JP4756540B2 - プラズマ処理装置と方法 - Google Patents
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Description
1 プラズマ処理装置
2 処理容器
3 蓋体
4 処理室
10 サセプタ
11 給電部
12 ヒータ
13 高周波電源
14 整合器
15 高圧直流電源
16 コイル
17 交流電源
20 昇降プレート
21 筒体
22 べローズ
23 排気口
24 整流板
30 蓋本体
31 スロットアンテナ
32 誘電体
33 Oリング
35 方形導波管
36 誘電部材
40 マイクロ波供給装置
41 Y分岐管
45 上面
46 昇降機構
50 カバー体
51 ガイド部
52 昇降部
55 ガイドロッド
56 昇降ロッド
57 ナット
58 孔部
60 ガイド
61 プレート
62 回転ハンドル
70 スロット
71 誘電部材
75 梁
80a,80b,80c,80d,80e,80f,80g 凹部
81 壁面
85 ガス噴射口
90 ガス配管
91 冷却水配管
95 処理ガス供給源
100 アルゴンガス供給源
101 シランガス供給源
102 水素ガス供給源
105 冷却水供給源
Claims (13)
- マイクロ波を導波管の下面に複数形成されたスロットに通して処理室の上面に配置された誘電体中に伝播させ,誘電体表面で形成させた電磁界での電界エネルギーにより処理室内に供給された処理ガスをプラズマ化させて,基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって,
前記誘電体の下面において,前記スロットに近い位置と,前記スロットから離れた位置とに凹部がそれぞれ形成され,前記スロットから離れた位置に形成された凹部の深さが,前記スロットに近い位置に形成された凹部の深さよりも深くなっていることを特徴とする,プラズマ処理装置。 - 前記誘電体は複数の誘電体で構成され,各誘電体の下面に1または複数の凹部がそれぞれ形成されていることを特徴とする,請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体が,長手方向の長さが誘電体中を伝播するマイクロ波の波長よりも長く,幅方向の長さが誘電体中を伝播するマイクロ波の波長よりも短い長方形に形成されていることを特徴とする,請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体の下面において,長手方向に沿って複数の凹部が並べて形成されていることを特徴とする,請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体が2つのスロットに跨って設けられ,それら2つのスロットの間に,最も深さの深い凹部が形成されていることを特徴とする,請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記2つのスロットの間において,中央に位置する凹部の深さが最も深いことを特徴とする,請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 前記2つのスロットの間において,中央に位置している凹部とスロットに最も近く位置している凹部との間にある凹部の深さが最も深いことを特徴とする,請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体の下面において,長手方向に沿って並べて形成された複数の凹部のうち,両端に位置する凹部の深さは,前記スロットの内方に位置する凹部の深さよりも浅いことを特徴とする,請求項5〜7のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の誘電体の周囲に,処理室内に処理ガスを供給する1または2以上のガス噴射口をそれぞれ設けたことを特徴とする,請求項2〜8のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の誘電体を支持する支持部材に,前記ガス噴射口を設けたことを特徴とする,請求項9に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の誘電体の周囲に,処理室内に第1の処理ガスを供給する1または2以上の第1のガス噴射口と,処理室内に第2の処理ガスを供給する1または2以上の第2のガス噴射口をそれぞれ設けたことを特徴とする,請求項2〜8のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の噴射口と第2の噴射口の一方を他方よりも下方に配置したことを特徴とする,請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- マイクロ波を導波管の下面に複数形成されたスロットに通して処理室の上面に配置された誘電体中に伝播させ,誘電体表面で形成させた電磁界での電界エネルギーにより処理室内に供給された処理ガスをプラズマ化させて,基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって,
前記誘電体の下面において,前記スロットに近い位置と,前記スロットから離れた位置とに凹部をそれぞれ形成し,前記スロットから離れた位置に形成する凹部の深さを,前記スロットに近い位置に形成する凹部の深さよりも深くすることにより,誘電体の下面におけるプラズマの生成を制御することを特徴とする,プラズマ処理方法。
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