JP4759252B2 - 電力制御回路並びにそれを用いた半導体装置及び送受信回路 - Google Patents

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Description

本発明は、移動体無線通信端末、或いは無線通信基地局の送信機等の無線通信機器において出力電力を制御する技術に係り、特に複数の周波数帯域及び複数の方式に対応した無線通信機器に適用して好適な電力制御回路に関する。
携帯電話に代表される移動体通信システムは、世界的規模で普及が進んでおり、幾つかの通信方式が地域に応じて用いられている。移動体通信システムで使用されている重要技術の一つにAPC(Auto Power Control)と呼ばれる、端末及び基地局における受信電力に応じて端末の送信電力を制御する技術がある。APCが必要な第1の理由は、端末の低消費電力化である。端末が基地局の近くにある場合、端末の送信電力を低下させることにより、送信電力が一定の場合より端末の低消費電力化を図ることが可能になる。第2の理由は、CDMA(Code Division Multiple Access)方式における遠近問題である。
CDMAでは、複数の端末が各々異なるコードを用いてスペクトラム拡散方式により信号を拡散変調して送信する。それにより、同一周波数帯を複数の端末で共用化することが可能になる。例えば、基地局Aから遠い距離に存在する端末B、基地局Aから近い距離に存在する端末Cを想定した場合、端末Bからの信号(希望波)は端末Cの信号(非希望波)によりレベル干渉を受け、正確な受信が困難となる。この問題を解決するために、各端末の送信する電力を精密に制御し、基地局での受信電力を一定にすることが必須となる。
APCを実現する電力制御回路の例として、送信電力増幅器の出力電力の一部を検波し、検波結果が基地局からの指令電力レベルとなるように送信電力増幅器を制御する例が特許文献1に開示されている。また、別の例とし、電力増幅器の出力電力の一部を検波し、電力増幅器の入力レベルを変える可変減衰器を制御して検波結果が所望の値になったときに可変減衰器の制御電圧をサンプルホールドする例が特許文献2に開示されている。更に別の例として、送信信号の搬送波の位相を制御する位相制御ループと、電力増幅回路の出力振幅を制御する振幅制御ループとを有する無線通信装置において、振幅制御ループの帰還回路の中間に可変利得増幅回路を配置し、同増幅回路の利得をディジタル回路によって制御して電力増幅回路の出力電力を制御する例が特許文献3に開示されている。更に別の例として、電力増幅部の前に2個の利得可変器を配置し、電力増幅部の出力電力の検出結果が基地局からの制御に応じた値となり、かつ位相変化が起きないように上記2個の利得可変器を制御する例が特許文献4に開示されている。更に別の例として、送信電力増幅器の出力電力の一部を検波し、検波結果が基地局からの指示に従うように送信電力増幅器をディジタル回路によって制御する例が特許文献5に開示されている。
特開平5−291854号公報(第3頁〜第4頁、図1) 特開平8−274560号公報(第5頁〜第6頁、図1) 特開2004−7443号公報(第11頁、図1) 特開2000−228646号公報(第4頁〜第5頁、図1) 特開平8−274559号公報(第3頁、図3)
特許文献1に開示されている技術では、帰還回路がアナログ回路で構成されるため温度変化や電源変動の影響を受けやすく、安定性や精度が不十分に成らざるを得ない。更に、閉ループ制御のみであるため、送信電力増幅器の出力信号が振幅変調を伴う信号である場合、帰還回路内を伝送する信号の振幅の平均値が収束しても、変調による振幅値の変化(包絡線)を抑えようとする作用が継続される。そのため、この変化の抑えが雑音として送信電力増幅器に帰還され、その結果、送信電力増幅器の出力信号が劣化することが避けられない。従って、この技術が適用可能な通信方式には制限がある。
また、特許文献2に開示されている技術では、サンプルホールド回路を同様にアナログ回路で実現するため、サンプルホールドリーク(サンプルホールド回路を構成するコンデンサの電荷がリークすることにより、コンデンサの保持する電圧が変動する現象)が発生し、電力増幅器の出力信号を一定値にホールドすることが困難になる。
これに対して、特許文献4、5に開示されている技術では、ディジタル信号処理を用いるため電力増幅器の出力電力の相対値を詳細に制御することは可能である。しかし、欧州で普及しているGSM(Global System for Mobile Communication)などのバースト動作における高速な電力制御を行なう場合、ディジタル信号処理の有するクロック遅延によってクロック周波数である帰還信号は位相が180度回るため、帰還回路が不安定化又は発振に至るという不都合が起こる可能性がある。
さて、携帯電話に代表される移動体通信には複数の通信方式が存在する。例えば欧州では、第2世代無線通信方式として普及している上記のGSM、及びGSMのデータ通信速度を向上したEDGE(Enhanced Data rates for GSM Evolution)に加えて、近年サービスが開始された第3世代無線通信方式であるW−CDMA(Wide-band Code Division Multiple Access)がある。また、北米では第2世代無線通信方式であるPCS(Personal Communication System)に加えて、第3世代無線通信方式であるcdma1xが普及している。
更に、各通信方式では複数の周波数帯域(バンド)が使用される。例えばGSMでは、ローバンドと呼ばれる800〜900MHz帯と、ハイバンドと呼ばれる1800〜1900MHz帯が使用される。
このように、同一地域において複数の通信方式(モード)、複数の周波数帯域(バンド)が混在するようになってきているため、携帯電話端末には、マルチバンド化及びマルチモード化が求められる。例えば欧州では、GSM/EDGE/W−CDMA対応の携帯電話端末が必要となる。マルチバンド・マルチモード型となっても、大型及び高コストとなることは許されず、携帯電話端末の小型化及び低コスト化を考慮すると、携帯電話端末を構成する部品及び回路においてもマルチバンド及びマルチモード化は必須であることは言うまでもない。即ち、上記APCのための電力制御回路においても、マルチバンド及びマルチモード化への対応が求められる。
これに対して、特許文献3に開示されている技術では、例えばチャネル帯域幅が400kHzであるGSM及びチャネル帯域幅が5MHzであるW−CDMAの共用化を考慮した場合、チャネル帯域幅が大きく異なるため、両方の方式に適合した回路設計が困難とならざるを得ない。
本発明の目的は、高速動作が安定な電力制御回路を提供すること、又は同電力制御回路を用いた半導体装置を提供すること、或いは同電力制御回路を用いた送受信回路を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明の電力制御回路は、電力制御信号に応じて増幅器の出力電力が所望の電力値となるように上記増幅器の利得を制御する電力制御回路であって、上記増幅器の出力電力の電力値を検出して得る検出信号をディジタル信号に変換してから上記電力制御信号との差分を取り、上記差分をアナログ信号に変換して第1の帰還信号を出力するディジタル帰還回路と、アナログ信号に変換された上記電力制御信号と上記検出信号との差分の高周波成分を第2の帰還信号として出力するアナログ帰還回路と、上記第1の帰還信号と上記第2の帰還信号との和を取って上記増幅器の利得を制御するための利得制御信号を出力する加算器とを具備して成ることを特徴とする。アナログ帰還回路は、ディジタル信号処理による遅延を含まないため、高速な動作が可能である。従って、電力値を一定に収束する動作は第1の帰還信号によって主にディジタル帰還回路が行ない、帰還信号の高周波成分である第2の帰還信号が高速動作の可能なアナログ帰還回路により生成されるため、電力制御回路の高速動作での安定化が可能となる。従って、本発明の電力制御回路は、複数の周波数帯域及び複数の方式において共用化が可能になる。
上記目的を達成するための本発明の半導体装置は、受信された第1の信号を増幅する受信回路と、上記受信回路が出力する増幅後の上記第1の信号に対して周波数変換を行なって第2の信号を出力する第1の周波数変換回路と、送信する第3の信号を入力して周波数変換を行なって第4の信号を出力する第2の周波数変換回路と、上記周波数変換回路が出力する上記第4の信号を増幅する第1の増幅器であって、第2の電力制御信号によって利得が制御される第1の増幅器と、上記第4の信号を増幅する外部の第2の増幅器の出力電力が所望の電力値となるように第1の電力制御信号によって上記出力電力を制御する上記の電力制御回路とを含む回路ブロックを具備し、上記回路ブロックが同一半導体基板上に形成されていることを特徴とする。上記構成の半導体装置は、安定な高速動作が可能であるため複数の周波数帯域及び複数の方式において共用化が可能な電力制御回路を備えている。従って、本発明の半導体装置を用いることにより、マルチバンド・マルチモード対応の携帯電話端末等の通信機器の小型化及び低コスト化が実現される。
上記目的を達成するための本発明の送受信回路は、アンテナによって受信された第1の通信方式の第1aの信号を増幅する第1の受信回路と、上記アンテナによって受信された第2の通信方式の第1bの信号を増幅する第2の受信回路と、上記第1又は第2の受信回路が出力する増幅後の上記第1a又は第1bの信号に対して周波数変換を行なって第2の信号を出力する第1の周波数変換回路と、送信する上記第1の通信方式の第3aの信号又は上記第2の通信方式の第3bの信号を入力して周波数変換を行なって、第4の信号を出力する第2の周波数変換回路と、上記周波数変換回路が出力する上記第4の信号を増幅する第1の増幅器であって、第2の電力制御信号によって利得が制御される第1の増幅器と、上記第1の増幅器が出力する増幅後の上記第4の信号を電力増幅する第2の増幅器と、上記第2の増幅器の出力信号の電力値を検出して検出信号を出力する検出器と、上記第2の増幅器の出力電力が所望の電力値となるように第1の電力制御信号によって上記出力電力を制御する上記の電力制御回路とを含む回路ブロックを具備して成ることを特徴とする。上記構成の送受信回路は、安定な高速動作が可能であるため複数の周波数帯域及び複数の方式において共用化が可能な電力制御回路を備えている。従って、本発明の送受信回路を用いることにより、マルチバンド・マルチモード対応の携帯電話端末等の通信機器の小型化及び低コスト化が実現される。
本発明によれば、帰還信号の高周波成分が高速動作の可能なアナログ帰還回路によって生成されるので、電力制御回路の高速動作が安定化される。
以下、本発明に係る電力制御回路並びにそれを用いた半導体装置及び送受信回路を図面に示した幾つかの実施の形態を参照して詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一又は類似の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明を省略する。
(実施の形態1)
図1に本発明の電力制御回路による実施の形態1を示す。本実施の形態の電力制御回路の構造、動作及び効果を簡便に説明するため、本発明を一例としてGSM及びW−CDMAに対応した携帯電話端末へ適用する場合が取り上げられる。図1は、本実施の形態の電力制御回路を具備した携帯電話端末の送信部を示す回路構成図である。
図1において、10はベースバンド信号処理装置(BB)、20aは周波数変換回路(MIX)、30は利得可変増幅器、40aは電力増幅器、50aは方向性結合器、60aは検波器(DET)、70はアナログ/ディジタル(A/D)変換器、80a及び80bはディジタル/アナログ(D/A)変換器、90a及び90bは比較器、100は加算器、110はハイパスフィルタ、120はフロントエンド回路(FE)、130aはアンテナである。フロントエンド回路120は主にアンテナスイッチ、デュプレクサ或いはダイプレクサなどの高周波部品により構成される。
上記構成において、200は、A/D変換器70、比較器(第1の比較器)90a及びD/A変換器(第1のD/A変換器)80aにより構成されるディジタル帰還回路、210は、D/A変換器(第2のD/A変換器)80b、比較器(第2の比較器)90b及びハイパスフィルタ110により構成されるアナログ帰還回路である。更に、220は、ディジタル帰還回路200、アナログ帰還回路210及び加算器100により構成される電力制御回路である。
まず、本実施の形態の電力制御回路220を具備した携帯電話端末の送信部の動作を説明する。GSM及びW−CDMA各々の動作において、ベースバンド信号処理装置10の送信信号(第3の信号)は、周波数変換回路20aにおいて所望の周波数に周波数変換され、可変利得増幅器30により所望の電力値に増幅され、更に電力増幅器40aにより所望の電力値に増幅され、方向性結合器50a及びフロントエンド回路120を介してアンテナ130aより送信される。ベースバンド信号処理装置10は更に、基地局(図示せず)からの受信信号より検出されるディジタルの電力制御信号(電力制御信号、又は第1の電力制御信号)を出力する。
一方、方向性結合器50aで取り出された電力増幅器40aの出力信号の一部は、検波器60aに入力され、検波器60aにおいて電圧値に変換される。検波器60aは半波整流検波回路が簡便で好ましいが、全波整流検波回路であっても構わない。
GSM動作を行なう場合に電力制御回路220が用いられる。検波器60aの出力信号の一部は、A/D変換器70によりディジタル信号に変換され、比較器90aに入力される。更に、検波器60aの出力信号の一部が比較器90bに入力される。
比較器90aは、A/D変換器70の出力信号とベースバンド信号処理装置10が出力する電力制御信号との差分を出力する。比較器90aの出力信号は、D/A変換器80aによりアナログ信号に変換されて第1の帰還信号となり、加算器100に入力される。一方、比較器90bは、検波器60aの出力信号の一部とD/A変換器80bを介してアナログ信号に変換されたベースバンド信号処理装置10の出力する電力制御信号との差分を出力する。比較器90bの出力信号は、ハイパスフィルタ110を通って第2の帰還信号となり、加算器100に入力される。加算器100は、D/A変換器80aが出力する第1の帰還信号とハイパスフィルタ110が出力する第2の帰還信号の和を出力する。加算器100の出力信号は、電力増幅器40aの利得制御端子に利得制御信号(Vapc)として印加される。上記の回路構成により、電力増幅器40aの出力信号の電力値は、ベースバンド信号処理装置10の出力する電力制御信号に応じた値に収束するように制御される。
図1に示した本実施の形態の電力制御回路によれば、アナログ帰還回路210がハイパスフィルタ110を具備するため、アナログ帰還回路210から出力される信号は高周波成分のみを有する。更に、アナログ帰還回路210はディジタル信号処理による場合に生じる遅延を含まないため、高速な動作が可能である。従って、電力値を一定に収束する動作は主にディジタル帰還回路200が行ない、電力制御回路220内の信号のうち高周波成分は高速動作が可能なアナログ帰還回路210により帰還されるため、電力制御回路220の安定化が可能となる。
なお、送信部がW−CDMA動作を行なう場合、検波器60aの出力信号は、A/D変換器70によりディジタル信号に変換され、ベースバンド信号処理装置10に入力される。このように、W−CDMAでは、電力制御回路220のA/D変換器70がGSMと共用になる。
ベースバンド信号処理装置10は、A/D変換器70の出力信号と基地局からの受信信号より検出される電力制御信号とを比較し、電力増幅器40aの出力信号の電力値が所望の値となるように、利得可変増幅器30の出力信号の電力値を制御する。W−CDMAの要求する送信信号の電力値のダイナミックレンジは約70dBと非常に大きいため、W−CDMA動作を行なう場合、一般に電力増幅器40aのバイアス点を一定にした状態で入力信号の電力値を可変することにより、出力信号の電力値が決定される。このようにして、上記の回路構成により、電力増幅器40aの出力信号の電力値は、ベースバンド信号処理装置10の出力する電力制御信号(第2の電力制御信号)に応じた値に収束するように制御される。W−CDMA動作の場合、ベースバンド信号処理装置10においては、ディジタル信号処理により利得可変増幅器30の電力制御信号が生成されるため、詳細な電力制御が可能となる。
(実施の形態2)
図2Aに本発明の電力制御回路による実施の形態2を示す。図2Aは、本実施の形態の電力制御回路を具備した携帯電話端末の送信部を示す回路構成図である。本発明を適用する携帯電話端末は、GSM及びW−CDMAに加えてEDGEにも対応している。従って、本実施の形態の電力制御回路は、GSM及びEDGE動作に適用され、マルチモード電力制御回路となる。
送信部がEDGE動作を行なう場合、基本的な動作は実施の形態1におけるGSMの場合と同様である。GSM動作と異なる点を次に説明する。
図3はGSM及びEDGE動作を行なう場合の、アンテナ130aから送信される送信信号電力値の時間応答及び規格化されたタイムマスクを示したグラフである。
図3において、横軸は時間、縦軸は電力値である。300aはGSM動作の場合のアンテナ130aから送信される送信信号電力値、310a及び310bはGSM動作の場合のアンテナ130aから送信される送信信号電力値を規定するタイムマスク、400aはGSM動作の場合の1スロット、410aはランプアップ、420aはバースト、430aはランプダウンである。また、300bはEDGE動作の場合のアンテナ130aから送信される送信信号電力値、310c及び310dはEDGE動作の場合のアンテナ130aから送信される送信信号電力値を規定するタイムマスク、400bはEDGE動作の場合の1スロット、410bはランプアップ、420bはバースト、430bはランプダウンである。更に、440a及び440bは各々EDGE動作の場合のバースト420bの最初と最後に設定されたバッファ期間である。
図3に示すように、GSM動作を行なう場合は、バースト420aにおいてアンテナ130aから送信される送信信号は一定電力値である。従って、電力増幅器40aの出力信号の電力値も一定であるため、電力制御回路220は1スロット400aの間の常時閉ループ動作が可能である。
一方、EDGE動作を行なう場合、バースト420bのバッファ期間430a及び430bを除いた変調信号出力期間450において、アンテナ130aから送信される送信信号に振幅変調が掛かっていて、送信信号の包絡線が変化する。そのため、変調信号出力期間450でのサンプルホールド機能が必要である。この期間に一定の値にホールドされた利得制御電圧により、送信信号の包絡線の変化に関係なく電力増幅器40aの利得が一定に保たれる。
図2Aにおいて、140a、140b及び140cは、それぞれ、検波器60aの出力側、A/D変換器80bの入力側、A/D変換器80aの入力側に配置されたサンプルホールド回路である(それぞれ、第1、第2、第3のサンプルホールド回路)。
図2Aを用いて、本実施の形態のEDGE動作におけるサンプルホールド機能の動作を説明する。先ず、ランプアップ410bではサンプルホールド回路140a〜140cは、オフとなる。
ここで、本明細書においては、サンプルホールド回路140がオフとは、図2Bに示すスイッチS1がオン或いは図2Cに示すスイッチS2が端子a側に接続されている状態を指す。また、サンプルホールド回路140がオンとは、スイッチS1がオフ或いはスイッチS2がb側に接続されている状態を指す。
図2Bにおいて、BA1及びBA2はそれぞれバッファアンプであり、C1は容量である。S1がオン(すなわちサンプルホールド回路140がオフ)の場合、C1はチャージされサンプルホールド回路140は入力信号をそのまま出力し(サンプル状態)、S1がオフ(すなわちサンプルホールド回路140がオン)の場合、バッファアンプBA2には容量C1のチャージ量に応じた信号が供給される(ホールド状態)ことによりサンプルホールド機能が実現される。一方、図2Cにおいて、例えばサンプルホールド回路本体1400は1クロック遅延回路であり、S2が端子a側に接続されている(すなわちサンプルホールド回路140がオフ)場合、サンプルホールド回路140は入力信号をそのまま出力し(サンプル状態)、S2が端子b側に接続されている(すなわちサンプルホールド回路140がオン)場合、サンプルホールド回路140はサンプルホールド回路本体1400に入力された1クロック前の信号を常に出力する(ホールド状態)ことによりサンプルホールド機能が実現される。
従って、サンプルホールド回路140a〜140cがオフとなるとき、図2Aは図1と同様となり、電力制御回路220は、GSM動作の場合と同様に、電力増幅器40aの出力信号の電力値が所望の値に収束するように閉ループ動作する。次に、バースト420bの最初に設定されたバッファ期間440aの間にサンプルホールド回路140a〜140cは同時にオンされ、各サンプルホールド回路における信号値(電圧値或いは電力値)が記憶保持される。更に、変調信号出力期間450では、各サンプルホールド回路140a〜140cは記憶保持した信号値を出力する。また更に、バースト420bの最後に設定されたバッファ期間440bの間に、電力増幅器40aの出力信号の電力値がバッファ期間440aの間と等しい値に戻された(電力増幅器40aの入力信号が一定振幅値に戻された)後、サンプルホールド回路140a〜140cは同時にオフされる。最後に、ランプダウン430bではサンプルホールド回路140a〜140cはオフであり、電力制御回路220は、GSM動作の場合と同様に、電力増幅器40aの出力信号の電力値が所望の値に収束するように閉ループ動作する。
本実施の形態によれば、サンプルホールド回路140b及び140cはディジタル回路で構成されているため、サンプルホールドリークの問題がない。また、サンプルホールド回路140aはアナログ回路で構成されているものの、検波器60a、比較器90b及びA/D変換器70はいずれも電圧を入力して動作し、系を流れる電流が微少であるためサンプルホールドリークによるサンプルホールド機能の低下は微少である。従って、上記の回路構成により、EDGE動作での変調信号出力期間450において、サンプルホールドリークが実質的にないサンプルホールド機能を実現することが可能となる。
なお、ランプダウン430bでは加算器100をオフすることにより、電力増幅器40aを開ループ動作させ、電力増幅器40aの出力信号の電力値を所望の値に低減しても構わない。或いは、D/A変換器80a及び80bをオフすることにより、電力増幅器40aを開ループ制御して所望の電力値まで電力値を低減しても構わない。この場合、バッファ期間440bでのサンプルホールド状態から閉ループへの切り替えにおけるサンプルホールド値の違いによるスプリアス発生を考慮する必要がないため、設計を容易にすることが可能である。
また或いは、ランプダウン430bの前半は閉ループ動作を適用し、後半は開ループ動作に切り替えても構わない。この場合、電力増幅器40aの非線形性によるループ利得低下により電力値が所望の値に収束しなくなる場合においても、開ループ動作により電力値を所望の値に収束させることが可能である。
またなお、閉ループの特性によっては、ループフィルタを適宜配置しても構わない。そのように構成した例を図4に示す。ループフィルタ150a、150b又は150cがそれぞれ、加算器100、A/D変換器80a、比較器90aの出力側に配置される。
更にまた、本実施の形態のマルチモード電力制御回路は、GSM或いはEDGE動作を行なう場合、電力増幅器40aの利得制御電圧を調整することにより電力増幅器40aの出力信号の電力値を制御しているが、周波数変換回路20a或いは利得可変増幅器30からの出力信号の電力値を必要に応じて調整しても構わない。この場合、周波数変換回路20a或いは利得可変増幅器30からの出力信号の電力値を調整する構成が新たに必要になるが、電力増幅器40aの利得を固定にして良いため、電力増幅器40aの低消費電力化及び高線形化が可能となる。
以上の本実施の形態の電力制御回路の特性をシミュレーションによって求めた。図5は、シミュレーションに用いたGSM及びEDGE動作の回路図である。
図5において、160は対数/真数変換関数、170は真数/対数変換関数、180は電力増幅器40aの出力信号の電力値を検知するモニタ(MT)である。ベースバンド信号処理装置10で任意に作成したランプ信号に、電力増幅器40aに利得制御電圧と出力電圧との関係を表した関数を適応した。また、ループフィルタ150aにはカットオフ周波数が150kHzの1次の伝達関数を有するローパスフィルタを、ループフィルタ150bにはカットオフ周波数が150kHzでα=3(αは伝達関数の有するポールとゼロ点の周波数比)の2次の伝達関数を有するラグリードフィルタを、ハイパスフィルタ110にはカットオフ周波数が200kHzの1次の伝達関数を有するハイパスフィルタを、各々適用した。更にまた、A/D変換器70のサンプリング周波数を25MHz、量子化間隔0.2とし、D/A変換器80a及び80bのサンプリング周波数を25MHzとした。なお、検波器60aには十分なダイナミックレンジを有するダイオードを想定して、リニア関数を適用した。A/D変換器70、D/A変換器80a及び80bには、各々3クロック分のディジタル信号処理によるクロック遅延を考慮している。
図6は上記シミュレーションの結果を示したグラフである。電力増幅器40aの出力信号の電力値は、GSM動作において34.5dBm、EDGE動作において27.0dBmを例に挙げている。図6より、GSM及びEDGE動作での電力増幅器40aの出力信号の電力値の制御が各タイムマスクを満足し、かつ電力制御回路220が安定に動作することが実証された。
なお、上記シミュレーションにおいて、ループフィルタ150bの伝達関数を双一次変換したディジタルループフィルタ150cとしても構わない。また、ループフィルタ150a〜150c及びハイパスフィルタ110の伝達関数の次数及びカットオフ周波数、A/D変換器70のサンプリング周波数及び量子化間隔、D/A変換器80a及び80bのサンプリング周波数は、いずれも設計に応じて適宜変更しても構わない。また、上記シミュレーションにおいて、A/D変換器70、D/A変換器80a及び80bの必要クロック数を3クロックとしたが、これに限定されることなく、設計に応じた適当なクロック数であっても構わない。
以上、本実施の形態により、GSM及びEDGEの各々に対して安定な電力制御が可能な電力制御回路を実現することができる。このように、複数の方式において電力制御回路の共用化が可能となるため、マルチバンド・マルチモード電力制御回路の小型化が可能になると共に、その低コスト化が可能になる。
(実施の形態3)
図7に本発明の電力制御回路による実施の形態3を示す。図7は、本実施の形態の電力制御回路を具備した携帯電話端末の送信部を示す回路構成図である。本発明を適用する携帯電話端末は、実施の形態2と同様にGSM、W−CDMA及びEDGEの各々に対応している。本実施の形態の電力制御回路は、変調信号出力期間450に比較器90bをオフとすることが可能になる場合に用いられ、サンプルホールド回路140cのみがA/D変換器80aの入力側に配置される。従って、実施の形態2に比べて、サンプルホールド回路の個数が少ない分、電力制御回路220が小型化される。
GSM及びEDGEに対応する電力制御回路220の基本的な動作は上記実施の形態2と同様であり、EDGE動作におけるサンプルホールド回路の動作が異なる。
図7を用いて、本発明のマルチバンド・マルチモード電力制御回路のEDGE動作におけるサンプルホールド機能の動作を説明する。先ず、ランプアップ410bではサンプルホールド回路140cはオフとなり、電力制御回路220は、GSM動作と同様に、電力増幅器40aの出力信号の電力値が所望の値に収束するように閉ループ動作する。次に、バースト420bの最初に設定されたバッファ期間440aの間にサンプルホールド回路140cはオンされ、信号値(電圧値或いは電力値)を記憶保持すると同時に、比較器90bがオフされる。更に、変調信号出力期間450ではサンプルホールド回路140cは記憶保持した信号値を出力する。比較器90bの出力信号値は0である。また更に、バースト420bの最後に設定されたバッファ期間440bの間に、電力増幅器40aの出力信号の電力値がバッファ期間440aの間と等しい値に戻された(電力増幅器40aの入力信号が一定振幅値に戻された)後、サンプルホールド回路140cはオフされ、比較器90bがオンされる。最後に、ランプダウン430bではサンプルホールド回路140cはオフされ、電力制御回路220はGSM動作と同様に、電力増幅器40aの出力信号の電力値が所望の値に収束するように閉ループ動作する。
本実施の形態において、サンプルホールド回路140cはディジタル回路で構成されているため、サンプルホールドリークの問題がない。また、比較器90b及び加算器100の間にハイパスフィルタ110が配置されているため、アナログ帰還回路210を通過する信号は高周波成分のみとなるため、電力増幅器40aの出力信号の電力値が一定値に収束している場合、比較器90bの出力信号値(電圧値或いは電力値)はほぼ0である。従って、比較器90bをオフすることにより、アナログ帰還回路210の出力信号値を保持することが可能である。従って、上記の回路構成により、EDGE動作での変調信号出力期間450において、サンプルホールドリークのないサンプルホールド機能を実現することが可能である。
なお、ランプダウン430bの初期の適当なタイミングで加算器100をオフすることにより、電力増幅器40aを開ループ制御して、電力増幅器40aの出力信号の電力値を所望の値に低減しても構わない。或いは、D/A変換器80a及び80bをオフすることにより、電力増幅器40aを開ループ制御して所望の電力値まで電力値を低減しても構わない。この場合、バッファ期間440bでのサンプルホールド状態から閉ループ動作への切り替えにおけるサンプルホールド値の違いによるスプリアス発生を考慮する必要がないため、設計を容易にすることが可能である。
また或いは、ランプダウン430bの前半は閉ループ動作を適用し、後半は開ループ動作に切り替えても構わない。この場合、電力増幅器40aの非線形性によるループ利得低下により電力値が所望の値に収束しなくなる場合においても、開ループ動作により電力値を所望の値に収束させることが可能である。
またなお、閉ループの特性によっては、ループフィルタを適宜配置しても構わない。そのように構成した例を図8に示す。ループフィルタ150a、150b又は150cがそれぞれ、加算器100、A/D変換器80a、比較器90aの各出力側に配置される。ループフィルタ150aは、比較器90bのオン及びオフ時におけるスイッチングノイズを抑圧するため、ローパスフィルタであることが望ましい。
また、上記説明の通り、アナログ帰還回路210を通過する信号は高周波成分のみであるため、比較器90bにソフトスイッチング動作を適用することが可能である。従って、比較器90bのオン及びオフの動作は、スイッチングノイズを低減するため、瞬時に切り替える動作ではなく、時間を掛けて切り替えるソフトスイッチング動作が望ましい。
(実施の形態4)
図9に本発明の電力制御回路による実施の形態3を示す。図9は、本実施の形態の電力制御回路を具備した携帯電話端末の送信部を示す回路構成図である。本実施の形態の電力制御回路は、図2Aにおけるサンプルホールド回路140aをA/D変換器70を構成する初段サンプルホールド回路140dと兼用にすることが可能になる場合に用いられる。実施の形態2に比べて、サンプルホールド回路140aが省略される分、電力制御回路220が小型化される。
GSM及びEDGEに対応する電力制御回路220の基本的な動作は実施の形態2と同様である。
図9を用いて、本実施の形態のEDGE動作におけるサンプルホールド機能の動作を説明する。先ず、ランプアップ410bではサンプルホールド回路140b〜140dはオフされ、電力制御回路220はGSM動作と同様に、電力増幅器40aの出力信号の電力値が所望の値に収束するように動作する。次に、バースト420bの最初に設定されたバッファ期間440aの間にサンプルホールド回路140b〜140dは、同時にオンされかつ同回路間が開放され、各サンプルホールド回路における信号値(電圧値或いは電力値)を記憶保持する。更に、変調信号出力期間450では各サンプルホールド回路140b〜140dは、記憶保持した信号値を出力する。また更に、バースト420bの最後に設定されたバッファ期間440bの間に、電力増幅器40aの出力信号の電力値がバッファ期間440aの間と等しい値に戻された(電力増幅器40aの入力信号が一定振幅値に戻された)後、サンプルホールド回路140b〜140dは同時にオフされる。最後に、ランプダウン430bではサンプルホールド回路140b〜140dはオフであり、電力制御回路220はGSM動作と同様に、電力増幅器40aの出力信号の電力値が所望の値に収束するように動作する。
本実施の形態において、サンプルホールド回路140b〜140dがディジタル回路で構成されているため、サンプルホールドリークの問題がない。
なお、上記実施の形態1と同様に、加算器100と電力増幅器40aとの間、加算器100とD/A変換器80aとの間或いは比較器90aとサンプルホールド回路140cとの間にループフィルタ(図示せず)を適宜配置しても構わない。
(実施の形態5)
図10に本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態5を示す。本実施の形態は、例えばGSM及びEDGE(以下、「GSM/EDGE」と略記する)(第2の通信方式)並びにW−CDMA(第1の通信方式)に対応の携帯電話端末に用いられ、実施の形態2〜4から選択された電力制御回路220が備えられる。
図10において、500はアイソレータ、510はデュプレクサ、520aは送信フィルタ、530aはアンテナスイッチ、540aはW−CDMA用受信回路、550aはGSM/EDGE用受信回路、20bは周波数変換回路(MIX)である。また、610は、電力増幅器40a、方向性結合器50a、検波器60a、アイソレータ500、デュプレクサ510、送信フィルタ520a、アンテナスイッチ530aを含んで構成される第1の回路ブロックである。第1の回路ブロック610は、第1のモジュール610として構成することができる。更に、620は、周波数変換回路(第1の周波数変換回路)20a、周波数変換回路(第2の周波数変換回路)20b、利得可変増幅器30、電力制御回路(APC)220、W−CDMA用の受信回路(Rx)(第1の受信回路)540a、GSM/EDGE用の受信回路(Rx)(第2の受信回路)550aを含んで構成される第2の回路ブロックである。第2の回路ブロック620は、半導体装置620又は第2のモジュール620として構成することができる。600は、第1の回路ブロック610及び第2の回路ブロック60を含んで構成される第3の回路ブロックである。第3の回路ブロック600は、本実施の形態の送受信回路であり、第3のモジュール600として構成することができる。
なお、本明細書では、上記のように、同一範囲の回路ブロック、モジュール、半導体装置に同一の符号を付すこととする。
図10を用いて、本実施の形態の送受信回路の動作を説明する。ベースバンド信号処理装置10に入力された音声信号或いはデータ信号は、GSM、EDGE或いはW−CDMAのいずれかの方式に対応した同相成分信号(I信号)及び直交成分信号(Q信号)に変換されて出力される。以下、I信号及びQ信号を「I/Q信号」と略記し、W−CDMAのI/Q信号を第3aの信号、GSM又はEDGEのI/Q信号を第3bの信号とする。第3aの信号又は第3bの信号は、周波数変換回路(第2の周波数変換回路)20aにおいて変調されて第4の信号となり、同第4の信号は、利得可変増幅器(第1の増幅器)30を介して電力増幅器(第2の増幅器)40aに入力される。
W−CDMA動作を行なう場合、電力増幅器40aにおいて増幅された信号はアイソレータ500、デュプレクサ510及びアンテナスイッチ530aを介してアンテナ130aに入力され、アンテナ130aより送信される。一方、GSM或いはEDGE動作を行なう場合、電力増幅器40aにおいて増幅された信号は送信フィルタ520a及びアンテナスイッチ530aを介してアンテナ130aに入力され、アンテナ130aより送信される。
また、アンテナ130aで受信されたW−CDMA対応受信信号(第1aの信号)は、アンテナスイッチ530a、デュプレクサ510を介してW−CDMA用受信回路540aに入力され、W−CDMA用受信回路540aにおいて所望の電力値に増幅され、更に周波数変換回路20bにおいてI/Q信号(第2の信号)に変換される。I/Q信号はベースバンド信号処理装置10に入力され、音声信号或いはデータ信号に変換され出力される。
一方、アンテナ130aで受信されたGSM或いはEDGE対応受信信号(第1bの信号)は、アンテナスイッチ530aを介してGSM/EDGE用受信回路550aに入力され、GSM/EDGE用受信回路550aにおいて所望の電力値に増幅され、更に周波数変換回路20bにおいてI/Q信号(第2の信号)に変換される。I/Q信号はベースバンド信号処理装置10に入力され、音声信号或いはデータ信号に変換され出力される。
方向性結合器50a、検波器60aの構成及び動作は、実施の形態2〜4と同様である。また、上述のように、電力制御回路220は、実施の形態2〜4から選択されたものであり、その構成及び動作は、既に述べた通りである。
本実施の形態を備える携帯電話端末は、上記の構成及び動作を有することによりGSM/EDGE、並びにW−CDMAに対応した動作が可能である。
ここで、半導体装置620は、周波数変換回路20a及び20b、利得可変増幅器30、電力制御回路220、W−CDMA用受信回路540a、GSM/EDGE用受信回路550aを同一半導体基板上に形成することにより、RF−IC(Radio Frequency Integrated Circuit)として実現され、第2の回路ブロック620の小型化、低コスト化が達成される。周波数変換回路20a及び20b等を構成する半導体素子は、小型化、低消費電力化、低コスト化を考慮した場合、BiCMOS(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor)であることが望ましいが、更なる低コスト化を考慮した場合はCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)であることが望ましい。
なお、第1の回路ブロック610における電力増幅器40a及び検波器60aを同一半導体基板上に形成し、半導体装置として構成することが可能である。それにより、電力増幅器40aを構成する電力増幅用トランジスタ(図示せず)と検波器60aを構成するダイオード(図示せず)の温度特性を一致させることが可能となり、検波器60aの高精度化が可能となる。ただし、検波器60aは周波数変換回路20aなどを含む半導体素子上(CMOS或いはBiCMOS)に形成しても構わない。この場合、CMOS(或いはBiCMOS)は複雑な演算回路を小型・低コストに形成し易いため、検波器60aの回路構成の自由度が広がるとともに、検波器60aのダイナミックレンジを拡張できるという効果がある。また、電力増幅器40a、方向性結合器50a、検波器60a、アイソレータ500、デュプレクサ510、送信フィルタ520a、アンテナスイッチ530aを第1のモジュール610或いは第3のモジュール630のように同一モジュール上に形成することにより、上記各回路部品間のインピーダンス整合を任意に設定することが可能となり、低消費電力化、小型化が可能となる。
電力増幅器40a及び検波器60aを具備する半導体装置の半導体素子は、小型化、高線形化及び高耐圧化を考慮した場合、GaAsを主成分としたHBT(Heterojunction Bipolar Transistor)であることが望ましい。また、同半導体素子は、SiGeを主成分としたHBT、HEMT(High Electron Mobility Transistor)或いはSi−MOSFET(Silicon Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)であっても構わない。
なお、アイソレータ500は、電力増幅器40aとデュプレクサ510との間のインピーダンス整合の設計によっては配置しなくても良い。また、アイソレータ500の代わりにサーキュレータを用いても構わない。
また、電力増幅器40aを含む半導体装置と周波数変換回路20aを含む半導体装置を別チップとして分けることにより、電力増幅器40aから周波数変換回路20aへの信号の漏れ込みによるインジェクションロックを抑圧することが可能となる。
さて、以上では、GSM/EDGE並びにW−CDMA対応の携帯電話端末に用いられる半導体装置及びモジュールに本発明を適用した実施の形態について述べたが、本発明は上記携帯電話端末に限らず、様々なマルチモードに対応の携帯電話端末や無線通信機器に適用可能であることは言うまでもない。マルチモードのそれぞれに対応して、受信回路540a、550aの構成が変更される。なお、W−CDMAに対応しない場合は、利得可変増幅器30を制御する構成を省略するようにしても良い。更に、EDGEに対応しない場合は、電力制御回路220として、図1に示した実施の形態1の電力制御回路の採用が可能である。
(実施の形態6)
図11に本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態6を示す。本実施の形態では、実施の形態5の送受信回路に対してモジュール構成が変更される。
先ず、図10に示した第3のモジュール600にベースバンド信号処理装置10が含められて第4のモジュール630が構成される。
また、本実施の形態の送受信回路を2個のモジュールで構成する場合、第5のモジュール640と第6のモジュール650とに分けられる。第5のモジュール640は、周波数変換回路20a、利得可変増幅器30、電力増幅器40a、方向性結合器50a、検波器60a、電力制御回路220、アイソレータ500、デュプレクサ510、送信フィルタ520a、アンテナスイッチ530aを含んで構成される。第6のモジュール650は、W−CDMA用受信回路540a、GSM/EDGE用受信回路550a、周波数変換回路20bを含んで構成される。
本実施の形態の動作及び効果は、基本的に上記実施の形態5と同様であるが、2モジュール構成を第5のモジュール640と第6のモジュール650とにしたことにより、第5のモジュール640の規模が大となる。しかし、その反面、周波数変換器20a内の送信信号と周波数変換器20b内の受信信号とのアイソレーションを増加させることが可能になり、受信感度を向上させることが可能となる。また、受信回路が簡易化される。
更に、送受信回路携帯電話端末の送受信回路を1個の第4のモジュール630によって構成する場合には、モジュール600、610、620で構成する場合、或いはモジュール640、650で構成する場合に比べて、携帯電話端末の小型化が可能となる。
(実施の形態7)
図12に本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態7を示す。本実施の形態では、実施の形態5、6の半導体装置及び送受信回路に対して周波数変換回路20aと電力増幅器40aとの間の構成が変更され、その間に利得可変増幅器30を含む経路と含まない経路が設けられる。
本実施の形態の送受信の動作及び効果は、基本的に実施の形態5及び6と同様であるが、異なる点は以下の通りである。
本実施の形態では、W−CDMA動作を行なう場合は、周波数変換回路20aの出力信号は利得可変増幅器30を介して電力増幅器40aに入力されるが、GSM或いはEDGE動作を行なう場合、周波数変換回路20aの出力信号は利得可変増幅器30を介さずに電力増幅器40aに入力される。このため、電力増幅器40aは2入力となって構成が複雑になるが、周波数変換器20aをW−CDMA用と、GSM/EDGE用とに個別に配置することが可能となり、周波数変換器20aの低消費電力化及び設計の容易化が可能となる。
本実施の形態の半導体装置及びモジュールは、実施の形態5、6にて説明したいずれの構成を選択しても構わない。即ち、図12において、周波数変換回路20a、周波数変換回路20b、利得可変増幅器30、電力制御回路220、W−CDMA用受信回路540a、GSM/EDGE用受信回路550aを含んで半導体装置620又は第2のモジュール620が構成される。また、アンテナ130a及びベースバンド信号処理装置10以外の各回路によって第3のモジュール600が構成され、同モジュールにベースバンド信号処理装置10を含んで第4のモジュール630が構成される。更に、電力増幅器40a、方向性結合器50a、検波器60a、アイソレータ500、デュプレクサ510、送信フィルタ520a、アンテナスイッチ530aを含んで第1のモジュール610が構成される。また、周波数変換回路20a、利得可変増幅器30、電力増幅器40a、方向性結合器50a、検波器60a、電力制御回路220、アイソレータ500、デュプレクサ510、送信フィルタ520a、アンテナスイッチ530aを含んで第5のモジュール640が構成される。第4のモジュール650の構成は実施の形態6と同一である。
なお、本実施の形態では、GSM/EDGE動作に対応した経路に利得可変増幅器を配置しなかったが、これとは逆に、W−CDMA動作に対応した経路と同様に、GSM/EDGE動作に対応した経路にもベースバンド信号処理装置10により制御される利得可変増幅器を別個に配置しても構わない。この場合、周波数変換回路20aのGSM/EDGEに対応した出力信号の電力値の可変幅の一部を利得可変増幅器に転嫁することが可能であり、周波数変換回路20aの低消費電力化、小型化及び設計の容易化が可能となる。
(実施の形態8)
図13に本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態8を示す。本実施の形態では、実施の形態7の半導体装置及び無線通信モジュールに対して、周波数変換回路20aからの経路毎に電力増幅器が配置される。図13において、40bはW−CDMA用の電力増幅器、40cはGSM/EDGE用の電力増幅器である。本実施の形態では、このように、電力増幅器がW−CDMA用、GSM/EDGE用に別個に備えられるので、それに伴い、電力制御回路220は、GSM/EDGE用電力増幅器40cに対してのみ制御を行なう。
本実施の形態の送受信の動作及び効果は、基本的には実施の形態7と同様であるが、本実施の形態では、2個の電力増幅器が配置されるため、全体として規模がやや大となる。しかし、その反面、電力増幅器40b及び40cをそれぞれW−CDMA用とGSM/EDGE用とに個別に設計することが可能となり、電力増幅器40b及び40cの低消費電力化、高線形化及び設計の容易化が可能となる。
本実施の形態の半導体装置及びモジュールは、実施の形態7にて説明したいずれの構成を選択しても構わない。即ち、図13において、アンテナ130a及びベースバンド信号処理装置10以外の各回路によって第3のモジュール600が構成され、同モジュールにベースバンド信号処理装置10を含んで第4のモジュール630が構成される。また、電力増幅器40b、電力増幅器40c、方向性結合器50a、検波器60a、アイソレータ500、デュプレクサ510、送信フィルタ520a、アンテナスイッチ530aを含んで第1のモジュール610が構成される。また、周波数変換回路20a、利得可変増幅器30、電力増幅器40b、電力増幅器40c、方向性結合器50a、検波器60a、電力制御回路220、アイソレータ500、デュプレクサ510、送信フィルタ520a、アンテナスイッチ530aを含んで第5のモジュール640が構成される。半導体装置620又は第2のモジュール620、及び第6のモジュール650の構成は実施の形態7と同一である。
(実施の形態9)
図14に本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態9を示す。本実施の形態では、実施の形態8の半導体装置及び送受信回路に対して、電力増幅器40b、40cのそれぞれに方向性結合器が設けられる。図14において、50bは、W−CDMA用電力増幅器40bとアイソレータ500の間に配置した方向性結合器、50cは、GSM/EDGE用電力増幅器40cと送信フィルタ520aの間に配置した方向性結合器である。このような構成によって、周波数変換回路20aとデュプレクサ510との間にW−CDMA用に独立した経路が形成され、周波数変換回路20aとアンテナスイッチ530aとの間にGSM/EDGE用に独立した経路が形成される。
本実施の形態の送受信の動作及び効果は、基本的に実施の形態8と同様であるが、本実施の形態では、送信側の経路がW−CDMA用とGSM/EDGE用とに分けられるため、全体として構成がやや複雑になる。しかし、その反面、周波数変換器20aをW−CDMA用とGSM/EDGE用とに個別に配置することが可能になり、周波数変換器20aの低消費電力化及び設計の容易化が可能となる。また、電力増幅器40b、40cからアンテナ130aに至る回路をW−CDMAとGSM/EDGEとで個別に設計することが可能になり、実施の形態8に比べて電力増幅器40b及び40cの低消費電力化、高線形化及び設計の容易化が可能となる。
本実施の形態の半導体装置及びモジュールは、実施の形態8にて説明したいずれの構成を選択しても構わない。即ち、図14において、アンテナ130a及びベースバンド信号処理装置10以外の各回路によって第3のモジュール600が構成され、同モジュールにベースバンド信号処理装置10を含んで第4のモジュール630が構成される。また、電力増幅器40b、電力増幅器40c、方向性結合器50b、方向性結合器50c、検波器60a、アイソレータ500、デュプレクサ510、送信フィルタ520a、アンテナスイッチ530aを含んで第1のモジュール610が構成される。更に、周波数変換回路20a、利得可変増幅器30、電力増幅器40b、電力増幅器40c、方向性結合器50b、方向性結合器50c、検波器60a、電力制御回路220、アイソレータ500、デュプレクサ510、送信フィルタ520a、アンテナスイッチ530aを含んで第5のモジュール640が構成される。半導体装置620又は第2のモジュール620、及び第6のモジュール650の構成は実施の形態7と同一である。
(実施の形態10)
図15に本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態10を示す。本実施の形態では、実施の形態9の半導体装置及び送受信回路に対して、方向性結合器50b、50cのそれぞれに検波器が設けられる。図15において、60bは、方向性結合器50bと電力制御回路220の間に配置したW−CDMA用の検波器、60cは、方向性結合器50cと電力制御回路220の間に配置したGSM/EDGE用の検波器である。
本実施の形態の送受信の動作及び効果は、基本的に実施の形態9と同様であるが、本実施の形態では、検波器60b、60cがW−CDMA用とGSM/EDGE用とに個別に備えられるため、全体として構成がやや複雑になる。しかし、その反面、検波器60b及び60cをW−CDMAとGSM/EDGEとで個別に設計することが可能になり、検波器の設計が容易となる。
本実施の形態の半導体装置及びモジュールは、実施の形態9にて説明したいずれの構成を選択しても構わない。即ち、図15において、アンテナ130a及びベースバンド信号処理装置10以外の各回路によって第3のモジュール600が構成され、同モジュールにベースバンド信号処理装置10を含んで第4のモジュール630が構成される。また、電力増幅器40b、電力増幅器40c、方向性結合器50b、方向性結合器50c、検波器60b、検波器60c、アイソレータ500、デュプレクサ510、送信フィルタ520a、アンテナスイッチ530aを含んで第1のモジュール610が構成される。更に、周波数変換回路20a、利得可変増幅器30、電力増幅器40b、電力増幅器40c、方向性結合器50b、方向性結合器50c、検波器60b、検波器60c、電力制御回路220、アイソレータ500、デュプレクサ510、送信フィルタ520a、アンテナスイッチ530aを含んで第5のモジュール640が構成される。半導体装置620又は第2のモジュール620、及び第6のモジュール650の構成は実施の形態7と同一である。
(実施の形態11)
図16に本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態11を示す。本実施の形態は、ローバンドGSM、ローバンドEDGE、ハイバンドGSM、ハイバンドEDGE、及びW−CDMAの各方式に対応する携帯電話端末に用いられ、実施の形態2〜4から選択された電力制御回路220が備えられる。ローバンド、ハイバンドの周波数は上述の通り、ローバンドが800〜900MHz帯、ハイバンドが1800〜1900MHz帯である。更に、W−CDMAの周波数は、説明の簡便性を考慮して、1800〜1900MHz帯とする。
図16において、40dはW−CDMA及びハイバンドGSM/EDGE用電力増幅器、40eはローバンドGSM/EDGE用電力増幅器、50d及び50eは方向性結合器、60dは検波器、520bはハイバンドGSM/EDGEに対応した送信フィルタ、520cはローバンドGSM/EDGEに対応した送信フィルタ、530cはアンテナスイッチ、550aはハイバンドGSM/EDGE用受信回路、550bはローバンドGSM/EDGE用受信回路である。
図16を用いて、本実施の形態の送受信回路の動作を説明する。ベースバンド信号処理装置10に入力された音声信号或いはデータ信号は、ローバンドGSM、ローバンドEDGE、ハイバンドGSM、ハイバンドEDGE或いはW−CDMAのいずれか一方式に対応したI/Q信号に変換されて出力され、周波数変換回路20aにおいて変調される。
ハイバンドGSM、ハイバンドEDGE或いはW−CDMA動作を行なう場合、周波数変換回路20aの出力信号は、利得可変増幅器30を介して電力増幅器40dに入力される。更に、W−CDMA動作を行なう場合、電力増幅器40dにおいて増幅された信号はアイソレータ500、デュプレクサ510及びアンテナスイッチ530cを介してアンテナ130aに入力され、アンテナ130aより送信される。一方、ハイバンドGSM或いはハイバンドEDGE動作を行なう場合、電力増幅器40dにおいて増幅された信号は送信フィルタ520b及びアンテナスイッチ530cを介してアンテナ130aに入力され、アンテナ130aより送信される。
一方、ローバンドGSM或いはローバンドEDGE動作を行なう場合、周波数変換回路20aの出力信号は電力増幅器40eに入力され、電力増幅器40eで増幅された後、方向性結合器50e、送信フィルタ520c及びアンテナスイッチ530cを介してアンテナ130aに入力され、アンテナ130aより送信される。
また、アンテナ130aで受信されたW−CDMA対応受信信号は、アンテナスイッチ530c、デュプレクサ510を介してW−CDMA用受信回路540aに入力され、W−CDMA用受信回路540aにおいて所望の電力値に増幅され、更に周波数変換回路20bにおいてI/Q信号に変換される。I/Q信号は、ベースバンド信号処理装置10に入力され、音声信号或いはデータ信号に変換され出力される。
一方、アンテナ130aで受信されたハイバンドGSM或いはハイバンドEDGE対応受信信号は、アンテナスイッチ530cを介してハイバンドGSM/EDGE用受信回路550aに入力され、ハイバンドGSM/EDGE用受信回路550aにおいて所望の電力値に増幅され、更に周波数変換回路20bにおいてI/Q信号に変換される。I/Q信号は、ベースバンド信号処理装置10に入力され、音声信号或いはデータ信号に変換され出力される。
また同様に、アンテナ130aで受信されたローバンドGSM或いはローバンドEDGE対応受信信号は、アンテナスイッチ530cを介してローバンドGSM/EDGE用受信回路550bに入力され、ローバンドGSM/EDGE用受信回路550bにおいて所望の電力値に増幅され、更に周波数変換回路20bにおいてI/Q信号に変換される。I/Q信号はベースバンド信号処理装置10に入力され、音声信号或いはデータ信号に変換され出力される。
方向性結合器50d及び50e、検波器60dの構成及び動作は上記実施の形態1〜10と同様である。また、電力制御回路220の構成及び動作は上記実施の形態2〜4のいずれを選択しても構わない。
図16に示した本発明の一実施の形態であるマルチバンド・マルチモード電力制御回路を有する携帯電話端末の送受信回路によれば、上記の構成及び動作を有することによりローバンドGSM、ローバンドEDGE、ハイバンドGSM、ハイバンドEDGE及びW−CDMAに対応した動作が可能であり、マルチバンド・マルチモード化が可能となる。
なお、本実施の形態の送受信回路の内、ハイバンドGSM、ハイバンドEDGE及びW−CDMAに対応した回路ブロックの構成は、実施の形態5と同様としたが、これに限定されることなく、その他の実施の形態6〜10のいずれを選択しても構わない。
本実施の形態の半導体装置及びモジュールは、実施の形態5、6にて説明したいずれの構成を選択しても構わない。即ち、図16において、周波数変換回路20a、周波数変換回路20b、利得可変増幅器30、電力制御回路220、W−CDMA用受信回路540a、ハイバンドGSM/EDGE用受信回路550a、ローバンドGSM/EDGE用受信回路550bを含んで半導体装置620又は第2のモジュール620が構成される。また、アンテナ130a及びベースバンド信号処理装置10以外の各回路によって第3のモジュール600が構成され、同モジュールにベースバンド信号処理装置10を含んで第4のモジュール630が構成される。更に、電力増幅器40d、電力増幅器40e、方向性結合器50d、方向性結合器50e、検波器60d、アイソレータ500、デュプレクサ510、送信フィルタ520b、送信フィルタ520c、アンテナスイッチ530cを含んで第1のモジュール610が構成される。また、周波数変換回路20a、利得可変増幅器30、電力増幅器40d、電力増幅器40e、方向性結合器50d、方向性結合器50e、検波器60d、電力制御回路220、アイソレータ500、デュプレクサ510、送信フィルタ520b、送信フィルタ520c、アンテナスイッチ530cを含んで第5のモジュール640が構成される。また、周波数変換回路20b、W−CDMA用受信回路540a、ハイバンドGSM/EDGE用受信回路550a、ローバンドGSM/EDGE用受信回路550bを含んで第4のモジュール650が構成される。
また、本実施の形態は、ローバンドGSM、ローバンドEDGE、ハイバンドGSM、ハイバンドEDGE及びW−CDMAの3周波数帯域(3バンド)及び3方式(3モード)の携帯電話端末に本発明が適用される例であるが、本発明が適用される周波数帯域数及び方式数はこれに限定されることなく、任意の帯域数及び方式数であって構わない。
(実施の形態12)
図17A及び図17Bに本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態12を示す。本実施の形態は、アンテナがW−CDMA用とGSM/EDGE用とで別々に設けられる。
図17Aにおいて、530bはアンテナスイッチ、130bはW−CDMA用アンテナ、130cはGSM/EDGE用アンテナである。また、図17Bにおいて、530dはアンテナスイッチ、130dはハイバンドGSM/EDGE及びローバンドGSM/EDGEに共用のアンテナである。
図17Aにおいて、全体構成が図示されていない本実施の形態の送受信回路は、説明する上での簡便性を図るため、実施の形態5と同様とする。また、図17Bにおいて、全体構成が図示されていない送受信回路は、説明する上での簡便性より、上記実施の形態11と同様とする。
図17Aに示した本実施の形態のアンテナ周辺回路120は、デュプレクサ510に接続されたアンテナ130bと、アンテナスイッチ530bに接続されたアンテナ130cとを具備する点が、実施の形態5〜10と異なる。
また、図17Bに示した本発明のアンテナ周辺回路120は、デュプレクサ510に接続されたアンテナ130bと、アンテナスイッチ530dに接続されたアンテナ130dとを具備する点が、実施の形態11と異なる。
図17Aに示した本実施の形態のアンテナ周辺回路120の動作を説明する。
W−CDMA動作を行なう場合、アイソレータ500に入力されたW−CDMA対応信号はデュプレクサ510を介してアンテナ130bに入力され、アンテナ130aより送信される。また、アンテナ130bで受信されたW−CDMA対応受信信号は、デュプレクサ510を介してW−CDMA用受信回路540aに入力される。
一方、GSM或いはEDGE動作を行なう場合、送信フィルタ520aに入力されたGSM或いはEDGE対応信号はアンテナスイッチ530bを介して、アンテナ130cより送信される。また、アンテナ130cで受信されたGSM或いはEDGE対応受信信号は、アンテナスイッチ530bを介してGSM或いはEDGE用受信回路550aに入力される。
次に、図17Bに示した本実施の形態のアンテナ周辺回路120の動作を説明する。
W−CDMA動作を行なう場合は、図17Aに示したアンテナ周辺回路120の動作と同様である。
一方、ハイバンドGSM或いはハイバンドEDGE動作を行なう場合、送信フィルタ520bに入力されたGSM或いはEDGE対応信号はアンテナスイッチ530dを介して、アンテナ130dより送信される。また、アンテナ130dで受信されたハイバンドGSM或いはハイバンドEDGE対応受信信号は、アンテナスイッチ530dを介してハイバンドGSM/EDGE用受信回路550aに入力される。
更に、ローバンドGSM或いはローバンドEDGE動作を行なう場合、送信フィルタ530cに入力されたGSM或いはEDGE対応信号はアンテナスイッチ530dを介して、アンテナ130dより送信される。また、アンテナ130dで受信されたローバンドGSM或いはローバンドEDGE対応受信信号は、アンテナスイッチ530dを介してローバンドGSM/EDGE用受信回路550bに入力される。
本実施の形態によれば、W−CDMA動作を行なう場合、電力増幅器40aの出力信号はアンテナスイッチを介さずにアンテナ130bより送信されるため、電力増幅器40aとアンテナ130bとの間の回路損失を低減することが可能であり、電力増幅器40aの低消費電力化、小型化及び低コスト化が可能となる。
なお、図17Aにおいて、全体構成が図示されていない本実施の形態の送受信回路120は、実施の形態5と同様としたが、これに限定されることなく、上記実施の形態5〜10のいずれを選択しても構わない。また、図17Bに示した全体構成が図示されていない本実施の形態の送受信回路120において、ハイバンドGSM、ハイバンドEDGE及びW−CDMAに対応した回路ブロックの構成は、実施の形態4の回路の一部と同様としたが、これに限定されることなく、上記実施の形態5〜10のいずれを選択しても構わない。
(実施の形態13)
図18に本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態13を示す。本実施の形態では、電力増幅器40の電源電圧を調整する回路が付加される。
図18において、560は電池(BT)、190はDC−DCコンバータ(DD)であり、40fは電力増幅器、50fは方向性結合器である。
図18において、全体が図示されていない本実施の形態の送受信回路に、実施の形態5〜12のいずれを選択しても構わない。
本実施の形態の送受信回路における電力増幅器の電源電圧調整の動作を説明する。
電池560から供給される電圧はDC−DCコンバータ190に入力され、DC−DCコンバータにおいて所望の電圧値に変換され、電力増幅器40fの電源電圧端子(図18中の点A)に印加される。DC−DCコンバータ190での電圧変換比はベースバンド信号処理装置10からの制御信号により調整される。電源電圧端子Aは電力増幅器40fを構成する電力増幅器用トランジスタがHBTなどのバイポーラトランジスタで構成される場合はコレクタであり、MOSFETやHEMTなどの電界効果トランジスタで構成される場合はドレインである。
一般にトランジスタの出力電力は、入力電力、利得調整電圧或いは電流、負荷インピーダンス、電源電圧に依存する。
従って、本実施の形態によれば、電力増幅器40fの出力信号の電力値を上記実施の形態1〜12に比べ更に詳細に制御することが可能となる。
また、方向性結合器50fにおいて取り出される出力信号を帰還させ調整する要素に入力電力及び利得制御電圧の他に電源電圧が加わって要素の数が増加するため、電力制御方法の自由度が広がり設計の容易化及び制御精度の向上が可能となる。
更にまた、電源電圧を調整することにより、同等出力電力を与える電力増幅器の消費電流を低減することが可能であるため、電力増幅器40fの低消費電力化が可能となる。
(実施の形態14)
図19に本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態14を示す。電力制御回路220への入力信号を実施の形態1〜13では電力増幅器40の出力信号を検出することによって得ていたのに代えて、本実施の形態では、電力増幅器40の消費電流を検知することによって得るように検出方法が変更される。
図19において、40gは電力増幅器、570は電力増幅器40gの消費電流を検知するレプリカトランジスタ、580はレプリカトランジスタ570の消費電流を検出し電圧に変換する電流検出器である。
なお、電力制御回路220の構成及び動作は実施の形態1〜4のいずれを選択しても構わない。また、図19において、全体が図示されていない本実施の形態の送受信回路に、実施の形態5〜13のいずれを選択しても構わない。
本実施の形態の送受信回路における電力増幅器の電流検出の動作を説明する。
一般にトランジスタの出力電力とコレクタ電流(FETの場合はドレイン電流)とは相関を有するため、電力増幅器を構成する最終段電力増幅用トランジスタの消費電流を検知することにより、電力増幅器の出力電力を検知することが可能である。ただし、最終段電力増幅用トランジスタは、例えばGSM用最終段電力増幅用トランジスタを想定し、電源電圧3.5V、出力電力35dBm、電力利得10dB、電力付加効率60%とした場合消費電流は約1.5Aとなり、電流検出器の電流容量が非常に大きくなる。また、電力増幅用トランジスタのコレクタ電流を検出するためにコレクタ配線に直列に抵抗を挿入した場合、上記抵抗により電力増幅器の性能が劣化する問題がある。
そこで、電力増幅用トランジスタの1/nのサイズのレプリカトランジスタを電力増幅用トランジスタと同半導体素子上の近傍に配置し、レプリカトランジスタの消費電流を検知する。レプリカトランジスタの消費電流は電力増幅用トランジスタの消費電流の1/nになるため、電流検出器の電流容量を低く設計することが可能となる。また、電力増幅用トランジスタには影響を与えないため、電力増幅器の性能劣化を抑止することが可能である。
このような原理に基づいて、レプリカトランジスタ570の消費電流を電流検出器570にて検出し、電流検出器580にて電力増幅器40gの出力信号の電力値に対応した電圧に変換する。電流検出器580の出力信号を入力された電力制御回路220の動作には、上記実施の形態1〜4のいずれを選択しても構わない。
本実施の形態によれば、電力増幅器40hの出力信号の電力値を、方向性結合器よりも一般には小型であるレプリカトランジスタ570により検出することができるため、携帯電話端末の送信回路の小型化、低コスト化が可能となる。
(実施の形態15)
図20に本発明の電力制御回路による実施の形態15を示す。図20は、本実施の形態の電力制御回路を具備した携帯電話端末の送信部を示す回路構成図である。本発明を適用する携帯電話端末は、実施の形態1と同様にGSM方式及びW−CDMA方式に対応しているが、利得制御が電力増幅器40で行なわれるのでなく、利得可変増幅器30で行なわれるように構成される。
図20において、40hは電力増幅器である。
本実施の形態の電力制御回路の構成は基本的に上記実施の形態1と同様である。ただし、比較器100の出力信号が電力増幅器40aではなく利得可変増幅器30に入力される制御信号となる点が実施の形態1の場合と異なる。
本実施の形態の電力制御回路の動作及び効果は基本的に実施の形態1と同様である。ただし、GSM動作を行なう場合、電力増幅器40hはバイアス点が一定(利得制御電圧一定)の状態、即ち利得が一定の状態で動作し、電力制御回路220の出力信号は上記のように利得可変増幅器30に印加される。それにより、利得可変増幅器30の出力信号、即ち電力増幅器40aの入力信号の電力値が制御され、従って電力増幅器40hの出力信号の電力値が制御される点が、実施の形態1の場合と異なる。
本実施の形態では、電力制御を行なう回路ブロックを利得可変増幅器30に集約することができるため、設計の容易化が可能となる。特に、電力増幅器40hの利得制御電圧の制御による低消費電力化或いは高線形化の効果が薄い方式の場合、本実施の形態の電力制御回路はその効果を発揮する。
本実施の形態の電力制御回路220を、実施の形態2〜4のサンプルホールド回路140を有する電力制御回路220にすることが可能である。その場合には、電力制御回路220は、実施の形態2〜4と同様に、GSM/EDGE方式及びW−CDMA方式の携帯電話端末に適用される。同携帯電話端末は、利得制御が電力増幅器40で行なわれるのでなく、利得可変増幅器30で行なわれるように構成される。そして、電力制御回路220の出力信号が利得可変増幅器30に入力される。
また、電力制御回路220を備える送受信回路の構成は、実施の形態5〜14の送受信回路のいずれとしても構わない。同送受信回路は、利得制御が電力増幅器40で行なわれるのでなく、利得可変増幅器30で行なわれるように構成される。
(実施の形態16)
図21に本発明の電力制御回路による実施の形態16を示す。図21は、本実施の形態の電力制御回路を具備した携帯電話端末の送信部を示す回路構成図である。本発明を適用する携帯電話端末は、実施の形態1と同様にGSM及びW−CDMAに対応しているが、利得制御が電力増幅器40及び利得可変増幅器30で行なわれるように構成される。
本実施の形態の電力制御回路の構成は基本的に上記実施の形態1と同様である。ただし、W−CDMA動作において、ベースバンド信号処理装置10の出力する電力制御信号が電力増幅器40及び利得可変増幅器30両方に供給される点が実施の形態1の場合と異なる。
本実施の形態の電力制御回路の動作及び効果は基本的に実施の形態1と同様である。ただし、W−CDMA動作において、電力増幅器40aは入力電力(利得可変増幅器30の出力電力)が段階的に制御され、利得制御電圧が電力制御信号(第3の電力制御信号)により連続的に制御されることにより、電力増幅器40aの出力電力が制御される点が実施の形態1の場合と異なる。なお、電力増幅器40aを制御する第3の電力制御信号と利得可変増幅器30を制御する第2の電力制御信号は同一であっても効果は同様である。
本実施の形態では、W−CDMA動作において電力増幅器40aの出力電力が利得制御電圧により制御されるため、低出力時における低消費電力化が実現できる効果がある。
以上、本発明の電力制御回路の構成、動作及び効果を16の実施の形態に分けて述べたが、上記16の実施の形態を任意に組み合わせても構わない。
また、本発明を主に携帯電話端末に適用させてその回路の構成、動作及び効果について述べたが、本発明は、携帯電話端末に限定されることはなく、車載機器、家電製品、その他無線通信を用いる機器、装置においてその効果を発揮する。
更にまた、以上の説明では携帯電話の方式としてGSM、EDGE及びW−CDMAを例に挙げて述べたが、これに限定されることはなく、PDC(Personal Digital Cellular)、cdma1x、TD−SCDMA(Time Division Synchronous Code Division Multiple Access)など任意の方式であっても構わない。
本発明の電力制御回路による実施の形態1を説明するための回路図。 本発明の電力制御回路による実施の形態2を説明するための回路図。 実施の形態2に用いられるサンプルホールド回路を説明するための回路図。 実施の形態2に用いられるサンプルホールド回路を説明するための別の回路図。 GSM及びEDGEの送信信号電力値の時間応答とタイムマスクの一例を示した図。 本発明の電力制御回路による実施の形態2を説明するための別の回路図。 本発明の電力制御回路のシミュレーションに用いた回路を示す図。 本発明の電力制御回路のシミュレーション結果を説明するための図。 本発明の電力制御回路による実施の形態3を説明するための回路図。 本発明の電力制御回路による実施の形態3を説明するための別の回路図。 本発明の電力制御回路による実施の形態4を説明するための別の回路図。 本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態5を説明するための回路ブロック図。 本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態6を説明するための回路ブロック図。 本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態7を説明するための回路ブロック図。 本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態8を説明するための回路ブロック図。 本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態9を説明するための回路ブロック図。 本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態10を説明するための回路ブロック図。 本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態11を説明するための回路ブロック図。 本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態12を説明するための回路ブロック図。 本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態12を説明するための別の回路ブロック図。 本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態13を説明するための回路ブロック図。 本発明の半導体装置及び送受信回路による実施の形態14を説明するための回路ブロック図。 本発明の電力制御回路による実施の形態15を説明するための回路ブロック図。 本発明の電力制御回路による実施の形態16を説明するための回路ブロック図。
符号の説明
10…ベースバンド信号処理装置、20…周波数変換回路、30…利得可変増幅器、40…電力増幅器、50…方向性結合器、60…検波器、70…A/D変換器、80…D/A変換器、90…比較器、100…加算器、110…ハイパスフィルタ、120…フロントエンド回路、140…サンプルホールド回路、150…ループフィルタ、220…電力制御回路、500…アイソレータ、510…デュプレクサ、520…送信フィルタ、530…アンテナスイッチ、540…W−CDMA用受信回路、550…GSM/EDGE用受信回路、560…電池、570…レプリカトランジスタ、580…電流検出器、600…第3のモジュール、610…第1のモジュール、620…半導体装置又は第2のモジュール、630…第4のモジュール、640…第5のモジュール、650…第6のモジュール。

Claims (29)

  1. 電力制御信号に応じて増幅器の出力電力が所望の電力値となるように上記増幅器の利得を制御する電力制御回路であって、
    上記増幅器の出力電力の電力値を検出して得る検出信号をディジタル信号に変換してから上記電力制御信号との差分を取り、上記差分をアナログ信号に変換して第1の帰還信号を出力するディジタル帰還回路と、
    アナログ信号に変換された上記電力制御信号と上記検出信号との差分の高周波成分を第2の帰還信号として出力するアナログ帰還回路と、
    上記第1の帰還信号と上記第2の帰還信号との和を取って上記増幅器の利得を制御するための利得制御信号を出力する加算器と
    を具備して成り、
    上記ディジタル帰還回路は、
    上記検出信号をディジタル信号に変換して出力するアナログ/ディジタル変換器と、
    上記アナログ/ディジタル変換器のディジタル出力信号と上記電力制御信号との差分を出力する第1の比較器と、
    上記第1の比較器のディジタル出力信号をアナログ信号に変換して上記第1の帰還信号を出力する第1のディジタル/アナログ変換器と
    を具備し、
    上記アナログ帰還回路は、
    上記電力制御信号をアナログ信号に変換して出力する第2のディジタル/アナログ変換器と、
    上記検出信号と上記第2のディジタル/アナログ変換器が出力するアナログ信号に変換された上記電力制御信号との差分を取る第2の比較器と、
    上記第2の比較器の出力信号の高周波成分を取り出して上記第2の帰還信号を出力するハイパスフィルタと
    を具備する
    ことを特徴とする電力制御回路。
  2. 請求項2において、
    上記検出信号を記憶して保持する第1のサンプルホールド回路と、
    上記電力制御信号を記憶して保持する第2のサンプルホールド回路と、
    上記第1のディジタル/アナログ変換器と上記第1の比較器との間に配置され、上記第1の比較器の上記ディジタル出力信号を記憶して保持する第3のサンプルホールド回路とを更に具備し、
    上記検出信号は、上記第1のサンプルホールド回路を経て上記アナログ/ディジタル変換器と上記第2の比較器とに入力され、上記電力制御信号は、上記第2のサンプルホールド回路を経て上記第2のディジタル/アナログ変換器に入力される
    ことを特徴とする電力制御回路。
  3. 請求項1において、
    上記第1のディジタル/アナログ変換器と上記第1の比較器との間に配置され、上記第1の比較器の上記ディジタル出力信号を記憶して保持するサンプルホールド回路を更に具備し、
    上記サンプルホールド回路が動作中に上記第2の比較器が動作を停止する
    ことを特徴とする電力制御回路。
  4. 受信された第1の信号を増幅する受信回路と、
    上記受信回路が出力する増幅後の上記第1の信号に対して周波数変換を行なって第2の信号を出力する第1の周波数変換回路と、
    送信する第3の信号を入力して周波数変換を行なって第4の信号を出力する第2の周波数変換回路と、
    上記周波数変換回路が出力する上記第4の信号を増幅する第1の増幅器であって、第2の電力制御信号によって利得が制御される第1の増幅器と、
    上記第4の信号を増幅する外部の第2の増幅器の出力電力が所望の電力値となるように電力制御信号によって上記出力電力を制御する電力制御回路と
    を含む回路ブロックを具備し、
    上記電力制御回路は、
    上記外部の第2の増幅器の出力電力の電力値を検出して得る検出信号をディジタル信号に変換してから上記第1の電力制御信号との差分を取り、上記差分をアナログ信号に変換して第1の帰還信号を出力するディジタル帰還回路と、
    アナログ信号に変換された上記電力制御信号と上記検出信号との差分の高周波成分を第2の帰還信号として出力するアナログ帰還回路と、
    上記第1の帰還信号と上記第2の帰還信号との和を取って上記出力電力を制御するための利得制御信号を出力する加算器と
    を具備し、
    上記回路ブロックが同一半導体基板上に形成され、
    上記ディジタル帰還回路は、
    上記検出信号をディジタル信号に変換して出力するアナログ/ディジタル変換器と、
    上記アナログ/ディジタル変換器のディジタル出力信号と上記電力制御信号との差分を出力する第1の比較器と、
    上記第1の比較器のディジタル出力信号をアナログ信号に変換して上記第1の帰還信号を出力する第1のディジタル/アナログ変換器と
    を具備し、
    上記アナログ帰還回路は、
    上記電力制御信号をアナログ信号に変換して出力する第2のディジタル/アナログ変換器と、
    上記検出信号と上記第2のディジタル/アナログ変換器が出力するアナログ信号に変換された上記電力制御信号との差分を取る第2の比較器と、
    上記第2の比較器の出力信号の高周波成分を取り出して上記第2の帰還信号を出力するハイパスフィルタと
    を具備する
    ことを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項4において、
    上記検出信号を記憶して保持する第1のサンプルホールド回路と、
    上記第1の電力制御信号を記憶して保持する第2のサンプルホールド回路と、
    上記第1のディジタル/アナログ変換器と上記第1の比較器との間に配置され、上記第1の比較器の上記ディジタル出力信号を記憶して保持する第3のサンプルホールド回路とを更に具備し、
    上記検出信号は、上記第1のサンプルホールド回路を経て上記アナログ/ディジタル変換器と上記第2の比較器とに入力され、上記第1の電力制御信号は、上記第2のサンプルホールド回路を経て上記第2のディジタル/アナログ変換器に入力される
    ことを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項4において、
    上記第1のディジタル/アナログ変換器と上記第1の比較器との間に配置され、上記第1の比較器の上記ディジタル出力信号を記憶して保持するサンプルホールド回路を更に具備し、
    上記サンプルホールド回路が動作中に上記第2の比較器が動作を停止する
    ことを特徴とする半導体装置。
  7. 受信された第1の信号を増幅する受信回路と、
    上記受信回路が出力する増幅後の上記第1の信号に対して周波数変換を行なって第2の信号を出力する第1の周波数変換回路と、
    送信する第3の信号を入力して周波数変換を行なって第4の信号を出力する第2の周波数変換回路と、
    上記周波数変換回路が出力する上記第4の信号を増幅する第1の増幅器であって、第2の電力制御信号によって利得が制御される第1の増幅器と、
    上記第4の信号を増幅する外部の第2の増幅器の出力電力が所望の電力値となるように電力制御信号によって上記出力電力を制御する電力制御回路と
    を含む回路ブロックを具備し、
    上記電力制御回路は、
    上記外部の第2の増幅器の出力電力の電力値を検出して得る検出信号をディジタル信号に変換してから上記第1の電力制御信号との差分を取り、上記差分をアナログ信号に変換して第1の帰還信号を出力するディジタル帰還回路と、
    アナログ信号に変換された上記電力制御信号と上記検出信号との差分の高周波成分を第2の帰還信号として出力するアナログ帰還回路と、
    上記第1の帰還信号と上記第2の帰還信号との和を取って上記出力電力を制御するための利得制御信号を出力する加算器と
    を具備し、
    上記回路ブロックが同一半導体基板上に形成され、
    上記利得制御信号によって上記外部の第2の増幅器の利得が制御されることにより、上記出力電力が制御される
    ことを特徴とする半導体装置。
  8. 受信された第1の信号を増幅する受信回路と、
    上記受信回路が出力する増幅後の上記第1の信号に対して周波数変換を行なって第2の信号を出力する第1の周波数変換回路と、
    送信する第3の信号を入力して周波数変換を行なって第4の信号を出力する第2の周波数変換回路と、
    上記周波数変換回路が出力する上記第4の信号を増幅する第1の増幅器であって、第2の電力制御信号によって利得が制御される第1の増幅器と、
    上記第4の信号を増幅する外部の第2の増幅器の出力電力が所望の電力値となるように電力制御信号によって上記出力電力を制御する電力制御回路と
    を含む回路ブロックを具備し、
    上記電力制御回路は、
    上記外部の第2の増幅器の出力電力の電力値を検出して得る検出信号をディジタル信号に変換してから上記第1の電力制御信号との差分を取り、上記差分をアナログ信号に変換して第1の帰還信号を出力するディジタル帰還回路と、
    アナログ信号に変換された上記電力制御信号と上記検出信号との差分の高周波成分を第2の帰還信号として出力するアナログ帰還回路と、
    上記第1の帰還信号と上記第2の帰還信号との和を取って上記出力電力を制御するための利得制御信号を出力する加算器と
    を具備し、
    上記回路ブロックが同一半導体基板上に形成され、
    上記第1の増幅器は、上記利得制御信号によっても利得が制御され、上記利得制御信号によって上記第1の増幅器の利得が制御されることにより、上記出力電力が制御される
    ことを特徴とする半導体装置。
  9. 受信された第1の信号を増幅する受信回路と、
    上記受信回路が出力する増幅後の上記第1の信号に対して周波数変換を行なって第2の信号を出力する第1の周波数変換回路と、
    送信する第3の信号を入力して周波数変換を行なって第4の信号を出力する第2の周波数変換回路と、
    上記周波数変換回路が出力する上記第4の信号を増幅する第1の増幅器であって、第2の電力制御信号によって利得が制御される第1の増幅器と、
    上記第4の信号を増幅する外部の第2の増幅器の出力電力が所望の電力値となるように電力制御信号によって上記出力電力を制御する電力制御回路と
    を含む回路ブロックを具備し、
    上記電力制御回路は、
    上記外部の第2の増幅器の出力電力の電力値を検出して得る検出信号をディジタル信号に変換してから上記第1の電力制御信号との差分を取り、上記差分をアナログ信号に変換して第1の帰還信号を出力するディジタル帰還回路と、
    アナログ信号に変換された上記電力制御信号と上記検出信号との差分の高周波成分を第2の帰還信号として出力するアナログ帰還回路と、
    上記第1の帰還信号と上記第2の帰還信号との和を取って上記出力電力を制御するための利得制御信号を出力する加算器と
    を具備し、
    上記回路ブロックが同一半導体基板上に形成され、
    送信する上記第3の信号は、第1の通信方式と第2の通信方式とから選択された一方の通信方式の信号であり、上記第2の電力制御信号は、上記第1の通信方式に対して用いられ、上記第1の電力制御信号は、上記第2の通信方式に対して用いられる
    ことを特徴とする半導体装置。
  10. アンテナによって受信された第1の通信方式の第1aの信号を増幅する第1の受信回路と、
    上記アンテナによって受信された第2の通信方式の第1bの信号を増幅する第2の受信回路と、
    上記第1又は第2の受信回路が出力する増幅後の上記第1a又は第1bの信号に対して周波数変換を行なって第2の信号を出力する第1の周波数変換回路と、
    送信する上記第1の通信方式の第3aの信号又は上記第2の通信方式の第3bの信号を入力して周波数変換を行なって、第4の信号を出力する第2の周波数変換回路と、
    上記周波数変換回路が出力する上記第4の信号を増幅する第1の増幅器であって、第2の電力制御信号によって利得が制御される第1の増幅器と、
    上記第1の増幅器が出力する増幅後の上記第4の信号を電力増幅する第2の増幅器と、
    上記第2の増幅器の出力信号の電力値を検出して検出信号を出力する検出器と、
    上記第2の増幅器の出力電力が所望の電力値となるように第1の電力制御信号によって上記出力電力を制御する電力制御回路と
    を含む回路ブロックを具備して成り、
    上記電力制御回路は、
    上記検出器が出力する上記検出信号をディジタル信号に変換してから上記第1の電力制御信号との差分を取り、上記差分をアナログ信号に変換して第1の帰還信号を出力するディジタル帰還回路と、
    アナログ信号に変換された上記第1の電力制御信号と上記検出信号との差分の高周波成分を第2の帰還信号として出力するアナログ帰還回路と、
    上記第1の帰還信号と上記第2の帰還信号との和を取って上記出力電力を制御するための利得制御信号を出力する加算器と
    を具備し、
    上記ディジタル帰還回路は、
    上記検出信号をディジタル信号に変換して出力するアナログ/ディジタル変換器と、
    上記アナログ/ディジタル変換器のディジタル出力信号と上記第1の電力制御信号との差分を出力する第1の比較器と、
    上記第1の比較器のディジタル出力信号をアナログ信号に変換して上記第1の帰還信号を出力する第1のディジタル/アナログ変換器と
    を具備し、
    上記アナログ帰還回路は、
    上記第1の電力制御信号をアナログ信号に変換して出力する第2のディジタル/アナログ変換器と、
    上記検出信号と上記第2のディジタル/アナログ変換器が出力するアナログ信号に変換された上記第1の電力制御信号との差分を取る第2の比較器と、
    上記第2の比較器の出力信号の高周波成分を取り出して上記第2の帰還信号を出力するハイパスフィルタと
    を具備する
    ことを特徴とする送受信回路。
  11. 請求項10において、
    上記検出信号を記憶して保持する第1のサンプルホールド回路と、
    上記第1の電力制御信号を記憶して保持する第2のサンプルホールド回路と、
    上記第1のディジタル/アナログ変換器と上記第1の比較器との間に配置され、上記第1の比較器の上記ディジタル出力信号を記憶して保持する第3のサンプルホールド回路とを更に具備し、
    上記検出信号は、上記第1のサンプルホールド回路を経て上記アナログ/ディジタル変換器と上記第2の比較器とに入力され、上記第1の電力制御信号は、上記第2のサンプルホールド回路を経て上記第2のディジタル/アナログ変換器に入力される
    ことを特徴とする送受信回路。
  12. アンテナによって受信された第1の通信方式の第1aの信号を増幅する第1の受信回路と、
    上記アンテナによって受信された第2の通信方式の第1bの信号を増幅する第2の受信回路と、
    上記第1又は第2の受信回路が出力する増幅後の上記第1a又は第1bの信号に対して周波数変換を行なって第2の信号を出力する第1の周波数変換回路と、
    送信する上記第1の通信方式の第3aの信号又は上記第2の通信方式の第3bの信号を入力して周波数変換を行なって、第4の信号を出力する第2の周波数変換回路と、
    上記周波数変換回路が出力する上記第4の信号を増幅する第1の増幅器であって、第2の電力制御信号によって利得が制御される第1の増幅器と、
    上記第1の増幅器が出力する増幅後の上記第4の信号を電力増幅する第2の増幅器と、
    上記第2の増幅器の出力信号の電力値を検出して検出信号を出力する検出器と、
    上記第2の増幅器の出力電力が所望の電力値となるように第1の電力制御信号によって上記出力電力を制御する電力制御回路と
    を含む回路ブロックを具備して成り、
    上記電力制御回路は、
    上記検出器が出力する上記検出信号をディジタル信号に変換してから上記第1の電力制御信号との差分を取り、上記差分をアナログ信号に変換して第1の帰還信号を出力するディジタル帰還回路と、
    アナログ信号に変換された上記第1の電力制御信号と上記検出信号との差分の高周波成分を第2の帰還信号として出力するアナログ帰還回路と、
    上記第1の帰還信号と上記第2の帰還信号との和を取って上記出力電力を制御するための利得制御信号を出力する加算器と
    を具備し、
    上記第2の電力制御信号は、上記第1の通信方式に対して用いられ、上記第1の電力制御信号は、上記第2の通信方式に対して用いられ、
    上記利得制御信号によって上記第2の増幅器の利得が制御されることにより、上記出力電力が制御される
    ことを特徴とする送受信回路。
  13. アンテナによって受信された第1の通信方式の第1aの信号を増幅する第1の受信回路と、
    上記アンテナによって受信された第2の通信方式の第1bの信号を増幅する第2の受信回路と、
    上記第1又は第2の受信回路が出力する増幅後の上記第1a又は第1bの信号に対して周波数変換を行なって第2の信号を出力する第1の周波数変換回路と、
    送信する上記第1の通信方式の第3aの信号又は上記第2の通信方式の第3bの信号を入力して周波数変換を行なって、第4の信号を出力する第2の周波数変換回路と、
    上記周波数変換回路が出力する上記第4の信号を増幅する第1の増幅器であって、第2の電力制御信号によって利得が制御される第1の増幅器と、
    上記第1の増幅器が出力する増幅後の上記第4の信号を電力増幅する第2の増幅器と、
    上記第2の増幅器の出力信号の電力値を検出して検出信号を出力する検出器と、
    上記第2の増幅器の出力電力が所望の電力値となるように第1の電力制御信号によって上記出力電力を制御する電力制御回路と
    を含む回路ブロックを具備して成り、
    上記電力制御回路は、
    上記検出器が出力する上記検出信号をディジタル信号に変換してから上記第1の電力制御信号との差分を取り、上記差分をアナログ信号に変換して第1の帰還信号を出力するディジタル帰還回路と、
    アナログ信号に変換された上記第1の電力制御信号と上記検出信号との差分の高周波成分を第2の帰還信号として出力するアナログ帰還回路と、
    上記第1の帰還信号と上記第2の帰還信号との和を取って上記出力電力を制御するための利得制御信号を出力する加算器と
    を具備し、
    上記第2の電力制御信号は、上記第1の通信方式に対して用いられ、上記第1の電力制御信号は、上記第2の通信方式に対して用いられ、
    上記第1の増幅器は、上記利得制御信号によっても利得が制御され、上記利得制御信号によって上記第1の増幅器の利得が制御されることにより、上記出力電力が制御されることを特徴とする送受信回路。
  14. アンテナによって受信された第1の通信方式の第1aの信号を増幅する第1の受信回路と、
    上記アンテナによって受信された第2の通信方式の第1bの信号を増幅する第2の受信回路と、
    上記第1又は第2の受信回路が出力する増幅後の上記第1a又は第1bの信号に対して周波数変換を行なって第2の信号を出力する第1の周波数変換回路と、
    送信する上記第1の通信方式の第3aの信号又は上記第2の通信方式の第3bの信号を入力して周波数変換を行なって、第4の信号を出力する第2の周波数変換回路と、
    上記周波数変換回路が出力する上記第4の信号を増幅する第1の増幅器であって、第2の電力制御信号によって利得が制御される第1の増幅器と、
    上記第1の増幅器が出力する増幅後の上記第4の信号を電力増幅する第2の増幅器と、
    上記第2の増幅器の出力信号の電力値を検出して検出信号を出力する検出器と、
    上記第2の増幅器の出力電力が所望の電力値となるように第1の電力制御信号によって上記出力電力を制御する電力制御回路と
    を含む回路ブロックを具備して成り、
    上記電力制御回路は、
    上記検出器が出力する上記検出信号をディジタル信号に変換してから上記第1の電力制御信号との差分を取り、上記差分をアナログ信号に変換して第1の帰還信号を出力するディジタル帰還回路と、
    アナログ信号に変換された上記第1の電力制御信号と上記検出信号との差分の高周波成分を第2の帰還信号として出力するアナログ帰還回路と、
    上記第1の帰還信号と上記第2の帰還信号との和を取って上記出力電力を制御するための利得制御信号を出力する加算器と
    を具備し、
    上記第2の電力制御信号は、上記第1の通信方式に対して用いられ、上記第1の電力制御信号は、上記第2の通信方式に対して用いられ、
    上記第1の通信方式がW−CDMA(Wide-band Code Division Multiple Access)であり、上記第2の通信方式がGSM(Global System for Mobile Communication)又はEDGE(Enhanced Data rates for GSM Evolution)の少なくともいずれかである
    ことを特徴とする送受信回路。
  15. 電力制御信号に応じて増幅器の出力電力が所望の電力値となるように上記増幅器の利得を制御する電力制御回路であって、
    上記増幅器の出力電力の電力値を検出して得る検出信号をディジタル信号に変換してから上記電力制御信号との差分を取り、上記差分をアナログ信号に変換して第1の帰還信号を出力するディジタル帰還回路と、
    アナログ信号に変換された上記電力制御信号と上記検出信号との差分の高周波成分を第2の帰還信号として出力するアナログ帰還回路と、
    上記第1の帰還信号と上記第2の帰還信号との和を取って上記増幅器の利得を制御するための利得制御信号を出力する加算器と
    を具備して成り、
    上記ディジタル帰還回路が上記増幅器の電力値を一定に保つ機能を有し、
    上記ディジタル帰還回路は、
    上記検出信号をディジタル信号に変換して出力するアナログ/ディジタル変換器と、
    上記アナログ/ディジタル変換器のディジタル出力信号と上記電力制御信号との差分を出力する第1の比較器と、
    上記第1の比較器のディジタル出力信号をアナログ信号に変換して上記第1の帰還信号を出力する第1のディジタル/アナログ変換器と
    を具備し、
    上記アナログ帰還回路は、
    上記電力制御信号をアナログ信号に変換して出力する第2のディジタル/アナログ変換器と、
    上記検出信号と上記第2のディジタル/アナログ変換器が出力するアナログ信号に変換された上記電力制御信号との差分を取る第2の比較器と、
    上記第2の比較器の出力信号の高周波成分を取り出して上記第2の帰還信号を出力するハイパスフィルタとを具備する
    ことを特徴とする電力制御回路。
  16. 請求項15において、
    上記検出信号を記憶して保持する第1のサンプルホールド回路
    上記電力制御信号を記憶して保持する第2のサンプルホールド回路と、
    上記第1のディジタル/アナログ変換器と上記第1の比較器との間に配置され、上記第1の比較器の上記ディジタル出力信号を記憶して保持する第3のサンプルホールド回路とを更に具備し、
    上記検出信号は、上記第1のサンプルホールド回路を経て上記アナログ/ディジタル変換器と上記第2の比較器とに入力され、上記電力制御信号は、上記第2のサンプルホールド回路を経て上記第2のディジタル/アナログ変換器に入力され
    ことを特徴とする電力制御回路。
  17. 請求項15において、
    上記第1のディジタル/アナログ変換器と上記第1の比較器との間に配置され、上記第1の比較器の上記ディジタル出力信号を記憶して保持するサンプルホールド回路を更に具備し、
    上記サンプルホールド回路が動作中に上記第2の比較器が動作を停止す
    ことを特徴とする電力制御回路。
  18. 受信された第1の信号を増幅する受信回路と、
    上記受信回路が出力する増幅後の上記第1の信号に対して周波数変換を行なって第2の信号を出力する第1の周波数変換回路と、
    送信する第3の信号を入力して周波数変換を行なって第4の信号を出力する第2の周波数変換回路と、
    上記周波数変換回路が出力する上記第4の信号を増幅する第1の増幅器であって、第2の電力制御信号によって利得が制御される第1の増幅器と、
    上記第4の信号を増幅する外部の第2の増幅器の出力電力が所望の電力値となるように電力制御信号によって上記出力電力を制御する電力制御回路と
    を含む回路ブロックを具備し、
    上記電力制御回路は、
    上記外部の第2の増幅器の出力電力の電力値を検出して得る検出信号をディジタル信号に変換してから上記第1の電力制御信号との差分を取り、上記差分をアナログ信号に変換して第1の帰還信号を出力するディジタル帰還回路と、
    アナログ信号に変換された上記電力制御信号と上記検出信号との差分の高周波成分を第2の帰還信号として出力するアナログ帰還回路と、
    上記第1の帰還信号と上記第2の帰還信号との和を取って上記出力電力を制御するための利得制御信号を出力する加算器と
    を具備し、
    上記回路ブロックが同一半導体基板上に形成され、
    上記ディジタル帰還回路が上記増幅器の電力値を一定に保つ機能を有し、
    上記ディジタル帰還回路は、
    上記検出信号をディジタル信号に変換して出力するアナログ/ディジタル変換器と、
    上記アナログ/ディジタル変換器のディジタル出力信号と上記電力制御信号との差分を出力する第1の比較器と、
    上記第1の比較器のディジタル出力信号をアナログ信号に変換して上記第1の帰還信号を出力する第1のディジタル/アナログ変換器と
    を具備し、
    上記アナログ帰還回路は、
    上記電力制御信号をアナログ信号に変換して出力する第2のディジタル/アナログ変換器と、
    上記検出信号と上記第2のディジタル/アナログ変換器が出力するアナログ信号に変換された上記電力制御信号との差分を取る第2の比較器と、
    上記第2の比較器の出力信号の高周波成分を取り出して上記第2の帰還信号を出力するハイパスフィルタとを具備する
    ことを特徴とする半導体装置
  19. 請求項18において、
    上記検出信号を記憶して保持する第1のサンプルホールド回路と、
    上記第1の電力制御信号を記憶して保持する第2のサンプルホールド回路と、
    上記第1のディジタル/アナログ変換器と上記第1の比較器との間に配置され、上記第1の比較器の上記ディジタル出力信号を記憶して保持する第3のサンプルホールド回路とを更に具備し、
    上記検出信号は、上記第1のサンプルホールド回路を経て上記アナログ/ディジタル変換器と上記第2の比較器とに入力され、上記第1の電力制御信号は、上記第2のサンプルホールド回路を経て上記第2のディジタル/アナログ変換器に入力され
    ことを特徴とする半導体装置。
  20. 請求項18において、
    上記第1のディジタル/アナログ変換器と上記第1の比較器との間に配置され、上記第1の比較器の上記ディジタル出力信号を記憶して保持するサンプルホールド回路を更に具備し、
    上記サンプルホールド回路が動作中に上記第2の比較器が動作を停止する
    ことを特徴とする半導体装置。
  21. 請求項18において、
    上記利得制御信号によって上記外部の第2の増幅器の利得が制御されることにより、上記出力電力が制御される
    ことを特徴とする半導体装置。
  22. 請求項18において、
    上記第1の増幅器は、上記利得制御信号によっても利得が制御され、上記利得制御信号によって上記第1の増幅器の利得が制御されることにより、上記出力電力が制御され
    ことを特徴とする半導体装置。
  23. 請求項18において、
    送信する上記第3の信号は、第1の通信方式と第2の通信方式とから選択された一方の通信方式の信号であり、上記第2の電力制御信号は、上記第1の通信方式に対して用いられ、上記第1の電力制御信号は、上記第2の通信方式に対して用いられる
    ことを特徴とする半導体装置。
  24. アンテナによって受信された第1の通信方式の第1aの信号を増幅する第1の受信回路と、
    上記アンテナによって受信された第2の通信方式の第1bの信号を増幅する第2の受信回路と、
    上記第1又は第2の受信回路が出力する増幅後の上記第1a又は第1bの信号に対して周波数変換を行なって第2の信号を出力する第1の周波数変換回路と、
    送信する上記第1の通信方式の第3aの信号又は上記第2の通信方式の第3bの信号を入力して周波数変換を行なって、第4の信号を出力する第2の周波数変換回路と、
    上記周波数変換回路が出力する上記第4の信号を増幅する第1の増幅器であって、第2の電力制御信号によって利得が制御される第1の増幅器と、
    上記第1の増幅器が出力する増幅後の上記第4の信号を電力増幅する第2の増幅器と、
    上記第2の増幅器の出力信号の電力値を検出して検出信号を出力する検出器と、
    上記第2の増幅器の出力電力が所望の電力値となるように第1の電力制御信号によって上記出力電力を制御する電力制御回路と
    を含む回路ブロックを具備して成り、
    上記電力制御回路は、
    上記検出器が出力する上記検出信号をディジタル信号に変換してから上記第1の電力制御信号との差分を取り、上記差分をアナログ信号に変換して第1の帰還信号を出力するディジタル帰還回路と、
    アナログ信号に変換された上記第1の電力制御信号と上記検出信号との差分の高周波成分を第2の帰還信号として出力するアナログ帰還回路と、
    上記第1の帰還信号と上記第2の帰還信号との和を取って上記出力電力を制御するための利得制御信号を出力する加算器と
    を具備し、
    上記ディジタル帰還回路が上記増幅器の電力値を一定に保つ機能を有し、
    上記ディジタル帰還回路は、
    上記検出信号をディジタル信号に変換して出力するアナログ/ディジタル変換器と、
    上記アナログ/ディジタル変換器のディジタル出力信号と上記第1の電力制御信号との差分を出力する第1の比較器と、
    上記第1の比較器のディジタル出力信号をアナログ信号に変換して上記第1の帰還信号を出力する第1のディジタル/アナログ変換器と
    を具備し、
    上記アナログ帰還回路は、
    上記第1の電力制御信号をアナログ信号に変換して出力する第2のディジタル/アナログ変換器と、
    上記検出信号と上記第2のディジタル/アナログ変換器が出力するアナログ信号に変換された上記第1の電力制御信号との差分を取る第2の比較器と、
    上記第2の比較器の出力信号の高周波成分を取り出して上記第2の帰還信号を出力するハイパスフィルタと
    を具備す
    ことを特徴とする送受信回路
  25. 請求項24において、
    上記検出信号を記憶して保持する第1のサンプルホールド回路と、
    上記第1の電力制御信号を記憶して保持する第2のサンプルホールド回路と、
    上記第1のディジタル/アナログ変換器と上記第1の比較器との間に配置され、上記第1の比較器の上記ディジタル出力信号を記憶して保持する第3のサンプルホールド回路とを更に具備し、
    上記検出信号は、上記第1のサンプルホールド回路を経て上記アナログ/ディジタル変換器と上記第2の比較器とに入力され、上記第1の電力制御信号は、上記第2のサンプルホールド回路を経て上記第2のディジタル/アナログ変換器に入力される
    ことを特徴とする送受信回路
  26. 請求項24において、
    上記第2の電力制御信号は、上記第1の通信方式に対して用いられ、上記第1の電力制御信号は、上記第2の通信方式に対して用いられ
    ことを特徴とする送受信回路。
  27. 請求項26において、
    上記利得制御信号によって上記第2の増幅器の利得が制御されることにより、上記出力電力が制御され
    ことを特徴とする送受信回路。
  28. 請求項26において、
    上記第1の増幅器は、上記利得制御信号によっても利得が制御され、上記利得制御信号によって上記第1の増幅器の利得が制御されることにより、上記出力電力が制御される
    ことを特徴とする送受信回路。
  29. 請求項26において、
    上記第1の通信方式がW−CDMA(Wide-band Code Division Multiple Access)であり、上記第2の通信方式がGSM(Global System for Mobile Communication)又はEDGE(Enhanced Data rates for GSM Evolution)の少なくともいずれかであ
    ことを特徴とする送受信回路。
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Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1604456B1 (en) * 2003-03-12 2011-06-15 MediaTek Inc. Closed loop power control of non-constant envelope waveforms using sample/hold
US7729671B2 (en) * 2006-12-06 2010-06-01 Broadcom Corporation Method and system for enhancing efficiency by modulating power amplifier gain
US8442456B2 (en) * 2007-08-09 2013-05-14 Freescale Semiconductor, Inc. Wireless communication unit, integrated circuit and method of power control therein
US20090081973A1 (en) * 2007-09-26 2009-03-26 Analog Devices, Inc. Multi-slot power control for wireless transmission
US20090137217A1 (en) * 2007-11-27 2009-05-28 Huang Chung-Er Communication transmission system and power detection method thereof
KR101450570B1 (ko) * 2007-12-28 2014-10-14 삼성전자주식회사 Gsm 단말기의 노이즈 제거 방법 및 장치
US8280324B2 (en) * 2008-04-17 2012-10-02 Broadcom Corporation Method and system for closed loop power control in wireless systems
TWI396394B (zh) 2008-06-13 2013-05-11 Asustek Comp Inc 多頻段行動通訊裝置
JP5169595B2 (ja) * 2008-08-01 2013-03-27 富士通株式会社 送信電力制御装置、送信電力制御方法、送信電力制御プログラムおよび送信電力制御回路
US8854019B1 (en) 2008-09-25 2014-10-07 Rf Micro Devices, Inc. Hybrid DC/DC power converter with charge-pump and buck converter
US9166471B1 (en) 2009-03-13 2015-10-20 Rf Micro Devices, Inc. 3D frequency dithering for DC-to-DC converters used in multi-mode cellular transmitters
US8315576B2 (en) * 2009-05-05 2012-11-20 Rf Micro Devices, Inc. Capacitive compensation of cascaded directional couplers
US8219145B2 (en) * 2009-09-03 2012-07-10 Micro Mobio Corporation Universal radio card for wireless devices
US8548398B2 (en) 2010-02-01 2013-10-01 Rf Micro Devices, Inc. Envelope power supply calibration of a multi-mode radio frequency power amplifier
EP2369861B1 (en) * 2010-03-25 2016-07-27 Nxp B.V. Multi-channel audio signal processing
US8538355B2 (en) 2010-04-19 2013-09-17 Rf Micro Devices, Inc. Quadrature power amplifier architecture
US9214900B2 (en) 2010-04-20 2015-12-15 Rf Micro Devices, Inc. Interference reduction between RF communications bands
US9048787B2 (en) 2010-04-20 2015-06-02 Rf Micro Devices, Inc. Combined RF detector and RF attenuator with concurrent outputs
US8947157B2 (en) 2010-04-20 2015-02-03 Rf Micro Devices, Inc. Voltage multiplier charge pump buck
US9214865B2 (en) 2010-04-20 2015-12-15 Rf Micro Devices, Inc. Voltage compatible charge pump buck and buck power supplies
US8913967B2 (en) 2010-04-20 2014-12-16 Rf Micro Devices, Inc. Feedback based buck timing of a direct current (DC)-DC converter
US8913971B2 (en) 2010-04-20 2014-12-16 Rf Micro Devices, Inc. Selecting PA bias levels of RF PA circuitry during a multislot burst
US8942650B2 (en) 2010-04-20 2015-01-27 Rf Micro Devices, Inc. RF PA linearity requirements based converter operating mode selection
US8942651B2 (en) 2010-04-20 2015-01-27 Rf Micro Devices, Inc. Cascaded converged power amplifier
US8731498B2 (en) 2010-04-20 2014-05-20 Rf Micro Devices, Inc. Temperature correcting an envelope power supply signal for RF PA circuitry
US8699973B2 (en) 2010-04-20 2014-04-15 Rf Micro Devices, Inc. PA bias power supply efficiency optimization
US8892063B2 (en) 2010-04-20 2014-11-18 Rf Micro Devices, Inc. Linear mode and non-linear mode quadrature PA circuitry
US8983410B2 (en) 2010-04-20 2015-03-17 Rf Micro Devices, Inc. Configurable 2-wire/3-wire serial communications interface
US8983407B2 (en) 2010-04-20 2015-03-17 Rf Micro Devices, Inc. Selectable PA bias temperature compensation circuitry
US8811920B2 (en) 2010-04-20 2014-08-19 Rf Micro Devices, Inc. DC-DC converter semiconductor die structure
US9362825B2 (en) 2010-04-20 2016-06-07 Rf Micro Devices, Inc. Look-up table based configuration of a DC-DC converter
US8958763B2 (en) 2010-04-20 2015-02-17 Rf Micro Devices, Inc. PA bias power supply undershoot compensation
US9577590B2 (en) 2010-04-20 2017-02-21 Qorvo Us, Inc. Dual inductive element charge pump buck and buck power supplies
US8712349B2 (en) 2010-04-20 2014-04-29 Rf Micro Devices, Inc. Selecting a converter operating mode of a PA envelope power supply
US9077405B2 (en) 2010-04-20 2015-07-07 Rf Micro Devices, Inc. High efficiency path based power amplifier circuitry
US8842399B2 (en) 2010-04-20 2014-09-23 Rf Micro Devices, Inc. ESD protection of an RF PA semiconductor die using a PA controller semiconductor die
US9008597B2 (en) 2010-04-20 2015-04-14 Rf Micro Devices, Inc. Direct current (DC)-DC converter having a multi-stage output filter
US8989685B2 (en) 2010-04-20 2015-03-24 Rf Micro Devices, Inc. Look-up table based configuration of multi-mode multi-band radio frequency power amplifier circuitry
US8831544B2 (en) 2010-04-20 2014-09-09 Rf Micro Devices, Inc. Dynamic device switching (DDS) of an in-phase RF PA stage and a quadrature-phase RF PA stage
US8811921B2 (en) 2010-04-20 2014-08-19 Rf Micro Devices, Inc. Independent PA biasing of a driver stage and a final stage
US8706063B2 (en) 2010-04-20 2014-04-22 Rf Micro Devices, Inc. PA envelope power supply undershoot compensation
US9900204B2 (en) 2010-04-20 2018-02-20 Qorvo Us, Inc. Multiple functional equivalence digital communications interface
US9553550B2 (en) 2010-04-20 2017-01-24 Qorvo Us, Inc. Multiband RF switch ground isolation
US9030256B2 (en) 2010-04-20 2015-05-12 Rf Micro Devices, Inc. Overlay class F choke
US9184701B2 (en) 2010-04-20 2015-11-10 Rf Micro Devices, Inc. Snubber for a direct current (DC)-DC converter
US8903333B1 (en) 2010-06-16 2014-12-02 Rf Micro Devices, Inc. Adaptive antenna tuner for a transceiver
US8615209B1 (en) * 2010-09-01 2013-12-24 Rf Micro Devices, Inc. Power control system for transmission chain in a transceiver
WO2012070627A1 (ja) * 2010-11-26 2012-05-31 日本電気株式会社 送信電力制御回路及び送信装置、送信電力制御方法、プログラム
US20130016633A1 (en) * 2011-07-14 2013-01-17 Lum Nicholas W Wireless Circuitry for Simultaneously Receiving Radio-frequency Transmissions in Different Frequency Bands
US9065505B2 (en) 2012-01-31 2015-06-23 Rf Micro Devices, Inc. Optimal switching frequency for envelope tracking power supply
US9634625B2 (en) * 2013-05-28 2017-04-25 Mediatek Inc. Radio frequency transmitter with extended power range and related radio frequency transmission method
US9838069B2 (en) * 2013-10-30 2017-12-05 Netgear, Inc. Radio frequency front end module with high band selectivity
US9667312B2 (en) * 2015-01-13 2017-05-30 Hughes Network Systems, Llc Radio based automatic level control for linear radio calibration
US10419066B1 (en) * 2017-10-05 2019-09-17 Harmonic, Inc. Remote radio frequency (RF) AGC loop

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56165412A (en) * 1980-05-23 1981-12-19 Nec Corp Voice amplitude limiting amplifier
JP2703667B2 (ja) * 1991-01-10 1998-01-26 三菱電機株式会社 電力増幅装置
JP2800500B2 (ja) * 1991-10-01 1998-09-21 松下電器産業株式会社 バースト送信出力制御回路
US5132634A (en) * 1991-03-25 1992-07-21 Motorola, Inc. Amplifier circuit with envelope smoothing
US5323329A (en) * 1991-12-23 1994-06-21 Eni, Div. Of Astec America, Inc. Digitally assisted power levelling circuit for rf power generator
JP3332408B2 (ja) 1992-04-09 2002-10-07 株式会社日立国際電気 自動電力制御回路
JPH07135435A (ja) * 1993-11-09 1995-05-23 Mitsubishi Electric Corp 携帯型電話機
JP3223750B2 (ja) * 1995-03-31 2001-10-29 株式会社日立製作所 出力制御電力増幅器、無線通信端末及び無線通信基地局
JPH08274559A (ja) * 1995-04-03 1996-10-18 Oki Electric Ind Co Ltd 出力電力制御装置
JPH1022756A (ja) * 1996-07-04 1998-01-23 Mitsubishi Electric Corp 無線送信機およびその送信制御方法
JPH1056345A (ja) * 1996-08-12 1998-02-24 Kokusai Electric Co Ltd 自動利得制御回路
US5977831A (en) * 1998-04-03 1999-11-02 Cbs Corporation Hybrid system for control and monitoring of an amplifier
US6519293B1 (en) * 1998-06-03 2003-02-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Radio transmitter and radio communication method
JP3618055B2 (ja) * 1999-02-05 2005-02-09 富士通株式会社 携帯移動端末および送信装置
GB2389253B (en) 2002-05-31 2005-09-21 Hitachi Ltd Transmitter and semiconductor integrated circuit for communication
JP2004208136A (ja) * 2002-12-26 2004-07-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd マルチモード通信端末装置

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Publication number Publication date
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