JP4756084B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置に関し、特に、縦型または横型電界効果トランジスタ構造を有し、高速スイッチング用デバイスあるいはパワー用デバイスとして用いて好適な半導体装置に関する。

コンピュータ等のＣＰＵに使用される電源電圧が低電圧化するのに伴い、電界効果トランジスタを用いた同期整流方式による電源が多用されつつある。

図１９は、このような電源に用いられるＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）の断面構造を表す模式図である。ここでは簡単のため、ｎチャネル型について説明するが、ｐ型とｎ型とを逆転すれば、ｐチャネルでも同様の構造が可能である。

このＭＯＳＦＥＴは、いわゆる「縦型」の構造を有し、ｎ^＋型基板１０２の上にｎ⁻型半導体領域１０４が設けられ、このｎ⁻半導体領域１０４の表面には、ｐ型ベース領域１０６が選択的に形成されている。また、ｐ型ベース領域１０６の表面には、選択的にｎ^＋型ソース領域１０８が形成されており、ｎ^＋型ソース領域１０８とｎ^＋ソース領域１０８とに挟まれた、ｐ型ベース領域１０６、ｎ⁻型半導体領域１０４の上にゲート酸化膜１１０を介してゲート電極１１２が形成されている。

ｎ^＋型ソース領域１０８には、ソース電極１１４が接続され、ｎ^＋型基板１０２の裏面側にはドレイン電極１１６が接続されている。
ゲート電極１１２にバイアスを印加することにより、ｐ^＋型ベース領域１０６の表面にチャネルを形成し、ソース・ドレイン間に電流を流すことができる。

しかし、図１９に例示した半導体装置においては、ゲートとドレイン間の対向面積が大きく、かつ、ゲートとドレインがゲート酸化膜１１０を介して対向しているため、ゲート・ドレイン間の帰還容量が大きい。この帰還容量は、半導体装置の高速動作を阻害し、スイッチング損失を増大させるパラメータのひとつである。従って、ゲート・ドレイン間の帰還容量を低減することが望ましい。

これに対して、ゲート・ドレイン間の対向面積を減らすように、ｐ型ベース領域１０６，１０６の間隔を狭くすることも考えられる。しかしこの場合、ソース・ドレイン間の電流経路が狭窄されるために、この経路の抵抗に相当するＪＦＥＴ抵抗が大きくなり、導通損失が増大する。

以上、説明したように、従来のＭＯＳＦＥＴにおいて、オン抵抗と帰還容量との間にトレードオフの関係があり、高速動作や導通損失、スイッチング損失の低減に限界があるという問題があった。

本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、オン抵抗と帰還容量との間のトレードオフの関係を改善し、且つ、十分に高い信頼性を有する縦型または横型ＭＯＳＦＥＴ構造の半導体装置を提供することにある。

本発明の一態様によれば、第１導電型の半導体層と、前記半導体層の表面に選択的に形成された第２導電型の一対のベース領域と、前記一対のベース領域のそれぞれにおいてベース領域内の表面に選択的に形成された第１導電型のソース領域と、前記半導体層の表面において前記一対のベース領域の間に選択的に形成され、４×１０ ^１２ ｃｍ ^−２ 以上の正味のドーズ量または１×１０ ^１７ ｃｍ ^−３ 以上の不純物濃度を有し、前記半導体層と前記ソース領域との間に電圧が印加されたときに完全には空乏化しない第２導電型の電界緩和領域と、前記電界緩和領域と前記ベース領域との間に形成され、前記半導体層よりも高い不純物濃度を有する第１導電型の半導体領域と、前記ソース領域のそれぞれと前記電界緩和領域との間の前記ベース領域の表面にゲート絶縁膜を介してそれぞれ設けられた一対のゲート電極と、前記ソース領域に接続されたソース電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。

上記構成によって、オン抵抗と帰還容量との間のトレードオフの関係を改善し、且つ、十分に高い信頼性を有する縦型または横型ＭＯＳＦＥＴ構造の半導体装置を提供することができる。

なお、本発明に関連する半導体装置は、第１導電型の半導体層と、前記半導体層の表面にマトリクス状に形成された第２導電型の複数のベース領域と、前記複数のベース領域のそれぞれのベース領域内の表面に選択的に形成された第１導電型のソース領域と、前記半導体層の表面において前記複数のベース領域の間に選択的にそれぞれ形成された第２導電型の電界緩和領域と、前記ソース領域のそれぞれと前記電界緩和領域との間の前記ベース領域の表面にゲート絶縁膜を介してそれぞれ設けられたゲート電極と、前記ソース領域に接続されたソース電極と、を備え、前記ゲート電極は、略格子状の平面パターンを有することを特徴とする。

また、本発明に関連するもうひとつの半導体装置は、第１導電型の半導体層と、前記半導体層の表面に選択的に形成された第２導電型の一対のベース領域と、前記一対のベース領域のそれぞれにおいてベース領域内の表面に選択的に形成された第１導電型のソース領域と、前記半導体層の表面において前記一対のベース領域の間に選択的に形成された第２導電型の電界緩和領域と、前記電界緩和領域と前記一対のベース領域のそれぞれとの間に設けられ前記半導体層よりも高い不純物濃度を有する第１導電型の半導体領域と、前記ソース領域のそれぞれと前記電界緩和領域との間の前記ベース領域の表面にゲート絶縁膜を介してそれぞれ設けられた一対のゲート電極と、前記ソース領域に接続されたソース電極と、を備え、前記電界緩和領域は、前記ソース電極と接続され、前記ゲート電極とは絶縁膜を介して絶縁されてなることを特徴とする。

また、本発明に関連するもうひとつの半導体装置は、第１導電型の半導体層と、前記半導体層の表面に選択的に形成された第２導電型の一対のベース領域と、前記一対のベース領域のそれぞれにおいてベース領域内の表面に選択的に形成された第１導電型のソース領域と、前記一対のベース領域の間において前記半導体層の表面に接触して設けられた金属層と、前記ソース領域と前記金属層との間の前記ベース領域の表面にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記ソース領域に接続されたソース電極と、を備え、前記金属層は、前記半導体層との間でショットキー接合を形成してなることを特徴とする。

本発明によれば、ＦＥＴのゲート・ドレイン間容量を下げることができ、且つ、オン抵抗も下げることができる。

またさらに、本発明によれば、ＦＥＴのアバランシェ耐量を改善することも可能となる。

その結果として、従来よりもトータル損失が低く、高速動作が可能な半導体装置を提供でき、産業上のメリットは多大である。

本発明の第１の実施の形態の基本的な概念を表す半導体装置の断面図である。 半導体層の表面から見た各部の平面的な配置関係を例示する模式図である。 本発明の第２の実施の基本的な概念を説明するための半導体装置の断面図である。 本発明の半導体装置の第１の具体例を表す断面図である。 本発明の半導体装置の第２の具体例を表す断面図である。 本発明の半導体装置の第３の具体例を表す断面図である。 本発明の半導体装置の第４の具体例を表す断面図である。 本発明の半導体装置の第５の具体例の平面構造を表す模式図である。 図８のＸ−Ｘ’線断面図である。 本発明の半導体装置の第６の具体例の平面構造を表す模式図である。 本発明の半導体装置の第７の具体例の平面構造を表す模式図である。 本発明の半導体装置の第８の具体例の断面構造を例示する模式図である。 本発明の半導体装置の第９の具体例の断面構造を例示する模式図である。 本発明の半導体装置の第１０の具体例の平面構造を表す模式図である。 図１４のＸ−Ｘ’線断面図である。 図１４のＹ−Ｙ’線断面図である。 ＭＯＳＦＥＴにおける寄生的なＮＰＮトランジスタの存在を説明する模式図である。 インダクタンスＬを負荷としてＭＯＳＦＥＴを駆動させる状態を表す回路図である。 電源に用いられるＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）の断面構造を表す模式図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。

図１は、本発明の第１の実施の形態の基本的な概念を表す半導体装置の断面図である。

また、図２は、その半導体層の表面における各部の平面的な配置関係を例示する模式図であり、このＸ−Ｘ’線断面が図１に対応する。

すなわち、本実施形態の半導体装置においては、ｎ^＋型半導体基板２の上にはｎ型エピタキシャル層４が形成されている。このｎ型エピタキシャル層４の上には、ｐ型ベース領域６が選択的に形成されている。このｐ型ベース領域６の中にｎ^＋型ソース領域８とｐ^＋型領域９が形成されている。隣接したｐ型ベース領域６どうしの間には、ｐ型ベース領域６から間隔をおいてｐ^＋型の電界緩和領域２０が形成されている。そして、電界緩和領域２０の両側において、ｎ^＋型ソース領域８に至るゲート酸化膜１０を介してゲート電極１２が形成されている。

各部の不純物濃度について例示すると、例えばｎ^＋型半導体基板２は１×１０^１９〜１×１０^２０ｃｍ^−３、ｎ型エピタキシャル層４は約３０ボルトのソース・ドレイン間耐圧を得るためには１×１０^１６ｃｍ^−３程度、１００ボルトのソース・ドレイン間耐圧を得るためには３×１０^１５ｃｍ^−３程度とすることができる。また、ｐ型ベース領域６の不純物濃度は、１×１０^１６〜５×１０^１７ｃｍ^−３、ｎ^＋型ソース領域８及びｐ^＋型領域９は１×１０^１９〜１×１０^２０ｃｍ^−３とすることができる。さらに、ｐ^＋型電界緩和領域２０の不純物濃度は、後に詳述するように、１×１０^１７ｃｍ^−３以上とすることが望ましい。

ゲート電極１２の周囲は、絶縁層１３により覆われ、ソース領域８には、ソース電極１４が接続されている。また、ｎ^＋型基板２の裏面にはドレイン電極１６が接続されている。

本実施形態においては、ｐ^＋型電界緩和領域２０は、ソース、ドレインあるいはゲート電極のいずれとも接続されておらず、いわゆる「フローティング」の状態とされている。

以上説明した構成によれば、ｐ^＋型の電界緩和領域２０を設けることにより、ゲート・ドレイン間の対向面積を、図１９に例示したような従来構造に比べて減少することができる。仮に、図１９に例示した構造において、ゲート電極１２を単純に２つに分割して設けると、これら分割されたゲート電極の間隙の部分においては、ゲートからＪＦＥＴ領域（ｎ型エピタキシャル層４）への空乏化の効果が減る。従って、ＪＦＥＴ領域が空乏化できず、ソース・ドレイン間耐圧が下がるという問題が生ずる。

これに対して、本実施形態によれば、ゲート電極１２からバイアスを印加することによりＪＦＥＴ領域を空乏化させる代わりに、ｐ^＋型の電界緩和領域２０を設け、ｐｎ接合の働きにより電界緩和領域２０からＪＦＥＴ領域への空乏化を促進する。こうすることにより、ソースドレイン間耐圧をあげ、かつ、ゲート・ドレイン間容量を減らすことができる。

またさらに、電界緩和領域２０を「フローティング」の状態とすることにより、以下に説明するように、オン抵抗を下げることができるという効果が得られる。

すなわち、電界緩和領域２０の接合深さが深い場合、電界緩和領域２０とｐ型ベース領域６との間には電流が集中し、この領域の抵抗成分が無視できなくなる。ここで仮に、電界緩和領域２０とソース電極１４とを同電位とした場合、電界緩和領域２０とｐ型ベース領域６との間の領域は空乏化しやすくなる。オン状態でドレイン電極１６に電圧を印加すると、電界緩和領域２０とｐ型ベース領域６からの空乏層により電界緩和領域２０とｐ型ベース領域６との間の領域における電流の断面積を減少する。従って、オン抵抗が増大するという弊害が生ずる。

これに対して、電界緩和領域２０を「フローティング」とした場合、電界緩和領域２０の電位は、ゲート電極と電界緩和領域２０との間のオーバーラップ容量（酸化膜容量）と、電界緩和領域２０とＪＦＥＴ領域との接合容量における容量結合とにより決定される。ソース電極１４と電界緩和領域２０とを同電位とした場合と比べると、電界緩和領域２０の電位は、オン状態においてゲート電極の電位にひかれてソース電極１４の電位にくらべて高くなり、電界緩和領域２０からの空乏化が弱まる。従って、電界緩和領域２０とｐ型ベース領域６との間の領域における電流の断面積の減少を抑えることができ、オン抵抗が小さくなるという効果が得られる。

またここで、電界緩和領域２０の接合深さは、ｐ型ベース領域６の接合深さに比べて浅いほうが望ましい。この接合深さが十分浅くなると、上述した電界緩和領域２０とｐ型ベース領域６との間の領域における抵抗の影響を小さくできるからである。オン抵抗の増大を防ぐためには、電界緩和領域２０の接合深さは、ｐ型ベース領域６の接合深さの概ね半分以下とすることが望ましい。例えば、ｐ型ベース領域６の接合深さを１マイクロメータとした場合には、電界緩和領域２０の接合深さは０．５マイクロメータ以下とすることが望ましい。

また、この電界緩和領域２０は、動作時に完全に空乏化しないように不純物濃度を設定することが望ましい。空乏化しないようにするためには、電界緩和領域２０の正味のドーズ量を、４×１０^１２ｃｍ^−２以上、不純物濃度で１×１０^１７ｃｍ^−３以上とすることが望ましい。

次に、図３は、本発明の第２の実施の基本的な概念を説明するための半導体装置の断面図である。同図については、図１及び図２に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

本実施形態においても、ｐ^＋型の電界緩和領域２０が設けられている。こうすることにより、ソース・ドレイン間耐圧をあげ、かつ、ゲート・ドレイン間容量を減らすことができる。本実施形態においてはさらに、この電界緩和領域２０が接続経路２４によりソース電極１４あるいはｐ型ベース領域６などと接続されて同電位とされている。こうすることにより、電界緩和領域２０からＪＦＥＴ領域への空乏化を促進することができる。

その結果として、ＪＦＥＴ領域の不純物濃度を高くでき、電界緩和領域２０の接合深さが十分浅い場合に、オン抵抗を下げることができる。すなわち、接続経路２４を設けて電界緩和領域２０の電位を制御することによりＪＦＥＴ領域の空乏化が促進される。空乏化が促進されるため、ＪＦＥＴ領域の不純物濃度を高くできる。なお、本実施形態における接続経路２４に関しては、後に具体例を参照しつつ詳述するように、各種の特徴的な構造を挙げることができる。

なお、図１乃至図３においては、電界緩和領域２０として、ｐ型の不純物を有する半導体領域を例示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば後に図６に関して説明するように、金属・半導体間に形成されるショットキー接合を利用したものも含む。すなわち、ｎ型エピタキシャル層４の上に金属層を設けてショットキー接合を形成し、この接合から空乏化領域をＪＦＥＴ領域に伸ばすことによっても、ゲート・ドレイン間の容量を同様に低減することが可能である。

以上、図１乃至図３を参照しつつ、本発明の半導体装置の基本的な構造について説明した。以下、これら第１及び第２実施形態の半導体装置の具体例について詳細に説明する。これら具体例の図面については、前出したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

また、以下に説明する各具体例は、特に言及しない限り、上述の第１及び第２実施形態のいずれも含むものとする。すなわち、電界緩和領域２０は、フローティングでもよく、または接続経路２４を適宜設けてソース電極１４などと同電位とされていてもよい。

図４は、本発明の半導体装置の第１の具体例を表す断面図である。本具体例においては、ｐ^＋型の電界緩和領域２０を取り囲むようにｎ型拡散領域２６が設けられている。ｎ型拡散領域２６は、ｎ型エピタキシャル層４よりも高い不純物濃度を有する。ｐ^＋型の電界緩和領域２０の近傍では空乏化が促進されるため、不純物濃度が高いｎ型拡散領域２６を空乏化できる。従って、不純物濃度が高いｎ型拡散領域２６を設けることにより、ゲート・ドレイン容量の増加を抑制しつつ、ＪＦＥＴ領域の抵抗を下げることができる。

また、本具体例では、ゲート電極１２を形成した後、ｎ型拡散領域２６と電界緩和領域２０をセルフアライン的に形成することができる。つまり、ゲート電極１２をマスクとして、イオン注入法などの方法により、ｎ型の不純物を深く導入し、ｐ型の不純物を浅く導入することより、ｐ^＋型の電界緩和領域２０と不純物濃度が高いｎ型拡散領域２６を形成することができる。

図５は、本発明の半導体装置の第２の具体例を表す断面図である。本具体例においては、ｐ型の不純物を含んだポリシリコン２８が半導体層の上に設けられ、このポリシリコン２８からｐ型不純物がｎ型エピタキシャル層４の表面近傍に拡散されてｐ^＋型の電界緩和領域２０が形成されている。

ポリシリコン２８は、第１実施形態の如くフローティング状態としてもよく、あるいは第２実施形態の如くソース電極１４と同電位としてもよい。

図６は、本発明の半導体装置の第３の具体例を表す断面図である。本具体例においては、金属層３０が半導体層の上に設けられ、これらの間に形成された金属・半導体のショットキー接合による空乏化領域がＪＦＥＴ領域に伸びるようにされている。つまり、ｐ^＋型の電界緩和領域２０を設ける代わりに、ショットキー接合による空乏化作用を利用する。このようにしても、ゲート・ドレイン間の容量を低減することができる。

また、本具体例においても、金属層３０は、第１実施形態の如くフローティング状態としてもよく、あるいは第２実施形態の如くソース電極１４と同電位としてもよい。

図７は、本発明の半導体装置の第４の具体例を表す断面図である。本具体例は、前述した第１具体例に類似したものであり、ｐ^＋型の電界緩和領域２０の下にｎ型の拡散層３２が設けられている。ｎ型拡散層３２は、ｎ型エピタキシャル層４よりも高い不純物濃度を有し、ＪＦＥＴ領域の抵抗を下げることができる。そして、本具体例の場合も、電界緩和領域２０の近傍では空乏化が促進されるので、ｎ型拡散層３２を設けても、ＪＦＥＴ領域の空乏化はある程度確保できる。

図８は、本発明の半導体装置の第５の具体例の平面構造を表す模式図である。すなわち、同図は、半導体層の表面側から見た各要素の平面的な配置関係を表す。

また、図９は、そのＸ−Ｘ’線断面図である。

高速動作を行なう場合、ゲート・ドレイン間の容量のほかにゲート抵抗も大きな影響を及ぼす。これに対して、図２に例示したような単純なストライプ状のパターンを図８の如く変形することにより、ゲート抵抗を低減することができる。

すなわち、本具体例の場合、ｐ^＋型電界緩和領域２０は、図８に例示したように複数の島状に設けられている。そして、一対のストライプ状のゲート電極１２は、電界緩和領域２０のパターンに対応させて「ハシゴ状」に接続されている。このように、一対のゲート電極１２を適宜連結することにより、配線抵抗を低減してゲート抵抗を下げることができる。

またさらに、本具体例の場合、ｐ^＋型の電界緩和領域２０はフローティングにせず、ｐ型ベース領域６から接続部６Ｐを設けて接続させ、同電位にしている。このように、電界緩和領域２０をｐ型ベース領域６と同電位にすることにより、空乏化を促進させることができる。

なお、本具体例において、電界緩和領域２０をソース電極１４と短絡してもよいが、その場合、接続経路２４としての導電体を何処かに設ける必要がある。すると、接続経路２４とゲート電極１２とのプロセスマージンを確保しなくてはならず、素子面積が増大するというデメリットが生ずる。これに対して、本具体例の構造によれば、素子面積を増大させることなく、電界緩和領域２０の電位を制御して空乏化を促進できる。

なお、本具体例の変型例として、電界緩和領域２０をｐ型ベース領域６に接続させず、フローティング状態とした構造も、本発明の範囲に包含される。

図１０は、本発明の半導体装置の第６の具体例の平面構造を表す模式図である。すなわち、同図も、半導体層の表面における各要素の平面的な配置関係を表す。

ＦＥＴのチャネル抵抗を下げるためには、チャネル密度を高くしなくてはならない。これに対して、図１０に例示したように、ベース領域６をマトリクス状に形成し、これに対応してゲート電極１２を格子状に並べることにより、チャネル密度をあげることができる。

そして、この具体例においても、ゲート電極１２の間には、電界緩和領域２０が設けられ、ゲート・ドレイン間の容量を低減している。

図１１は、本発明の半導体装置の第７の具体例の平面構造を表す模式図である。すなわち、同図も、半導体層の表面における各要素の平面的な配置関係を表す。

本具体例においても、ゲート電極１２を格子状に並べることにより、チャネル密度を上げることができる。但し、このような格子状のレイアウトの場合、４つのｎ^＋型ソース領域８の角の部分により囲まれた部分（図の中央付近の部分）は、電界が集中しやすい。これは、対角方向に見たときに、ｐ型ベース領域６とｐ型ベース領域６との間隔が広くなるためである。そこで、電界を緩和するために、４つのソース領域８により囲まれた中央部分に、ｐ型ベース領域６Ｃを形成する。こうすることで、電界が集中するポイントを無くしてソース・ドレイン間耐圧を向上できる。

図１２は、本発明の半導体装置の第８の具体例の断面構造を例示する模式図である。すなわち、本具体例は、いわゆる「横型」のＦＥＴであり、ｎ型エピタキシャル層４の表面にｎ^＋型領域３４を設けてドレイン電極１６を表面側に接続している。この構造の場合、矢印Ｄで例示した如く、ドレイン電流のうちでｎ型エピタキシャル層４を流れる成分が多い。

このような横型の構造においても、図１乃至図１１に関して前述したものと同様の作用効果を得ることができる。また、この具体例の場合、不純物濃度が低いｎ型エピタキシャル層４を流れるドレイン電流成分が多いので、電流値は低めとるが、素子サイズを小さくできる点で有利である。

図１３は、本発明の半導体装置の第９の具体例の断面構造を例示する模式図である。すなわち、本具体例も、いわゆる「横型」のＦＥＴであり、ｎ型エピタキシャル層４を貫通してｎ^＋層２に至るｎ^＋型領域３６を設けてドレイン電極１６を表面側に接続している。この構造の場合、ドレイン電流は、主にｎ^＋型層２を介してｎ^＋型領域３６に流れる。

このような横型の構造においても、図１乃至図１１に関して前述したものと同様の作用効果を得ることができる。また、この具体例の場合、ドレイン電流を大きくすることができる点で有利である。

図１４は、本発明の半導体装置の第１０の具体例の平面構造を表す模式図である。すなわち、同図は、半導体層の表面における各要素の平面的な配置関係を表す。

また、図１５は、そのＸ−Ｘ’線断面図である。

さらに、図１６は、そのＹ−Ｙ’線断面図である。なお、図１６は、後述するように、図１４に表した部分に隣接した左側の部分の断面構造まで表す。

図１４乃至図１６に表した具体例によれば、アバランシェ耐量を改善することができる。以下、この点に関して、図１７及び図１８を参照しつつ説明する。

図１７に表したように、従来のＭＯＳＦＥＴには、ｐ型ベース領域６とｎ^＋型ソース領域８とｎ型エピタキシャル層４とからなる寄生的なＮＰＮトランジスタが存在する。ここで、図１８に表したように、インダクタンスＬを負荷としてＭＯＳＦＥＴをオン状態からオフ状態に切りかえると、インダクタンスＬの逆起電力がドレイン・ソース間に印加される。

すると、その電圧レベルによっては、ドレイン・ソース間のダイオードがアバランシェ降伏する場合がある。アバランシェ降伏で発生した電子・正孔対のうち、電子はドレイン電極１６に流れるが、正孔はｐ型ベース領域６を通ってソース電極１４に流れる。このときｐ型ベース領域６の抵抗成分Ｒに電流が流れることで寄生ＮＰＮトランジスタのベース・エミッタ間が順方向にバイアスされてオン状態になる。素子の一部のみで寄生ＮＰＮトランジスタがオンすると、電流がその部分に集中し、最終的に物理的な破壊に至るという問題がある。

この問題に対して、本具体例においては、アバランシェ降伏をｐ^＋型の電界緩和領域２０の下で起こすようにする。すなわち、図１４及び図１５に表したように、本具体例においては、ｐ^＋型電界緩和領域２０は略ストライプ状に形成され、これに対して、ｐ型ベース領域６が接続部６Ｐにおいて接続されている。また、この接続部６Ｐからソース電極コンタクトＳＣに至る経路において、ｎ^＋型ソース領域８が除去されている。

このような構造にすると、正孔電流は、矢印で表したようにｐ^＋型の電界緩和領域２０からｐ型ベース領域６を通ってソース電極１４に流れ込む。このときｎ^＋ソース領域８があると寄生ＮＰＮトランジスタが形成されるが、本具体例においては、ｎ^＋型ソース領域８は、電界緩和領域２０とｐ型ベース領域６とが接続された部分には形成しない。その結果として、正孔電流の経路上には、単なるダイオードが設けられるだけであり、寄生ＮＰＮトランジスタは形成されないため、寄生ＮＰＮがオンして電流集中するという現象を回避できる。つまり、ＦＥＴのアバランシェ耐量を改善することができる。

