JP4760080B2 - Method for manufacturing light emitting device - Google Patents

Method for manufacturing light emitting device Download PDF

Info

Publication number
JP4760080B2
JP4760080B2 JP2005087912A JP2005087912A JP4760080B2 JP 4760080 B2 JP4760080 B2 JP 4760080B2 JP 2005087912 A JP2005087912 A JP 2005087912A JP 2005087912 A JP2005087912 A JP 2005087912A JP 4760080 B2 JP4760080 B2 JP 4760080B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric film
light emitting
film
layer
dielectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005087912A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2006269326A5 (en
JP2006269326A (en
Inventor
智和 梅野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2005087912A priority Critical patent/JP4760080B2/en
Publication of JP2006269326A publication Critical patent/JP2006269326A/en
Publication of JP2006269326A5 publication Critical patent/JP2006269326A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4760080B2 publication Critical patent/JP4760080B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は、例えば、有機ＥＬ装置等の発光装置及びその製造方法、並びにそのような発光装置を備えた電子機器の技術分野に関する。   The present invention relates to a technical field of, for example, a light emitting device such as an organic EL device, a method for manufacturing the same, and an electronic apparatus including such a light emitting device.

この種の発光装置の一例である有機ＥＬ装置では、各画素部に含まれる発光層から出射された光を共振させることによって表示特性を高める技術が各種開示されている。例えば、特許文献１は、微小共振器構造をディスプレイ内に作り込むことによって、有機ＥＬ素子で生じた光の利用効率を向上させ、消費電力を低減しながら光の指向性を高める技術を開示している。また、特許文献２は、発光素子を駆動する薄膜トランジスタが埋め込まれた平坦化膜上に誘電体ミラーを形成し、発光素子で発生した光を共振させることによって発光素子で発生した光に高い指向性を持たせる技術を開示している。   In an organic EL device which is an example of this type of light emitting device, various techniques for improving display characteristics by resonating light emitted from a light emitting layer included in each pixel portion are disclosed. For example, Patent Document 1 discloses a technique for improving the light directivity while improving the utilization efficiency of light generated in an organic EL element by reducing the power consumption by building a microresonator structure in the display. ing. In Patent Document 2, a dielectric mirror is formed on a planarizing film in which a thin film transistor for driving a light emitting element is embedded, and light generated in the light emitting element is resonated to resonate light generated in the light emitting element. A technique for providing

特開２００１−７１５５８号公報JP 2001-71558 A 特開２００２―２９９０６６号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2002-299066

しかしながら、特許文献１及び２に開示された技術は、ディスプレイ等の発光装置に光共振器構造を作り込むために、薄膜トランジスタ等の素子及びこのような素子が埋め込まれる絶縁膜を形成する工程とは別に共振器を形成する工程が必要となる。また、共振器構造を形成するために、例えば誘電体ミラーをパターニングするためのマスクが必要となる。よって、発光装置の製造プロセスが煩雑になると共に、製造コストの増大を招く問題点がある。   However, the techniques disclosed in Patent Documents 1 and 2 are the steps of forming an element such as a thin film transistor and an insulating film in which such an element is embedded in order to build an optical resonator structure in a light emitting device such as a display. A separate step of forming a resonator is required. In order to form a resonator structure, for example, a mask for patterning a dielectric mirror is required. Therefore, there are problems that the manufacturing process of the light emitting device becomes complicated and the manufacturing cost increases.

よって、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、製造工程を増やすことなく特定の波長の光を共振させることができる光共振器構造が形成された有機ＥＬ装置等の発光装置及びその製造方法、並びにそのような発光装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。   Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and a light emitting device such as an organic EL device in which an optical resonator structure capable of resonating light of a specific wavelength without increasing the number of manufacturing steps is provided. It is an object to provide a manufacturing method thereof and an electronic device including such a light-emitting device.

本発明に係る発光装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板と、該基板上に設けられた複数の発光層と、前記複数の発光層のそれぞれの表面を被うように金属材料によって形成された陰極と、該陰極との間で複数の前記発光層を挟む位置に設けられた正孔注入層と、該正孔注入層に対して前記基板側に設けられ、前記正孔注入層に接続され、透明電極材料によって形成された陽極と、前記陽極と前記陰極との間に流す電流のオンオフを切り替える駆動トランジスタと、前記基板の表面から順に積層された第一誘電体膜、第二誘電体膜、第三誘電体膜、第四誘電体膜、第五誘電体膜、第六誘電体膜及び第七誘電体膜を含む誘電体層を有し、当該誘電体層によって前記駆動素子を内包する絶縁部とを備え、前記第一誘電膜及び前記第二誘電膜によって、下地層が形成され、前記第三誘電膜及び前記第四誘電膜によって、前記駆動トランジスタのゲート絶縁層及び層間絶縁層が形成され、前記第五誘電膜、前記第六絶縁膜及び前記第七絶縁膜によって、保護層が形成され、前記第一誘電体膜、前記第二誘電体膜、前記第三誘電体膜、前記第四誘電体膜、前記第五誘電体膜、前記第六誘電体膜及び前記第七誘電体膜は、それぞれ厚さが均一に形成されており、前記複数の発光層は、青色光を発光する青色発光層、緑色光を発光する緑色発光層及び赤色光を発光する赤色発光層をそれぞれ複数有し、前記青色発光層、前記緑色発光層及び前記赤色発光層は、素子分離部によって隔離されており、前記誘電体層は、前記青色発光層が設けられる部分において前記第二誘電体膜を露出させる第一開口部を有し、前記青色発光層は、前記第一開口部上に前記正孔注入層を介して形成されており、前記誘電体層は、前記緑色発光層が設けられる部分において前記第四誘電体膜を露出させる第二開口部を有し、前記緑色発光層は、前記第二開口部上に前記正孔注入層を介して形成されており、前記赤色発光層は、前記第七誘電体膜上に前記正孔注入層を介して形成されており、複数の前記発光層を積層方向に挟むように設けられ複数の前記発光層から発光された光を共振させる第１反射膜及び第２反射膜を備え、前記第１反射膜及び前記第２反射膜は、前記青色発光層において発光された青色光を共振させる第一共振部と、前記緑色発光層において発光された緑色光を共振させる第二共振部と、前記赤色発光層において発光された赤色光を共振させる第三共振部と、を有し、前記第一共振部では、前記第１反射膜は、前記第一誘電体膜と、前記第二誘電体膜と、で形成されており、前記第一誘電体膜及び前記第二誘電体膜は、前記青色光を共振できるように厚さ及び屈折率が設定されており、前記第二共振部では、前記第１反射膜は、前記第三誘電体膜及び前記第四誘電体膜のうちの前記層間絶縁層で形成されており、前記第三誘電体膜及び前記第四誘電体膜のうちの前記層間絶縁層は、前記緑色光を共振できるように厚さ及び屈折率が設定されており、前記第三共振部では、前記第１反射膜は、前記第五誘電体膜と、前記第六誘電体膜と、で形成されており、前記第五誘電体膜及び前記第六誘電体膜は、前記赤色光を共振できるように厚さ及び屈折率が設定されており、前記第２反射膜として、前記陰極が用いられ、前記第一共振部において前記第１反射膜と前記第２反射膜との間の光学長は、前記青色光の波長と、前記第一誘電体膜及び前記第二誘電体膜の有効屈折率と、前記第一誘電体膜及び前記第二誘電体膜の間の屈折率の差と、前記陽極、前記正孔注入層及び前記青色発光層のそれぞれの屈折率及び厚さと、に基づいて設定されており、前記第二共振部において前記第１反射膜と前記第２反射膜との間の光学長は、前記緑色光の波長と、前記第三誘電体膜及び前記第四誘電体膜の有効屈折率と、前記第三誘電体膜及び前記第四誘電体膜の間の屈折率の差と、前記陽極、前記正孔注入層及び前記緑色発光層のそれぞれの屈折率及び厚さと、に基づいて設定されており、前記第三共振部において前記第１反射膜と前記第２反射膜との間の光学長は、前記赤色光の波長と、前記第六誘電体膜及び前記第七誘電体膜の有効屈折率と、前記第六誘電体膜及び前記第七誘電体膜の間の屈折率の差と、前記陽極、前記正孔注入層及び前記赤色発光層のそれぞれの屈折率及び厚さと、に基づいて設定されている発光装置の製造方法であって、前記基板上に前記第一誘電体膜、前記第二誘電体膜、前記第三誘電体膜、前記第四誘電体膜、前記第五誘電体膜、前記第六誘電体膜及び前記第七誘電体膜をそれぞれ所定の膜厚で積層させて前記誘電体層を形成し、前記誘電体層のうち前記青色発光層が設けられる部分に前記第二誘電体膜を露出させる第一開口部を形成し、その後、前記第一開口部上に前記陽極、前記正孔注入層及び前記青色発光層を順に積層させ、前記誘電体層のうち前記緑色発光層が設けられる部分に前記第四誘電体膜を露出させる第二開口部を形成し、その後、前記第二開口部上に前記陽極、前記正孔注入層及び前記緑色発光層を順に積層させ、前記誘電体層のうち前記第七誘電体膜上に前記陽極、前記正孔注入層及び前記赤色発光層を順に積層させることを特徴とする。In order to solve the above problems, a method for manufacturing a light emitting device according to the present invention includes a substrate, a plurality of light emitting layers provided on the substrate, and a metal material so as to cover the surfaces of the plurality of light emitting layers. A hole injection layer provided at a position where a plurality of the light emitting layers are sandwiched between the cathode, the hole injection layer provided on the substrate side with respect to the hole injection layer, and the hole injection An anode formed of a transparent electrode material, a driving transistor for switching on / off of a current flowing between the anode and the cathode, a first dielectric film stacked in order from the surface of the substrate, A dielectric layer including a two-dielectric film, a third dielectric film, a fourth dielectric film, a fifth dielectric film, a sixth dielectric film, and a seventh dielectric film, and the driving by the dielectric layer; An insulating portion enclosing the element, and the first dielectric film and the second dielectric A base layer is formed by the film, and a gate insulating layer and an interlayer insulating layer of the driving transistor are formed by the third dielectric film and the fourth dielectric film, and the fifth dielectric film, the sixth insulating film, and the A protective layer is formed by the seventh insulating film, and the first dielectric film, the second dielectric film, the third dielectric film, the fourth dielectric film, the fifth dielectric film, the sixth dielectric film, The dielectric film and the seventh dielectric film are each formed to have a uniform thickness, and the plurality of light emitting layers include a blue light emitting layer that emits blue light, a green light emitting layer that emits green light, and a red light. The blue light emitting layer, the green light emitting layer, and the red light emitting layer are separated by an element separating portion, and the dielectric layer is provided with the blue light emitting layer. Exposing the second dielectric film in a portion The blue light-emitting layer is formed on the first opening via the hole injection layer, and the dielectric layer is formed in the portion where the green light-emitting layer is provided. A second opening exposing the fourth dielectric film, the green light emitting layer is formed on the second opening via the hole injection layer, and the red light emitting layer is A first reflective film formed on the seven dielectric films via the hole injection layer, and provided so as to sandwich the plurality of light emitting layers in the stacking direction, and resonates light emitted from the plurality of light emitting layers. And a second reflecting film, wherein the first reflecting film and the second reflecting film resonate the blue light emitted from the blue light emitting layer, and the green light emitted from the green light emitting layer. A second resonating portion that resonates the red light emitted from the red light emitting layer. A first resonance film, wherein the first reflection film is formed of the first dielectric film and the second dielectric film, and The thickness and refractive index of the first dielectric film and the second dielectric film are set so that the blue light can resonate. In the second resonance part, the first reflective film is the third reflective film. The interlayer dielectric layer is formed of a dielectric film and the fourth dielectric film, and the interlayer dielectric layer of the third dielectric film and the fourth dielectric film resonates the green light. A thickness and a refractive index are set so that the first resonance film is formed of the fifth dielectric film and the sixth dielectric film in the third resonance unit, The fifth dielectric film and the sixth dielectric film are set to have a thickness and a refractive index so that the red light can resonate, The cathode is used as two reflective films, and the optical length between the first reflective film and the second reflective film in the first resonance unit is the wavelength of the blue light, the first dielectric film, and The effective refractive index of the second dielectric film, the difference in refractive index between the first dielectric film and the second dielectric film, and each of the anode, the hole injection layer, and the blue light emitting layer The optical length between the first reflective film and the second reflective film in the second resonating portion is set based on the wavelength of the green light and the third dielectric. Effective refractive index of the body film and the fourth dielectric film, difference in refractive index between the third dielectric film and the fourth dielectric film, the anode, the hole injection layer, and the green light emitting layer Are set based on the respective refractive indexes and thicknesses of the first reflective film in the third resonance portion. The optical length between the second reflective film, the wavelength of the red light, the effective refractive index of the sixth dielectric film and the seventh dielectric film, the sixth dielectric film and the seventh dielectric A method of manufacturing a light emitting device, which is set based on a difference in refractive index between body films and a refractive index and a thickness of each of the anode, the hole injection layer, and the red light emitting layer, On the substrate, the first dielectric film, the second dielectric film, the third dielectric film, the fourth dielectric film, the fifth dielectric film, the sixth dielectric film, and the seventh dielectric The dielectric layers are formed by laminating films each with a predetermined thickness, and a first opening for exposing the second dielectric film is formed in a portion of the dielectric layers where the blue light emitting layer is provided. Then, the anode, the hole injection layer, and the blue light emitting layer are sequentially stacked on the first opening, and the dielectric A second opening for exposing the fourth dielectric film is formed in a portion of the body layer where the green light emitting layer is provided, and then the anode, the hole injection layer, and the green are formed on the second opening. A light emitting layer is sequentially stacked, and the anode, the hole injection layer, and the red light emitting layer are sequentially stacked on the seventh dielectric film of the dielectric layers.

本発明に係る発光装置では、例えば有機ＥＬ材料を基板上の所定の領域に塗布することによって形成された発光層を備えている。このような発光層を形成する際の塗布方法としては、例えばインクジェット法が挙げられる。駆動素子は、例えば発光層が電流駆動型で駆動される場合には、発光層に駆動電流を供給する駆動トランジスタである。尚、駆動素子は、駆動トランジスタに限定されるものでは、例えば、発光層を含む画素部に設けられた画素回路を構成する素子であれば如何なる素子を含んでいてもよい。このような駆動素子は光透過性を有していないため、基板上に基板側から見て発光層を避けるように形成されている。より具体的には、例えば最終的に基板側から光を出射するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置では、発光層から光が出射される領域を避けるように駆動トランジスタ等の駆動素子が基板上に形成されていることになる。   The light emitting device according to the present invention includes a light emitting layer formed by, for example, applying an organic EL material to a predetermined region on a substrate. As a coating method for forming such a light emitting layer, for example, an ink jet method may be mentioned. The drive element is a drive transistor that supplies a drive current to the light emitting layer when the light emitting layer is driven by a current drive type, for example. Note that the driving element is not limited to the driving transistor, and may include any element as long as it is an element that constitutes a pixel circuit provided in the pixel portion including the light emitting layer, for example. Since such a drive element does not have optical transparency, it is formed on the substrate so as to avoid the light emitting layer when viewed from the substrate side. More specifically, for example, in a bottom emission type organic EL device that finally emits light from the substrate side, a drive element such as a drive transistor is formed on the substrate so as to avoid a region where light is emitted from the light emitting layer. Will be.

絶縁部は、駆動素子を内包しており、これにより発光装置の他の構成要素から駆動素子を絶縁すると共に保護する。ここで、「駆動素子を絶縁する」とは、所要の配線等の導電部と駆動素子とは電気的に接続された状態を維持しながら、このような導電部を除く部分から駆動素子を絶縁、及び保護することを意味している。絶縁部に含まれる複数の誘電体膜は、例えば基板上の他の構成要素から駆動素子を絶縁する絶縁膜としても機能する。   The insulating part includes the driving element, thereby insulating and protecting the driving element from other components of the light emitting device. Here, “insulating the drive element” means that the drive element is insulated from a portion excluding such a conductive part while maintaining a state where the conductive part such as required wiring and the drive element are electrically connected. , And protecting. The plurality of dielectric films included in the insulating portion also function as insulating films that insulate the drive element from other components on the substrate, for example.

第１反射膜部は、絶縁部に含まれる複数の誘電体膜のうち発光層の下側に絶縁された部分を含んでいる。複数の誘電体膜は、絶縁部では、駆動素子を他の構成要素から絶縁し、発光層の下側に延在する部分が発光層で発生した光を反射する誘電体ミラーとして実質的に機能する。したがって、駆動素子側から発光層側にこれら誘電体層を延在させておけば、例えば別途誘電体ミラーを形成する製造プロセスを追加することなく、光共振器を構成する一方の反射膜を形成できる。より具体的には、例えば、一般的な液晶装置の製造する際に、薄膜トランジスタが搭載された素子アレイ基板を製造する工程を利用して光共振器構造を発光装置に作り込むことが可能である。この場合、例えば素子アレイ基板に薄膜トランジスタ及びこのトランジスタの周囲に形成される絶縁膜を形成する際に用いられるマスクのみを用いて光共振器構造を形成できる。   The first reflective film portion includes a portion insulated below the light emitting layer among the plurality of dielectric films included in the insulating portion. The plurality of dielectric films substantially function as a dielectric mirror that insulates the drive element from other components in the insulating portion, and a portion extending below the light emitting layer reflects light generated in the light emitting layer. To do. Therefore, if these dielectric layers are extended from the drive element side to the light emitting layer side, for example, one reflection film constituting the optical resonator is formed without adding a separate manufacturing process for forming a dielectric mirror. it can. More specifically, for example, when manufacturing a general liquid crystal device, an optical resonator structure can be built in a light emitting device by using a process for manufacturing an element array substrate on which a thin film transistor is mounted. . In this case, for example, the optical resonator structure can be formed using only the mask used when forming the thin film transistor and the insulating film formed around the transistor on the element array substrate.

第２反射膜部は、発光層に上側に形成されている。したがって、本発明の発光装置は、発光層で発生した光を第１反射膜部及び第２反射膜部間で共振させることによって特定の波長を有する光を出射できる。   The second reflective film portion is formed on the light emitting layer on the upper side. Therefore, the light emitting device of the present invention can emit light having a specific wavelength by causing light generated in the light emitting layer to resonate between the first reflective film portion and the second reflective film portion.

よって、本発明に係る発光装置によれば、別途第１反射膜部を形成する工程を追加することなく、駆動素子或いは駆動素子を内包する絶縁部を形成する工程を実施すると同時に、実質的に誘電体ミラーとして機能する複数の誘電体膜を形成することが可能であり、製造プロセスの煩雑化及び製造コストの増大を招くことなく、表示特性に優れた発光装置を提供できる。   Therefore, according to the light emitting device of the present invention, the process of forming the drive element or the insulating part including the drive element is substantially performed at the same time without adding the process of forming the first reflective film part separately. A plurality of dielectric films functioning as dielectric mirrors can be formed, and a light emitting device having excellent display characteristics can be provided without complicating the manufacturing process and increasing the manufacturing cost.

本発明に係る発光装置の一の態様においては、前記少なくとも２つの誘電体膜の夫々は、前記一の発光層で発生した前記光のうち所定の波長を有する光を共振させるように厚み及び屈折率が設定されていることを特徴とする。
In one aspect of the light emitting device according to the present invention, each of the at least two dielectric films has a thickness and a refraction so as to resonate light having a predetermined wavelength among the light generated in the one light emitting layer. The rate is set.

この態様によれば、例えば発光層で発生した光のうち特定の波長を有する光を共振できるように、誘電体膜の厚み及び屈折率を設定しておくことが可能である。例えば、発光層は、膜厚バラツキ、或いは膜質バラツキによって発生する光の波長にバラツキが生じ、発光層に供給された駆動電流に応じて特定の波長の光を効率良く発生できない場合が多い。このような場合、発光層で発生した特定の波長の光を共振させることによって、この波長を有する光を選択的に増幅して発光層から出射できる。したがって、狙いの波長を有する光を発光層から高い強度で選択的に出射することが可能になる。加えて、光の指向性も高めることが可能である。   According to this aspect, for example, the thickness and refractive index of the dielectric film can be set so that light having a specific wavelength among the light generated in the light emitting layer can resonate. For example, in the light emitting layer, the wavelength of light generated due to film thickness variation or film quality variation varies, and in many cases, light of a specific wavelength cannot be efficiently generated according to the drive current supplied to the light emitting layer. In such a case, by resonating light having a specific wavelength generated in the light emitting layer, light having this wavelength can be selectively amplified and emitted from the light emitting layer. Therefore, light having a target wavelength can be selectively emitted from the light emitting layer with high intensity. In addition, the directivity of light can be increased.

本発明に係る発光装置の他の態様においては、前記絶縁部を含む素子分離部をさらに備え、前記複数の発光層のうち第１の発光層と第２の発光層は、前記素子分離部によって互いに離隔され、前記第１の発光層は第１の色の光を発生させ、前記第２の発光層は該第１の色の光とは異なる第２の色の光を発生させることを特徴とする。
In another aspect of the light emitting device according to the present invention, the light emitting device further includes an element separating portion including the insulating portion, and the first light emitting layer and the second light emitting layer among the plurality of light emitting layers are separated by the element separating portion. Separated from each other, the first light-emitting layer generates light of a first color, and the second light-emitting layer generates light of a second color different from the light of the first color. And

この態様によれば、複数の発光層の夫々から互いに異なる色の光を出射できる。例えば、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、及びＢ（青色）の光を夫々対応する発光層から出射すれば、発光装置はカラー表示できる。即ち、この態様によれば、各色に発光する発光層毎に別途光共振器構造を形成することなく、例えば、予め発光層の下側に延びる複数の誘電体膜が光共振器構造の一方の反射膜として機能するようにしておけばよいのである。ここで、素子分離部とは、例えば、有機ＥＬ装置等の発光装置では、各発光層を互いに隔てる隔壁及びこの隔壁の下側の部分全体を意味する。   According to this aspect, light of different colors can be emitted from each of the plurality of light emitting layers. For example, if light of R (red), G (green), and B (blue) is emitted from the corresponding light emitting layers, the light emitting device can perform color display. That is, according to this aspect, without separately forming an optical resonator structure for each light emitting layer that emits light of each color, for example, a plurality of dielectric films extending below the light emitting layer in advance are provided in one of the optical resonator structures. It only has to function as a reflective film. Here, for example, in a light emitting device such as an organic EL device, the element separating portion means a partition that separates the light emitting layers from each other and the entire portion below the partition.

本発明に係る発光装置の他の態様においては、前記複数の誘電体膜のうち、前記第１の発光層に対応した前記第１反射膜を構成する複数の誘電体膜の夫々は、前記第１の色に応じた所定の波長を有する光を共振させるように厚み及び屈折率が設定されており、前記複数の誘電体膜のうち、前記第２の発光層に対応した前記第１反射膜を構成する複数の誘電体膜の夫々は、前記第２の色に応じた所定の波長を有する光を共振させるように厚み及び屈折率が設定されていることを特徴とする。
In another aspect of the light emitting device according to the present invention, among the plurality of dielectric films, each of the plurality of dielectric films constituting the first reflective film corresponding to the first light emitting layer is the first dielectric film. The thickness and the refractive index are set so as to resonate light having a predetermined wavelength corresponding to one color, and the first reflective film corresponding to the second light emitting layer among the plurality of dielectric films Each of the plurality of dielectric films constituting the film has a thickness and a refractive index set so as to resonate light having a predetermined wavelength corresponding to the second color.

この態様によれば、異なる色の夫々について特定の波長を有する光を共振させることが可能であり、例えば、ＲＧＢの３色に夫々発光する発光層を備えた発光装置は、色純度に優れた３色の光を用いて色再現性に優れた画像表示を行うことが可能である。ここで、複数の誘電体膜は、各色の光を発光する発光層毎に前記厚み及び前記屈折率が設定されていればよい。より具体的には、複数の誘電体層のうち、一の発光層の第１反射膜部において実質的に誘電体ミラーとして機能する誘電体層は、この発光層が発光する光の波長に合わせて厚み及び屈折率が設定されていればよい。また、他の発光層で実質的に誘電体ミラーとして機能する誘電体層は、この発光層が発光する光の波長に合わせて厚み及び屈折率が設定されていればよい。尚、このような厚み及び屈折率は、駆動素子を内包する絶縁部を形成する際に予め設定しておけばよい。   According to this aspect, it is possible to resonate light having a specific wavelength for each of different colors. For example, a light emitting device including a light emitting layer that emits light of three colors of RGB has excellent color purity. It is possible to perform image display with excellent color reproducibility using three colors of light. Here, the plurality of dielectric films only need to have the thickness and the refractive index set for each light emitting layer that emits light of each color. More specifically, among the plurality of dielectric layers, the dielectric layer that substantially functions as a dielectric mirror in the first reflective film portion of one light emitting layer is matched to the wavelength of light emitted by the light emitting layer. The thickness and the refractive index may be set. In addition, the dielectric layer that substantially functions as a dielectric mirror in the other light emitting layers only needs to have a thickness and a refractive index that are set in accordance with the wavelength of light emitted by the light emitting layer. Note that such thickness and refractive index may be set in advance when the insulating portion including the drive element is formed.

本発明に係る発光装置の他の態様においては、前記駆動素子は薄膜トランジスタであり、前記複数の誘電体膜は、前記薄膜トランジスタ及び前記基板間に介在する下地絶縁膜、前記薄膜トランジスタのゲート電極を被うように形成された層間絶縁膜、及び前記薄膜トランジスタ上に形成された保護膜のうち少なくとも一つと兼用されていてもよい。   In another aspect of the light emitting device according to the present invention, the driving element is a thin film transistor, and the plurality of dielectric films cover the thin film transistor and a base insulating film interposed between the substrates and the gate electrode of the thin film transistor. The interlayer insulating film formed as described above and at least one of the protective film formed on the thin film transistor may also be used.

この態様によれば、第１反射膜部に含まれる複数の誘電体層を別途形成する工程を追加することなく、光共振器構造を形成することが可能である。   According to this aspect, it is possible to form the optical resonator structure without adding a step of separately forming a plurality of dielectric layers included in the first reflective film portion.

本発明に係る発光装置の他の態様においては、前記第１反射膜部は、前記光を共振させるように光学長を調整する調整膜を含んでおり、該調整膜は、前記保護膜と兼用されていてもよい。   In another aspect of the light emitting device according to the present invention, the first reflective film portion includes an adjustment film that adjusts an optical length so as to resonate the light, and the adjustment film is also used as the protective film. May be.

この態様によれば、複数の誘電体膜を含む第１反射膜部で光学長を調整できない場合でも、特定の波長の光を共振させることが可能である。より具体的には、例えば基板上に互いに異なる色に発光する発光層が複数形成されている場合には、複数の誘電体膜の厚み及び屈折率を設定するだけでなく、第１反射膜部を除く部分で光学長を調整することによって、特定の波長の複数の発光層の夫々で各色に応じた特定の波長の光を共振させることが可能である。このような調整膜は、例えば第１反射膜部及び発光層間に設けられる。   According to this aspect, even when the optical length cannot be adjusted by the first reflecting film portion including a plurality of dielectric films, it is possible to resonate light having a specific wavelength. More specifically, for example, when a plurality of light emitting layers that emit light of different colors are formed on the substrate, not only the thickness and refractive index of the plurality of dielectric films are set, but also the first reflective film portion By adjusting the optical length in the portion excluding, it is possible to resonate light having a specific wavelength corresponding to each color in each of the plurality of light emitting layers having a specific wavelength. Such an adjustment film is provided, for example, between the first reflection film portion and the light emitting layer.

本発明に係る発光装置の他の態様においては、前記第１反射膜部及び前記発光層間に設けられた透明電極を更に備えていてもよい。   In another aspect of the light emitting device according to the present invention, the light emitting device may further include a transparent electrode provided between the first reflective film portion and the light emitting layer.

この態様によれば、発光層で発生した光を透明電極を介して第１反射膜部に透過させることが可能である。加えて、第１反射膜部で反射された反射光を透明電極を介して発光層及び第２反射膜部に伝達することが可能である。   According to this aspect, it is possible to transmit the light generated in the light emitting layer to the first reflective film portion via the transparent electrode. In addition, it is possible to transmit the reflected light reflected by the first reflective film part to the light emitting layer and the second reflective film part via the transparent electrode.

本発明に係る発光装置の他の態様においては、前記第２反射膜部は、前記発光層に電気的に接続された電極を含んでいてもよい。   In another aspect of the light emitting device according to the present invention, the second reflective film portion may include an electrode electrically connected to the light emitting layer.

この態様によれば、例えば金属薄膜等の陰極で光を反射することによって、発光装置に形成されるべき電極をそのまま用いて光を共振させることができる。   According to this aspect, for example, by reflecting light with a cathode such as a metal thin film, it is possible to resonate light using the electrode to be formed in the light emitting device as it is.

本発明に係る発光装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に複数の発光層を形成する工程と、前記基板上に、前記複数の発光層のうちの一の発光層を発光させる駆動素子を形成する工程と、前記一の発光層で発生した光を共振させるための第１反射膜と第２反射膜のうち、該第２反射膜を前記一の発光層の前記基板とは反対側に形成する工程と、を含む発光装置の製造方法であって、互いに屈折率が異なるとともに互いに積層され、かつ前記駆動素子を内包する複数の誘電体膜を形成する工程をさらに備え、前記一の発光層と重なる領域において、前記複数の誘電体膜のうち前記一の発光層と前記基板との間で互いに積層された少なくとも２つの誘電体膜は、前記第１反射膜を構成していることを特徴とする。
In order to solve the above problems, a method for manufacturing a light-emitting device according to the present invention includes a step of forming a plurality of light-emitting layers on a substrate, and light-emitting one of the light-emitting layers on the substrate. A step of forming a driving element, and of the first reflective film and the second reflective film for resonating light generated in the one light emitting layer, the second reflective film is formed on the substrate of the one light emitting layer. Forming a plurality of dielectric films that have different refractive indexes and are stacked on each other and that contain the drive element, the method comprising: In the region overlapping with the one light emitting layer, at least two dielectric films stacked between the one light emitting layer and the substrate among the plurality of dielectric films constitute the first reflective film. It is characterized by.

本発明に係る発光装置の製造方法によれば、上述した本発明の発光装置と同様に、別途光共振器構造を形成するための工程を追加することなく、表示特性に優れた発光装置を製造することが可能である。   According to the method for manufacturing a light-emitting device according to the present invention, a light-emitting device having excellent display characteristics can be manufactured without adding a separate process for forming an optical resonator structure, similarly to the above-described light-emitting device of the present invention. Is possible.

本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の発光装置を具備している。   In order to solve the above problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described light emitting device of the present invention.

本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明の発光装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、ＰＤＡ、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル、更には発光装置を露光用ヘッドとして用いたプリンタ、コピー、ファクシミリ等の画像形成装置などの各種電子機器を実現できる。更に、本発明の電子機器は、車両に搭載されるカーナビゲーション等が備える表示装置、及び車両の動作状態を示すインパネに設けられる表示部等のように高品位の表示特性が要求されるものに適用可能である。   According to the electronic apparatus according to the present invention, since the above-described light emitting device of the present invention is provided, a projection display device, a mobile phone, a PDA, an electronic notebook, a word processor, and a viewfinder type capable of high-quality display. Alternatively, various electronic devices such as a monitor direct-view type video tape recorder, a workstation, a videophone, a POS terminal, a touch panel, and an image forming apparatus such as a printer, a copy, and a facsimile using a light emitting device as an exposure head can be realized. Furthermore, the electronic device of the present invention is required to have high-quality display characteristics such as a display device provided in a car navigation system mounted on a vehicle, a display unit provided in an instrument panel indicating an operation state of the vehicle, and the like. Applicable.

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。   Such an operation and other advantages of the present invention will become apparent from the embodiments described below.

以下、図面を参照しながら本発明の発光装置、及びその製造方法、並びに電子機器の各実施形態を詳細に説明する。本実施形態では、発光装置としてカラー表示可能な有機ＥＬ装置を例に挙げる。   Hereinafter, embodiments of a light emitting device, a manufacturing method thereof, and an electronic device of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In this embodiment, an organic EL device capable of color display is taken as an example of a light emitting device.

図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置１０の全体構成を示すブロック図である。有機ＥＬ装置１０は、駆動回路内蔵型のアクティブマトリクス駆動方式で駆動される表示装置であり、有機ＥＬ装置１０が有する各画素部７０は有機ＥＬ素子７２を備えている。   FIG. 1 is a block diagram showing the overall configuration of the organic EL device 10 of the present embodiment. The organic EL device 10 is a display device that is driven by an active matrix driving method with a built-in driving circuit, and each pixel unit 70 included in the organic EL device 10 includes an organic EL element 72.

有機ＥＬ装置１０の画像表示領域１１０には、縦横に配線されたデータ線１１４及び走査線１１２が設けられており、それらの交点に対応する各サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂはマトリクス状に配列され、これら３つのサブ画素部を一組として一つの画素部７０が構成されている。サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂは、赤色に発光する有機ＥＬ素子７２Ｒ、緑色に発光する有機ＥＬ素子７２Ｇ及び青色に発光する有機ＥＬ素子７２Ｂを夫々有している。更に、画像表示領域１１０には各データ線１１４に対して配列されたサブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂに対応する電源供給線１１７が設けられている。   The image display area 110 of the organic EL device 10 is provided with data lines 114 and scanning lines 112 wired vertically and horizontally, and the sub-pixel portions 70R, 70G, and 70B corresponding to the intersections thereof are arranged in a matrix. One pixel unit 70 is configured by arranging these three sub-pixel units as a set. The sub-pixel portions 70R, 70G, and 70B respectively include an organic EL element 72R that emits red light, an organic EL element 72G that emits green light, and an organic EL element 72B that emits blue light. Further, the image display area 110 is provided with power supply lines 117 corresponding to the sub-pixel portions 70R, 70G, and 70B arranged for the respective data lines 114.

画像表示領域１１０の周辺に位置する周辺領域には、走査線駆動回路１３０及びデータ線駆動回路１５０が設けられている。走査線駆動回路１３０は複数の走査線１１２に走査信号を順次供給する。データ線駆動回路１５０は、画像表示領域１１０に配線されたデータ線１１４に画像信号を供給する。尚、走査線駆動回路１３０の動作とデータ線駆動回路１５０の動作とは、同期信号線１６０を介して相互に同期が図られる。電源供給線１１７には、外部回路から画素部を駆動するための画素駆動用電源が供給される。図１中、一つの画素部７０に着目すれば、画素部７０には、有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂが設けられると共に、例えばＴＦＴを用いて構成されるスイッチング用トランジスタ７６及び駆動用トランジスタ７４、並びに保持容量７８がサブ画素部毎に設けられている。スイッチング用トランジスタ７６のゲート電極には走査線１１２が電気的に接続されており、スイッチング用トランジスタ７６のソース電極にはデータ線１１４が電気的に接続され、スイッチング用トランジスタ７６のドレイン電極には駆動用トランジスタ７４のゲート電極が電気的に接続されている。また、駆動用トランジスタ７４のドレイン電極には、電源供給線１１７が電気的に接続されており、駆動用トランジスタ７４のソース電極には有機ＥＬ素子７２の陽極が電気的に接続されている。尚、図１に例示した画素回路の構成の他にも、電流プログラム方式の画素回路、電圧プログラム方式の画素回路、電圧比較方式の画素回路、サブフレーム方式の画素回路等の各種方式の画素回路を採用することが可能である。   A scanning line driving circuit 130 and a data line driving circuit 150 are provided in the peripheral area located around the image display area 110. The scanning line driving circuit 130 sequentially supplies scanning signals to the plurality of scanning lines 112. The data line driving circuit 150 supplies an image signal to the data line 114 wired in the image display area 110. Note that the operation of the scanning line driving circuit 130 and the operation of the data line driving circuit 150 are synchronized with each other via the synchronization signal line 160. The power supply line 117 is supplied with pixel driving power for driving the pixel portion from an external circuit. Focusing on one pixel portion 70 in FIG. 1, the pixel portion 70 is provided with organic EL elements 72R, 72G, and 72B, and a switching transistor 76 and a driving transistor 74 configured using, for example, TFTs. In addition, a storage capacitor 78 is provided for each sub-pixel portion. The scanning line 112 is electrically connected to the gate electrode of the switching transistor 76, the data line 114 is electrically connected to the source electrode of the switching transistor 76, and the drive is connected to the drain electrode of the switching transistor 76. The gate electrode of the transistor 74 is electrically connected. The power supply line 117 is electrically connected to the drain electrode of the driving transistor 74, and the anode of the organic EL element 72 is electrically connected to the source electrode of the driving transistor 74. In addition to the configuration of the pixel circuit illustrated in FIG. 1, various types of pixel circuits such as a current programming type pixel circuit, a voltage programming type pixel circuit, a voltage comparison type pixel circuit, a subframe type pixel circuit, and the like. Can be adopted.

次に、図２及び図３を参照しながら有機ＥＬ装置１０の具体的な構成を説明する。図２は、有機ＥＬ装置１０の概略構成を示す平面図であり、図３は図２のＩＩＩ−ＩＩＩ´線断面図である。尚、図２は、図３で示す陰極側から見た有機ＥＬ装置１０の一部の領域の平面図であり、図２では陰極を図示していない。   Next, a specific configuration of the organic EL device 10 will be described with reference to FIGS. 2 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL device 10, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III ′ of FIG. 2 is a plan view of a partial region of the organic EL device 10 as seen from the cathode side shown in FIG. 3, and FIG. 2 does not show the cathode.

図２において、有機ＥＬ装置１０は、基板１、画素部７０、本発明の「素子分離部」の一例であるバンク部４７、及び有機ＥＬ素子７２を備えている。   In FIG. 2, the organic EL device 10 includes a substrate 1, a pixel unit 70, a bank unit 47 that is an example of the “element isolation unit” of the present invention, and an organic EL element 72.

画素部７０は、基板１上における画像表示領域１１０にマトリクス状に配設されている。画素部７０は、図中横方向に沿って配列された３つのサブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂを一組として構成されており、画像表示領域１１０の図中縦方向及び横方向の夫々に沿って配列されている。サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂの夫々は、赤色に発光する有機ＥＬ素子７２Ｒ、緑色に発光する有機ＥＬ素子７２Ｇ、及び青色に発光する有機ＥＬ素子７２Ｂを備えている。バンク部４７は、各画素領域においてこれら有機ＥＬ素子７２が形成される凹部６２を規定しつつ、基板１上における画像表示領域１１０の全体に格子状に延在している。   The pixel units 70 are arranged in a matrix in the image display area 110 on the substrate 1. The pixel unit 70 is configured as a set of three sub-pixel units 70R, 70G, and 70B arranged along the horizontal direction in the drawing, and extends along each of the vertical and horizontal directions of the image display region 110 in the drawing. Are arranged. Each of the sub-pixel portions 70R, 70G, and 70B includes an organic EL element 72R that emits red light, an organic EL element 72G that emits green light, and an organic EL element 72B that emits blue light. The bank unit 47 extends in a grid pattern over the entire image display region 110 on the substrate 1 while defining the concave portions 62 in which the organic EL elements 72 are formed in each pixel region.

図３において、有機ＥＬ装置１０は、基板１、下地絶縁膜２、駆動トランジスタ７４、層間絶縁膜４、保護膜５、有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂ、並びに本発明の「素子分離部」の夫々一例であるバンク部４７Ｒ、４７Ｇ及び４７Ｂを備えている。   3, the organic EL device 10 includes a substrate 1, a base insulating film 2, a driving transistor 74, an interlayer insulating film 4, a protective film 5, organic EL elements 72R, 72G and 72B, and the “element isolation portion” of the present invention. Bank units 47R, 47G and 47B are provided as examples.

基板１は、例えばガラス基板であり、各有機ＥＬ素子７２から図中下側に出射された光を透過させる。図１に示す駆動用トランジスタ７４及びスイッチング用トランジスタ７６は、基板１における有機ＥＬ素子７２の下側の領域を避けるように形成された薄膜トランジスタである。基板１は、基板１上に有機ＥＬ素子７２が形成されているだけでなく、図１に示す走査線駆動回路１３０及びデータ線駆動回路１５０の各種回路を備えている。このような回路は、基板１における画像表示領域１１０の周辺領域に設けられる。   The substrate 1 is, for example, a glass substrate, and transmits light emitted from each organic EL element 72 downward in the drawing. A driving transistor 74 and a switching transistor 76 shown in FIG. 1 are thin film transistors formed so as to avoid a region below the organic EL element 72 in the substrate 1. The substrate 1 includes not only the organic EL element 72 formed on the substrate 1 but also various circuits such as the scanning line driving circuit 130 and the data line driving circuit 150 shown in FIG. Such a circuit is provided in a peripheral region of the image display region 110 on the substrate 1.

下地絶縁膜２は、基板１の表面に画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂが形成されるべき領域に渡って延在するように形成されている。下地絶縁膜２は、基板１側から順に積層された誘電体膜２ａ及び２ｂを備えている。下地絶縁膜２は、基板１及び駆動トランジスタ７４間を絶縁する他、基板１の全面に形成されることで、基板１表面の荒れや汚れ等に起因する駆動トランジスタ７４の素子特性の変化を低減する。下地絶縁膜２のうちサブ画素部７０Ｂに延在された部分は、サブ画素部７０Ｂにおいて本発明の「第１反射膜部」の一例を構成する。誘電体膜２ａ及び２ｂは、有機ＥＬ素子７２Ｂで発生した光のうち所定の波長を有する光を共振させるように厚み及び屈折率が設定されている。尚、有機ＥＬ素子７２Ｂで発生した光を共振させる光共振構造については後に詳細に説明する。   The base insulating film 2 is formed on the surface of the substrate 1 so as to extend over a region where the pixel portions 70R, 70G, and 70B are to be formed. The base insulating film 2 includes dielectric films 2a and 2b stacked in order from the substrate 1 side. The base insulating film 2 insulates the substrate 1 from the drive transistor 74 and is formed on the entire surface of the substrate 1 to reduce changes in device characteristics of the drive transistor 74 due to surface roughness or contamination of the substrate 1. To do. The portion of the base insulating film 2 that extends to the sub-pixel portion 70B constitutes an example of the “first reflective film portion” in the present invention in the sub-pixel portion 70B. The dielectric films 2a and 2b are set in thickness and refractive index so as to resonate light having a predetermined wavelength among the light generated in the organic EL element 72B. The optical resonance structure for resonating the light generated in the organic EL element 72B will be described in detail later.

駆動トランジスタ７４は、下地絶縁膜２上に形成された薄膜トランジスタであり、サブ画素部７０Ｒ、７０Ｂ及び７０Ｂの夫々に設けられている。駆動トランジスタ７４は、光透過性を有していないため、基板１上に基板１側から見て有機ＥＬ素子７２を避けるように形成されている。したがって、有機ＥＬ装置１０は、最終的に基板１側から光を出射するボトムエミッション型の有機ＥＬ素子７２を備えていることになる。   The drive transistor 74 is a thin film transistor formed on the base insulating film 2, and is provided in each of the sub-pixel portions 70R, 70B, and 70B. Since the driving transistor 74 does not have optical transparency, the driving transistor 74 is formed on the substrate 1 so as to avoid the organic EL element 72 when viewed from the substrate 1 side. Therefore, the organic EL device 10 includes a bottom emission type organic EL element 72 that finally emits light from the substrate 1 side.

駆動トランジスタ７４は、半導体層３と、ゲート絶縁膜２２、ゲート電極３ａ、ソース電極７４ｓ及びドレイン電極７４ｄを備えている。半導体層３は、例えば低温ポリシリコン技術を用いて下地絶縁膜２上に形成された多結晶シリコン層或いはアモルファスシリコン層である。半導体層３上には、半導体層３を埋め込んで、スイッチング用トランジスタ７６及び駆動用トランジスタ７４のゲート絶縁膜２２が形成されている。ゲート絶縁膜２２は、半導体層３上を被うようにサブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂに渡って各サブ画素部に共通に形成されている。尚、ゲート絶縁膜２２は、後述する各発光層５０から出射される光を遮らないように発光層５０の下側を避けて延在される。ゲート電極３ａは図１に示す走査線１１２と共にゲート絶縁膜２２上に形成されている。走査線１１２の一部は、スイッチング用トランジスタ７６のゲート電極として形成されている。ソース電極７４ｓ及びドレイン電極７４ｄは、ゲート絶縁膜２２を貫通するコンタクトホールに形成されている。尚、ソース電極７４ｓ及びドレイン電極７４ｄは、後述する層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホールに内壁に沿って形成されており、陽極３４に電気的に接続されている。駆動用トランジスタ７４のソース電極７４ｓは、図１に示す電源供給線１１７に電気的に接続されている。駆動用トランジスタ７４は、図１に示すデータ線１１４を介してゲート電極３ａに供給されるデータ信号に応じてオンオフされ、駆動電流を有機ＥＬ素子７２に供給する。このような素子を含む回路は、有機ＥＬ素子７２から基板１側に出射される光を遮らないように、有機ＥＬ素子７２の下側を避けるように設けられている。駆動用トランジスタ７４と同様に図１に示すスイッチング用トランジスタ７６も下地絶縁膜２上に形成されている。   The driving transistor 74 includes the semiconductor layer 3, the gate insulating film 22, the gate electrode 3a, the source electrode 74s, and the drain electrode 74d. The semiconductor layer 3 is a polycrystalline silicon layer or an amorphous silicon layer formed on the base insulating film 2 using, for example, a low temperature polysilicon technique. On the semiconductor layer 3, the gate insulating film 22 of the switching transistor 76 and the driving transistor 74 is formed so as to be embedded in the semiconductor layer 3. The gate insulating film 22 is formed in common to the sub-pixel portions over the sub-pixel portions 70R, 70G, and 70B so as to cover the semiconductor layer 3. The gate insulating film 22 extends to avoid the lower side of the light emitting layer 50 so as not to block light emitted from each light emitting layer 50 described later. The gate electrode 3a is formed on the gate insulating film 22 together with the scanning line 112 shown in FIG. A part of the scanning line 112 is formed as a gate electrode of the switching transistor 76. The source electrode 74 s and the drain electrode 74 d are formed in contact holes that penetrate the gate insulating film 22. The source electrode 74s and the drain electrode 74d are formed along the inner wall in a contact hole that penetrates an interlayer insulating film 4 to be described later, and are electrically connected to the anode 34. The source electrode 74s of the driving transistor 74 is electrically connected to the power supply line 117 shown in FIG. The driving transistor 74 is turned on / off in response to a data signal supplied to the gate electrode 3 a via the data line 114 shown in FIG. 1 and supplies a driving current to the organic EL element 72. The circuit including such an element is provided so as to avoid the lower side of the organic EL element 72 so as not to block light emitted from the organic EL element 72 to the substrate 1 side. Similar to the driving transistor 74, the switching transistor 76 shown in FIG. 1 is also formed on the base insulating film 2.

