JP4736032B2 - 酸化亜鉛系導電膜製造用のイオンプレーティング用ターゲットとその製法、および酸化亜鉛系導電膜の製法 - Google Patents
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Description
最大粒子径が75μm以下で平均粒子径が10μmであり、約1400℃で3時間加熱焼成した酸化亜鉛系焼成粉末65質量部と、ハクスイテック社製の酸化亜鉛1種(最大粒子径;20μm以下、平均粒子径;約1μm、未焼成粉末)35質量部を使用し、ボールミルを用いて十分混合した。
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最大粒子径が75μm以下で平均粒子径が10μmであり、約1400℃で3時間加熱焼成した酸化亜鉛系焼成粉末63質量部と、ハクスイテック社製の酸化亜鉛1種(最大粒子径:20μm以下、平均粒子径;約1μm、未焼成粉末)34質量部と、酸化ガリウム粉末(キシダ化学社製)3質量部を使用し、ボールミルを用いて十分混合した。
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Claims (6)
- 酸化亜鉛主体の焼結体からなり、X線回折分析において(100)面、(002)面および(101)面に回折ピークを有し、該回折ピークのうち何れか1以上の半値幅が0.110度以下であることを特徴とする酸化亜鉛系導電膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット。
- 前記焼結体は、酸化亜鉛含量が80質量%以上である酸化亜鉛系粉末を予備成形し焼結したものである請求項1に記載のターゲット。
- 前記酸化亜鉛系粉末は、3B族、4B族、7B族から選ばれる少なくとも1種の元素を0.003〜20質量%含有するものである請求項1または2に記載のターゲット。
- 国際照明委員会が規定するCIE 1976空間で測定される明度のL値が65.0〜99.5である請求項1〜3のいずれかに記載のターゲット。
- 前記請求項1〜4のいずれかに記載のイオンプレーティング用ターゲットを製造する方法であって、1300〜1600℃で焼成されており、最大粒子径が150μm以下で平均粒子径が2〜30μmである酸化亜鉛系焼成粉末5〜99質量%と、最大粒子径が20μm以下で平均粒子径が0.1〜2μmである酸化亜鉛系未焼成粉末1〜95質量%を含む均一混合物を予備成形し、600〜1600℃で焼結することを特徴とする酸化亜鉛系導電膜製造用ターゲットの製法。
- 前記請求項1〜4のいずれかに記載のターゲットを使用し、イオンプレーティング法によって酸化亜鉛系導電膜を形成することを特徴とする酸化亜鉛系導電膜の製法。
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