JP4774082B2 - 磁気抵抗効果素子の製造方法 - Google Patents
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Description
前記第1強磁性層の上に、酸化マグネシウムターゲットを用いた高周波マグネトロンスパッタリング法により、前記第1強磁性層との界面から前記第1強磁性層とは反対側の界面まで厚さ方向において、(001)面が界面に平行に配向した酸化マグネシウム層の前記バリア層を成膜する工程と、マグネトロンDCスパッタリング法によりアモルファスの前記第2強磁性層を成膜する工程を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法を提供するものである。本発明の第6は、第1強磁性層、該第1強磁性層上のバリア層及び該バリア層上の第2強磁性層とからなる積層構造を含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記第1強磁性層の上に、Mgターゲット、並びに、アルゴンガス及び酸素ガスの混合ガスを用いた高周波マグネトロンスパッタリング法により、前記第1強磁性層との界面から前記第1強磁性層とは反対側の界面まで厚さ方向において、(001)面が界面に平行に配向した酸化マグネシウム層の前記バリア層を成膜する工程と、マグネトロンDCスパッタリング法によりアモルファスの前記第2強磁性層を成膜する工程を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法を提供するものである。
前記第1強磁性層及び前記第2強磁性層はCoFeBであること、
を好ましい態様として含むものである。
上記本発明の第5及び第6は、それぞれ、前記第2強磁性層は、CoFeBであることを好ましい態様として含むものである。
11 基板(シリコン基板)
20 磁性多層膜作製装置
27A,27B,27C 成膜チャンバ
Claims (14)
- 強磁性層と該強磁性層上のバリア層とからなる積層構造を含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
マグネトロンDCスパッタリング法によりアモルファスの強磁性層を成膜する工程と、
前記強磁性層の上に、酸化マグネシウムターゲットを用いた高周波マグネトロンスパッタリングリング法により、前記強磁性層との界面から前記強磁性層とは反対側の界面まで厚さ方向において、(001)面が界面に平行に配向した酸化マグネシウム層の前記バリア層を成膜する工程を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 前記強磁性層は、CoFeBであることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 強磁性層と該強磁性層上のバリア層とからなる積層構造を含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
マグネトロンDCスパッタリング法によりアモルファスの強磁性層を成膜する工程と、
前記強磁性層の上に、Mgターゲット、並びに、アルゴンガス及び酸素ガスの混合ガスを用いた高周波マグネトロンスパッタリング法により、前記強磁性層との界面から前記強磁性層とは反対側の界面まで厚さ方向において、(001)面が界面に平行に配向した酸化マグネシウム層の前記バリア層を成膜する工程を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 前記強磁性層は、CoFeBであることを特徴とする請求項3記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 第1強磁性層、該第1強磁性層上のバリア層及び該バリア層上の第2強磁性層とからなる積層構造を含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
マグネトロンDCスパッタリング法によりアモルファスの前記第1強磁性層を成膜する工程と、
前記第1強磁性層の上に、酸化マグネシウムターゲットを用いた高周波マグネトロンスパッタリング法により、前記第1強磁性層との界面から前記第1強磁性層とは反対側の界面まで厚さ方向において、(001)面が界面に平行に配向した酸化マグネシウム層の前記バリア層を成膜する工程を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - マグネトロンDCスパッタリング法によりアモルファスの前記第2強磁性層を成膜する工程を有することを特徴とする請求項5記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 前記第1強磁性層及び前記第2強磁性層はCoFeBであることを特徴とする請求項6記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 第1強磁性層、該第1強磁性層上のバリア層及び該バリア層上の第2強磁性層とからなる積層構造を含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
前記第1強磁性層の上に、酸化マグネシウムターゲットを用いた高周波マグネトロンスパッタリング法により、前記第1強磁性層との界面から前記第1強磁性層とは反対側の界面まで厚さ方向において、(001)面が界面に平行に配向した酸化マグネシウム層の前記バリア層を成膜する工程と、
マグネトロンDCスパッタリング法によりアモルファスの前記第2強磁性層を成膜する工程を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 前記第2強磁性層はCoFeBであることを特徴とする請求項8記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 第1強磁性層、該第1強磁性層上のバリア層及び該バリア層上の第2強磁性層とからなる積層構造を含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
マグネトロンDCスパッタリング法によりアモルファスの前記第1強磁性層を成膜する工程と、
前記第1強磁性層の上に、Mgターゲット、並びに、アルゴンガス及び酸素ガスの混合ガスを用いた高周波マグネトロンスパッタリング法により、前記第1強磁性層との界面から前記第1強磁性層とは反対側の界面まで厚さ方向において、(001)面が界面に平行に配向した酸化マグネシウム層の前記バリア層を成膜する工程を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - マグネトロンDCスパッタリング法によりアモルファスの前記第2強磁性層を成膜する工程を有することを特徴とする請求項10記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 前記第1強磁性層及び第2強磁性層は、CoFeBであることを特徴とする請求項11記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 第1強磁性層、該第1強磁性層上のバリア層及び該バリア層上の第2強磁性層とからなる積層構造を含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
前記第1強磁性層の上に、Mgターゲット、並びに、アルゴンガス及び酸素ガスの混合ガスを用いた高周波マグネトロンスパッタリング法により、前記第1強磁性層との界面から前記第1強磁性層とは反対側の界面まで厚さ方向において、(001)面が界面に平行に配向した酸化マグネシウム層の前記バリア層を成膜する工程と、
マグネトロンDCスパッタリング法によりアモルファスの前記第2強磁性層を成膜する工程を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 前記第2強磁性層は、CoFeBであることを特徴とする請求項13記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
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