JP4742626B2 - LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME - Google Patents

LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME Download PDF

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Description

本発明は、例えば有機ＥＬ装置等の発光装置、及びそのような発光装置を備えた電子機器の技術分野に関する。   The present invention relates to a technical field of a light emitting device such as an organic EL device, and an electronic apparatus including such a light emitting device.

この種の発光装置では、装置性能及び信頼性を高めるために各種技術開発が行われている（例えば、特許文献１乃至４参照。）。また、有機ＥＬ素子等の発光素子を含めた電子素子については、機械的応力の低減或いは装置の小型化の観点から各種素子構造が提案されている（例えば、特許文献５乃至７参照。）。   In this type of light emitting device, various technical developments have been made to improve device performance and reliability (see, for example, Patent Documents 1 to 4). As for electronic elements including light-emitting elements such as organic EL elements, various element structures have been proposed from the viewpoint of reducing mechanical stress or downsizing the apparatus (see, for example, Patent Documents 5 to 7).

特許第２７７３７４２号公報Japanese Patent No. 2773742 特開２００３−５７５５９号公報JP 2003-57559 A 特開２００３−２４９３７５号公報JP 2003-249375 A 特表２００３−５０４８９４号公報Special table 2003-504894 gazette 特開平１１−３０７２４１号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-307241 特表２００３−５０４６７６号公報JP-T-2003-504676 特開２００３−５１３８３号公報JP 2003-51383 A

この種の発光装置を長時間動作させた場合、或いは高温で動作させた場合に有機ＥＬ素子の輝度が低下し、装置の寿命が著しく低下する技術的問題点があることが知られている。有機ＥＬ素子の輝度が低下する原因の一つは、有機ＥＬ素子が発光する際に生じる熱を素子外部に効率良く放熱できないことによる素子特性の劣化であると考えられている。したがって、有機ＥＬ素子から効率良く熱を逃がす放熱特性を向上させることが、有機ＥＬ装置の寿命を延ばすためには重要になる。   It is known that when this type of light-emitting device is operated for a long time or when it is operated at a high temperature, the luminance of the organic EL element is lowered and the lifetime of the device is significantly reduced. One of the causes of the decrease in luminance of the organic EL element is considered to be deterioration of element characteristics due to the fact that heat generated when the organic EL element emits light cannot be efficiently dissipated outside the element. Therefore, it is important to improve the heat dissipation characteristics for efficiently releasing heat from the organic EL element in order to extend the life of the organic EL device.

しかしながら、特許文献１乃至７には、放熱特性を向上させるための構造或いは材料に言及した記載は見られない。また、有機ＥＬ素子等を備えた大型サイズの発光装置或いは自動車等の表示部に用いられる発光装置には高い信頼性が要求されることもあり、発光装置及びこれを備えた各種電子機器の長寿命化を目的として今後益々素子及び装置の温度上昇を抑制することを目的とする技術的要請が高まっていくものと考えられる。   However, Patent Documents 1 to 7 do not include a description referring to a structure or material for improving heat dissipation characteristics. In addition, a large-sized light-emitting device including an organic EL element or the like, or a light-emitting device used in a display unit of an automobile or the like may require high reliability. It is considered that technical demands for the purpose of suppressing the temperature rise of elements and devices will increase more and more in the future for the purpose of extending the service life.

よって、本発明は上記技術的問題点及び要請を鑑みてなされたものであり、熱を効率良く放熱できる発光装置、及びこれを備えた電子機器を提供することを課題とする。   Therefore, the present invention has been made in view of the above technical problems and requirements, and an object thereof is to provide a light emitting device that can efficiently dissipate heat, and an electronic apparatus including the light emitting device.

本発明の発光装置は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上に設けられており、前記基板上の画像表示領域を構成する複数の画素領域の各々内に設けられた複数の凹部を規定する隔壁部と、前記隔壁部内に形成された中空部と、前記複数の凹部に形成された複数の発光部とを備え、前記隔壁部は、平面的にみて前記複数の画素領域に延在しており、前記中空部は、前記隔壁部が延在する方向に沿って連通するように形成されている。
For the light emission device of the present invention to solve the above problems, a substrate and, provided on the substrate, a plurality of which are provided in each of a plurality of pixel regions constituting the image display region on the substrate A partition wall defining a recess; a hollow formed in the partition wall; and a plurality of light emitting sections formed in the plurality of recesses, the partition wall in the plurality of pixel regions in plan view. It extends and the hollow part is formed so that it may communicate along the direction where the partition part extends .

本発明の発光装置によれば、隔壁部の熱容量を低減でき、発光部の温度上昇を抑制でき、装置の寿命を延ばすことが可能である。よって、発光装置における長期間に亘る安定した動作を実現できる。
According to the light emission device of the present invention can reduce the heat capacity of septal wall, can suppress an increase in the temperature of the light emitting portion, it is possible to extend the life of the device. Therefore, stable operation over a long period of time in the light emitting device can be realized.

本発明の発光装置の一の態様においては、前記発光部は、有機ＥＬ層を有していてもよい。 In one aspect of the light emission device of the present invention, the light emitting unit may have an organic EL layer.

この態様によれば、有機ＥＬ層の特性劣化を抑制でき、長期間に亘って所定の輝度で有機ＥＬ層を発光させることが可能である。   According to this aspect, the characteristic deterioration of the organic EL layer can be suppressed, and the organic EL layer can emit light with a predetermined luminance over a long period of time.

本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の発光装置を具備している。   In order to solve the above problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described light emitting device of the present invention.

本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明の第１又は第２の発明に係る発光装置を具備してなるので、長期間に亘って高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、ＰＤＡ、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル、更には電気光学装置を露光用ヘッドとして用いたプリンタ、コピー、ファクシミリ等の画像形成装置などの各種電子機器を実現できる。更に、本発明の電子機器は放熱特性に優れているため、車両に搭載されるカーナビゲーション等が備える表示装置、及び車両の動作状態を示すインパネに設けられる表示部等のように高温環境下で長時間駆動されるものの信頼性を高めることが可能である。また、長期間に亘って優れた表示性能を維持することができる電子機器を提供することができる。   According to the electronic apparatus according to the present invention, the projection type display device that is provided with the above-described light emitting device according to the first or second aspect of the present invention, and can display a high-quality image over a long period of time. Mobile phones, PDAs, electronic notebooks, word processors, viewfinder type or monitor direct-view type video tape recorders, workstations, videophones, POS terminals, touch panels, printers using electro-optical devices as exposure heads, copies, Various electronic devices such as an image forming apparatus such as a facsimile can be realized. Furthermore, since the electronic device of the present invention has excellent heat dissipation characteristics, it can be used in a high temperature environment such as a display device provided in a car navigation system mounted on a vehicle, a display unit provided in an instrument panel indicating the operation state of the vehicle, and the like. It is possible to improve the reliability of those driven for a long time. In addition, it is possible to provide an electronic device that can maintain excellent display performance over a long period of time.

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。   Such an operation and other advantages of the present invention will become apparent from the embodiments described below.

以下、図面を参照しながら、本発明の第１及び第２の発明に係る発光装置、及びこれを備えた電子機器の実施形態について詳細に説明する。尚、以下では本発明の第１の発明に係る発光装置の夫々一例である有機ＥＬ装置を第１及び第２実施形態において説明し、第２の発明に係る発光装置の一例である有機ＥＬ装置を第３実施形態において説明する。   Hereinafter, embodiments of a light emitting device according to first and second inventions of the present invention and an electronic apparatus including the same will be described in detail with reference to the drawings. In the following, an organic EL device which is an example of the light emitting device according to the first invention of the present invention will be described in the first and second embodiments, and an organic EL device which is an example of the light emitting device according to the second invention will be described. Will be described in a third embodiment.

（第１実施形態）
図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置１０の全体構成を示すブロック図である。有機ＥＬ装置１０は、駆動回路内蔵型のアクティブマトリクス駆動方式で駆動される表示装置であり、有機ＥＬ装置１０が有する各画素部７０は有機ＥＬ素子７２を備えている。 (First embodiment)
FIG. 1 is a block diagram showing the overall configuration of the organic EL device 10 of the present embodiment. The organic EL device 10 is a display device that is driven by an active matrix driving method with a built-in driving circuit, and each pixel unit 70 included in the organic EL device 10 includes an organic EL element 72.

有機ＥＬ装置１０の画像表示領域１１０には、縦横に配線されたデータ線１１４及び走査線１１２が設けられており、それらの交点に対応する各サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂはマトリクス状に配列され、これら３つのサブ画素部を一組として一つの画素部７０が構成されている。サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂは、赤色に発光する有機ＥＬ素子７２Ｒ、緑色に発光する有機ＥＬ素子７２Ｇ及び青色に発光する有機ＥＬ素子７２Ｂを夫々有している。更に、画像表示領域１１０には各データ線１１４に対して配列されたサブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂに対応する電源供給線１１７が設けられている。   The image display area 110 of the organic EL device 10 is provided with data lines 114 and scanning lines 112 wired vertically and horizontally, and the sub-pixel portions 70R, 70G, and 70B corresponding to the intersections thereof are arranged in a matrix. One pixel unit 70 is configured by arranging these three sub-pixel units as a set. The sub-pixel portions 70R, 70G, and 70B respectively include an organic EL element 72R that emits red light, an organic EL element 72G that emits green light, and an organic EL element 72B that emits blue light. Further, the image display area 110 is provided with power supply lines 117 corresponding to the sub-pixel portions 70R, 70G, and 70B arranged for the respective data lines 114.

画像表示領域１１０の周辺に位置する周辺領域には、走査線駆動回路１３０及びデータ線駆動回路１５０が設けられている。走査線駆動回路１３０は複数の走査線１１２に走査信号を順次供給する。データ線駆動回路１５０は、画像表示領域１１０に配線されたデータ線１１４に画像信号を供給する。尚、走査線駆動回路１３０の動作とデータ線駆動回路１５０の動作とは、同期信号線１６０を介して相互に同期が図られる。電源供給線１１７には、外部回路から画素部を駆動するための画素駆動用電源が供給される。図１中、一つの画素部７０に着目すれば、画素部７０には、有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇお呼び７２Ｂが設けられると共に、例えばＴＦＴを用いて構成されるスイッチング用トランジスタ７６及び駆動用トランジスタ７４、並びに保持容量７８がサブ画素部毎に設けられている。スイッチング用トランジスタ７６のゲート電極には走査線１１２が電気的に接続されており、スイッチング用トランジスタ７６のソース電極にはデータ線１１４が電気的に接続され、スイッチング用トランジスタ７６のドレイン電極には駆動用トランジスタ７４のゲート電極が電気的に接続されている。また、駆動用トランジスタ７４のドレイン電極には、電源供給線１１７が電気的に接続されており、駆動用トランジスタ７４のソース電極には有機ＥＬ素子７２の陽極が電気的に接続されている。尚、図１に例示した画素回路の構成の他にも、電流プログラム方式の画素回路、電圧プログラム方式の画素回路、電圧比較方式の画素回路、サブフレーム方式の画素回路等の各種方式の画素回路を採用することが可能である。   A scanning line driving circuit 130 and a data line driving circuit 150 are provided in the peripheral area located around the image display area 110. The scanning line driving circuit 130 sequentially supplies scanning signals to the plurality of scanning lines 112. The data line driving circuit 150 supplies an image signal to the data line 114 wired in the image display area 110. Note that the operation of the scanning line driving circuit 130 and the operation of the data line driving circuit 150 are synchronized with each other via the synchronization signal line 160. The power supply line 117 is supplied with pixel driving power for driving the pixel portion from an external circuit. In FIG. 1, focusing on one pixel unit 70, the pixel unit 70 is provided with organic EL elements 72 </ b> R and 72 </ b> G, and a switching transistor 76 and a driving transistor 74 configured using, for example, TFTs. In addition, a storage capacitor 78 is provided for each sub-pixel portion. The scanning line 112 is electrically connected to the gate electrode of the switching transistor 76, the data line 114 is electrically connected to the source electrode of the switching transistor 76, and the drive is connected to the drain electrode of the switching transistor 76. The gate electrode of the transistor 74 is electrically connected. The power supply line 117 is electrically connected to the drain electrode of the driving transistor 74, and the anode of the organic EL element 72 is electrically connected to the source electrode of the driving transistor 74. In addition to the configuration of the pixel circuit illustrated in FIG. 1, various types of pixel circuits such as a current programming type pixel circuit, a voltage programming type pixel circuit, a voltage comparison type pixel circuit, a subframe type pixel circuit, and the like. Can be adopted.

次に、図２及び図３を参照しながら有機ＥＬ装置１０の具体的な構成を説明する。図２は、有機ＥＬ装置１０の概略構成を示す平面図であり、図３は図２のＩＩＩ−ＩＩＩ´線断面図である。   Next, a specific configuration of the organic EL device 10 will be described with reference to FIGS. 2 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL device 10, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III ′ of FIG.

図２において、有機ＥＬ装置１０は、基板１、画素部７０、本発明の「隔壁部」の一例であるバンク部４７、切り込み部６５、及び有機ＥＬ素子７２を備えている。   In FIG. 2, the organic EL device 10 includes a substrate 1, a pixel unit 70, a bank unit 47 that is an example of the “partition wall unit” of the present invention, a cut unit 65, and an organic EL element 72.

画素部７０は、基板１上における画像表示領域１１０にマトリクス状に配設されている。画素部７０は、図中横方向に沿って配列された３つのサブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂを一組として構成されており、画像表示領域１１０の図中縦方向及び横方向の夫々に沿って配列されている。バンク部４７は、第１バンク部４７ａ及び第２バンク部４７ｂから構成されており、各画素領域においてこれら有機ＥＬ素子７２が形成される凹部６２を規定しつつ、基板１上における画像表示領域１１０の全体に延在している。切り込み部６５は、画像表示領域１１０内で格子状に延びるように第２バンク部４７ｂの一部を除去して形成されており、第１バンク部４７ａが切り込み部６５から臨む。切り込み部６５が形成された分、第２バンク部４７ｂの表面積は増大している。加えて、第２バンク部４７ｂの一部が除去されたことによってバンク部４７全体で熱容量を低減できる。また、バンク部４７は、画像表示領域１１０全体に延在されているため、有機ＥＬ素子７２で発生した熱を装置外部に逃がすための伝熱路として機能し、有機ＥＬ素子７２で発生した熱が順次バンク部４７を介して装置外部に放熱される。これにより、画像表示領域１１０の中央付近に蓄積される熱が画像表示領域１１０の外側に向かって速やかに伝熱され、画像表示領域１１０内における有機ＥＬ素子７２の温度上昇を抑制できると共に、画像表示領域１１０内における各画素部７０の温度バラツキを低減することが可能である。サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂの夫々に設けられた有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂは、凹部６２の底部から基板１の上側、即ち図中手前側に臨む。   The pixel units 70 are arranged in a matrix in the image display area 110 on the substrate 1. The pixel unit 70 is configured as a set of three sub-pixel units 70R, 70G, and 70B arranged along the horizontal direction in the drawing, and extends along each of the vertical and horizontal directions of the image display region 110 in the drawing. Are arranged. The bank unit 47 includes a first bank unit 47a and a second bank unit 47b. The image display region 110 on the substrate 1 is defined while defining a recess 62 in which the organic EL elements 72 are formed in each pixel region. Extends throughout. The cut portion 65 is formed by removing a part of the second bank portion 47 b so as to extend in a grid pattern in the image display region 110, and the first bank portion 47 a faces the cut portion 65. The surface area of the second bank portion 47b is increased by the amount of the cut portion 65 formed. In addition, the heat capacity of the entire bank unit 47 can be reduced by removing a part of the second bank unit 47b. Further, since the bank unit 47 extends over the entire image display area 110, the bank unit 47 functions as a heat transfer path for releasing heat generated in the organic EL element 72 to the outside of the apparatus, and heat generated in the organic EL element 72. Are sequentially radiated to the outside of the apparatus through the bank unit 47. Thereby, the heat accumulated near the center of the image display area 110 is quickly transferred toward the outside of the image display area 110, and the temperature rise of the organic EL element 72 in the image display area 110 can be suppressed, and the image It is possible to reduce the temperature variation of each pixel unit 70 in the display area 110. The organic EL elements 72R, 72G, and 72B provided in each of the sub-pixel portions 70R, 70G, and 70B face the upper side of the substrate 1 from the bottom of the recess 62, that is, the front side in the drawing.

図３において、有機ＥＬ装置１０は、基板１、基板１上に形成された有機ＥＬ素子７２、駆動用トランジスタ７４、バンク部４７、切り込み部６５、及び封止部２０を備えている。尚、有機ＥＬ素子７２は、図中下側に光を出射するボトムエミッション型の有機ＥＬ素子であるが、図中上側に光を出射するトップエミッション型の有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置でも本発明の発光装置は適用可能であることは言うまでもない。   In FIG. 3, the organic EL device 10 includes a substrate 1, an organic EL element 72 formed on the substrate 1, a driving transistor 74, a bank portion 47, a cut portion 65, and a sealing portion 20. The organic EL element 72 is a bottom emission type organic EL element that emits light in the lower side in the figure. However, the organic EL element 72 includes a top emission type organic EL element that emits light in the upper side in the figure. Needless to say, the light emitting device of the present invention is applicable.

基板１は、例えば、ガラス基板等で構成されており、有機ＥＬ素子７２が図中下側に出射する光を透過させる。したがって、図１に示す駆動用トランジスタ７４及びスイッチング用トランジスタ７６は、基板１における有機ＥＬ素子７２の下側の領域を避けるように形成されている。基板１は、基板１上に有機ＥＬ素子７２が形成されているだけでなく、図１に示す走査線駆動回路１３０及びデータ線駆動回路１５０の各種回路を備えている。このような回路は、基板１における画像表示領域１１０の周辺領域に設けられる。   The substrate 1 is composed of, for example, a glass substrate or the like, and transmits light emitted from the organic EL element 72 downward in the drawing. Therefore, the driving transistor 74 and the switching transistor 76 shown in FIG. 1 are formed so as to avoid the region below the organic EL element 72 in the substrate 1. The substrate 1 includes not only the organic EL element 72 formed on the substrate 1 but also various circuits such as the scanning line driving circuit 130 and the data line driving circuit 150 shown in FIG. Such a circuit is provided in a peripheral region of the image display region 110 on the substrate 1.

有機ＥＬ素子７２は、本発明の「発光部」の一例である有機ＥＬ層５０、陰極４９、及び陽極３４を備えて構成されている。   The organic EL element 72 includes an organic EL layer 50, a cathode 49, and an anode 34, which are examples of the “light emitting portion” of the present invention.

有機ＥＬ層５０は、後述するように発光層を含む複数の有機層を備えており、これら有機層は、複数の有機ＥＬ層５０を互いに隔てるための素子分離部として機能するバンク部４７に囲まれた凹部６２に有機材料を塗布することによって形成されている。より具体的には、有機ＥＬ層５０は、塗布法の一例であるインクジェット法を用いて各有機層を形成するインクを凹部６２に順次塗布することによって形成されている。有機ＥＬ層５０の端部、即ち後述するバンク部４７と接する部分は有機ＥＬ層５０の中央付近の膜厚より若干厚めに形成されている。したがって、有機ＥＬ層５０は、その端部において陰極４９及び陽極３４間がショートすることを抑制できる。加えて、有機ＥＬ層５０の中央付近は平坦であるため、有機ＥＬ層５０の中央付近で均一な輝度で発光することが可能である。   As will be described later, the organic EL layer 50 includes a plurality of organic layers including a light emitting layer, and these organic layers are surrounded by a bank unit 47 that functions as an element isolation unit for separating the plurality of organic EL layers 50 from each other. The recess 62 is formed by applying an organic material. More specifically, the organic EL layer 50 is formed by sequentially applying ink for forming each organic layer to the recesses 62 using an inkjet method which is an example of a coating method. An end portion of the organic EL layer 50, that is, a portion in contact with the bank portion 47 described later is formed slightly thicker than the film thickness near the center of the organic EL layer 50. Therefore, the organic EL layer 50 can suppress a short circuit between the cathode 49 and the anode 34 at the end thereof. In addition, since the vicinity of the center of the organic EL layer 50 is flat, it is possible to emit light with uniform brightness near the center of the organic EL layer 50.

バンク部４７は、第１バンク部４７ａ及び第２バンク部４７ｂから構成されており、有機ＥＬ層５０が形成される凹部６２を規定する。第１バンク部４７ａは、ＳｉＯ、ＳｉＯ２又はＴｉＯ２等の無機材料で構成される無機材料層であり、例えば、保護層４５上にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学蒸着）法、コート法、スパッタ法等の膜形成法を用いて形成されている。第２バンク部４７ｂは、アクリル樹脂、又はポリイミド樹脂等の有機材料で構成される有機材料層であり、図中上側に向かって先細りとなるテーパー形状を有している。第２バンク部４７ｂは、第１バンク部４７ａ上に有機材料層を形成した後、この有機材料層をフォトリソグラフィ技術等を用いてパターニングすることによって形成されている。第２バンク部４７ｂは、その底部が図中横方向に沿って第１バンク部４７ａより小さめとなるように形成されている。また、第２バンク部４７ｂは、凹部６２に形成された有機ＥＬ層５０の端部と接しており、有機ＥＬ層５０で生じた熱が直接第２バンク部４７ｂに伝達される。 The bank unit 47 includes a first bank unit 47a and a second bank unit 47b, and defines a recess 62 in which the organic EL layer 50 is formed. The first bank portion 47a is an inorganic material layer composed of an inorganic material such as SiO, SiO 2 or TiO 2. For example, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a coating method, a sputtering method is formed on the protective layer 45. It is formed by using a film forming method such as a method. The 2nd bank part 47b is an organic material layer comprised by organic materials, such as an acrylic resin or a polyimide resin, and has a taper shape which tapers toward the upper side in the figure. The second bank part 47b is formed by forming an organic material layer on the first bank part 47a and then patterning the organic material layer using a photolithography technique or the like. The second bank portion 47b is formed so that the bottom thereof is smaller than the first bank portion 47a along the horizontal direction in the figure. Further, the second bank part 47b is in contact with the end part of the organic EL layer 50 formed in the recess 62, and heat generated in the organic EL layer 50 is directly transferred to the second bank part 47b.

尚、バンク部４７は、隣接する有機ＥＬ層５０間で実使用上支障が生じない範囲で絶縁性を維持されるように金属等の熱伝導材料を所定量含んでいてもよい。また、バンク部４７は、熱放射によって放熱量を増大させることができるように、例えばアクリル樹脂等より熱放射率が高いＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＭｇＯ、ＳｉＣから選ばれた少なくとも一種の材料をバンク部４７の形成に支障が生じない範囲で含んでいてもよい。このような熱伝導材料或いは熱放射材料を含むバンク部４７によれば、第２バンク部４７ｂの熱容量の低減及び表面積の増大に伴って高められた有機ＥＬ装置の放熱特性をより向上させることが可能である。 The bank unit 47 may include a predetermined amount of a heat conductive material such as a metal so that insulation is maintained within a range that does not hinder actual use between the adjacent organic EL layers 50. Further, the bank 47 is selected from Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , MgO, and SiC having a higher thermal emissivity than acrylic resin or the like so that the heat radiation amount can be increased by thermal radiation. The at least one kind of material may be included in a range that does not hinder the formation of the bank portion 47. According to the bank part 47 including such a heat conductive material or a heat radiation material, it is possible to further improve the heat dissipation characteristics of the organic EL device, which is increased as the heat capacity of the second bank part 47b is reduced and the surface area is increased. Is possible.

切り込み部６５は、第１バンク部４７ｂの一部を除去し、第１バンク部４７ａが切り込み部６５から図中上側に臨むように第２バンク部４７ｂの上側に開口する。第２バンク部４７ｂは、切り込み部６５が形成されている分、切り込み部６５が形成されていない場合に比べて熱容量が低減されており、有機ＥＬ層５０が発光することによって生じた熱がバンク部４７に蓄積されることを低減できる。より具体的には、第２バンク部４７ｂの体積が減少した分、有機ＥＬ層５０から第２バンク部４７ｂに伝達された熱が第２バンク部４７ｂを介して有機ＥＬ層５０から離れた領域に速やかに伝達される。その結果、有機ＥＬ層５０に近傍のバンク部４７に蓄積される熱を低減でき、有機ＥＬ層５０の発光時における温度上昇を抑制することが可能である。   The cut portion 65 removes a part of the first bank portion 47b and opens to the upper side of the second bank portion 47b so that the first bank portion 47a faces the upper side in the drawing from the cut portion 65. In the second bank portion 47b, the heat capacity is reduced as compared with the case where the cut portion 65 is not formed because the cut portion 65 is formed, and the heat generated by the light emission of the organic EL layer 50 is generated in the bank. Accumulation in the unit 47 can be reduced. More specifically, a region in which the heat transferred from the organic EL layer 50 to the second bank portion 47b is separated from the organic EL layer 50 through the second bank portion 47b by the amount by which the volume of the second bank portion 47b is reduced. Will be communicated promptly. As a result, it is possible to reduce the heat accumulated in the bank portion 47 in the vicinity of the organic EL layer 50, and to suppress a temperature rise during light emission of the organic EL layer 50.

尚、切り込み部６５は、第２バンク部４７ｂ上に開口するように第２バンク部４７ｂに形成されていればよい。即ち、第２バンク部４７ｂの熱容量を低減し、且つ第２バンク部４７ｂが陰極４９と接する面積を増大させる形状であれば如何なる形状であってもよい。また、切り込み部６５は、第２バンク部４７ｂが形成された後に第２バンク部４７ｂの一部を除去して形成されたものでもよいし、最終的に切り込み部６５が形成されるように第２バンク部４７ｂの形状を予め所定の形状に形成しておいてもよい。   In addition, the notch part 65 should just be formed in the 2nd bank part 47b so that it may open on the 2nd bank part 47b. That is, any shape is possible as long as the heat capacity of the second bank portion 47b is reduced and the area where the second bank portion 47b is in contact with the cathode 49 is increased. Further, the cut portion 65 may be formed by removing a part of the second bank portion 47b after the second bank portion 47b is formed, or the cut portion 65 may be formed so that the cut portion 65 is finally formed. The shape of the two bank portions 47b may be formed in a predetermined shape in advance.

陰極４９は、第２バンク部４７ｂの表面及び有機ＥＬ層５０の表面を被うように形成されている。よる具体的には、陰極４９は、第２バンク部４７ｂの表面及び切り込み部６５の内壁面に沿って形成されており、有機ＥＬ層５０或いは第２バンク部４７ｂを介して直接有機ＥＬ層５０で発生した熱が伝達される。第２バンク部４７ｂに切り込み部６５が形成されていることにより、切り込み部６５を形成しない場合に比べて陰極４９が第２バンク部４７ｂと接する接触面積は増大しており、その分第２バンク部４７ｂから陰極４９に伝達される熱を増大させることが可能である。これにより、切り込み部６５を形成しない場合に比べてより効果的に有機ＥＬ層５０で発生した熱を陰極４９に伝達することができ、有機ＥＬ層５０の発光時における温度上昇を抑制することが可能である。ここで、陰極４９の熱伝導率を第２バンク部４７より高くしておけば、陰極４９を介した放熱量を更に増大させることが可能である。例えば、陰極４９は第２バンク部４７ｂを構成するアクリル樹脂等の樹脂より熱伝導率が高いＡｌ等の金属薄膜で形成されることが多いため、有機ＥＬ層５０の温度上昇を抑制するための伝熱路として効果的に機能する。また、放熱量を高めるために、陰極４９は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕから選ばれた少なくとも一種の材料を含んでいてもよい。更に、陰極４９は、有機ＥＬ層５０との接合性及び熱伝導率を考慮してこれら材料から選ばれた複数の材料によって構成された多層構造を有していてもよい。   The cathode 49 is formed so as to cover the surface of the second bank portion 47 b and the surface of the organic EL layer 50. More specifically, the cathode 49 is formed along the surface of the second bank portion 47b and the inner wall surface of the cut portion 65, and the organic EL layer 50 directly through the organic EL layer 50 or the second bank portion 47b. The heat generated in is transferred. Since the cut portion 65 is formed in the second bank portion 47b, the contact area where the cathode 49 is in contact with the second bank portion 47b is increased as compared with the case where the cut portion 65 is not formed. It is possible to increase the heat transferred from the portion 47b to the cathode 49. As a result, heat generated in the organic EL layer 50 can be more effectively transferred to the cathode 49 than in the case where the cut portion 65 is not formed, and the temperature rise during light emission of the organic EL layer 50 can be suppressed. Is possible. Here, if the thermal conductivity of the cathode 49 is set higher than that of the second bank portion 47, the amount of heat released through the cathode 49 can be further increased. For example, since the cathode 49 is often formed of a metal thin film such as Al having a higher thermal conductivity than a resin such as an acrylic resin constituting the second bank portion 47b, it is possible to suppress the temperature rise of the organic EL layer 50. It functions effectively as a heat transfer path. Further, in order to increase the heat radiation amount, the cathode 49 may contain at least one material selected from Al, Cu, Ag, and Au. Further, the cathode 49 may have a multilayer structure composed of a plurality of materials selected from these materials in consideration of the bonding property with the organic EL layer 50 and the thermal conductivity.

電極４９は、有機ＥＬ装置における陰極４９と接する他の構成要素、或いは電極４９と電気的に接続される配線等と接しており、陰極４９に伝達された熱は速やかに装置外部に放熱されることになる。尚、本実施形態では、後述するように有機ＥＬ層５０は電子注入層を含んでいるが、発光層を含む有機ＥＬ層５０及び陰極４９間に有機ＥＬ層５０と別層とされる電子注入層或いは電子輸送層等の各種層が介在してもよい。即ち、陰極４９は、第２バンク部４７ｂの表面及び有機ＥＬ層５０の表面に直接或いは間接的に形成されていればバンク部４７及び有機ＥＬ層５０の両方から放熱される熱量を相応に増大させることができ、これに伴い有機ＥＬ層５０及び有機ＥＬ層全体の温度上昇を抑制できる。   The electrode 49 is in contact with another component in contact with the cathode 49 in the organic EL device, or a wiring electrically connected to the electrode 49, and the heat transmitted to the cathode 49 is quickly radiated to the outside of the device. It will be. In this embodiment, as described later, the organic EL layer 50 includes an electron injection layer. However, an electron injection that is separate from the organic EL layer 50 between the organic EL layer 50 including the light emitting layer and the cathode 49. Various layers such as a layer or an electron transport layer may be interposed. That is, if the cathode 49 is formed directly or indirectly on the surface of the second bank 47b and the surface of the organic EL layer 50, the amount of heat radiated from both the bank 47 and the organic EL layer 50 is increased correspondingly. Accordingly, the temperature rise of the organic EL layer 50 and the entire organic EL layer can be suppressed.

陰極４９は、基板１上に形成された各有機ＥＬ素子７２で共通とされる共通電極であり、第２バンク部４７ｂ、切り込み部６５、及び有機ＥＬ層５０の表面に沿って延在するように形成されている。陰極４９は、基板１上で平面的に見て複数の有機ＥＬ素子７２間で物理的に接続された電極、或いは一枚の連続した電極として延在しているため、有機ＥＬ素子７２で発生した熱を装置外部に放熱できる。加えて、陰極４９は、切り込み部６５の表面に沿って形成されているため、切り込み部６５を設けない場合に比べて第２バンク部４７ｂに接する面積が大きくなる。更に、陰極４９は、切り込み部６５の底部で第１バンク部４７ａとも接しているため、陰極４９の面積をより大きくとることができる。これにより、第１バンク部４７ａ及び第２バンク部４７ｂから陰極４９を介して熱を放熱することが可能である。   The cathode 49 is a common electrode common to the organic EL elements 72 formed on the substrate 1, and extends along the surfaces of the second bank portion 47 b, the cut portion 65, and the organic EL layer 50. Is formed. The cathode 49 is generated as an electrode physically connected between the plurality of organic EL elements 72 as viewed in plan on the substrate 1 or as a single continuous electrode. Heat can be dissipated outside the device. In addition, since the cathode 49 is formed along the surface of the cut portion 65, the area in contact with the second bank portion 47b is larger than when the cut portion 65 is not provided. Furthermore, since the cathode 49 is in contact with the first bank portion 47a at the bottom of the cut portion 65, the area of the cathode 49 can be increased. Thereby, it is possible to radiate heat from the first bank part 47 a and the second bank part 47 b through the cathode 49.

陽極３４は、基板１上に順次形成されたゲート絶縁層２、層間絶縁膜４１、保護層４５、及び第１バンク部４７ａのうち第１バンク部４７ａに埋め込まれるように形成されている。陽極３４は、例えば、有機ＥＬ層５０から出射された光を図中下側に透過するようにＩＴＯ等の透明材料で形成された透明電極である。   The anode 34 is formed so as to be embedded in the first bank portion 47a among the gate insulating layer 2, the interlayer insulating film 41, the protective layer 45, and the first bank portion 47a sequentially formed on the substrate 1. The anode 34 is, for example, a transparent electrode formed of a transparent material such as ITO so that light emitted from the organic EL layer 50 is transmitted downward in the drawing.

駆動用トランジスタ７４のソース電極７４ｓは、図１に示す電源供給線１１７に電気的に接続されており、ドレイン電極７４ｄは陽極３４に電気的に接続されている。駆動用トランジスタ７４は、図１に示すデータ線１１４を介してゲート電極３ａに供給されるデータ信号に応じてオンオフされ、駆動電流を有機ＥＬ素子７２に供給する。このような素子を含む回路は、有機ＥＬ素子５０から基板１側に出射される光を遮らないように、有機ＥＬ素子５０の下側を避けるように設けられている。また、駆動用トランジスタ７４と同様に図１に示すスイッチング用トランジスタ７６も基板１上に形成されている。   The source electrode 74s of the driving transistor 74 is electrically connected to the power supply line 117 shown in FIG. 1, and the drain electrode 74d is electrically connected to the anode 34. The driving transistor 74 is turned on / off in response to a data signal supplied to the gate electrode 3 a via the data line 114 shown in FIG. 1 and supplies a driving current to the organic EL element 72. The circuit including such an element is provided so as to avoid the lower side of the organic EL element 50 so as not to block light emitted from the organic EL element 50 to the substrate 1 side. Similarly to the driving transistor 74, the switching transistor 76 shown in FIG. 1 is also formed on the substrate 1.

半導体層３は、例えば低温ポリシリコン技術を用いて形成された多結晶シリコン層或いはアモルファスシリコン層である。半導体層３上には、半導体層３を埋め込んで、スイッチング用トランジスタ７６及び駆動用トランジスタ７４のゲート絶縁層２が形成されている。駆動用トランジスタ７４のゲート電極３ａ及び図１に示す走査線１１２は、ゲート絶縁層２上に形成されている。走査線１１２の一部は、スイッチング用トランジスタ７６のゲート電極として形成されている。   The semiconductor layer 3 is a polycrystalline silicon layer or an amorphous silicon layer formed by using, for example, a low-temperature polysilicon technique. On the semiconductor layer 3, the gate insulating layer 2 of the switching transistor 76 and the driving transistor 74 is formed by embedding the semiconductor layer 3. The gate electrode 3 a of the driving transistor 74 and the scanning line 112 shown in FIG. 1 are formed on the gate insulating layer 2. A part of the scanning line 112 is formed as a gate electrode of the switching transistor 76.

走査線１１２や駆動用トランジスタ７４のゲート電極３ａを埋め込んで、ゲート絶縁層２上には図２に示す層間絶縁層４１が形成されている。層間絶縁層４１及びゲート絶縁層２は例えばシリコン酸化膜から構成されている。層間絶縁層４１上には、例えばアルミニウム（Ａｌ）又はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を含む導電材料から夫々構成される、データ線１１４及び電源供給線１１７、更には駆動用トランジスタ７４のソース電極７４ｓが形成されている。層間絶縁層４１には、層間絶縁層４１の表面から層間絶縁層４１及びゲート絶縁層２を貫通して、駆動用トランジスタ７４の半導体層３に至るコンタクトホール５０１及び５０２が形成されている。電源供給線１１７及びドレイン電極７４ｄを構成する導電膜は、コンタクトホール５０１及び５０２の各々の内壁に沿って半導体層３の表面に至るように連続的に形成されている。層間絶縁層４１上には、電源供給線１１７及びドレイン電極７４ｄを埋め込んで、保護層４５として例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）ないしシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）が形成されている。保護層４５上には、例えばシリコン酸化膜よりなる第１バンク部４７ａが形成され、更に第１バンク部４７ａ上に第２バンク部４７ｂが形成されている。第１バンク部４７ａ及び第２バンク部４７ｂによって、画素部における有機ＥＬ層５０の形成領域が規定されている。   An interlayer insulating layer 41 shown in FIG. 2 is formed on the gate insulating layer 2 by embedding the scanning line 112 and the gate electrode 3 a of the driving transistor 74. The interlayer insulating layer 41 and the gate insulating layer 2 are made of, for example, a silicon oxide film. On the interlayer insulating layer 41, there are a data line 114 and a power supply line 117, respectively, and a source electrode 74s of the driving transistor 74, each made of a conductive material containing, for example, aluminum (Al) or ITO (Indium Tin Oxide). Is formed. Contact holes 501 and 502 are formed in the interlayer insulating layer 41 from the surface of the interlayer insulating layer 41 through the interlayer insulating layer 41 and the gate insulating layer 2 to reach the semiconductor layer 3 of the driving transistor 74. The conductive film constituting the power supply line 117 and the drain electrode 74d is continuously formed so as to reach the surface of the semiconductor layer 3 along the inner walls of the contact holes 501 and 502, respectively. On the interlayer insulating layer 41, for example, a silicon nitride film (SiNx) or a silicon oxide film (SiOx) is formed as the protective layer 45 by embedding the power supply line 117 and the drain electrode 74d. On the protective layer 45, a first bank portion 47a made of, for example, a silicon oxide film is formed, and a second bank portion 47b is formed on the first bank portion 47a. The formation area of the organic EL layer 50 in the pixel portion is defined by the first bank portion 47a and the second bank portion 47b.

封止板２０は、分が有機ＥＬ装置１０の外部から備える有機ＥＬ層５０に浸入することを防止する。より具体的には、封止板２０は、基板１上に接着剤によって接着されており、有機ＥＬ装置１０の外気が有機ＥＬ素子７２に触れないように有機ＥＬ素子７２を封止する。基板１上に封止板２０を接着する接着剤は、熱硬化樹脂或いは紫外線硬化樹脂を含んでおり、例えば、熱硬化樹脂の一例であるエポキシ樹脂を封止板２０の周縁部にディスペンサ等の塗布手段を用いて塗布される。   The sealing plate 20 prevents the minute from entering the organic EL layer 50 provided from the outside of the organic EL device 10. More specifically, the sealing plate 20 is bonded to the substrate 1 with an adhesive, and seals the organic EL element 72 so that the outside air of the organic EL device 10 does not touch the organic EL element 72. The adhesive that bonds the sealing plate 20 onto the substrate 1 includes a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin. For example, an epoxy resin, which is an example of a thermosetting resin, is dispensed to the peripheral portion of the sealing plate 20 such as a dispenser. It is applied using an application means.

封止板２０における陰極４９に臨む側の面において、封止板２０の周縁部は中央部に対して凸状となっており、有機ＥＬ素子７２が封止板２０によって封止された状態で、封止板２０の中央部及び有機ＥＬ素子７２の間に一定の空間が介在する。封止板２０及び有機ＥＬ素子７２間の空間には、不活性ガス、樹脂或いはオイル等の充填材が充填され、この充填材により装置外部から侵入する水分を低減する。また、封止板２０及び有機ＥＬ素子７２間の空間は、封止板２０及び基板１で封止された真空であってもよい。尚、封止板２０は、有機ＥＬ素子７２から放射される赤外線を透過する透明板であり、例えば、ガラス板、又は防湿処理を施したプラスチック板を用いることができる。特に、封止板２０としてガラス基板を用いた場合には、ガラス基板である基板１及び封止板２０の熱膨張率が同等であることから、熱膨張率の違いに起因するこれら板間のひずみを低減することができ、装置全体の信頼性を高めることが可能である。   On the surface of the sealing plate 20 facing the cathode 49, the peripheral edge of the sealing plate 20 is convex with respect to the central portion, and the organic EL element 72 is sealed with the sealing plate 20. A certain space is interposed between the central portion of the sealing plate 20 and the organic EL element 72. The space between the sealing plate 20 and the organic EL element 72 is filled with a filler such as an inert gas, resin, or oil, and moisture that enters from the outside of the apparatus is reduced by this filler. The space between the sealing plate 20 and the organic EL element 72 may be a vacuum sealed with the sealing plate 20 and the substrate 1. The sealing plate 20 is a transparent plate that transmits infrared rays emitted from the organic EL element 72. For example, a glass plate or a plastic plate subjected to moisture-proofing treatment can be used. In particular, when a glass substrate is used as the sealing plate 20, since the thermal expansion coefficients of the substrate 1 and the sealing plate 20 that are glass substrates are equal, the difference between the thermal expansion coefficients between these plates. The distortion can be reduced, and the reliability of the entire apparatus can be improved.

このように、本実施形態の有機ＥＬ装置１０によれば、有機ＥＬ層５０の温度上昇を抑制でき、有機ＥＬ層５０の輝度を長時間所定の値に維持することが可能である。これにより、装置の寿命を延ばすことが可能であり、有機ＥＬ装置における長期間に亘る安定した動作を実現できる。また、切り込み部６５によれば、画像表示領域１１０の中央付近及びで端付近の夫々に設けられた有機ＥＬ層５０における放熱量を均一にでき、画像表示領域１１０内における温度バラツキを一因とする画質の低下を抑制できる。   As described above, according to the organic EL device 10 of the present embodiment, the temperature rise of the organic EL layer 50 can be suppressed, and the luminance of the organic EL layer 50 can be maintained at a predetermined value for a long time. Thereby, it is possible to extend the lifetime of the device, and it is possible to realize a stable operation over a long period of time in the organic EL device. Further, according to the cut portion 65, the heat radiation amount in the organic EL layer 50 provided near the center and near the end of the image display area 110 can be made uniform, and the temperature variation in the image display area 110 is a cause. Deterioration of image quality can be suppressed.

次に、図４及び図５を参照して、有機ＥＬ素子７２の詳細な構成について説明する。図４は、有機ＥＬ素子７２を含む任意の画素部の平面図であり、図５は図４に示す画素部のＡ−Ａ´線断面図である。尚、図４及び図５においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。尚、図４及び図５に加えて、随時図１乃至図３も参照する。   Next, a detailed configuration of the organic EL element 72 will be described with reference to FIGS. 4 and 5. 4 is a plan view of an arbitrary pixel portion including the organic EL element 72, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of the pixel portion shown in FIG. In FIGS. 4 and 5, the scale of each layer / member is different for each layer / member so that each layer / member can be recognized on the drawing. In addition to FIGS. 4 and 5, FIGS. 1 to 3 are also referred to as needed.

図４において、図２に示す基板１上には、駆動用トランジスタ７４の半導体層３が形成されている。尚、本実施形態では詳細な説明を省略するが、駆動用トランジスタ７４と同様に図１に示すスイッチング用トランジスタ７６も基板１上に形成されている。半導体層３は、例えば低温ポリシリコン技術を用いて形成された多結晶シリコン層或いはアモルファスシリコン層である。半導体層３上には、半導体層３を埋め込んで、スイッチング用トランジスタ７６及び駆動用トランジスタ７４のゲート絶縁層２が形成されている。更には、ゲート絶縁層２上に、駆動用トランジスタ７４のゲート電極３ａ及び走査線１１２が形成されている。走査線１１２の一部は、スイッチング用トランジスタ７６のゲート電極として形成されている。ゲート電極３ａ及び走査線１１２は、Ａｌ（アルミニウム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）等のうち少なくとも一つを含む金属材料を用いて形成されている。   4, the semiconductor layer 3 of the driving transistor 74 is formed on the substrate 1 shown in FIG. Although a detailed description is omitted in this embodiment, the switching transistor 76 shown in FIG. 1 is also formed on the substrate 1 like the driving transistor 74. The semiconductor layer 3 is a polycrystalline silicon layer or an amorphous silicon layer formed by using, for example, a low-temperature polysilicon technique. On the semiconductor layer 3, the gate insulating layer 2 of the switching transistor 76 and the driving transistor 74 is formed by embedding the semiconductor layer 3. Further, the gate electrode 3 a of the driving transistor 74 and the scanning line 112 are formed on the gate insulating layer 2. A part of the scanning line 112 is formed as a gate electrode of the switching transistor 76. The gate electrode 3a and the scanning line 112 may include at least one of Al (aluminum), W (tungsten), Ta (tantalum), Mo (molybdenum), Ti (titanium), copper (Cu), chromium (Cr), and the like. It is formed using the metal material which contains.

走査線１１２や駆動用トランジスタ７４のゲート電極３ａを埋め込んで、ゲート絶縁層２上には図２に示す層間絶縁層４１が形成されている。層間絶縁層４１上には、電源供給線１１７及びドレイン電極７４ｄを埋め込んで、図２に示す保護層４５が形成されている。   An interlayer insulating layer 41 shown in FIG. 2 is formed on the gate insulating layer 2 by embedding the scanning line 112 and the gate electrode 3 a of the driving transistor 74. A protective layer 45 shown in FIG. 2 is formed on the interlayer insulating layer 41 by embedding the power supply line 117 and the drain electrode 74d.

保持容量７８の下部容量電極は、走査線１１２と同一の層に、例えば同様の材料を用いて形成され、電源供給線１１７の一部が保持容量７８の上部容量電極として形成されている。層間絶縁層４１は誘電体膜として形成されており、層間絶縁層４１の一部分が下部容量電極及び上部容量電極の間に挟持される。   The lower capacitor electrode of the storage capacitor 78 is formed in the same layer as the scanning line 112 using, for example, the same material, and a part of the power supply line 117 is formed as the upper capacitor electrode of the storage capacitor 78. The interlayer insulating layer 41 is formed as a dielectric film, and a part of the interlayer insulating layer 41 is sandwiched between the lower capacitor electrode and the upper capacitor electrode.

有機ＥＬ装置１０の駆動時、走査線１１２を介して走査信号が供給されることにより、スイッチング用トランジスタ７６がオン状態になる。スイッチング用トランジスタ７６がオン状態となると、データ線１１４より画像信号が保持容量７８に供給される。この保持容量７８に供給された画像信号の電圧に応じて、駆動用トランジスタ７４の電気的な導通状態が決まる。保持容量７８に供給された画像信号に応じた電流が、駆動用トランジスタ７４のチャネルを介して電源供給線１１７より有機ＥＬ素子７２に供給されると、供給された電流に応じて有機ＥＬ層５０に含まれる発光層が発光する。   When the organic EL device 10 is driven, a scanning signal is supplied via the scanning line 112, whereby the switching transistor 76 is turned on. When the switching transistor 76 is turned on, an image signal is supplied from the data line 114 to the storage capacitor 78. The electrical conduction state of the driving transistor 74 is determined according to the voltage of the image signal supplied to the storage capacitor 78. When a current corresponding to the image signal supplied to the storage capacitor 78 is supplied from the power supply line 117 to the organic EL element 72 via the channel of the driving transistor 74, the organic EL layer 50 is supplied according to the supplied current. The light emitting layer contained in emits light.

図５において、有機ＥＬ素子７２は、基板１上に順次形成された陽極３４、有機ＥＬ層５０、及び陰極４９を備えて構成されており、有機ＥＬ層５０は正孔注入層５０ｃ、発光層５０ａ及び電子注入層５０ｂを備えて構成されている。   In FIG. 5, the organic EL element 72 includes an anode 34, an organic EL layer 50, and a cathode 49 that are sequentially formed on the substrate 1, and the organic EL layer 50 includes a hole injection layer 50c and a light emitting layer. 50a and an electron injection layer 50b.

有機ＥＬ層５０を構成する正孔注入層５０ｃ、発光層５０ａ及び電子注入層５０ｂはこの順で陽極３４上に形成されている。   The hole injection layer 50c, the light emitting layer 50a, and the electron injection layer 50b constituting the organic EL layer 50 are formed on the anode 34 in this order.

電子注入層５０ｂは、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、マグネシウム（Ｍｇ）、バリウム（Ｂａ）等の仕事関数の低い材料を用いて形成されている。電子注入層５０ｂによれば、電流駆動型の発光層５０ａに電子を効率良く注入でき、発光層５０ａの発光効率を高めることが可能である。尚、電子輸送層が陰極４９及び発光層間に設けられていてもよいし、電子注入層５０ｂが電子輸送層を含んで構成されていてもよい。   The electron injection layer 50b is formed using a material having a low work function such as calcium (Ca), lithium fluoride (LiF), strontium fluoride (SrF2), magnesium (Mg), or barium (Ba). According to the electron injection layer 50b, electrons can be efficiently injected into the current-driven light emitting layer 50a, and the light emission efficiency of the light emitting layer 50a can be increased. The electron transport layer may be provided between the cathode 49 and the light emitting layer, or the electron injection layer 50b may be configured to include the electron transport layer.

発光層５０ａは、有機ＥＬ材料を用いて構成されている。このような有機ＥＬ材料としては、例えば（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープした材料を用いることができる。   The light emitting layer 50a is configured using an organic EL material. Examples of such organic EL materials include (poly) paraphenylene vinylene derivatives, polyphenylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinyl carbazole, polythiophene derivatives, perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, and polymer materials thereof. A material doped with rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6, quinacridone, or the like can be used.

正孔注入層５０ｃは、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いて形成されている。   The hole injection layer 50c is formed using, for example, a mixture of a polythiophene derivative such as polyethylene dioxythiophene and polystyrene sulfonic acid.

有機ＥＬ層５０を構成する各材料は、有機ＥＬ素子７２が駆動されるに伴って生じる熱によって高温に曝されると特性劣化を生じ易い。したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置１０によれば、有機ＥＬ素子７２から効率良く放熱でき、有機ＥＬ装置１０の寿命を延ばすことが可能である。尚、陰極４９を介した熱伝導によっても相応の放熱効果は得られる。   Each material constituting the organic EL layer 50 is likely to be deteriorated in characteristics when exposed to a high temperature by heat generated when the organic EL element 72 is driven. Therefore, according to the organic EL device 10 of the present embodiment, heat can be efficiently radiated from the organic EL element 72, and the life of the organic EL device 10 can be extended. A corresponding heat radiation effect can also be obtained by heat conduction through the cathode 49.

（第２実施形態）
次に、図６を参照しながら本実施形態の有機ＥＬ装置１００を説明する。図６は、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の構成を示す断面図である。尚、以下で説明する各実施形態の有機ＥＬ装置では、第１実施形態の有機ＥＬ装置と共通する部分に共通の参照符号を付して説明し、共通部分についての詳細な説明は便宜省略する。 (Second Embodiment)
Next, the organic EL device 100 of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view showing a configuration of the organic EL device 100 of the present embodiment. In addition, in the organic EL device of each embodiment described below, a common reference numeral is attached to a portion common to the organic EL device of the first embodiment, and detailed description of the common portion is omitted for convenience. .

図６において、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、切り込む部６５ａがＶ字型であるいる点で第１実施形態の有機ＥＬ装置１０と相違する。陰極４９は、切り込み部６５ａの内壁面、第２バンク部４７ｂの表面、及び有機ＥＬ層５０の表面に渡って延在するように形成されている。有機ＥＬ層５０で発生した熱は、有機ＥＬ層５０及び第２バンク部４７ｂの表面を介して陰極４９に伝達される。ここで、第２実施形態と同様に、第２バンク部４７ｂに切り込み部６５ａが形成されていることにより、第２バンク部４７ｂの熱容量が低減されており、且つ第２バンク部４７ｂ及び陰極４９の接触面積が増大しているため、有機ＥＬ層５０で発生した熱は、第２バンク部４７ｂ及び陰極４９を介して装置外部に放熱される。したがって、有機ＥＬ層５０の温度上昇を抑制でき、有機ＥＬ装置１００の寿命を延ばすことが可能である。   In FIG. 6, the organic EL device 100 of the present embodiment is different from the organic EL device 10 of the first embodiment in that the cut portion 65 a is V-shaped. The cathode 49 is formed so as to extend over the inner wall surface of the cut portion 65a, the surface of the second bank portion 47b, and the surface of the organic EL layer 50. The heat generated in the organic EL layer 50 is transmitted to the cathode 49 through the surface of the organic EL layer 50 and the second bank part 47b. Here, as in the second embodiment, the notch 65a is formed in the second bank 47b, so that the heat capacity of the second bank 47b is reduced, and the second bank 47b and the cathode 49 are reduced. Therefore, the heat generated in the organic EL layer 50 is radiated to the outside of the device through the second bank portion 47b and the cathode 49. Therefore, the temperature rise of the organic EL layer 50 can be suppressed, and the life of the organic EL device 100 can be extended.

尚、第１及び第２実施形態の有機ＥＬ装置が備える切り込み部６５及び６５ａは、各実施形態で示した形状に限定されるものではない。例えば、断面上でテーパー形状であってもよいし、異なる形状の切り込み部が異なる画素領域の第２バンク部４７ｂの夫々に形成されていてもよい。   Note that the cut portions 65 and 65a included in the organic EL devices of the first and second embodiments are not limited to the shapes shown in the embodiments. For example, a taper shape may be used on the cross section, and cut portions having different shapes may be formed in the second bank portions 47b of different pixel regions.

（第３実施形態）
次に、図７を参照しながら本実施形態の有機ＥＬ装置２００を説明する。図７は、本実施形態の有機ＥＬ装置２００の構成を示す断面図である。有機ＥＬ装置２００は、第２バンク部４７ｂに切り込み部の代わりに中空部６９が設けられている点で第１及び第２実施形態の有機ＥＬ装置と相違する。 (Third embodiment)
Next, the organic EL device 200 of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view showing a configuration of the organic EL device 200 of the present embodiment. The organic EL device 200 is different from the organic EL devices of the first and second embodiments in that a hollow portion 69 is provided in the second bank portion 47b instead of the cut portion.

図７において、有機ＥＬ装置２００は、第２バンク部４７ｂに設けられた中空部６９を備えている。中空部６９は、第２バンク部４７ｂの体積を低減するように第２バンク部４７ｂ中に形成されていれば如何なる形状であってもよい。中空部６９によれば、アクリル樹脂或いはポリイミド樹脂等の樹脂で構成された第２バンク部４７ｂの熱容量を低減できるため、有機ＥＬ層５０で生じた熱がバンク部４７に蓄積されることなく有機ＥＬ層５０から離れた領域に速やかに伝達される。第２バンク部４７ｂは、外側の表面及び中空部６９に臨む内側の表面の両方から放熱できるため、中空部６９を設けない場合に比べて第２バンク部４７ｂの表面から放熱される熱量を増大させることが可能である。また、バンク部４７は、平面的に見て基板１上を被うように複数の画素領域に渡って延在するように形成されているため、中空部６９を第２バンク部４７ｂが延在する方向に沿って連通するように形成しておくことにより、中空部６９を介して有機ＥＬ層５０で生じた熱を放熱できる。   In FIG. 7, the organic EL device 200 includes a hollow portion 69 provided in the second bank portion 47b. The hollow portion 69 may have any shape as long as it is formed in the second bank portion 47b so as to reduce the volume of the second bank portion 47b. According to the hollow part 69, the heat capacity of the second bank part 47b made of a resin such as an acrylic resin or a polyimide resin can be reduced, so that the heat generated in the organic EL layer 50 is not accumulated in the bank part 47 and is organic. It is quickly transmitted to a region away from the EL layer 50. Since the second bank portion 47b can radiate heat from both the outer surface and the inner surface facing the hollow portion 69, the amount of heat radiated from the surface of the second bank portion 47b is increased as compared with the case where the hollow portion 69 is not provided. It is possible to make it. Further, since the bank portion 47 is formed so as to extend over a plurality of pixel regions so as to cover the substrate 1 in plan view, the second bank portion 47b extends through the hollow portion 69. The heat generated in the organic EL layer 50 can be radiated through the hollow portion 69 by being formed so as to communicate with each other along the direction in which the light is emitted.

よって、本実施形態の有機ＥＬ装置２００によれば、第１及び第２実施形態の有機ＥＬ装置と同様に、バンク部４７の熱容量を低減することによって放熱量の増大させることができ、有機ＥＬ層５０の温度上昇を抑制することが可能である。その結果、有機ＥＬ装置２００の寿命を延ばすことができ、有機ＥＬ装置を長期間に亘って安定して動作させることが可能である。尚、第２バンク部４７ｂは、アクリル樹脂或いはポリイミド樹脂等の基材と共に実使用上支障が生じない程度に金属等の熱伝導材料又は第２バンクｂ４７ｂの熱放射率を高めるための熱放射材料を含んでいてもよい。   Therefore, according to the organic EL device 200 of the present embodiment, similarly to the organic EL devices of the first and second embodiments, the heat dissipation amount can be increased by reducing the heat capacity of the bank unit 47, and the organic EL device It is possible to suppress the temperature rise of the layer 50. As a result, the lifetime of the organic EL device 200 can be extended, and the organic EL device can be stably operated over a long period of time. The second bank portion 47b is made of a heat conductive material such as a metal or a heat radiation material for increasing the heat emissivity of the second bank b47b to such an extent that it does not interfere with actual use together with a base material such as an acrylic resin or a polyimide resin. May be included.

このように、中空部６０が設けられた第２バンク部４７ｂによれば、有機ＥＬ装置２００及び有機ＥＬ素子７２の構造を大きく変更することなく、有機ＥＬ素子７２及び有機ＥＬ装置２００から効率良く放熱することが可能である。   Thus, according to the 2nd bank part 47b provided with the hollow part 60, without changing the structure of the organic EL device 200 and the organic EL element 72 largely, it is efficient from the organic EL element 72 and the organic EL device 200. It is possible to dissipate heat.

尚、上述した第１乃至第３実施形態では、有機ＥＬ層５０で発生した熱を装置外部に放熱する観点に注目して各有機ＥＬ装置の構成を説明したが、切り込み部６５及び中空部６９の少なくとも一方を備えた有機ＥＬ層装置によれば、有機ＥＬ層５０で生じた熱の放熱量を増大させるだけでなく、各有機ＥＬ装置で熱源となりうる部分の全てから効率良く放熱することが可能である。より具体的には、例えば、配線等或いは駆動トランジスタ等の電子素子で発生したでジュール熱もバンク部４７を介して装置外部に効率良く放熱できる。   In the first to third embodiments described above, the configuration of each organic EL device has been described focusing on the viewpoint of dissipating the heat generated in the organic EL layer 50 to the outside of the device. However, the cut portion 65 and the hollow portion 69 are described. According to the organic EL layer device provided with at least one of the above, not only the heat dissipation amount of the heat generated in the organic EL layer 50 is increased, but also the heat can be efficiently radiated from all the portions that can be heat sources in each organic EL device. Is possible. More specifically, for example, Joule heat generated in an electronic element such as a wiring or a driving transistor can be efficiently radiated to the outside of the apparatus via the bank unit 47.

（実験結果）
次に、表１を参照しながら第１及び第２実施形態の有機ＥＬ装置について行った実験結果を説明する。表１は、従来構造の有機ＥＬ装置と、第１及び第２実施形態の有機ＥＬ装置とを駆動させた際の夫々の基板表面の温度を測定した結果を示す。尚、基板の表面温度は、各有機ＥＬ素子が形成された基板表面に熱電対を取り付けて測定された値である。試料１は、第１実施形態で説明したように、第２バンク部４７ｂに断面上で矩形状の切り込む部が設けられた有機ＥＬ装置であり、試料２は第２バンク部４７ｂにＶ字型の切り込み部が設けられた有機ＥＬ装置である。試料１及び２の切り込み部の表面の夫々は、陰極で覆われている。これら試料１及び２と、従来構造を有するモニタは、切り込み部の有無の違いの除いた他の部分は同様の構造を有している。尚、実験は周囲温度が８０℃の環境で行った。 (Experimental result)
Next, the results of experiments performed on the organic EL devices of the first and second embodiments will be described with reference to Table 1. Table 1 shows the results of measuring the temperatures of the respective substrate surfaces when the organic EL device having the conventional structure and the organic EL devices of the first and second embodiments are driven. The surface temperature of the substrate is a value measured by attaching a thermocouple to the surface of the substrate on which each organic EL element is formed. As described in the first embodiment, the sample 1 is an organic EL device in which the second bank portion 47b is provided with a rectangular cut portion on the cross section, and the sample 2 has a V-shape on the second bank portion 47b. This is an organic EL device provided with a cut portion. Each of the surfaces of the cut portions of Samples 1 and 2 is covered with a cathode. These samples 1 and 2 and the monitor having the conventional structure have the same structure in other parts except for the difference in the presence or absence of the notch. The experiment was performed in an environment where the ambient temperature was 80 ° C.

Figure 0004742626
表１に示すように、本願発明者が行った実験によれば、試料１は従来構造の有機ＥＬ装置に比べて基板表面温度を９℃下げることができ、試料２は従来構造より基板表面温度を１０℃下げることが可能であることが分かった。これに伴い、有機ＥＬ素子の輝度が半減するまでの時間を示す半減寿命が、従来構造の装置では８００時間であるのに対し、試料１及び試料２の夫々で１１００時間、１２００時間であり、大幅に半減寿命を伸ばすことが可能であることが分かった。このように、本実験によれば、第１及び第２実施形態の有機ＥＬ装置が備える有機ＥＬ素子の寿命を延ばすことが可能であり、これに伴い有機ＥＬ装置全体の寿命が格段に延びることが示された。
Figure 0004742626
 As shown in Table 1, according to an experiment conducted by the present inventor, the sample 1 can lower the substrate surface temperature by 9 ° C. compared to the organic EL device having the conventional structure, and the sample 2 has a substrate surface temperature higher than that of the conventional structure. It was found that the temperature could be lowered by 10 ° C. Accordingly, the half-life indicating the time until the luminance of the organic EL element is halved is 1800 hours and 1200 hours for each of the sample 1 and the sample 2 as compared to 800 hours for the device having the conventional structure. It was found that the half-life can be greatly extended. As described above, according to this experiment, it is possible to extend the lifetime of the organic EL elements included in the organic EL devices of the first and second embodiments, and accordingly, the lifetime of the entire organic EL device is significantly extended. It has been shown.

（電子機器）
次に、上述した有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置を備えた各種電子機器について説明する。 (Electronics)
Next, various electronic devices including the organic EL device including the above-described organic EL element will be described.

＜Ａ：モバイル型コンピュータ＞
図８を参照しながらモバイル型のコンピュータに上述した有機ＥＬ装置を適用した例について説明する。図８は、コンピュータ１２００の構成を示す斜視図である。 <A: Mobile computer>
An example in which the above-described organic EL device is applied to a mobile computer will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a perspective view showing the configuration of the computer 1200.

図８において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、図示しない有機ＥＬ装置を用いて構成された表示部１００５を有する表示ユニット１２０６とを備えている。表示部１００５は、素子内の温度上昇に起因する発光層等の特性劣化が低減されており、装置全体の信頼性も高められている。また、上述した有機ＥＬ素子を含んだ表示部１００５は、熱伝導のみで放熱を行う従来の表示部に対して放熱構造を簡略化できるため、表示ユニット１２０６を小型に構成できる。よって装置全体の小型化につながり、装置の携帯性が改善される。また、表示部１００５が備える複数の有機ＥＬディスプレイ基板に赤、緑、青の光の三原色の光を発光する有機ＥＬ素子を形成しておくことによって、該表示部１００５はフルカラー表示で画像表示を行うことができる。   In FIG. 8, a computer 1200 includes a main body 1204 including a keyboard 1202 and a display unit 1206 having a display unit 1005 configured using an organic EL device (not shown). In the display portion 1005, deterioration in characteristics of the light emitting layer and the like due to temperature rise in the element is reduced, and the reliability of the entire device is also improved. In addition, the display unit 1005 including the organic EL element described above can simplify the heat dissipation structure compared to the conventional display unit that performs heat dissipation only by heat conduction, and thus the display unit 1206 can be configured in a small size. Therefore, the overall size of the device is reduced, and the portability of the device is improved. Further, by forming organic EL elements that emit light of three primary colors of red, green, and blue on a plurality of organic EL display substrates included in the display unit 1005, the display unit 1005 displays an image in full color display. It can be carried out.

＜Ｂ：携帯型電話機＞
更に、上述した有機ＥＬ装置を携帯型電話機に適用した例について、図９を参照して説明する。図９は、携帯型電話機１３００の構成を示す斜視図である。 <B: Mobile phone>
Further, an example in which the above-described organic EL device is applied to a mobile phone will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a perspective view showing the configuration of the mobile phone 1300.

図９において、携帯型電話機１３００は、複数の操作ボタン１３０２と共に、本発明の一実施形態である有機ＥＬ装置を有する表示部１３０５を備えるものである。   In FIG. 9, a mobile phone 1300 includes a display unit 1305 having an organic EL device according to an embodiment of the present invention, together with a plurality of operation buttons 1302.

表示部１３０５は、上述の表示部１００５と同様に発光層等の特性劣化が低減されていることから、高品質の画像を表示することができると共に信頼性が高められている。これにより、携帯型電話機１３００の耐久性も高められている。また、表示部１３０５が備える複数の有機ＥＬ素子が夫々赤、緑、青の光の三原色の光を発光することによって、該表示部１３０５はフルカラー表示で画像表示を行うこともできる。   Since the display portion 1305 has reduced characteristic deterioration of the light emitting layer and the like as in the case of the above-described display portion 1005, it can display a high-quality image and has high reliability. Thereby, the durability of the mobile phone 1300 is also improved. In addition, the plurality of organic EL elements included in the display portion 1305 emit light of the three primary colors of red, green, and blue, so that the display portion 1305 can perform image display in full color display.

尚、本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う発光装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。   It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification, and a light-emitting device with such a change In addition, electronic devices are also included in the technical scope of the present invention.

本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating a configuration of an organic EL device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す平面図である。1 is a plan view showing a configuration of an organic EL device according to a first embodiment of the present invention. 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ´線断面図である。It is the III-III 'sectional view taken on the line of FIG. 本発明の第１実施形態の画素部の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the pixel part of 1st Embodiment of this invention. 図４のＡ−Ａ´線断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 4. 本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the organic electroluminescent apparatus concerning 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the organic electroluminescent apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明に係る電子機器の一例の斜視図である。It is a perspective view of an example of the electronic device concerning the present invention. 本発明に係る電子機器の他の例の斜視図である。It is a perspective view of the other example of the electronic device which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１０，１００，２００・・・有機ＥＬ装置、２０・・・封止板、３４・・・陽極、４７・・・バンク部、４９・・・陰極、５０・・・有機ＥＬ層、６５，６５ａ・・・切り込み部、７２・・・有機ＥＬ素子   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,100,200 ... Organic EL apparatus, 20 ... Sealing plate, 34 ... Anode, 47 ... Bank part, 49 ... Cathode, 50 ... Organic EL layer, 65, 65a ... Incision part, 72 ... Organic EL element

Claims (6)

基板と、
前記基板上に設けられており、前記基板上の画像表示領域を構成する複数の画素領域の各々内に設けられた複数の凹部を規定する隔壁部と、
前記隔壁部内に形成された中空部と、
前記複数の凹部に形成された複数の発光部と
を備え、
前記隔壁部は、平面的にみて前記複数の画素領域に延在しており、
前記中空部は、前記隔壁部が延在する方向に沿って連通するように形成されている
ことを特徴とする発光装置。 A substrate,
A partition that is provided on the substrate and that defines a plurality of recesses provided in each of a plurality of pixel regions constituting an image display region on the substrate;
A hollow portion formed in the partition wall;
A plurality of light emitting portions formed in the plurality of recesses ,
The partition wall portion extends to the plurality of pixel regions in plan view,
The hollow portion is formed to communicate along a direction in which the partition wall extends.
A light emitting device characterized by that. 前記中空部は、前記隔壁部の内部がくりぬかれることにより形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。  The light emitting device according to claim 1, wherein the hollow portion is formed by hollowing out the inside of the partition wall portion. 前記隔壁部は、無機材料で構成される第１隔壁部と、該第１隔壁部上に形成され有機材料で構成される第２隔壁部とを有し、  The partition wall includes a first partition wall made of an inorganic material, and a second partition wall formed on the first partition wall and made of an organic material,
前記中空部は、前記第２隔壁部の内部がくりぬかれることにより形成されている  The hollow portion is formed by hollowing out the inside of the second partition wall portion.
ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。  The light-emitting device according to claim 2. 前記中空部は、前記複数の画素領域に渡って格子状に延びていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の発光装置。  The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the hollow portion extends in a lattice shape over the plurality of pixel regions. 前記発光部は、有機ＥＬ層を有すること
を特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 4 , wherein the light emitting unit includes an organic EL layer. 請求項１から５の何れか一項に記載の発光装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。 An electronic device characterized by being provided with a light-emitting device according to claim 1, any one of 5.
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