走査線１１２や駆動用トランジスタ７４のゲート電極３ａを埋め込んで、ゲート絶縁層２上には図２に示す層間絶縁層４が形成されている。層間絶縁層４上には、例えばアルミニウム（Ａｌ）又はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を含む導電材料から夫々構成される、データ線１１４及び電源供給線１１７、更には駆動用トランジスタ７４のソース電極７４ｓが形成されている。層間絶縁層４には、層間絶縁層４の表面から層間絶縁層４及びゲート絶縁層２２を貫通して、駆動用トランジスタ７４の半導体層３に至るコンタクトホール５０１及び５０２が形成されている。電源供給線１１７及びドレイン電極７４ｄを構成する導電膜は、コンタクトホール５０１及び５０２の各々の内壁に沿って半導体層３の表面に至るように連続的に形成されている。層間絶縁層４上には、電源供給線１１７及びドレイン電極７４ｄを埋め込んで、保護層５が形成されている。保護層５上には、例えばシリコン酸化膜よりなる第１バンク部４７ａが形成され、更に第１バンク部４７ａ上に第２バンク部４７ｂが形成されている。第１バンク部４７ａ及び第２バンク部４７ｂによって、各サブ画素部における発光層５０の形成領域が規定されている。   The interlayer insulating layer 4 shown in FIG. 2 is formed on the gate insulating layer 2 by embedding the scanning line 112 and the gate electrode 3 a of the driving transistor 74. On the interlayer insulating layer 4, there are a data line 114, a power supply line 117, and a source electrode 74 s of the driving transistor 74, each made of a conductive material including, for example, aluminum (Al) or ITO (Indium Tin Oxide). Is formed. Contact holes 501 and 502 are formed in the interlayer insulating layer 4 so as to penetrate the interlayer insulating layer 4 and the gate insulating layer 22 from the surface of the interlayer insulating layer 4 to the semiconductor layer 3 of the driving transistor 74. The conductive film constituting the power supply line 117 and the drain electrode 74d is continuously formed so as to reach the surface of the semiconductor layer 3 along the inner walls of the contact holes 501 and 502, respectively. A protective layer 5 is formed on the interlayer insulating layer 4 by embedding the power supply line 117 and the drain electrode 74d. A first bank portion 47a made of, for example, a silicon oxide film is formed on the protective layer 5, and a second bank portion 47b is further formed on the first bank portion 47a. The first bank portion 47a and the second bank portion 47b define a region where the light emitting layer 50 is formed in each sub-pixel portion.

層間絶縁膜４は、基板１の基板面に沿ってサブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂに渡って延在するように形成された後、サブ画素部７０Ｂが形成されるべき領域の一部が除去されている。層間絶縁膜４は、基板１側から順に積層された誘電体膜４ａ及び４ｂを備えており、サブ画素部７０Ｇにおいて本発明の「第１反射膜部」の一例を構成する。誘電体膜４ａ及び４ｂは、有機ＥＬ素子７２Ｇで発生した光のうち所定の波長を有する光を共振させるように厚み及び屈折率が設定されている。尚、有機ＥＬ素子７２Ｂで発生した光を共振させる光共振構造については後に詳細に説明する。   The interlayer insulating film 4 is formed so as to extend over the sub-pixel portions 70R, 70G, and 70B along the substrate surface of the substrate 1, and then a part of the region where the sub-pixel portion 70B is to be formed is removed. Has been. The interlayer insulating film 4 includes dielectric films 4a and 4b that are sequentially stacked from the substrate 1 side, and constitutes an example of the “first reflective film portion” of the present invention in the sub-pixel portion 70G. The dielectric films 4a and 4b are set in thickness and refractive index so as to resonate light having a predetermined wavelength among the light generated in the organic EL element 72G. The optical resonance structure for resonating the light generated in the organic EL element 72B will be described in detail later.

保護膜５は、層間絶縁膜４上に形成されている。保護膜５は、基板１の基板面に沿ってサブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂに渡って延在するように形成された後、サブ画素部７０Ｇ及び７０Ｂが形成されるべき領域の一部が除去されている。保護膜５は、層間絶縁膜４側から順に積層された誘電体膜５ａ、５ｂ及び５ｃを備えている。誘電体膜５ａ及び５ｂは、サブ画素部７０Ｒにおいて本発明の「第１反射膜部」の一例を構成する。誘電体膜５ａ及び５ｂは、有機ＥＬ素子７２Ｒで発生した光のうち所定の波長を有する光を共振させるように厚み及び屈折率が設定されている。誘電体膜５ｂ上に形成された誘電体膜５ｃは、本発明の「調整膜」の一例を構成する。尚、有機ＥＬ素子７２Ｒで発生した光を共振させる光共振構造については後に詳細に説明する。   The protective film 5 is formed on the interlayer insulating film 4. The protective film 5 is formed so as to extend over the subpixel portions 70R, 70G, and 70B along the substrate surface of the substrate 1, and then a part of the region where the subpixel portions 70G and 70B are to be formed is formed. Has been removed. The protective film 5 includes dielectric films 5a, 5b, and 5c that are sequentially stacked from the interlayer insulating film 4 side. The dielectric films 5a and 5b constitute an example of the “first reflective film portion” in the present invention in the sub-pixel portion 70R. The dielectric films 5a and 5b are set in thickness and refractive index so as to resonate light having a predetermined wavelength among the light generated in the organic EL element 72R. The dielectric film 5c formed on the dielectric film 5b constitutes an example of the “adjustment film” in the present invention. The optical resonance structure for resonating light generated in the organic EL element 72R will be described in detail later.

バンク部４７は、有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂを互いに離隔するように保護膜５上に形成されている。バンク部４７は、有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂを互いに離隔するバンク部４７Ｒ、４７Ｇ及び４７Ｂから構成されている。より具体的には、バンク部４７Ｒは、有機ＥＬ素子７２Ｒと、図中有機ＥＬ素子７２Ｒの左側に位置する有機ＥＬ素子７２Ｂを互いに離隔している。同様に、バンク部４７Ｇは、有機ＥＬ素子７２Ｒ及び７２Ｇを互いに離隔し、バンク部４７Ｂは有機ＥＬ素子７２Ｇ及び７２Ｂを互いに離隔している。バンク部４７は、第１バンク部４７ａ及び第２バンク部４７ｂから構成されており、有機ＥＬ層５０が形成される凹部６２を規定する。第１バンク部４７ａは、ＳｉＯ、ＳｉＯ２又はＴｉＯ２等の無機材料で構成される絶縁層であり、例えば、陽極３４上にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学蒸着）法、コート法、スパッタ法等の膜形成法を用いて形成されている。尚、第１バンク部４７ａには、陽極３４が露出するように開口部が形成されている。 The bank part 47 is formed on the protective film 5 so as to separate the organic EL elements 72R, 72G, and 72B from each other. The bank unit 47 includes bank units 47R, 47G, and 47B that separate the organic EL elements 72R, 72G, and 72B from each other. More specifically, the bank unit 47R separates the organic EL element 72R and the organic EL element 72B located on the left side of the organic EL element 72R in the drawing. Similarly, the bank part 47G separates the organic EL elements 72R and 72G from each other, and the bank part 47B separates the organic EL elements 72G and 72B from each other. The bank unit 47 includes a first bank unit 47a and a second bank unit 47b, and defines a recess 62 in which the organic EL layer 50 is formed. The first bank portion 47a is an insulating layer made of an inorganic material such as SiO, SiO 2 or TiO 2. For example, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a coating method, a sputtering method, etc. are formed on the anode 34. The film forming method is used. Note that an opening is formed in the first bank portion 47a so that the anode 34 is exposed.

第２バンク部４７ｂは、アクリル樹脂、又はポリイミド樹脂等の有機材料で構成される有機材料層であり、図中上側に向かって先細りとなるテーパー形状を有している。第２バンク部４７ｂは、第１バンク部４７ａ上に有機材料層を形成した後、この有機材料層をフォトリソグラフィ技術等を用いてパターニングすることによって形成されている。   The 2nd bank part 47b is an organic material layer comprised by organic materials, such as an acrylic resin or a polyimide resin, and has a taper shape which tapers toward the upper side in the figure. The second bank part 47b is formed by forming an organic material layer on the first bank part 47a and then patterning the organic material layer using a photolithography technique or the like.

下地絶縁膜２、層間絶縁膜４、及び保護膜５のうちバンク部４７の下側に延在する部分は、駆動トランジスタ７４を内包する絶縁部３０に含まれている。絶縁部３０は、有機ＥＬ装置１０の他の構成要素から駆動トランジスタ７４を絶縁すると共に保護する。但し、絶縁部３０は、所要の配線等の導電部と駆動トランジスタ７４とが電気的に接続された状態を維持しながら、このような導電部を除く部分から駆動トランジスタ７４を絶縁、及び保護する。尚、絶縁部３０に内包される素子は、駆動トランジスタ７４に限定されるものではなく、図１に示したスイッチング用トランジスタ７６及び保持容量７８を内包していてもよい。即ち、絶縁部３０の夫々は、サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂの夫々に設けられた画素回路を構成する素子であれば如何なる素子を含んでいてもよい。   A portion of the base insulating film 2, the interlayer insulating film 4, and the protective film 5 that extends below the bank portion 47 is included in the insulating portion 30 that includes the drive transistor 74. The insulating unit 30 insulates and protects the drive transistor 74 from other components of the organic EL device 10. However, the insulating unit 30 insulates and protects the drive transistor 74 from portions other than the conductive unit while maintaining a state where the conductive unit such as required wiring and the drive transistor 74 are electrically connected. . The element included in the insulating unit 30 is not limited to the driving transistor 74, and may include the switching transistor 76 and the storage capacitor 78 shown in FIG. That is, each of the insulating sections 30 may include any element as long as it is an element constituting a pixel circuit provided in each of the sub-pixel sections 70R, 70G, and 70B.

層間絶縁膜４及び保護膜５は、各有機ＥＬ素子７２が基板１上に形成される前に画素部間に渡って形成された後、有機ＥＬ素子７２を形成すべき領域に延びる部分が除去されている。より具体的には、有機ＥＬ素子７２Ｂが形成される領域では、層間絶縁膜４及び保護膜５のうちサブ画素部７０Ｂに延びる部分が除去されている。有機ＥＬ素子７２Ｂは、層間絶縁膜４及び保護膜５が除去されることによって露出する下地絶縁膜２上に形成されている。同様に、有機ＥＬ素子７２Ｇは、保護膜５が除去されることによって露出する層間絶縁膜４上に形成されており、有機ＥＬ素子７２Ｒは、保護膜５上に形成されている。そして、下地絶縁膜２、層間絶縁膜４及び保護膜５の夫々は、各有機ＥＬ素子で発生する光を共振可能なように厚み及び屈折率が設定されている。   The interlayer insulating film 4 and the protective film 5 are formed between the pixel portions before each organic EL element 72 is formed on the substrate 1, and then a portion extending to a region where the organic EL element 72 is to be formed is removed. Has been. More specifically, in the region where the organic EL element 72B is formed, portions of the interlayer insulating film 4 and the protective film 5 that extend to the sub-pixel unit 70B are removed. The organic EL element 72B is formed on the base insulating film 2 exposed by removing the interlayer insulating film 4 and the protective film 5. Similarly, the organic EL element 72G is formed on the interlayer insulating film 4 exposed by removing the protective film 5, and the organic EL element 72R is formed on the protective film 5. Each of the base insulating film 2, the interlayer insulating film 4, and the protective film 5 has a thickness and a refractive index that can resonate light generated in each organic EL element.

したがって、下地絶縁膜２、層間絶縁膜４及び保護膜５は、各サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂで駆動トランジスタ２０を内包する絶縁部３０を構成する絶縁膜として機能するとともに、各有機ＥＬ素子７２側に延びる部分が有機ＥＬ素子で発生した光を反射する反射膜として機能する。   Therefore, the base insulating film 2, the interlayer insulating film 4, and the protective film 5 function as an insulating film that constitutes the insulating portion 30 that includes the driving transistor 20 in each of the sub-pixel portions 70R, 70G, and 70B, and each organic EL element. The portion extending to the 72 side functions as a reflective film that reflects light generated by the organic EL element.

有機ＥＬ素子７２は、陽極３４、正孔注入層５１、発光層５０、及び本発明の「第２反射膜部」の一例を構成する陰極４９を備えている。   The organic EL element 72 includes an anode 34, a hole injection layer 51, a light emitting layer 50, and a cathode 49 that constitutes an example of the “second reflective film portion” of the present invention.

陽極３４は、各サブ画素部において保護膜５を貫通するコンタクトホールの内壁及び保護膜５の表面に沿って形成されており、層間絶縁膜４上に延びるドレイン電極７４ｄに電気的に接続されている。陽極３４は、絶縁部３０の上側から有機ＥＬ素子７２の下側に向かって延在された透明電極であり、例えば透明電極材料であるＩＴＯを用いて形成されている。   The anode 34 is formed along the inner wall of the contact hole that penetrates the protective film 5 and the surface of the protective film 5 in each sub-pixel portion, and is electrically connected to the drain electrode 74d extending on the interlayer insulating film 4. Yes. The anode 34 is a transparent electrode extending from the upper side of the insulating unit 30 toward the lower side of the organic EL element 72, and is formed using, for example, ITO which is a transparent electrode material.

正孔注入層５１は、第１バンク部４７ａに形成された開口部に正孔注入材料を塗布することによって形成されている。   The hole injection layer 51 is formed by applying a hole injection material to the opening formed in the first bank portion 47a.

発光層５０は、正孔注入層５１上に形成されている。発光層５０は、バンク部４７に囲まれた凹部６２に、例えば塗布法の一例であるインクジェット法を用いて有機ＥＬ材料を塗布することによって形成されている。   The light emitting layer 50 is formed on the hole injection layer 51. The light emitting layer 50 is formed by applying an organic EL material to the recess 62 surrounded by the bank portion 47 using, for example, an ink jet method which is an example of a coating method.

