JP4774022B2 - 電子ユニット - Google Patents

Description

本発明は、電子ユニットに関する。

従来、電子ユニットとしては、例えば特許文献１のものが知られている。この電子ユニットは、導電路が形成された回路基板をケーシング内に収容してなる。回路基板上には導電路と接続されるスイッチング素子が配設される。ケーシングの外側にはヒューズボックスが取り付けられている。このヒューズボックスにはヒューズを装着するためのヒューズ装着部が設けられている。ヒューズ装着部には回路基板から延設された端子が収容されている。ヒューズはヒューズ装着部に装着されて端子と接続される。このヒューズは、過剰電流がヒューズに流れたときに溶断するヒューズ素子を備える。
特開２００５−３０４１０５公報

電子ユニットの小型化を図ろうとした場合、スイッチング素子と同様に、ヒューズ素子も回路基板上に配設し、ケーシング内に収容することが考えられる。

しかし上記の構成によると、スイッチング素子に通電した場合にスイッチング素子から発生した熱はケース内の空気に伝達される。すると、この熱がヒューズ素子に伝達されて、ヒューズ溶断特性の信頼性が低下することが懸念される。
また、ヒューズ素子に通電した場合に、ヒューズ素子から発生した熱はケーシング内の空気に伝達される。すると、この熱がケーシング内にこもってしまい、ヒューズ溶断特性の信頼性が低下することが懸念される。

そこで、ケーシングを省略し、スイッチング素子及びヒューズ素子が露出した状態とすることが考えられる。しかし、ヒューズに過剰電流が流れると、ヒューズ素子が溶断して周囲に飛沫が飛び散る。この飛沫により電子ユニットの周囲に配設された部材が破損するおそれがある。

本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、小型化と、ヒューズ溶断特性の信頼性向上と、ヒューズ溶断時における飛沫の飛散抑制とが図られた電子ユニットを提供することを目的とする。

本発明は、電子ユニットであって、導電路が形成された回路基板と、前記回路基板に配設されて前記導電路と接続されるヒューズ素子と、前記回路基板に配設されて前記導電路に接続されるスイッチング素子と、前記回路基板に取り付けられるカバーとを備えてなり、前記ヒューズ素子は前記ヒューズ素子に過剰電流が流れたときに溶断する溶断部を備えており、前記カバーは前記溶断部を覆っており、前記カバーには前記スイッチング素子に対応する位置に第１開口部が形成されており、前記スイッチング素子の少なくとも一部は前記第１開口部から前記カバーの外部に露出している。

本発明の電子ユニットによれば、ヒューズ素子とスイッチング素子とが回路基板上に配設されているから、電子ユニットを小型化できる。

また、スイッチング素子の少なくとも一部はカバーの第１開口部においてカバーから露出しているから、スイッチング素子に通電した時にスイッチング素子から発生した熱はカバーの外部に直接に放散される。この結果、スイッチング素子から発生した熱がヒューズ素子に伝達されることを抑制できるから、ヒューズ溶断特性に対する信頼性を向上させることができる。
また、ヒューズ素子に通電した場合に、ヒューズ素子から発生した熱はケース内の空気に伝達される。空気に伝達された熱は、第１開口部から空気が流出することにより、空気と共にカバーの外部に放散される。この結果、ヒューズ素子から発生した熱がカバー内にこもることを抑制できるから、ヒューズ溶断特性に対する信頼性を向上させることができる。

その上、カバーはヒューズ素子の溶断部を覆っているから、溶断部が溶断した場合でも、カバーが溶断部の飛沫を受けることができる。これにより飛沫が周囲に飛散することを抑制できる。

本発明の実施態様として、以下の構成が好ましい。
前記カバーには、前記第１開口部と異なる位置であって、前記スイッチング素子と対応する位置に、前記カバーの外部と内部とを連通させる第２開口部が形成されている。これにより、空気は、第２開口部からカバー内に流入して第１開口部からカバー外へ流出可能となると共に、第１開口部からカバー内へ流入して第２開口部からカバー外へ流出可能となる。この結果、スイッチング素子から発生した熱は、カバー内の空気に伝達された後、第１開口部又は第２開口部から空気と共にカバー外へ放散される。同様に、ヒューズ素子から発生した熱も、カバー内の空気に伝達された後、第１開口部又は第２開口部からカバー外へ放散される。これにより、ヒューズ溶断特性の信頼性を一層向上させることができる。

導電路が形成された回路基板と、前記回路基板に配設されて前記導電路と接続されるヒューズ素子と、前記回路基板に配設されて前記導電路に接続されるスイッチング素子と、前記回路基板に取り付けられて前記回路基板の一部が露出した状態で前記基板を覆うカバーとを備えてなり、前記ヒューズ素子は前記ヒューズ素子に過剰電流が流れたときに溶断する溶断部を備えており、前記カバーは前記溶断部を覆っており、前記スイッチング素子は前記基板のうち前記カバーに覆われていない領域に配設されている。

上記構成によれば、スイッチング素子はカバーの外部に露出した構成になっている。これにより、スイッチング素子から発生した熱がヒューズ素子に伝達されることを抑制できるから、ヒューズ溶断特性の信頼性を向上させることができる。

前記カバーには、前記溶断部の近傍に、前記カバーの外部と内部とを連通させる第３開口部が形成されている。これにより、空気は、第３開口部からカバー内へ流入して第１開口部又は第２開口部からカバー外へ流出可能となると共に、第１開口部又は第２開口部からカバー内へ流入して第３開口部からカバー外へ流出可能となる。これにより、ヒューズから発生した熱は、カバー内の空気に伝達された後、空気と共に第１開口部、第２開口部、又は第３開口部からカバー外へ放散される。これにより、ヒューズ溶断特性の信頼性を一層向上させることができる。

前記回路基板には前記導電路と外部回路とを接続するための端子が設けられており、前記端子は、前記回路基板の少なくとも一の端縁に複数の前記導電路をの間隔を空けて並設してなるカードエッジ型である。これにより、電子ユニットと外部回路との接続構造を簡素化できる。

前記回路基板は第１面と第２面とを備えており、前記回路基板には前記第１面と前記第２面とを連通する切欠部が形成されており、前記ヒューズ素子の前記溶断部は、前記回路基板に、前記切欠部を跨ぐようにして配設されている。上記の切欠部において、基板の第１面側と第２面側との間は、空気が流通可能になっている。これにより、切欠部を跨ぐようにして配設された溶断部には、基板の第１面及び第２面の間を流通する空気が接触可能となる。この結果、ヒューズ素子に通電したときに溶断部から発生した熱は、切欠部を流通する空気に効率よく伝達される。これにより、溶断部の溶断特性の信頼性が一層向上する。

本発明によれば、電子ユニットの小型化を図り、ヒューズ溶断特性の信頼性を向上させ、ヒューズ溶断時における飛沫の飛散抑制することができる。

＜実施形態１＞
本発明を電子ユニット１０に適用した実施形態１を図１ないし図６を参照して説明する。この電子ユニット１０は、例えば図示しない車両に搭載されて使用される。電子ユニット１０は、図示しない車載電源と図示しない車載電装品（エアコン、オーディオ機器等）との間に介設されて、車載電装品の通電、断電を実行する。

電子ユニット１０は、回路基板１１にカバー１２を取り付けてなる。図１においては、回路基板１１の板面が上下方向を向く姿勢で記載されているが、電子ユニット１０は、車両に対して任意の姿勢で搭載することができる。

図２及び図３に示すように、回路基板１１は略矩形状をなす。回路基板１１は図６の上側に位置する第１面１３と、下側に位置する第２面１４とを備える。回路基板１１の第１面１３には、例えばプリント印刷手段により導電路１５が形成されている。図中、導電路１５の詳細な回路パターンは省略する。回路基板１１の第１面１３には、図２における右手前側の端縁寄りであって、且つ右斜め奥側の端縁寄りの位置に、半導体リレー１６（スイッチング素子の一例）が配設されている。この半導体リレー１６からは複数本のリード端子１７が突設されている。このリード端子１７は導電路１５と、例えばはんだ付け等の公知の手段により電気的に接続されている。

回路基板１１には、図２における右斜め奥側の端縁寄りの領域であって、半導体リレー１６が配設された位置よりも左斜め奥側の領域、第１面１３と第２面１４とを連通する第１切欠部１８（切欠部の一例）が形成されている。第１切欠部１８は回路基板１１の第１面１３側から見て略矩形状をなしている。

