体基板の第1の表面上に配置され、ラインセグメント312および316が誘電体基板の第1の表面とは反対側の第2の表面上に配置されることが可能な多層構造を成すものとして容易に認識することができよう。加えて、誘電体基板は多くの場合、基板の両面上に2枚の平行な接地面を含む。好ましくは、導電性材料の層は銅から成り、誘電体基板は好ましくは低損失高周波ラミネートもしくはそれと同等なものから成る。ラインセグメントのインピーダンスは、セグメントの大きさと使用される誘電体のタイプによって決まる。当業者には周知のように、誘電体材料の選択とラインセグメントのサイジング(sizing)は、特定の設計要求および/または制約を満足するように選ばれることがある。
加えて、1本の結合ラインセグメント(coupled line segment)は、一定の距離だけ離れた2本のラインから成る構造として一般に知られている。図3に示したような多層構造では、結合ラインセグメントは、その上下の層上に接地面を有する同一層上の2本の平行なトレースとして、あるいは2枚の隣接する層上に配置された平行なトレースとして形成される場合がある。更に詳しく後述するように、プリント回路基板はバラン変成器300のポートに電気的に接続可能な他の表面実装コンポーネントを含む場合がある。
図3に示すように、第1のラインセグメント304は、ポート3を形成する第1の端部3041を含む。第1のラインセグメント304は、ポート2に接続した第2の端部3042も含む。ポート2は、別個のシリンダ形ブロックとして描かれており、それは好ましくはビア(via)として形成されていることに注意されたい。このことは、ポート4およびここに図示された任意の他の類似の要素にも当てはまる。ラインセグメント308は、第1の端部3081および第2の端部3082を含む。図示したように、第1の端部3081がポート5を形成する一方で第2の端部3082がポート1を形成する。
各々のラインセグメントは、基板上のトレースの横幅Dで規定されたブロードサイド(broadside)(つまり幅が広い方の側面)を含む。好ましい実施形態として、図3に示した各々のラインセグメントは、本発明では限定はされないが同じ横幅Dを有する。当業者には周知のように、この寸法は、特に、垂直方向に対向する表面上に配置されたトレースに関して設計要件を満足するために変わる場合がある。
上述したように、ポート2およびポート4は、それぞれ好ましくはビア(via)またはビア・ホール(via-hole)によって形成される。好ましい実施形態では、これらのポートはそれぞれビアによって、ラインセグメントがその上に配設されたプリント回路基板の電力面に接続される。加えて、好ましい実施形態では、これらのポートは両方とも接地される。図3に示すように、ラインセグメント316の第1および第2の端部、すなわち3161および3162は、ポート2とポート4を形成するビアにそれぞれ接続される。加えて、ラインセグメント312の第1の端部3121はポート4に接続される。ラインセグメント312の第2の端部3122もビアに接続される。
本発明の実施の一形態として、各々のラインセグメント304、308、312および316は、プリント回路基板の一表面上にC字形ラインセグメントまたは導電性トレースを構成する。多層構造では、これらのラインセグメントまたは導電性トレースはプリント回路基板内に配設される場合もある。これも図3に示すように、ラインセグメント304および312は、ブロードサイドに沿う結合ライン(broadside coupled line )を備える。加えて、ラインセグメント308および316も同様にブロードサイドに沿って結合したラインセグメントまたは伝送ラインを構成する。さらに、ラインセグメントの第1の端部3081および3041は、変成器300の差動または平衡ポートを構成する。ラインセグメント308の第2の端部3082は、変成器300の不平衡ポートを構成する。本発明の実施の一形態によれば、平衡ポートと不平衡ポートは両方とも、変成器300がその上に組み立てられたプリント回路基板の同一平面内または同一表面上に存在する。この点において、単一層上に差動または平衡出力を設けることによってプリント回路基板上の空洞内に取り付けられた能動コンポーネントに直接的に結合(インタフェース)することが可能となる。加えて、本発明の斯かる実施形態によれば、レイアウトは2枚の信号層のみを必要とする。さらに、伝送ラインが部分的に結合される場合、より高いモードのインピーダンスが実現可能となり、それによりオーム損失と占有エリアを小さく保つことが可能となる。標準的なプリント回路基板技術を使用して構築されるとき、変成器300は0.1乃至20GHzの周波数レンジから成る用途に利用されるのが望ましい。我々はここで述べた回路またはレイアウトを実施するために約0.20センチ(2ミリ)(約0.08インチ(8ミル))のトレース幅が使用可能であることを見出したが、トレース幅は基板材料の厚みに依存する。