陰極４９は、第２バンク部４７ｂの表面及び発光層５０の表面を被うように形成されている。陰極４９は、薄膜形成法を用いて形成された例えばＡｌ等の金属薄膜であり、第２バンク部４７ｂ及び発光層５０上に延在する。尚、発光層５０及び陰極４９間に発光層５０と別層とされる電子注入層或いは電子輸送層等の各種層が介在してもよい。陰極４９は、基板１上で平面的に見て複数の有機ＥＬ素子７２間で物理的に接続された電極、或いは一枚の連続した電極として延在している。陰極４９は、発光層５０で発生した光、及び下地絶縁膜２、層間絶縁膜４或いは保護膜５で反射された特定の波長を有する光を発光層５０側に反射する。これにより、各サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂの夫々で特定の波長の光を共振させることが可能である。   The cathode 49 is formed so as to cover the surface of the second bank part 47 b and the surface of the light emitting layer 50. The cathode 49 is a metal thin film such as Al formed by using a thin film forming method, and extends on the second bank portion 47 b and the light emitting layer 50. Various layers such as an electron injection layer or an electron transport layer which are separate from the light emitting layer 50 may be interposed between the light emitting layer 50 and the cathode 49. The cathode 49 extends as an electrode physically connected between the plurality of organic EL elements 72 as viewed in plan on the substrate 1 or as one continuous electrode. The cathode 49 reflects the light generated in the light emitting layer 50 and the light having a specific wavelength reflected by the base insulating film 2, the interlayer insulating film 4, or the protective film 5 to the light emitting layer 50 side. Thereby, it is possible to resonate light of a specific wavelength in each of the sub-pixel units 70R, 70G, and 70B.

次に、各サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂ毎に設けられた光共振構造をサブ画素部毎に詳細に説明する。尚、以下では、バンク部４７を各サブ画素部で区別して説明しないが、図示するように各サブ画素部に含まれるバンク部４７には夫々発光層の発光色に合わせてＲ、Ｇ或いはＢが付してある。   Next, the optical resonance structure provided for each of the sub-pixel units 70R, 70G, and 70B will be described in detail for each sub-pixel unit. In the following description, the bank unit 47 is not described separately for each sub-pixel unit. However, as shown in the drawing, the bank unit 47 included in each sub-pixel unit includes R, G, or B according to the emission color of the light-emitting layer. Is attached.

先ず、サブ画素部７０Ｂについて説明する。サブ画素部７０Ｂに設けられた凹部６２Ｂは、下地絶縁膜２が露出するように形成されている。より具体的には、有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂを形成する前に、サブ画素部７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂに渡って延在するように形成された層間絶縁膜４及び保護膜５の一部が除去され、その後下地絶縁膜２上に正孔注入層５１Ｂ及び発光層５０Ｂを順次形成することによって有機ＥＬ素子７２Ｂが形成されている。したがって、サブ画素部７０Ｂが備える絶縁部３０から有機ＥＬ素子７２Ｂの下側には、下地絶縁膜２のみが延在している。   First, the sub-pixel unit 70B will be described. The recess 62B provided in the sub-pixel portion 70B is formed so that the base insulating film 2 is exposed. More specifically, before forming the organic EL elements 72R, 72G and 72B, a part of the interlayer insulating film 4 and the protective film 5 formed so as to extend over the sub-pixel portions 72R, 72G and 72B. Then, the hole injection layer 51B and the light emitting layer 50B are sequentially formed on the base insulating film 2 to form the organic EL element 72B. Accordingly, only the base insulating film 2 extends from the insulating unit 30 included in the sub-pixel unit 70B to the lower side of the organic EL element 72B.

下地絶縁膜２を構成する誘電体膜２ａ及び２ｂは、有機ＥＬ素子７２Ｂで発生する青色の光のうち特定の波長の有する光を共振できるように厚み及び屈折率が設定された誘電体ミラーとして機能する。より具体的には、例えば、誘電体膜２ａは、厚みが７７ｎｍであり、屈折率が１．５であるシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）である。誘電体膜２ｂは、厚みが６０ｎｍであり、屈折率が１．８であるシリコン窒化膜（ＳｉＮ）である。このような誘電体膜２ａ及び２ｂを含む下地絶縁膜２は、下地絶縁膜２上に形成された有機ＥＬ素子７２Ｂで発生した青色の光のうち特定の波長を有する光のみを増幅し、有機ＥＬ素子７２Ｂ側に反射する。下地絶縁膜２によって反射された光は、陽極３４及び発光層５０を介して陰極４９に到達し、再度陰極によって発光層５０側に反射される。このように下地絶縁膜２及び陰極４９間で光が往復することによって、特定の波長が増幅され、最終的に基板１側から特定の波長の光が出射される。即ち、下地絶縁膜２及び陰極４９が有機ＥＬ素子７２Ｂで発生した光のうち特定の波長の光を増幅する光共振器構造を構成する。加えて、下地絶縁膜２に含まれる誘電体膜２ａ及び２ｂを予めサブ画素部７０Ｂにおいて共振させたい光の波長に合わせて設定しておくことにより、別途共振器構造を形成する工程を設けることなくサブ画素部７０Ｂで所定の波長の光を共振させることが可能である。 The dielectric films 2a and 2b constituting the base insulating film 2 are dielectric mirrors whose thickness and refractive index are set so that light having a specific wavelength among the blue light generated in the organic EL element 72B can resonate. Function. More specifically, for example, the dielectric film 2a is a silicon oxide film (SiO 2 ) having a thickness of 77 nm and a refractive index of 1.5. The dielectric film 2b is a silicon nitride film (SiN) having a thickness of 60 nm and a refractive index of 1.8. The base insulating film 2 including such dielectric films 2a and 2b amplifies only light having a specific wavelength out of blue light generated in the organic EL element 72B formed on the base insulating film 2, and organically Reflected to the EL element 72B side. The light reflected by the base insulating film 2 reaches the cathode 49 through the anode 34 and the light emitting layer 50, and is reflected again toward the light emitting layer 50 by the cathode. As the light reciprocates between the base insulating film 2 and the cathode 49 in this way, a specific wavelength is amplified, and finally a light having a specific wavelength is emitted from the substrate 1 side. That is, the base insulating film 2 and the cathode 49 constitute an optical resonator structure that amplifies light of a specific wavelength among the light generated by the organic EL element 72B. In addition, the dielectric films 2a and 2b included in the base insulating film 2 are set in advance according to the wavelength of light desired to resonate in the sub-pixel unit 70B, thereby providing a step of forming a separate resonator structure. Instead, the sub-pixel unit 70B can resonate light having a predetermined wavelength.

ここで、下地絶縁膜２及び陰極４９間の光学長Ｌ１は、有機ＥＬ素子７２Ｂで発生した光のうち共振させるべき光の波長λ１の１／２の整数倍になるように設定されている。波長λ１の光を増幅するためには、光学長Ｌは、式（１）を満足するように設定されている。より具体的には、下地絶縁膜２に含まれる誘電体膜２ａ及び２ｂ、並びに陰極４９及び下地絶縁膜２間に介在する発光層５０Ｂ及び正孔注入層５１Ｂの厚み及び屈折率は、式（１）を満足するように設定されている。 Here, the optical length L 1 between the base insulating film 2 and the cathode 49 is set to be an integral multiple of 1/2 of the wavelength λ 1 of the light to be resonated among the light generated in the organic EL element 72B. Yes. In order to amplify the light of the wavelength lambda 1, the optical length L is set so as to satisfy the equation (1). More specifically, the thicknesses and refractive indexes of the dielectric films 2a and 2b included in the base insulating film 2 and the light emitting layer 50B and the hole injection layer 51B interposed between the cathode 49 and the base insulating film 2 are expressed by the formula ( It is set so as to satisfy 1).

Figure 0004760080

式（１）中、λ１は共振される光の波長、ｎｅｆｆは下地絶縁膜２の有効屈折率、Δｎは下地絶縁膜に含まれる誘電体膜２ａ及び２ｂの屈折率の差、ｎｉ及びｄｉは陽極３４、正孔注入層５１Ｂ及び発光層５０Ｂの夫々の屈折率及び厚みを意味する。θは、発光層５０Ｂ、正孔注入層５１Ｂ及び陽極３４のそれぞれの界面、又は、陽極３４及び下地絶縁膜２の界面に入射する光と、これら界面に立てた法線のなす角度を意味する。
Figure 0004760080
In equation (1), λ 1 is the wavelength of the resonated light, n eff is the effective refractive index of the underlying insulating film 2, Δ n is the difference in refractive index between the dielectric films 2a and 2b included in the underlying insulating film, n i and d i mean the refractive index and thickness of the anode 34, the hole injection layer 51B, and the light emitting layer 50B, respectively. θ means an angle formed between light incident on each interface of the light emitting layer 50B, the hole injection layer 51B, and the anode 34, or light incident on the interface of the anode 34 and the base insulating film 2, and a normal line standing on these interfaces. .

式（１）の右辺第１項である（λ１／２）×（ｎｅｆｆ／Δｎ）は、共振している光が誘電体ミラーとして機能する下地絶縁膜２にしみ込む深さを表している。この第１項からわかるように、下地絶縁膜２の有効屈折率ｎｅｆｆ及び屈折率の差Δｎは、誘電体膜２ａ及び２ｂとして選択された材料によって決まる値であり、共振させる光の波長が決まれば予め設定可能である。したがって、式（１）の右辺第２項の含まれる陽極３４、正孔注入層５１Ｂ及び発光層５０Ｂの夫々の屈折率ｎｉ及び厚みｄｉが固定されている場合には、第１項に含まれる下地絶縁膜２の有効屈折率ｎｅｆｆ及び屈折率の差Δｎを共振させる光の波長に合わせて設定しておけばよい。 A first term of the formula (1) (λ 1/2 ) × (n eff / Δ n) is representative of the underlying insulating film 2 to penetrate a depth which light resonating functions as a dielectric mirror Yes. As can be seen from the first term, the effective refractive index n eff and the refractive index difference Δ n of the base insulating film 2 are values determined by the materials selected as the dielectric films 2a and 2b, and the wavelength of the light to be resonated. Can be set in advance. Therefore, when the second term on the right side of Included anode 34, the hole injection layer 51B and the refractive index n i and a thickness d i of the respective light-emitting layer 50B of the formula (1) is fixed, the first term The effective refractive index n eff and refractive index difference Δ n of the base insulating film 2 included may be set in accordance with the wavelength of the light to resonate.

サブ画素部７０Ｂは、下地絶縁膜２及び陰極４９から構成される光共振器構造を有しているため、例えば、有機ＥＬ素子７２Ｂで発生する青色の光の波長が揃っていない場合でも、特定の波長の光のみを共振させ、増幅できる。したがって、下地絶縁膜２及び陰極４９からなる光共振器構造によれば、狙いの波長を有する光を基板側１から高い強度で選択的に出射することが可能になる。また、発光層５０Ｂの膜厚バラツキ、或いは膜質バラツキによって発生する光の波長がばらつく場合や、発光層５０Ｂに供給された駆動電流に応じて特定の波長の光を効率良く発生できない場合でも、発光層で発生した特定の波長の光を共振させることによって、この波長の光を選択的に増幅して指向性の高い光を出射できる。   Since the sub-pixel unit 70B has an optical resonator structure including the base insulating film 2 and the cathode 49, for example, even when the wavelength of blue light generated in the organic EL element 72B is not uniform, It is possible to resonate and amplify only light having a wavelength of. Therefore, according to the optical resonator structure including the base insulating film 2 and the cathode 49, it is possible to selectively emit light having a target wavelength from the substrate side 1 with high intensity. Even if the wavelength of light generated due to variations in film thickness or film quality of the light emitting layer 50B varies, or even when light of a specific wavelength cannot be efficiently generated according to the drive current supplied to the light emitting layer 50B, light emission is possible. By resonating light of a specific wavelength generated in the layer, light of this wavelength can be selectively amplified to emit light with high directivity.

加えて、下地絶縁膜２が、光共振器構造を構成する一対の反射膜の一方として機能するため、別途反射膜を形成する工程を追加する必要がない。したがって、煩雑な製造工程を経ることなく光共振器構造を形成できる。より具体的には、例えば、一般的な液晶装置の製造する際に、薄膜トランジスタが搭載された素子アレイ基板を製造する工程を利用して光共振器構造を有機ＥＬ装置１０に作り込むことが可能である。   In addition, since the base insulating film 2 functions as one of the pair of reflective films constituting the optical resonator structure, it is not necessary to add a separate step of forming a reflective film. Therefore, an optical resonator structure can be formed without going through a complicated manufacturing process. More specifically, for example, when manufacturing a general liquid crystal device, an optical resonator structure can be built in the organic EL device 10 by using a process for manufacturing an element array substrate on which a thin film transistor is mounted. It is.

次に、サブ画素部７０Ｇについて説明する。サブ画素部７０Ｇに設けられた凹部６２Ｇは、層間絶縁膜４が露出するように形成され、その後有機ＥＬ素子７２Ｇが形成されている。より具体的には、有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂを形成する前に、サブ画素部７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂに渡って延在するように形成された保護膜５の一部が除去され、その後層間絶縁膜４上に正孔注入層５１Ｇ及び発光層５０Ｇを順次形成することによって有機ＥＬ素子７２Ｇが形成されている。したがって、サブ画素部７０Ｇが備える絶縁部３０から有機ＥＬ素子７２Ｇの下側には、下地絶縁膜２及び層間絶縁膜４が延在している。   Next, the sub-pixel unit 70G will be described. The recess 62G provided in the sub-pixel portion 70G is formed so that the interlayer insulating film 4 is exposed, and then the organic EL element 72G is formed. More specifically, before forming the organic EL elements 72R, 72G and 72B, a part of the protective film 5 formed so as to extend over the sub-pixel portions 72R, 72G and 72B is removed, and thereafter An organic EL element 72G is formed by sequentially forming a hole injection layer 51G and a light emitting layer 50G on the interlayer insulating film 4. Accordingly, the base insulating film 2 and the interlayer insulating film 4 extend below the organic EL element 72G from the insulating unit 30 included in the sub-pixel unit 70G.

層間絶縁膜４を構成する誘電体膜４ａ及び４ｂは、有機ＥＬ素子７２Ｇで発生する緑色の光のうち特定の波長を有する光を共振できるように厚み及び屈折率が設定された誘電体ミラーとして機能する。より具体的には、例えば、誘電体膜４ａは、厚みが９２ｎｍであり、屈折率が１．５であるシリコン酸化膜である。誘電体膜２ｂは、厚みが７３ｎｍであり、屈折率が１．８であるシリコン窒化膜である。このような誘電体膜４ａ及び４ｂを含む層間絶縁膜４は、層間絶縁膜４上に形成された有機ＥＬ素子７２Ｇで発生した緑色の光のうち特定の波長を有する光のみを増幅し、有機ＥＬ素子７２Ｇ側に反射する。層間絶縁膜４によって反射された光は、陽極３４Ｇ及び発光層５０Ｇを介して陰極４９に到達し、再度陰極４９によって発光層５０Ｇ側に反射される。このように層間絶縁膜４及び陰極４９間で光が往復することによって、特定の波長が増幅され、最終的に基板１側から特定の波長の光が出射される。即ち、層間絶縁膜４及び陰極４９が有機ＥＬ素子７２Ｇで発生した光のうち特定の波長の光を増幅する光共振器構造を構成する。   The dielectric films 4a and 4b constituting the interlayer insulating film 4 are dielectric mirrors whose thickness and refractive index are set so that light having a specific wavelength can be resonated among green light generated in the organic EL element 72G. Function. More specifically, for example, the dielectric film 4a is a silicon oxide film having a thickness of 92 nm and a refractive index of 1.5. The dielectric film 2b is a silicon nitride film having a thickness of 73 nm and a refractive index of 1.8. The interlayer insulating film 4 including the dielectric films 4a and 4b amplifies only light having a specific wavelength out of green light generated in the organic EL element 72G formed on the interlayer insulating film 4, Reflected to the EL element 72G side. The light reflected by the interlayer insulating film 4 reaches the cathode 49 through the anode 34G and the light emitting layer 50G, and is reflected again by the cathode 49 toward the light emitting layer 50G. As the light reciprocates between the interlayer insulating film 4 and the cathode 49 in this way, a specific wavelength is amplified, and finally a light having a specific wavelength is emitted from the substrate 1 side. That is, the interlayer insulating film 4 and the cathode 49 constitute an optical resonator structure that amplifies light of a specific wavelength among the light generated by the organic EL element 72G.