回路基板１１の第１面１３には、この第１切欠部１８を跨ぐようにして、複数（本実施形態では例えば３つ）のヒューズ素子１９が隣接して配設されている（図３参照）。ヒューズ素子１９は、例えば公知の亜鉛合金等からなる。ヒューズ素子１９と導電路１５とは、例えばはんだ付け、カシメ、溶接等の公知の手段により接続される。ヒューズ素子１９は、導電路１５と電気的に接続される２つの接続部２０と、これら接続部２０の間に設けられて、ヒューズ素子１９に過剰電流が通電されたときに溶断する溶断部２１とを備える。溶断部２１は略Ｕ字状をなしている。この溶断部２１が第１切欠部１８を跨ぐような位置に配されるように、ヒューズ素子１９が回路基板１１に配設されている。

回路基板１１の第１面１３には、図２における左手前側の端縁に、複数（本実施形態では例えば６つ）の導電路１５が間隔を空けて並んで設けられている。これにより、導電路１５と外部回路（図示せず）とを電気的に接続する端子２２が形成される。この端子２２は、いわゆるカードエッジ型であり、外部回路と接続される相手側の端子金具（図示せず）に、回路基板１１の第１面１３及び第２面１４側から挟み付けられることで、相手側端子と電気的に接続されるようになっている。

回路基板１１の第１面１３及び第２面１４のうち、図６における左端縁には、端縁側に向かうにしたがって幅狭に傾斜するテーパ面２３が形成されている。また、回路基板１１のうち、図２における左手前側の角部と、左斜め奥側の角部は、面取りがされている（図５参照）。これにより、回路基板１１が相手側端子と接続するときに、相手側端子に誘導されるようになっている。

カバー１２は合成樹脂製であって、略箱状をなす。カバー１２には、図１における左手前側の面に、全面に亘って開口する第１開口部２４が形成されている。カバー１２のうち、図１の右手前側の側壁２６Ａと、左奥側の側壁２６Ｂとには、第１開口部２４側から右斜め奥方へ延びる溝部２５が形成されている。この溝部２５の図１における上下方向の高さ寸法は、回路基板１１の厚さ寸法と同じか、やや小さめに設定されている。図１に示すように、上記の溝部２５内に回路基板１１が挿入されることで、回路基板１１とカバー１２とが組み付けられる。

図５に示すように、カバー１２の図５における左右方向の寸法は、回路基板１１の左右方向の寸法よりも短く設定されている。そして、カバー１２の第１開口部２４からは、半導体リレー１６の一部（図５における左側の部分）がカバー１２の外部に露出している。一方、ヒューズ素子１９のうち、図５における左側に位置する接続部２０は、カバー１２の外部に露出しているが、溶断部２１はカバー１２により覆われている。

図４に示すように、カバー１２のうち図４における右手前側に位置する奥壁２７には、半導体リレー１６に対応する領域（図４における左手前側の領域）に、複数（本実施形態では例えば４つ）の第２開口部２８が形成されている。第２開口部２８は、図４における上下方向に延びる略矩形状をなすと共に、間隔を空けて図４における左手前側から右奥側へ向けて並んで形成されている。図６に示すように、第２開口部２８により、カバー１２の内部と外部とは連通されている。第２開口部２８の図６における上下方向の高さ寸法は、半導体リレー１６の上下方向の高さ寸法よりも大きく設定されている。

以上説明したように、本実施形態によれば、ヒューズ素子１９と半導体リレー１６とが回路基板１１上に配設されているから、電子ユニット１０を小型化できる。

また、半導体リレー１６の一部はカバー１２の第１開口部２４においてカバー１２から露出している。これにより、半導体リレー１６に通電した時に半導体リレー１６から発生した熱はカバー１２の外部に直接に放散される。この結果、半導体リレー１６から発生した熱がヒューズ素子１９に伝達されることを抑制できるから、ヒューズ溶断特性に対する信頼性を向上させることができる。

さらに、カバー１２には、第１開口部２４と異なる位置であって、半導体リレー１６と対応する位置に、カバー１２の外部と内部とを連通させる第２開口部２８が形成されている。これにより、空気は、第２開口部２８からカバー１２内に流入して第１開口部２４からカバー１２外へ流出可能となると共に、第１開口部２４からカバー１２内へ流入して第２開口部２８からカバー１２外へ流出可能となる。この結果、半導体リレー１６から発生した熱は、カバー１２内の空気に伝達された後、第１開口部２４又は第２開口部２８から空気と共にカバー１２外へ放散される。これにより、ヒューズ溶断特性の信頼性を一層向上させることができる。

また、本実施形態においては、３つのヒューズ素子１９が並んで配設されている。このため、各ヒューズ素子１９から発生した熱は、隣接するヒューズ素子１９に伝達され、ヒューズ素子１９のヒューズ溶断特性を低下させることが懸念される。しかしながら本実施形態においては、上述したように、カバー１２には第１開口部２４及び第２開口部２８が形成されているから、上記と同様に、ヒューズ素子１９から発生した熱も、カバー１２内の空気に伝達された後、第１開口部２４又は第２開口部２８からカバー１２外へ放散される。これにより、ヒューズ溶断特性の信頼性を一層向上させることができる。

その上、本実施形態では、回路基板１１に形成された第１切欠部１８において、回路基板１１の第１面１３側と第２面１４側との間は、空気が流通可能になっている。この第１切欠部１８を跨ぐようにして溶断部２１が配設されている。この結果、溶断部２１には、回路基板１１の第１面１３及び第２面１４の間を流通する空気が接触するから、溶断部２１から発生した熱は、この空気に効率よく伝達されるようになっている。熱が伝達された空気は、上記と同様に、第１開口部２４又は第２開口部２８からカバー１２外へ放散される。これにより、溶断部２１の溶断特性の信頼性が一層向上する。

例えば、電子ユニット１０を、車両に対して、第１開口部２４が下方を向く姿勢で取り付けた場合には、半導体リレー１６又はヒューズ素子１９から発生した熱はカバー１２内の空気に伝達される。すると熱が伝達された空気はカバー１２内を上昇し、第２開口部２８からカバー１２外へ流出する。これにより、半導体リレー１６又はヒューズ素子１９から発生した熱は、空気を介してカバー１２外へ放散される。一方、第１開口部２４からは、比較的温度の低い空気がカバー１２の外部から内部へ流入する。熱の伝達効率は温度勾配が大きいほど高くなるので、半導体リレー１６又はヒューズ素子１９から発生する熱は、カバー１２外から流入した空気に効率よく伝達される。

また、カバー１２はヒューズ素子１９の溶断部２１を覆っているから、溶断部２１が溶断した場合でも、カバー１２が溶断部２１の飛沫を受けることができる。これにより飛沫が周囲に飛散することを抑制できる。

また、回路基板１１には導電路１５と外部回路とを接続するための端子２２が設けられており、端子２２は、回路基板１１の少なくとも一の端縁に複数の前記導電路１５を間隔を空けて並設してなるカードエッジ型である。これにより、電子ユニット１０と外部回路との接続構造を簡素化できる。

＜実施形態２＞
次に、本発明の実施形態２を図７ないし図１０を参照して説明する。回路基板１１のうち、図７における右手前側の端縁には、後述するカバー１２の上側係止部２９及び下側係止部３０と係合する係止受け部３１が、左斜め奥方に切り欠かれて形成されている。同様に、回路基板１１のうち図７における左斜め奥側の端縁には、カバー１２の上側係止部２９及び下側係止部３０と係合する係止受け部３１が右手前方向に切りかかれて形成されている。係止受け部３１は、上側係止部２９及び下側係止部３０を収容可能な大きさに形成されている。

図７において、カバー１２の右手前側に位置する側壁２６Ａに形成された溝部２５は、第１開口部２４側から、カバー１２の奥壁２７にまで達っするように形成されている。同様に、詳細には図示しないが、図７におけるカバー１２の左奥側に位置する側壁２６Ｂに形成された溝部２５も、第１開口部２４側から、カバー１２の奥壁２７にまで達するように形成されている。

図８に示すように、カバー１２の奥壁２７には、図８における左右両端寄りの位置に、上下方向に延びる一対の第２切欠部３２が形成されている。そして、溝部２５の奥壁２７側の端部は、この第２切欠部３２と連通している。これにより、カバー１２のうち図８における下側に位置する下壁３３は、奥壁２７を支点として、上下方向に弾性的に拡開変形可能になっている。

図７に示すように、カバー１２の右手前側の側壁２６Ａに形成された溝部２５の上側に位置する壁面には、第１開口部２４寄りの端縁に、溝部２５の内方（図７の下方向）に突出する上側係止部２９が設けられている。この上側係止部２９には、第１開口部２４の端面に、第１開口部２４側から奥壁２７側に向かうにしたがって緩やかに溝部２５の内方（図７の下方）に傾斜する傾斜面３４が形成されている。一方、上側係止部２９の、奥壁２７側の端面は、溝部２５の上壁面に対して切り立って形成された受け面３５とされる。

また、カバー１２の右手前側の側壁２６Ａに形成された溝部２５の下側に位置する壁面には、第１開口部２４寄りの端縁に、溝部２５の内方（図７の上方向）に突出する下側係止部３０が設けられている。この下側係止部３０には、第１開口部２４の端面に、第１開口部２４側から奥壁２７側に向かうにしたがって緩やかに溝部２５の内方（図７の上方）に傾斜する傾斜面３４が形成されている。一方、下側係止部３０の、奥壁２７側の端面は、溝部２５の上壁面に対して切り立って形成された受け面３５とされる。

詳細には図示しないが、図７における左奥側に位置するカバー１２の側壁２６に形成された溝部２５にも、第１開口部２４寄りの位置に、一対の上側係止部２９及び下側係止部３０が設けられている。

図８に示すように、カバー１２の奥壁２７には、半導体リレー１６に対応する位置（図８における左手前側の領域）に、図８における上下方向に延びる複数（実施形態２では例えば３つ）の第２開口部２８が形成されている。この第２開口部２８は、図８における左右方向に間隔を空けて並んで形成されている。図１０に示すように、この第２開口部２８により、カバー１２の内部と外部とは連通している。

図９に示すように、第１開口部２４からは、半導体リレー１６のリード端子１７がカバー１２の外部に露出している。また、実施形態２においては、ヒューズ素子１９の接続部２０及び溶断部２１の双方は、カバー１２に覆われている。

上記以外の構成については実施形態１と略同様の構成なので、同一部材については同一符号を付し、重複する説明を省略する。

回路基板１１とカバー１２とを組み付けるには、以下のようにする。まず、カバー１２の上側係止部２９及び下側係止部３０の傾斜面３４に、回路基板１１のうち端子２２が形成された側の端縁とは反対側の端縁を当接させる。すると、回路基板１１は、傾斜面３４に案内されて溝部２５に誘導される。

回路基板１１を溝部２５の奥壁２７側に押し込むと、上側係止部２９及び下側係止部３０は、回路基板１１の第１面１３及び第２面１４に乗り上げる。これにより、カバー１２の下壁３３は、上下方向に弾性的に拡開変形する。さらに回路基板１１を溝部２５の奥壁２７側に押し込むと、上側係止部２９及び下側係止部３０は、回路基板１１の係止受け部３１に達し、この係止受け部３１内に復帰変形して嵌まり込む。すると、上側係止部２９及び下側係止部３０の受け面３５が、回路基板１１の係止受け部３１の奥壁２７側の壁面に、図７における左手前側から当接する。これにより、回路基板１１がカバー１２に対して抜け止め状態で保持される。

実施形態２によれば、半導体リレー１６のリード端子１７がカバー１２から外部に露出しているから、半導体リレー１６を保護しつつ、半導体リレー１６から発生する熱をカバー１２の外部に放散することができる。

＜実施形態３＞
次に、実施形態３を図１１及び図１２を参照して説明する。カバー１２は、回路基板１１の一部が露出した状態で回路基板１１を覆うようになっている。これにより、回路基板１１には、カバー１２によって覆われていない露出領域３６が形成されている。この露出領域３６には半導体リレー１６が配設されている。また、カバー１２は、ヒューズ素子１９の接続部２０及び溶断部２１の双方を覆うようになっている。

係止受け部３１は、回路基板１１のうち図１１の左奥側の端縁にのみ形成されている。また、図１２に示すように、カバー１２の奥壁２７には、右斜め奥側の端縁にのみ第２切欠部３２が形成されている。

上記以外の構成については、実施形態２と略同様なので、同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

本実施形態によれば、半導体リレー１６はカバー１２の外部に露出した露出領域３６に形成されている。これにより、半導体リレー１６から発生した熱がヒューズ素子１９に伝達されることを抑制低減できるから、ヒューズ溶断特性の信頼性を向上させることができる。

＜実施形態４＞
次に、実施形態４を図１３ないし図１８を参照して説明する。図１４に示すように、回路基板１１には、複数（実施形態４では例えば２つ）のリレー３７（スイッチング素子の一例）が配設されている。リレー３７の回路基板１１側の面には図示しないリード端子が配設されており、このリード端子と導電路１５とは、例えばリフローはんだ付け、溶接等の公知の手法により電気的に接続される。

図１５に示すように、回路基板１１のうち図１５の右手前側の端縁には、左斜め奥方に切り欠かれた第３切欠部３８（切欠部の一例）が例えば４つ、間隔を空けて並んで形成されている。ヒューズは、ヒューズの溶断部２１が第３切欠部３８を跨ぐようにして、回路基板１１に配設されている。

図１３に示すように、カバー１２のうち図１３の上側に位置する上壁４０には、第１開口部２４から左手前方向に延びる庇板４１が設けられている。図１７に示すように、庇板４１の図１７における左端縁からは、リレー３７の一部が露出している。

図１６に示すように、カバー１２の図１６における手前側に位置する奥壁２７には、上下方向に延びる複数の第２開口部２８が、左右方向に並んで間隔を空けて形成されている。この第２開口部２８は、カバー１２のうちリレー３７に対応する位置に形成されている。図１８に示すように、第２開口部２８により、カバー１２の内部と外部とは連通するようになっている。

また、図１６に示すように、カバー１２の奥壁２７には、図１６における下端寄りの位置に、左右方向に並んで複数（実施形態４では３つ）の第３開口部３９が形成されている。図には詳細に示さないが、この第３開口部３９により、カバー１２の内部と外部とは連通している。

本実施形態によれば、空気は、第３開口部３９からカバー１２内へ流入して第１開口部２４又は第２開口部２８からカバー１２外へ流出可能となると共に、第１開口部２４又は第２開口部２８からカバー１２内へ流入して第３開口部３９からカバー１２外へ流出可能となる。これにより、ヒューズ素子１９から発生した熱は、カバー１２内の空気に伝達された後、空気と共に第１開口部２４、第２開口部２８、又は第３開口部３９からカバー１２外へ放散される。これにより、ヒューズ溶断特性の信頼性を一層向上させることができる。

例えば、電子ユニット１０を、車両に対して、第１開口部２４が下方を向く姿勢で取り付けた場合には、半導体リレー１６又はヒューズ素子１９から発生した熱はカバー１２内の空気に伝達される。すると熱が伝達された空気はカバー１２内を上昇し、第２開口部２８及び代３開口部３９からカバー１２外へ流出する。これにより、半導体リレー１６又はヒューズ素子１９から発生した熱は、空気を介してカバー１２外へ放散される。一方、第１開口部２４からは、比較的温度の低い空気がカバー１２の外部から内部へ流入する。熱の伝達効率は温度勾配が大きいほど高くなるので、半導体リレー１６又はヒューズ素子１９から発生する熱は、カバー１２外から流入した空気に効率よく伝達される。

＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）本実施形態では、端子２２はカードエッジ型としたが、これに限られず、例えば回路基板１１に設けたスルーホールに挿入された状態で接続されたタブであってもよいし、また、回路基板１１に形成した導電路１５にはんだ付け、溶接等により接続されたタブでもよく、任意の形態を取りうる。
（２）導電路１５は、回路基板１１の表面に絶縁性の接着剤層を介して接着したバスバーであってもよい。この場合、バスバーの端部を回路基板１１の端縁から突出させて端子２２としてもよい。
（３）本実施形態では、ヒューズ素子１９とスイッチング素子とは回路基板１１の第１面１３に配設したが、これに限られず、ヒューズ素子１９を回路基板１１の第１面１３に配設すると共にスイッチング素子を回路基板１１の第２面１４に配設する構成としてもよい。また、ヒューズ素子１９を回路基板１１の第２面１４に配設すると共にスイッチング素子を回路基板１１の第１面１３に配設する構成としてもよい。
（４）例えば、スイッチング素子に流れる電流が比較的小さいためにスイッチング素子の発熱量が小さい場合には、第２開口部２８は省略してもよい。
（５）例えば、スイッチング素子と溶断部２１とが比較的離れて配設されている場合など、スイッチング素子からの発熱の影響が比較的小さい場合には、第３開口部３９は省略してもよい。
（６）本実施形態においては、回路基板１１に、３つのヒューズ素子１９を配設する構成としたが、これに限られず、１つ、２つ又は４つ以上のヒューズ素子１９を配設する構成としてもよい。

本発明の実施形態１に係る電子ユニットを示す斜視図 基板を示す斜視図 図２とは異なる視点から見た基板を示す斜視図 図１とは異なる視点から見た電子ユニットを示す斜視図 電子ユニットを示す平面図 図５におけるＡ−Ａ線断面図 本発明の実施形態２に係る電子ユニットを示す斜視図 図７とは異なる視点から見た電子ユニットを示す斜視図 電子ユニットを示す平面図 図９におけるＢ−Ｂ線断面図 本発明の実施形態３に係る電子ユニットを示す斜視図 図１１とは異なる視点から見た電子ユニットを示す斜視図 本発明の実施形態４に係る電子ユニットを示す斜視図 基板を示す斜視図 図１４とは異なる視点から見た基板を示す斜視図 図１３とは異なる視点からみた電子ユニットを示す斜視図 電子ユニットを示す平面図 図１７におけるＣ−Ｃ線断面図

符号の説明

１０…電子ユニット
１１…回路基板
１２…カバー
１３…第１面
１４…第２面
１５…導電路
１６…半導体リレー（スイッチング素子）
１８…第１切欠部（切欠部）
１９…ヒューズ素子
２１…溶断部
２２…端子
２４…第１開口部
２８…第２開口部
３７…リレー（スイッチング素子）
３８…第３切欠部（切欠部）
３９…第３開口部

Claims (6)

1. 導電路が形成された回路基板と、前記回路基板に配設されて前記導電路と接続されるヒューズ素子と、前記回路基板に配設されて前記導電路に接続されるスイッチング素子と、前記回路基板に取り付けられるカバーとを備えてなり、前記ヒューズ素子は前記ヒューズ素子に過剰電流が流れたときに溶断する溶断部を備えており、前記カバーは前記溶断部を覆っており、前記カバーには前記スイッチング素子に対応する位置に第１開口部が形成されており、前記スイッチング素子の少なくとも一部は前記第１開口部から前記カバーの外部に露出している電子ユニット。
2. 前記カバーには、前記第１開口部と異なる位置であって、前記スイッチング素子と対応する位置に、前記カバーの外部と内部とを連通させる第２開口部が形成されている請求項１に記載の電子ユニット。
3. 導電路が形成された回路基板と、前記回路基板に配設されて前記導電路と接続されるヒューズ素子と、前記回路基板に配設されて前記導電路に接続されるスイッチング素子と、前記回路基板に取り付けられて前記回路基板の一部が露出した状態で前記回路基板を覆うカバーとを備えてなり、前記ヒューズ素子は前記ヒューズ素子に過剰電流が流れたときに溶断する溶断部を備えており、前記カバーは前記溶断部を覆っており、前記スイッチング素子は前記回路基板のうち前記カバーに覆われていない領域に配設されている電子ユニット。
4. 前記カバーには、前記溶断部の近傍に、前記カバーの外部と内部とを連通させる第３開口部が形成されている請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の電子ユニット。
5. 前記回路基板には前記導電路と外部回路とを接続するための端子が設けられており、前記端子は、前記回路基板の少なくとも一の端縁に複数の前記導電路を間隔を空けて並設してなるカードエッジ型である請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の電子ユニット。
6. 前記回路基板は第１面と第２面とを備えており、前記回路基板には前記第１面と前記第２面とを連通する切欠部が形成されており、前記ヒューズ素子の前記溶断部は、前記回路基板に、前記切欠部を跨ぐようにして配設されている請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の電子ユニット。

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