次に、図4に本発明の実施の更なる一形態による表面実装可能なバラン変成器400を示す。機能的には、変成器400は図3の変成器300と同じように働く。しかしながら、結合伝送ラインを構成するラインセグメントは異なった形状をしている。それらは折り曲げられている。特に、各々のラインセグメント404、408、412、および416は、y軸について対称的に直列に繋がったU字形トレースのペアとして形成されている。図4のレイアウトは、プリント回路基板上のエリアのより有効な利用を可能にするとともに、より大きなフレキシビリティも可能にする。このことは、小型化が重要な場合に一般的に望ましい。図3との関係で既に議論したように、ポート3およびポート5は、信号を変成器400に接続または結合するための平衡ポートを構成する。ポート1は、変成器に接続する不平衡ポートを構成する。ポート2およびポート4は、好ましくは基板の電力面に接続されるとともに、好ましくは接地されるビアから成る。
次、図5に本発明の実施の更なる一形態によるプリント回路基板500の側面図を示す。図5に示すように、基板500は、第1の表面層510、中間層516および第2の表面層520を含む。第1および第2の表面層510、520は、実質的に互いに平行に広がる平面(planar surfaces)を成す。これら2枚の表面層を分離する中間層516は、好ましくは誘電体から成る。各々のブロックC1、C2、C3、およびC4は、図示された表面上のラインセグメントまたはトレースを表す。これらのトレースは、既に述べたようなC字形状または図4の折り曲げられた形状をしている。ラインセグメントC1およびC2は、ブロードサイドに沿って垂直方向に部分的に結合した伝送ラインを構成する。ラインセグメントC3およびC4も同じようにブロードサイドに沿って垂直方向に部分的に結合した伝送ラインを構成する。既に言及したように、伝送ラインをそれらのブロードサイドに沿って垂直方向(つまり基板に垂直な方向)に部分的に結合させることによって、オーム損失を低く保ったまま、より高いモードのインピーダンスが実現可能である。しかしながら、結合ラインは、C1をC2の真上に来るように位置合わせし、C3をC4の真上に来るように位置合わせすることによって、ブロードサイドに沿って垂直方向に全面的に結合した伝送ラインを構成することに注意する。
前述の説明によれば、本発明の実施の1つの形態は、好ましくは片側で直列に繋がった少なくとも2本のC字形ブロードサイド結合ライン(ブロードサイドに沿って結合しされたライン)から成るプリントライン構造体であってポート3およびポート5が個別にその構造体から出るようにしたものである。加えて、ポート4は好ましくは、プリント回路基板の電力面に直接接続することができるあるいは同相信号(common mode signal)をタップするために使用することができるビアによって形成される。さらに、ポート1が構造体の反対側に出て、ポート2がこれも基板の電力面に直接接続することができるビアによって形成されるように、ラインは並列に接続される。本発明の斯かる形態によれば、ポート5とポート3はカプラから直接採られ、ポート4は両方のC字形カプラの接合点である。ポート1とポート2は金属化ビア・ホールを通じて採られる。更に、本発明の斯かる形態によれば、伝送ラインは図4に示したように折り曲げられる。さらに、結合ラインが図5に示したようにブロードサイドに沿って垂直方向に部分的に結合した伝送ラインである場合には、より高い奇モード(odd mode)インピーダンスがオーム損失を低く保ったまま実現することが可能である。加えて、結合ラインはブロードサイドに沿って垂直方向に全面的に結合した伝送ラインである場合がある。
図6に本発明の実施の別の形態として変成器700の回路図を示す。図6によれば、ポート3およびポート4の間の差動信号は、インピーダンス変換(impedance transformation)Z1でポート1のシングルエンド信号(single ended signal)に変換される。Z1は次式によって与えられる。
Figure 0004786468
0は、カプラ長が1/4波長に等しい場合の周波数に対して既に示したように、Zodd*Zevenの平方根に等しい。ポート3およびポート4の同相信号は、ポート2のシングルエンド信号として変換される。誘導素子L1は、差動シングルエンド(バラン)変換の高周波性能を改善するために提供される。L1は伝送ラインの一部で構成される。ポート2は、コンポーネントを追加する必要なくDC電流を回路に供給するためにも使用されることがある。本発明の実施の更なる形態によれば、図6のプリント回路基板レイアウトは、変成器がポートの1つを接地することによってシングルエンド変換に差動を与えることを望ましく可能にする。図7は図6の変成器の等価回路図である。
図8に本発明の実施の一形態による表面実装可能なバラン変成器1000のレイアウトを示す。変成器1000は、4つのポート1、2、3、および4を含む。変成器1000は、5本のラインセグメント1004、1008、1012、1016、および1020を含む。ラインセグメント1004、1008は、プリント回路基板の第1の基板層(図示されていない)上に配置されている。各々のラインセグメント1004、1008は、それぞれ第1の端部10041、10081を含む。これらの第1の端部は、それぞれ変成器1000の平衡ポート、ポート3、ポート4を構成する。ラインセグメント1004、1008は、それらの他端部を成すところで接合していることを除いてx軸について対称的に2本のC字形トレースを平面内に形成する。ビア1026に近い位置にあるその他端部は、図面には矢印1030で示されている。
第5のラインセグメント1020は、場所1030近くから図示されたラインセグメント1008の2つ部分に平行かつ隣接して延びている。ラインセグメント1020は、図6および図7に示したインダクタL1を構成する。
同じく図に示すように、ラインセグメント1012は第1の端部10121と第2の端部10122を含む。ラインセグメント1012は、基板の第1の表面と平行に広がる第2の表面上の平面内に配置されている。ラインセグメント1004と1012は、一緒になってブロードサイドに沿って垂直方向に結合した伝送ラインを構成する。同様に、ラインセグメント1008と1016は、ブロードサイドに沿って垂直方向に結合した伝送ラインを構成する。加えて、ラインセグメント1016は、第1の端部10161と第2の端部10162を含む。第1の端部10161は、接地ビア(grounding via)1026で終端する。第2の端部10162は、第2の端部10122と一緒に接地ビア(grounding via)1032で終端する。我々は、便宜上、変成器1000を0/180・4ポートネットワークもしくはマイクロ波ハイブリッド・レイアウトを構成するものと言う。
図9に二重平衡ダイオードミクサ(double balanced diode mixer)1100の回路図を示す。本発明の実施の一形態によれば、ミクサ1100は図10に示すようにプリント回路基板上に配置(レイアウト)されることがある。図10のミクサ・レイアウト1200は、本発明の既に説明した形態に基づいて実装された1対のバラン変成器1204、1208を含む。特に、これらの変成器1204、1208は、それぞれブロードサイドに沿って垂直方向に結合したC字形伝送ラインのペアを含む。特に、局部発振器信号(local oscillator signal)は、不平衡LOポート1212に印加される。局部発振器信号は、次に変成器1208によって差動または平衡ポート12161、12162を通じてダイオードリング1214と結合する。IFポート1220に現れる中間周波数信号も同じく平衡ポート12161および12162でダイオードリング1214と結合する。
他方の変成器1204の平衡ポート12241、12242は、混合信号(mixed signals)を変成器1204の不平衡RFポート1230に結合させる。回路1200のミクサは、信号をミックスアップまたはミックスダウンする働きをすることができることは認識されるはずである。すなわち、それは局部発振器信号を中間周波数信号と混同してより周波数が高いRF信号を生成する回路を構成することができる。他方、それは局部発振器信号をRF信号と混合して中間周波数信号を生成する信号を構成することができる。
図11に図12に示した表面実装可能なバラン変成器に基づいてレイアウトされた二重平衡ミクサ1300を示す。図示したように、図12のミクサ1400は2つのバラン変成器1410、1420を含む。バラン変成器1410は、図3との関係で議論されたレイアウトで構成される。変成器1420は、図8に議論されたハイブリッド・レイアウトで構成される。図示したように、ハイブリッド・レイアウト1420は、中間周波数信号がより都合良く局部発振器ポートの信号と結合し混合することを可能にする。斯かる点において、両方の信号は不平衡ポート1424と結合する。それらの信号は、次に平衡ポート14301および14302を通じてダイオードリング1428に提供される。ダイオードリング1428からのRF信号は、平衡ポート14361および14362を通じて変成器1410の不平衡ポート1434と結合する。こうして、ハイブリッド変成器1420はより複雑でないレイアウトを可能にする。加えて、それがRF信号と局部発振器をミクサまたはダイオードリング1428に結合するように混合順序を逆にしてハイブリッドを置くことによって、ミクサはダウンコンバータとして働く場合がある。
図13、図14、および図15に、本発明の実施の更なる形態として、上述したレイアウトを使用して実施可能な他の電子デバイスの等価回路図を示す。図13は、プッシュプル増幅器の等価回路を示した図である。本発明の実施の追加的な形態として、図14は反射FETミクサの等価回路を示した図で、図15は二重平衡FETミクサの等価回路を示した図である。これらのデバイスまたは電子回路は、それぞれ上述した変成器レイアウトを使用して有利に実施されることが可能である。これらの回路に我々の変成器を使うことによって、周波数帯域幅は低損失性能を保ちつつ有利に拡張される。加えて、ここに開示された変成器を使用して実施される回路は、共振が望まれる帯域幅で発生すること低減し(場合によっては防止し)、安定したインピーダンスを実現する。さらに、斯かる回路は有利に優れた位相/振幅整合も示す。
図16に本発明の実施の一形態による多層プリント回路基板1800を示す。この基板は、3枚の層1804、1808および1812を含む。これらの層は、それぞれx軸とy軸に沿って広がる平面を成す。また、各々の面は互いに平行に広がり、かつ互いにz軸に関して間隔を置いて配置されている。図示されているように、基板は多数のはんだパッド(solder pad)1820と空洞1830を含む。ダイオードリング1836は、空洞1830内に配置されている。ダイオードリングは、このとき図10または図14に関して述べたようにバラン変成器に接続される。特に、IF(intermediate frequency)ポートははんだパッド1840で形成されることがある。RFおよびIFポートは、はんだパッド1844および1848であるいはその逆に形成されることがある。
ここまで本発明は特定の実施形態について説明がなされてきたが、これらの実施形態は単に本発明の原理と用途を説明するためのものであることは理解されたい。従って、上述した実施形態に多数の修正と変更を加えることができること、また本願特許請求の範囲の各請求によって画定される本発明の範囲を逸脱することなく、他の構成(アレンジ)も考案することができることは理解されたい。
従来技術によるグアネラ型1:4インピーダンス変成器の回路図である。 二重平衡ミクサに使用される従来技術による変成器の回路図である。 従来技術によるバラン変成器の等価回路図である。 本発明の実施の一形態によるバラン変成器の等価回路図である。 本発明の実施の一形態によるバラン変成器のレイアウトの斜視図である。 本発明の実施の一形態によるバラン変成器のレイアウトの斜視図である。 本発明の実施の一形態によるバラン変成器のレイアウトの側面図である。 本発明の実施の一形態による変成器の回路図である。 本発明の実施の一形態による図6の等価回路図である。 本発明の実施の一形態によるバラン変成器のレイアウトの斜視図である。 本発明の実施の一形態による二重平衡ダイオードミクサの回路図である。 本発明の実施の一形態による二重平衡ダイオードミクサのレイアウトの斜視図である。 本発明の実施の一形態による二重平衡ミクサの回路図である。 本発明の実施の一形態による二重平衡ミクサのレイアウトの斜視図である。 本発明の実施の一形態によるプッシュプル増幅器の回路図である。 本発明の実施の一形態による反射ミクサの回路図である。 本発明の実施の一形態による二重平衡FETミクサの回路図である。 本発明の実施の一形態による多層平面回路基板のレイアウトの斜視図である。
符号の説明
300 バラン変成器
304、308、312、316 C字形ラインセグメント
3081、3041 平衡ポート
3082 不平衡ポート

Claims (13)

  1. プリント回路基板に一体的に組み込むための表面実装可能なバラン変成器であって、
    前記プリント回路基板の第1の層上に配置される第1の端部および第2の端部を有する第1のC字形ラインセグメントと、
    前記プリント回路基板の前記第1の層上に配置される第1の端部および第2の端部を有する第2のC字形ラインセグメントと、
    少なくとも一部が、前記第1のC字形ラインセグメントの少なくとも一部に平行でありかつ反対側になるように、前記プリント回路基板の前記第1の層とは反対側でかつ平行な第2の層上に配置される第3のC字形ラインセグメントと、
    少なくとも一部が、前記第2のC字形ラインセグメントの少なくとも一部に平行でありかつ反対側になるように、前記第2の層上に配置される第4のC字形ラインセグメントと、を具備し、
    前記第1および第2のC字形ラインセグメントの第1の端部は、当該変成器に接続するための平衡ポートを前記プリント回路基板の前記第1の層上に提供し、前記第1のC字形ラインセグメントの第2の端部は当該変成器に接続するための不平衡ポートを前記プリント回路基板の前記第1の層上に提供する、ことを特徴とする表面実装可能なバラン変成器。
  2. 前記第3および第4のC字形ラインセグメントは、誘電体によって第1および第2のC字形ラインセグメントから隔離されていることを特徴とする請求項1に記載の表面実装可能なバラン変成器。
  3. 前記平衡ポートは、前記プリント回路基板の前記第1の層上に前記不平衡ポートの向かい側に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の表面実装可能なバラン変成器。
  4. プリント回路基板に一体的に組み込むための表面実装可能なバラン変成器であって、
    前記プリント回路基板の第1の層上に配置される第1の端部および第2の端部を有する第1のC字形ラインセグメントと、
    前記プリント回路基板の前記第1の層上に配置される第1の端部および第2の端部を有する第2のC字形ラインセグメントと、
    前記バラン変成器の前記第1の層を前記プリント回路基板の電力面に結合する金属化ビア・ホールによって形成された第1のポートと、具備し、
    前記各C字形ラインセグメントのそれぞれの第1の端部は、当該変成器に接続するための平衡ポートを前記プリント回路基板の前記第1の層上に提供し、前記第1のC字形ラインセグメントの第2の端部は当該変成器に接続するための不平衡ポートを前記プリント回路基板の前記第1の層上に提供する、ことを特徴とする表面実装可能なバラン変成器。
  5. 前記プリント回路基板の前記第1の層上に平衡ポートを提供する前記各C字形ラインセグメントの第1の端部に隣接した位置にある金属化ビア・ホールによって形成された第2のポートを更に具備することを特徴とする請求項に記載の表面実装可能なバラン変成器。
  6. 前記第1および第2のC字形ラインセグメントの各々は、前記第1および第2のC字形ラインセグメントの各々が互いに直列に繋がった1対のU字形部分を形成するように折り曲げられていることを特徴とする請求項に記載の表面実装可能なバラン変成器。
  7. 第1の平面層およびこの第1の平面層とは反対側にかつ平行に配置された第2の平面層と、
    当該プリント回路基板の第1の平面層上に配置された第1の端部および第2の端部を有する第1のC字形ラインセグメントと、
    少なくとも一部が、前記プリント回路基板の前記第1の平面層上に配置された前記第1のC字形ラインセグメントの少なくとも一部に平行でありかつ反対側になるように、当該プリント回路基板の前記第2の平面層上に配置された第1の端部および第2の端部を有する第2のC字形ラインセグメントと、
    当該プリント回路基板の前記第1の平面層上に配置された第1の端部および第2の端部を有する第3のC字形ラインセグメントと、
    少なくとも一部が、前記プリント回路基板の前記第1の平面層上に配置された前記第3のC字形ラインセグメントの少なくとも一部に平行でありかつ反対側になるように、当該プリント回路基板の前記第2の平面層上に配置された第1の端部および第2の端部を有する第4のC字形ラインセグメントと、
    前記第1の平面層上に配置され、前記第1および第3のC字形ラインセグメントの前記第2の端部に接続された一方の端部、および第1の不平衡ポートを前記プリント回路基板の前記第1の平面層上に形成する他方の端部を有する第5のラインセグメントと、を具備し、
    前記第1のC字形ラインセグメントの第1の端部と前記第3のC字形ラインセグメントの第1の端部は前記第1の平面層上に平衡ポートを形成し、前記第2のC字形ラインセグメントの第1の端部は第2の不平衡ポートを前記プリント回路基板の第2の平面層上に形成する、ことを特徴とするプリント回路基板。
  8. 前記各C字形ラインセグメントは、前記各C字形ラインセグメントが互いに直列に繋がった1対のU字形部分を有するように折り曲げられていることを特徴とする請求項に記載のプリント回路基板。
  9. 前記第2のC字形ラインセグメントの第2の端部は、金属化ビアを通じて当該プリント回路基板の第2の平面層上で接地されていることを特徴とする請求項に記載のプリント回路基板。
  10. 第1の平面層およびこの第1の平面層とは反対側にかつ平行に配置された第2の平面層と、
    前記第1の平面層内に形成された空洞内に配置された電子回路と、
    前記第1の平面層上に第1の不平衡ポートおよび該第1の不平衡ポートと向かい合った第1の平衡ポートを有する第1のバラン変成器と、
    前記第1の平面層上に第2の不平衡ポートおよび該第2の不平衡ポートと向かい合った第2の平衡ポートを有する第2のバラン変成器と、を具備し、
    前記第1および第2の平衡ポートは前記電子回路に接続されており
    前記第1のバラン変成器および第2のバラン変成器の各々は、
    前記プリント回路基板の前記第1の平面層上に配置される第1の端部および第2の端部を有する第1のC字形ラインセグメントと、
    前記プリント回路基板の前記第1の平面層上に配置される第1の端部および第2の端部を有する第2のC字形ラインセグメントと
    少なくとも一部が、前記プリント回路基板の前記第1の平面層上に配置された前記第1のC字形ラインセグメントの少なくとも一部に平行でありかつ反対側になるように、前記プリント回路基板の前記第2の平面層上に配置される第3のC字形ラインセグメントと
    少なくとも一部が、前記プリント回路基板の前記第1の平面層上に配置された前記第2のC字形ラインセグメントの少なくとも一部に平行でありかつ反対側になるように、前記プリント回路基板の前記第2の平面層上に配置される第4のC字形ラインセグメントと、を具備し
    前記第1および第2のC字形ラインセグメントの第1の端部は、前記プリント回路基板の前記第1の平面層上に、電子デバイスに接続された前記第1および第2の平衡ポートのうち1つを形成し
    前記第1のC字形ラインセグメントの第2の端部は、前記プリント回路基板の前記第1の平面層上に、前記第1および第2の不平衡ポートのうち1つを提供する、ことを特徴とするプリント回路基板。
  11. 前記電子回路は、ダイオードリング、ミクサおよび増幅器から成るグループから選ばれたデバイスを構成する、ことを特徴とする請求項10に記載のプリント回路基板。
  12. 前記第1の平衡ポートは、前記第1の不平衡ポートによって前記ダイオードリングに結合される局部発振器信号に接続可能であることを特徴とする請求項11に記載のプリント回路基板。
  13. 前記第2の不平衡ポートは前記ダイオードリングからの高周波信号を前記第2の平衡ポートに結合させることを特徴とする請求項12に記載のプリント回路基板。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI345243B (en) * 2007-08-14 2011-07-11 Ind Tech Res Inst Inter-helix inductor devices
US7872843B2 (en) * 2008-04-03 2011-01-18 Ciena Corporation Telecom power distribution unit with integrated filtering and telecom shelf cooling mechanisms
US7948332B2 (en) * 2008-09-30 2011-05-24 Raytheon Company N-channel multiplexer
US7902939B2 (en) * 2008-10-17 2011-03-08 Infineon Technologies Ag Stripline balun
KR101296694B1 (ko) * 2009-01-08 2013-08-19 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 전자 부품
US8093959B1 (en) * 2009-03-16 2012-01-10 Triquint Semiconductor, Inc. Compact, low loss, multilayer balun
US8319573B2 (en) * 2009-12-23 2012-11-27 Infineon Technologies Austria Ag Signal transmission arrangement
US8963656B2 (en) * 2010-05-24 2015-02-24 Silicon Image, Inc. Apparatus, system, and method for a compact symmetrical transition structure for radio frequency applications
US8570116B2 (en) * 2011-09-20 2013-10-29 Werlatone, Inc. Power combiner/divider
ITMI20121238A1 (it) * 2012-07-17 2014-01-18 St Microelectronics Srl Dispositivo trasformatore balun planare
DE102012107873B4 (de) * 2012-08-27 2019-02-14 Snaptrack, Inc. Duplexer
DE102012107877B4 (de) * 2012-08-27 2016-01-07 Epcos Ag Duplexer
US9449746B2 (en) 2012-10-17 2016-09-20 Covidien Lp Methods of manufacturing planar transformers
US9196414B2 (en) 2012-10-17 2015-11-24 Covidien Lp Planar transformers having reduced termination losses
US9362883B2 (en) * 2013-03-13 2016-06-07 Tdk Corporation Passive radio frequency signal handler
TWI489761B (zh) * 2013-03-22 2015-06-21 Univ Nat Taiwan 整流模組、其電子裝置及其整流方法
US9502746B2 (en) * 2015-02-04 2016-11-22 Tyco Electronics Corporation 180 degree hybrid coupler and dual-linearly polarized antenna feed network
WO2018063684A1 (en) * 2016-09-30 2018-04-05 Intel Corporation 3d high-inductive ground plane for crosstalk reduction
US10224895B2 (en) 2017-01-03 2019-03-05 Raytheon Company Transmission line transformers
CN107946714B (zh) * 2017-12-19 2023-07-04 成都芯通软件有限公司 一种平面巴伦
US10978771B2 (en) * 2018-08-31 2021-04-13 Innovation Sound Technology Co., Ltd. Lumped circuit balance converter applied to double-sided parallel lines
JP6989465B2 (ja) * 2018-09-05 2022-01-05 株式会社東芝 磁気カプラ及び通信システム
US20220189677A1 (en) * 2020-12-15 2022-06-16 Intel Corporation Multi-layer balanced-to-unbalanced (balun) transmission line transformer with harmonic rejection
CN113036330B (zh) * 2021-03-25 2022-04-12 南通大学 一种基于双模介质谐振器的同频双通道滤波巴伦
CN115810891B (zh) * 2023-01-13 2023-05-12 安徽蓝讯通信科技有限公司 基于ltcc多线耦合的巴伦及通信设备

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL67302C (ja) * 1944-02-25
DE1466505C1 (de) * 1965-04-17 1977-12-22 Telefunken Patentverwaltungsgm Guanella-UEbertrager
US4193048A (en) * 1978-06-22 1980-03-11 Rockwell International Corporation Balun transformer
JPH0346804A (ja) * 1989-07-14 1991-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 混合器
FR2652197B1 (fr) * 1989-09-18 1992-09-18 Motorola Semiconducteurs Borde Transformateurs du type symetrique-dissymetrique perfectionnes.
US5003622A (en) * 1989-09-26 1991-03-26 Astec International Limited Printed circuit transformer
US5745017A (en) * 1995-01-03 1998-04-28 Rf Prime Corporation Thick film construct for quadrature translation of RF signals
US5644272A (en) * 1996-03-05 1997-07-01 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson High frequency balun provided in a multilayer substrate
US6263198B1 (en) * 1996-06-14 2001-07-17 Wj Communications, Inc. Multi-layer printed wiring board having integrated broadside microwave coupled baluns
US5697088A (en) * 1996-08-05 1997-12-09 Motorola, Inc. Balun transformer
US5808518A (en) * 1996-10-29 1998-09-15 Northrop Grumman Corporation Printed guanella 1:4 balun
JPH10200360A (ja) * 1997-01-07 1998-07-31 Tdk Corp 積層バルントランス
US6294965B1 (en) * 1999-03-11 2001-09-25 Anaren Microwave, Inc. Stripline balun
US6396362B1 (en) * 2000-01-10 2002-05-28 International Business Machines Corporation Compact multilayer BALUN for RF integrated circuits
CA2303976A1 (en) * 2000-04-06 2001-10-06 Larcan Inc. Stripline coupling
SE0004794L (sv) * 2000-12-22 2002-06-23 Ericsson Telefon Ab L M En flerskikts-symmetreringstransformatorstruktur

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