ここで、層間絶縁膜４及び陰極４９間の光学長Ｌ２は、有機ＥＬ素子７２Ｇで発生した光のうち増幅すべき光の波長λ２の１／２の整数倍となるように設定されている。波長λ２の光を共振させるためには、式（１）をそのまま光学長Ｌ２に適用すればよい。より具体的には、層間絶縁膜４に含まれる誘電体膜４ａ及び４ｂ、並びに陰極４９及び層間絶縁膜４間に介在する発光層５０Ｇ及び正孔注入層５１Ｇの厚み及び屈折率は、式（１）を満足するように設定されている。尚、光学長Ｌ２を算出する場合には、式（１）中においてｎｅｆｆは層間絶縁膜４の有効屈折率、Δｎは層間絶縁膜４に含まれる誘電体膜４ａ及び４ｂの屈折率の差、ｎｉ及びｄｉは陽極３４、正孔注入層５１Ｇ及び発光層５０Ｇの夫々の屈折率及び厚みを示す値を代入すればよい。θは、発光層５０Ｇ、正孔注入層５１Ｇ及び陽極３４のそれぞれの界面、又は、陽極３４及び層間絶縁膜４の界面に入射する光と、これら界面に立てた法線のなす角度である。 Here, the optical length L 2 between the interlayer insulating film 4 and the cathode 49 is set to be an integral multiple of 1/2 of the wavelength λ 2 of the light to be amplified among the light generated in the organic EL element 72G. Yes. In order to resonate the light having the wavelength λ 2 , the expression (1) may be applied to the optical length L 2 as it is. More specifically, the thicknesses and refractive indexes of the dielectric films 4a and 4b included in the interlayer insulating film 4 and the light emitting layer 50G and the hole injection layer 51G interposed between the cathode 49 and the interlayer insulating film 4 are expressed by the formula ( It is set so as to satisfy 1). When calculating the optical length L2, in equation (1), n eff is the effective refractive index of the interlayer insulating film 4, and Δ n is the refractive index of the dielectric films 4a and 4b included in the interlayer insulating film 4. The difference, n i and d i may be substituted with values indicating the refractive index and thickness of the anode 34, the hole injection layer 51G, and the light emitting layer 50G. θ is an angle formed between light incident on each interface of the light emitting layer 50G, the hole injection layer 51G, and the anode 34, or light incident on the interface of the anode 34 and the interlayer insulating film 4, and a normal line standing on these interfaces.

したがって、サブ画素部７０Ｇの設けられた光共振器構造も、サブ画素部７０Ｂに設けられた光共振器構造と同様に、陽極３４、正孔注入層５１Ｇ及び発光層５０Ｇの夫々の屈折率ｎｉ及び厚みｄｉが固定されている場合には、第１項に含まれる層間絶縁膜４の有効屈折率ｎｅｆｆ及び屈折率の差Δｎを、共振させる光の波長に合わせて設定しておけばよい。 Accordingly, the optical resonator structure provided with the sub-pixel unit 70G has the refractive index n of each of the anode 34, the hole injection layer 51G, and the light-emitting layer 50G, similarly to the optical resonator structure provided in the sub-pixel unit 70B. When i and the thickness d i are fixed, the effective refractive index n eff and the refractive index difference Δ n of the interlayer insulating film 4 included in the first term are set according to the wavelength of the light to be resonated. Just keep it.

サブ画素部７０Ｇは、層間絶縁膜４及び陰極４９から構成される光共振器構造を有しているため、例えば、有機ＥＬ素子７２Ｇで発生する緑色の光が波長の揃っていない光であっても、特定の波長の光のみを共振させて出射することが可能である。加えて、層間絶縁膜４が、光共振器構造を構成する一対の反射膜の一方として機能するため、別途反射膜を形成する工程を追加する必要がない。したがって、煩雑な製造工程を経ることなく光共振器構造を形成できる。より具体的には、例えば、一般的な液晶装置の製造する際に、薄膜トランジスタが搭載された素子アレイ基板を製造する工程を利用して光共振器構造を有機ＥＬ装置１０に作り込むことが可能である。   Since the sub-pixel unit 70G has an optical resonator structure composed of the interlayer insulating film 4 and the cathode 49, for example, green light generated in the organic EL element 72G is light having a uniform wavelength. However, it is possible to resonate and emit only light of a specific wavelength. In addition, since the interlayer insulating film 4 functions as one of a pair of reflective films constituting the optical resonator structure, it is not necessary to add an additional step of forming a reflective film. Therefore, an optical resonator structure can be formed without going through a complicated manufacturing process. More specifically, for example, when manufacturing a general liquid crystal device, an optical resonator structure can be built in the organic EL device 10 by using a process for manufacturing an element array substrate on which a thin film transistor is mounted. It is.

次に、サブ画素部７０Ｒについて説明する。サブ画素部７０Ｒに設けられた有機ＥＬ素子７２Ｒは、保護膜５の一部と接するように形成されている。有機ＥＬ素子７２Ｒは、陽極３４、凹部６２Ｒに順次形成された正孔注入層５１Ｒ及び発光層５０Ｒ、並びに各サブ画素部で共通とされる陰極４９を備えている。   Next, the sub-pixel unit 70R will be described. The organic EL element 72R provided in the sub-pixel unit 70R is formed so as to be in contact with a part of the protective film 5. The organic EL element 72R includes an anode 34, a hole injection layer 51R and a light emitting layer 50R sequentially formed in the recess 62R, and a cathode 49 that is common to each sub-pixel unit.

陽極３４は、保護膜５の表面に延在するように形成されており、バンク４７Ｒ及び４７Ｇで規定される凹部６２Ｒの底部に陽極３４の一部が露出する。正孔注入層５１Ｒは、凹部６２Ｒの底部、即ち凹部６２Ｒから露出する陽極３４の表面に形成されている。発光層５０Ｒは、正孔注入層５１Ｒ上に形成されており、その上に陰極４９が延在している。したがって、サブ画素部７０Ｇが備える絶縁部３０から有機ＥＬ素子７２Ｒの下側には、下地絶縁膜２、ゲート絶縁膜２２、層間絶縁膜４、及び保護膜５が延在している。   The anode 34 is formed so as to extend on the surface of the protective film 5, and a part of the anode 34 is exposed at the bottom of the recess 62R defined by the banks 47R and 47G. The hole injection layer 51R is formed on the bottom of the recess 62R, that is, on the surface of the anode 34 exposed from the recess 62R. The light emitting layer 50R is formed on the hole injection layer 51R, and the cathode 49 extends thereon. Accordingly, the base insulating film 2, the gate insulating film 22, the interlayer insulating film 4, and the protective film 5 extend from the insulating unit 30 included in the sub-pixel unit 70G to the lower side of the organic EL element 72R.

保護膜５を構成する誘電体膜５ａ及び５ｂは、有機ＥＬ素子７２Ｒで発生する赤色の光のうち特定の波長を有する光を共振できるように厚み及び屈折率が設定された誘電体ミラーとして機能する。より具体的には、例えば、誘電体膜５ａは、厚みが１０８ｎｍであり、屈折率が１．５であるシリコン酸化膜である。誘電体膜５ｂは、厚みが８５ｎｍであり、屈折率が１．８であるシリコン窒化膜である。誘電体膜５ａ及び５ｂは、保護膜５上に形成された有機ＥＬ素子７２Ｒで発生した赤色の光のうち特定の波長を有する光のみを増幅し、有機ＥＬ素子７２Ｒ側に反射する。誘電体膜５ａ及び５ｂによって反射された光は、陽極３４及び発光層５０Ｒを介して陰極４９に到達し、再度陰極４９によって発光層５０Ｒ側に反射される。このように誘電体膜５ａ及び５ｂからなる誘電体ミラーと、陰極４９との間で光が往復することによって、特定の波長が増幅され、最終的に基板１側から特定の波長の光が出射される。即ち、誘電体膜５ａ及び５ｂからなる誘電体ミラーと陰極４９とが有機ＥＬ素子７２Ｒで発生した光のうち特定の波長の光を増幅する光共振器構造を構成する。尚、誘電体膜５ｃは、後述するように共振される光の光学長を調整する調整膜として機能する。   The dielectric films 5a and 5b constituting the protective film 5 function as a dielectric mirror whose thickness and refractive index are set so that light having a specific wavelength among the red light generated in the organic EL element 72R can resonate. To do. More specifically, for example, the dielectric film 5a is a silicon oxide film having a thickness of 108 nm and a refractive index of 1.5. The dielectric film 5b is a silicon nitride film having a thickness of 85 nm and a refractive index of 1.8. The dielectric films 5a and 5b amplify only light having a specific wavelength out of red light generated in the organic EL element 72R formed on the protective film 5, and reflect the amplified light to the organic EL element 72R side. The light reflected by the dielectric films 5a and 5b reaches the cathode 49 via the anode 34 and the light emitting layer 50R, and is reflected again by the cathode 49 toward the light emitting layer 50R. As the light reciprocates between the dielectric mirror 5a and 5b and the cathode 49 in this way, a specific wavelength is amplified, and finally a light having a specific wavelength is emitted from the substrate 1 side. Is done. That is, the dielectric mirror composed of the dielectric films 5a and 5b and the cathode 49 constitute an optical resonator structure that amplifies light of a specific wavelength among the light generated by the organic EL element 72R. The dielectric film 5c functions as an adjustment film for adjusting the optical length of the resonated light as will be described later.

誘電体膜５ａ及び５ｂと、陰極４９との間の光学長Ｌ３は、有機ＥＬ素子７２Ｒで発生した光のうち増幅すべき光の波長λ３の１／２の整数倍となるように設定されている。波長λ３の光を増幅するためには、式（１）を光学長Ｌ３にそのまま適用すればよい。より具体的には、保護膜５に含まれる誘電体膜５ａ及び５ｂ、並びに陰極４９及び保護膜５間に介在する発光層５０Ｒ及び正孔注入層５１Ｒの厚み及び屈折率は、式（１）を満足するように設定されている。ここで、保護膜５に含まれる誘電体膜のうち最も上側に形成された誘電体膜５ｃは、光共振器構造を構成する陰極お４９及び誘電体膜５ａ及び５ｂ間の光学長を調整するために形成された調整膜である。尚、光学長Ｌ３を算出する場合には、式（１）中においてｎｅｆｆは保護膜５の有効屈折率、Δｎは誘電体膜５ａ及び５ｂの屈折率の差、ｎｉ及びｄｉは誘電体膜５ｃ、陽極３４、正孔注入層５１Ｒ、及び発光層５０Ｒの夫々の屈折率及び厚みを意味する。θは、発光層５０Ｒ、正孔注入層５１Ｒ及び陽極３４のそれぞれの界面、又は、陽極３４及び保護膜５の界面に入射する光と、これら界面に立てた法線のなす角度を意味する。 A dielectric film 5a and 5b, the optical length L 3 is set to be an integral multiple of half of the wavelength lambda 3 of the light to be amplified of the light generated in the organic EL element 72R between the cathode 49 Has been. In order to amplify the light having the wavelength λ 3 , the equation (1) may be applied to the optical length L 3 as it is. More specifically, the thicknesses and refractive indexes of the dielectric films 5a and 5b included in the protective film 5 and the light emitting layer 50R and the hole injection layer 51R interposed between the cathode 49 and the protective film 5 are expressed by the formula (1). Is set to satisfy. Here, the dielectric film 5c formed on the uppermost side among the dielectric films included in the protective film 5 adjusts the optical length between the cathode 49 and the dielectric films 5a and 5b constituting the optical resonator structure. This is an adjustment film formed for the purpose. When calculating the optical length L 3 , n eff is the effective refractive index of the protective film 5, Δ n is the difference in refractive index between the dielectric films 5 a and 5 b, and n i and d i in the formula (1). Means the refractive index and thickness of each of the dielectric film 5c, the anode 34, the hole injection layer 51R, and the light emitting layer 50R. θ means an angle formed between light incident on each interface of the light emitting layer 50R, the hole injection layer 51R, and the anode 34, or light incident on the interface of the anode 34 and the protective film 5, and a normal line standing on these interfaces.

したがって、サブ画素部７０Ｒの設けられた光共振器構造も、サブ画素部７０Ｇに設けられた光共振器構造と同様に、陽極３４、正孔注入層５１Ｒ及び発光層５０Ｒの夫々の屈折率ｎｉ及び厚みｄｉが固定されている場合には、第１項に含まれる保護膜５の有効屈折率ｎｅｆｆ及び屈折率の差Δｎを、共振させる光の波長に合わせて設定しておけばよい。 Therefore, similarly to the optical resonator structure provided in the sub-pixel unit 70G, the optical resonator structure provided with the sub-pixel unit 70R has a refractive index n of each of the anode 34, the hole injection layer 51R, and the light-emitting layer 50R. When i and the thickness d i are fixed, the effective refractive index n eff and the refractive index difference Δ n of the protective film 5 included in the first term can be set according to the wavelength of the light to be resonated. That's fine.

サブ画素部７０Ｒは、保護膜５及び陰極４９から構成される光共振器構造を有しているため、例えば、有機ＥＬ素子７２Ｒで発生する赤色の光が波長の揃っていない光であっても、特定の波長の光のみを増幅して出射することが可能である。加えて、保護膜５が、光共振器構造を構成する一対の反射膜の一方として機能するため、別途反射膜を形成する工程を追加する必要がない。したがって、煩雑な製造工程を経ることなく光共振器構造を形成できる。より具体的には、例えば、一般的な液晶装置の製造する際に、薄膜トランジスタが搭載された素子アレイ基板を製造する工程を利用して光共振器構造を有機ＥＬ装置１０に作り込むことが可能である。   Since the sub-pixel unit 70R has an optical resonator structure including the protective film 5 and the cathode 49, for example, even if the red light generated in the organic EL element 72R is light having a uniform wavelength. It is possible to amplify and emit only light of a specific wavelength. In addition, since the protective film 5 functions as one of the pair of reflective films constituting the optical resonator structure, it is not necessary to add a separate step of forming a reflective film. Therefore, an optical resonator structure can be formed without going through a complicated manufacturing process. More specifically, for example, when manufacturing a general liquid crystal device, an optical resonator structure can be built in the organic EL device 10 by using a process for manufacturing an element array substrate on which a thin film transistor is mounted. It is.

このように有機ＥＬ１０によれば、各サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂの夫々で所定の波長の光を共振させることが可能であるため、指向性が高く且つ色純度に優れた３色の光を用いて画像表示を行うことが可能である。また、本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、単色の有機ＥＬ素子を複数備えている場合にも適用可能であることは言うまでもない。   As described above, according to the organic EL 10, it is possible to resonate light of a predetermined wavelength in each of the sub-pixel units 70R, 70G, and 70B, so that light of three colors having high directivity and excellent color purity. It is possible to display an image using. It goes without saying that the organic EL device 10 of the present embodiment can also be applied to a case where a plurality of monochromatic organic EL elements are provided.