ここで、ｐ^＋型の電界緩和領域２０とｐ型ベース領域６とを接続する接続部６Ｐは、正孔電流が流れやすくなるように十分抵抗を下げることが望ましい。また、接続部６Ｐの幅を広くすることが望ましい。しかし。このようにすると、ＪＦＥＴ領域が狭められるため、半導体装置のオン抵抗が上昇する。

そこでオン抵抗の上昇を抑えるために、装置全体をアバランシェ耐量が高い構造とするのではなく、図１４に表したように、装置の一部のみをアバランシェ耐量が高い構造とし、それ以外は通常の構造にする。このようにすれば、アバランシェ耐量とオン抵抗を両立させることが可能である。

図１６に表した構造は、半導体装置の一部のみの耐圧を下げる具体的な施策の一つを表す断面図である。すなわち、同図において、左右のＦＥＴを比較すると、左側の電界緩和領域２０の長さＬ１よりも右側の電界緩和領域２０の長さＬ２のほうが長い。このように電界緩和領域２０を長くすると、ＪＦＥＴ領域が空乏化しにくくなり、ＦＥＴのソース・ドレイン間耐圧を下げることができる。従って、このように電界緩和領域の長さが長い部分を半導体装置の中に適宜設けることにより、その部分のみの耐圧を下げることが可能となる。

以上具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、ＦＥＴを構成する半導体の各部の導電型を反転した構造についても、同様の効果を得ることができる。 その他、本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できる。

２ ｎ^＋型半導体基板
４ ｎ型エピタキシャル層
６ ｐ型ベース領域
６Ｐ 接続部
８ ソース領域
８ ｎ^＋型ソース領域
９ ｐ^＋型領域
１０ ゲート酸化膜
１２ ゲート電極
１３ 絶縁層
１４ ソース電極
１６ ドレイン電極
２０ 電界緩和領域
２４ 接続経路
２６ ｎ型拡散領域
２８ ポリシリコン
３０ 金属層
３２ ｎ型拡散層
３４、３６ ｎ^＋型領域
１０２ ｎ^＋型基板
１０４ ｎ型半導体領域
１０６ ｐ型ベース領域
１０８ ｎ^＋型ソース領域
１１０ ゲート酸化膜
１１２ ゲート電極
１１４ ソース電極
１１６ ドレイン電極

Claims (6)

1. 第１導電型の半導体層と、
   前記半導体層の表面に選択的に形成された第２導電型の一対のベース領域と、
   前記一対のベース領域のそれぞれにおいてベース領域内の表面に選択的に形成された第１導電型のソース領域と、
   前記半導体層の表面において前記一対のベース領域の間に選択的に形成され、４×１０ ^１２ ｃｍ ^−２ 以上の正味のドーズ量または１×１０ ^１７ ｃｍ ^−３ 以上の不純物濃度を有し、前記半導体層と前記ソース領域との間に電圧が印加されたときに完全には空乏化しない第２導電型の電界緩和領域と、
   前記電界緩和領域と前記ベース領域との間に形成され、前記半導体層よりも高い不純物濃度を有する第１導電型の半導体領域と、
   前記ソース領域のそれぞれと前記電界緩和領域との間の前記ベース領域の表面にゲート絶縁膜を介してそれぞれ設けられた一対のゲート電極と、
   前記ソース領域に接続されたソース電極と、
   を備えたことを特徴とする半導体装置。
2. 前記電界緩和領域は、前記ゲート電極及び前記ソース電極のいずれに対しても絶縁膜を介して絶縁されてなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 前記ベース領域は、前記電界緩和領域に向けて延出した接続部を有し、
   前記電界緩和領域は、前記接続部において前記ベース領域と接続されてなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記一対のゲート電極は、前記ベース領域の表面において略平行な一対のストライプ状に形成され、これら一対のストライプ状のゲート電極は、ハシゴ状に互いに接続されてなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置。
5. 前記半導体層の前記表面からみた前記電界緩和領域の深さは、前記ベース領域の深さよりも浅いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置。
6. 第２導電型の不純物を含有したポリシリコン層が前記電界緩和領域の表面に接触して設けられたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置。

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