JP4722579B2 - Resonator and filter circuit manufacturing method using the same - Google Patents
Resonator and filter circuit manufacturing method using the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP4722579B2 JP4722579B2 JP2005182009A JP2005182009A JP4722579B2 JP 4722579 B2 JP4722579 B2 JP 4722579B2 JP 2005182009 A JP2005182009 A JP 2005182009A JP 2005182009 A JP2005182009 A JP 2005182009A JP 4722579 B2 JP4722579 B2 JP 4722579B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- layer
- aln
- resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 74
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 61
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 7
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
本発明は、例えば携帯電話等にて用いられる送受信切換器(デュプレクサ)あるいは段間フィルタ回路などに適用できる共振器およびこれを集積化したフィルタ回路の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a resonator applicable to, for example, a transmission / reception switch (duplexer) or an interstage filter circuit used in a mobile phone or the like, and a method of manufacturing a filter circuit in which the resonator is integrated.
携帯電話に代表される移動体通信機器においてはアンテナが送信回路と受信回路にて共用されており、送信周波数と受信周波数が異なる場合には送信回路出力端と受信回路入力端に結合する形で送信信号と受信信号を分離するバンドパスフィルタ回路が組み込まれており、送受信切換器（デュプレクサ）として機能している。このようなフィルタ回路として、これまでに一般に用いられてきたのがSAW（Surface Acoustic Wave:表面弾性波）フィルタであり、圧電性結晶あるいは圧電性薄膜上に櫛型上に微細電極パターンを形成し、表面弾性波の伝搬により周波数を選択している。このようなSAWフィルタは送受信回路部分の段間フィルタなどでも広く用いられている。このSAW フィルタでは表面弾性波を利用しているため損失が大きく、いわゆるQ値が小さいという課題がある。損失を低減できる共振器として圧電膜を上部電極および下部電極で挟み込み、上記電極および圧電膜の下方に空隙を形成し、電圧印加により振動させる薄膜バルク音響共振器 Film Bulk Acoustic Resonator :FBAR)が提案され、一部の移動体通信機器にて使用されている。このFBAR共振器は弾性エネルギーを共振器内に閉じ込めるために低損失化が可能であり、共振周波数が圧電膜および電極の膜厚で決定されるのでSAWフィルタにように微細化を行わずに共振周波数を高周波化することが可能である。従来のSAWフィルタではQ値が500程度であったものがFBAR共振器では900程度かそれ以上にまで改善されている。 In a mobile communication device represented by a mobile phone, an antenna is shared by a transmission circuit and a reception circuit. When the transmission frequency and the reception frequency are different, the antenna is coupled to the transmission circuit output terminal and the reception circuit input terminal. A band-pass filter circuit that separates a transmission signal and a reception signal is incorporated, and functions as a transmission / reception switch (duplexer). As such a filter circuit, a SAW (Surface Acoustic Wave) filter has been generally used so far, and a fine electrode pattern is formed on a comb shape on a piezoelectric crystal or a piezoelectric thin film. The frequency is selected by the propagation of surface acoustic waves. Such a SAW filter is also widely used in an interstage filter in a transmission / reception circuit portion. Since this SAW filter uses surface acoustic waves, there is a problem that loss is large and so-called Q value is small. A thin film bulk acoustic resonator (FBAR) is proposed, in which a piezoelectric film is sandwiched between an upper electrode and a lower electrode and a gap is formed below the electrode and the piezoelectric film to vibrate when a voltage is applied. And used in some mobile communication devices. This FBAR resonator can reduce loss to confine elastic energy in the resonator, and the resonance frequency is determined by the film thickness of the piezoelectric film and electrode. It is possible to increase the frequency. In the conventional SAW filter, the Q value is about 500, but in the FBAR resonator, it is improved to about 900 or more.
以下、これまでに報告のある、FBAR共振器の構造について説明する。 The structure of the FBAR resonator that has been reported so far will be described below.
図４は従来例におけるFBAR共振器の構造を示す断面図およびこの共振器を用いて構成されるフィルタ回路の一例を示す構成図である。同図において、401はSi基板、402は下部電極、403はAlN層、404は上部電極、405はパッシベーション膜、406は配線金属、407はFBAR共振器である。 FIG. 4 is a cross-sectional view showing the structure of an FBAR resonator in a conventional example, and a configuration diagram showing an example of a filter circuit configured using this resonator. In the figure, 401 is a Si substrate, 402 is a lower electrode, 403 is an AlN layer, 404 is an upper electrode, 405 is a passivation film, 406 is a wiring metal, and 407 is an FBAR resonator.
ここでは図4(a)に示す通り、Si基板４０１裏面より空隙４０８が形成されており、Si基板４０１上に下部電極４０２が形成されている。下部電極４０２は空隙を覆う形で形成されており、さらに空隙４０８および下部電極４０２上にAlN層４０３が形成されている。AlN層４０３上に上部電極４０４が、またSi基板４０１および上部電極４０４の表面の一部に接する形でパッシベーション膜４０５が形成されており、上部電極４０４および下部電極４０２に電圧を印加できるよう配線金属４０６が形成されている (例えば、特許文献１参照)。このような断面構造を有する共振器４０７を図4(b)のようにラダ−状に組み合わせることで特定の周波数を選択できるフィルタ回路が形成できる。
Here, as shown in FIG. 4A, a
図4(a)に示す断面構造を有するFBAR共振器４０７を作製するためには、Si基板４０１に下部電極４０２、AlN層４０３、上部電極４０４をこの順に形成し、これらの層をパターニングした後にSi基板４０１の裏面より溝を形成し、図示された空隙を形成することができる。
しかしながら、FBAR共振器の製造方法においては、下部電極４０２は金属で一般に多結晶であるため、その上に例えば広くFBAR形成に用いられているスパッタリング法にて形成されたAlN層４０３では結晶性の向上に限界がある。具体的にはX線回折ロッキングカーブのAlN(0002)面ピークの半値幅は4°程度にとどまっており、FBAR共振器の損失を表す別の指標であり、AlN層４０３の結晶性に依存されることが報告されている電気機械結合係数KtとしてはKt2=5(%)程度にとどまっており、さらに低損失化することが望まれていた。
However, in the manufacturing method of the FBAR resonator, the
ところが、現状の製造方法ではAlN層４０３の結晶性の改善に限界があり、さらに低損失のFBAR共振器４０７を作製することには限界があった。
However, in the current manufacturing method, there is a limit in improving the crystallinity of the
本発明は前述の技術的課題に鑑み、例えばAlN層に代表される圧電層を異種基板上にエピタキシャル成長し、これを空隙を形成した基板上に転写することで、結晶性に優れた圧電膜層を形成し、これにより低損失化を実現できる共振器およびこれを用いたフィルタ回路の製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above-described technical problems, the present invention provides a piezoelectric film layer having excellent crystallinity by, for example, epitaxially growing a piezoelectric layer typified by an AlN layer on a heterogeneous substrate and transferring it onto a substrate in which voids are formed. It is an object of the present invention to provide a resonator capable of realizing low loss and a method of manufacturing a filter circuit using the resonator.
上記の課題を解決するために、本発明の共振器、共振器およびこれを組み合わせたフィルタ回路の製造方法は以下に述べる構成となっている。 In order to solve the above-described problems, a resonator, a resonator, and a method for manufacturing a filter circuit combining the resonator according to the present invention are configured as follows.
すなわち、第１の基板上に犠牲層 および圧電膜をエピタキシャル成長する形で形成し、これに電極を形成した後に柱状電極あるいは電極パターンで覆われた溝を有する第２の基板を貼り合わせる。続いて犠牲層を選択的に除去し第１の基板を分離する。ここで露出した圧電膜表面に電極を形成し共振器およびこれを組み合わせたフィルタ回路を形成する。犠牲層の除去はウェットエッチングあるいは高出力短波長パルスレーザを第１の基板裏面より照射し行っても良い。 That is, a sacrificial layer and a piezoelectric film are formed on a first substrate by epitaxial growth, and an electrode is formed on the sacrificial layer and a piezoelectric film, and then a second substrate having a groove covered with a columnar electrode or an electrode pattern is bonded. Subsequently, the sacrificial layer is selectively removed to separate the first substrate. An electrode is formed on the exposed piezoelectric film surface to form a resonator and a filter circuit combining the resonator. The sacrificial layer may be removed by wet etching or high-power short-wavelength pulse laser irradiation from the back surface of the first substrate.
このような構成とすることにより、圧電膜は結晶性および平坦性に優れ、機械結合係数が大きく、より低損失でQ値の大きな共振器およびフィルタ回路を実現できる。 By adopting such a configuration, the piezoelectric film is excellent in crystallinity and flatness, has a large mechanical coupling coefficient, and can realize a resonator and a filter circuit having a low loss and a large Q value.
具体的には、請求項１記載の共振器の製造方法では、第１の基板上にZnO犠牲層をエピタキシャル成長法により形成し、ZnO犠牲層上に有機金属気相成長法によりNH 3 とTMA(トリメチルアルミニウム:(CH 3 ) 3 Al)を原材料に用いAlN圧電層を形成するエピタキシャル成長工程と、AlN圧電層上に金属膜を形成する工程と、第２の基板上に第１の電極を形成する工程と、第１の電極の一部と金属膜との貼り合わせ工程と、貼り合わせ工程に続いてZnO犠牲層を選択的に除去する除去工程と、除去工程により露出したAlN圧電層上に第２の電極を形成する工程と含み、エピタキシャル成長工程で、ZnO犠牲層上にAlN圧電層を形成する際、まず低温でAlN圧電層を形成した後に昇温し、続いてAlN圧電層をさらに形成することを特徴とし、第１の電極および第２の電極に電圧を印加することで共振器を形成する構成となっている。
このような構成とすることにより、第１の基板上にてZnO犠牲層およびAlN圧電層をエピタキシャル成長させることで、AlN圧電層の結晶性が向上し機械結合係数が増加するため共振器の損失を低減できＱ値の大きな共振器を実現することが可能となる。
また、AlN圧電層の成長条件を変えているので、第１の基板およびZnO犠牲層との格子不整合あるいは熱膨張係数差によるストレスが緩和でき、膜中にクラックを生じさせずに圧電膜をエピタキシャル成長させ、結果として損失の少ない共振器およびフィルタ回路を実現することが可能となる。
具体的には、低温で結晶性の劣るAlN圧電膜上に高温で結晶性に優れたAlN圧電膜を形成することで、第１の基板およびZnO犠牲層との格子不整合あるいは熱膨張係数差によるストレスが緩和でき、膜中にクラックを生じさせずにAlN圧電膜をエピタキシャル成長させ、結果として損失の少ない共振器およびフィルタ回路を実現することが可能となる。
Specifically, in the resonator manufacturing method according to claim 1, a ZnO sacrificial layer is formed on the first substrate by an epitaxial growth method, and NH 3 and TMA ( by a metal organic vapor phase epitaxy method are formed on the ZnO sacrificial layer. trimethylaluminum: (CH 3) formed 3 Al) and an epitaxial growth step that form the AlN piezoelectric layer using the raw materials, forming a metal film on the AlN piezoelectric layer, a first electrode on the second substrate A step of bonding a part of the first electrode and the metal film, a step of removing the ZnO sacrificial layer selectively following the step of bonding, and an AlN piezoelectric layer exposed by the step of removing. see step and containing of forming a second electrode, an epitaxial growth step, when forming the AlN piezoelectric layer on the ZnO sacrificial layer is first heated after forming the AlN piezoelectric layer at a low temperature, followed by further AlN piezoelectric layer characterized by forming, conductive the first electrode and the second electrode It has a configuration which forms a cavity by applying a.
With this configuration, the ZnO sacrificial layer and the AlN piezoelectric layer are epitaxially grown on the first substrate, thereby improving the crystallinity of the AlN piezoelectric layer and increasing the mechanical coupling coefficient. A resonator that can be reduced and has a large Q value can be realized.
In addition, since the growth conditions of the AlN piezoelectric layer are changed, stress due to lattice mismatch or thermal expansion coefficient difference between the first substrate and the ZnO sacrificial layer can be alleviated, and the piezoelectric film can be formed without causing cracks in the film. It is possible to realize a resonator and a filter circuit with low loss by epitaxial growth.
Specifically, by forming an AlN piezoelectric film having excellent crystallinity at high temperature on an AlN piezoelectric film having poor crystallinity at low temperature, lattice mismatch or thermal expansion coefficient difference between the first substrate and the ZnO sacrificial layer Stress can be relieved, and an AlN piezoelectric film can be epitaxially grown without causing cracks in the film, and as a result, a resonator and a filter circuit with low loss can be realized.
請求項２記載の共振器の製造方法では、請求項１記載の製造方法において、第２の基板上に形成された第１の電極は柱状の電極構造を有しており、第１の電極と金属膜を貼り合わせる工程において、柱状の電極構造と金属膜が接着され、金属膜の下方に空隙が形成され、金属膜が第１の電極の一部として機能する構成となっている。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a resonator according to the first aspect, wherein the first electrode formed on the second substrate has a columnar electrode structure, In the step of attaching the metal film, the columnar electrode structure and the metal film are bonded, a gap is formed below the metal film, and the metal film functions as a part of the first electrode.
このような構成とすることにより、柱状構造により、貼り合わせ工程後に圧電膜および金属膜下方に空隙が形成され、薄膜バルク共振器を形成することが可能となる。 By adopting such a configuration, the columnar structure forms voids below the piezoelectric film and the metal film after the bonding step, and a thin film bulk resonator can be formed.
請求項３記載の共振器の製造方法では、請求項１、２記載の製造方法において、AlN圧電層上に金属膜を形成する工程は、第１の基板上に形成されたZnO犠牲層およびAlN圧電層を選択的に除去した後に、AlN圧電層上に選択的に金属膜を形成する工程を含む構成となっている。
The method for manufacturing a resonator according to
このような構成とすることにより、犠牲層の面積を限定し、犠牲層を選択的に除去する際に例えばウェットエッチングなどによる場合は液が浸透しやすくより短時間で犠牲層を除去することが可能となる。 By adopting such a configuration, the area of the sacrificial layer is limited, and when the sacrificial layer is selectively removed, for example, by wet etching, the sacrificial layer can be removed in a shorter time because liquid easily penetrates. It becomes possible.
請求項４記載の共振器の製造方法では、請求項１記載の製造方法において、第２の基板に溝が形成されており、溝の周辺に第１の電極がパターニングされ形成されており、金属膜の下方に空隙が形成される構成となっている。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the method for manufacturing a resonator according to the first aspect, wherein a groove is formed in the second substrate, the first electrode is patterned and formed around the groove, A void is formed below the film.
このような構成とすることにより、溝により、貼り合わせ工程後に圧電膜および金属膜下方に空隙が形成され、薄膜バルク共振器を形成することが可能となる。 By adopting such a configuration, the groove forms a gap below the piezoelectric film and the metal film after the bonding step, and a thin film bulk resonator can be formed.
請求項５記載の共振器の製造方法では、請求項４記載の製造方法において、溝が犠牲膜で埋められており、第１の電極と金属膜を貼り合わせる工程に続いて、溝に埋められた犠牲膜を選択的に除去する工程を含む構成となっている。 According to a fifth aspect of the present invention, in the method for manufacturing the resonator according to the fourth aspect, the groove is filled with a sacrificial film, and the groove is buried after the step of bonding the first electrode and the metal film. And a step of selectively removing the sacrificial film.
このような構成とすることにより、貼り合わせ時には溝が犠牲膜で埋められているので貼り合わせ時の密着性および再現性を向上させることが可能となる。 With such a configuration, since the groove is filled with the sacrificial film at the time of bonding, the adhesion and reproducibility at the time of bonding can be improved.
請求項６記載の共振器の製造方法では、請求項１から請求項５記載の製造方法において、第１の基板がサファイアあるいはInPあるいはSiCあるいはGaNあるいはSiあるいはGaAsあるいはMgOあるいはZnOあるいはLiGaO2あるいはLiAlO2あるいはLiGaO2とLiAlO2混晶のうちいずれかにより構成されている。
The method for manufacturing a resonator according to
このような構成とすることにより、基板上には結晶性に優れたZnOあるいはInGaN犠牲層およびAlN圧電膜エピタキシャル成長層を形成できるので、より損失が小さい共振器およびフィルタ回路を実現することが可能となる。 By adopting such a configuration, it is possible to form a ZnO or InGaN sacrificial layer and an AlN piezoelectric film epitaxial growth layer with excellent crystallinity on the substrate, so that it is possible to realize a resonator and a filter circuit with lower loss. Become.
請求項７記載の共振器の製造方法では、請求項１から請求項６記載の製造方法において、第２の基板がSiあるいはGaAsあるいはInPあるいはSiCである構成となっている。 According to a seventh aspect of the present invention, in the method for manufacturing a resonator according to the first to sixth aspects, the second substrate is made of Si, GaAs, InP, or SiC.
このような構成とすることにより、これらの基板は結晶性に優れた単結晶基板でありウエットエッチングで結晶面を露出させることができる、あるいは容易にへき開できるなど加工性に優れており、損失の少ない共振器およびフィルタ回路を再現性良く作製することが可能となる。 By adopting such a structure, these substrates are single crystal substrates having excellent crystallinity, and have excellent workability such that the crystal plane can be exposed by wet etching or can be easily cleaved. A small number of resonators and filter circuits can be manufactured with good reproducibility.
請求項８記載のフィルタ回路の製造方法では、請求項１から請求項７記載の製造方法において、共振器を組み合わせてフィルタ回路を形成する構成となっている。 According to a method for manufacturing a filter circuit according to an eighth aspect, in the manufacturing method according to the first to seventh aspects, a filter circuit is formed by combining resonators.
このような構成とすることにより、損失の少ない共振器を組み合わせ、より損失の少ないフィルタ回路を実現でき、共振器は薄膜バルク共振器となり共振器が小型化できるため、より小型のフィルタ回路を実現することも可能となる。 With such a configuration, combined with less resonators loss, can achieve small filter circuits and more losses, since the resonator can resonators miniaturization becomes film bulk resonator, the smaller the filter circuit It can also be realized.
以上説明したように、本発明の共振器およびこれを用いたフィルタ回路の製造方法によれば、圧電膜はエピタキシャル成長する形で形成されており結晶性および平坦性に優れ、機械結合係数が大きく、より低損失でQ値の大きな共振器およびフィルタ回路を実現できる。 As described above, according to the resonator of the present invention and the method of manufacturing a filter circuit using the resonator, the piezoelectric film is formed in an epitaxially grown form, has excellent crystallinity and flatness, and has a large mechanical coupling coefficient. A resonator and a filter circuit with a low loss and a large Q value can be realized.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は、本発明の第1の実施の形態における共振器の製造方法を示す構成図である。同図において、101はサファイア基板、102はZnO犠牲層、103はAlN層、104はAu下部電極、105はSi基板、106はAu電極パターン、107はAuSn電極、108はAu上部電極、109はSiO2パッシベーション膜、110はAuメッキ配線である。 FIG. 1 is a configuration diagram showing a method for manufacturing a resonator according to the first embodiment of the present invention. In the figure, 101 is a sapphire substrate, 102 is a ZnO sacrificial layer, 103 is an AlN layer, 104 is an Au lower electrode, 105 is an Si substrate, 106 is an Au electrode pattern, 107 is an AuSn electrode, 108 is an Au upper electrode, and 109 is SiO 2 passivation film 110 is an Au plating wiring.
まず、サファイア基板(0001)面上にパルスレーザデポジション(Pulsed Laser Deposition:PLD)により200nm のZnO犠牲層１０２を形成する。ここでは高周波スパッタ(RF Sputtering)法やMOD(Metal Organic Deposition いわゆる塗布膜)法により形成する形でもよい。ZnOの結晶性についてはRFスパッタ法やMOD法に比べPLD法で成膜したものの結晶性が優れている。さらにこのZnO犠牲層１０２上に有機金属気相成長法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition: MOCVD)によりNH3とTMA(トリメチルアルミニウム:(CH3)3Al)を原材料に用い0.5μm のAlN層１０３を形成する。AlN層１０３の結晶性は成長温度を高温化することにより改善されるので、成長温度はより高いことが望ましい。ZnO犠牲層１０２の薄膜はMOCVD成長時に使用するNH3と反応しエッチングされるため、まず低温で例えば20nmのAlN膜を形成した後に昇温し、続いて例えば1100℃にてAlN薄膜を形成する。この結果、ＡｌＮ薄膜の結晶性はＺｎＯ犠牲層１０２に接した部分よりも表面側で結晶性が良好になる。このようなAlN層１０３の結晶性は下地のZnO犠牲層１０２の膜質によって決まり、例えばPLD法で形成したZnO下地層の上ではAlNの結晶性は(0002)面のX線回折ロッキングカーブの半値幅で0.5°以下が得られる。一方でRFスパッタ法で形成したZnO薄膜上ではAlN薄膜のX線回折半値幅は4°程度にとどまっている。AlNとZnOは熱膨張係数がそれぞれ4.2x10-6/K、2.9x10-6/Kと差が大きいため、膜中のストレスが課題であり、MOCVD成長後にクラックが発生する場合がある。これを解決するため、前述の低温で形成するAlN薄膜の膜厚を20nmより厚く例えば100nm程度としても良い。AlN/ZnOエピタキシャル成長層を共振器領域を残し選択的にエッチングする(図1(b))。AlNのエッチングは例えばICP(Inductive Coupled Plasma)ドライエッチングで行い、ZnOのエッチングはICPエッチングあるいはHClや王水(HClとHNO3の混合酸)により行う。選択的に形成されたAlN層１０３上にAu下部電極１０４を例えば電子ビーム蒸着とリフトオフにより300nm形成する（これをウエハ１とする）。
First, a 200 nm-thick ZnO
さらに、Si(100)基板１０５上に図1(c)に示す通りAu電極パターン１０６を形成し、その上にAuSn電極１０７を柱状に形成する。Au電極パターン１０６は電子ビーム蒸着で、AuSn電極１０７は抵抗加熱蒸着あるいは選択メッキにより形成する（これをウエハ２とする）。
Further, an
ウエハ１とウェハ２を例えば300℃に加熱しながら圧力を印加し貼り合わせる（図１（ｄ））。続いてサファイア基板１０１とAlN層１０３の間に形成されたZnO犠牲層１０２を例えばHClや王水などにより除去し、ウエハ１とウエハ２が貼り合わされた構造よりサファイア基板１０１のみを分離する（図1(e)）。サファイア基板１０１を分離することでAlN層１０３およびAu下部電極１０４とSi基板１０５の間に空隙１１１が形成される。さらに、Au上部電極１０８をAlN層１０３上に選択的に形成した後にSiO２パッシベーション膜１０９およびAuメッキ配線１１０を形成する(図1（ｆ）、(g))。
The wafer 1 and the
このように形成された共振器構造はAlN層１０３がサファイア基板１０１と同様(0001)面にて構成され分極を膜厚方向に生じているため、上部電極１０８および下部電極１０４に電圧を印加することにより共振し共振器として動作させることが可能となる。
In the resonator structure formed in this way, the
また図２に示す通り、ＭＯＣＶＤ成長ＡＩＮ膜では半値幅を大幅に低減できるため、機械結合係数を大きくすることができる。すなわち結晶性が改善されており、電気機械結合係数の２乗が従来のスパッタ法で形成したAlNに比べ２倍以上となり、よりQ値の大きなフィルタ回路に適用できる。また本実施の形態ではZnO犠牲層１０２をウエットエッチングにより除去しているのでZnO除去後のAlN薄膜表面の平坦性に優れ、より共振特性が良好な即ち高Q値のフィルタ回路を実現することが可能となる。
Further, as shown in FIG. 2, the MOCVD grown AIN film can greatly reduce the half width, so that the mechanical coupling coefficient can be increased. That is, the crystallinity is improved, the square of the electromechanical coupling coefficient is more than twice that of AlN formed by the conventional sputtering method, and it can be applied to a filter circuit having a larger Q value. In this embodiment, since the ZnO
図３は、本発明の第２の実施の形態における共振器の製造方法を示す構成図である。同図において、301はサファイア基板、302はZnO犠牲層、303はAlN層、304はAu下部電極、305はSi基板、306はSiO2埋め込み犠牲膜、307はAu電極、308はAuSn電極、309はAu上部電極、310はSiO2パッシベーション膜、311はAuメッキ配線である。 FIG. 3 is a configuration diagram showing a method for manufacturing a resonator according to the second embodiment of the present invention. In the figure, 301 is a sapphire substrate, 302 is a ZnO sacrificial layer, 303 is an AlN layer, 304 is an Au lower electrode, 305 is a Si substrate, 306 is a SiO 2 buried sacrificial film, 307 is an Au electrode, 308 is an AuSn electrode, 309 Is an Au upper electrode, 310 is a SiO 2 passivation film, and 311 is an Au plating wiring.
まず、第1の実施の形態と同様にサファイア基板３０１の(0001)面上にPLD法により200nm のZnO犠牲層３０２を形成する。さらにこのZnO犠牲層３０２上にMOCVD法により0.5μm のAlN層３０３を形成する。第1の実施の形態と同様に、まず低温で例えば20nmのAlN膜を形成した後に昇温し、続いて例えば1100℃にてAlN薄膜を形成する。AlNに発生するクラックを抑制するために低温形成するAlN層を100nm程度にまで厚くしても良い。ここで得られるAlN層３０３は (0002)面のX線回折ロッキングカーブの半値幅で0.5°以下と結晶性に優れている。このように成膜したAlN/ZnOエピタキシャル成長層を共振器領域を残し選択的にエッチングし、AlN層３０３上にAu下部電極３０４を300nm形成する（図3(b)、これをウエハ１とする）。さらに、Si(100)基板３０５上に図3(c)に示す通り溝３１２の領域を例えば反応性ドライエッチング(Reactive Ion Etching: RIE)やウェットエッチングにより形成し、溝３１２にSiO２埋め込み犠牲膜３０６を形成する。埋め込み犠牲膜３０６は例えばSpin-On-Glass(SOG)などで形成し溝３１２以外のSi基板３０５の表面に形成された埋め込み犠牲膜３０６はドライエッチングなどにより除去し平坦化する。さらにSi基板３０５およびSiO2埋め込み犠牲膜３０６上にAu電極３０７のパターンとその上にAuSn電極３０８を形成する。Au電極３０７のパターンは溝３１２をまたぐ形で形成され、SiO2埋め込み犠牲膜３０６を表面側から例えばHF水溶液などによりウェットエッチングできるよう配置されている。Au電極３０７のパターンは電子ビーム蒸着で、AuSn電極３０８は抵抗加熱蒸着により形成する（これをウエハ２とする）。ウエハ１とウェハ２を例えば300℃に加熱しながら圧力を印加し貼り合わせる（図３（ｄ））。続いて、サファイア基板３０１の裏面から、YAGレーザの第3次高調波(波長355nm)をウエハ面内をスキャンする形で照射する。照射されたレーザ光はサファイア基板３０１およびAlN層３０３では吸収されず、ZnO犠牲層３０２でのみ吸収されるので、局所的な発熱によりサファイア基板３０１との界面付近にてZnOの結合が分解する。これによりウエハ１とウエハ２が貼り合わされた構造よりサファイア基板３０１のみを分離する（図3(e)）。使用する光源としてはKrFエキシマレーザ(波長248nm)、あるいは水銀灯輝線(波長365nm)を使用しても良い。ここでは光照射によるサファイア基板３０１の分離後にAlN層３０３の表面に残存する金属Znを含むZnO層をHClなどによりウェットエッチングする形でも良い。また光照射によりサファイア基板３０１を分離するのではなく、ZnO犠牲層３０２を例えばHClや王水などによりウェットエッチングにて除去し、サファイア基板３０１を分離する構成であっても良い。続いて、SiO2埋め込み犠牲膜３０６をHF水溶液により除去することで、AlN層３０３およびAu下部電極３０４の下方に空隙３１３が形成される。さらに、Au上部電極３０９をAlN層３０３上に選択的に形成した後にSiO２パッシベーション膜３１０およびAuメッキ配線３１１を形成する(図3(g))。このように形成された共振器構造は、第１の実施の形態と同様に、上部電極３０９および下部電極３０４に電圧を印加することにより共振し共振器として動作させることが可能となり、AlN層３０３の結晶性がMOCVD成長によるため従来のスパッタ法などで形成したAlN薄膜よりも優れており、よりQ値の大きなフィルタ回路に適用できる。光照射によりZnO犠牲層３０２を分解しサファイア基板３０１を分離しているので、第1の実施の形態で示したウェットエッチングでZnO犠牲層３０２を除去する場合、水溶液の染み込みを考慮してZnOを厚くする必要があったが、これを薄くでき、結果としてAlN薄膜をMOCVD成長した場合の膜中ストレスが緩和でき、クラックが入りにくく、より結晶性の良好なAlN薄膜をMOCVD成長することが可能となる。
First, as in the first embodiment, a 200 nm ZnO
上記の図１および図３に示す実施の形態で用いたサファイア基板１０１、３０１はいかなる面方位でも良く、また(0001)面等の代表面からオフアングルのついた面方位であっても良い。AlN層１０３、３０３の結晶成長方法はMOCVDでなく、例えば、MBE法あるいはHVPE法による層を含む形でも良い。AlN層103、303の主面の面方位は六方晶の(0001)面に限らず、例えば立方晶の(111)面であってもよい。ZnO犠牲層１０２、３０２は例えばInGaNとし光照射しながらウェットエッチングにより除去され、サファイア基板１０１、３０１が分離される形でも良い。第2の実施の形態で示したSi基板３０５に形成される溝３１２は貼り合わせ工程の後に裏面よりエッチングする形で形成されていても良い。Si基板３０５はGaAs基板やInP基板あるいはSiC基板などの単結晶半導体基板でも良く、AlN/ZnOエピタキシャル成長層を形成する基板はサファイア基板３０１に限らず、例えばSi基板あるいはGaAs、GaN、InP、SiC、MgO、ZnO、LiGaO2、LiAlO2あるいはLiGaO2とLiAlO2の混晶であっても良く、また、Si基板305の面方位は(100)面に限らず、他の面方位、例えば(111)面であってもよい。またAlN層３０３を単結晶ZnO基板上に形成し、ZnO基板を貼り合わせ工程後に例えばHClなどによりウェットエッチングで完全に除去する形でも良い。圧電効果を生じ共振器を構成する薄膜材料はAlNに限らず、例えばInGaAlNで標記されるいかなる組成の窒化物化合物半導体層であっても良い。
The
また、上記共振器の製造方法により製造された共振器を組み合わせあるいは集積化してフィルタ回路を形成することができる。 Further, a filter circuit can be formed by combining or integrating the resonators manufactured by the above-described resonator manufacturing method.
本発明にかかる共振器、共振器およびこれを用いたフィルタ回路の製造方法は、より一層の低損失化を実現できる等の効果があり、携帯電話のアンテナ共用器や各種フィルタとして使用でき、高Q値を有し低損失フィルタを構成する部品として有用である。 The resonator according to the present invention, the resonator, and the method for manufacturing the filter circuit using the resonator have an effect of realizing further reduction in loss, and can be used as an antenna duplexer for mobile phones and various filters. It is useful as a component that has a Q value and constitutes a low-loss filter.
101 サファイア基板
102 ZnO犠牲層
103 AlN層
104 Au下部電極
105 Si基板
106 Au電極パターン
107 AuSn電極
108 Au上部電極
109 SiO2パッシベーション膜
110 Auメッキ配線
301 サファイア基板
302 ZnO犠牲層
303 AlN層
304 Au下部電極
305 Si基板
306 SiO2埋め込み犠牲膜
307 Au電極
308 AuSn電極
309 Au上部電極
310 SiO2パッシベーション膜
311 Auメッキ配線
401 Si基板
402 下部電極
403 AlN層
404 上部電極
405 パッシベーション膜
406 配線金属
408 FBAR共振器
101 Sapphire substrate
102 ZnO sacrificial layer
103 AlN layer
104 Au bottom electrode
105 Si substrate
106 Au electrode pattern
107 AuSn electrode
108 Au upper electrode
109 SiO 2 passivation film
110 Au plated wiring
301 Sapphire substrate
302 ZnO sacrificial layer
303 AlN layer
304 Au bottom electrode
305 Si substrate
306 SiO 2 buried sacrificial film
307 Au electrode
308 AuSn electrode
309 Au upper electrode
310 SiO 2 passivation film
311 Au plated wiring
401 Si substrate
402 Bottom electrode
403 AlN layer
404 Upper electrode
405 Passivation membrane
406 Wiring metal
408 FBAR resonator
Claims (8)
前記エピタキシャル成長工程で、前記ZnO犠牲層上にAlN圧電層を形成する際、まず低温で前記AlN圧電層を形成した後に昇温し、続いて前記AlN圧電層をさらに形成することを特徴とする共振器の製造方法。 The ZnO sacrificial layer is formed by epitaxial growth on the first substrate, NH 3 and TMA by organometallic vapor phase epitaxy on said ZnO sacrificial layer (trimethylaluminum: (CH 3) 3 Al) AlN used as a raw material piezoelectric an epitaxial growth step that form the layer, and forming a metal layer on the AlN piezoelectric layer, and forming a first electrode on the second substrate, wherein a portion of the first electrode metal A bonding step with the film, a removal step of selectively removing the ZnO sacrificial layer following the bonding step, and a step of forming a second electrode on the AlN piezoelectric layer exposed by the removal step; seen including,
In forming the AlN piezoelectric layer on the ZnO sacrificial layer in the epitaxial growth step, the AlN piezoelectric layer is first formed at a low temperature and then the temperature is increased, and then the AlN piezoelectric layer is further formed. Manufacturing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005182009A JP4722579B2 (en) | 2005-06-22 | 2005-06-22 | Resonator and filter circuit manufacturing method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005182009A JP4722579B2 (en) | 2005-06-22 | 2005-06-22 | Resonator and filter circuit manufacturing method using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007006001A JP2007006001A (en) | 2007-01-11 |
| JP4722579B2 true JP4722579B2 (en) | 2011-07-13 |
Family
ID=37691198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005182009A Expired - Fee Related JP4722579B2 (en) | 2005-06-22 | 2005-06-22 | Resonator and filter circuit manufacturing method using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4722579B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103964372A (en) * | 2013-01-28 | 2014-08-06 | 亚太优势微***股份有限公司 | Integrated micro-electromechanical element and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9396933B2 (en) * | 2012-04-26 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | PVD buffer layers for LED fabrication |
| KR102514035B1 (en) * | 2016-02-19 | 2023-03-24 | 엘지전자 주식회사 | Donor substrate for transfering sensor layer and method of forming sensor layer using the same |
| KR102135522B1 (en) * | 2017-09-22 | 2020-07-17 | 안후이 아누키 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 | Manufacturing method of piezoelectric resonator and piezoelectric resonator |
| CN109802648B (en) * | 2018-12-26 | 2023-02-17 | 天津大学 | Single crystal piezoelectric film bulk acoustic resonator and manufacturing method thereof |
| WO2023100266A1 (en) | 2021-11-30 | 2023-06-08 | Ｉ－ＰＥＸ Ｐｉｅｚｏ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ株式会社 | Film structure, method for producing film structure and apparatus for producing film structure |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11162852A (en) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Tdk Corp | Substrate for electronic device and manufacture thereof |
| JP2001111371A (en) * | 1999-08-03 | 2001-04-20 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Manufacturing method of ladder type piezoelectric ceramic filter |
| JP2002134806A (en) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Canon Inc | Piezoelectric film actuator, liquid injection head, and method of manufacturing the same |
| JP2002164586A (en) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Tdk Corp | Electronic device substrate, manufacturing method thereof, and thin-film piezoelectric element using it |
| WO2002093549A1 (en) * | 2001-05-11 | 2002-11-21 | Ube Electronics, Ltd. | Thin film acoustic resonator and method of manufacturing the resonator |
| JP2004047691A (en) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Seiko Epson Corp | Method for manufacturing semiconductor device, electrooptic device and electronic apparatus |
| JP2004296679A (en) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | Manufacturing methods of ferroelectric film and ferroelectric element, surface acoustic wave element, frequency filter, oscillator, electronic circuit and electronic equipment |
| JP2005072409A (en) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Ngk Insulators Ltd | Epitaxial substrate, manufacturing method thereof, semiconductor laminate structure, and pit generation suppression method in epitaxial substrate front surface |