有機ＥＬ装置１０は、陰極４９側に封止板２０を更に備えている。封止板２０は、基板１上に接着剤によって接着されており、有機ＥＬ装置１０の外気が有機ＥＬ素子７２に触れないように有機ＥＬ素子７２を封止する。基板１上に封止板２０を接着する接着剤は、熱硬化樹脂或いは紫外線硬化樹脂を含んでおり、例えば、熱硬化樹脂の一例であるエポキシ樹脂を封止板２０の周縁部にディスペンサ等の塗布手段を用いて塗布される。   The organic EL device 10 further includes a sealing plate 20 on the cathode 49 side. The sealing plate 20 is adhered to the substrate 1 with an adhesive, and seals the organic EL element 72 so that the outside air of the organic EL device 10 does not touch the organic EL element 72. The adhesive that bonds the sealing plate 20 onto the substrate 1 includes a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin. For example, an epoxy resin, which is an example of a thermosetting resin, is dispensed to the peripheral portion of the sealing plate 20 such as a dispenser. It is applied using an application means.

封止板２０における陰極４９に臨む側の面において、封止板２０の周縁部は中央部に対して凸状となっており、有機ＥＬ素子７２が封止板２０によって封止された状態で、封止板２０の中央部及び有機ＥＬ素子７２の間に一定の空間が介在する。封止板２０及び有機ＥＬ素子７２間の空間には、不活性ガス、樹脂或いはオイル等の充填材が充填されてもよく、装置外部から侵入する水分を低減することが可能である。また、封止板２０及び有機ＥＬ素子７２間の空間は、封止板２０及び基板１で封止された真空であってもよい。尚、封止板２０は、例えば、ガラス板、又は防湿処理を施したプラスチック板を用いることができる。特に、封止板２０としてガラス基板を用いた場合には、ガラス基板である基板１及び封止板２０の熱膨張率が同等であることから、熱膨張率の違いに起因するこれら板間のひずみを低減することができ、装置全体の信頼性を高めることが可能である。   On the surface of the sealing plate 20 facing the cathode 49, the peripheral edge of the sealing plate 20 is convex with respect to the central portion, and the organic EL element 72 is sealed with the sealing plate 20. A certain space is interposed between the central portion of the sealing plate 20 and the organic EL element 72. A space between the sealing plate 20 and the organic EL element 72 may be filled with a filler such as an inert gas, resin, or oil, and moisture entering from the outside of the apparatus can be reduced. The space between the sealing plate 20 and the organic EL element 72 may be a vacuum sealed with the sealing plate 20 and the substrate 1. In addition, the sealing plate 20 can use the plastic plate which performed the glass plate or the moisture-proof process, for example. In particular, when a glass substrate is used as the sealing plate 20, since the thermal expansion coefficients of the substrate 1 and the sealing plate 20 that are glass substrates are equal, the difference between the thermal expansion coefficients between these plates. The distortion can be reduced, and the reliability of the entire apparatus can be improved.

次に、図４を参照しながら本実施形の有機ＥＬ装置の製造方法を説明する。図４は、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法の工程フローを示すフローチャートである。   Next, a method for manufacturing the organic EL device of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a flowchart showing a process flow of the method for manufacturing the organic EL device of the present embodiment.

図４において、基板１上に順次下地絶縁膜２を形成し、その上に駆動トランジスタを形成する（Ｓ１０１）。駆動トランジスタは、後の工程で形成される発光層を避ける領域に形成される。ここで、下地絶縁膜２として誘電体膜２ａ及び２ｂからなる積層膜が形成される。誘電体膜２ａ及び２ｂは、サブ画素部７０Ｂで発生する光のうち所定の波長の光を共振可能なように屈折率及び厚みが設定されている。   In FIG. 4, a base insulating film 2 is sequentially formed on a substrate 1, and a driving transistor is formed thereon (S101). The driving transistor is formed in a region that avoids a light emitting layer formed in a later step. Here, a laminated film composed of the dielectric films 2 a and 2 b is formed as the base insulating film 2. The dielectric films 2a and 2b have a refractive index and a thickness so that light having a predetermined wavelength among the light generated in the sub-pixel unit 70B can resonate.

次に、駆動トランジスタ上に層間絶縁膜４及び保護膜５を形成し、駆動トランジスタを覆う絶縁部を形成する（Ｓ１０２）。ここで、層間絶縁膜４は、基板１の基板面に沿って基板１上の略全体に形成されている。ソース電極及びドレイン電極は、層間絶縁膜を貫通するように形成されたコンタクトホールの内壁に沿って形成されている。同時にサブ画素部７０Ｂが形成されるべき領域に延びる層間絶縁膜４が除去される（Ｓ１０３）。次に、保護膜５が基板１の基板面に沿って基板１上の略全体に形成される。陽極３４は、保護膜を貫通するように形成されたコンタクトホールの内壁に沿って形成されている。同時にサブ画素部７０Ｂ及び７０Ｇが形成されるべき領域に延びる保護膜５が除去される（Ｓ１０４）。これにより、各発光層の下側の夫々で反射膜として機能する下地絶縁膜２及び層間絶縁膜４が露出し、各サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂの夫々における反射膜が形成される。尚、サブ画素部７０Ｒでは、誘電体膜５ａ及び５ｃがそのまま反射膜として機能する。   Next, the interlayer insulating film 4 and the protective film 5 are formed on the driving transistor, and an insulating portion covering the driving transistor is formed (S102). Here, the interlayer insulating film 4 is formed on substantially the entire surface of the substrate 1 along the substrate surface of the substrate 1. The source electrode and the drain electrode are formed along the inner wall of the contact hole formed so as to penetrate the interlayer insulating film. At the same time, the interlayer insulating film 4 extending to the region where the sub-pixel unit 70B is to be formed is removed (S103). Next, the protective film 5 is formed on substantially the entire surface of the substrate 1 along the substrate surface of the substrate 1. The anode 34 is formed along the inner wall of the contact hole formed so as to penetrate the protective film. At the same time, the protective film 5 extending to the region where the sub-pixel portions 70B and 70G are to be formed is removed (S104). As a result, the base insulating film 2 and the interlayer insulating film 4 functioning as a reflective film are exposed on the lower side of each light emitting layer, and a reflective film is formed in each of the sub-pixel portions 70R, 70G, and 70B. In the sub-pixel unit 70R, the dielectric films 5a and 5c function as reflection films as they are.

次に、各サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂの最上層に沿って陽極３４が形成され、その上に順次正孔注入層５１及び発光層５０が形成され、発光層５０上に各サブ画素部に共通の陰極４９を形成する（Ｓ１０５）。これにより、各サブ画素部において、陰極４９を一方の反射膜とし、発光層５０に下側に延在する誘電体膜を他方の反射膜とする光共振器構造を形成される。   Next, the anode 34 is formed along the uppermost layer of each of the sub-pixel portions 70R, 70G, and 70B, the hole injection layer 51 and the light-emitting layer 50 are sequentially formed thereon, and each sub-pixel portion is formed on the light-emitting layer 50. A common cathode 49 is formed (S105). Thereby, in each sub-pixel portion, an optical resonator structure is formed in which the cathode 49 is one reflective film and the dielectric film extending downward to the light emitting layer 50 is the other reflective film.

このような有機ＥＬ装置の製造方法によれば、別途光共振器構造を形成するための工程を追加することなく、表示特性に優れた発光装置を製造することが可能である。
（電子機器）
次に、図５乃至図７を参照しながら上述した有機ＥＬ装置を備えた各種電子機器を説明する。 According to such a method for manufacturing an organic EL device, it is possible to manufacture a light emitting device having excellent display characteristics without adding a separate process for forming an optical resonator structure.
(Electronics)
Next, various electronic devices including the above-described organic EL device will be described with reference to FIGS.

＜Ａ：モバイル型コンピュータ＞
図５を参照しながらモバイル型のコンピュータに上述した有機ＥＬ装置を適用した例について説明する。図５は、コンピュータ１２００の構成を示す斜視図である。 <A: Mobile computer>
An example in which the above-described organic EL device is applied to a mobile computer will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a perspective view showing the configuration of the computer 1200.

図５において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、図示しない有機ＥＬ装置を用いて構成された表示部１００５を有する表示ユニット１２０６とを備えている。表示部１００５は、カラー表示可能であり、且つ各色の波長が揃っている。よって表示部１００５が備える複数の有機ＥＬディスプレイ基板に赤、緑、青の光の三原色の光を発光する有機ＥＬ素子の表示特性が高められている。   In FIG. 5, a computer 1200 includes a main body 1204 including a keyboard 1202 and a display unit 1206 having a display unit 1005 configured using an organic EL device (not shown). The display portion 1005 can perform color display and has the same wavelength for each color. Therefore, the display characteristics of the organic EL element that emits light of the three primary colors of red, green, and blue light on the plurality of organic EL display substrates included in the display unit 1005 are enhanced.

＜Ｂ：携帯型電話機＞
更に、上述した有機ＥＬ装置を携帯型電話機に適用した例について、図６を参照して説明する。図６は、携帯型電話機１３００の構成を示す斜視図である。 <B: Mobile phone>
Further, an example in which the above-described organic EL device is applied to a mobile phone will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a perspective view showing the configuration of the mobile phone 1300.

図６において、携帯型電話機１３００は、複数の操作ボタン１３０２と共に、本発明の一実施形態である有機ＥＬ装置を有する表示部１３０５を備えるものである。   In FIG. 6, a mobile phone 1300 includes a display unit 1305 having an organic EL device according to an embodiment of the present invention, together with a plurality of operation buttons 1302.

表示部１３０５は、上述の表示部１００５と同様に高品質の画像を表示することができる。これにより、表示部１３０５が備える複数の有機ＥＬ素子が夫々赤、緑、青の光の三原色の光を発光することによって、該表示部１３０５はフルカラー表示で画像表示を行うこともできる。   The display unit 1305 can display a high-quality image in the same manner as the display unit 1005 described above. Accordingly, the plurality of organic EL elements included in the display unit 1305 emit light of the three primary colors of red, green, and blue, so that the display unit 1305 can display an image in full color display.

＜Ｃ：プリンタ＞
次に図７を参照しながら上述のプリンタヘッド１を備えたプリンタに係る実施形態について詳細に説明する。ここに図７は、本実施形態に係るプリンタの主要構成を示す図式的断面図である。尚、以下の実施形態では、プリンタヘッド１をＹＭＣＫ用に４つ備えたカラープリンタを例に挙げて説明する。 <C: Printer>
Next, an embodiment related to a printer including the above-described printer head 1 will be described in detail with reference to FIG. FIG. 7 is a schematic sectional view showing the main configuration of the printer according to this embodiment. In the following embodiment, a color printer having four printer heads 1 for YMCK will be described as an example.

図７において、プリンタは、ＹＭＣＫ用の４つの画像形成ユニット１００１Ｙ、１００１Ｍ、１００Ｃ及び１００１Ｋを備え、これらのユニットは夫々、本発明に係る「感光体」の一例たる感光ドラム１００２と、その周囲に順に配置されたクリーナ１０１１、帯電器１０１２、プリンタヘッド１、及び現像器１０１３を備えて構成されている。   In FIG. 7, the printer includes four image forming units 1001Y, 1001M, 100C, and 1001K for YMCK. These units each have a photosensitive drum 1002 that is an example of the “photosensitive member” according to the present invention and a surrounding area. A cleaner 1011, a charger 1012, the printer head 1, and a developing device 1013 are arranged in this order.

次に本実施形態のプリンタ１０００の構成をその動作と共に説明する。   Next, the configuration of the printer 1000 of this embodiment will be described along with its operation.

図７において、クリーナ１０１１により、前回のサイクルで感光ドラム１００２の表面に残ったトナーが除去された後、今回のサイクル用に帯電器１０１２によって、コロナ放電等により感光ドラム１００２の表面が帯電される。続いて、上述した実施形態のプリンタヘッド１によるデータ信号に応じた露光によって、感光ドラム１００２の表面にデータ信号に応じた静電潜像が形成される。続いて、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンタ）、Ｃ（シアン）及びＫ（黒）のうち、各ユニットに対応する色のトナーを用いることで、現像器１０２１による現像が行われ、感光ドラム１００２の表面には、トナー付着による可視像たるトナー画像の形成が行われる。他方、転写ベルト１０２０は、ローラ１０２１、１０２２等により回動されている。そして、各感光ドラム１００２に対向する転写位置にて、転写ローラ１０１４で裏側から押された形で、感光ドラム１００２上のトナー画像が転写ベルト１０２０上に転写される。この転写されたトナー画像は、搬送装置１０３０により搬送されるコピー用紙等の用紙上に更に転写される。そして、不図示の定着装置等を介して、排出トレー上に画像形成済みの用紙が排出される。   In FIG. 7, after the toner remaining on the surface of the photosensitive drum 1002 in the previous cycle is removed by the cleaner 1011, the surface of the photosensitive drum 1002 is charged by corona discharge or the like by the charger 1012 for the current cycle. . Subsequently, an electrostatic latent image corresponding to the data signal is formed on the surface of the photosensitive drum 1002 by exposure according to the data signal by the printer head 1 of the above-described embodiment. Subsequently, by using toner of a color corresponding to each unit among Y (yellow), M (magenta), C (cyan), and K (black), development is performed by the developing device 1021, and the photosensitive drum 1002 is developed. A toner image that is a visible image by toner adhesion is formed on the surface. On the other hand, the transfer belt 1020 is rotated by rollers 1021, 1022, and the like. Then, the toner image on the photosensitive drum 1002 is transferred onto the transfer belt 1020 while being pressed from the back side by the transfer roller 1014 at the transfer position facing each photosensitive drum 1002. The transferred toner image is further transferred onto a sheet such as a copy sheet conveyed by the conveying device 1030. Then, the image-formed paper is discharged onto a discharge tray via a fixing device (not shown).

以上説明したように本実施形態のプリンタ１０００は、上述したプリンタヘッド１００を備えるので、感光ドラム１００２を高速且つ高解像度で露光可能である。しかも、プリンタヘッド１００を小型化することで、プリンタにおける小型化を図れる。特に図７において、感光ドラム１００２の回転軸方向には、プリンタヘッド１００は、その長手方向として所望の長さに形成することが容易にして可能であり、しかも、感光ドラム１００２の周方向に沿った方向についてのプリンタヘッド１００の長さは、その短長方向の長さに他ならず、非常に短くすることができる。加えて、プリンタヘッド１００は、上述した本発明の発光装置を備えるので指向性の高い光を出射することが可能である。よって、図７の如き感光ドラム１００２の周囲を囲んで各種装置を配置する構成を有するプリンタに対して、本実施形態の如きプリンタヘッド１００を適用することは、大変有利である。   As described above, the printer 1000 according to the present embodiment includes the above-described printer head 100, so that the photosensitive drum 1002 can be exposed at high speed and with high resolution. In addition, the size of the printer can be reduced by downsizing the printer head 100. In particular, in FIG. 7, the printer head 100 can be easily formed in a desired length as the longitudinal direction in the direction of the rotation axis of the photosensitive drum 1002, and further along the circumferential direction of the photosensitive drum 1002. The length of the printer head 100 in this direction is nothing but the length in the short direction, and can be very short. In addition, since the printer head 100 includes the above-described light emitting device of the present invention, it can emit light with high directivity. Therefore, it is very advantageous to apply the printer head 100 according to the present embodiment to a printer having a configuration in which various devices are arranged around the photosensitive drum 1002 as shown in FIG.

尚、本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う発光装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。   It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification, and a light-emitting device with such a change In addition, electronic devices are also included in the technical scope of the present invention.

本実施形態の有機ＥＬ装置の全体構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the whole structure of the organic electroluminescent apparatus of this embodiment. 本実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the organic electroluminescent apparatus of this embodiment. 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。It is the III-III sectional view taken on the line of FIG. 本実施形態の有機ＥＬ装置のフロー示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the organic electroluminescent apparatus of this embodiment. 本発明に電子機器の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of an electronic device in this invention. 本発明に電子機器の他の例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the other example of the electronic device in this invention. 本発明の電子機器の一例であるプリンタの概略構成を示す図である。1 is a diagram illustrating a schematic configuration of a printer which is an example of an electronic apparatus according to the invention.

符号の説明Explanation of symbols

１・・・基板、２・・・下地絶縁膜、４・・・層間絶縁膜、５・・・保護膜、１０・・・有機ＥＬ装置、５０・・・発光層、５１・・・正孔注入層、７０・・・画素部、７２・・・有機ＥＬ素子   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2 ... Base insulating film, 4 ... Interlayer insulating film, 5 ... Protective film, 10 ... Organic EL device, 50 ... Light emitting layer, 51 ... Hole Injection layer, 70 ... pixel portion, 72 ... organic EL element

Claims (1)

基板と、
該基板上に設けられた複数の発光層と、
前記複数の発光層のそれぞれの表面を被うように金属材料によって形成された陰極と、
該陰極との間で複数の前記発光層を挟む位置に設けられた正孔注入層と、
該正孔注入層に対して前記基板側に設けられ、前記正孔注入層に接続され、透明電極材料によって形成された陽極と、
前記陽極と前記陰極との間に流す電流のオンオフを切り替える駆動トランジスタと、
前記基板の表面から順に積層された第一誘電体膜、第二誘電体膜、第三誘電体膜、第四誘電体膜、第五誘電体膜、第六誘電体膜及び第七誘電体膜を含む誘電体層を有し、当該誘電体層によって前記駆動素子を内包する絶縁部と
を備え、
前記第一誘電膜及び前記第二誘電膜によって、下地層が形成され、
前記第三誘電膜及び前記第四誘電膜によって、前記駆動トランジスタのゲート絶縁層及び層間絶縁層が形成され、
前記第五誘電膜、前記第六絶縁膜及び前記第七絶縁膜によって、保護層が形成され、
前記第一誘電体膜、前記第二誘電体膜、前記第三誘電体膜、前記第四誘電体膜、前記第五誘電体膜、前記第六誘電体膜及び前記第七誘電体膜は、それぞれ厚さが均一に形成されており、
前記複数の発光層は、青色光を発光する青色発光層、緑色光を発光する緑色発光層及び赤色光を発光する赤色発光層をそれぞれ複数有し、
前記青色発光層、前記緑色発光層及び前記赤色発光層は、素子分離部によって隔離されており、
前記誘電体層は、前記青色発光層が設けられる部分において前記第二誘電体膜を露出させる第一開口部を有し、
前記青色発光層は、前記第一開口部上に前記正孔注入層を介して形成されており、
前記誘電体層は、前記緑色発光層が設けられる部分において前記第四誘電体膜を露出させる第二開口部を有し、
前記緑色発光層は、前記第二開口部上に前記正孔注入層を介して形成されており、
前記赤色発光層は、前記第七誘電体膜上に前記正孔注入層を介して形成されており、
複数の前記発光層を積層方向に挟むように設けられ複数の前記発光層から発光された光を共振させる第１反射膜及び第２反射膜を備え、
前記第１反射膜及び前記第２反射膜は、前記青色発光層において発光された青色光を共振させる第一共振部と、前記緑色発光層において発光された緑色光を共振させる第二共振部と、前記赤色発光層において発光された赤色光を共振させる第三共振部と、を有し、
前記第一共振部では、前記第１反射膜は、前記第一誘電体膜と、前記第二誘電体膜と、で形成されており、前記第一誘電体膜及び前記第二誘電体膜は、前記青色光を共振できるように厚さ及び屈折率が設定されており、
前記第二共振部では、前記第１反射膜は、前記第三誘電体膜及び前記第四誘電体膜のうちの前記層間絶縁層で形成されており、前記第三誘電体膜及び前記第四誘電体膜のうちの前記層間絶縁層は、前記緑色光を共振できるように厚さ及び屈折率が設定されており、
前記第三共振部では、前記第１反射膜は、前記第五誘電体膜と、前記第六誘電体膜と、で形成されており、前記第五誘電体膜及び前記第六誘電体膜は、前記赤色光を共振できるように厚さ及び屈折率が設定されており、
前記第２反射膜として、前記陰極が用いられ、
前記第一共振部において前記第１反射膜と前記第２反射膜との間の光学長は、前記青色光の波長と、前記第一誘電体膜及び前記第二誘電体膜の有効屈折率と、前記第一誘電体膜及び前記第二誘電体膜の間の屈折率の差と、前記陽極、前記正孔注入層及び前記青色発光層のそれぞれの屈折率及び厚さと、に基づいて設定されており、
前記第二共振部において前記第１反射膜と前記第２反射膜との間の光学長は、前記緑色光の波長と、前記第三誘電体膜及び前記第四誘電体膜の有効屈折率と、前記第三誘電体膜及び前記第四誘電体膜の間の屈折率の差と、前記陽極、前記正孔注入層及び前記緑色発光層のそれぞれの屈折率及び厚さと、に基づいて設定されており、
前記第三共振部において前記第１反射膜と前記第２反射膜との間の光学長は、前記赤色光の波長と、前記第六誘電体膜及び前記第七誘電体膜の有効屈折率と、前記第六誘電体膜及び前記第七誘電体膜の間の屈折率の差と、前記陽極、前記正孔注入層及び前記赤色発光層のそれぞれの屈折率及び厚さと、に基づいて設定されている
発光装置の製造方法であって、
前記基板上に前記第一誘電体膜、前記第二誘電体膜、前記第三誘電体膜、前記第四誘電体膜、前記第五誘電体膜、前記第六誘電体膜及び前記第七誘電体膜をそれぞれ所定の膜厚で積層させて前記誘電体層を形成し、
前記誘電体層のうち前記青色発光層が設けられる部分に前記第二誘電体膜を露出させる第一開口部を形成し、その後、前記第一開口部上に前記陽極、前記正孔注入層及び前記青色発光層を順に積層させ、
前記誘電体層のうち前記緑色発光層が設けられる部分に前記第四誘電体膜を露出させる第二開口部を形成し、その後、前記第二開口部上に前記陽極、前記正孔注入層及び前記緑色発光層を順に積層させ、
前記誘電体層のうち前記第七誘電体膜上に前記陽極、前記正孔注入層及び前記赤色発光層を順に積層させる
ことを特徴とする発光装置の製造方法。 A substrate,
A plurality of light emitting layers provided on the substrate;
A cathode formed of a metal material so as to cover the surface of each of the plurality of light emitting layers;
A hole injection layer provided at a position sandwiching the plurality of light emitting layers with the cathode;
An anode formed on the substrate side with respect to the hole injection layer, connected to the hole injection layer, and formed of a transparent electrode material;
A driving transistor for switching on and off of a current flowing between the anode and the cathode;
A first dielectric film, a second dielectric film, a third dielectric film, a fourth dielectric film, a fifth dielectric film, a sixth dielectric film, and a seventh dielectric film, which are sequentially stacked from the surface of the substrate; An insulating part including the drive element by the dielectric layer,
An underlying layer is formed by the first dielectric film and the second dielectric film,
A gate insulating layer and an interlayer insulating layer of the driving transistor are formed by the third dielectric film and the fourth dielectric film,
A protective layer is formed by the fifth dielectric film, the sixth insulating film, and the seventh insulating film,
The first dielectric film, the second dielectric film, the third dielectric film, the fourth dielectric film, the fifth dielectric film, the sixth dielectric film, and the seventh dielectric film are: Each has a uniform thickness,
The plurality of light emitting layers each include a blue light emitting layer that emits blue light, a green light emitting layer that emits green light, and a red light emitting layer that emits red light.
The blue light emitting layer, the green light emitting layer, and the red light emitting layer are separated by an element separation unit,
The dielectric layer has a first opening that exposes the second dielectric film in a portion where the blue light emitting layer is provided,
The blue light emitting layer is formed on the first opening through the hole injection layer,
The dielectric layer has a second opening that exposes the fourth dielectric film in a portion where the green light emitting layer is provided,
The green light emitting layer is formed on the second opening via the hole injection layer,
The red light emitting layer is formed on the seventh dielectric film via the hole injection layer,
A first reflective film and a second reflective film that are provided so as to sandwich the plurality of light emitting layers in the stacking direction and resonate light emitted from the plurality of light emitting layers;
The first reflection film and the second reflection film include a first resonance unit that resonates blue light emitted from the blue light-emitting layer, and a second resonance unit that resonates green light emitted from the green light-emitting layer. A third resonating part that resonates red light emitted from the red light emitting layer, and
In the first resonance unit, the first reflective film is formed of the first dielectric film and the second dielectric film, and the first dielectric film and the second dielectric film are The thickness and refractive index are set so that the blue light can resonate,
In the second resonance part, the first reflective film is formed of the interlayer insulating layer of the third dielectric film and the fourth dielectric film, and the third dielectric film and the fourth dielectric film The interlayer insulating layer of the dielectric film has a thickness and a refractive index set so that the green light can resonate,
And in the third resonating part, the first reflecting film, said fifth dielectric film, and the sixth dielectric film, in which is formed, the fifth dielectric layer and said sixth dielectric film The thickness and refractive index are set so that the red light can resonate.
The cathode is used as the second reflective film,
The optical length between the first reflective film and the second reflective film in the first resonance part is the wavelength of the blue light, and the effective refractive index of the first dielectric film and the second dielectric film. The refractive index difference between the first dielectric film and the second dielectric film, and the refractive index and thickness of each of the anode, the hole injection layer, and the blue light emitting layer are set. And
The optical length between the first reflective film and the second reflective film in the second resonance unit is the wavelength of the green light, the effective refractive index of the third dielectric film, and the fourth dielectric film. The refractive index difference between the third dielectric film and the fourth dielectric film and the respective refractive indices and thicknesses of the anode, the hole injection layer, and the green light emitting layer are set. And
The optical length between the first reflective film and the second reflective film in the third resonance part is the wavelength of the red light, the effective refractive index of the sixth dielectric film, and the seventh dielectric film. The refractive index difference between the sixth dielectric film and the seventh dielectric film, and the refractive index and thickness of each of the anode, the hole injection layer, and the red light emitting layer are set. A method of manufacturing a light emitting device,
The first dielectric film, the second dielectric film, the third dielectric film, the fourth dielectric film, the fifth dielectric film, the sixth dielectric film, and the seventh dielectric on the substrate Each of the body films is laminated with a predetermined thickness to form the dielectric layer,
Forming a first opening exposing the second dielectric film in a portion of the dielectric layer where the blue light emitting layer is provided, and then forming the anode, the hole injection layer, and the first opening on the first opening; The blue light emitting layer is laminated in order,
A second opening exposing the fourth dielectric film is formed in a portion of the dielectric layer where the green light emitting layer is provided, and then the anode, the hole injection layer, and the second opening are formed on the second opening. The green light emitting layer is laminated in order,
The anode, the hole injection layer, and the red light emitting layer are sequentially laminated on the seventh dielectric film of the dielectric layer. A method for manufacturing a light emitting device.
JP2005087912A 2005-03-25 2005-03-25 Method for manufacturing light emitting device Expired - Fee Related JP4760080B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005087912A JP4760080B2 (en) 2005-03-25 2005-03-25 Method for manufacturing light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005087912A JP4760080B2 (en) 2005-03-25 2005-03-25 Method for manufacturing light emitting device

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006269326A JP2006269326A (en) 2006-10-05
JP2006269326A5 JP2006269326A5 (en) 2009-04-23
JP4760080B2 true JP4760080B2 (en) 2011-08-31

Family

ID=37205051

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005087912A Expired - Fee Related JP4760080B2 (en) 2005-03-25 2005-03-25 Method for manufacturing light emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4760080B2 (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4678319B2 (en) * 2006-03-15 2011-04-27 セイコーエプソン株式会社 LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
KR101983229B1 (en) 2010-07-23 2019-05-29 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting device and method for manufacturing the same
KR101901832B1 (en) 2011-12-14 2018-09-28 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing organic light emitting display apparatus
CN103165640B (en) * 2011-12-18 2016-06-22 上海天马微电子有限公司 A kind of Organic Light Emitting Diode (OLED) display with micro-cavity structure
KR102310902B1 (en) 2014-09-15 2021-10-12 삼성디스플레이 주식회사 Organic light-emitting display apparatus and manufacturing the same
KR102447451B1 (en) * 2016-01-20 2022-09-27 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device
KR102469294B1 (en) * 2016-02-01 2022-11-23 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device
WO2022074713A1 (en) * 2020-10-05 2022-04-14 シャープ株式会社 Display device and manufacturing method therefor

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5405710A (en) * 1993-11-22 1995-04-11 At&T Corp. Article comprising microcavity light sources
JP2001071558A (en) * 1999-09-03 2001-03-21 Futaba Corp El printer and el element
JP4373653B2 (en) * 2002-09-12 2009-11-25 東芝モバイルディスプレイ株式会社 Organic EL display device
JP2005019211A (en) * 2003-06-26 2005-01-20 Casio Comput Co Ltd El display panel and its manufacturing method
KR100683737B1 (en) * 2004-12-13 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 Electroluminescence display device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006269326A (en) 2006-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4760080B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP2019087267A (en) Display device
US7622865B2 (en) Light-emitting device, image forming apparatus, display device, and electronic apparatus
JP4577244B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE, ITS DRIVE METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
JP5309908B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP5104274B2 (en) Light emitting device
JP4548253B2 (en) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE
JP2007317591A (en) Organic el light-emitting device and electronic apparatus
US20050258441A1 (en) Electroluminescent device and electronic apparatus
EP3437146B1 (en) Organic light emitting diode display panel and apparatus, driving method and fabricating method thereof
US20130249383A1 (en) Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
JP2007115626A (en) Organic el apparatus
JP4858054B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
US20160041493A1 (en) Light emitting apparatus and image forming apparatus
JP2007052971A (en) Light emitting device, its design method and electronic apparatus
JP4742587B2 (en) ORGANIC EL DEVICE, IMAGE FORMING DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
JP5056602B2 (en) ORGANIC EL LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
JP2008277370A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof, and display device and manufacturing method thereof
JP2010272788A (en) Light-emitting device and electronic equipment
JP5055723B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
JP4742717B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
JP2009176590A (en) Organic el device, method of manufacturing organic el device, and electronic equipment
JP2007299689A (en) Organic electroluminescent device and electronic apparatus
JP4924390B2 (en) Light emitting device, electronic equipment
JP2011230332A (en) Printer head and exposure device

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070404

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071119

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080916

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090309

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101102

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20101122

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20101124

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110104

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20110105

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110215

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110408

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20110411

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110510

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110523

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4760080

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees