JP4737542B2 - Organic EL panel - Google Patents
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、テレビやパソコンモニタ、携帯電話等の携帯端末などに使用されるフラットパネルのディスプレイや面発光光源、照明、発光型広告体などとして、幅広い用途が期待される有機ＥＬパネル（有機エレクトロルミネセンスパネル）に関するものである。 The present invention is an organic EL panel (organic electroluminescence panel) that is expected to be widely used as a flat panel display, a surface-emitting light source, illumination, a light-emitting advertising body, etc. used in portable terminals such as televisions, personal computer monitors, and mobile phones. Luminescence panel).
有機ＥＬパネルは、広視野角で応答速度が速く、かつ低消費電力などの利点を有する観点から、ブラウン管や液晶ディスプレイに変わるフラットパネルディスプレイとして期待されている。 The organic EL panel is expected as a flat panel display that replaces a cathode ray tube or a liquid crystal display from the viewpoint of having a wide viewing angle, a high response speed, and low power consumption.
有機ＥＬパネルは、陽極用電極と陰極用電極との間に有機発光媒体層を介在させた構造であり、両電極間に電圧を印加し電流を流すことにより有機発光媒体層で発光させる自発光型の表示素子である。一般的に、陽極には透明電極が用いられ、有機発光媒体層で発生した光が透明陽極側から取り出される構成になっている。
また、ディスプレイの駆動方式には、パッシブマトリクス駆動とアクティブマトリクス駆動とがあり、さらにディスプレイを大型、高精細化するためには、ディスプレイを構成する表示画素をＴＦＴ（薄膜トランジスタ）により画素毎に駆動するアクティブマトリクス駆動が低電圧駆動できる観点から有利である。しかし、ＴＦＴ基板上に透明陽極を形成し、透明陽極側から光を取り出す従来型の下面発光素子を作製すると、ＴＦＴや配線などにより開口率が制限され、光の取り出し効率が低下するといった問題があった。
An organic EL panel has a structure in which an organic light-emitting medium layer is interposed between an anode electrode and a cathode electrode, and self-light-emitting light is emitted from the organic light-emitting medium layer by applying a voltage between the electrodes and flowing a current. Type display element. Generally, a transparent electrode is used for the anode, and light generated in the organic light emitting medium layer is extracted from the transparent anode side.
In addition, there are two types of display driving methods, passive matrix driving and active matrix driving. In order to further increase the size and definition of the display, display pixels constituting the display are driven for each pixel by a TFT (thin film transistor). Active matrix driving is advantageous from the viewpoint that low voltage driving can be performed. However, forming a transparent anode on a TFT substrate and producing a conventional bottom surface light emitting device that extracts light from the transparent anode side has a problem that the aperture ratio is limited by the TFT or wiring and the light extraction efficiency is reduced. there were.
これに対して、近年、陰極を透明電極化したり、陽極電極と陰極電極を形成する順序を逆にした、いわゆる上面発光型パネル（トップエミッションパネル）が考案され、従来の下面発光型パネル（ボトムエミッションパネル）よりも開口率を大きくすることができることから、光の取り出し効率が向上すると言われている（例えば特許文献１参照）。
ここで、下面発光型有機ＥＬパネルの一般的な封止方法である、凹部を有するガラスキャップや金属キャップを用いたキャップ封止法は、非透光性の乾燥剤を内包しているため、上面発光型パネルには使用できない。そこで、近年、有機ＥＬパネル上にパッシベーション膜を積層し、その上から接着剤を介して透明基材がベタで貼り合わされる固体封止法が提案されている（例えば特許文献２参照）。
Here, a cap sealing method using a glass cap or a metal cap having a concave portion, which is a general sealing method of a bottom emission type organic EL panel, includes a non-translucent desiccant, Cannot be used for top-emitting panels. Therefore, in recent years, a solid sealing method has been proposed in which a passivation film is laminated on an organic EL panel, and a transparent base material is bonded with a solid from the adhesive film (see, for example, Patent Document 2).
しかしながら、上述のような固体封止方法では、乾燥剤を内包できないため、接着層の端面からの水の浸入を抑制するには、接着層の薄膜化、低透湿化、広額縁化やパッシベーション膜の低透湿化に頼らざるを得なく、近年の狭額縁化要求を満たす封止性能を出すのが困難であった。
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたもので、低透湿性の透明封止を可能にするとともに、上面発光型パネルの封止にも使用でき、狭い額縁パネルでも長期にわたり劣化しない有機ＥＬパネルを提供することを目的とする。
However, since the solid sealing method as described above cannot contain a desiccant, in order to suppress the intrusion of water from the end face of the adhesive layer, the adhesive layer is reduced in thickness, reduced in moisture permeability, widened in frame, and passivated. It has been necessary to rely on moisture permeation of the membrane, and it has been difficult to achieve sealing performance that satisfies the recent demand for narrow frame.
The present invention has been made in order to solve the above-described problems. It enables transparent sealing with low moisture permeability and can also be used for sealing a top-emitting panel. Even a narrow frame panel can be used for a long time. An object is to provide an organic EL panel which does not deteriorate.
上述の目的を達成するために本発明は、支持基材と、前記支持基材の一方の面に表示画素に対応して形成された第１電極と、前記第１電極上に積層された有機発光媒体層と、前記有機発光媒体層上に積層された第２電極とからなる有機ＥＬ素子を有し、前記有機ＥＬ素子を含む前記支持基材の一方の面を接着層を介して封止基材により被覆し封止してなる有機ＥＬパネルであって、前記有機ＥＬ素子の周囲を囲むように前記支持基材の一方の面の周縁箇所に前記封止基材に向けて突出する少なくとも１つの第１隔壁が形成され、前記有機ＥＬ素子の周囲を囲むように前記支持基材の一方の面と対向する前記封止基材の面の周縁箇所に前記支持基材に向けて突出する少なくとも１つの第２隔壁が形成され、前記第１隔壁と前記第２隔壁は互いに近接して形成されている有機ＥＬパネルにおいて、前記第１及び第２隔壁のいずれか一方の突出先端面には該隔壁の全長に亘り凹部が形成され、他方の隔壁の突出先端面には前記凹部に係合される凸部が形成され、前記有機ＥＬ素子の表面及び前記第１隔壁の表面が無機化合物からなる第１バリア層により被覆され、前記第２隔壁の表面が無機化合物からなる第２バリア層により被覆され、前記接着層は前記第１バリア層と前記第２バリア層との間に形成されていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, the present invention provides a support base material, a first electrode formed on one surface of the support base material corresponding to a display pixel, and an organic layer stacked on the first electrode. An organic EL element including a light emitting medium layer and a second electrode laminated on the organic light emitting medium layer, and sealing one surface of the support substrate including the organic EL element through an adhesive layer An organic EL panel that is coated and sealed with a base material, and at least protrudes toward the sealing base material at a peripheral portion of one surface of the support base material so as to surround the periphery of the organic EL element. One first partition wall is formed and protrudes toward the support base material at a peripheral portion of the surface of the sealing base material facing one surface of the support base material so as to surround the periphery of the organic EL element. At least one of the second partition wall is formed, the said first partition wall second partition wall each other In the organic EL panel formed in contact with each other, a recess is formed on the protruding front end surface of one of the first and second partition walls over the entire length of the partition wall, and the recess is formed on the protruding front end surface of the other partition wall. The surface of the organic EL element and the surface of the first partition are covered with a first barrier layer made of an inorganic compound, and the surface of the second partition is made of an inorganic compound. It is covered with a barrier layer, and the adhesive layer is formed between the first barrier layer and the second barrier layer .
本発明の有機ＥＬパネルによれば、支持基材の周縁箇所に第１隔壁を、封止基材の周縁箇所に第２隔壁をそれぞれ設け、これら支持基材と封止基材とを接着層を介して貼り合わせるようにしたので、額縁の幅を広くすることなく水分の侵入経路を長くでき、これにより、低透湿性の透明封止を可能にするとともに上面発光型パネルの封止にも使用でき、かつ長寿命の有機ＥＬパネルを提供できる。 According to the organic EL panel of the present invention, the first partition is provided at the peripheral portion of the support base, the second partition is provided at the peripheral portion of the sealing base, and the support base and the sealing base are bonded to each other. The moisture intrusion path can be lengthened without widening the frame width, thereby enabling low moisture-permeable transparent sealing and sealing of the top-emitting panel. An organic EL panel that can be used and has a long life can be provided.
（第１の実施の形態）
次に、本発明にかかる有機ＥＬパネルの実施の形態について図面を参照して説明する。なお、本発明にかかる有機ＥＬパネルは、以下に説明する実施の形態に限定されるものではない。
また、本発明における上面発光型パネルは、少なくとも陽極と陰極のどちらか一方が透光性であれば、上面発光側の電極層としては陽極でも陰極でも良い。以下、本発明における上面発光型有機ＥＬパネルの一例を図１に基づいて説明する。
(First embodiment)
Next, an embodiment of the organic EL panel according to the present invention will be described with reference to the drawings. The organic EL panel according to the present invention is not limited to the embodiments described below.
In the top emission panel of the present invention, the electrode layer on the top emission side may be an anode or a cathode as long as at least one of the anode and the cathode is translucent. Hereinafter, an example of the top emission type organic EL panel in the present invention will be described with reference to FIG.
有機ＥＬパネル１００は、図１（ｈ）に示すように、平板状の支持基材１と、この支持基材１の一方の面に設けられた有機ＥＬ素子１０１を備える。有機ＥＬ素子１０１は、支持基材１の一方の面に表示画素に対応してマトリクス状に配列して形成された多数の第１電極２と、絶縁層３で囲まれた第１電極２の開放上面に第１電極２ごとに積層された有機発光媒体層５と、絶縁層３と有機発光媒体層５上に積層された第２電極６とを有し、この有機ＥＬ素子１０１を含む支持基材１の一方の面は接着層８を介して封止基材９により被覆され水密に封止されている。
そして、支持基材１と封止基材９とを貼り合わせる接着層８の側周面の水密性を確実にするために、支持基材１の一方の面の周縁箇所には、有機ＥＬ素子１０１の周囲を囲むように封止基材９に向けて突出する第１隔壁４が形成され、さらに有機ＥＬ素子１０１の周囲を囲むように支持基材１の一方の面と対向する封止基材９の面の周縁箇所に支持基材１に向けて突出する第２隔壁１０が形成されている。また、支持基材１の一方の面の周縁箇所には、第２電極６の外部引出し用電極１２が形成されており、この外部引出し用電極１２は第１隔壁４の下層に位置して設けられるものである。また、図１（ｈ）において、符号７は有機ＥＬ素子１０１の表面及び第１隔壁４の表面を被覆する第１バリア層であり、符号１１は第２隔壁１０の表面及び封止基材９の表面を被覆する第２バリア層である。また、図１（ｈ）から明らかなように、接着層８は第１バリア層７と前記第２バリア層１１との間に形成されている。
なお、図１（ｈ）には図示していないが、有機ＥＬ素子１０１と対向する支持基材１の領域には、有機ＥＬ素子１０１を駆動するためのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられている。
As shown in FIG. 1 (h), the
And in order to ensure the watertightness of the side peripheral surface of the
Although not shown in FIG. 1 (h), a TFT (thin film transistor) for driving the organic EL element 101 is provided in the region of the support base 1 facing the organic EL element 101.
支持基材１に使用される材料は、有機ＥＬパネルにおける光の取り出し方向に応じて選択することが好ましく、例えば、光を取り出したい場合は、支持基材１にガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシート、または、これらプラスチックフィルムやシートに酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物、酸窒化珪素などの金属酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた透光性基材を用いることができる。また、光を取り出さない場合には、上記透光性基材の他に、アルミニウムやステンレスなどの金属箔、シートやシリコン基板、前記プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属膜を積層させた非透光性基材などを用いることができる。 The material used for the support substrate 1 is preferably selected according to the light extraction direction in the organic EL panel. For example, when light is to be extracted, the support substrate 1 is made of glass, quartz, polypropylene, or polyether. Plastic films and sheets such as sulfone, polycarbonate, cycloolefin polymer, polyarylate, polyamide, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, or metal oxides such as silicon oxide and aluminum oxide on these plastic films and sheets Metal fluorides such as aluminum fluoride and magnesium fluoride, metal nitrides such as silicon nitride and aluminum nitride, metal oxynitrides such as silicon oxynitride, polymer resins such as acrylic resin, epoxy resin, silicon resin and polyester resin It can be used a single layer or a translucent substrate as a laminate. When light is not extracted, in addition to the above-mentioned translucent substrate, metal foil such as aluminum or stainless steel, sheet or silicon substrate, metal film such as aluminum, copper, nickel or stainless steel on the plastic film or sheet. For example, a non-translucent base material in which is laminated can be used.
また、これらの支持基材１には、必要に応じて、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、駆動用基板として用いてもよい。薄膜トランジスタとしては、公知の薄膜トランジスタを用いることができる。具体的には、主として、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域が形成される活性層、ゲート絶縁膜及びゲート電極から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。薄膜トランジスタの構造としては、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。活性層は、特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料又はチオフエンオリゴマー、ポリ（ｐ-フェリレンビニレン）等の有機半導体材料により形成することができる。これらの活性層は、例えば、アモルファスシリコンをプラズマＣＶＤ法により積層し、イオンドーピングする方法、ＳｉＨ４ガスを用いてＬＰＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、Ｓｉ２Ｈ６ガスを用いてＬＰＣＶＤ法により、また、ＳｉＨ４ガスを用いてＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法（低温プロセス）、減圧ＣＶＤ法又はＬＰＣＶＤ法によりポリシリコンを積層し、１０００℃以上で熱酸化してゲート絶縁膜を形成し、その上にｎ＋ポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法（高温プロセス）等が挙げられる。ゲート絶縁膜としては、通常、ゲート絶縁膜として使用されているものを用いることができ、例えば、ＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等により形成されたＳｉＯ２；ポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ２等を用いることができる。ゲート電極としては、通常、ゲート電極として使用されているものを用いることができ、例えば、アルミ、銅等の金属、チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属、ポリシリコン、高融点金属のシリサイド、ポリサイド等が挙げられる。また、薄膜トランジスタは、シングルゲート構造、ダブルゲート構造、ゲート電極が３つ以上のマルチゲート構造であってもよい。また、ＬＤＤ構造、オフセット構造を有していてもよい。さらに、１つの画素中に２つ以上の薄膜トランジスタが配置されていてもよい。 In addition, a thin film transistor (TFT) may be formed on these supporting base materials 1 as necessary and used as a driving substrate. A known thin film transistor can be used as the thin film transistor. Specifically, a thin film transistor mainly including an active layer in which a source / drain region and a channel region are formed, a gate insulating film, and a gate electrode can be given. The structure of the thin film transistor is not particularly limited, and examples thereof include a staggered type, an inverted staggered type, a top gate type, and a coplanar type. The active layer is not particularly limited, and examples thereof include amorphous semiconductor materials such as amorphous silicon, polycrystalline silicon, microcrystalline silicon, cadmium selenide, thiophene oligomers, poly (p-ferylene vinylene), and the like. It can be formed of an organic semiconductor material. These active layers are formed by, for example, laminating amorphous silicon by plasma CVD, ion doping, forming amorphous silicon by LPCVD using SiH 4 gas, and crystallizing amorphous silicon by solid phase growth. After obtaining silicon, ion doping is performed by ion implantation, LPCVD using Si 2 H 6 gas, and amorphous silicon is formed by PECVD using SiH 4 gas, and laser such as excimer laser is used. After annealing and crystallizing amorphous silicon to obtain polysilicon, polysilicon is laminated by ion doping (low temperature process), low pressure CVD or LPCVD, and thermally oxidized at 1000 ° C. or higher. Gate break Film is formed, a gate electrode of the n + polysilicon is formed thereon, then, a method of ion doping (high temperature process), and the like by an ion implantation method. As the gate insulating film, typically, it can be used that is used as a gate insulating film, for example, PECVD method, SiO formed by the LPCVD method or the like 2; SiO obtained polysilicon film was thermally oxidized 2 Etc. can be used. As a gate electrode, what is normally used as a gate electrode can be used, for example, metals, such as aluminum and copper, refractory metals, such as titanium, tantalum, and tungsten, polysilicon, silicide of a refractory metal, Polycide etc. are mentioned. The thin film transistor may have a single gate structure, a double gate structure, or a multi-gate structure having three or more gate electrodes. Moreover, you may have a LDD structure and an offset structure. Further, two or more thin film transistors may be arranged in one pixel.
本発明の有機ＥＬ素子は、薄膜トランジスタが有機ＥＬ素子のスイッチング素子として機能するように接続されている必要があり、トランジスタのドレイン電極と有機ＥＬ素子の第１電極が電気的に接続されている。薄膜トランジスタとドレイン電極と有機ＥＬ素子の第１電極との接続は、平坦化膜を貫通するコンタクトホール内に形成された接続配線を介して行われる。 The organic EL element of the present invention needs to be connected so that the thin film transistor functions as a switching element of the organic EL element, and the drain electrode of the transistor and the first electrode of the organic EL element are electrically connected. The thin film transistor, the drain electrode, and the first electrode of the organic EL element are connected via a connection wiring formed in a contact hole that penetrates the planarization film.
次に、本実施の形態における有機ＥＬパネルの製造方法について図１及び図２を参照して説明する。
まず、図１（ａ）に示すように支持基材１の上面に陽極としての第１電極２を形成する。ここで、第１電極２の形成と同時に図１示す第２電極６の外部引出し用電極１２が支持基材１の周縁箇所に形成される。
第１電極２の材料としては、有機発光媒体層５への正孔注入性を損なわず、低抵抗な材料であれば、特に制限はなく、金属酸化物等からなる透過膜を用いて透過型有機ＥＬ素子としてもよく、金属材料からなる非透過膜を用いて上面発光型有機ＥＬ素子としてもよく、酸化インジウムや酸化錫などの金属酸化物や、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したもののいずれをも使用することができる。また、必要に応じて第１電極２の配線抵抗を低くするために、銅やアルミニウムなどの金属材料を補助電極として併設してもよい。第１電極２の形成方法としては、使用される材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。また、第１電極２のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。
Next, a method for manufacturing the organic EL panel in the present embodiment will be described with reference to FIGS.
First, as shown in FIG. 1A, a
The material of the
次に、図１（ｂ）に示すように、支持基材１上に第１電極２の周囲を覆い、また複数の有機ＥＬ素子１０１を区画する絶縁層３をボックス状に形成する。この絶縁層３の全体形状は、図２（ａ）に示すように、第１電極２と対向する部分が開放した開口部３aを有する格子形状を呈している。
さらに、有機ＥＬ素子１０１よりも外側で、かつ封止基材９に設けた第２隔壁１０よりも外側に位置する支持基材１の周縁箇所の表面に、図１（ｂ）に示すように、第１隔壁４を外部引出し用電極１２上に積層された状態に形成する。この第１隔壁４は、図１及び図２（ｂ）に示すように、支持基材１との結合基部から先端に行くにしたがい横断面積が減少するテーパ形状を呈しており、さらに第１隔壁４は、第１隔壁４を突出先端側から見て角部を有さない枠状、すなわち矩形状を呈する支持基材１の四隅部に対応する第１隔壁４の角部が弧状に湾曲されたエンドレスの枠状を呈する形状に構成される。
なお、本発明における第１隔壁４は図１及び図２（ｂ）に示す凸部形状のものに限らず、図２（ｃ）に示すように、第１隔壁４の突出先端面にその全長に亘り凹部４ａを形成し、さらに、図２（e）に示すように、封止基材９に設けた第２隔壁１０の突出先端面に形成された凸部１０aを第１隔壁４の凹部４aに係合する構造にしてもよい。また、第１隔壁４を支持基材１の平面方向に複数列設ける構造にしてもよい。
Next, as shown in FIG. 1B, the insulating
Further, on the surface of the peripheral portion of the support base material 1 located outside the organic EL element 101 and outside the second partition 10 provided on the
In addition, the
絶縁層３及び第１隔壁４は、電気的絶縁性を有する材質のものを使用する必要があり、例えば感光性材料等を用いることができる。感光性材料としては、ポジ型であってもネガ型であってもよく、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、ポリイミド樹脂、およびシアノエチルプルランや、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等を用いることもできる。
隔壁形成材料が感光性材料の場合、形成材料溶液をスリットコート法やスピンコート法により全面コーティングした後、露光、現像といったフォトリソ法によりパターニングが行われる。また、凹版印刷法や凸版印刷法、平版印刷法を用いて、パターン形成してもよい。また、隔壁形成材料がＳｉＯ２、ＴｉＯ２の場合、スパッタリング法、ＣＶＤ法といった乾式成膜法で形成可能であり、隔壁のパターニングはマスクやフォトリソ法により行うことができる。
The insulating
When the partition wall forming material is a photosensitive material, the entire surface of the forming material solution is coated by a slit coating method or a spin coating method, and then patterning is performed by a photolithography method such as exposure and development. Moreover, you may form a pattern using an intaglio printing method, a relief printing method, and a lithographic printing method. When the partition wall forming material is SiO 2 or TiO 2 , it can be formed by a dry film forming method such as a sputtering method or a CVD method, and patterning of the partition wall can be performed by a mask or a photolithography method.
特に、本実施の形態における絶縁層３及び第１隔壁４は、後述する第１バリア層７の被覆成膜性を良好にするために、その横断面積が突出先端に行くにしたがい減少するテーパ形状であることが好ましい。また、各第１電極２の周囲を覆うように支持基材１上に形成された絶縁層３の開口部３ａの形状は、図２（ａ）に示すように角丸四角形のものに限らず、円状、楕円状などの角部の有しない形状であることが好ましく、同様にして、絶縁層３及び第１隔壁４の側面部にも角部が有しない、かつ傾斜した面であることが好ましい。
また、絶縁層３の形状は、第１電極２の配列パターンにより決定されるが、図２（ａ）に示すような格子状配列でも、デルタ配列でも、必要に応じて適宜配列パターンを選択可能である。また、有機発光媒体層５の成膜方法に応じて、絶縁層３を撥水性にしても親水性にしてもよい。また、絶縁層３の厚みには特に制限がなく、０．１μm〜５０μm程度の厚みのものを適宜使用することができ、特に、接着層８の厚みの半分以下であることがより望ましい。
In particular, the insulating
In addition, the shape of the insulating
また、第１隔壁４の突出高さ寸法には特に制限がなく、０．１〜５０μm程度の寸法のものを適宜使用することができるが、第１隔壁４と第２隔壁１０の突出先端部分同士を図２（ｄ）に示すように突出方向に互いに重なり合い、かつ支持基材１及び封止基材９の平面方向に互いに近接させて有機ＥＬパネルの長寿命化を図るために、第１隔壁４の突出高さ寸法は絶縁層３の突出高さ寸法よりも高く、接着層８の厚みの半分以上とすることが好ましい。また、第１隔壁４には、封止基材９に形成された第２隔壁１０と近接状態に位置決めするために、必要に応じてアライメントマークを形成することが好ましく、アライメント精度に応じて、適宜十字マークや＃マークなどのアライメントマーク形状とすることができる。
Moreover, there is no restriction | limiting in particular in the protrusion height dimension of the
次に、図１（ｃ）に示すように、絶縁層３の開口部３ａに臨む第１電極４上に有機発光媒体層５を形成する。
本実施の形態における有機発光媒体層５としては、発光物質を含む単層膜、あるいは多層膜で形成することができる。多層膜で形成する場合の構成例としては、正孔輸送層、電子輸送性発光層または正孔輸送性発光層、電子輸送層からなる２層構造や正孔輸送層、発光層、電子輸送層からなる３層構造、さらには、必要に応じて正孔（電子）注入機能と正孔（電子）輸送機能を分けたり、正孔（電子）の輸送をブロックする層などを挿入することにより、さらに多層に形成することがより好ましい。
正孔輸送材料の例としては、銅フタロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、キナクリドン化合物、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン等の芳香族アミン系低分子正孔注入輸送材料や、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物などの高分子正孔輸送材料、ポリチオフェンオリゴマー材料、その他既存の正孔輸送材料の中から選ぶことができる。
Next, as shown in FIG. 1C, the organic light emitting medium layer 5 is formed on the
The organic light emitting medium layer 5 in the present embodiment can be formed of a single layer film containing a light emitting substance or a multilayer film. Examples of the configuration in the case of forming a multilayer film include a hole transport layer, an electron transporting light emitting layer or a hole transporting light emitting layer, a two-layer structure comprising an electron transport layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer. By separating the hole (electron) injection function and the hole (electron) transport function as required, or by inserting a layer that blocks the transport of holes (electrons), etc. It is more preferable to form a multilayer.
Examples of hole transport materials include metal phthalocyanines such as copper phthalocyanine and tetra (t-butyl) copper phthalocyanine, and metal-free phthalocyanines, quinacridone compounds, 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) Cyclohexane, N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine, N, N′-di (1-naphthyl) -N, Aromatic amine low molecular hole injection and transport materials such as N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine, polyaniline, polythiophene, polyvinylcarbazole, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) ) And polystyrene sulfonic acid and other polymer hole transport materials, polythiophene oligomer materials, and other existing hole transport materials Door can be.
発光材料としては、９，１０−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、１，１，４，４−テトラフェニルブタジエン、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯体、トリス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−キノリノラート）スカンジウム錯体、ビス〔８−（パラ−トシル）アミノキノリン〕亜鉛錯体及びカドミウム錯体、１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−２，５−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、クマリン系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンスロン系蛍光体、ポルフィリン系蛍光体、キナクリドン系蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光体、ナフタルイミド系蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置換ピロロピロール系蛍光体等、Ｉｒ錯体等の燐光性発光体などの低分子系発光材料や、ポリフルオレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリスピロなどの高分子材料や、これら高分子材料に前記低分子材料の分散または共重合した材料や、その他既存の発光材料を用いることができる。 As the light-emitting material, 9,10-diarylanthracene derivatives, pyrene, coronene, perylene, rubrene, 1,1,4,4-tetraphenylbutadiene, tris (8-quinolinolato) aluminum complex, tris (4-methyl-8-) Quinolinolato) aluminum complex, bis (8-quinolinolato) zinc complex, tris (4-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) aluminum complex, tris (4-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) aluminum complex, Bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) [4- (4-cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) [4- (4- Cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, tri (8-quinolinolato) scandium complex, bis [8- (para-tosyl) aminoquinoline] zinc complex and cadmium complex, 1,2,3,4-tetraphenylcyclopentadiene, pentaphenylcyclopentadiene, poly-2,5- Diheptyloxy-para-phenylene vinylene, coumarin phosphor, perylene phosphor, pyran phosphor, anthrone phosphor, porphyrin phosphor, quinacridone phosphor, N, N'-dialkyl-substituted quinacridone phosphor , Naphthalimide-based phosphors, N, N′-diaryl-substituted pyrrolopyrrole-based phosphors, phosphorescent phosphors such as Ir complexes, and other low-molecular light-emitting materials, polyfluorene, polyparaphenylenevinylene, polythiophene, polyspiro, etc. Of these low molecular weight materials. Or copolymerized material and can be used other existing luminescent materials.
電子輸送材料の例としては、２−（４−ビフィニルイル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体やビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム錯体、トリアゾール化合物等を用いることができる。
有機発光媒体層５の膜厚は、単層または積層により形成する場合においても１０００ｎｍ以下であり、好ましくは５０〜１５０ｎｍである。特に、高分子ＥＬ素子の正孔輸送材料は、基材や陽極層の表面突起を覆う効果が大きく、５０〜１００ｎｍ程度の厚い膜を成膜することがより好ましい。
有機発光媒体層５の形成方法としては、材料に応じて、真空蒸着法や、スピンコート、スプレーコート、ノズルコート、フレキソ、グラビア、マイクログラビア、凹版オフセットなどのコーティング法や印刷法、インクジェット法などを用いることができる。特に、本実施の形態においては、有機発光媒体層５を絶縁層３の開口部３ａ内にパターン形成できる形成方法が好ましく、特に、赤（Ｒ）、青（Ｇ）、緑（Ｇ）の発光材料を、カラー表示可能な配列で絶縁層３の開口部３ａ内にパターン形成可能であることが望ましい。
Examples of the electron transport material include 2- (4-bifinylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis (1-naphthyl) -1, 3,4-oxadiazole, oxadiazole derivatives, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinolato) beryllium complexes, triazole compounds, and the like can be used.
The film thickness of the organic light emitting medium layer 5 is 1000 nm or less, preferably 50 to 150 nm, even when formed by a single layer or a stacked layer. In particular, the hole transport material of the polymer EL element has a large effect of covering the surface protrusions of the base material and the anode layer, and it is more preferable to form a thick film of about 50 to 100 nm.
As a method for forming the organic light emitting medium layer 5, depending on the material, a vacuum deposition method, a coating method such as spin coating, spray coating, nozzle coating, flexo, gravure, micro gravure, intaglio offset, printing method, ink jet method, etc. Can be used. In particular, in the present embodiment, a formation method in which the organic light emitting medium layer 5 can be patterned in the opening 3a of the insulating
次に、図１（ｄ）に示すように、陰極としての第２電極６を絶縁層３の上面及び有機発光媒体層５の上面に形成する。
この第２電極６の材料としては、Ｍｇ，Ａｌ, Ｙｂ等の金属単体を用いたり、有機発光媒体層５と接する界面にＬｉや酸化Ｌｉ，ＬｉＦ等の化合物を１ｎｍ程度挟んで、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積層して用いてもよい。または電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数が低いＬｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｓｃ，Ｙ，Ｙｂ等の金属１種以上と、安定なＡｇ，Ａｌ，Ｃｕ等の金属元素との合金系を用いてもよい。具体的にはＭｇ，Ａｇ，ＡｌＬｉ，ＣｕＬｉ等の合金が使用できる。さらには、これら仕事関数が低いＬｉやＣｓなどの材料を有機発光媒体層５中に少量ドーピングして使用することもできる。また、透光性電子注入電極層として利用する場合には、仕事関数が低いＬｉ，Ｃａを薄く設けた後に、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物を積層してもよく、また、有機発光媒体層５に、仕事関数が低いＬｉ，Ｃａなどの金属を少量ドーピングして、ＩＴＯなどの金属酸化物を積層してもよい。
第２電極６の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることができる。第２電極６の厚さには特に制限はないが、１０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度が望ましい。また、透光性電子注入電極層として利用する場合に、ＣａやＬｉなどの金属材料を用いる場合の膜厚は０．１〜１０ｎｍ程度が望ましい。
Next, as shown in FIG. 1D, the
As the material of the
As a method for forming the
次に、図１（ｅ）に示すように、絶縁層３、第１隔壁４及び有機発光媒体層５の全表面と支持基材１の露出表面を被覆するように第１バリア層７を積層する。この第１バリア層７には、酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化炭素などの金属窒化物、酸窒化珪素などの金属酸窒化物、炭化ケイ素などの金属炭化物などを用いることができる。特に、バリア性に優れた窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素を用いることが好ましい。また、これら第１バリア層７には、必要に応じて、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜との積層膜を用いることもでき、さらには、上方から光を取り出さない場合には、アルミニウム、チタン、金などの金属膜を積層してもよい。
Next, as shown in FIG. 1E, the first barrier layer 7 is laminated so as to cover the entire surface of the insulating
第１バリア層７の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、ＣＶＤ法を用いることができ、特にバリア性や透光性の面でＣＶＤ法を用いることが好ましい。ＣＶＤ法としては、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、触媒ＣＶＤ法、ＶＵＶ−ＣＶＤ法などを用いることができる。また、ＣＶＤ法における反応ガスとしては、モノシランや、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）やテトラエトキシシランなどの有機シリコン化合物に、Ｎ２、Ｏ２、ＮＨ３、Ｈ２、Ｎ２Ｏなどのガスを必要に応じて添加することができる。また、これらの膜には、使用する反応性ガスに応じて、膜中に水素や炭素が含有されていても良い。第１バリア層７の膜厚としては、有機ＥＬ素子の電極段差や基板の隔壁高さ、要求されるバリア特性などにより異なるが、１０ｎｍ〜１００００ｎｍ程度であることが好ましく、さらには、１００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度が好ましい。また、第１バリア層７は、膜の残留応力が大きいと有機ＥＬ素子の膜剥離などが生じるために、少なくとも低密度膜が±１００ＭＰａ以下であることが好ましい。 As a method for forming the first barrier layer 7, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, a sputtering method, or a CVD method can be used depending on the material. Further, it is preferable to use the CVD method in terms of translucency. As the CVD method, a thermal CVD method, a plasma CVD method, a catalytic CVD method, a VUV-CVD method, or the like can be used. In addition, as a reaction gas in the CVD method, a gas such as N 2 , O 2 , NH 3 , H 2 , N 2 O is added to an organic silicon compound such as monosilane, hexamethyldisilazane (HMDS), or tetraethoxysilane. It can be added as necessary. These films may contain hydrogen or carbon in the film depending on the reactive gas used. The film thickness of the first barrier layer 7 varies depending on the electrode step of the organic EL element, the height of the partition walls of the substrate, the required barrier properties, etc., but is preferably about 10 nm to 10000 nm, and more preferably 100 nm to 1000 nm. The degree is preferred. The first barrier layer 7 preferably has at least a low-density film of ± 100 MPa or less because peeling of the organic EL element occurs when the residual stress of the film is large.
次に、図１（ｆ）に示すように、第２隔壁１０を封止基材９の下面、すなわち支持基材１と対向する面であって、有機ＥＬ素子１０１よりも外側で、かつ第１隔壁４よりも内側に位置する封止基材９の周縁箇所に積層された状態に形成する。この第２隔壁１０は、図１及び図２（ｄ）に示すように、封止基材９との結合基部から先端に行くにしたがい横断面積が減少するテーパ形状を呈しており、さらに第２隔壁１０は、第２隔壁１０を突出先端側から見て角部を有さない枠状、すなわち矩形状を呈する封止基材９の四隅部に対応する第２隔壁１０の角部が弧状に湾曲されたエンドレスの枠状を呈する形状に構成される。
次いで、図１（ｇ）に示すように、第２隔壁１０の表面及び第２隔壁１０が形成されない封止基材９の表面領域を被覆するように第２バリア層１１を積層する。
なお、第１隔壁４に対応して第２隔壁１０を封止基材９の平面方向に複数列設ける構造にしてもよい。
Next, as shown in FIG. 1 (f), the second partition wall 10 is the lower surface of the sealing
Next, as shown in FIG. 1G, the second barrier layer 11 is laminated so as to cover the surface of the second partition 10 and the surface region of the sealing
Note that the second partition 10 may be provided in a plurality of rows in the planar direction of the sealing
第１隔壁４及び第２隔壁１０が共に図２（ｂ）に示すようなテーパ形状を呈するものである場合、第１隔壁４と第２隔壁１０の突出先端部分同士を図２（ｄ）に示すように突出方向に互いに重なり合い、かつ支持基材１及び封止基材９の平面方向に互いに近接させ、この状態で支持基材１と封止基材９とを接着層８により貼り合わせる。これにより、接着層８の側周端部から侵入した水分が有機ＥＬ素子に到達するまでの経路を長くすることができ、狭額縁パネルにおいても長期にわたり劣化のない有機ＥＬパネルを作製することができる。
また、第１、第２隔壁４と１０に感光性樹脂を用いる場合には、そのまま重ね合わせても隔壁自体が水分の経路となったり、水分の侵入経路を長くすることにはならず、第１バリア層７と第２バリア層１１で隔壁を被覆することにより効果が発現する。
また、第２隔壁１０および第２バリア層１１に使用する材料には、前記第１隔壁４および第１バリア層７と同様の理由で材料を適宜選択することが望ましい。また、要求される耐湿性能に応じて、凹凸の重ね合わせの列を増やすことにより、水分の浸入経路をより長くすることができる。
When both the
Further, when a photosensitive resin is used for the first and
In addition, it is desirable that the material used for the second partition 10 and the second barrier layer 11 is appropriately selected for the same reason as the
次に、図１（ｈ）に示すように、接着層８を介して、第２隔壁１０と第２バリア層１１を設けた封止基材９を支持基材１上に積層する。
接着層８の材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂やポリエチレン、ポリプロピレンなどの酸変性物からなる熱可塑性接着性樹脂などを使用することができる。また、接着層８の形成方法としては、材料やパターンに応じて、スピンコート、スプレーコート、フレキソ、グラビア、マイクログラビア、凹版オフセットなどのコーティング法、印刷法やインクジェット法、転写法、ラミネート法などを用いることができる。接着層８の厚みには特に制限はないが、なるべく薄い方が水分の透過量を少なくできるため、５〜５０μｍ程度が好ましく、さらには、第１、第２隔壁４と１０とを気泡を抱き込ませることなく均一に貼れる膜厚を適宜選択することが好ましい。
また、封止基材９の材料としては、前述の支持基材１と同様に、光の取り出し方向に応じて最適な基材を選択することが望ましく、ガラス、石英、バリアフィルム、金属箔などを用いることが可能である。
Next, as shown in FIG. 1 (h), the sealing
Examples of the material of the
Further, as the material of the sealing
次に、本実施の形態に基づいた実施例１及び比較例１、２を図１に従って説明する。
（実施例１）
支持基材１としてガラスを用い、支持基材１上にスパッタリング法で第１電極２としてＩＴＯ膜(１５０ｎｍ)をパターン形成した（図１（ａ））。
次に、絶縁層３として、ポジ型感光性のポリイミド樹脂(１μm)を、フォトリソ法を用いて、パターン膜形成した（図１（ｂ））。
次に、第１隔壁４として、ポジ型感光性のポリイミド樹脂(５μm)を、フォトリソ法を用いて、図２（ｂ）のようにパターン形成した（図１（ｂ））。
次に、高分子発光媒体層５として、正孔輸送層にポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物（２０ｎｍ）、発光層にポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチル−ヘキシロキシ）−１，４−フェニレン ビニレン］（ＭＥＨＰＰＶ）（１００ｎｍ）をそれぞれフレキソ印刷法により形成した（図１（ｃ））。
次に、第２電極６として、Cａ（５ｎｍ）を真空蒸着法を用いて成膜した後に、ＩＴＯ膜（１５０ｎｍ）をスパッタ法を用いて積層した（図１（ｄ））。
次に、第１バリア層７として、窒化珪素膜（１０００ｎｍ）をプラズマＣＶＤ法を用いて、絶縁層３、第１隔壁４、高分子発光媒体層５及び第２電極６の表面が被覆されるように成膜した（図１（ｅ））。
一方、封止基材９上に、枠状隔壁１０として、ポジ型感光性のポリイミド樹脂(５μm)を、フォトリソ法を用いて、図２（ｃ）のようにパターン形成した（図１（ｆ））後に、第２バリア層１１として、窒化珪素膜（１０００ｎｍ）をプラズマＣＶＤ法を用いて、第２隔壁１０だけでなく封止基材９も被覆されるように成膜した（図１（ｇ））。
最後に、接着剤層８として、熱硬化型のエポキシ系接着剤を介して、支持基材１と封止基材９を貼り合わせる。このとき、第１、第２隔壁４と１０が図２（e）のように重なるようにした。
作製した有機ＥＬパネルは、６０℃、９０％ＲＨ下に３０００Ｈｒ保存しても発光面積の減少は見られなかった。
Next, Example 1 and Comparative Examples 1 and 2 based on this embodiment will be described with reference to FIG.
Example 1
Glass was used as the supporting substrate 1, and an ITO film (150 nm) was patterned as the
Next, as the insulating
Next, as the
Next, as the polymer light-emitting medium layer 5, a mixture (20 nm) of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrenesulfonic acid is used for the hole transport layer, and poly [2-methoxy-5- ( 2′-ethyl-hexyloxy) -1,4-phenylene vinylene] (MEHPPV) (100 nm) was formed by flexographic printing (FIG. 1 (c)).
Next, as the
Next, as the first barrier layer 7, the surface of the insulating
On the other hand, a positive photosensitive polyimide resin (5 μm) was formed as a frame-shaped partition wall 10 on the sealing
Finally, as the
The produced organic EL panel did not show a reduction in light emitting area even when stored for 3000 hours at 60 ° C. and 90% RH.
（比較例１）
実施例１に記載した有機ＥＬ素子において、第１、第２隔壁４および１０に、第１バリア層７および第２バリア層１１を形成せずに、封止基材８を支持基材１に貼り合わせた。
このように作製した有機ＥＬパネルを６０℃、９０％ＲＨ下に３０００Ｈｒ保存した結果、端部から侵入した水分により有機ＥＬ素子が劣化して発光しなくなった。
（比較例２）
実施例１に記載した有機ＥＬ素子において、枠状隔壁１０と第２バリア層１１を積層せずに、封止基材８を貼り合わせた。
このように作製した有機ＥＬパネルを６０℃、９０％ＲＨ下に３０００Ｈｒ保存した結果、端部から侵入した水分により有機ＥＬ素子が劣化して、発光面積が３０％以下に減少した。
(Comparative Example 1)
In the organic EL element described in Example 1, the sealing
The organic EL panel thus produced was stored at 60 ° C. and 90% RH for 3000 hours, and as a result, the organic EL element deteriorated due to moisture entering from the end portion and stopped emitting light.
(Comparative Example 2)
In the organic EL element described in Example 1, the sealing
As a result of storing the organic EL panel produced in this manner at 60 ° C. and 90% RH for 3000 hours, the organic EL element was deteriorated by moisture penetrating from the end portion, and the light emitting area was reduced to 30% or less.
１００……有機ＥＬパネル、１０１……有機ＥＬ素子、１……支持基材、２……第１電極、３……絶縁層、４……第１隔壁、４ａ……凹部、５……有機発光媒体層、６……第２電極、７……第１バリア層、８……接着層、９……封止基材、１０……第２隔壁、１０ａ……凸部、１１……第２バリア層、１２……外部引出し用電極。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記有機ＥＬ素子の周囲を囲むように前記支持基材の一方の面の周縁箇所に前記封止基材に向けて突出する少なくとも１つの第１隔壁が形成され、前記有機ＥＬ素子の周囲を囲むように前記支持基材の一方の面と対向する前記封止基材の面の周縁箇所に前記支持基材に向けて突出する少なくとも１つの第２隔壁が形成され、前記第１隔壁と前記第２隔壁は互いに近接して形成されている有機ＥＬパネルにおいて、
前記第１及び第２隔壁のいずれか一方の突出先端面には該隔壁の全長に亘り凹部が形成され、他方の隔壁の突出先端面には前記凹部に係合される凸部が形成され、
前記有機ＥＬ素子の表面及び前記第１隔壁の表面が無機化合物からなる第１バリア層により被覆され、
前記第２隔壁の表面が無機化合物からなる第２バリア層により被覆され、
前記接着層は前記第１バリア層と前記第２バリア層との間に形成されている、
ことを特徴とする有機ＥＬパネル。 A support substrate, a first electrode formed on one surface of the support substrate corresponding to a display pixel, an organic light emitting medium layer stacked on the first electrode, and the organic light emitting medium layer An organic EL element having an organic EL element composed of a laminated second electrode, wherein one surface of the supporting base material including the organic EL element is covered and sealed with a sealing base material through an adhesive layer a panel,
At least one first partition wall protruding toward the sealing substrate is formed at a peripheral portion of one surface of the support substrate so as to surround the periphery of the organic EL element, and surrounds the periphery of the organic EL element. As described above, at least one second partition wall protruding toward the support substrate is formed at a peripheral portion of the surface of the sealing substrate facing the one surface of the support substrate, and the first partition wall and the first partition wall In the organic EL panel in which the two partition walls are formed close to each other,
A concave portion is formed on the protruding front end surface of one of the first and second partition walls over the entire length of the partition wall, and a convex portion engaged with the concave portion is formed on the protruding front end surface of the other partition wall,
The surface of the organic EL element and the surface of the first partition are covered with a first barrier layer made of an inorganic compound,
A surface of the second partition wall is covered with a second barrier layer made of an inorganic compound;
The adhesive layer is formed between the first barrier layer and the second barrier layer;
An organic EL panel characterized by that.
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