JP4754919B2 - Oxynitride phosphor and method for producing the same - Google Patents
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Description
本発明は、希土類元素で光学的に活性化させた酸窒化物系蛍光体に関する。さらに詳しくは、青色発光ダイオード(青色ＬＥＤ)または紫外発光ダイオード(紫外ＬＥＤ)を光源とする白色発光ダイオード(白色ＬＥＤ)の高輝度化を可能とする酸窒化物系蛍光体に関する。 The present invention relates to an oxynitride phosphor optically activated with a rare earth element. More specifically, the present invention relates to an oxynitride phosphor that can increase the luminance of a white light emitting diode (white LED) using a blue light emitting diode (blue LED) or an ultraviolet light emitting diode (ultraviolet LED) as a light source.
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、ｐ型半導体とｎ型半導体とを接合した半導体固体発光素子である。ＬＥＤは、長寿命、優れた耐衝撃性、低消費電力、高信頼性等の長所を有し、しかも小型化、薄型化及び軽量化が可能であることから、各種機器の光源として用いられている。特に、白色ＬＥＤは、信頼性が要求される防災照明、小型化・軽量化が好まれる車載照明や液晶バックライト、視認性を必要とする駅の行き先案内板等に使用されており、また、一般家庭の室内照明への応用も期待されている。
直接遷移型半導体からなるｐ−ｎ接合の順方向に電流を流すと、電子と正孔が再結合し、半導体の禁制帯幅に対応するピーク波長を有する光が放出される。ＬＥＤの発光スペクトルは、一般にピーク波長の半値幅が狭いので、白色ＬＥＤの発光色は、専ら光の混色に関する原理によって得られている。
A light emitting diode (LED) is a semiconductor solid state light emitting device in which a p-type semiconductor and an n-type semiconductor are joined. LEDs have advantages such as long life, excellent impact resistance, low power consumption, high reliability, and can be reduced in size, thickness, and weight, so they are used as light sources for various devices. Yes. In particular, white LEDs are used for disaster prevention lighting that requires reliability, in-vehicle lighting and liquid crystal backlights that are favored for miniaturization and weight reduction, destination information guides for stations that require visibility, etc. Application to indoor lighting in general homes is also expected.
When a current is passed in the forward direction of a pn junction made of a direct transition type semiconductor, electrons and holes are recombined, and light having a peak wavelength corresponding to the forbidden band width of the semiconductor is emitted. Since the emission spectrum of an LED generally has a narrow peak wavelength half-value width, the emission color of a white LED is obtained exclusively by the principle of color mixing.
白色を得る方法としては、具体的には、
（１）光の三原色である赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）をそれぞれ放出する三種類のＬＥＤ を組み合わせ、これらのＬＥＤ光を混ぜる方法、
（２）紫外線を放出する紫外ＬＥＤと、その紫外線によって励起され、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の蛍光を放出する三種類の蛍光体とを組み合わせ、蛍光体から放出される三色の蛍光を混ぜる方法、
（３）青色光を放出する青色ＬＥＤと、その青色光によって励起され、青色光と補色の関係にある黄色の蛍光を放出する蛍光体とを組み合わせ、青色のＬＥＤ光と、蛍光体から放出される黄色光とを混ぜる方法、
等が知られている。
As a method of obtaining white, specifically,
(1) A method of combining three kinds of LEDs each emitting red (R), green (G) and blue (B), which are the three primary colors of light, and mixing these LED lights,
(2) An ultraviolet LED that emits ultraviolet rays and three types of phosphors that are excited by the ultraviolet rays and emit red (R), green (G), and blue (B) fluorescence, are combined and emitted from the phosphor. To mix the three colors of fluorescence,
(3) A blue LED that emits blue light and a phosphor that is excited by the blue light and emits yellow fluorescence that is complementary to the blue light are combined, and the blue LED light is emitted from the phosphor. How to mix with yellow light,
Etc. are known.
複数個のＬＥＤを用いて所定の発光色を得る方法は、各色のバランスをとるために、各ＬＥＤの電流を調節するための特別の回路が必要となる。これに対し、ＬＥＤと蛍光体とを組み合わせて所定の発光色を得る方法は、このような回路が不要であり、ＬＥＤを低コスト化できるという利点がある。そのため、ＬＥＤを光源とするこの種の蛍光体について、従来から種々の提案がなされている。
例えば、（Y 、Gd）3（Al、Ga）5Ｏ12の組成式で表されるＹＡＧ系酸化物母体結晶中にCeをドープしたＹＡＧ蛍光体が開示されている（非特許文献１参照）。同文献には、InGaN系青色ＬＥＤチップの表面にＹＡＧ蛍光体を薄くコーティングすることによって、青色ＬＥＤから放出される青色光と、この青色光によって励起されたＹＡＧ蛍光体から放出されるピーク波長５５０ｎｍの蛍光とが混ざり、白色光が得られる点が記載されている。
The method of obtaining a predetermined emission color using a plurality of LEDs requires a special circuit for adjusting the current of each LED in order to balance each color. On the other hand, the method of obtaining a predetermined emission color by combining the LED and the phosphor does not require such a circuit and has an advantage that the cost of the LED can be reduced. Therefore, various proposals have conventionally been made for this type of phosphor using an LED as a light source.
For example, there is disclosed a YAG phosphor in which Ce is doped in a YAG-based oxide base crystal represented by a composition formula of (Y, Gd) 3 (Al, Ga) 5 O 12 (see Non-Patent Document 1). . In this document, the surface of an InGaN blue LED chip is thinly coated with a YAG phosphor, whereby blue light emitted from the blue LED and a
また、紫外線を発光することができる窒化物系化合物半導体などの発光素子と、紫外線励起され発光する蛍光体を組み合わせた白色ＬＥＤが開示されている。ここで用いられる蛍光体としては、発光色が青色の（Sr、Ca、Ba）10（PO4）6Cl2：Eu、緑色の３（Ba、Mg、Mn）O・８Al2O3：Eu、赤色のY2O2S：Euが開示されている（特許文献１参照）。
既存の蛍光体は、一般に、励起波長が近紫外域を越えると、スペクトル強度が著しく減少するという欠点を有している。
また、InGaN系の青色ＬＥＤのチップ表面にＹＡＧ系酸化物からなる蛍光体をコーティングして得られる白色ＬＥＤは、蛍光体であるＹＡＧ系酸化物の励起エネルギーと、光源の青色ＬＥＤの励起エネルギーとが一致せず、励起エネルギーが効率よく変換されないため、高輝度の白色ＬＥＤを作成することは難しいとされていた。
更に、紫外線を発光することができる窒化物系化合物半導体などの発光素子と、紫外線励起され発光する蛍光体を組み合わせて白色ＬＥＤとした場合、赤色成分の蛍光体の発光効率が他の蛍光体よりもかなり低いために混合割合が多くなるといった問題があり、高輝度の白色が得ることは難しいとされていた。
本発明は、青色発光ダイオード（青色ＬＥＤ）または紫外発光ダイオード(紫外ＬＥＤ)を光源とする白色発光ダイオード(白色ＬＥＤ)の高輝度化を可能とする酸窒化物系蛍光体およびそれを用いた発光装置を提供することを目的とする。
Existing phosphors generally have the disadvantage that the spectral intensity is significantly reduced when the excitation wavelength exceeds the near ultraviolet region.
In addition, a white LED obtained by coating a phosphor surface made of a YAG-based oxide on the surface of an InGaN-based blue LED chip has an excitation energy of a YAG-based oxide that is a phosphor and an excitation energy of a blue LED as a light source. Since the excitation energy is not converted efficiently, it has been considered difficult to produce a high-intensity white LED.
Furthermore, when a light emitting element such as a nitride compound semiconductor capable of emitting ultraviolet light and a phosphor that emits light when excited by ultraviolet light are combined to form a white LED, the luminous efficiency of the red component phosphor is higher than that of other phosphors. However, since the mixing ratio is too high, it has been considered difficult to obtain a high brightness white color.
The present invention relates to an oxynitride phosphor capable of increasing the brightness of a white light emitting diode (white LED) using a blue light emitting diode (blue LED) or an ultraviolet light emitting diode (ultraviolet LED) as a light source, and light emission using the same. An object is to provide an apparatus.
本発明者は、上記目的達成のために鋭意検討した結果、一般式M2Si3N2O5で示されるMの一部をEuで置換したものからなる酸窒化物系蛍光体（ただし、Mは、Be、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれた一種または二種以上の元素である）が、紫外〜近紫外〜可視光にわたる広範囲の強い吸収帯を有することを見出し、また、本発明の蛍光体を用いた白色ＬＥＤは優れた発光特性を有することを新たに見出し本発明を完成させるに至った。 As a result of intensive studies for achieving the above-mentioned object, the present inventor has obtained an oxynitride phosphor comprising a part of M represented by the general formula M 2 Si 3 N 2 O 5 substituted with Eu (however, M is one or more elements selected from Be, Mg, Ca, Sr, and Ba) and has a wide absorption band ranging from ultraviolet to near ultraviolet to visible light. The inventors have newly found that a white LED using the phosphor of the invention has excellent light emission characteristics and have completed the present invention.
即ち、本発明は以下の各項の発明からなる。
（１）一般式M2Si3N2O5で示されるMの一部をEuで置換したものからなる酸窒化物系蛍光体（ただし、Mは、Be、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれた一種または二種以上の元素である）。
（２）Eu／Ｍの元素比が０．０１〜５０at％であることを特徴とする上記（１）に記載の酸窒化物系蛍光体。
（３）平均粒子径が50μｍ以下であることを特徴とする上記（１）〜（２）のいずれかに記載の酸窒化物系蛍光体。
That is, the present invention comprises the inventions of the following items.
(1) An oxynitride phosphor comprising a part of M represented by the general formula M 2 Si 3 N 2 O 5 substituted with Eu (where M is from Be, Mg, Ca, Sr, Ba) One or more selected elements).
(2) The oxynitride phosphor according to (1) above, wherein an element ratio of Eu / M is 0.01 to 50 at%.
(3) The oxynitride phosphor according to any one of (1) to (2) above, wherein the average particle size is 50 μm or less.
（４）２価のユーロピウムの割合が、５０％以上であることを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載の酸窒化物系蛍光体。
（５）２価のユーロピウムの割合が、８０％以上であることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載の酸窒化物系蛍光体。
（６）Be、Mg、Ca、Sr、Ba及びEuの酸化物或いは加熱により酸化物を形成するBe、Mg、Ca、Sr、Ba及びEuの化合物と、窒化珪素或いは加熱により窒化珪素を形成する化合物と、酸化珪素或いは加熱により酸化珪素を形成する化合物とを混合し、真空もしくは非酸化性雰囲気中１２００〜１９００℃で焼成することを特徴とする上記（１）〜（５）に記載の酸窒化物系蛍光体の製造法。
(4) The oxynitride phosphor according to any one of (1) to (3) above, wherein the proportion of divalent europium is 50% or more.
(5) The oxynitride phosphor according to any one of (1) to (4) above, wherein the proportion of divalent europium is 80% or more.
(6) Be, Mg, Ca, Sr, Ba and Eu oxides or oxides formed by heating and Be, Mg, Ca, Sr, Ba and Eu compounds and silicon nitride or silicon nitride by heating The acid according to (1) to (5) above, wherein the compound and silicon oxide or a compound that forms silicon oxide by heating are mixed and fired at 1200 to 1900 ° C. in a vacuum or non-oxidizing atmosphere. A method for producing a nitride-based phosphor.
（７）Be、Mg、Ca、Sr、Ba及びEuの酸化物或いは加熱により酸化物を形成するBe、Mg、Ca、Sr、Ba及びEuの化合物と、窒化珪素或いは加熱により窒化珪素を形成する化合物と、酸化珪素或いは加熱により酸化珪素を形成する化合物とを混合し、炭素若しくは炭素含有化合物の共存下、真空もしくは非酸化性雰囲気中１２００〜１９００℃で焼成することを特徴とする上記（１）〜（５）に記載の酸窒化物系蛍光体の製造法。
（８）Be、Mg、Ca、Sr、Ba及びEuの酸化物或いは加熱により酸化物を形成するBe、Mg、Ca、Sr、Ba及びEuの化合物と、窒化珪素或いは加熱により窒化珪素を形成する化合物と、酸化珪素或いは加熱により酸化珪素を形成する化合物と、種子として予め合成した酸窒化物系蛍光体粉末とを混合し、真空もしくは非酸化性雰囲気中１２００〜１９００℃で焼成することを特徴とする上記（１）〜（５）のいずれかに記載の酸窒化物系蛍光体の製造法。
(7) Be, Mg, Ca, Sr, Ba and Eu oxides or oxides formed by heating with Be, Mg, Ca, Sr, Ba and Eu compounds and silicon nitride or silicon nitride by heating A compound and silicon oxide or a compound that forms silicon oxide by heating are mixed and fired at 1200 to 1900 ° C. in a vacuum or non-oxidizing atmosphere in the presence of carbon or a carbon-containing compound (1 )-(5) The manufacturing method of the oxynitride type fluorescent substance.
(8) Be, Mg, Ca, Sr, Ba and Eu oxides or oxides formed by heating and Be, Mg, Ca, Sr, Ba and Eu compounds and silicon nitride or silicon nitride by heating A compound, silicon oxide or a compound that forms silicon oxide by heating, and an oxynitride phosphor powder synthesized in advance as seeds are mixed and fired at 1200 to 1900 ° C. in a vacuum or non-oxidizing atmosphere. The method for producing an oxynitride phosphor according to any one of (1) to (5) above.
（９）Be、Mg、Ca、Sr、Ba及びEuの酸化物或いは加熱により酸化物を形成するBe、Mg、Ca、Sr、Ba及びEuの化合物と、窒化珪素或いは加熱により窒化珪素を形成する化合物と、酸化珪素或いは加熱により酸化珪素を形成する化合物と、種子として予め合成した酸窒化物系蛍光体粉末とを混合し、炭素若しくは炭素含有化合物の共存下、真空もしくは非酸化性雰囲気中１２００〜１９００℃で焼成することを特徴とする上記（１）〜（５）のいずれかに記載の酸窒化物系蛍光体の製造法。
（１０）上記（１）〜（５）のいずれかに記載の酸窒化物系蛍光体と発光素子を組み合わせた発光装置。
（１１）発光素子が窒化物系半導体発光素子であり、発光素子の発光波長が２５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることを特徴とする上記（１０）に記載の発光装置。
(9) Be, Mg, Ca, Sr, Ba and Eu oxides or oxides formed by heating with Be, Mg, Ca, Sr, Ba and Eu compounds and silicon nitride or silicon nitride by heating A compound, silicon oxide or a compound that forms silicon oxide by heating, and an oxynitride phosphor powder synthesized in advance as seeds are mixed, and in a vacuum or non-oxidizing atmosphere 1200 in the presence of carbon or a carbon-containing compound. The method for producing an oxynitride phosphor according to any one of the above (1) to (5), characterized by firing at ˜1900 ° C.
(10) A light emitting device in which the oxynitride phosphor according to any one of (1) to (5) above and a light emitting element are combined.
(11) The light emitting device according to (10), wherein the light emitting element is a nitride semiconductor light emitting element, and the light emission wavelength of the light emitting element is in the range of 250 nm to 500 nm.
本発明の蛍光体は、紫外〜近紫外〜可視光にわたる広範囲の吸収帯を有することから、紫外ＬＥＤや青色ＬＥＤを用いた白色ＬＥＤ用途に有効に適用することができる。また、吸収帯が強いことから、白色ＬＥＤの輝度を向上させることができる。 Since the phosphor of the present invention has a wide absorption band ranging from ultraviolet light to near ultraviolet light to visible light, it can be effectively applied to white LED applications using ultraviolet LEDs and blue LEDs. Moreover, since the absorption band is strong, the brightness | luminance of white LED can be improved.
本発明の酸窒化物蛍光体は、前述の通り一般式M2Si3N2O5で示される母体結晶を構成するMの一部をEuで置換したものからなる酸窒化物系蛍光体（ただし、Mは、Be、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれた一種または２種以上の金属）であって、母体結晶として、Be2Si3N2O5、Mg2Si3N2O5、Ca2Si3N2O5、Sr2Si3N2O5、Ba2Si3N2O5、 Bea、Mgb、Cac、Srd、Bae)2Si3N2O5(a+b+c+d+e=1、0≦a＜1、 0≦b＜1、 0≦c＜１、 0≦d＜1、 0≦e＜1)などが例示可能であるが、好ましくはMg2Si3N2O5、 Ca2Si3N2O5、 Sr2Si3N2O5、 Ba2Si3N2O5、(Mga、Cab、Src、Bad) 2Si3N2O5(a+b+c+d=1、 0≦a＜1、 0≦b＜1、 0 ≦c＜1、 0≦d＜1)である。
Euの置換量は、金属Mに対し、０．０１〜５０at％（原子％）が好ましい。また、平均粒径は、５０μｍ以下が好ましい。
As described above, the oxynitride phosphor of the present invention is an oxynitride phosphor comprising a part of M constituting the base crystal represented by the general formula M 2 Si 3 N 2 O 5 substituted with Eu ( However, M is one or two or more metals selected from Be, Mg, Ca, Sr, and Ba), and Be 2 Si 3 N 2 O 5 , Mg 2 Si 3 N 2 O is used as a base crystal. 5 , Ca 2 Si 3 N 2 O 5 , Sr 2 Si 3 N 2 O 5 , Ba 2 Si 3 N 2 O 5 , Be a , Mg b , Ca c , Sr d , Ba e ) 2 Si 3 N 2 O 5 (a + b + c + d + e = 1, 0 ≦ a <1, 0 ≦ b <1, 0 ≦ c <1, 0 ≦ d <1, 0 ≦ e <1) Is preferably Mg 2 Si 3 N 2 O 5 , Ca 2 Si 3 N 2 O 5 , Sr 2 Si 3 N 2 O 5 , Ba 2 Si 3 N 2 O 5 , (Mg a , Ca b , Sr c , Ba d ) 2 Si 3 N 2 O 5 (a + b + c + d = 1, 0 ≦ a <1, 0 ≦ b <1, 0 ≦ c <1, 0 ≦ d <1).
The substitution amount of Eu is preferably 0.01 to 50 at% (atomic%) with respect to the metal M. The average particle size is preferably 50 μm or less.
本発明の酸窒化物蛍光体は次のようにして得ることができる。
酸窒化物系蛍光体の原料化合物としては、例えば、Be、Mg、Ca、Sr、Baからなる群より選ばれる一種以上の酸化物あるいは、Be、Mg、Ca、Sr、Baからなる群より選ばれる一種以上の化合物であって加熱により酸化物を形成するものを使用することができる。具体的には、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、炭酸ベリリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、炭酸バリウム、水酸化ベリリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化ストロンチウム、水酸化バリウム、蓚酸ベリリウム、蓚酸マグネシウム、蓚酸カルシウム、蓚酸ストロンチウム、蓚酸バリウム、硫酸ベリリウム、硫酸マグネシウム、硫酸カルシウム、硫酸ストロンチウム、硫酸バリウム、硝酸ベリリウム、硝酸マグネシウム、硝酸カルシウム、硝酸ストロンチウム、硝酸バリウム、酢酸ベリリウム、酢酸マグネシウム、酢酸カルシウム、酢酸ストロンチウム、酢酸バリウム、ジメトキシベリリウム、ジメトキシマグネシウム、ジメトキシカルシウム、ジメトキシストロンチウム、ジメトキシバリウム、ジエトキシベリリウム、ジエトキシマグネシウム、ジエトキシカルシウム、ジエトキシストロンチウム、ジエトキシバリウム、ジプロポキシベリリウム、ジプロポキシマグネシウム、ジプロポキシカルシウム、ジプロポキシストロンチウム、ジプロポキシバリウム、ジブトキシベリリウム、ジブトキシマグネシウム、ジブトキシカルシウム、ジブトキシストロンチウム、ジブトキシバリウム、ビス（ジピバロイルメタナト）ベリリウム、ビス（ジピバロイルメタナト）マグネシウム、ビス（ジピバロイルメタナト）カルシウム、ビス（ジピバロイルメタナト）ストロンチウム、ビス（ジピバロイルメタナト）バリウム、などから１種以上を選択して使用することが可能であり、２種以上の混合物、複合酸化物、固溶体、混晶なども使用できる。
The oxynitride phosphor of the present invention can be obtained as follows.
The raw material compound of the oxynitride phosphor is, for example, one or more oxides selected from the group consisting of Be, Mg, Ca, Sr, and Ba, or selected from the group consisting of Be, Mg, Ca, Sr, and Ba One or more compounds that form an oxide by heating can be used. Specifically, beryllium oxide, magnesium oxide, calcium oxide, strontium oxide, barium oxide, beryllium carbonate, magnesium carbonate, calcium carbonate, strontium carbonate, barium carbonate, beryllium hydroxide, magnesium hydroxide, calcium hydroxide, strontium hydroxide , Barium hydroxide, beryllium oxalate, magnesium oxalate, calcium oxalate, strontium oxalate, barium oxalate, beryllium sulfate, magnesium sulfate, calcium sulfate, strontium sulfate, barium sulfate, beryllium nitrate, magnesium nitrate, calcium nitrate, strontium nitrate, barium nitrate, Beryllium acetate, magnesium acetate, calcium acetate, strontium acetate, barium acetate, dimethoxyberyllium, dimethoxymagnesium, dimethoxy Lucium, dimethoxystrontium, dimethoxybarium, diethoxyberyllium, diethoxymagnesium, diethoxycalcium, diethoxystrontium, diethoxybarium, dipropoxyberyllium, dipropoxymagnesium, dipropoxycalcium, dipropoxystrontium, dipropoxybarium, dibutoxy Beryllium, dibutoxymagnesium, dibutoxycalcium, dibutoxystrontium, dibutoxybarium, bis (dipivaloylmethanato) beryllium, bis (dipivaloylmethanato) magnesium, bis (dipivaloylmethanato) calcium, bis ( One or more selected from dipivaloylmethanato) strontium, bis (dipivaloylmethanato) barium, etc. can be used, Mixtures of more species, complex oxides, solid solutions, mixed crystals or the like can be used.
これらの化合物で好ましいものは、炭酸塩若しくは水酸化物である。特に好ましいものは、炭酸塩である。
また、Euの原料化合物としては、酸化物或いは加熱により酸化物を形成する化合物が使用可能である。例えば、酸化ユーロピウム、炭酸ユーロピウム、水酸化ユーロピウム、蓚酸ユーロピウム、硫酸ユーロピウム、硝酸ユーロピウム、酢酸ユーロピウム、トリメトキシユーロピウム、トリエトキシユーロピウム、トリプロポキシユーロピウム、トリブトキシユーロピウム、などから１種以上を選択して使用することが可能であり、２種以上の混合物、複合酸化物、固溶体、混晶なども使用できる。
また、酸化珪素の原料化合物としては、酸化珪素或いは加熱により酸化珪素を形成する化合物が使用可能である。例えば、二酸化珪素、一酸化珪素、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、などから１種以上を選択して使用することが可能であり、２種以上の混合物、固溶体、混晶なども使用できる。
Preferred among these compounds are carbonates or hydroxides. Particularly preferred is carbonate.
As the Eu raw material compound, an oxide or a compound that forms an oxide by heating can be used. For example, one or more selected from europium oxide, europium carbonate, europium hydroxide, europium oxalate, europium sulfate, europium nitrate, europium acetate, trimethoxy europium, triethoxy europium, tripropoxy europium, tributoxy europium, etc. Two or more kinds of mixtures, composite oxides, solid solutions, mixed crystals and the like can also be used.
Moreover, as a raw material compound of silicon oxide, silicon oxide or a compound that forms silicon oxide by heating can be used. For example, one or more selected from silicon dioxide, silicon monoxide, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrapropoxysilane, tetrabutoxysilane, tris (dimethylamino) silane, and the like can be used. Mixtures, solid solutions, mixed crystals, etc. of seeds or more can also be used.
また、窒化珪素の原料化合物としては、窒化珪素或いは加熱により窒化珪素を形成する化合物が使用可能である。例えば、シリコンジイミド、ポリシラザンなどから１種以上を選択して使用することが可能である。更に、珪素、二酸化珪素、一酸化珪素、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、から選ばれる一種以上の化合物に、必要により炭素若しくは加熱により炭素を形成する化合物とを混合し、窒素若しくは窒素含有非酸化性雰囲気中で加熱しても、同様の結果を得ることが出来る。これらの原料のうち、固体であるものは、粉末状態であることが好ましい。粒度は特に限定されないが、微細原料の方が反応性に優れるため、好ましい。純度は、90％以上であることが好ましい。 As the silicon nitride raw material compound, silicon nitride or a compound that forms silicon nitride by heating can be used. For example, it is possible to use one or more selected from silicon diimide, polysilazane and the like. Furthermore, one or more compounds selected from silicon, silicon dioxide, silicon monoxide, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrapropoxysilane, tetrabutoxysilane, and tris (dimethylamino) silane are added to carbon or carbon by heating as necessary. A similar result can be obtained by mixing with a compound that forms, and heating in nitrogen or a nitrogen-containing non-oxidizing atmosphere. Among these raw materials, those that are solid are preferably in a powder state. The particle size is not particularly limited, but a fine raw material is preferable because it is excellent in reactivity. The purity is preferably 90% or more.
酸窒化物蛍光体の製造方法は、特に限定されず、固相法、液相法、気相法のいずれも採用可能であるが、固相法の場合には、以下のような方法が例示できる。
まず、原料化合物を、焼成後にM2Si3N2O5の組成になるように秤取して混合する。混合は、ボールミル、を用いることが出来る。ボールミル混合を行う場合は、乾式でも混合可能だが、エタノール、アセトン、水等を用いた湿式混合を行うことも出来る。原料粉末の反応性を高めるためには、湿式混合が望ましい。湿式混合を行う場合は、得られた混合スラリーを乾燥した後、必要に応じて解砕する。
ここで、必要に応じて該原料化合物にフラックスを加えて混合しても良い。フラックスとしては、アルカリ金属のハロゲン化物あるいはアルカリ土類金属のハロゲン化物などが使用可能であるが、例えば、蛍光体原料１００重量部に対し、０．０１〜１重量部の範囲で添加する。
また、必要に応じて予め合成した本発明の酸窒化物系蛍光体粉末を、種子として添加し、原料化合物と共に混合しても良い。種子の添加量は、蛍光体原料１００重量部に対し、１〜５０重量部の範囲である。
The method for producing the oxynitride phosphor is not particularly limited, and any of the solid phase method, the liquid phase method, and the gas phase method can be adopted. In the case of the solid phase method, the following method is exemplified. it can.
First, raw material compounds are weighed and mixed so as to have a composition of M 2 Si 3 N 2 O 5 after firing. For the mixing, a ball mill can be used. When performing ball mill mixing, dry mixing is possible, but wet mixing using ethanol, acetone, water, or the like can also be performed. In order to increase the reactivity of the raw material powder, wet mixing is desirable. When performing wet mixing, after drying the obtained mixed slurry, it is crushed as needed.
Here, if necessary, the raw material compound may be mixed with a flux. As the flux, alkali metal halides or alkaline earth metal halides can be used. For example, the flux is added in the range of 0.01 to 1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the phosphor raw material.
Further, if necessary, the oxynitride phosphor powder of the present invention synthesized in advance may be added as a seed and mixed with the raw material compound. The amount of seed added is in the range of 1 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the phosphor material.
この原料混合物を、アルミナ、カルシア、マグネシア、黒鉛或いは窒化硼素製ルツボ等に充填し、真空若しくは非酸化性雰囲気中１２００〜１９００℃で数時間焼成する。必要に応じて、非酸化性雰囲気加圧を行っても良い。ここで非酸化性雰囲気とは、窒素、窒素―水素、アンモニア、アルゴン等である。
本発明の蛍光体中において、ユーロピウムはプラス２価の場合に良好な発光を示す。原料として用いる酸化ユーロピウムは３価であるため、焼成過程で還元する必要がある。２価と３価の割合は、２価が多いほど良く、全ユーロピウムに占める２価の割合は、５０％以上であることが好ましい。更に好ましくは、８０％以上である。本発明の蛍光体において、ユーロピウムは２価のアルカリ土類金属のサイトを置き換えて添加されるため、３価のユーロピウムが残留すると電荷のバランスが崩れ、発光強度の低下をもたらす。尚、ユーロピウムの２価と３価の割合は、メスバウアー分光法により分析することができる。
This raw material mixture is filled in an alumina, calcia, magnesia, graphite or boron nitride crucible, and fired at 1200 to 1900 ° C. for several hours in a vacuum or non-oxidizing atmosphere. If necessary, non-oxidizing atmosphere pressurization may be performed. Here, the non-oxidizing atmosphere is nitrogen, nitrogen-hydrogen, ammonia, argon or the like.
In the phosphor of the present invention, europium exhibits good light emission when it is positively divalent. Since europium oxide used as a raw material is trivalent, it must be reduced in the firing process. The ratio of divalent and trivalent is better as the divalent is higher, and the ratio of divalent to the total europium is preferably 50% or more. More preferably, it is 80% or more. In the phosphor of the present invention, europium is added by replacing the site of the divalent alkaline earth metal. Therefore, if trivalent europium remains, the balance of charges is lost and the emission intensity is reduced. The ratio of divalent and trivalent europium can be analyzed by Mossbauer spectroscopy.
また、原料混合物の焼成時には、炭素若しくは炭素含有化合物を共存させると、酸化ユーロピウムの還元が速やかに進む。ここで用いられる炭素若しくは炭素含有化合物は、無定形炭素、黒鉛、炭化珪素等であればよく、特に限定されないが、好ましくは無定形炭素、黒鉛等である。カーボンブラック、黒鉛粉末、活性炭、炭化珪素粉末等及びこれらの成型加工品、焼結体等が例示可能だが、何れも同様の効果を得ることが出来る。共存の態様としては、炭素若しくは炭素含有化合物からなるルツボとして用いる場合、炭素或いは炭素含有化合物以外の材質からなるルツボの内部あるいは外部に配置する場合、炭素若しくは炭素含有化合物からなる発熱体や断熱体として用いる場合等があるが、何れの配置方法を採用しても同様の効果を得ることが出来る。共存させる炭素若しくは炭素含有化合物は、例えば粉末状炭素を原料混合物中に含有させ、窒素雰囲気中で焼成する場合、原料混合物中の酸化ユーロピウムと等モル程度が適当である。
冷却後、必要に応じてボールミル等で分散・粉砕処理を行い、更に必要に応じて水洗処理等を施し、固液分離、乾燥・解砕・分級等の工程を経て本発明の蛍光体を得ることができる。
本発明の蛍光体は２５０ｎｍから５００ｎｍの紫外線又は可視光で効率よく励起されるため、紫外ＬＥＤや青色ＬＥＤを用いた白色ＬＥＤ用途に有効に適用することができる。
In addition, when carbon or a carbon-containing compound is allowed to coexist during firing of the raw material mixture, the reduction of europium oxide proceeds rapidly. The carbon or carbon-containing compound used here may be amorphous carbon, graphite, silicon carbide or the like, and is not particularly limited, but is preferably amorphous carbon, graphite or the like. Carbon black, graphite powder, activated carbon, silicon carbide powder, and the like, as well as these molded products, sintered bodies, and the like can be exemplified, but all can obtain the same effect. As an aspect of coexistence, when used as a crucible made of carbon or a carbon-containing compound, when placed inside or outside a crucible made of a material other than carbon or a carbon-containing compound, a heating element or a heat insulator made of carbon or a carbon-containing compound The same effect can be obtained regardless of which arrangement method is used. The coexisting carbon or carbon-containing compound is, for example, about equimolar to the europium oxide in the raw material mixture when powdered carbon is contained in the raw material mixture and calcined in a nitrogen atmosphere.
After cooling, if necessary, disperse and pulverize with a ball mill, etc., and further with water washing as necessary, and obtain the phosphor of the present invention through steps such as solid-liquid separation, drying, crushing, and classification. be able to.
Since the phosphor of the present invention is efficiently excited by ultraviolet rays or visible light of 250 to 500 nm, it can be effectively applied to white LED applications using ultraviolet LEDs or blue LEDs.
本発明の好ましい実施態様である蛍光体と２５０ｎｍから５００ｎｍの波長域に発光する半導体発光素子を組み合わせて発光装置を構成することも可能である。この場合の発光素子としてはZnSeやGaNなど種々の半導体が挙げられる。発光素子は、発光スペクトルが２５０ｎｍから５００ｎｍに発光可能なものであれば際限なく使用可能であるが、効率の点からは窒化ガリウム系化合物半導体が好ましく用いられる。発光素子はＭＯＣＶＤ法やＨＶＰＥ法等により基板上に窒化物系化合物半導体を形成させて得られ、好ましくはInαAlβGa1-α-βN（但し、０≦α、０≦β、α＋β≦１）を発光層として形成させる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やｐｎ接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルヘテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。 It is also possible to constitute a light emitting device by combining a phosphor that is a preferred embodiment of the present invention and a semiconductor light emitting element that emits light in a wavelength range of 250 nm to 500 nm. In this case, examples of the light emitting element include various semiconductors such as ZnSe and GaN. The light-emitting element can be used without limitation as long as the emission spectrum can emit light from 250 nm to 500 nm, but a gallium nitride-based compound semiconductor is preferably used from the viewpoint of efficiency. The light emitting element is obtained by forming a nitride compound semiconductor on a substrate by MOCVD method, HVPE method or the like, preferably In α Al β Ga 1-α-β N (where 0 ≦ α, 0 ≦ β, α + β ≦ 1) is formed as the light emitting layer. Examples of the semiconductor structure include a homostructure, a heterostructure, or a double heterostructure having a MIS junction, a PIN junction, a pn junction, or the like. Various emission wavelengths can be selected depending on the material of the semiconductor layer and the degree of mixed crystal. In addition, a single quantum well structure or a multiple quantum well structure in which the semiconductor active layer is formed in a thin film in which a quantum effect is generated can be used.
発光素子上に設ける上記蛍光体層は、少なくとも１種以上の蛍光体を単層又は複数層として層状に積層配置しても良いし、複数の蛍光体を単−の層内に混合して配置しても良い。上記発光素子上に蛍光体層を設ける形態としては、発光素子の表面を被覆するコーティング部材に蛍光体を混合する形態、モールド部材に蛍光体を混合する形態、或いはモールド部材に被せる被覆体に蛍光体を混合する形態、更にはＬＥＤランプの投光側前方に蛍光体を混合した透光可能なプレートを配置する形態等が挙げられる。
又、上記蛍光体は発光素子上のモールド部材に少なくとも１種以上の蛍光体を添加しても良い。更に、上記蛍光体の１種以上の蛍光体層を、発光ダイオードの外側に設けても良い。発光ダイオードの外側に設ける形態としては、発光ダイオードのモールド部材の外側表面に蛍光体を層状に塗布する形態、或いは蛍光体をゴム、樹脂、エラストマー、低融点ガラス等に分散させた成形体（例えばキャップ状）を作製し、これをＬＥＤに被覆する形態、又は前記成形体を平板状に加工し、これをＬＥＤの前方に配置する形態等が挙げられる。
The phosphor layer provided on the light emitting element may be arranged by laminating at least one or more kinds of phosphors as a single layer or a plurality of layers, or a mixture of a plurality of phosphors in a single layer. You may do it. As a form of providing the phosphor layer on the light emitting element, a form in which the phosphor is mixed with a coating member that covers the surface of the light emitting element, a form in which the phosphor is mixed with the mold member, or a fluorescent substance is applied to the covering on the mold member. The form which mixes a body, Furthermore, the form which arrange | positions the translucent plate which mixed the fluorescent substance in the light emission side front of an LED lamp, etc. are mentioned.
The phosphor may be added with at least one kind of phosphor to a mold member on the light emitting element. Further, one or more phosphor layers of the above phosphors may be provided outside the light emitting diode. As a form to be provided outside the light emitting diode, a form in which the phosphor is applied in a layered manner on the outer surface of the mold member of the light emitting diode, or a molded body in which the phosphor is dispersed in rubber, resin, elastomer, low melting point glass, etc. (Cap shape) and the form which coat | covers this to LED, or the form which processes the said molded object into flat form, and arranges this in front of LED etc. are mentioned.
また、モールド部材等に、酸化チタン、窒化チタン、窒化タンタル、酸化アルミニウム、酸化珪素、チタン酸バリウム、酸化ゲルマニウム、雲母、六方晶窒化ホウ素或いは酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素、チタン酸バリウム、酸化ゲルマニウム、六方晶窒化ホウ素等の白色粉末で被覆した雲母、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素、チタン酸バリウム、酸化ゲルマニウム等の白色粉末で被覆した六方晶窒化ホウ素等の拡散剤を含有させることもできる。 In addition, for mold members, etc., titanium oxide, titanium nitride, tantalum nitride, aluminum oxide, silicon oxide, barium titanate, germanium oxide, mica, hexagonal boron nitride or titanium oxide, aluminum oxide, silicon oxide, barium titanate, oxide A diffusing agent such as hexagonal boron nitride coated with white powder such as mica, titanium oxide, aluminum oxide, silicon oxide, barium titanate, germanium oxide coated with white powder such as germanium and hexagonal boron nitride may be included. it can.
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は具体的実施例のみに限定されるものではない。尚、以下の実施例では発光スペクトルは、日本分光株式会社製ＦＰ−６５００を用いて測定した。
［実施例１］蛍光体構成原料として、酸化ユーロピウム粉末を4.78ｇと、酸化珪素粉末を24.49gと、窒化珪素粉末を19.06ｇと、炭酸カルシウム粉末を51.67ｇとを正確に秤量し、これをボールミルを使用して均一に混合して原料混合体とした。次に、得られた原料混合体を、黒鉛製坩堝に入れ窒素気流中１５００℃の温度で６時間焼成した。得られた焼成物をボールミルにより細かく粉砕・分級し、平均粒径４．５μｍの蛍光体とした。この蛍光体を電子線マイクロアナライザーで調べたところ、Ca1.9Eu0.1Si3N2O5であることが確認された。同蛍光体を380ｎｍ励起下で発光させたところ、黄色発光が認められた。この蛍光体の発光スペクトルを図１に示す。図１は横軸が蛍光体の発光波長（ｎｍ）、縦軸は発光スペクトルの強度（任意スケール）である。
Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to specific examples. In the following examples, the emission spectrum was measured using FP-6500 manufactured by JASCO Corporation.
[Example 1] As a phosphor constituting raw material, 4.78 g of europium oxide powder, 24.49 g of silicon oxide powder, 19.06 g of silicon nitride powder, and 51.67 g of calcium carbonate powder were accurately weighed. A raw material mixture was obtained by uniformly mixing using a ball mill. Next, the obtained raw material mixture was put in a graphite crucible and fired at a temperature of 1500 ° C. for 6 hours in a nitrogen stream. The obtained fired product was finely pulverized and classified by a ball mill to obtain a phosphor having an average particle size of 4.5 μm. When this phosphor was examined with an electron beam microanalyzer, it was confirmed to be Ca 1.9 Eu 0.1 Si 3 N 2 O 5 . When the phosphor was allowed to emit light under excitation at 380 nm, yellow light emission was observed. The emission spectrum of this phosphor is shown in FIG. In FIG. 1, the horizontal axis represents the emission wavelength (nm) of the phosphor, and the vertical axis represents the emission spectrum intensity (arbitrary scale).
［実施例２］実施例１で得られた蛍光体を450ｎｍ励起下で発光させたところ、黄色発光が認められた。この蛍光体の発光スペクトルを図１に示す。 [Example 2] When the phosphor obtained in Example 1 was made to emit light under excitation at 450 nm, yellow light emission was observed. The emission spectrum of this phosphor is shown in FIG.
［実施例３］実施例１で得られた蛍光体をシリコーンゴムに２０質量％混合し、これを加熱プレス機を用いてキャップ状に成型した。これを、発光波長が３８０ｎｍの近紫外線ＬＥＤの外側に被覆し、発光させたところ、黄色発光が認められた。また、温度６０℃、９０％ＲＨ（Relative Humidity）下で５００時間点灯後においても蛍光体に起因する変化は認められなかった。 [Example 3] The phosphor obtained in Example 1 was mixed with silicone rubber in an amount of 20% by mass, and this was molded into a cap using a heating press. When this was coated on the outside of a near-ultraviolet LED having an emission wavelength of 380 nm and allowed to emit light, yellow light emission was observed. Further, no change due to the phosphor was observed even after lighting for 500 hours at a temperature of 60 ° C. and 90% RH (Relative Humidity).
［実施例４］実施例１で得られた蛍光体と、青色発光蛍光体としてSr5（PO4）3Cl：Euとをシリコーンゴムに前記順に6.1質量％、８．８質量％混合し、380ｎｍ近紫外線発光素子上にマウントして作製した白色ＬＥＤと、赤色発光蛍光体としてY2O2S：Eu、青色発光蛍光体としてSr5（PO4）3Cl：Eu]と、緑色発光蛍光体としてBaMg2Al16O27：Eu、Mnとをシリコーンゴムに前記順に４５．８質量％、３．８質量％、３．４質量％混合し、３８０ｎｍ近紫外線発光素子上にマウントして作製した白色ＬＥＤとを比較したところ、実施例１で得られた蛍光体と、青色発光蛍光体としてSr5（PO4）3Cl：Euと用いた場合の方が1.8倍の輝度を持つ白色光が得られた。 [Example 4] The phosphor obtained in Example 1 and Sr 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu as a blue light-emitting phosphor were mixed with silicone rubber in the order of 6.1% by mass and 8.8% by mass, respectively. A white LED mounted on a 380 nm near-ultraviolet light-emitting element, Y 2 O 2 S: Eu as a red-emitting phosphor, Sr 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu] as a blue-emitting phosphor, and green-emitting fluorescence BaMg 2 Al 16 O 27 : Eu, Mn as a body is mixed with silicone rubber in the order of 45.8% by mass, 3.8% by mass, 3.4% by mass, and mounted on a 380 nm near ultraviolet light emitting device. When comparing the phosphor obtained in Example 1 with the phosphor obtained in Example 1 and Sr 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu as the blue light-emitting phosphor, white light having a brightness of 1.8 times is obtained. was gotten.
［実施例５］実施例１で得られた蛍光体をエポキシ樹脂に9.3質量％混合し、４５０ｎｍ青色発光素子上にマウントして白色ＬＥＤを作製したところ、得られた白色光の発光効率は33（ｌｍ／Ｗ）だった。 [Example 5] The phosphor obtained in Example 1 was mixed in an epoxy resin at 9.3% by mass and mounted on a 450 nm blue light emitting device to produce a white LED. The resulting white light emission efficiency was 33. (Lm / W).
本発明の蛍光体を青色発光ダイオード等と組み合わせて、白色光とすることができ、照明用光源や表示用光源として利用することができる。 The phosphor of the present invention can be combined with a blue light emitting diode or the like to produce white light, and can be used as an illumination light source or a display light source.
Claims (11)
The light emitting device according to claim 10, wherein the light emitting element is a nitride semiconductor light emitting element, and the light emission wavelength of the light emitting element is in a range of 250 nm to 500 nm.
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