JP4732917B2 - 走査型電子顕微鏡及び欠陥検出装置 - Google Patents
走査型電子顕微鏡及び欠陥検出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4732917B2 JP4732917B2 JP2006037660A JP2006037660A JP4732917B2 JP 4732917 B2 JP4732917 B2 JP 4732917B2 JP 2006037660 A JP2006037660 A JP 2006037660A JP 2006037660 A JP2006037660 A JP 2006037660A JP 4732917 B2 JP4732917 B2 JP 4732917B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- objective lens
- electric field
- electron microscope
- sample
- shield plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/026—Shields
- H01J2237/0262—Shields electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/10—Lenses
- H01J2237/12—Lenses electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24592—Inspection and quality control of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
Claims (15)
- 一次電子線を発生させる電子源と、上記一次電子線を試料上に集束させる対物レンズと、上記一次電子線の照射により得られる10eV以上の高エネルギーの信号電子を衝突させるための導体板と、該導体板から発生した二次電子を検出する検出器と、上記対物レンズと上記導体板の間に上記信号電子を加速させるための加速電界を発生させる加速電界発生手段と、上記対物レンズの上側に配置されたシールド板と、を有し、
上記シールド板は、上記対物レンズの2つの磁極の間の隙間によって生じる磁気ギャップに起因した磁界を抑制するための磁界シールド板であることを特徴とする走査型電子顕微鏡。 - 一次電子線を発生させる電子源と、上記一次電子線を試料上に集束させる対物レンズと、上記一次電子線の照射により得られる10eV以上の高エネルギーの信号電子を衝突させるための導体板と、該導体板から発生した二次電子を検出する検出器と、上記対物レンズと上記導体板の間に上記信号電子を加速させるための加速電界を発生させる加速電界発生手段と、上記対物レンズの上側に配置されたシールド板と、を有し、
上記シールド板は、上記対物レンズの2つの磁極の間の隙間によって生じる磁気ギャップに起因した磁界を抑制し、且つ、上記加速電界を抑制するための電磁界シールド板であることを特徴とする走査型電子顕微鏡。 - 請求項1又は2記載の走査型電子顕微鏡において、上記対物レンズは中心側の分離磁極と外側の主磁極からなる分割型であり、上記加速電界発生手段は、上記分離磁極によって構成されていることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
- 請求項1又は2記載の走査型電子顕微鏡において、上記加速電界発生手段は、上記対物レンズの内側に設けられたリング状の電極によって構成されていることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
- 請求項1又は2記載の走査型電子顕微鏡において、上記対物レンズは上記信号電子を上記対物レンズの中央方向に導くための漏洩磁場を生成することを特徴とする走査型電子顕微鏡。
- 請求項1又は2記載の走査型電子顕微鏡において、上記検出器には、上記信号電子を引き込むための引き込み電界を生成するために正の電圧が印加されていることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
- 請求項1又は2記載の走査型電子顕微鏡において、上記試料には、上記一次電子を減速させるための減速電界を生成するために負の電圧が印加されていることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
- 請求項2記載の走査型電子顕微鏡において、上記シールド板には負の電圧が印加されていることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
- 請求項1又は2記載の走査型電子顕微鏡において、上記シールド板はリング状の上端部と円錐状の側面と下端の開口部を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡。
- 請求項1又は2記載の走査型電子顕微鏡において、上記検出器は上記導体板の両側に配置され、電子顕微鏡の光軸を含む平面に対して面対称の構造を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡装置。
- 一次電子線を発生させる電子源と、上記一次電子線を試料上に集束させる対物レンズと、上記一次電子線の照射により得られる10eV以上の高エネルギーの信号電子を衝突させるための導体板と、該導体板から発生した二次電子を検出する検出器と、上記対物レンズと上記導体板の間に上記信号電子を加速させるための加速電界を発生させる加速電界発生手段と、上記対物レンズの上側に配置されたシールド板と、を有し、
上記シールド板には負の電圧が印加されていることを特徴とする走査型電子顕微鏡。 - 走査型電子顕微鏡と画像表示装置を有する欠陥検出装置において、上記走査型電子顕微鏡は、一次電子線を発生させる電子源と、上記一次電子線を試料上に集束させる対物レンズと、上記試料から発生した10eV以上の高エネルギーの信号電子を衝突させるための導体板と、該導体板から発生した二次電子を検出する第1及び第2の検出器と、上記対物レンズと上記導体板の間に上記信号電子を加速させるための加速電界を発生させる加速電界発生手段と、上記対物レンズの上側に配置されたシールド板と、を有し、上記対物レンズは上記信号電子を上記対物レンズの中央方向に導くための漏洩磁場を生成し、上記検出器には、上記信号電子を引き込むための引き込み電界を生成するために正の電圧が印加され、上記シールド板には負の電圧が印加されていることを特徴とする欠陥検出装置。
- 請求項12記載の欠陥検出装置において、上記シールド板は、上記加速電界を抑制するための電界シールド板であることを特徴とする欠陥検出装置。
- 請求項12記載の欠陥検出装置において、上記試料には、上記一次電子を減速させるための減速電界を生成するために負の電圧が印加されていることを特徴とする欠陥検出装置。
- 電子源からの一次電子線を対物レンズによって集束させ試料上に微小スポットを形成することと、上記試料から発生した信号電子を導体板に衝突させることと、該導体板から発生した二次電子を検出器によって検出することと、上記対物レンズと上記導体板の間に上記信号電子を加速させるための加速電界を発生させることと、上記対物レンズの上側にシールド板を配置することと、上記試料に負の電圧を印加することによって上記試料上に上記一次電子を減速させるための減速電界を生成することと、上記シールド板に負の電圧を印加することと、を有する走査型電子顕微鏡によって試料像を得る方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006037660A JP4732917B2 (ja) | 2006-02-15 | 2006-02-15 | 走査型電子顕微鏡及び欠陥検出装置 |
CN2006101567791A CN101022075B (zh) | 2006-02-15 | 2006-12-27 | 扫描型电子显微镜及缺陷检测装置 |
US11/655,264 US7504626B2 (en) | 2006-02-15 | 2007-01-19 | Scanning electron microscope and apparatus for detecting defect |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006037660A JP4732917B2 (ja) | 2006-02-15 | 2006-02-15 | 走査型電子顕微鏡及び欠陥検出装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011048756A Division JP5253533B2 (ja) | 2011-03-07 | 2011-03-07 | 走査型電子顕微鏡 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007220399A JP2007220399A (ja) | 2007-08-30 |
JP4732917B2 true JP4732917B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=38367413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006037660A Active JP4732917B2 (ja) | 2006-02-15 | 2006-02-15 | 走査型電子顕微鏡及び欠陥検出装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7504626B2 (ja) |
JP (1) | JP4732917B2 (ja) |
CN (1) | CN101022075B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4801573B2 (ja) | 2006-12-11 | 2011-10-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
EP1953791A1 (en) * | 2007-02-05 | 2008-08-06 | FEI Company | Apparatus for observing a sample with a particle beam and an optical microscope |
US8642959B2 (en) * | 2007-10-29 | 2014-02-04 | Micron Technology, Inc. | Method and system of performing three-dimensional imaging using an electron microscope |
EP2551889B1 (en) * | 2011-07-26 | 2016-03-02 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam apparatus with shielding member having a charge control electrode |
CN102901471B (zh) * | 2011-07-26 | 2015-06-03 | 中国科学院物理研究所 | 纳米图形化和超宽频电磁特性测量*** |
KR101961914B1 (ko) * | 2012-05-14 | 2019-03-25 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 하전 입자 리소그래피 시스템 및 빔 생성기 |
JP6295027B2 (ja) * | 2013-04-03 | 2018-03-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置およびそれを用いた計測方法 |
US9536703B2 (en) * | 2013-08-02 | 2017-01-03 | Hitachi High-Technologies Corporation | Scanning electron microscope |
US9437395B2 (en) | 2014-12-09 | 2016-09-06 | Hermes Microvision Inc. | Method and compound system for inspecting and reviewing defects |
CZ2016597A3 (cs) * | 2016-09-26 | 2018-05-02 | Tescan Brno, S.R.O. | Objektivová čočka pro zařízení využívající nejméně jednoho svazku nabitých částic |
CN106920723A (zh) * | 2017-03-06 | 2017-07-04 | 聚束科技(北京)有限公司 | 一种扫描聚焦***及电子束控制方法 |
WO2018173242A1 (ja) | 2017-03-24 | 2018-09-27 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
TWI744671B (zh) | 2018-08-03 | 2021-11-01 | 日商紐富來科技股份有限公司 | 電子光學系統及多射束圖像取得裝置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62234859A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-10-15 | ザ ウエルデイング インステイテユ−ト | 電子収集アッセンブリ |
JP2000030654A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-28 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | 粒子ビ―ム装置 |
JP2001110351A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-04-20 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JP2001283759A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-10-12 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4897545A (en) * | 1987-05-21 | 1990-01-30 | Electroscan Corporation | Electron detector for use in a gaseous environment |
JPH071685B2 (ja) * | 1990-09-06 | 1995-01-11 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
JP4613405B2 (ja) | 2000-09-06 | 2011-01-19 | 株式会社日立製作所 | 走査型電子顕微鏡 |
US7161149B2 (en) * | 2002-06-28 | 2007-01-09 | Jeol Ltd. | Scanning electron microscope and method of controlling same |
-
2006
- 2006-02-15 JP JP2006037660A patent/JP4732917B2/ja active Active
- 2006-12-27 CN CN2006101567791A patent/CN101022075B/zh active Active
-
2007
- 2007-01-19 US US11/655,264 patent/US7504626B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62234859A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-10-15 | ザ ウエルデイング インステイテユ−ト | 電子収集アッセンブリ |
JP2000030654A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-28 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | 粒子ビ―ム装置 |
JP2001110351A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-04-20 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JP2001283759A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-10-12 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101022075B (zh) | 2010-06-09 |
CN101022075A (zh) | 2007-08-22 |
US7504626B2 (en) | 2009-03-17 |
US20070187598A1 (en) | 2007-08-16 |
JP2007220399A (ja) | 2007-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4732917B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡及び欠陥検出装置 | |
KR102373865B1 (ko) | 하전 입자 빔 시료 검사 시스템 및 그 동작 방법 | |
JP5227643B2 (ja) | 高分解能でかつ高コントラストな観察が可能な電子線応用装置 | |
US6825475B2 (en) | Deflection method and system for use in a charged particle beam column | |
JP4920385B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置、走査型電子顕微鏡、及び試料観察方法 | |
US9105440B2 (en) | Apparatus of plural charged particle beams with multi-axis magnetic lens | |
JPH11132975A (ja) | 電子ビームを用いた検査方法及びその装置 | |
JP2010055756A (ja) | 荷電粒子線の照射方法及び荷電粒子線装置 | |
US11004655B2 (en) | Diffraction pattern detection in a transmission charged particle microscope | |
US10886101B2 (en) | Charged particle beam device | |
US6646261B2 (en) | SEM provided with a secondary electron detector having a central electrode | |
EP3399537B1 (en) | Gun lens design in a charged particle microscope | |
US7223974B2 (en) | Charged particle beam column and method for directing a charged particle beam | |
JP2018147764A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
US7170068B2 (en) | Method and system for discharging a sample | |
JP5478683B2 (ja) | 荷電粒子線の照射方法及び荷電粒子線装置 | |
JP2008204642A (ja) | 走査透過荷電粒子線装置 | |
JP5253533B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡 | |
JP2005032588A (ja) | 電子顕微鏡用磁界型対物レンズ | |
JP5544439B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
US11823861B2 (en) | Charged particle beam device | |
EP4060714A1 (en) | Flood column and charged particleapparatus | |
JP3101141B2 (ja) | 電子ビーム装置 | |
JP2014160678A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP2009205936A (ja) | 走査電子顕微鏡 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100907 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110104 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110307 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110419 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110421 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4732917 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |