JP4784178B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 一方の主表面と、他方の主表面と、側面とを有する半導体基板を備えた半導体装置において、
前記一方の主表面と他方の主表面とが、結晶面が(111)面であり、
前記側面が、面方位(1,−2,1)面と等価な6面を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記一方の主表面から高不純物濃度の第2導電型の第2半導体領域が、低不純物濃度の第1導電型の第1半導体領域内部に延びるよう形成され、
前記一方の主表面の第2半導体領域にオーミック接続された第1電極と、
他方の主表面から高不純物濃度の第1導電型の第3半導体領域が、前記第1半導体領域内部に延びるよう形成され、
前記他方の主表面の第3半導体領域にオーミック接続された第2電極を有し、
前記第2導電型の第2半導体領域と第1導電型の第1半導体領域との接合部が前記側面に露出していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、前記第1電極及び第2電極には、それぞれアノード電極及びカソード電極とが半田を介して接続されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項2に記載の半導体装置において、前記半導体基板の側面がポリイミドシリコーン系樹脂あるいはガラスで被覆されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項2に記載の半導体装置において、前記第1電極及び第2電極が、ハンダを介してアノード電極あるいは、カソード電極に接続し、前記アノード電極あるいはカソード電極が、前記半導体基板を収容する容器状の形状であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項5に記載の半導体装置において、前記半導体基板の側面がシリコーンゴムで被覆されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項2に記載の半導体装置において、前記第2導電型の第2半導体領域と第1導電型の第1半導体領域との接合部が露出している面方位(1,−2,1)面と等価な6面の側面が、面方位(1,−2,1)面と、面方位(−1,−1,2)面と、面方位(2,−1,−1)面と、面方位(1,1,−2)面と、面方位(−2,1,1)面とであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項7において、前記半導体基板がシリコン単結晶基板であることを特徴とする半導体装置。
- 一方の主表面と、他方の主表面と、側面とを有する半導体基板を備えた半導体装置において、
前記一方の主表面と他方の主表面とが、結晶面が(111)面であり、
前記側面が、面方位(1,−2,1)面と等価な6面と、面方位(1,−1,0)と等価な6面とを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項9に記載の半導体装置において、
前記一方の主表面から高不純物濃度の第2導電型の第2半導体領域が、低不純物濃度の第1導電型の第1半導体領域内部に延びるよう形成され、
前記一方の主表面の第2半導体領域にオーミック接続された第1電極と、
他方の主表面から高不純物濃度の第1導電型の第3半導体領域が、前記第1半導体領域内部に延びるよう形成され、
前記他方の主表面の第3半導体領域にオーミック接続された第2電極を有し、
前記第2導電型の第2半導体領域と第1導電型の第1半導体領域との接合部が前記側面に露出していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項10に記載の半導体装置において、前記第1電極及び第2電極には、それぞれアノード電極及びカソード電極とが半田を介して接続されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項10に記載の半導体装置において、前記第1電極及び第2電極が、ハンダを介してアノード電極あるいは、カソード電極に接続し、前記アノード電極あるいはカソード電極が、前記半導体基板を収容する容器状の形状であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項12に記載の半導体装置において、前記半導体基板の側面がシリコーンゴムで被覆されていることを特徴とする半導体装置。
- 一方の主表面と、他方の主表面と、側面とを有する半導体基板を備えた半導体装置において、
前記一方の主表面と他方の主表面とが、結晶面が(111)面であり、
前記側面が、面方位(1,−2,1)面と等価な6面と、面方位(1,−1,0)と等価な6面とを有し、
前記一方の主表面に現れている前記面方位(1,−2,1)面と等価な6面の辺である第1の縁の長さと、
前記一方の主表面に現れている前記面方位(1,−1,0)面と等価な6面の辺である第2の縁の長さとが異なることを特徴とする半導体装置。 - 請求項14に記載の半導体装置において、前記一方の主表面に現れている前記面方位(1,−2,1)面と等価な6面の辺である第1の縁の長さが、前記一方の主表面に現れている前記面方位(1,−1,0)面と等価な6面の辺である第2の縁の長さより長いことを特徴とする半導体装置。
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