JP4783997B2 - 接触・非接触兼用型ｉｃモジュールとその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 41
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 18
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 239000004918 carbon fiber reinforced polymer Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
- H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣカード，ＳＩＭ，ＩＣタグなどに使用される接触・非接触兼用型などのＩＣモジュールとその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
接触・非接触兼用型ＩＣカードは、カードの外部端子と外部処理装置の端子とを接触させて、データの送受信を行う接触方式の機能と、電磁波でデータの送受信を行うアンテナコイルとデータ処理のためのＩＣ回路を内蔵し、外部処理装置との間の読み書きをいわゆる無線方式で行うと共に、ＩＣ回路の駆動電力が電磁誘導で供給され、バッテリを内蔵しない非接触方式の機能とを、１枚のカードに持たせたものである。
【０００３】
特開平７−２３９９２２号は、ＩＣカード用のＩＣモジュールとして、表面にアンテナの導体パターンと、端子電極の導体パターンとをそれぞれ設け、これらの導体パターンをスルーホールを介して、ＩＣモジュール内部のＩＣチップと電気的に接続する発明が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、各導体パターンとＩＣチップとをワイヤボインディングにより接続する場合に、ＩＣチップに圧力がかかるため、ＩＣチップにはその圧力に耐えうる程度の厚さが必要とされ、薄型化の障害となっていた。
また、構造及び工程が複雑であり、作業工程が多いため、信頼性が低く、製造コストが高くなる問題があった。
【０００５】
本発明の課題は、構造が簡単で信頼性が高く、製造工程の簡素化及び薄型化を図ることができる接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。すなわち、請求項１の発明は、封止樹脂からなる基板と、前記基板の一方の面に埋め込まれ、接続端子部が外側になるように配置された接触・非接触兼用型ＩＣチップと、前記接続端子部に接続され、前記基板の一方の面に形成され、外部に露出した外部接触用端子と、前記基板の一方の面に形成され、前記外部接触用端子と同じ層構造を有し、外部に露出した非接触通信用アンテナと、前記基板の一方の面で少なくとも前記接触・非接触兼用型ＩＣチップを覆う絶縁層と、前記接触・非接触兼用型ＩＣチップの接続端子部上に積層され、前記外部接触用端子及び前記非接触通信用アンテナと一体に形成され、前記絶縁層を貫通して前記外部接触用端子及び前記非接触通信用アンテナと前記接続端子部との間を電気的に接続する接続部と、を備えた接触・非接触兼用型ＩＣモジュールである。
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールにおいて、前記外部接触用端子及び前記非接触通信用アンテナの接続端子部は、前記接触・非接触兼用型ＩＣチップの接続端子部と接触して形成されること、を特徴とする接触・非接触兼用型ＩＣモジュールである。
【０００９】
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールにおいて、前記非接触通信用アンテナは、アンテナ内側領域に対して前記外部接触用端子をずらして配置することにより、その前記外部接触用端子と干渉しないアンテナ有効領域が確保されていること、を特徴とする接触・非接触兼用型ＩＣモジュールである。
【００１０】
請求項４の発明は、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法であって、前記基板の一方の面に、前記接続端子部が外側になるように前記接触・非接触兼用型ＩＣチップを埋め込むＩＣチップ埋め込み工程と、前記基板の一方の面に前記接触・非接触兼用型ＩＣチップを覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層に、前記接触・非接触兼用型ＩＣチップの前記接続端子部に連通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記絶縁層上から前記貫通孔を埋めるように導電層を積層することにより、前記基板の一方の面に前記非接触通信用アンテナ及び前記外部接触用端子と、前記接続部とを一体かつ同時に形成するアンテナ・外部接触用端子形成工程と、を備えた接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法である。
請求項５の発明は、請求項４に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法において、前記接触・非接触兼用型ＩＣチップを削ることにより薄くする切削工程を備えること、を特徴とする接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法である。
請求項６の発明は、請求項４又は請求項５に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法において、前記接触・非接触兼用型ＩＣモジュールは、同一面で複数製造する多面付けにより製造されること、を特徴とする接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法である。
請求項７の発明は、請求項４から請求項６までのいずれか１項に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法において、前記アンテナ・外部接触用端子形成工程は、エッチング及び／又はめっきにより非接触通信用アンテナ、外部接触用端子及び接続部を形成すること、を特徴とする接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法である。
請求項８の発明は、請求項４から請求項７までのいずれか１項に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法において、前記アンテナ・外部接触用端子形成工程は、アンテナ内側領域に対して前記外部接触用端子をずらして配置することにより、その前記外部接触用端子と干渉しないアンテナ有効領域が確保するように形成すること、を特徴とする接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面等を参照して、本発明の実施の形態について、さらに詳しくに説明する。
図１、図２は、本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第１実施形態を示す図である。
【００２０】
第１実施形態の接触・非接触兼用型ＩＣモジュール１１０は、図２（ｇ）（ｈ）に示すように、ＳＩＭの大きさの封止樹脂からなる基板１１１と、基板１１１の上面に埋め込まれ、接続端子部１１２ａを有する接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２と、基板１１１の上面に形成され、接続端子１１８ａを有する非接触通信用アンテナ１１８と、外部接触用端子１１９とを備えている。
【００２１】
基板１１１は、ＧＳＭ規格で規定されている小型のＰｌｕｇ−ｉｎ−ＳＩＭ（Ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｍｏｄｕｌｅ：加入者識別素子）サイズの封止樹脂を使用した。Ｐｌｕｇ−ｉｎ−ＳＩＭは、例えば、加入者固有の番号が格納されたＩＣモジュールであり、移動体通信機の番号を特定すること等を目的として使用されている。
外部接触用端子１１９は、外部のリーダライタ（以下、Ｒ／Ｗとする。）と接触することにより、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２及びＲ／Ｗ間の情報の入出力を媒介する端子である。
外部接触用端子１１９及び非接触通信用アンテナ１１８の接続端子１１８ａは、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２の接続端子１１２ａと接触するように配置され、接続端子１１２ａと導通している。
【００２２】
この実施形態の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法は、図１、図２に示すように、ＩＣチップ埋め込み工程＃１１と、パターン形成工程＃１２等とを備えている。
なお、図１、図２では、１つのＩＣモジュールのみを図示しているが、実際には、複数個を同時に製造する多面付けによって、製造した後に切断するようにしている。
【００２３】
ＩＣチップ埋め込み工程＃１１は、封止樹脂からなる基板１１１の上面に、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を埋め込む工程である。
基板１１１となるエポキシのプリプレグ（カーボン繊維強化プラスチック）［図１（ａ）］に、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を加熱状態で押し付け、接続端子１１２ａの面を上部にして埋め込む［図１（ｂ）］。
埋め込み方法は、これによらず、例えば、仮の支持体に端子面を下にして設置しておき、その上から封止材を形成して作製してもよい。
封止樹脂は、フィルム状のもの、液状のもの又は半固形のものでもよく、熱をかけて軟化するものであれば、前述したエポシキの他に、ＰＥＴ等のポリエステルなどが使用できる。
尚、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を基板１１１に埋め込む前に削って厚さを調整してもよい。また、埋め込んだ後に基板１１１とともに削って厚さを調整してもよい。
【００２４】
パターン形成工程＃１２は、基板１１１の上面に非接触通信用アンテナ１１８及び外部接触用端子１１９のパターンを同時に形成し、非接触通信用アンテナ１１８を接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２の接続端子１１２ａに接続する工程である。まず、基板１１１上に、スパッタにより銅層１１３を形成する［図１（ｃ）］。ついで、感光性ドライフィルムレジスト１１４を、ラミネートし、露光・現像して、めっきの開口パターン１１４ａを作製する［図１（ｄ）］。
この開口パターン１１４ａに銅めっき、ニッケルめっき、金めっき工程をそれぞれ水洗工程を間にはさみ、連続めっきをして、めっき層１１５を形成する［図２（ｅ）］。
さらに、感光性ドライフィルムレジスト１１４を剥離し、銅層１１３をソフトエッチング処理により除去して、非接触通信用アンテナ１１８及び外部接触用端子１１９のパターンを同時に形成する［図２（ｆ），（ｇ）］。
【００２５】
以上のように、本実施形態によれば、以下のような効果がある。
（１） アンテナ１１８及び外部接触用端子１１９を直接めっき配線していくので、温度変化、経時変化、ストレスなどで剥がれていく心配はなく、結線の安定性、信頼性が極めて高い。また、従来の半田ボール、金バンプで形成されたものよりは、抵抗も少ない。
【００２６】
（２） 基板１１１となる封止樹脂に、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を埋め込むので、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を１個ずつ搭載する必要がなく、大きな封止樹脂シートの中に、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を置いていけばよく、以後の工程も、その封止樹脂シートの単位で加工していくことができる。
【００２７】
つまり、従来は、ＩＣチップの接続端子と、非接触通信用アンテナ又は外部接触用端子をつなぐのに、ワイヤボンドを打ったり、直接、フリップチップ実装（半田ボールや金バンプをつけて配線に乗せていく）していた。このとき、ＩＣチップを個々に実装し、ワイヤボンディングにしても、半田ボールにしても、個別に作業していたため、大きな時間のロスがあった。しかし、本実施形態は、ＩＣチップが複数並んでいても、多面付けで一括で作ることができる。また、めっき、エッチングも、全部一括プロセスで形成することができる。
【００２８】
（３） 基板１１１となる封止樹脂に、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を乗せて、非接触通信用アンテナ１１８、外部接触用端子１１９を、その片面に同時に形成するため、構造が簡単であり、工程を簡素化できる。
【００２９】
（４） めっき、エッチング処理等の化学的処理により、非接触用アンテナ１１８及び外部接触用端子１１９を形成し、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２自体の強度を必要としないため、薄い接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を用いることにより、また、外部接触用端子１１９を直に接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２に接続するため、ＩＣモジュール１１０を薄くすることが可能である。
例えば、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を削って１００〜１５０μｍの厚さに設定した場合には、基板１１１を２００〜２５０μｍ、非接触用アンテナ１１８及び外部接触用端子１１９を１０〜３０μｍの厚さとすることにより、ＩＣモジュール１１０全体の厚さを２１０〜２８０μｍとすることができる。
【００３０】
（第２実施形態）
図３、図４は、本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第２実施形態を示す図である。
なお、前述した実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
第２実施形態の接触・非接触兼用型ＩＣモジュール１１０−２は、図４（ｇ）に示すように、基板１１１と、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２と、基板１１１の上面に形成され、接続端子１１８ａを有する非接触通信用アンテナ１１８と、基板１１１の上面で少なくとも接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を覆う絶縁層１１６と、絶縁層１１６に設けられ、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２の接続端子１１２ａに連通する貫通孔１１６ａと、絶縁層１１６上に形成された外部接触用端子１１９Ａと、外部接触用端子１１９Ａと一体に形成され、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２の接続端子部と非接触通信用アンテナ１１８及び外部接触用端子１１９Ａの接続端子部とを接続する接続部１１９Ｂとを備えている。
【００３１】
この実施形態の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法は、図３、図４に示すように、ＩＣチップ埋め込み工程＃２１と、貫通孔形成工程＃２２と、パターン形成工程＃２３等とを備えている。
なお、図３、図４では、１つのＩＣモジュールのみを図示しているが、実際には、複数個を同時に製造する多面付けによって、製造した後に切断するようにしている。
【００３２】
ＩＣチップ埋め込み工程＃２１は、基板１１１に、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を埋め込む工程である。
まず、絶縁層１１６である絶縁性の樹脂（ポリイミドフィルム）に、スパッタにより銅層１１３を０．２５〜１．００μｍの厚みとなるように形成し、この支持体に接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を端子面が下になり、絶縁層１１６に接するように設置する［図３（ａ）］。その上に封止樹脂からなる基板１１１となる層を形成し、同時に接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を埋め込む［図３（ｂ）］。
【００３３】
貫通孔形成工程＃２２は、銅層１１３及び絶縁層１１６に、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２の接続端子１１２ａに連通する貫通孔１１６ａを形成する工程である。
接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２が埋め込まれた基板１１１を上下反転し、銅層１１３をソフトエッチング処理し、絶縁層１１６をポリイミド専用の有機系アルカリのエッチング液でエッチング処理し、銅層１１３及び絶縁層１１６に貫通孔１１６ａを形成する［図３（ｃ）］。
レーザで一括して貫通孔１１６ａを形成してもよい。
【００３４】
パターン形成工程＃２３は、基板１１１の上面に非接触通信用アンテナ１１８及び外部接触用端子１１９Ａのパターンを同時に形成し、非接触通信用アンテナ１１８及び外部接触用端子１１９Ａを接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２の接続端子に接続する工程である。
感光性ドライフィルムレジスト１１４をラミネートし、露光・現像して、めっきの開口パターン１１４ａを作製する［図３（ｄ）］。
この開口パターン１１４ａに銅めっき、ニッケルめっき、金めっき工程をそれぞれ水洗工程を間にはさみ、連続めっきをして、めっき層１１５を形成する［図３（ｅ）］。
さらに、感光性ドライフィルムレジスト１１４を剥離し、銅層１１３をソフトエッチング処理により除去して、非接触通信用アンテナ１１８及び外部接触用端子１１９Ａのパターンを形成する。同時に接続部１１９Ｂを形成し、非接触通信用アンテナ１１８の接続端子１１８ａ及び外部接触用端子１１９Ａを接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２の接続端子１１２ａに接続する［図３（ｆ），（ｇ）］。
【００３５】
以上のように、本実施形態によれば、絶縁層１１６、基板１１１で接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を封止しても第１実施形態と同様の効果を得ることが可能である。
【００３６】
ここで、上記各実施形態では、図２（ｈ），図４（ｈ）に示すように、外部接触用端子１１９，１１９Ａは、非接触通信用アンテナ１１８の内側領域Ｂに対して、左側にずらして配置することにより、その外部接触用端子１１９，１１９Ａと干渉しないアンテナ有効領域Ｃが確保されている。このため、より干渉の少ないアンテナ有効領域Ｃが確保できると共に、非接触通信用アンテナ１１８を接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２に接続しやすい。
【００３７】
非接触ＩＣモジュールにおいて、大きな通信距離を安定して確保するためには、非接触用アンテナ１１８の面積が大きければ大きいほどよい。しかし、非接触通信用アンテナ１１８が大きければ、製造コストは、材料費も含め、面積に比例して大きくなることから、通信に必要な最低限の大きさであればよい。
非接触通信用アンテナ１１８のコイル面積と通信特性について、検討した結果、ISO14443TypeＡ及びTypeＢ方式を前提として、最低限必要なコイルの大きさは、コイルの形状やピッチで異なるものの、面積として、概ね１０ｍｍ2 以上は最低必要であり、４００ｍｍ2 あれば十分であることが判明した。
【００３８】
さらに、カード又はモジュールの大きさ、形状が規格により決められている場合に、特に、小型のモジュールで寸法が機器の制約で約２ｃｍ角以内と限られている場合など、自ずと非接触通信用アンテナ１１８の大きさをＩＣモジュール１１０，１１０−２に対して、全面に使うことが必要とされ、非接触通信用アンテナ１１８は、ＩＣモジュール１１０，１１０−２の外周一杯に形成することが要求される。
この制約から、非接触通信用アンテナ１１８のデザインルールとして、外周はなるべく大きく、そのピッチを狭めて配置した方がよい。ピッチとしては、１００μｍ以下、最も望ましくは、５０μｍ以下である。
また、ピッチが２０μｍ以下になると、安定して作製することが難しくなる。また、フエースダウン型のフリップチップ実装を行うと、ＩＣモジュール１１０，１１０−２の厚みを薄くでき、望ましい。
本実施形態では、外部接触用端子１１９，１１９Ａの間をコイル配線が通るように設置する必要があり、この場合も、ピッチを１００μｍ以下、最も望ましくは、５０μｍ以下にすると、デザイン上設計の自由度が確保でき、非接触通信用アンテナ１１８の内側面積を大きくすることができる。
【００３９】
また、非接触通信用アンテナ１１８の膜厚としては、デザインルールが小さくなると抵抗が大きくなるため、望ましくは、５μｍ以上、最も望ましくは、１０μｍ以上である。
非接触通信用アンテナ１１８の膜厚を大きくすると、安定して作製することが難しくなるため、３０μｍ以下にすることが望ましい。これらのデザインルールを満足するためには、非接触通信用アンテナ１１８の作製方法は、エッチング法かめっきによるセミアディテイブ法による方法のどちらかであるが、ピッチ５０μｍ以下に作製する場合は、めっきによるセミアデティブ法に限られる。
【００４０】
また、接触・非接触兼用のＩＣモジュール１１０，１１０−２においては、外部接触用端子１１９と非接触通信用アンテナ１１８を、同一モジュール内に形成する必要がある。一般に、非接触通信用アンテナ１１８の内部に置かれた、金属部分は電磁波の遮蔽効果を持ち、通信の障害となる。よって、ＩＣカードのデザインでは、金属製である外部接触用端子１１９，１１９Ａによる電磁波の遮蔽効果を避けるために、その端子１１９，１１９Ａから非接触通信用アンテナ１１８の中心をずらして配置することがが必要である。
この場合に、アンテナ有効面積Ｃは、ＩＣモジュール１１０，１１０−２の面積に対して、０．５〜０．９倍が望ましいという新規事実を得た。
【００４１】
（変形形態）
以上説明した実施形態に限定されることなく、種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の均等の範囲内である。
（１） 本実施形態では、携帯電話などに使用するＳＩＭを例に説明したが、通常のＩＣカードや、基板形状が特定されないＩＣタグなどであってもよい。
（２） 小型のＩＣモジュール単体で必要な通信距離が確保できなければ、外部にブースターコイルを別途作製し、ＩＣモジュールと近接させて共振回路を形成し、通信距離を確保することも可能である。このブースターコイルは、ＩＣモジュールを収納するケース、例えば、定期入れなどに設置して使用してもよい。
【００４２】
（３） 本発明の方式では、外部接触用端子と非接触用アンテナを具備する構成であるが、場合によっては、外部接触用端子と非接触用アンテナの接続端子１１８ａのみをＩＣモジュールに設け、アンテナコイルを別途作製してもよい。
このアンテナコイルは、ＩＣモジュールを収納するケース、例えば、定期入れなどに設置して、ＩＣモジュールを挿入することによって機能するようにしてもよい。
【００４３】
【発明の効果】
以上詳しく説明したように、本発明によれば、外部接触用端子及び非接触通信用アンテナは、接触・非接触ＩＣチップと同一の面で形成され、同じ層構造を有するため、構造が簡単であり、製造工程を簡素化することができる。
【００４４】
本発明によれば、接触・非接触兼用型ＩＣチップの接続端子部に外部接触用端子が直に接続されるため、結線の安定性、信頼性が極めて高い。
【００４５】
本発明によれば、特に、絶縁層及び基板で接触・非接触兼用型ＩＣチップを封止した場合でも前述した効果と同様の効果を得ることができる。
【００４６】
本発明によれば、アンテナ有効領域を確保することにより、通信安定性の向上を図ることができる。
【００４７】
本発明によれば、接触・非接触兼用型ＩＣチップを削ることにより薄くする切削工程を備えるため、特に、接触・非接触兼用型ＩＣモジュールを薄く製造することができる。
【００４８】
本発明によれば、基板に埋め込まれた接触・非接触兼用型ＩＣチップを削るため、製造工程の簡素化を図ることができる。
【００４９】
本発明によれば、他面付けによって製造することにより、一層の製造工程の簡素化、製造コストの低減を図ることができる。
【００５０】
本発明によれば、接触・非接触兼用型ＩＣチップの接続端子部に外部接触用端子が直に接続されるため、結線の安定性、信頼性が極めて高い。
【００５１】
本発明によれば、特に、絶縁層及び基板で接触・非接触兼用型ＩＣチップを封止した場合でも前述した効果と同様の効果を得ることができる。
【００５２】
本発明によれば、特に、科学的処理である、エッチング及び／又はめっきにより非接触通信用アンテナ及び外部接触用端子等を形成するため、接触・非接触兼用型ＩＣチップに圧力等の外力がかかることが少なく、接触・非接触兼用型ＩＣチップをより薄く設定することができる。
【００５３】
本発明によれば、非接触通信用アンテナを容易に接触・非接触兼用型ＩＣチップに接続することができ、アンテナ有効領域を確保することにより、通信安定性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第１実施形態を示す図（その１）である。
【図２】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第１実施形態を示す図（その２）である。
【図３】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第２実施形態を示す図（その１）である。
【図４】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第２実施形態を示す図（その２）である。
【符号の説明】
１１０ 接触・非接触兼用型ＩＣモジュール
１１１ 基板
１１２ 接触・非接触兼用型ＩＣチップ
１１２ａ 接続端子
１１６ 絶縁層
１１６ａ 貫通孔
１１８ 非接触通信用アンテナ
１１９，１１９Ａ 外部接触用端子
１１９Ｂ 接続部
＃１１，＃２１ ＩＣチップ埋め込み工程
＃１２，＃２３ パターン形成工程
＃２２ 貫通孔形成工程
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣカード，ＳＩＭ，ＩＣタグなどに使用される接触・非接触兼用型などのＩＣモジュールとその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
接触・非接触兼用型ＩＣカードは、カードの外部端子と外部処理装置の端子とを接触させて、データの送受信を行う接触方式の機能と、電磁波でデータの送受信を行うアンテナコイルとデータ処理のためのＩＣ回路を内蔵し、外部処理装置との間の読み書きをいわゆる無線方式で行うと共に、ＩＣ回路の駆動電力が電磁誘導で供給され、バッテリを内蔵しない非接触方式の機能とを、１枚のカードに持たせたものである。
【０００３】
特開平７−２３９９２２号は、ＩＣカード用のＩＣモジュールとして、表面にアンテナの導体パターンと、端子電極の導体パターンとをそれぞれ設け、これらの導体パターンをスルーホールを介して、ＩＣモジュール内部のＩＣチップと電気的に接続する発明が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、各導体パターンとＩＣチップとをワイヤボインディングにより接続する場合に、ＩＣチップに圧力がかかるため、ＩＣチップにはその圧力に耐えうる程度の厚さが必要とされ、薄型化の障害となっていた。
また、構造及び工程が複雑であり、作業工程が多いため、信頼性が低く、製造コストが高くなる問題があった。
【０００５】
本発明の課題は、構造が簡単で信頼性が高く、製造工程の簡素化及び薄型化を図ることができる接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。すなわち、請求項１の発明は、封止樹脂からなる基板と、前記基板の一方の面に埋め込まれ、接続端子部が外側になるように配置された接触・非接触兼用型ＩＣチップと、前記接続端子部に接続され、前記基板の一方の面に形成され、外部に露出した外部接触用端子と、前記基板の一方の面に形成され、前記外部接触用端子と同じ層構造を有し、外部に露出した非接触通信用アンテナと、前記基板の一方の面で少なくとも前記接触・非接触兼用型ＩＣチップを覆う絶縁層と、前記接触・非接触兼用型ＩＣチップの接続端子部上に積層され、前記外部接触用端子及び前記非接触通信用アンテナと一体に形成され、前記絶縁層を貫通して前記外部接触用端子及び前記非接触通信用アンテナと前記接続端子部との間を電気的に接続する接続部と、を備えた接触・非接触兼用型ＩＣモジュールである。
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールにおいて、前記外部接触用端子及び前記非接触通信用アンテナの接続端子部は、前記接触・非接触兼用型ＩＣチップの接続端子部と接触して形成されること、を特徴とする接触・非接触兼用型ＩＣモジュールである。
【０００９】
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールにおいて、前記非接触通信用アンテナは、アンテナ内側領域に対して前記外部接触用端子をずらして配置することにより、その前記外部接触用端子と干渉しないアンテナ有効領域が確保されていること、を特徴とする接触・非接触兼用型ＩＣモジュールである。
【００１０】
請求項４の発明は、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法であって、前記基板の一方の面に、前記接続端子部が外側になるように前記接触・非接触兼用型ＩＣチップを埋め込むＩＣチップ埋め込み工程と、前記基板の一方の面に前記接触・非接触兼用型ＩＣチップを覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層に、前記接触・非接触兼用型ＩＣチップの前記接続端子部に連通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記絶縁層上から前記貫通孔を埋めるように導電層を積層することにより、前記基板の一方の面に前記非接触通信用アンテナ及び前記外部接触用端子と、前記接続部とを一体かつ同時に形成するアンテナ・外部接触用端子形成工程と、を備えた接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法である。
請求項５の発明は、請求項４に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法において、前記接触・非接触兼用型ＩＣチップを削ることにより薄くする切削工程を備えること、を特徴とする接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法である。
請求項６の発明は、請求項４又は請求項５に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法において、前記接触・非接触兼用型ＩＣモジュールは、同一面で複数製造する多面付けにより製造されること、を特徴とする接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法である。
請求項７の発明は、請求項４から請求項６までのいずれか１項に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法において、前記アンテナ・外部接触用端子形成工程は、エッチング及び／又はめっきにより非接触通信用アンテナ、外部接触用端子及び接続部を形成すること、を特徴とする接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法である。
請求項８の発明は、請求項４から請求項７までのいずれか１項に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法において、前記アンテナ・外部接触用端子形成工程は、アンテナ内側領域に対して前記外部接触用端子をずらして配置することにより、その前記外部接触用端子と干渉しないアンテナ有効領域が確保するように形成すること、を特徴とする接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面等を参照して、本発明の実施の形態について、さらに詳しくに説明する。
図１、図２は、本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第１実施形態を示す図である。
【００２０】
第１実施形態の接触・非接触兼用型ＩＣモジュール１１０は、図２（ｇ）（ｈ）に示すように、ＳＩＭの大きさの封止樹脂からなる基板１１１と、基板１１１の上面に埋め込まれ、接続端子部１１２ａを有する接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２と、基板１１１の上面に形成され、接続端子１１８ａを有する非接触通信用アンテナ１１８と、外部接触用端子１１９とを備えている。
【００２１】
基板１１１は、ＧＳＭ規格で規定されている小型のＰｌｕｇ−ｉｎ−ＳＩＭ（Ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｍｏｄｕｌｅ：加入者識別素子）サイズの封止樹脂を使用した。Ｐｌｕｇ−ｉｎ−ＳＩＭは、例えば、加入者固有の番号が格納されたＩＣモジュールであり、移動体通信機の番号を特定すること等を目的として使用されている。
外部接触用端子１１９は、外部のリーダライタ（以下、Ｒ／Ｗとする。）と接触することにより、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２及びＲ／Ｗ間の情報の入出力を媒介する端子である。
外部接触用端子１１９及び非接触通信用アンテナ１１８の接続端子１１８ａは、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２の接続端子１１２ａと接触するように配置され、接続端子１１２ａと導通している。
【００２２】
この実施形態の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法は、図１、図２に示すように、ＩＣチップ埋め込み工程＃１１と、パターン形成工程＃１２等とを備えている。
なお、図１、図２では、１つのＩＣモジュールのみを図示しているが、実際には、複数個を同時に製造する多面付けによって、製造した後に切断するようにしている。
【００２３】
ＩＣチップ埋め込み工程＃１１は、封止樹脂からなる基板１１１の上面に、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を埋め込む工程である。
基板１１１となるエポキシのプリプレグ（カーボン繊維強化プラスチック）［図１（ａ）］に、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を加熱状態で押し付け、接続端子１１２ａの面を上部にして埋め込む［図１（ｂ）］。
埋め込み方法は、これによらず、例えば、仮の支持体に端子面を下にして設置しておき、その上から封止材を形成して作製してもよい。
封止樹脂は、フィルム状のもの、液状のもの又は半固形のものでもよく、熱をかけて軟化するものであれば、前述したエポシキの他に、ＰＥＴ等のポリエステルなどが使用できる。
尚、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を基板１１１に埋め込む前に削って厚さを調整してもよい。また、埋め込んだ後に基板１１１とともに削って厚さを調整してもよい。
【００２４】
パターン形成工程＃１２は、基板１１１の上面に非接触通信用アンテナ１１８及び外部接触用端子１１９のパターンを同時に形成し、非接触通信用アンテナ１１８を接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２の接続端子１１２ａに接続する工程である。まず、基板１１１上に、スパッタにより銅層１１３を形成する［図１（ｃ）］。ついで、感光性ドライフィルムレジスト１１４を、ラミネートし、露光・現像して、めっきの開口パターン１１４ａを作製する［図１（ｄ）］。
この開口パターン１１４ａに銅めっき、ニッケルめっき、金めっき工程をそれぞれ水洗工程を間にはさみ、連続めっきをして、めっき層１１５を形成する［図２（ｅ）］。
さらに、感光性ドライフィルムレジスト１１４を剥離し、銅層１１３をソフトエッチング処理により除去して、非接触通信用アンテナ１１８及び外部接触用端子１１９のパターンを同時に形成する［図２（ｆ），（ｇ）］。
【００２５】
以上のように、本実施形態によれば、以下のような効果がある。
（１） アンテナ１１８及び外部接触用端子１１９を直接めっき配線していくので、温度変化、経時変化、ストレスなどで剥がれていく心配はなく、結線の安定性、信頼性が極めて高い。また、従来の半田ボール、金バンプで形成されたものよりは、抵抗も少ない。
【００２６】
（２） 基板１１１となる封止樹脂に、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を埋め込むので、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を１個ずつ搭載する必要がなく、大きな封止樹脂シートの中に、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を置いていけばよく、以後の工程も、その封止樹脂シートの単位で加工していくことができる。
【００２７】
つまり、従来は、ＩＣチップの接続端子と、非接触通信用アンテナ又は外部接触用端子をつなぐのに、ワイヤボンドを打ったり、直接、フリップチップ実装（半田ボールや金バンプをつけて配線に乗せていく）していた。このとき、ＩＣチップを個々に実装し、ワイヤボンディングにしても、半田ボールにしても、個別に作業していたため、大きな時間のロスがあった。しかし、本実施形態は、ＩＣチップが複数並んでいても、多面付けで一括で作ることができる。また、めっき、エッチングも、全部一括プロセスで形成することができる。
【００２８】
（３） 基板１１１となる封止樹脂に、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を乗せて、非接触通信用アンテナ１１８、外部接触用端子１１９を、その片面に同時に形成するため、構造が簡単であり、工程を簡素化できる。
【００２９】
（４） めっき、エッチング処理等の化学的処理により、非接触用アンテナ１１８及び外部接触用端子１１９を形成し、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２自体の強度を必要としないため、薄い接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を用いることにより、また、外部接触用端子１１９を直に接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２に接続するため、ＩＣモジュール１１０を薄くすることが可能である。
例えば、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を削って１００〜１５０μｍの厚さに設定した場合には、基板１１１を２００〜２５０μｍ、非接触用アンテナ１１８及び外部接触用端子１１９を１０〜３０μｍの厚さとすることにより、ＩＣモジュール１１０全体の厚さを２１０〜２８０μｍとすることができる。
【００３０】
（第２実施形態）
図３、図４は、本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第２実施形態を示す図である。
なお、前述した実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
第２実施形態の接触・非接触兼用型ＩＣモジュール１１０−２は、図４（ｇ）に示すように、基板１１１と、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２と、基板１１１の上面に形成され、接続端子１１８ａを有する非接触通信用アンテナ１１８と、基板１１１の上面で少なくとも接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を覆う絶縁層１１６と、絶縁層１１６に設けられ、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２の接続端子１１２ａに連通する貫通孔１１６ａと、絶縁層１１６上に形成された外部接触用端子１１９Ａと、外部接触用端子１１９Ａと一体に形成され、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２の接続端子部と非接触通信用アンテナ１１８及び外部接触用端子１１９Ａの接続端子部とを接続する接続部１１９Ｂとを備えている。
【００３１】
この実施形態の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法は、図３、図４に示すように、ＩＣチップ埋め込み工程＃２１と、貫通孔形成工程＃２２と、パターン形成工程＃２３等とを備えている。
なお、図３、図４では、１つのＩＣモジュールのみを図示しているが、実際には、複数個を同時に製造する多面付けによって、製造した後に切断するようにしている。
【００３２】
ＩＣチップ埋め込み工程＃２１は、基板１１１に、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を埋め込む工程である。
まず、絶縁層１１６である絶縁性の樹脂（ポリイミドフィルム）に、スパッタにより銅層１１３を０．２５〜１．００μｍの厚みとなるように形成し、この支持体に接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を端子面が下になり、絶縁層１１６に接するように設置する［図３（ａ）］。その上に封止樹脂からなる基板１１１となる層を形成し、同時に接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を埋め込む［図３（ｂ）］。
【００３３】
貫通孔形成工程＃２２は、銅層１１３及び絶縁層１１６に、接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２の接続端子１１２ａに連通する貫通孔１１６ａを形成する工程である。
接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２が埋め込まれた基板１１１を上下反転し、銅層１１３をソフトエッチング処理し、絶縁層１１６をポリイミド専用の有機系アルカリのエッチング液でエッチング処理し、銅層１１３及び絶縁層１１６に貫通孔１１６ａを形成する［図３（ｃ）］。
レーザで一括して貫通孔１１６ａを形成してもよい。
【００３４】
パターン形成工程＃２３は、基板１１１の上面に非接触通信用アンテナ１１８及び外部接触用端子１１９Ａのパターンを同時に形成し、非接触通信用アンテナ１１８及び外部接触用端子１１９Ａを接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２の接続端子に接続する工程である。
感光性ドライフィルムレジスト１１４をラミネートし、露光・現像して、めっきの開口パターン１１４ａを作製する［図３（ｄ）］。
この開口パターン１１４ａに銅めっき、ニッケルめっき、金めっき工程をそれぞれ水洗工程を間にはさみ、連続めっきをして、めっき層１１５を形成する［図３（ｅ）］。
さらに、感光性ドライフィルムレジスト１１４を剥離し、銅層１１３をソフトエッチング処理により除去して、非接触通信用アンテナ１１８及び外部接触用端子１１９Ａのパターンを形成する。同時に接続部１１９Ｂを形成し、非接触通信用アンテナ１１８の接続端子１１８ａ及び外部接触用端子１１９Ａを接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２の接続端子１１２ａに接続する［図３（ｆ），（ｇ）］。
【００３５】
以上のように、本実施形態によれば、絶縁層１１６、基板１１１で接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２を封止しても第１実施形態と同様の効果を得ることが可能である。
【００３６】
ここで、上記各実施形態では、図２（ｈ），図４（ｈ）に示すように、外部接触用端子１１９，１１９Ａは、非接触通信用アンテナ１１８の内側領域Ｂに対して、左側にずらして配置することにより、その外部接触用端子１１９，１１９Ａと干渉しないアンテナ有効領域Ｃが確保されている。このため、より干渉の少ないアンテナ有効領域Ｃが確保できると共に、非接触通信用アンテナ１１８を接触・非接触兼用型ＩＣチップ１１２に接続しやすい。
【００３７】
非接触ＩＣモジュールにおいて、大きな通信距離を安定して確保するためには、非接触用アンテナ１１８の面積が大きければ大きいほどよい。しかし、非接触通信用アンテナ１１８が大きければ、製造コストは、材料費も含め、面積に比例して大きくなることから、通信に必要な最低限の大きさであればよい。
非接触通信用アンテナ１１８のコイル面積と通信特性について、検討した結果、ISO14443TypeＡ及びTypeＢ方式を前提として、最低限必要なコイルの大きさは、コイルの形状やピッチで異なるものの、面積として、概ね１０ｍｍ2 以上は最低必要であり、４００ｍｍ2 あれば十分であることが判明した。
【００３８】
さらに、カード又はモジュールの大きさ、形状が規格により決められている場合に、特に、小型のモジュールで寸法が機器の制約で約２ｃｍ角以内と限られている場合など、自ずと非接触通信用アンテナ１１８の大きさをＩＣモジュール１１０，１１０−２に対して、全面に使うことが必要とされ、非接触通信用アンテナ１１８は、ＩＣモジュール１１０，１１０−２の外周一杯に形成することが要求される。
この制約から、非接触通信用アンテナ１１８のデザインルールとして、外周はなるべく大きく、そのピッチを狭めて配置した方がよい。ピッチとしては、１００μｍ以下、最も望ましくは、５０μｍ以下である。
また、ピッチが２０μｍ以下になると、安定して作製することが難しくなる。また、フエースダウン型のフリップチップ実装を行うと、ＩＣモジュール１１０，１１０−２の厚みを薄くでき、望ましい。
本実施形態では、外部接触用端子１１９，１１９Ａの間をコイル配線が通るように設置する必要があり、この場合も、ピッチを１００μｍ以下、最も望ましくは、５０μｍ以下にすると、デザイン上設計の自由度が確保でき、非接触通信用アンテナ１１８の内側面積を大きくすることができる。
【００３９】
また、非接触通信用アンテナ１１８の膜厚としては、デザインルールが小さくなると抵抗が大きくなるため、望ましくは、５μｍ以上、最も望ましくは、１０μｍ以上である。
非接触通信用アンテナ１１８の膜厚を大きくすると、安定して作製することが難しくなるため、３０μｍ以下にすることが望ましい。これらのデザインルールを満足するためには、非接触通信用アンテナ１１８の作製方法は、エッチング法かめっきによるセミアディテイブ法による方法のどちらかであるが、ピッチ５０μｍ以下に作製する場合は、めっきによるセミアデティブ法に限られる。
【００４０】
また、接触・非接触兼用のＩＣモジュール１１０，１１０−２においては、外部接触用端子１１９と非接触通信用アンテナ１１８を、同一モジュール内に形成する必要がある。一般に、非接触通信用アンテナ１１８の内部に置かれた、金属部分は電磁波の遮蔽効果を持ち、通信の障害となる。よって、ＩＣカードのデザインでは、金属製である外部接触用端子１１９，１１９Ａによる電磁波の遮蔽効果を避けるために、その端子１１９，１１９Ａから非接触通信用アンテナ１１８の中心をずらして配置することがが必要である。
この場合に、アンテナ有効面積Ｃは、ＩＣモジュール１１０，１１０−２の面積に対して、０．５〜０．９倍が望ましいという新規事実を得た。
【００４１】
（変形形態）
以上説明した実施形態に限定されることなく、種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の均等の範囲内である。
（１） 本実施形態では、携帯電話などに使用するＳＩＭを例に説明したが、通常のＩＣカードや、基板形状が特定されないＩＣタグなどであってもよい。
（２） 小型のＩＣモジュール単体で必要な通信距離が確保できなければ、外部にブースターコイルを別途作製し、ＩＣモジュールと近接させて共振回路を形成し、通信距離を確保することも可能である。このブースターコイルは、ＩＣモジュールを収納するケース、例えば、定期入れなどに設置して使用してもよい。
【００４２】
（３） 本発明の方式では、外部接触用端子と非接触用アンテナを具備する構成であるが、場合によっては、外部接触用端子と非接触用アンテナの接続端子１１８ａのみをＩＣモジュールに設け、アンテナコイルを別途作製してもよい。
このアンテナコイルは、ＩＣモジュールを収納するケース、例えば、定期入れなどに設置して、ＩＣモジュールを挿入することによって機能するようにしてもよい。
【００４３】
【発明の効果】
以上詳しく説明したように、本発明によれば、外部接触用端子及び非接触通信用アンテナは、接触・非接触ＩＣチップと同一の面で形成され、同じ層構造を有するため、構造が簡単であり、製造工程を簡素化することができる。
【００４４】
本発明によれば、接触・非接触兼用型ＩＣチップの接続端子部に外部接触用端子が直に接続されるため、結線の安定性、信頼性が極めて高い。
【００４５】
本発明によれば、特に、絶縁層及び基板で接触・非接触兼用型ＩＣチップを封止した場合でも前述した効果と同様の効果を得ることができる。
【００４６】
本発明によれば、アンテナ有効領域を確保することにより、通信安定性の向上を図ることができる。
【００４７】
本発明によれば、接触・非接触兼用型ＩＣチップを削ることにより薄くする切削工程を備えるため、特に、接触・非接触兼用型ＩＣモジュールを薄く製造することができる。
【００４８】
本発明によれば、基板に埋め込まれた接触・非接触兼用型ＩＣチップを削るため、製造工程の簡素化を図ることができる。
【００４９】
本発明によれば、他面付けによって製造することにより、一層の製造工程の簡素化、製造コストの低減を図ることができる。
【００５０】
本発明によれば、接触・非接触兼用型ＩＣチップの接続端子部に外部接触用端子が直に接続されるため、結線の安定性、信頼性が極めて高い。
【００５１】
本発明によれば、特に、絶縁層及び基板で接触・非接触兼用型ＩＣチップを封止した場合でも前述した効果と同様の効果を得ることができる。
【００５２】
本発明によれば、特に、科学的処理である、エッチング及び／又はめっきにより非接触通信用アンテナ及び外部接触用端子等を形成するため、接触・非接触兼用型ＩＣチップに圧力等の外力がかかることが少なく、接触・非接触兼用型ＩＣチップをより薄く設定することができる。
【００５３】
本発明によれば、非接触通信用アンテナを容易に接触・非接触兼用型ＩＣチップに接続することができ、アンテナ有効領域を確保することにより、通信安定性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第１実施形態を示す図（その１）である。
【図２】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第１実施形態を示す図（その２）である。
【図３】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第２実施形態を示す図（その１）である。
【図４】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第２実施形態を示す図（その２）である。
【符号の説明】
１１０ 接触・非接触兼用型ＩＣモジュール
１１１ 基板
１１２ 接触・非接触兼用型ＩＣチップ
１１２ａ 接続端子
１１６ 絶縁層
１１６ａ 貫通孔
１１８ 非接触通信用アンテナ
１１９，１１９Ａ 外部接触用端子
１１９Ｂ 接続部
＃１１，＃２１ ＩＣチップ埋め込み工程
＃１２，＃２３ パターン形成工程
＃２２ 貫通孔形成工程
Claims (8)
- 封止樹脂からなる基板と、
前記基板の一方の面に埋め込まれ、接続端子部が外側になるように配置された接触・非接触兼用型ＩＣチップと、
前記接続端子部に接続され、前記基板の一方の面に形成され、外部に露出した外部接触用端子と、
前記基板の一方の面に形成され、前記外部接触用端子と同じ層構造を有し、外部に露出した非接触通信用アンテナと、
前記基板の一方の面で少なくとも前記接触・非接触兼用型ＩＣチップを覆う絶縁層と、
前記接触・非接触兼用型ＩＣチップの接続端子部上に積層され、前記外部接触用端子及び前記非接触通信用アンテナと一体に形成され、前記絶縁層を貫通して前記外部接触用端子及び前記非接触通信用アンテナと前記接続端子部との間を電気的に接続する接続部と、
を備えた接触・非接触兼用型ＩＣモジュール。 - 請求項１に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールにおいて、
前記外部接触用端子及び前記非接触通信用アンテナの接続端子部は、前記接触・非接触兼用型ＩＣチップの接続端子部と接触して形成されること、
を特徴とする接触・非接触兼用型ＩＣモジュール。 - 請求項１又は請求項２に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールにおいて、
前記非接触通信用アンテナは、アンテナ内側領域に対して前記外部接触用端子をずらして配置することにより、その前記外部接触用端子と干渉しないアンテナ有効領域が確保されていること、
を特徴とする接触・非接触兼用型ＩＣモジュール。 - 請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法であって、
前記基板の一方の面に、前記接続端子部が外側になるように前記接触・非接触兼用型ＩＣチップを埋め込むＩＣチップ埋め込み工程と、
前記基板の一方の面に前記接触・非接触兼用型ＩＣチップを覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層に、前記接触・非接触兼用型ＩＣチップの前記接続端子部に連通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記絶縁層上から前記貫通孔を埋めるように導電層を積層することにより、前記基板の一方の面に前記非接触通信用アンテナ及び前記外部接触用端子と、前記接続部とを一体かつ同時に形成するアンテナ・外部接触用端子形成工程と、
を備えた接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法。 - 請求項４に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法において、
前記接触・非接触兼用型ＩＣチップを削ることにより薄くする切削工程を備えること、
を特徴とする接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法。 - 請求項４又は請求項５に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法において、
前記接触・非接触兼用型ＩＣモジュールは、同一面で複数製造する多面付けにより製造されること、
を特徴とする接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法。 - 請求項４から請求項６までのいずれか１項に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法において、
前記アンテナ・外部接触用端子形成工程は、エッチング及び／又はめっきにより非接触通信用アンテナ、外部接触用端子及び接続部を形成すること、
を特徴とする接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法。 - 請求項４から請求項７までのいずれか１項に記載の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法において、
前記アンテナ・外部接触用端子形成工程は、アンテナ内側領域に対して前記外部接触用端子をずらして配置することにより、その前記外部接触用端子と干渉しないアンテナ有効領域が確保するように形成すること、
を特徴とする接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001141480A JP4783997B2 (ja) | 2001-05-11 | 2001-05-11 | 接触・非接触兼用型ｉｃモジュールとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001141480A JP4783997B2 (ja) | 2001-05-11 | 2001-05-11 | 接触・非接触兼用型ｉｃモジュールとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002334312A JP2002334312A (ja) | 2002-11-22 |
| JP4783997B2 true JP4783997B2 (ja) | 2011-09-28 |
Family
ID=18987934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001141480A Expired - Fee Related JP4783997B2 (ja) | 2001-05-11 | 2001-05-11 | 接触・非接触兼用型ｉｃモジュールとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4783997B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3088515B1 (fr) * | 2018-11-08 | 2022-01-28 | Smart Packaging Solutions | Module electronique pour carte a puce |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01235699A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ｉｃカード及びｉｃチップの製造方法 |
| JPH05139082A (ja) * | 1991-11-19 | 1993-06-08 | Hitachi Ltd | 電子装置 |
| JPH07239922A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-12 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｉｃカード用ｉｃモジュール |
| DE19845665C2 (de) * | 1998-10-05 | 2000-08-17 | Orga Kartensysteme Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements für einen IC-Baustein zum Einbau in Chipkarten |
| JP2000172814A (ja) * | 1998-12-02 | 2000-06-23 | Toppan Printing Co Ltd | 複合ｉｃモジュール及び複合ｉｃカード |
| JP2000207515A (ja) * | 1999-01-19 | 2000-07-28 | Seiko Epson Corp | 接触式ｉｃカ―ド |
| JP3661482B2 (ja) * | 1999-04-06 | 2005-06-15 | ソニーケミカル株式会社 | 半導体装置 |
| JP2001056850A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-02-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 非接触交信機能付きｉｃモジュールと接触型非接触型共用ｉｃカード |
-
2001
- 2001-05-11 JP JP2001141480A patent/JP4783997B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002334312A (ja) | 2002-11-22 |
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|
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|
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|
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|
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