| JP2005110230A (en) * | 2003-09-12 | 2005-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film bulk acoustic resonator, method for producing same, filter, composite electronic component device, and communication apparatus |
| JP2005136115A (en) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Tdk Corp | Electronic device and its manufacturing method |
| JP2005160057A (en) * | 2003-11-07 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Piezoelectric resonator, manufacturing method thereof, filter using the same, duplexer and communication apparatus |
-
2005
- 2005-06-22 JP JP2005182009A patent/JP4722579B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11162852A (en) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Tdk Corp | Substrate for electronic device and manufacture thereof |
| JP2001111371A (en) * | 1999-08-03 | 2001-04-20 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Manufacturing method of ladder type piezoelectric ceramic filter |
| JP2002134806A (en) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Canon Inc | Piezoelectric film actuator, liquid injection head, and method of manufacturing the same |
| JP2002164586A (en) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Tdk Corp | Electronic device substrate, manufacturing method thereof, and thin-film piezoelectric element using it |
| WO2002093549A1 (en) * | 2001-05-11 | 2002-11-21 | Ube Electronics, Ltd. | Thin film acoustic resonator and method of manufacturing the resonator |
| JP2004047691A (en) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Seiko Epson Corp | Method for manufacturing semiconductor device, electrooptic device and electronic apparatus |
| JP2004296679A (en) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | Manufacturing methods of ferroelectric film and ferroelectric element, surface acoustic wave element, frequency filter, oscillator, electronic circuit and electronic equipment |
| JP2005072409A (en) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Ngk Insulators Ltd | Epitaxial substrate, manufacturing method thereof, semiconductor laminate structure, and pit generation suppression method in epitaxial substrate front surface |
| JP2005110230A (en) * | 2003-09-12 | 2005-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film bulk acoustic resonator, method for producing same, filter, composite electronic component device, and communication apparatus |
| JP2005136115A (en) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Tdk Corp | Electronic device and its manufacturing method |
| JP2005160057A (en) * | 2003-11-07 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Piezoelectric resonator, manufacturing method thereof, filter using the same, duplexer and communication apparatus |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103964372A (en) * | 2013-01-28 | 2014-08-06 | 亚太优势微***股份有限公司 | Integrated micro-electromechanical element and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007006001A (en) | 2007-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7528681B2 (en) | Acoustic devices using an AlGaN piezoelectric region | |
| EP1898525B1 (en) | Acoustic resonator and filter | |
| JP4077805B2 (en) | Manufacturing method of resonator | |
| US8759169B2 (en) | Method for producing silicon semiconductor wafers comprising a layer for integrating III-V semiconductor components | |
| JP4722579B2 (en) | Resonator and filter circuit manufacturing method using the same | |
| CN109560785B (en) | Lamb wave resonator and preparation method thereof | |
| CN109302158B (en) | Film bulk acoustic resonator and preparation method thereof | |
| JPWO2006114999A1 (en) | Compound semiconductor device and compound semiconductor manufacturing method | |
| JP7092051B2 (en) | How to make a field effect transistor | |
| CN113285014A (en) | Single crystal doped film, piezoelectric film for acoustic wave resonator and preparation method thereof | |
| TWI797693B (en) | Bulk acoustic wave resonator and formation method thereof | |
| CN114584101A (en) | Surface acoustic wave resonator, method for manufacturing the same, and surface acoustic wave filter | |
| JP3862602B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| CN109560784B (en) | Lamb wave resonator and preparation method thereof | |
| CN115001429B (en) | Preparation method of filter | |
| CN116865703A (en) | Transverse coupling FBAR, preparation method thereof and communication equipment | |
| KR100619441B1 (en) | Growth method of easy remove Sudstate | |
| CN115441844A (en) | Acoustic wave element and method for manufacturing same | |
| KR102688499B1 (en) | Method of manufactruring piezoelectric thin film and device using the same | |
| KR102480141B1 (en) | Method of manufactruring piezoelectric thin film and device using the same | |
| WO2022145453A1 (en) | Semiconductor substrate, mehod for producing semiconductor substrate, device for producing semiconductor substrate, electronic component, and electronic device | |
| JP4656888B2 (en) | Substrate dividing method | |
| JP2006165844A (en) | Method for manufacturing resonator | |
| US20240120898A1 (en) | Bulk filter | |
| JP2018125792A (en) | Method for manufacturing bulk acoustic wave resonator |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20061109 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080605 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101213 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101221 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110204 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20110217 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110228 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110308 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110406 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |