JP4756840B2 - CAN PACKAGE OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND OPTICAL MODULE - Google Patents
CAN PACKAGE OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND OPTICAL MODULE Download PDFInfo
- Publication number
- JP4756840B2 JP4756840B2 JP2004264940A JP2004264940A JP4756840B2 JP 4756840 B2 JP4756840 B2 JP 4756840B2 JP 2004264940 A JP2004264940 A JP 2004264940A JP 2004264940 A JP2004264940 A JP 2004264940A JP 4756840 B2 JP4756840 B2 JP 4756840B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- stem
- lead pin
- optical module
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 93
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 50
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 50
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 14
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 13
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- PXXKQOPKNFECSZ-UHFFFAOYSA-N platinum rhodium Chemical compound [Rh].[Pt] PXXKQOPKNFECSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
本発明は、キャンパッケージ型の光半導体装置を用いた光モジュールに関する。 The present invention relates to an optical module using a can package type optical semiconductor device.
従来、気密封止を必要とする光半導体素子を有するキャンパッケージ型光半導体装置は、ステムと、ステムを貫通する貫通ピンと、ステム上に載置された光半導体素子と、光半導体素子をステムとともに気密封止するキャップとを有する。貫通ピンは、貫通ピンより大きい孔径を有するステムの貫通孔を通過し、貫通孔と貫通ピンとの間に溶融したガラスを充填して固化することにより、ステムと絶縁されるとともにステムに固定される(例えば、特許文献1参照。)。
しかしながら、図9に示すように、ステム10と貫通リードピン12との間のガラス14は、ステム10の表面16、18(底面16)から一部が突出したガラスの隅肉(ガラスフィレット)20を形成している。そのため、ステム10の表面16、18は平面でなくなり、例えば、ステム10の底面16と他の電子部品(基板)との密着性が低下する。特に、ステム10が導電性を有し、ステム10の底面16と、グラウンド面(例えば、フレキシブル回路基板が有するグラウンド電位が印加された導電層面(グラウンドプレーン))とを接着する際、ステム10の底面16から突出したガラスフィレット20の分だけ、ステム底面16とグラウンドプレーンが離れることになる。この結果、光半導体装置とフレキシブル回路基板とから構成される光モジュールの高周波特性の劣化が生じる。
However, as shown in FIG. 9, the
そこで、本発明は、光半導体装置のステム底面と接着されるフレキシブル回路基板の面との密着性を向上させることにより、高周波特性に優れた光モジュールを提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide an optical module having excellent high frequency characteristics by improving the adhesion between the bottom surface of the stem of the optical semiconductor device and the surface of the flexible circuit board to be bonded.
本発明のキャンパッケージ型の光半導体装置を用いた光モジュールは、貫通リードピンと、上記貫通リードピンが貫通するステム貫通孔を有するステムと、上記貫通リードピンを上記ステム貫通孔内に固定するガラスとを有するキャンパッケージ型光半導体装置と、上記ステムの底面が接着されるフレキシブル回路基板とを含む光モジュールであって、
上記ステム貫通孔が、
第1の孔部と、
上記第1の孔部と同一の中心軸を有し上記ステムの底面に上記貫通リードピンのみを囲むような開口端を有する第2の孔部とを有し、
ビーズ形状のガラスが上記貫通リードピンと上記第1の孔部との間に配置されて加熱溶融されることにより、上記第1の孔部に充填され、上記第1の孔部からはみ出して形成された上記ガラスのフィレットが、上記第2の孔部の上記開口端より内方の、上記第2の孔部内に配置されていることを特徴とする。
Can-package type optical module using an optical semiconductor device of the present invention, a through lead pin, a stem having a stem through hole which the penetrating lead pin penetrating, glass for fixing the upper SL through the lead pins to the stem through hole An optical module including a can package type optical semiconductor device having a flexible circuit board to which the bottom of the stem is bonded ,
The stem through hole is
A first hole;
A second hole having the same central axis as the first hole and having an open end on the bottom surface of the stem so as to surround only the through lead pin ;
The bead-shaped glass is disposed between the through-lead pin and the first hole, and is heated and melted to fill the first hole and protrude from the first hole. Further, the glass fillet is disposed in the second hole portion inward of the opening end of the second hole portion.
本発明によれば、光半導体装置のステム底面と接着されるフレキシブル回路基板の面との密着性が向上するため、光半導体装置とフレキシブル回路基板とから構成される高周波特性に優れた光半導体モジュールの提供が可能になる。 According to the present invention, since the adhesion between the bottom surface of the stem of the optical semiconductor device and the surface of the flexible circuit board to be bonded is improved, the optical semiconductor module having excellent high-frequency characteristics composed of the optical semiconductor device and the flexible circuit board. Can be provided.
実施の形態1.
図1は、本実施の形態の光モジュールを概略的に示す断面図である。光モジュール110は、キャンパッケージ型光半導体装置112、フレキシブル回路基板114、プリント回路基板115から構成されている。なお、一般的に、キャンパッケージ型光半導体装置も光モジュールと呼ばれることがあるが、本明細書では区別するために、光半導体装置を有する構造体を光モジュールと呼称している。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the optical module of the present embodiment. The
キャンパッケージ形光半導体装置112は、例えば、表面に金メッキされたステム116と、ステム116を貫通している貫通リードピン118と、ステム116に接合されるとともに電気的に接続されている接合リードピン120と、ステム116に取り付けられた光半導体素子122と、ステム116とともに光半導体素子122を気密封止するキャップ124とを有する。光半導体素子122を気密封止するとともに気密封止された光半導体素子122と外部(光半導体素子122が気密封止された空間の外部)との電気的接続を行う、ステム116、貫通リードピン118、接合リードピン120、キャップ124は、合わせてキャンパッケージと称される。
The can package type
また、キャンパッケージ型光半導体装置112は、レンズ126と、レンズ126を保持するレンズホルダ128と、他の光モジュール(例えば、フェルールやファイバ)と接続されるためのレセプタクル130とを有する。なお、本発明は、キャンパッケージ型半導体装置を、レンズ126、レンズホルダ128、レセプタクル130を有する光半導体装置に限定していない。例えば、レンズ、レンズホルダ、光ファイバ、ファイバホルダ(光ファイバを保持するホルダ)からなる、いわゆる、ピグテイル型と呼ばれるキャンパッケージ型光半導体装置も含まれる。また、レンズとキャップとが一体であるキャンパッケージ型光半導体装置も含まれる。本発明のキャンパッケージ型光半導体装置は、少なくとも、光半導体素子を気密封止するとともに気密封止された光半導体素子と外部との電気的接続を行う構成要素(本明細書においては、ステム116、貫通リードピン118、接合リードピン120、キャップ124)を有する光半導体装置を言う。
The can packaged
図2は、図1のステム116を中心に拡大した断面図である。ステム116は、貫通リードピン118が通過する、貫通リードピン118の径より大きい孔径を備えたステム貫通孔140を有する。ステム貫通孔140は、略同一の中心軸を有する略円筒形状孔部142、144(以下、「第1の孔部142」、「第2の孔部144」と称する。)から構成されている。第2の孔部144は、第1の孔部142より大きい孔径(例えば、貫通リードピンの径が約0.3〜0.5mmである場合、第1の孔部の径は約0.3〜1.5mm、第2の孔部の径は約0.3mm〜1.8mmの範囲内)を有し、ステム116の底面146に開口端を有する。貫通リードピン118は、ステム貫通孔140の略中心軸上に配置されている。また、貫通リードピン118は、ボンディングワイヤ148によって光半導体素子122と電気的に接続されている(図1参照。)。
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view around the
第1の孔部142と貫通リードピン118との間には、低融点ガラス150が充填されている。低融点ガラス150は、貫通リードピン118をステム116に固定するとともに、ステム116と貫通リードピン118とを絶縁している。低融点ガラス150は、貫通リードピン118とステム貫通孔140の第1の孔部142の間に、溶融した状態で充填される。または、ビーズ形状の低融点ガラス150を貫通リードピン118と第1の孔部142との間に配置し、加熱溶融されて充填される。充填されている溶融した低融点ガラス150を冷却すると、溶融した低融点ガラス150は収縮し、最終的に、第1の孔部142内で固化する。この低融点ガラス150の収縮の過程において、低融点ガラス150と貫通リードピン118との良好な濡れ性(接着性)により、低融点ガラス150が第1の孔部142内に完全に収縮しきれずに、ガラスフィレット152を第2の孔部144内に形成する。このガラスフィレット152がステム116の底面146から突出しないように、第2の孔部144はガラスフィレット152を略収容する深さ154を有する。
A
また、ステム116は底面146に開口端を有する窪み部156を有し、窪み部156でステム116と接合リードピン120とが、例えば、溶接や接着剤によって接合部158を介して接合されている。窪み部156は、ステム116と接合リードピン120との接合部158をステム116の底面146から突出しないように略収容する深さ160を有する。
Further, the
ステム116の底面146には、フレキシブル回路基板114が導電性接着剤162によって接着されている。フレキシブル回路基板114は貫通リードピン118と接合リードピン120とが通過する基板貫通孔(貫通リードピン用基板貫通孔164,接合リードピン用基板貫通孔166)を有する。フレキシブル回路基板114の表面168は、基準電位、例えば、グラウンド電位が印加される導電層からなるグラウンド面(グラウンドプレーン)170が形成されている。ステム116とフレキシブル回路基板114のグラウンドプレーン170とは、導電性接着剤162によって接着されることにより、電気的に接続されている。また、フレキシブル回路基板114のグラウンドプレーン170と反対の面には、貫通リードピン118に信号を伝送する線路(図示せず)が形成されており、貫通リードピン118とはんだ接合部172によって電気的に接続されている。このようにグラウンドプレーン170と線路とが薄い厚さのフレキシブル回路基板114に形成されることにより、光モジュール110は優れた高周波特性を有することになる。
A
また、フレキシブル回路基板114は、プリント回路基板115に接続されており、フレキシブル回路基板114の線路(グラウンドプレーン170など)とプリント回路基板115の線路(図示せず)が電気的に接続されている。プリント回路基板115は、光半導体装置112の光半導体素子122にフレキシブル回路基板114の線路を介して送信する高周波信号を出力するドライバ173を有する。
In addition, the
上述したように、ガラスフィレット152のステム116の底面146からの突出を防止することにより、ステム116の底面146とフレキシブル回路基板114のグラウンドプレーン170との間の距離(ギャップ)174は小さくできるが、特に、約0.05mm以下にするのが好ましい。図3、4は、ステム116の底面146とフレキシブル回路基板114のグラウンドプレーン170との間のギャップ174によって異なる各周波数における高周波特性(反射特性、通過振幅)を示している。図3は、ギャップによって異なる各周波数と反射特性との関係を示しており、図4は、ギャップによって異なる各周波数と通過振幅との関係を示している。両図において、ギャップが約0.05mmである場合、周波数と反射特性との関係、周波数と通過振幅との関係は直線的である。しかしながら、ギャップが増加すると、図3においてはギャップが約0.35mm以上に大きくなると、周波数約5GHzにおいて、反射特性が大きくなる。また、図4において、ギャップが0.35mm以上に大きくなると、周波数と通過振幅との関係が周波数によって大きく異なるようになる。このように、特定の周波数の特性が他の周波数の特性に比べて大きく異なるような光モジュールは、当然ながら好ましくない。
As described above, by preventing the
特に、ギャップ174が約0.05mm以下である場合、ステム116の底面146とフレキシブル回路基板114のグラウンドプレーン170との接着に非導電性接着剤を用いても、光モジュール110は、導電性接着剤を用いた場合と同様に、良好な高周波特性を有することが可能である。
In particular, when the
加えて、ガラスフィレット152のステム116の底面146からの突出を防止することにより、本発明の光モジュール110は、フレキシブル基板114とステム116のギャップ174をガラスフィレットがステムの底面から突出した従来の光モジュールに比べて小さくすることが可能となるため、光モジュール自体の大きさも従来の光モジュールに比べて小さくなる。
In addition, by preventing the
ステム貫通孔140(第1の孔部142、第2の孔部144)は、ザグリ穴のような形態(孔径が異なる2つの円筒形状孔部からなる孔)であるが、本発明はこれに限定するわけでない。例えば、図5(a)に示すように、第2の孔部144’が、第1の孔部142’との接続部からステム116’の底面146’に向かって直線的に拡大する孔径を有してもかまわない。または、図5(b)に示すように、第2の孔部144”が、第1の孔部142”との接続部からステム116”の底面146”に向かって曲線的に拡大する孔径を有してもかまわない。これら第2の孔部の形状は、第2の孔部を形成する際に使用される工具(例えば、トリマーなど)や加工方法によって変わる。
The stem through-hole 140 (the
また、ステム貫通孔140の断面形状(中心軸に対して直交する面)としては、様々な形状が可能であるが、略円形状が好ましい。特に、優れた高周波特性を得るには、ステム貫通孔140の断面を含む平面で見た場合、貫通リードピン118とステム貫通孔140の孔内面との距離が略等距離であるのが好ましい。
Further, the cross-sectional shape of the stem through-hole 140 (surface orthogonal to the central axis) can be various shapes, but a substantially circular shape is preferable. In particular, in order to obtain excellent high frequency characteristics, it is preferable that the distance between the through
また、図6に示すように、ステム116の底面146と光半導体素子122側の面の両方に第2の孔部144(144a、144b)を設けてもかまわない。この場合、光半導体素子122側の面側のガラスフィレット152bが第2の孔部144bに略収容されて光半導体素子122側の面が平面となるため、光半導体素子122や他の部品を貫通リードピン118に接近して配置することが可能になる。
Further, as shown in FIG. 6, second holes 144 (144a, 144b) may be provided on both the
実施の形態2.
本実施の形態は、実施の形態1と異なる方法で、ガラスフィレットのステムの底面からの突出を防いでいる。実施の形態1と構造的に異なる点は、ステムの形状、特に、貫通孔であるため、そこを中心に説明する。他の光モジュールの構成要素は実施の形態1と同じであり、実施の形態1の符号の数字に100を加えて示している。
In the present embodiment, protrusion of the glass fillet from the bottom surface of the stem is prevented by a method different from that of the first embodiment. A structural difference from the first embodiment is the shape of the stem, particularly the through-hole, and therefore will be described mainly. The other components of the optical module are the same as those in the first embodiment, and are shown by adding 100 to the reference numerals in the first embodiment.
図7は、本実施の形態の光モジュールのステムの貫通孔周りの構成を示している。ステム216は、貫通リードピン218が通過する略円筒形状のステム貫通孔240を有する。ステム貫通孔240の底面246から規定の深さまでの第2の孔部の孔内面には、低融点ガラス250に対して非接着性または低接着性の材料、例えば、白金、白金ロジウム、ジルコニア、黒鉛、アルミナなどの膜274がメッキや塗布によって施されている。これにより、ガラスフィレット252は、ステム216の底面246から規定の深さまでの膜274を有する第2の孔部の孔内面に形成されず、膜274が存在しない部分(第1の孔部の孔内面)276と膜274との境界近傍から貫通リードピン218にかけて形成される。この膜274が施される第2の孔部の孔内面の底面246からの深さを適切に規定することで、ガラスフィレット252がステム216の底面246から突出することを防止する。
FIG. 7 shows a configuration around the through hole of the stem of the optical module of the present embodiment. The
また、膜274を形成する以外に、第1の孔部の孔内面276と第2の孔部の孔内面の表面形状(表面粗さ)を変えることにより、第1の孔部の孔内面276と第2の孔部の孔内面との低融点ガラス250に対する接着性に違いを持たせることができる。第2の孔部の孔内面の表面を、第1の孔部の孔内面より小さい表面粗さを有する、すなわち、鏡面または鏡面に近い状態にすることにより、膜274と同様に、低融点ガラス250のステム216の底面246からの突出を防止することができる。
In addition to forming the
実施の形態3.
本実施の形態は、上記の2つの実施の形態の光モジュールにおいて、ステムの窪み部の形成が困難な場合に実施される。例えば、貫通リードピンが多い(ステム貫通孔が多い)場合、窪み部を設けるスペースが確保できないことがある。また、接合リードピンとステムの接合の強度を高めるために、接合部が大きく形成される場合がある。
Embodiment 3 FIG.
This embodiment is implemented when it is difficult to form the recess of the stem in the optical modules of the above two embodiments. For example, when there are many penetrating lead pins (many stem through holes), there may be a case where it is not possible to secure a space for providing the depression. Further, in order to increase the bonding strength between the bonding lead pin and the stem, the bonding portion may be formed large.
図8は、本実施の形態に係る光モジュールのステムを拡大して示している。上記の実施形態1と同じ構成要素は、実施の形態1の符号の数字に200を加えて示している。 FIG. 8 shows an enlarged stem of the optical module according to the present embodiment. The same components as those in the first embodiment are indicated by adding 200 to the reference numerals in the first embodiment.
図に示すように、接合リードピン320は、ステム316の底面346に接合されている。ステム316と接合リードピン320との接合部358は、フレキシブル回路基板314の接合リードピン用基板貫通孔366内部に配置されている。なお、このとき、接合部358は、接合リードピン用基板貫通孔366内に略収容される必要はなく、ステム316の底面346から離れている接合部358の一部分が、接合リードピン用基板孔366の表面368と反対の面の開口端から突出していても構わない。また、接合ピン320とフレキシブル回路基板314とが、接合部380によって接合されている。貫通リードピン318とフレキシブル回路基板314との接合部372と、接合リードピン320とフレキシブル回路基板314との接合部380とによって、ステム316の底面346とフレキシブル回路基板314の表面368とが密着される。
As shown in the figure, the joining
図において、ステム316の底面346とフレキシブル回路基板314の表面368との間に導電性接着剤が塗布されていないが、塗布されてもよい。その場合、接合部380はなくてもよい。表面368と反対の面にグラウンド線路(図示せず)がある場合、接合部380をはんだで形成することにより、接合リードピン320とグラウンド線路とを電気的に接続してもよい。
In the figure, the conductive adhesive is not applied between the
本発明は、キャンパッケージ型の光半導体装置に関するものであるが、キャンパッケージ型の電子部品にも実施可能であるのは明らかである。 Although the present invention relates to a can-package type optical semiconductor device, it is obvious that the present invention can be applied to a can-package type electronic component.
10 ステム、 12 貫通リードピン、 14 ガラス、 16 底面、 18 表面、 20 ガラスフィレット、
110 光モジュール、 112 光半導体装置、 114 フレキシブル回路基板、 115 プリント回路基板、 116 ステム、 118 貫通リードピン、 120 接合リードピン、 122 光半導体素子、 124 キャップ、 126 レンズ、 128 レンズホルダ、 130 レセプタクル、 140 ステム貫通孔、 142 第1の孔部、 144 第2の孔部、 146 底面、 148 ボンディングワイヤ、 150 低融点ガラス、 152 ガラスフィレット、 154 深さ、 156 窪み部、 158 接合部、 160 深さ、 162 導電性接着剤、 164 貫通リードピン用基板貫通孔、 166 接合リードピン用基板貫通孔、 168 表面、 170 グラウンドプレーン、 172 はんだ接合部、 173 ドライバ、 174 ギャップ、
116’ ステム、 142’ 第1の孔部、 144’ 第2の孔部、 146’ 底面、 116” ステム、 142” 第1の孔部、 144” 第2の孔部、 146” 底面、
144a 第2の孔部、 144b 第2の孔部、 152a ガラスフィレット、 152b ガラスフィレット、
216 ステム、 218 貫通リードピン、 240 ステム貫通孔、 246 底面、 250 低融点ガラス、 252 ガラスフィレット、 274 膜、 276 第1の孔部の孔内面
314 フレキシブル回路基板、 316 ステム、 320 接合リードピン、 346 底面、 358 接合部、 366 接合リードピン用基板貫通孔、 368 表面、 380 接合部
10 stem, 12 through lead pin, 14 glass, 16 bottom surface, 18 surface, 20 glass fillet,
110 optical module, 112 optical semiconductor device, 114 flexible circuit board, 115 printed circuit board, 116 stem, 118 through lead pin, 120 bonding lead pin, 122 optical semiconductor element, 124 cap, 126 lens, 128 lens holder, 130 receptacle, 140 stem Through hole, 142 First hole, 144 Second hole, 146 Bottom surface, 148 Bonding wire, 150 Low melting point glass, 152 Glass fillet, 154 Depth, 156 Recessed part, 158 Joined part, 160 Depth, 162 Conductive adhesive, 164 Through-holes for through-lead pins, 166 Through-holes for joining lead pins, 168 Surface, 170 Ground plane, 172 Solder joint, 173 Driver, 174 Gap,
116 'stem, 142' first hole, 144 'second hole, 146' bottom surface, 116 "stem, 142" first hole, 144 "second hole, 146" bottom surface,
144a second hole, 144b second hole, 152a glass fillet, 152b glass fillet,
216 stem, 218 penetrating lead pin, 240 stem penetrating hole, 246 bottom surface, 250 low melting glass, 252 glass fillet, 274 film, 276 hole inner surface of
Claims (14)
上記ステム貫通孔が、
第1の孔部と、
上記第1の孔部と同一の中心軸を有し上記ステムの底面に上記貫通リードピンのみを囲むような開口端を有する第2の孔部とを有し、
ビーズ形状のガラスが上記貫通リードピンと上記第1の孔部との間に配置されて加熱溶融されることにより、上記第1の孔部に充填され、上記第1の孔部からはみ出して形成された上記ガラスのフィレットが、上記第2の孔部の上記開口端より内方の、上記第2の孔部内に配置されていることを特徴とする光モジュール。 And through lead pin, a stem having a stem through hole which the penetrating lead pin passes, and the can package type optical semiconductor device having a glass for fixing the upper SL through the lead pins to the stem through hole, the bottom of the stem is bonded An optical module including a flexible circuit board,
The stem through hole is
A first hole;
A second hole having the same central axis as the first hole and having an open end on the bottom surface of the stem so as to surround only the through lead pin ;
The bead-shaped glass is disposed between the through-lead pin and the first hole, and is heated and melted to fill the first hole and protrude from the first hole. An optical module, wherein the glass fillet is disposed in the second hole portion inward of the opening end of the second hole portion.
上記フレキシブル回路基板が、上記接合部が配置される接合リードピン用基板孔を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一に記載の光モジュール。 The stem has a joint lead pin joined to the bottom surface of the stem via a joint portion,
The optical module according to any one of claims 1 to 3, wherein the flexible circuit board has a board hole for a joint lead pin in which the joint is disposed.
上記ステム貫通孔が、
第1の孔部と、
上記第1の孔部と同一の中心軸を有し上記ステムの底面に上記貫通リードピンのみを囲むような開口端を有する第2の孔部とを有し、
ビーズ形状のガラスが上記貫通リードピンと上記第1の孔部との間に配置されて加熱溶融されることにより、上記第1の孔部に充填され、上記第1の孔部からはみ出して形成された上記ガラスのフィレットが、上記第2の孔部の上記開口端より内方の、上記第2の孔部内に配置され、
上記ステムが、
底面に上記接合リードピンのみを囲むような開口端を有する窪み部を有し、
上記接合リードピンが、
上記窪み部内で接合部を介して接合され、
上記接合部が、上記窪み部の上記開口端より内方の、上記窪み部内に配置されていることを特徴とする光モジュール。 A can package type having a through lead pin, a joining lead pin, a stem having a stem through hole through which the through lead pin passes, and a glass for fixing the through lead pin in the stem through hole. An optical module including an optical semiconductor device and a flexible circuit board to which the bottom of the stem is bonded ,
The stem through hole is
A first hole;
A second hole having the same central axis as the first hole and having an open end on the bottom surface of the stem so as to surround only the through lead pin;
The bead-shaped glass is disposed between the through-lead pin and the first hole, and is heated and melted to fill the first hole and protrude from the first hole. The glass fillet is disposed in the second hole, inward of the opening end of the second hole,
The stem is
Has a recessed portion having an open end that surrounds only the joining lead pins to the bottom surface,
The joining lead pin is
It is joined via a joint part in the hollow part,
The optical module according to claim 1, wherein the joining portion is disposed in the indented portion inward of the opening end of the indented portion.
上記ステムの上記底面と密着される上記フレキシブル回路基板の面に基準電位が印加された導電層を有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一に記載の光モジュール。 The stem has conductivity,
The optical module according to claim 1, further comprising a conductive layer having a reference potential applied to a surface of the flexible circuit board that is in close contact with the bottom surface of the stem.
上記請求項1〜9のいずれか一に記載の光モジュールの上記フレキシブル回路基板が接続されるプリント回路基板とを有することを特徴とする光モジュール。 An optical module according to any one of claims 1 to 9,
An optical module comprising: a printed circuit board to which the flexible circuit board of the optical module according to claim 1 is connected.
上記ステム貫通孔が、
第1の孔部と、
上記第1の孔部と同一の中心軸を有し上記ステムの底面に上記貫通リードピンのみを囲むような開口端を有する第2の孔部とを有し、
ビーズ形状のガラスが上記貫通リードピンと上記第1の孔部との間に配置されて加熱溶融されることにより、上記第1の孔部に充填され、上記第1の孔部からはみ出して形成された上記ガラスのフィレットが、上記第2の孔部の上記開口端より内方の、上記第2の孔部内に配置されていることを特徴とする光半導体装置。 A through lead pin, stem and, can package type optical semiconductor on SL through the lead pins and a glass to be fixed to the stem through hole having a bottom surface the through lead pins are bonded to the stem through-hole and the flexible circuit board that penetrates A device,
The stem through hole is
A first hole;
A second hole having the same central axis as the first hole and having an open end on the bottom surface of the stem so as to surround only the through lead pin ;
The bead-shaped glass is disposed between the through-lead pin and the first hole, and is heated and melted to fill the first hole and protrude from the first hole. An optical semiconductor device, wherein the glass fillet is disposed in the second hole portion, which is inward of the opening end of the second hole portion.
上記ステム貫通孔が、
第1の孔部と、
上記第1の孔部と同一の中心軸を有し上記ステムの底面に上記貫通リードピンのみを囲むような開口端を有する第2の孔部とを有し、
ビーズ形状のガラスが上記貫通リードピンと上記第1の孔部との間に配置されて加熱溶融されることにより、上記第1の孔部に充填され、上記第1の孔部からはみ出して形成された上記ガラスのフィレットが、上記第2の孔部の上記開口端より内方の、上記第2の孔部内に配置され、
上記ステムが、
底面に上記接合リードピンのみを囲むような開口端を有する窪み部を有し、
上記接合リードピンが、
上記窪み部内で接合部を介して接合され、
上記接合部が、上記窪み部の上記開口端より内方の、上記窪み部内に配置されていることを特徴とする光半導体装置。 A through-lead pin, a joining lead pin, a stem through-hole through which the through-lead pin penetrates, and a bottom surface bonded to the flexible circuit board and the joining pin is joined, and the through-lead pin is inserted into the stem through-hole. A can package type optical semiconductor device having glass fixed to
The stem through hole is
A first hole;
A second hole having the same central axis as the first hole and having an open end on the bottom surface of the stem so as to surround only the through lead pin;
The bead-shaped glass is disposed between the through-lead pin and the first hole, and is heated and melted to fill the first hole and protrude from the first hole. The glass fillet is disposed in the second hole, inward of the opening end of the second hole,
The stem is
Has a recessed portion having an open end that surrounds only the joining lead pins to the bottom surface,
The joining lead pin is
It is joined via a joint part in the hollow part,
The optical semiconductor device, wherein the joining portion is disposed in the indented portion, which is inward from the opening end of the indented portion.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004264940A JP4756840B2 (en) | 2004-09-13 | 2004-09-13 | CAN PACKAGE OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND OPTICAL MODULE |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004264940A JP4756840B2 (en) | 2004-09-13 | 2004-09-13 | CAN PACKAGE OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND OPTICAL MODULE |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006080418A JP2006080418A (en) | 2006-03-23 |
JP4756840B2 true JP4756840B2 (en) | 2011-08-24 |
Family
ID=36159603
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004264940A Active JP4756840B2 (en) | 2004-09-13 | 2004-09-13 | CAN PACKAGE OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND OPTICAL MODULE |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4756840B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110637399A (en) * | 2017-05-17 | 2019-12-31 | 三菱电机株式会社 | Optical module and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008071784A (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Mitsubishi Electric Corp | Optical transmitter and receiver |
JP2008130834A (en) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Mitsubishi Electric Corp | Optical module |
JP5273600B2 (en) | 2008-06-17 | 2013-08-28 | 日本オクラロ株式会社 | Optical semiconductor device |
JP6430160B2 (en) | 2014-07-07 | 2018-11-28 | 日本オクラロ株式会社 | Optical module and optical module manufacturing method |
JP6654364B2 (en) * | 2015-06-12 | 2020-02-26 | 日本ルメンタム株式会社 | Optical module |
JP6914034B2 (en) | 2016-12-16 | 2021-08-04 | 日本ルメンタム株式会社 | Optical module and transmission equipment |
JP7028587B2 (en) * | 2017-08-31 | 2022-03-02 | 日本ルメンタム株式会社 | Optical module and optical transmission device |
DE102017123342A1 (en) * | 2017-10-09 | 2019-04-11 | Schott Ag | TO housing with high reflection loss |
WO2019155602A1 (en) | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 三菱電機株式会社 | Optical module |
JP7240160B2 (en) * | 2018-12-11 | 2023-03-15 | 新光電気工業株式会社 | stem |
CN116648835A (en) * | 2020-11-24 | 2023-08-25 | 三菱电机株式会社 | optical module |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5821889A (en) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Sony Corp | Semiconductor assembly structure |
JPS6185175A (en) * | 1984-10-03 | 1986-04-30 | Shinwa Seisakusho:Kk | Apparatus for washing raw laver |
JPH0637401A (en) * | 1992-07-20 | 1994-02-10 | Nec Corp | Optical semiconductor vessel |
JP2001144366A (en) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Ricoh Co Ltd | Ld drive circuit |
JP4029008B2 (en) * | 2002-06-03 | 2008-01-09 | 日本電産サンキョー株式会社 | Optical head device |
JP2004102174A (en) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Optical module product |
-
2004
- 2004-09-13 JP JP2004264940A patent/JP4756840B2/en active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110637399A (en) * | 2017-05-17 | 2019-12-31 | 三菱电机株式会社 | Optical module and method for manufacturing the same |
CN110637399B (en) * | 2017-05-17 | 2021-03-12 | 三菱电机株式会社 | Optical module and method for manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006080418A (en) | 2006-03-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4756840B2 (en) | CAN PACKAGE OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND OPTICAL MODULE | |
JP2009194091A (en) | Electronic component, electronic equipment, and base member manufacturing method | |
JP4772557B2 (en) | Electronic component and module for electronic component | |
JP6597881B2 (en) | Semiconductor device, metal electrode member, and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2014011440A (en) | Package for optical module | |
US7112914B1 (en) | Piezoelectric resonator and assembly comprising the same enclosed in a case | |
US8415862B2 (en) | Piezoelectric vibrator, piezoelectric vibrator mounting body, and piezoelectric vibrator manufacturing method | |
JP2005216923A (en) | Surface mounting base for electronic device | |
JP5101093B2 (en) | Piezoelectric oscillator and manufacturing method thereof | |
JP2016054376A (en) | Piezoelectric oscillator | |
KR0151764B1 (en) | Electronic component and its manufacturing method | |
JP2010193029A (en) | Electronic component, electronic appliance, and method of manufacturing electronic component | |
JP2000077965A (en) | Piezoelectric vibrator and sealing method for piezoelectric vibration element | |
JP2015142014A (en) | Element housing package and mounting structure | |
JP4960080B2 (en) | Piezoelectric oscillator and manufacturing method thereof | |
JP2007274038A (en) | Piezoelectric oscillator | |
WO2013042627A1 (en) | Electronic component mounting substrate, electronic component accommodating package and electronic device | |
JP2008193154A (en) | Method for manufacturing piezoelectric oscillator | |
US20230387651A1 (en) | Optical module and manufacturing method of optical module | |
JP2003258588A (en) | Small-sized electronic component | |
JP2020031115A (en) | Package for storing element and mounting structure having the same | |
JP3555304B2 (en) | Electronic equipment | |
JP3726718B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2019117920A (en) | Coil component and electronic device | |
WO2021140944A1 (en) | Piezoelectric resonator device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070622 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100427 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100623 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110524 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110531 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4756840 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140610 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |